TW202025358A - 載置台、基板處理裝置、邊緣環及邊緣環之搬運方法 - Google Patents

載置台、基板處理裝置、邊緣環及邊緣環之搬運方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202025358A
TW202025358A TW108131153A TW108131153A TW202025358A TW 202025358 A TW202025358 A TW 202025358A TW 108131153 A TW108131153 A TW 108131153A TW 108131153 A TW108131153 A TW 108131153A TW 202025358 A TW202025358 A TW 202025358A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
edge ring
electrode
mounting table
electrostatic chuck
substrate
Prior art date
Application number
TW108131153A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI816869B (zh
Inventor
佐佐木康晴
內田陽平
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202025358A publication Critical patent/TW202025358A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI816869B publication Critical patent/TWI816869B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2007—Holding mechanisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Feeding Of Workpieces (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

依本發明，可搬運邊緣環。本發明提供一種載置台，用以載置施行既定處理的基板，該載置台具有：靜電吸盤，將該基板加以靜電吸附；第1邊緣環，可搬運，且配置於該基板的周圍；第2邊緣環，固定於該第1邊緣環的周圍；升降銷，使該第1邊緣環升降；第1電極，用於該第1邊緣環的靜電吸附，且配置於該靜電吸盤之與該第1邊緣環對向的位置；及第2電極，用於該第2邊緣環的靜電吸附，且配置於該靜電吸盤之與該第2邊緣環對向的位置。

Description

載置台、基板處理裝置、邊緣環及邊緣環之搬運方法
本發明係關於載置台、基板處理裝置、邊緣環及邊緣環之搬運方法。
例如，專利文獻1的載置台具備：靜電吸盤及邊緣環。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-244274號公報
[發明欲解決之問題]
本發明提供可搬運邊緣環的技術。 [解決問題之方法]
依據本發明的一態樣，提供一種載置台，用以載置施行既定處理的基板，該載置台具有：靜電吸盤，將該基板加以靜電吸附；第1邊緣環，可搬運，且配置於該基板的周圍；第2邊緣環，固定於該第1邊緣環的周圍；升降銷，使該第1邊緣環升降；第1電極，用於該第1邊緣環的靜電吸附，且配置於該靜電吸盤之與該第1邊緣環對向的位置；及第2電極，用於該第2邊緣環的靜電吸附，且配置於該靜電吸盤之與該第2邊緣環對向的位置。 [發明效果]
依據一態樣，可搬運邊緣環。
以下，參照圖式說明用以實施本發明的形態。又，於本說明書及圖式中，對實質上相同的構成，藉由賦予同一符號而省略重複說明。
[基板處理裝置的整體構成] 圖1係顯示一實施形態的基板處理裝置1的構成的一例。此基板處理裝置1為電容耦合型電漿處理裝置，具有由例如鋁或不鏽鋼等金屬製的圓筒型處理容器10。處理容器10為接地。
於處理容器10內，水平配置著圓板狀的載置台12以作為下部電極，該載置台12載置作為基板的一例的晶圓W。此載置台12具有由例如鋁所成的本體或基台12a、及固接於此基台12a底面的導電性的RF(Radio Frequency；射頻)板12b，且由從處理容器10底部往垂直上方延伸的絕緣性筒狀支撐部14所支撐。沿著此筒狀支撐部14的外周，形成從處理容器10底部往垂直上方延伸的導電性筒狀支撐部16。於筒狀支撐部16與處理容器10的內壁之間，形成環狀排氣通道18，於此排氣通道18的底部設置排氣口20。於此排氣口20，透過排氣管22而連接著排氣裝置24。排氣裝置24具有渦輪分子泵等的真空泵，可將處理容器10內的處理空間減壓至期望的真空度。於處理容器10的側壁，設有用以將晶圓W等搬入及搬出之搬運口25、及用以使搬運口25開閉之閘閥26。
第1射頻電源30及第2射頻電源28，透過匹配單元32及供電棒34而電性連接於載置台12。第1射頻電源30，主要係輸出有助於產生電漿的既定頻率例如40MHz的射頻電力。第2射頻電源28，主要係輸出有助於將離子導入至載置台12上的晶圓W的既定頻率例如2MHz的射頻電力。於匹配單元32中，收容有第1匹配器及第2匹配器。第1匹配器使第1射頻電源30側的阻抗與負載(主要為電極、電漿、處理容器)側的阻抗之間得以匹配。第2匹配器使第2射頻電源28側的阻抗與負載(主要為電極、電漿、處理容器)側的阻抗之間得以匹配。
載置台12具有大於晶圓W的直徑。將載置台12的頂面，分割成與晶圓W為大致相同形狀(圓形)且大致相同尺寸的中心區亦即晶圓載置部、及往此晶圓載置部的外側延伸的環狀周邊部，並將作為處理對象的晶圓W載置於晶圓載置部之上。又，於晶圓W的周圍且於環狀周邊部之上，裝設具有內徑僅稍大於晶圓W口徑的邊緣環36。邊緣環36亦稱為對焦環。邊緣環36依照晶圓W的被蝕刻材料，由例如Si、SiC、C、SiO2 等材質所成。邊緣環36具有：第1邊緣環，係成環狀地設於晶圓W周圍之內周側的邊緣環；及第2邊緣環，係成環狀地設於第1邊緣環周圍之外周側的邊緣環。
載置台12頂面的晶圓載置部及環狀周邊部，成為用以將晶圓加以靜電吸附的靜電吸盤38的中央部的載置面及外周部的載置面。靜電吸盤38，係於膜狀或板狀的介電體38b中具有薄片狀或網格狀的電極38a。靜電吸盤38，係一體形成或一體固接於載置台12的基台12a上。配置於處理容器10外的直流電源40，透過配線及開關42而電性連接於電極38a，利用直流電源40所施加的直流電壓，以庫侖力使晶圓W吸附保持於靜電吸盤38上。
靜電吸盤38的外周部的頂面，與邊緣環36的底面直接接觸。於環狀周邊部之中，設有薄片狀或網格狀的導電體的第1電極44及第2電極45。第1電極44係配置於靜電吸盤38之與第1邊緣環361對向的位置；第2電極45係配置於靜電吸盤38之與第2邊緣環362對向的位置。
第1電極44及第2電極45，電性連接於直流電源40。從直流電源40將直流電壓供給至第1電極44及第2電極45。直流電壓對第1電極44及第2電極45的供給及停止供給，可對各自的電極分別獨立進行。
藉此，於對第1電極44施加直流電壓的期間，可藉由庫侖力將第1邊緣環361吸附保持於靜電吸盤38的環狀周邊部。又，於對第2電極45施加直流電壓的期間，可藉由庫侖力將第2邊緣環362吸附保持於靜電吸盤38的環狀周邊部。
於載置台12的內部，設置例如於圓周方向延伸的環狀的冷媒室46。從急冷器單元(未圖示)經由配管48、50將既定溫度的冷媒例如冷卻水循環供給至此冷媒室46，藉由此冷媒的溫度可控制靜電吸盤38上的晶圓W及邊緣環36的溫度。
將熱媒體供給至晶圓W與靜電吸盤38的中央部的載置面之間的貫通孔54，與氣體供給管52連接。藉由此構成，來自導熱氣體供給部(未圖示)的導熱氣體例如He氣體，通過氣體供給管52，經由載置台12內部的貫通孔54的通路而供給至靜電吸盤38與晶圓W之間。He氣體等導熱氣體，為熱媒體的一例。
於處理容器10的頂棚，與載置台12平行相向地設置接地電位的噴淋頭56。噴淋頭56具有與載置台12相向的電極板58、及可拆裝地從背後(上)支撐此電極板58的電極支撐體60，亦用作為上部電極。電極板58由例如Si或SiC所構成，電極支撐體60由例如經氧皮鋁處理的鋁所構成。
於電極支撐體60的內部，設有氣體室62，從該氣體室62貫穿至載置台12側的多個氣體噴出孔61，形成於電極支撐體60及電極板58。藉由此構成，使電極板58與載置台12間的空間成為電漿產生或處理空間。處理氣體供給部64，透過氣體供給管66而連接於設在氣體室62上部的氣體導入口62a。
電漿處理裝置內各部的動作及裝置整體的動作，藉由例如由微電腦所構成的控制部100所控制。電漿處理裝置內各部的一例，具有排氣裝置24、第1射頻電源30、第2射頻電源28、直流電源40的開關42、急冷器單元(未圖示)及處理氣體供給部64等。
控制部100具有未圖示之唯讀記憶體(ROM：Read Only Memory)、隨機存取記憶體(RAM：Random Access Memory)，微電腦依記錄於RAM等的配方所設定的順序，控制蝕刻等處理。
為了於此構成的基板處理裝置1中對晶圓W施加蝕刻等既定處理，首先，使閘閥26成為開啟狀態，於將處理對象的晶圓W保持於未圖示的搬運臂上的狀態下，從搬運口25進入至處理容器10內。晶圓W藉由未圖示的頂推銷而保持於靜電吸盤38的晶圓載置部的上方，並利用頂推銷下降而載置於靜電吸盤38的晶圓載置部上。於搬運臂退出後使閘閥26關閉。藉由排氣裝置24將處理容器10內的壓力減壓至設定值。
又，藉由對靜電吸盤38的電極38a、第1電極44及第2電極45施加來自直流電源40的直流電壓，而使晶圓W、第1邊緣環361及第2邊緣環362靜電吸附於靜電吸盤38上。
從處理氣體供給部64所輸出的處理氣體，從噴淋頭56成噴淋狀地導入至處理容器10內。再者，將第1射頻電源30及第2射頻電源28設為開啟，使輸出各自的射頻電力，經由供電棒34而施加於載置台12。所導入的處理氣體，藉由射頻電力而電漿化，再藉由利用此電漿所產生的自由基或離子，而對晶圓W的主面施加蝕刻等既定處理。於電漿處理後，使晶圓W保持於搬運臂上，並從搬運口25搬出至處理容器10的外部。藉由重複進行此處理，而對晶圓W進行處理。
[邊緣環及其周邊的構成] 其次，參考圖2，說明邊緣環36及其周邊的構成。圖2係靜電吸盤38的外周部的載置面中之邊緣環36周圍構造的放大圖。晶圓W周圍的靜電吸盤38的外周部，位於明顯較低的位置，並配置二分為第1邊緣環361及第2邊緣環362之環狀邊緣環36。第1邊緣環361配置於晶圓W的周圍，係可搬運的內側邊緣環。第2邊緣環362係固定於第1邊緣環361周圍的外側邊緣環。載置於靜電吸盤38上的晶圓W的頂面、第1邊緣環361的頂面及第2邊緣環362的頂面，以成大致齊平的方式配置。
第1邊緣環361藉由使第1邊緣環361升降的升降銷75，可相對於載置台12往上方分離，且能使該高度位置為可變調整。於第1邊緣環361的正下方，在載置台12於鉛直方向形成貫通孔72。升降銷75可擦動地通過貫通孔72。貫通孔72，係於內部設置升降銷75的第1貫通孔的一例。
升降銷75的前端，抵接於第1邊緣環361的底面。升降銷75的基端部，由配置於處理容器10外的致動器76所支撐。致動器76使升降銷75上下移動，可任意調整第1邊緣環361的高度位置。於貫通孔72，設有如O型環等的密封構件78。又，貫通孔72、升降銷75及致動器76，以於圓周方向隔著既定間隔而設於複數處(例如3處)為佳。
於搬運第1邊緣環361之際，藉由致動器76使升降銷75上下移動而任意調整第1邊緣環361的高度位置。使閘閥26成開啟狀態，使搬運臂從搬運口25進入至處理容器10內。藉由升降銷75下降，使第1邊緣環361載置於搬運臂上。
圖3係第1邊緣環361及第2邊緣環362的俯視概略圖。第1邊緣環361的外徑(外周直徑φ)，形成為較形成於處理容器10之基板的搬運口25的橫寬D為小。藉此，第1邊緣環361能於由搬運臂保持的狀態下，從搬運口25搬運至處理容器10的內部及外部。如圖2所示，更換對象的第1邊緣環361藉由致動器76使升降銷75上下移動，而從升降銷75被傳遞至搬運臂，並從搬運口25被搬出至處理容器10的外部。接著，將新的第1邊緣環361保持於搬運臂並從搬運口25搬入至處理容器10的內部，而配置於靜電吸盤38上的環狀周邊部且配置於第2邊緣環362的內周側。
晶圓W的直徑係300mm，為了從搬運口25將晶圓W搬入及搬出，使搬運口25開口成橫寬D略大於300mm。而為了從搬運口25將較晶圓W大的邊緣環36搬入及搬出，必須使邊緣環36的外徑小於搬運口25的橫寬D。
另一方面，邊緣環36的外徑係對晶圓W進行既定處理時的製程條件之一，必須為既定以上(例如320mm～370mm左右)的大小。因此，若未將邊緣環36加以分割，則無法利用搬運口25來搬運邊緣環36。
有鑑於以上考量，將本實施形態的邊緣環36，分割成內側的被搬運側的第1邊緣環361與外側的非被搬運側的第2邊緣環362。藉此，第1邊緣環361具有較搬運口25的橫寬D為小的直徑φ，可從搬運口25進行搬運。另一方面，第2邊緣環362具有較搬運口25的橫寬D為大的直徑，非設為從搬運口25自動搬運的對象而固定於靜電吸盤38。藉此，不需打開處理容器10的蓋子，可使第1邊緣環361與晶圓W同樣地從搬運口25搬入及搬出。
又，藉由上述構成，可分別控制施加於第1電極44和第2電極45的直流電壓。例如，於搬運第1邊緣環361時，可於停止對第1電極44供給直流電壓之同時，對非被搬運側的第2邊緣環362的第2電極45持續供給直流電壓。因此，於搬運第1邊緣環361之際，可於保持非被搬運側的第2邊緣環362的靜電吸附之下，解除被搬運側的第1邊緣環361的吸附。
[電極圖案] 如上所述，第1電極44及第2電極45分別由控制部100獨立控制。藉此，於搬運第1邊緣環361之際，可於第2邊緣環362的位置不偏離並保持固定的狀態下，搬運第1邊緣環361。
第1電極44及第2電極45為單極的情形時，於對靜電吸盤38的電極供給正電荷時，必須使負電荷聚集於第1邊緣環361及第2邊緣環362聚集，以產生庫侖力。因此，第1邊緣環361及第2邊緣環362，必須有連接至接地的路徑。例如，於處理空間中，若為電漿產生期間，可藉由電漿製造出至接地(有接地的處理容器10)的路徑。因此，即使第1電極44及第2電極45為單極，亦能將第1邊緣環361及第2邊緣環362加以靜電吸附。
然而，於搬運第1邊緣環361時，並未產生電漿。如此一來，將第1邊緣環361及第2邊緣環362連接至接地的路徑並不存在，而無法將第1邊緣環361及第2邊緣環362加以靜電吸附。
是故，本實施形態的第1電極44及第2電極45，各自分割成複數之圖案(以下，亦稱「電極圖案」)，對於針對第1電極44及第2電極45各自分割而成的複數之電極圖案，各自施加不同的電壓。如此，於第1電極44及第2電極45中，分別藉由於各自分割的圖案設有電位差，而成為雙極的電極，而能使第1邊緣環361及第2的邊緣環362獨立地靜電吸附。
圖4的上半段，顯示第1電極44及第2電極45的頂面的電極圖案的一例。圖4的下半段，顯示第1電極44及第2電極45的剖面的一例。圖4(a)，係將第1電極44及第2電極45於圓周方向分割而成的雙極電極圖案。圖4(b)，係將第1電極44及第2電極45分割成同心圓而成的雙極電極圖案。
於圖4(a)的電極圖案中，於圓周方向將第1電極44分割為6份，以每次3片對於交互配置而成的部分電極44A及44B施加不同的直流電壓，以設成電位差。又，於圓周方向將第2電極45分割成6份，以每次3片對交互配置而成的部分電極45A及45B施加不同的直流電壓，以設成電位差。於圖4(a)的電極圖案中，係於圓周方向將各電極分割成6份，但分割數目不限於此。
於圖4(b)的電極圖案中，對於將第1電極44成同心圓狀地分割為2份而成之部分電極44A及44B，施加不同的直流電壓，以設成電位差。又，對於將第2電極45成同心圓狀地分割成2份而成之部分電極45A及45B，施加不同的直流電壓，以設成電位差。又，針對圖4(a)及(b)之任一電極圖案，亦可對部分電極44A及部分電極44B施加極性不同的直流電壓，亦可施加極性相同但能產生電位差之大小不同的直流電壓。又，對於部分電極45A及部分電極45B，可施加極性不同的直流電壓，亦可施加極性相同但能產生電位差之大小不同的直流電壓。
又，針對圖4(a)及(b)之任一電極圖案，部分電極44A及部分電極44B的面積形成為大致相同，部分電極45A及部分電極45B的面積形成為大致相同。藉此，可於雙極的電極圖案中，使產生與靜電吸盤38的靜電吸附力。藉此，藉由於第1電極44及第2電極45的各電極內部使其分極，可於靜電吸盤38與第1邊緣環361之間及靜電吸盤38與第2邊緣環362之間，各自獨立產生靜電吸附力。
又，於本實施形態中，係以將邊緣環36分割成第1邊緣環361及第2邊緣環362之2份為例加以說明，但不限於此，亦可將邊緣環36分割成3份或4份以上。於此情形時，使具有較搬運口25的橫寬D為小的直徑之分割後的1個或複數個邊緣環成為搬運的對象，而將具有較搬運口25的橫寬D為大的直徑之分割後的1個或複數個邊緣環固定於靜電吸盤38。
又，於固定於靜電吸盤38之側的邊緣環(本實施形態中之第2邊緣環362)耗損時，打開處理容器10的蓋子以手動方式更換該邊緣環。
但是，被搬運側的邊緣環(本實施形態中之第1邊緣環361)，因設於晶圓W的周圍，故相較於非被搬運側的邊緣環更易因電漿處理而耗損。又，於相同程度的耗損的情形時，設於晶圓W周圍的被搬運側的邊緣環，會對晶圓W的邊緣部的製程特性造成較大影響。因此，對製程特性的影響大的被搬運側的邊緣環的更換次數，較對製程特性的影響小的非被搬運側的邊緣環的更換次數為多。是故，於本實施形態中，從搬運口25自動搬運被搬運側的邊緣環。藉此，可使製程良好，且縮短邊緣環的更換或維修所需時間而提升生產性。
[利用導熱氣體供給部的變形例] 其次，參考圖5，說明利用導熱氣體供給部的變形例。圖5係一實施形態的變形例之邊緣環36的周邊構成的縱剖面圖。於本變形例中，具有：第1貫通孔112a，將熱媒體供應至第1邊緣環361與靜電吸盤38的環狀周邊部的載置面之間；及第2貫通孔112b，將熱媒體供給至第2邊緣環362與靜電吸盤38的載置面之間。
藉此，來自導熱氣體供給部(未圖示)的導熱氣體例如He氣體，通過氣體供給管52，經由載置台12內部的第1貫通孔112a及第2貫通孔112b的通路而供給至靜電吸盤38與晶圓W和邊緣環36之間。He氣體等導熱氣體，係熱媒體的一例。
本變形例中，導熱氣體通過的第1貫通孔112a，係於內部設有升降銷75的第1貫通孔的一例。藉此，可於使升降銷75升降的同時，經由第1貫通孔112a將導熱氣體供給至第1邊緣環361與靜電吸盤38之間。
又，雖未圖示，但導熱氣體對第1貫通孔112a的供給及停止供給、和導熱氣體對第2貫通孔112b的供給及停止供給，可分別控制。藉由此構成，藉由透過第1貫通孔112a及第2貫通孔112b將導熱氣體供給至靜電吸盤38的載置面與邊緣環36的背面之間，可控制邊緣環36的熱傳導率。又，可於提高邊緣環的溫度控制的精確度之同時，搬運第1邊緣環361。
[更換判定處理] 接著，於圖5所示例的邊緣環36的構成中，參考圖6，說明判定第1邊緣環361的更換之更換判定處理的一實施形態。圖6係一實施形態的更換判定處理的一例的流程圖。本處理由控制部100所執行。
當本處理開始進行，於步驟S10中，將未處理晶圓搬入至處理容器10內，並載置於載置台12。其次，於步驟S12中，對晶圓施加蝕刻、成膜等既定處理。其次，於步驟S14中，將已施加既定處理之已處理晶圓搬出至處理容器10的外部。
其次，於步驟S16中，判定基板處理裝置1的使用時間(晶圓的處理時間)是否為事先所設定之閾值以上。於使用時間為閾值以上的情形時，於步驟S18中，於進行第1邊緣環361的更換處理之後，前往步驟S19。於使用時間為未滿閾值的情形時，不進行第1邊緣環361的更換處理，而直接前往步驟S19。
其次，於步驟S19中，判定是否有應處理之下一晶圓。若判定有下一晶圓，則返回步驟S10並進行步驟S10以後的處理，若判定無下一晶圓，則結束本處理。
又，於步驟S16中，基板處理裝置1的使用時間亦可為RF的施加時間。又，亦可測量第1邊緣環361的耗損量來取代使用時間，因應測量結果，來判斷第1邊緣環361的更換。
[邊緣環更換處理] 其次，參考圖7，說明於圖6的S18所叫出之一實施形態的邊緣環更換處理。圖7係一實施形態的邊緣環更換處理的一例的流程圖。本處理由控制部100所執行。又，圖7中，第1邊緣環361係被搬運側的邊緣環。
當叫出本處理時，於步驟S20中，停止將導熱氣體從第1貫通孔112a供給至第1邊緣環361側。其次，於步驟S22中，停止將直流電壓供給至配置於第1邊緣環361的對向位置的第1電極44。
其次，於步驟S24中，使升降銷75往上，使第1邊緣環361於升降銷75上抬高至既定位置。其次，於步驟S26中，開啟閘閥26使搬運臂從搬運口25進入，而使升降銷75上的第1邊緣環361保持於搬運臂。
其次，於步驟S28中，使升降銷75往下，而於步驟S30中，使保持第1邊緣環361的狀態的搬運臂從搬運口25退出。其次，於步驟S32中，使保持著更換用(新品)的第1邊緣環361的搬運臂從搬運口25進入。其次，於步驟S34中，使升降銷75往上，升降銷75從搬運臂接收更換用的第1邊緣環361。
其次，於步驟S36中，使升降銷75往下。接著，於步驟S38中，對第1邊緣環361側的第1電極44供給直流電壓。其次，於步驟S40中，從第1貫通孔112a對第1邊緣環361供給導熱氣體，而結束本處理，並返回圖6。
如上所述，依據本實施形態的搬運方法，將邊緣環36分割成2份，可從搬運口25自動搬運內側的第1邊緣環361。又，可判定最佳更換時期，並快速地自動搬運第1邊緣環361。藉此，可使製程良好，且縮短邊緣環的更換或維修所需時間而提升生產性。
又，圖2所示例的邊緣環36的構成中，於進行圖6的更換判定處理並從圖6的步驟S18叫出的圖7的邊緣環更換處理中，跳過步驟S20、S40而執行處理。
以上所揭示的一實施形態的載置台、基板處理裝置、邊緣環及邊緣環之搬運方法，應視為於所有的點上皆為例示而非限制。上述實施形態於不脫離附加之申請專利範圍及其主旨之情形下，能以各種形態進行變形及改良。上述複數實施形態所記載之事項，於不相矛盾的範圍內亦可有其他構成，又，可於不相矛盾的範圍內加以組合。
本發明的基板處理裝置，於電容耦合型電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)、電感耦合型電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)、放射狀線槽孔天線(RLSA：Radial Line Slot Antenna)、電子迴旋共振電漿(ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma)、螺旋波激發型電漿(HWP：Helicon Wave Plasma)之任一種類型皆可適用。
本說明書中，以晶圓W作為基板的一例加以說明。然而，基板不限於此，亦可為用於平板顯示器(FPD：Flat Panel Display)的各種基板、印刷基板等。
1:基板處理裝置 10:處理容器 12:載置台(下部電極) 12a:載置台本體(基台) 12b:RF(Radio Frequency；射頻)板 14:筒狀支撐部 16:筒狀支撐部 18:排氣通道 20:排氣口 22:排氣管 24:排氣裝置 25:搬運口 26:閘閥 28:第2射頻電源 30:第1射頻電源 32:匹配單元 34:供電棒 36:邊緣環 361:第1邊緣環 362:第2邊緣環 38:靜電吸盤 38a:電極 38b:介電體 40:直流電源 42:開關 44:第1電極 44A、44B:部分電極 45:第2電極 45A、45B:部分電極 46:冷媒室 48:配管 50:配管 52:氣體供給管 54:貫通孔 56:噴淋頭 58:電極板 60:電極支撐體 61:氣體噴出孔 62:氣體室 62a:氣體導入口 64:處理氣體供給部 66:氣體供給管 72:貫通孔 75:升降銷 76:致動器 78:密封構件 100:控制部 112a:第1貫通孔 112b:第2貫通孔 D:橫寬 He:氦 W:晶圓
【圖1】一實施形態的基板處理裝置的構成的縱剖面圖。 【圖2】一實施形態的邊緣環周邊的構成的縱剖面圖。 【圖3】一實施形態的邊緣環與搬運口的關係說明圖。 【圖4】一實施形態的邊緣環的電極圖案的一例圖。 【圖5】一實施形態的變形例的邊緣環周邊的構成的縱剖面圖。 【圖6】一實施形態的更換判定處理的一例的流程圖。 【圖7】一實施形態的邊緣環更換處理的一例的流程圖。
12:載置台(下部電極)
12a:載置台本體(基台)
12b:RF(Radio Frequency；射頻)板
28:第2射頻電源
30:第1射頻電源
36:邊緣環
361:第1邊緣環
362:第2邊緣環
38:靜電吸盤
38a:電極
38b:介電體
44:第1電極
45:第2電極
72:貫通孔
75:升降銷
76:致動器
78:密封構件
W:晶圓

Claims (14)

  1. 一種載置台，其用以載置施行既定處理的基板，該載置台具有：靜電吸盤，將該基板加以靜電吸附；第1邊緣環，其為可搬運，且配置於該基板的周圍；第2邊緣環，固定於該第1邊緣環的周圍；升降銷，使該第1邊緣環升降；第1電極，用於該第1邊緣環的靜電吸附，且配置於該靜電吸盤之與該第1邊緣環對向的位置；及第2電極，用於該第2邊緣環的靜電吸附，且配置於該靜電吸盤之與該第2邊緣環對向的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之載置台，其中，該第1邊緣環的直徑小於該基板的搬運口的寬度，該搬運口係形成於內部設有該載置台的處理容器。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之載置台，更具有：第1貫通孔，將熱媒體供給至該第1邊緣環與該靜電吸盤的載置面之間；及第2貫通孔，將熱媒體供給至該第2邊緣環與該靜電吸盤的載置面之間。
  4. 如申請專利範圍第3項之載置台，其中，該升降銷，係設於該第1貫通孔的內部。
  5. 如申請專利範圍第1～4項中任一項之載置台，其中，該第1電極及該第2電極，各自分割成複數之部分電極，對於該第1電極及該第2電極之各自的複數之部分電極，施加不同的電壓。
  6. 一種基板處理裝置，其對載置於處理容器內的載置台之基板施行既定處理，該基板處理裝置具有：載置台，用以載置該基板；靜電吸盤，將該基板加以靜電吸附；第1邊緣環，其為可搬運，且配置於該基板的周圍；第2邊緣環，固定於該第1邊緣環的周圍；升降銷，使該第1邊緣環升降；第1電極，用於該第1邊緣環的靜電吸附，且配置於該靜電吸盤之與該第1邊緣環對向的位置；及第2電極，用於該第2邊緣環的靜電吸附，且配置於該靜電吸盤之與該第2邊緣環對向的位置。
  7. 一種邊緣環，配置於基板處理裝置的處理容器內之載置台，該邊緣環包含：第1邊緣環，具有較形成於該處理容器之用以搬運基板的搬運口的寬度為小的直徑，且從該搬運口被搬運；及第2邊緣環，具有較該搬運口的寬度為大的直徑，且固定於該載置台。
  8. 一種邊緣環之搬運方法，該邊緣環係配置於基板處理裝置的處理容器內之載置台，且該邊緣環包含：第1邊緣環，具有較形成於該處理容器之基板的搬運口的寬度為小的直徑；及第2邊緣環，具有較該搬運口的寬度為大的直徑，且固定於該載置台，該邊緣環之搬運方法包含：從該搬運口搬運該第1邊緣環的步驟。
  9. 如申請專利範圍第8項之邊緣環之搬運方法，其中，搬運該第1邊緣環的步驟包含下述步驟：對配置在與該第1邊緣環對向的位置之該第1邊緣環的靜電吸附用的第1電極，停止供給直流電壓；使令該第1邊緣環升降的升降銷上升；使搬運臂進入至該處理容器內，並保持該第1邊緣環；及使該搬運臂從該處理容器退出。
  10. 如申請專利範圍第9項之邊緣環之搬運方法，其中，搬運該第1邊緣環的步驟更包含下述步驟：使保持著更換用的該第1邊緣環的該搬運臂進入至該處理容器內；使該升降銷上升，並接收更換用的該第1邊緣環；使該升降銷下降，並將該第1邊緣環載置於該載置台；及對該第1電極供給直流電壓。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之邊緣環之搬運方法，其中，對該第1電極停止供給直流電壓的步驟，係於停止對該第1邊緣環與靜電吸盤的載置面之間供給來自第1供給孔的熱媒體之後，停止對該第1電極供給直流電壓。
  12. 如申請專利範圍第11項之邊緣環之搬運方法，其中，對該第1電極供給直流電壓的步驟，係於對該第1邊緣環與該靜電吸盤的載置面之間供給來自該第1供給孔熱媒體之前，對該第1電極供給直流電壓。
  13. 如申請專利範圍第9～12項中任一項之邊緣環之搬運方法，其中，於停止對該第1電極供給直流電壓的步驟，係於對配置在與該第2邊緣環對向的位置之該第2邊緣環的靜電吸附用的第2電極供給直流電壓之同時，停止對該第1電極供給直流電壓。
  14. 如申請專利範圍第8～13項中任一項之邊緣環之搬運方法，更包含：判定該第1邊緣環的更換之步驟， 搬運該第1邊緣環的步驟，係依該判定結果而執行。
TW108131153A 2018-09-06 2019-08-30 載置台、基板處理裝置、及邊緣環之搬運方法 TWI816869B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-167229 2018-09-06
JP2018167229A JP7115942B2 (ja) 2018-09-06 2018-09-06 載置台、基板処理装置、エッジリング及びエッジリングの搬送方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202025358A true TW202025358A (zh) 2020-07-01
TWI816869B TWI816869B (zh) 2023-10-01

Family

ID=69722536

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112132346A TW202349553A (zh) 2018-09-06 2019-08-30 基板處理裝置
TW108131153A TWI816869B (zh) 2018-09-06 2019-08-30 載置台、基板處理裝置、及邊緣環之搬運方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112132346A TW202349553A (zh) 2018-09-06 2019-08-30 基板處理裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210327688A1 (zh)
JP (3) JP7115942B2 (zh)
KR (2) KR20240141848A (zh)
CN (2) CN118712116A (zh)
TW (2) TW202349553A (zh)
WO (1) WO2020050080A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI827962B (zh) * 2020-09-14 2024-01-01 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 靜電裝置、其所在的基片處理系統及其置換清潔方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
JP7105666B2 (ja) * 2018-09-26 2022-07-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US11913777B2 (en) * 2019-06-11 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Detector for process kit ring wear
US20230162953A1 (en) * 2020-03-23 2023-05-25 Lam Research Corporation Mid-ring erosion compensation in substrate processing systems
JP7441711B2 (ja) * 2020-04-13 2024-03-01 東京エレクトロン株式会社 基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの載置方法
US20210335645A1 (en) * 2020-04-28 2021-10-28 Tokyo Electron Limited Substrate support assembly, substrate processing apparatus, and substrate processing method
JP7438018B2 (ja) * 2020-05-11 2024-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板載置方法及び基板載置機構
JP7455012B2 (ja) * 2020-07-07 2024-03-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
US20220293397A1 (en) * 2021-03-10 2022-09-15 Applied Materials, Inc. Substrate edge ring that extends process environment beyond substrate diameter
JP7534249B2 (ja) 2021-03-24 2024-08-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム及び環状部材の取り付け方法
CN115410972A (zh) * 2021-05-28 2022-11-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种静电吸附装置及其所在的基片处理系统
TW202341343A (zh) * 2021-12-23 2023-10-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板支持器及電漿處理裝置
WO2024095856A1 (ja) * 2022-10-31 2024-05-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、および搬送方法
WO2024143348A1 (ja) * 2022-12-28 2024-07-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び基板吸着方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3424903B2 (ja) * 1997-01-23 2003-07-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20060035158A (ko) * 2004-10-21 2006-04-26 삼성전자주식회사 반도체 식각 장치의 포커스링
JP5317424B2 (ja) 2007-03-28 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5204673B2 (ja) * 2009-01-14 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ分布の制御方法
JP5508737B2 (ja) * 2009-02-24 2014-06-04 東京エレクトロン株式会社 静電チャック及びプラズマ処理装置
JP5657262B2 (ja) * 2009-03-27 2015-01-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN101989544B (zh) * 2009-08-07 2012-05-23 中微半导体设备(上海)有限公司 一种可减少基片背面聚合物的结构
TWI385725B (zh) * 2009-09-18 2013-02-11 Advanced Micro Fab Equip Inc A structure that reduces the deposition of polymer on the backside of the substrate
JP5479034B2 (ja) * 2009-11-10 2014-04-23 富士フイルム株式会社 レンズ装置
KR101174816B1 (ko) * 2009-12-30 2012-08-17 주식회사 탑 엔지니어링 플라즈마 처리 장치의 포커스 링 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치
JP2011176228A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Oki Semiconductor Co Ltd プラズマ処理装置及びフォーカスリング
JP5719599B2 (ja) * 2011-01-07 2015-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6003011B2 (ja) * 2011-03-31 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN102522305B (zh) * 2011-12-27 2015-01-07 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及聚焦环组件
KR102037542B1 (ko) * 2012-01-17 2019-10-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 배치대 및 플라즈마 처리 장치
JP6010433B2 (ja) * 2012-11-15 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
US20150010381A1 (en) * 2013-07-08 2015-01-08 United Microelectronics Corp. Wafer processing chamber and method for transferring wafer in the same
JP6346855B2 (ja) * 2014-12-25 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 静電吸着方法及び基板処理装置
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
KR102634280B1 (ko) * 2015-10-21 2024-02-07 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치
US10062599B2 (en) * 2015-10-22 2018-08-28 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers
WO2017131927A1 (en) * 2016-01-26 2017-08-03 Applied Materials, Inc. Wafer edge ring lifting solution
CN107093569B (zh) * 2016-02-18 2019-07-05 北京北方华创微电子装备有限公司 一种晶片定位装置及反应腔室
JP6635888B2 (ja) * 2016-07-14 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム
US10553404B2 (en) * 2017-02-01 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI827962B (zh) * 2020-09-14 2024-01-01 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 靜電裝置、其所在的基片處理系統及其置換清潔方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022140585A (ja) 2022-09-26
US20210327688A1 (en) 2021-10-21
TW202349553A (zh) 2023-12-16
WO2020050080A1 (ja) 2020-03-12
CN112602176A (zh) 2021-04-02
CN112602176B (zh) 2024-07-02
KR20210052491A (ko) 2021-05-10
JP7115942B2 (ja) 2022-08-09
JP2020043137A (ja) 2020-03-19
CN118712116A (zh) 2024-09-27
KR102707352B1 (ko) 2024-09-19
JP7345607B2 (ja) 2023-09-15
JP2023158049A (ja) 2023-10-26
KR20240141848A (ko) 2024-09-27
TWI816869B (zh) 2023-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202025358A (zh) 載置台、基板處理裝置、邊緣環及邊緣環之搬運方法
CN109216148B (zh) 等离子体处理装置
TWI840355B (zh) 清洗方法及基板處理裝置
TWI553729B (zh) Plasma processing method
KR101037533B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
TWI764967B (zh) 計測方法、除電方法及電漿處理裝置
JP2010517295A (ja) 真空チャックを備えるベベルエッチャ
US20080242086A1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
JP2014056928A (ja) 離脱制御方法及びプラズマ処理装置
JP2019176031A (ja) プラズマ処理装置、及び被処理体の搬送方法
US20240063000A1 (en) Method of cleaning plasma processing apparatus and plasma processing apparatus
CN210722949U (zh) 减少聚合物沉积的设备
TWI817229B (zh) 下電極元件、等離子體處理裝置和更換聚焦環的方法
JP2010267708A (ja) 真空処理装置および真空処理方法
JP2020167279A (ja) プラズマ処理装置
WO2005055298A1 (ja) プラズマ処理装置及びマルチチャンバシステム
WO2023148861A1 (ja) プラズマ処理装置のクリーニング方法
WO2023120679A1 (ja) プラズマ処理装置
JP2022053960A (ja) 処理装置及び処理装置における基体保持方法
TW202431332A (zh) 基板處理系統及邊緣環之安裝方法
KR20230092688A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20220070850A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20100006708A (ko) 플라즈마 처리 장치