TWI827962B - 靜電裝置、其所在的基片處理系統及其置換清潔方法 - Google Patents
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Abstract
本發明揭露一種靜電裝置、其所在的基片處理系統及其置換清潔方法，基片處理系統包含電漿處理裝置、傳輸腔及靜電裝置，傳輸腔內有傳輸機械手，靜電裝置用於產生吸附靜電以吸附電漿處理裝置中的真空反應腔中的邊緣環，並透過傳輸機械手將邊緣環移入或移出真空反應腔，進而實現在不打開真空反應腔的情況下置換邊緣環。本發明的結構簡單且操作方便，極大地降低了基片處理系統的維護成本。
Description
本發明涉及半導體器件的製造領域，尤其涉及一種靜電裝置、其所在的基片處理系統及其置換清潔方法。
電漿處理裝置具有一個真空反應腔，並利用真空反應腔的工作原理進行半導體基片的加工。真空反應腔的工作原理是在真空反應室中通入含有適當蝕刻劑或沉積源氣體的反應氣體，然後再對真空反應室進行射頻能量輸入，以激發反應氣體，來點燃和維持電漿，以便分別蝕刻基片表面上的材料層或在基片表面上沉積材料層，進而對半導體基片進行加工。
電漿處理裝置的真空反應腔中包含一個基座，基座上設置有靜電吸盤，靜電吸盤用於吸附半導體基片，以便對其進行電漿處理(蝕刻或沉積)。基座和靜電吸盤的周圍進一步設置有聚焦環、覆蓋環、隔離環等邊緣環，用以調節電漿處理裝置中的真空反應腔內的溫度、電場強度以及氣體分佈等參數，從而保證半導體基片中心區域和邊緣區域蝕刻(或沉積)的均勻性。
在電漿處理裝置對半導體基片進行電漿處理時，常常會遇到邊緣環損耗較大、使用壽命短的問題。由於邊緣環的損耗，會導致邊緣環對邊緣區域的溫度、電場強度以及氣體分佈等參數的調節發生變化，造成不同時間段內基片處理的均一性變差，此外，邊緣環損耗後，靜電吸盤與邊緣環之間的間隙變大，造成使更多的具有腐蝕性與污染性的蝕刻氣體、自由基、電漿等氣體通過上述增大的靜電吸盤與邊緣環之間的間隙，進而腐蝕攻擊靜電吸盤側壁、靜電吸盤側壁密封圈以及其他的零組件，同時也會產生聚合物、金屬顆粒等雜質污染半導體晶圓，從而對成品品質造成影響。
為解決上述問題，目前通常採用的方法是：定期更換邊緣環及定期清理真空反應腔中的基座和靜電吸盤。然而，更換邊緣環的過程較為複雜，需要打開電漿處理裝置中的真空反應腔，耗時耗力。
先前技術部分的說明僅提供與本發明有關的先前技術，而並不必然地構成現有技術。
本發明提出了一種靜電裝置、其所在的基片處理系統及其置換清潔方法，透過機械手臂將能夠產生靜電吸附力的靜電裝置移入或移出電漿處理裝置的真空反應腔內，可以在不打開真空反應腔的情況下置換受損的邊緣環，或清理真空反應腔中的基座和靜電吸盤上的顆粒雜質，其操作簡單，並且可以降低基片處理系統的維護成本。
為了達到上述目的，本發明的一個技術方案是提供一種用於電漿處理裝置的靜電裝置，電漿處理裝置包含真空反應腔，真空反應腔內設置用於支撐基片的下電極，環繞下電極設置邊緣環，靜電裝置用於產生吸附靜電以吸附邊緣環移入或移出真空反應腔。
較佳地，靜電裝置中具有能夠產生靜電的高壓模組以及為高壓模組提供電能的電池模組。
較佳地，靜電裝置進一步包含與電池模組無線通訊的控制模組，透過控制電池模組的電壓大小從而控制高壓模組的電壓大小，最終控制靜電裝置的靜電力大小。
較佳地，靜電裝置上設置夾持部，用於靜電裝置的取放及傳送。
較佳地，夾持部為設置在靜電裝置頂部的把手狀結構。
較佳地，夾持部為設置在靜電裝置外圍的凹槽結構。
較佳地，靜電裝置具有定位部件，定位部件設置在靜電裝置的下表面，用於定位邊緣環的位置。
較佳地，定位部件為環狀凸起結構，或者是多個扇環狀凸起結構，或者是至少一個點狀凸起結構。
較佳地，定位部件的內緣與邊緣環的外緣相匹配。
較佳地，定位部件的外緣與邊緣環的內緣相匹配。
較佳地，邊緣環上設有至少一個槽或孔，定位部件與的邊緣環上的槽或孔相匹配。
本發明的第二個技術方案是提供一種基片處理系統，包含：電漿處理裝置，其包含真空反應腔，用於對基片進行處理，真空反應腔內設置用於支撐基片的下電極，環繞下電極設置邊緣環；上述的靜電裝置，靜電裝置用於產生吸附靜電以吸附邊緣環移入或移出真空反應腔；傳輸腔，內部設置有傳輸機械手，傳輸機械手用於將靜電裝置移入或移出真空反應腔。
較佳地，上述的基片處理系統進一步包含前端模組，前端模組用於儲存基片及/或靜電裝置。
較佳地，電漿處理裝置為電容耦合電漿處理設備或電感耦合電漿處理設備。
較佳地，電漿處理裝置中的真空反應腔上設置基片傳輸連接埠，基片傳輸連接埠用於傳輸基片及/或靜電裝置。
較佳地，邊緣環為聚焦環。
本發明的第三個技術方案是提供一種基片處理系統中的電漿處理裝置中的真空反應腔中的邊緣環更換方法，此方法包含以下過程：透過傳輸機械手實現靜電裝置移入或移出電漿處理裝置中的真空反應腔；移入真空反應腔的空置的靜電裝置產生吸附靜電，吸附待更換的邊緣環，並將待更換的邊緣環移出真空反應腔；吸附了新的邊緣環的靜電裝置移入真空反應腔後，釋放新的邊緣環，以完成邊緣環的更換。
較佳地，靜電裝置定位接觸待更換的邊緣環或新的邊緣環後，再產生吸附靜電以吸附待更換的邊緣環或新的邊緣環。
較佳地，靜電裝置透過定位部件定位接觸待更換的邊緣環或新的邊緣環。
較佳地，透過控制靜電裝置中的電池模組的電壓大小從而控制高壓模組的電壓大小，最終控制靜電裝置的靜電力大小，以實現靜電裝置對邊緣環的吸附或釋放。
較佳地，傳輸機械手透過靜電裝置上的夾持部來傳送靜電裝置。
本發明的第四個技術方案是提供一種基片處理系統中的電漿處理裝置中的真空反應腔中的下電極清潔方法，此方法包含以下過程：透過傳輸機械手實現靜電裝置移入或移出電漿處理裝置中的真空反應腔；移入真空反應腔的靜電裝置產生靜電吸附下電極上的雜質顆粒；將吸附了雜質顆粒的靜電裝置移出真空反應腔，以完成靜電吸盤的清潔。
較佳地，透過控制電池模組的電壓大小從而控制高壓模組的電壓大小，最終控制靜電裝置的靜電力大小，以實現靜電裝置對下電極上的雜質顆粒的吸附或釋放。
與現有技術相比，本發明的有益效果為：本發明的靜電裝置透過產生吸附靜電吸附電漿處理裝置中的真空反應腔中的邊緣環，將邊緣環透過真空反應腔上的基片傳輸連接埠移入或移出真空反應腔，以實現在不打開真空反應腔的情況下更換邊緣環，其操作簡單且省時省力。此外，本發明在靜電裝置的底部進一步設有定位部件，以實現邊緣環與靜電裝置間的定位，確保更換前後的邊緣環在真空反應腔內的位置相同。此外，本發明的靜電裝置可以進一步清理電漿處理裝置中的真空反應腔中的下電極上的雜質顆粒，極大降低了基片處理系統的維護成本。
為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地說明，顯而易見的是，所說明的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域具有通常知識者在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬本發明保護的範圍。
如圖1所示，本發明的基片處理系統包含：至少一個電漿處理裝置1、傳輸腔2和前端模組3，電漿處理裝置1用於對基片進行電漿處理，前端模組3用於儲存基片，傳輸腔2設置在電漿處理裝置1與前端模組3之間，傳輸腔2內設置有傳輸機械手201，用於將基片移入或移出電漿處理裝置1。
如圖2所示，電漿處理裝置1包含真空反應腔101，用於對基片進行處理，真空反應腔101的側壁上設置基片傳輸連接埠105，傳輸腔2內部的傳輸機械手201透過該基片傳輸連接埠105傳輸基片(圖中未示出)；真空反應腔101內設置用於支撐靜電吸盤102的基座103，靜電吸盤102上用於放置基片，進一步地，將靜電吸盤102與基座103統稱為下電極，環繞下電極設置有一邊緣環104，用以調節電漿處理裝置1中的真空反應腔101內的電場強度、溫度以及氣體分佈等參數，從而保證基片中心區域和邊緣區域電漿處理速率的均勻性。
基片處理系統進一步包含靜電裝置4，在電漿處理裝置1工作的時候，靜電裝置4是位於真空反應腔101之外的，可以將靜電裝置4儲存在前端模組3中，或將靜電裝置4儲存在其他的儲存模組中。當邊緣環104在真空反應腔101內工作一段時間後，受電漿的轟擊腐蝕，邊緣環104的形狀和厚度會發生改變，進而影響不同時間內處理的基片的均一性，因此，當檢測到邊緣環104的形狀或厚度改變到一定程度後，需要利用靜電裝置4對邊緣環104進行替換。具體來說，在電漿處理裝置1的製程結束後，透過傳輸腔2內部的傳輸機械手201將靜電裝置4透過基片傳輸連接埠105移入真空反應腔101，靜電裝置4產生吸附靜電以吸附電漿處理裝置1的邊緣環104，從而實現不打開真空反應腔101的情況下置換邊緣環104。同時，靜電裝置4進一步產生吸附靜電以吸附下電極上的雜質顆粒，從而實現下電極表面雜質顆粒的清理。
進一步，靜電裝置4中具有能產生靜電的高壓模組以及為高壓模組提供電能的電池模組，靜電裝置4無線通訊連接有控制模組，控制模組透過控制電池模組的通斷電情況或輸出電壓大小從而控制高壓模組的運行狀況或高壓模組產生的吸附靜電的大小。透過控制靜電裝置4所產生的靜電力的大小實現靜電裝置4在不同應用場景下的功能切換。
靜電裝置4上設置有夾持部401，以便於傳輸機械手201取放靜電裝置4，並將其移入或移出真空反應腔101。進一步地，夾持部401較佳為如圖3所示的設置在靜電裝置4外圍的凹槽結構，也可以為其他便於傳輸機械手201取放、傳輸靜電裝置4的結構，例如：圖4所示設置在靜電裝置4頂部的把手狀結構。具體地，當夾持部401採用凹槽結構時，傳輸機械手201透過插入凹槽結構內以取放、傳輸靜電裝置4。當夾持部401採用把手狀結構時，傳輸機械手201透過夾持把手狀結構以取放、傳輸靜電裝置4。
靜電裝置4的下表面上進一步設置有定位部件402，便於靜電裝置4定位邊緣環104的位置，確保邊緣環104置換前後其在電漿處理裝置1中的真空反應腔101中的位置相同。
實施例一
如圖1、圖2和圖3所示，本發明的基片處理系統包含：至少一個電漿處理裝置1、傳輸腔2、前端模組3及靜電裝置4，傳輸腔2設置在電漿處理裝置1與前端模組3之間。
電漿處理裝置1包含真空反應腔101，用於對基片進行處理，反應腔側壁上設置基片傳輸連接埠105，用於傳輸基片或靜電裝置4；真空反應腔101內設置用於支撐基片的靜電吸盤102，靜電吸盤102置於基座103上，進一步地，將靜電吸盤102與基座103統稱為下電極，環繞下電極設置有一邊緣環104。較佳地，邊緣環104為聚焦環(邊緣環106)。
如圖3所示，在本實施例中，靜電裝置4為圓形，其外徑大於邊緣環104的內徑，較佳地，靜電裝置4的外徑大於邊緣環104的外徑。靜電裝置4中具有能產生靜電的高壓模組以及為高壓模組提供電能的電池模組，靜電裝置4無線通訊連接有控制模組，控制模組透過控制電池模組的通斷電情況或輸出電壓大小從而控制高壓模組的運行狀況或高壓模組產生的吸附靜電的大小。透過控制靜電裝置4所產生的靜電力的大小實現靜電裝置4在不同應用場景下的功能切換。
靜電裝置4上設置有夾持部401，便於傳輸機械手201取放靜電裝置4，並將其移入或移出真空反應腔101。在本實施例中，夾持部401採用設置在靜電裝置4外圍的凹槽結構，傳輸機械手201透過插入靜電裝置4的凹槽結構內實現靜電裝置4的取放及傳送。
如圖5和圖6所示，靜電裝置4的下表面上進一步設置有定位部件402，便於靜電裝置4定位邊緣環104的位置，確保邊緣環104置換前後其在真空反應腔101中的位置保持不變。本實施例中，定位部件402為多個扇形凸起結構，且定位部件402的內緣與邊緣環104的外緣相匹配。圖6為本實施例中圖5中A處的局部放大圖，如圖6所示，靜電裝置4吸附邊緣環104時，靜電裝置4定位部件402的內緣卡住邊緣環104的外緣，靜電裝置4得以定位接觸邊緣環104以實現靜電裝置4與邊緣環104對齊放置。
本發明所提出的靜電裝置4可用於置換其所在的基片處理系統中的電漿處理裝置中的邊緣環104。本實施例中基片處理系統中的電漿處理裝置1中的邊緣環104置換方法，包含以下步驟：
第一步驟，空置的靜電裝置移入真空反應腔內並產生吸附靜電吸附待更換的邊緣環後，再透過傳輸機械手將待更換的邊緣環移出真空反應腔。
具體地，傳輸腔2中的傳輸機械手201透過插入空置的靜電裝置4的呈凹槽結構的夾持部401內以取放靜電裝置4，並將靜電裝置4透過電漿處理裝置1中的真空反應腔101上的基片傳輸連接埠105傳送至真空反應腔101內，靜電裝置4的定位部件402的內緣卡住電漿處理裝置1中的真空反應腔101內的待更換的邊緣環的外緣，靜電裝置4得以定位接觸待更換的邊緣環104。
靜電裝置4透過控制靜電裝置4的電池模組與高壓模組導通以控制靜電裝置4產生吸附靜電吸附待更換的邊緣環104，靜電裝置4透過控制靜電裝置4的電池模組的輸出電壓大小以控制靜電裝置4產生吸附靜電的大小，並使靜電裝置4所產生的吸附靜電力足以克服待更換的邊緣環104的重力。
傳輸機械手201將吸附有待更換的邊緣環104的靜電裝置4透過真空反應腔101的基片傳輸連接埠105傳送至前端模組3，以實現待更換的邊緣環104的回收。
靜電裝置4透過控制靜電裝置4的電池模組與高壓模組斷開或控制降低靜電裝置4的電池模組的輸出電壓，從而控制靜電裝置4釋放待更換的邊緣環104，以實現在不打開真空反應腔101的情況下取出待更換的邊緣環104。
第二步驟，靜電裝置吸附新的邊緣環移入真空反應腔內，再釋放新的邊緣環，以完成邊緣環的更換。
具體地，靜電裝置4的定位部件402的內緣卡住新的邊緣環104的外緣得以定位接觸新的邊緣環104，靜電裝置4再產生吸附靜電吸附新的邊緣環104。
傳輸機械手201將吸附有新的邊緣環104的靜電裝置4從前端模組3傳送至真空反應腔101內，並確保傳輸機械手201傳送吸附有新邊緣環104的靜電裝置4進入真空反應腔101內的位置與先前傳輸機械手201傳送空置的靜電裝置4進入真空反應腔101內的位置相同。邊緣環104上也可以設置有與基座103或支撐邊緣環104的部件相互定位的部件，從而確保新的邊緣環104定位放置到真空反應腔101內的位置與先前待更換的邊緣環在真空反應腔101內的位置相同。
靜電裝置4透過控制靜電裝置4的電池模組與高壓模組斷開或控制靜電裝置4的電池模組的輸出電壓降低，從而控制靜電裝置4釋放新邊緣環104，以完成邊緣環104的更換。
最後，傳輸機械手201將空置的靜電裝置4從電漿處理裝置1中的真空反應腔101傳送至前端模組3。
本發明所提出的靜電裝置4可以進一步用於清理所在的基片處理系統中的電漿處理裝置1中的下電極上的雜質顆粒。本實施例中的基片處理系統中的電漿處理裝置1中的下電極上的雜質顆粒清潔方法，包含以下步驟：
傳輸腔2中的傳輸機械手201透過插入靜電裝置4的呈凹槽結構的夾持部401內以取放靜電裝置4，並將靜電裝置4透過電漿處理裝置1中的真空反應腔101上的基片傳輸連接埠105傳送至真空反應腔101內，靜電裝置4接觸真空反應腔101中的下電極。
靜電裝置4透過控制靜電裝置4的電池模組與高壓模組導通以控制靜電裝置4產生吸附靜電，透過控制靜電裝置4中電池模組的輸出電壓大小以控制靜電裝置4產生能夠吸附雜質顆粒而不足以克服邊緣環104重力的吸附靜電力。在此步驟中，靜電裝置4只吸附下電極上的雜質顆粒，不取放邊緣環104，在另外的實施例中，靜電裝置可以在取放邊緣環的同時完成對雜質顆粒的吸附，以實現對下電極的清潔。
傳輸機械手201將吸附有雜質顆粒的靜電裝置4透過真空反應腔101的基片傳輸連接埠105傳送至前端模組3；
靜電裝置4透過控制靜電裝置4的電池模組與高壓模組斷開以控制靜電裝置4釋放雜質顆粒，以完成電漿處理轉置中真空反應腔101中下電極的清潔。
本發明的靜電裝置透過產生吸附靜電吸附電漿處理裝置中的真空反應腔中的邊緣環，將邊緣環經過真空反應腔上的基片傳輸連接埠移入或移出真空反應腔，以實現在不打開真空反應腔的情況下更換邊緣環，其操作簡單且省時省力。此外，本發明的靜電裝置可以進一步清理電漿處理裝置中的真空反應腔中的下電極上的雜質顆粒，極大降低了基片處理系統的維護成本。
實施例二
本實施例在如圖1、圖2、圖3、圖5和圖6中所述之實施例一的基礎上，對實施例一中基片處理系統中的靜電裝置4的定位部件402做了調整。
如圖5和圖7所示，在本實施例中，靜電裝置4的定位部件402為環形凸起結構，且定位部件402的外緣與邊緣環104的內緣相匹配。圖7為本實施例中圖5中A處的局部放大圖，如圖7所示，靜電裝置4吸附邊緣環104時，靜電裝置4定位部件402的外緣卡住邊緣環104內緣，靜電裝置4得以定位接觸邊緣環104以實現靜電裝置4與邊緣環104對齊放置。
在本實施例中，基片處理系統中的電漿處理裝置1中的邊緣環106的置換方法以及電漿處理裝置1中的下電極上的雜質顆粒清潔方法，均與實施例一相同，在本實施例中將不再贅述。
本發明的靜電裝置透過產生吸附靜電吸附電漿處理裝置中的真空反應腔中的邊緣環，將邊緣環透過真空反應腔上的基片傳輸連接埠移入或移出真空反應腔，以實現在不打開真空反應腔的情況下更換邊緣環，其操作簡單且省時省力。此外，本發明的靜電裝置可以進一步清理電漿處理裝置中的真空反應腔中的下電極上的雜質顆粒，極大降低了基片處理系統的維護成本。
實施例三
本實施例在如圖1、圖2、圖3、圖5和圖6中所述之實施例一的基礎上，對實施例一中的基片處理系統中的靜電裝置4的定位部件402做了調整。此外，本實施例中電漿處理裝置1中的真空反應腔101內的邊緣環104的頂端內設置有至少一個槽或定位孔。
如圖5和圖8所示，在本實施例中，靜電裝置4的定位部件402為至少一個點狀凸起結構，且定位部件402與邊緣環104上的槽或定位孔相匹配。圖8為本實施例中圖5中A處的局部放大圖，如圖8所示，靜電裝置4吸附邊緣環104時，靜電裝置4定位部件402插入邊緣環104上的槽或定位孔內，靜電裝置4得以定位接觸邊緣環104以實現靜電裝置4與邊緣環104對齊放置。
在本實施例中，基片處理系統中的電漿處理裝置1中的邊緣環106的置換方法以及電漿處理裝置1中的下電極上的雜質顆粒清潔方法，均與實施例一相同，在本實施例中將不再贅述。
本發明的靜電裝置透過產生吸附靜電吸附電漿處理裝置中的真空反應腔中的邊緣環，將邊緣環透過真空反應腔上的基片傳輸連接埠移入或移出真空反應腔，以實現在不打開真空反應腔的情況下更換邊緣環，其操作簡單且省時省力。此外，本發明的靜電裝置可以進一步清理電漿處理裝置中的真空反應腔中的下電極上的雜質顆粒，極大降低了基片處理系統的維護成本。
儘管本發明的內容已經透過上述較佳實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的說明不應被認為是對本發明的限制。在本領域具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
1:電漿處理裝置
101:真空反應腔
102:靜電吸盤
103:基座
104,106:邊緣環
105:基片傳輸連接埠
2:傳輸腔
201:傳輸機械手
3:前端模組
4:靜電裝置
401:夾持部
402:定位部件
圖1為本發明提供的基片處理系統的結構示意圖；
圖2為本發明的電漿處理裝置中的真空反應腔的局部結構示意圖；
圖3為本發明提供的靜電裝置的夾持部的第一種結構示意圖；
圖4為本發明提供的靜電裝置的夾持部的第二種結構示意圖；
圖5為本發明提供的靜電裝置作用於電漿處理裝置時的整體結構剖視圖；
圖6為本發明第一實施例提供的圖5中A處的放大圖；
圖7為本發明第二實施例提供的圖5中A處的放大圖；以及
圖8為本發明第三實施例提供的圖5中A處的放大圖。
4:靜電裝置
401:夾持部
Claims (20)
- 一種用於電漿處理裝置的靜電裝置，該電漿處理裝置包含一真空反應腔，該真空反應腔內設置用於支撐一基片的一下電極，環繞該下電極設置一邊緣環，其中該靜電裝置用於產生吸附靜電以吸附該邊緣環移入或移出該真空反應腔；其中，該靜電裝置中具有能夠產生靜電的一高壓模組以及為該高壓模組提供電能的一電池模組；以及，與該電池模組無線通訊的一控制模組，透過控制該電池模組的電壓大小從而控制一高壓模組的電壓大小，最終控制該靜電裝置的靜電力大小。
- 如請求項1所述之用於電漿處理裝置的靜電裝置，其中該靜電裝置上設置一夾持部，用於該靜電裝置的取放及傳送。
- 如請求項2所述之用於電漿處理裝置的靜電裝置，其中該夾持部為設置在該靜電裝置頂部的把手狀結構。
- 如請求項2所述之用於電漿處理裝置的靜電裝置，其中該夾持部為設置在該靜電裝置外圍的凹槽結構。
- 如請求項1所述之用於電漿處理裝置的靜電裝置，其中該靜電裝置具有一定位部件，該定位部件設置在該靜電裝置的下表面，用於定位該邊緣環的位置。
- 如請求項5所述之用於電漿處理裝置的靜電裝置，其中該定位部件為環狀凸起結構，或者是多個扇環狀凸起結構，或者是至少一個點狀凸起結構。
- 如請求項6所述之用於電漿處理裝置的靜電裝置，其中該定位部件的內緣與該邊緣環的外緣相匹配。
- 如請求項6所述之用於電漿處理裝置的靜電裝置，其中該定位部件的外緣與該邊緣環的內緣相匹配。
- 如請求項6所述之用於電漿處理裝置的靜電裝置，其中該邊緣環上設有至少一個槽或孔，該定位部件與該邊緣環上的槽或孔相匹配。
- 一種基片處理系統，其包含：一電漿處理裝置，包含一真空反應腔，用於對該基片進行處理，該真空反應腔內設置用於支撐該基片的一下電極，環繞該下電極設置一邊緣環；如請求項1至請求項9中的任意一項所述之靜電裝置，該靜電裝置用於產生吸附靜電以吸附該邊緣環移入或移出該真空反應腔；以及一傳輸腔，內部設置有一傳輸機械手，該傳輸機械手用於將該靜電裝置移入或移出該真空反應腔。
- 如請求項10所述之基片處理系統，其中該基片處理系統進一步包含一前端模組，該前端模組用於儲存該基片及/或該靜電裝置。
- 如請求項10所述之基片處理系統，其中該電漿處理裝置中的該真空反應腔上設置一基片傳輸連接埠，該基片傳輸連接埠用於傳輸該基片及/或該靜電裝置。
- 如請求項10所述之基片處理系統，其中該邊緣環為聚焦環。
- 一種如請求項10至請求項13中的任意一項所述之基片處 理系統中的電漿處理裝置中的邊緣環更換方法，其透過該傳輸機械手實現該靜電裝置移入或移出該電漿處理裝置中的該真空反應腔；移入該真空反應腔的空置的該靜電裝置產生吸附靜電，吸附待更換的該邊緣環，並將待更換的該邊緣環移出該真空反應腔；吸附了新的該邊緣環的該靜電裝置移入該真空反應腔後，釋放新的該邊緣環，完成該邊緣環的更換。
- 如請求項14所述之邊緣環更換方法，其中該靜電裝置定位接觸待更換的該邊緣環或新的該邊緣環後，再產生吸附靜電吸附待更換的該邊緣環或新的該邊緣環。
- 如請求項15所述之邊緣環更換方法，其中該靜電裝置透過一定位部件定位接觸該邊緣環。
- 如請求項14所述之邊緣環更換方法，其中該傳輸機械手透過該靜電裝置上的一夾持部來傳送該靜電裝置。
- 如請求項14所述之邊緣環更換方法，其透過控制該靜電裝置中的一電池模組的電壓大小從而控制一高壓模組的電壓大小，最終控制該靜電裝置產生的吸附靜電大小，實現該靜電裝置對該邊緣環的吸附或釋放。
- 一種如請求項10至請求項13中的任意一項所述之基片處理系統中的電漿處理裝置中的下電極清潔方法，其透過該傳輸機械手實現該靜電裝置移入或移出該電漿處理裝置中的該真空反應腔；移入該真空反應腔的該靜電裝置產生靜電吸附該下電極上的雜質顆粒，將吸附了雜質顆粒的該靜電裝置傳出該真空反應腔，完成一靜電吸盤的清潔。
- 如請求項19所述之下電極清潔方法，其透過控制一電池模 組的電壓大小從而控制一高壓模組的電壓大小，最終控制該靜電裝置產生的吸附靜電大小，實現該靜電裝置對該下電極上的雜質顆粒的吸附或釋放。
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