KR20180127230A - 웨이퍼를 처리하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 한쪽 면(1) 상에 복수의 디바이스(7)를 갖는 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법에 관한 것이다. 그 방법은 보호 필름(4)을 제공하는 것 및 웨이퍼(W) 상의 디바이스(7)를 피복하기 위해, 보호 필름(4)의 전면(4a)이 웨이퍼(W)의 한쪽 면(1)과 직접 접촉하도록, 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)의 한쪽 면(1) 적용하는 것을 포함한다. 또한, 그 방법은, 보호 필름(4)이 웨이퍼(W)의 한쪽 면(1)에 부착되도록, 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)의 한쪽 면(1)에 적용하는 동안 및/또는 적용한 이후, 보호 필름(4)을 가열하는 것, 및 한쪽 면(1)과는 반대쪽에 있는 웨이퍼(W)의 면(6)을 처리하는 것을 더 포함한다. 또한, 본 발명은 이러한 웨이퍼(W)를 처리하는 방법에 관한 것으로, 그 방법에서, 액체 접착제는 보호 필름(4)의 주변부 상으로만 및/또는 웨이퍼(W)의 주변부 상으로만 분배된다.

Description

웨이퍼를 처리하는 방법{METHOD OF PROCESSING WAFER}
본 발명은, 한쪽 면 상에 복수의 디바이스를 갖는 디바이스 영역을 구비하는 웨이퍼, 예컨대 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조 프로세스에서, 복수의 분할선에 의해 공통으로 분할되는, 복수의 디바이스를 갖는 디바이스 영역을 구비하는 웨이퍼가 개개의 다이로 분할된다. 이 제조 프로세스는 일반적으로, 웨이퍼 두께를 조정하기 위한 연삭(grinding) 단계 및 분할선을 따라 웨이퍼를 절단하여 개개의 다이를 얻는 절단 단계를 포함한다. 연삭 단계는, 디바이스 영역이 형성되는 웨이퍼 전면 측(front side)과는 반대쪽에 있는 웨이퍼의 이면 측(back side)으로부터 수행된다. 게다가, 연마(polishing) 및/또는 에칭과 같은 다른 처리 단계도 또한 웨이퍼의 이면 측 상에서 수행될 수도 있다.
웨이퍼의 처리 동안, 웨이퍼 상에 형성되는 디바이스를, 예를 들면, 파편(debris), 연삭 수(grinding water) 또는 절단 수(cutting water)에 의한 파손, 변형 및/또는 오염으로부터 보호하기 위해, 처리 이전에 웨이퍼의 전면 측에 보호 필름 또는 시팅(sheeting)이 적용될 수도 있다.
디바이스의 이러한 보호는 디바이스 영역이 고르지 않은 표면 구조체를 구비하는 경우 특히 중요하다. 예를 들면, 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지(Wafer Level Chip Scale Package; WLCSP)와 같은 공지된 반도체 디바이스 제조 프로세스에서, 웨이퍼의 디바이스 영역은 웨이퍼의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 범프와 같은 복수의 돌출부(protrusion)를 가지고 형성된다. 이들 돌출부는, 예를 들면, 이동 전화 및 퍼스널 컴퓨터와 같은 전자 기기에 다이를 통합할 때, 예를 들면, 개개의 다이 내의 디바이스와의 전기적 접촉을 확립하기 위해 사용된다.
이러한 전자 기기의 사이즈 감소를 달성하기 위해서는, 반도체 디바이스가 사이즈에서 감소되어야 한다. 그러므로, 디바이스가 형성된 웨이퍼는, 상기에서 언급되는 연삭 단계에서, ㎛ 범위 내의, 예를 들면, 20 내지 100 ㎛ 범위 내의 두께로 연삭된다.
공지된 반도체 디바이스 제조 프로세스에서, 범프와 같은 돌출부가 디바이스 영역에 존재하는 경우, 처리 동안, 예를 들면, 연삭 단계에서 문제가 발생할 수도 있다. 특히, 이들 돌출부의 존재로 인해, 처리 동안 웨이퍼의 파손의 위험성이 상당히 증가된다. 또한, 웨이퍼가 얇은 두께, 예를 들면, ㎛ 범위 이내의 두께로 연삭되면, 웨이퍼의 전면 측 상의 디바이스 영역의 돌출부는 웨이퍼 이면 측의 변형을 유발할 수도 있고, 따라서 결과적으로 나타나는 다이의 품질을 손상시킬 수도 있다.
따라서, 이러한 불균일한 표면 구조체를 구비하는 디바이스 영역을 구비하는 웨이퍼를 처리할 때, 보호 필름 또는 시팅의 사용은 특히 중요하다.
그러나, 특히, MEMS와 같은 민감한 디바이스의 경우, 보호 필름 또는 시팅 상에 형성되는 접착제 층의 접착력에 의해 웨이퍼 상의 디바이스 구조체가 손상될 수도 있거나 또는 필름 또는 시팅이 웨이퍼로부터 벗겨질 때 디바이스 상의 접착제 잔류물에 의해 오염될 수도 있다는 문제점이 있다.
그러므로, 웨이퍼에 대한 오염 및 손상의 임의의 위험성이 최소화되는 것을 허용하는 디바이스 영역을 구비하는 웨이퍼를 처리하는 신뢰 가능하고 효율적으로 방법에 대한 필요성이 남아 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 웨이퍼에 대한 오염 및 손상의 임의의 위험성이 최소화되는 것을 허용하는 디바이스 영역을 구비하는 웨이퍼를 처리하는 신뢰 가능하고 효율적인 방법을 제공하는 것이다. 이 목표는 청구항 1의 기술적 피쳐를 갖는 웨이퍼 처리 방법 및 청구항 13의 기술적 피쳐를 갖는 웨이퍼 처리 방법에 의해 달성된다. 종속항으로부터 본 발명의 바람직한 실시형태가 이어진다.
본 발명은 한쪽 면 상에 복수의 디바이스를 갖는 디바이스 영역을 구비하는 웨이퍼를 처리하는 방법을 제공한다. 그 방법은 보호 필름 또는 시트를 제공하는 것 및, 웨이퍼 상의 디바이스를 피복하기 위해, 보호 필름 또는 시트의 전면(front surface)이 웨이퍼의 한쪽 면과 직접 접촉하도록 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용하는 것을 포함한다. 또한, 그 방법은, 보호 필름 또는 시트가 웨이퍼의 한쪽 면에 부착되도록, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용하는 동안 및/또는 적용한 이후, 보호 필름 또는 시트를 가열하는 것, 및 한쪽 면과는 반대쪽에 있는 웨이퍼의 면을 처리하는 것을 포함한다.
보호 필름 또는 시트는, 보호 필름 또는 시트의 전면이 웨이퍼의 한쪽 면과 직접 접촉하도록, 웨이퍼의 한쪽 면, 즉 웨이퍼 전면 측에 적용된다. 따라서, 보호 필름 또는 시트의 전면과 웨이퍼의 한쪽 면 사이에는 어떠한 재료도, 특히 어떠한 접착제도 존재하지 않는다.
따라서, 예를 들면, 접착제 층의 접착력 또는 디바이스 상의 접착제 잔류물로 인한 디바이스 영역에 형성되는 디바이스의 임의의 가능한 오염 또는 그 디바이스에 대한 임의의 가능한 손상이 제거될 수 있다.
보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용하는 동안 및/또는 적용한 이후, 보호 필름 또는 시트가 웨이퍼의 한쪽 면에 부착되도록, 보호 필름 또는 시트가 가열된다. 따라서, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼 상의 그 위치에 유지하는, 보호 필름 또는 시트와 웨이퍼 사이의 부착력은 가열 프로세스를 통해 생성된다. 그러므로, 웨이퍼의 한쪽 면에 보호 필름 또는 시트를 부착하기 위한 어떠한 추가적인 접착 재료도 필요하지 않다.
특히, 보호 필름 또는 시트를 가열하는 것에 의해, 보호 필름 또는 시트와 웨이퍼 사이에, 포지티브 맞춤(positive fit)과 같은 형태 맞춤(form fit), 및/또는 접착 결합(adhesive bond)과 같은 재료 결합(material bond)이 형성될 수도 있다. 용어 "재료 결합" 및 "접착 결합"은, 보호 필름 또는 시트와 웨이퍼 사이에 작용하는 원자력 및/또는 분자력으로 인한 이들 두 컴포넌트 사이의 부착 또는 연결을 정의한다.
용어 "접착 결합"은, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼에 부착 또는 접착시키도록 작용하는 이들 원자 및/또는 분자력의 존재에 관련되며, 보호 필름 또는 시트와 웨이퍼 사이의 추가적인 접착제의 존재를 의미하지는 않는다. 오히려, 상기에서 상세히 설명된 바와 같이, 보호 필름 또는 시트의 전면은 웨이퍼의 한쪽 면과 직접 접촉한다.
따라서, 본 발명의 방법은, 웨이퍼, 특히 디바이스 영역에 형성되는 디바이스에 대한 오염 및 손상의 임의의 위험성을 최소화하는, 디바이스 영역을 구비하는 웨이퍼의 신뢰 가능하고 효율적인 처리를 가능하게 한다.
그 방법은, 가열 프로세스 이후 보호 필름 또는 시트가 냉각하는 것을 허용하는 것을 더 포함할 수도 있다. 특히, 보호 필름 또는 시트는 그 초기 온도로, 즉 가열 프로세스 이전의 그 온도로 냉각되도록 허용될 수도 있다. 보호 필름 또는 시트는, 한쪽 면과는 반대쪽에 있는 웨이퍼의 면, 즉 웨이퍼 이면 측을 처리하기 이전에, 예를 들면, 그 초기 온도로 냉각되도록 허용될 수도 있다.
상기에서 상세히 설명된 바와 같이, 가열 프로세스를 통해 보호 필름 또는 시트와 웨이퍼 사이의 부착력이 생성된다. 웨이퍼에 대한 보호 필름 또는 시트의 부착은, 가열 프로세스 그 자체에서 및/또는 보호 필름 또는 시트가 냉각되는 것을 허용하는 후속 프로세스에서 야기될 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는, 웨이퍼의 한쪽 면 상의 웨이퍼 표면에 일치하도록, 예를 들면, 웨이퍼 지형(topography)을 흡수하도록, 가열 프로세스에 의해 연화될 수도 있다. 예를 들면, 그 초기 온도로의 냉각시, 보호 필름 또는 시트는, 예를 들면, 웨이퍼에 대한 형태 맞춤 및/또는 재료 결합을 생성하도록, 다시 단단해질 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는, 180 ℃ 이상의 온도까지, 바람직하게는 220 ℃ 이상의 온도까지, 그리고 더욱 바람직하게는 250 ℃ 이상의 온도까지 내열성일 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는 60 ℃ 내지 150 ℃, 바람직하게는 70 ℃ 내지 140 ℃, 더욱 바람직하게는 80 ℃ 내지 130 ℃, 그리고 더더욱 바람직하게는 90 ℃ 내지 120 ℃ 의 범위 이내의 온도까지 가열될 수도 있다. 특히 바람직하게는, 보호 필름 또는 시트는 대략 100 ℃의 온도까지 가열된다.
보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용하는 동안 및/또는 적용한 이후, 보호 필름 또는 시트는 1 분 내지 10 분, 바람직하게는 1 분 내지 8 분, 더욱 바람직하게는 1 분 내지 6 분, 더더욱 바람직하게는 1 분 내지 4 분, 그리고 여전히 더욱 바람직하게는 1 분 내지 3 분의 범위 이내의 지속 기간에 걸쳐 가열될 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는 직접적으로 및/또는 간접적으로 가열될 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는, 예를 들면, 가열된 롤러, 가열된 스탬프 또는 등등과 같은 열 인가 수단, 또는 방열(heat radiation) 수단을 사용하여, 보호 필름 또는 시트에 열을 직접적으로 인가하는 것에 의해 가열될 수도 있다. 보호 필름 또는 시트 및 웨이퍼는, 진공 챔버와 같은 용기(receptacle) 또는 챔버에 배치될 수도 있고, 용기 또는 챔버의 내부 용적은, 보호 필름 또는 시트를 가열하도록, 가열될 수도 있다. 용기 또는 챔버는 방열 수단을 구비할 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는, 예를 들면, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용하기 이전에 및/또는 적용하는 동안에 및/또는 적용한 이후에 웨이퍼를 가열하는 것에 의해, 간접적으로 가열될 수도 있다. 예를 들면, 웨이퍼는, 척 테이블과 같은 지지체 또는 캐리어 상에 웨이퍼를 배치하고 지지체 또는 캐리어를 가열하는 것에 의해 가열될 수도 있다.
예를 들면, 척 테이블과 같은 지지체 또는 캐리어는, 60 ℃ 내지 150 ℃, 바람직하게는 70 ℃ 내지 140 ℃, 더욱 바람직하게는 80 ℃ 내지 130 ℃, 그리고 더더욱 바람직하게는 90 ℃ 내지 120 ℃의 범위 이내의 온도까지 가열될 수도 있다. 특히 바람직하게는, 지지체 또는 캐리어는 대략 100 ℃의 온도까지 가열될 수도 있다.
이들 접근법은 또한, 예를 들면, 보호 필름 또는 시트를 직접적으로 가열하기 위한 가열 롤러 또는 등등과 같은 열 인가 수단, 또는 방열 수단을 사용하는 것, 및 또한 웨이퍼를 통해 보호 필름 또는 시트를 간접적으로 가열하는 것에 의해 조합될 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는 그 가열된 상태에서 유연성이 있고, 탄성이 있고, 가요성이 있고, 신축성이 있고, 소프트하고 및/또는 압축성이 있는 것이 바람직하다. 이러한 방식으로, 보호 필름 또는 시트는 웨이퍼의 한쪽 면 상의 웨이퍼 표면에 일치하는 것, 예를 들면, 웨이퍼 지형을 흡수하는 것이 특히 확실하게 보장될 수 있다. 이것은, 디바이스 영역이 웨이퍼의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부를 가지고 형성되는 경우에 특히 유리한데, 이는 이하에서 더 상세히 설명될 것이다.
바람직하게는, 보호 필름 또는 시트는, 냉각된 상태에서 더욱 견고하고 및/또는 강건하게 되도록, 냉각시, 적어도 어느 정도는, 단단해지거나 또는 견고하게 된다. 이러한 방식으로, 연삭 및/또는 연마와 같은 웨이퍼의 후속 처리 동안 디바이스의 특히 신뢰성 있는 보호가 보장될 수 있다.
그 방법은, 웨이퍼의 이면 측을 처리한 이후 웨이퍼로부터 보호 필름 또는 시트를 제거하는 것을 더 포함할 수도 있다. 웨이퍼로부터의 보호 필름 또는 시트의 제거 이전에 및/또는 제거 동안, 보호 필름 또는 시트는 가열될 수도 있다. 이러한 방식으로, 제거 프로세스는 용이해질 수 있다.
디바이스 영역은 복수의 디바이스를 구획하는 복수의 분할선을 더 구비할 수도 있다.
웨이퍼는, 그 전면 측 상에, 디바이스가 없고 디바이스 영역 둘레에 형성되는 주변 가장자리 영역(peripheral marginal area)을 더 구비할 수도 있다.
웨이퍼는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 유리 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼, 알루미나(Al2O3) 세라믹 웨이퍼와 같은 세라믹 웨이퍼, 석영 웨이퍼, 지르코니아 웨이퍼, PZT(lead zirconate titanate; 티탄산 지르콘산 연) 웨이퍼, 폴리카보네이트 웨이퍼, 금속(예를 들면, 구리, 철, 스테인레스 스틸, 알루미늄 또는 등등) 또는 금속화된 재료 웨이퍼, 페라이트 웨이퍼, 광학 결정 재료 웨이퍼, 수지, 예를 들면, 에폭시 수지로 코팅된 또는 몰딩된 웨이퍼 또는 등등일 수도 있다.
특히, 웨이퍼는, 예를 들면, Si 웨이퍼, GaAs 웨이퍼, GaN 웨이퍼, GaP 웨이퍼, InAs 웨이퍼, InP 웨이퍼, SiC 웨이퍼, SiN 웨이퍼, LT(lithium tantalate; 탄탈산 리튬) 웨이퍼, LN(lithium niobate; 니오브산 리튬) 웨이퍼 또는 등등일 수도 있다.
웨이퍼는 단일 재료로 또는 상이한 재료의 조합, 예를 들면, 상기에서 식별된 재료 중 둘 이상으로 제조될 수도 있다. 예를 들면, 웨이퍼는, Si로 제조되는 웨이퍼 엘리먼트가 유리로 만들어지는 웨이퍼 엘리먼트에 결합되는 Si 및 유리 결합 웨이퍼일 수도 있다.
웨이퍼는 임의의 타입의 형상을 가질 수도 있다. 웨이퍼에 대한 평면도에서, 웨이퍼는, 예를 들면, 원 형상, 계란 형상, 타원 형상 또는 직사각형 형상 또는 정사각형 형상과 같은 다각형 형상을 가질 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는 임의의 타입의 형상을 가질 수도 있다. 보호 필름 또는 시트에 대한 평면도에서, 보호 필름 또는 시트는, 예를 들면, 원 형상, 계란 형상, 타원 형상 또는 직사각형 형상 또는 정사각형 형상과 같은 다각형 형상을 가질 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는 웨이퍼와 실질적으로 동일한 형상 또는 동일한 형상을 가질 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는 웨이퍼의 디바이스 영역과 실질적으로 동일한 형상 또는 동일한 형상을 가질 수도 있다. 예를 들면, 보호 필름 또는 시트는, 디바이스 영역의 외경(outer diameter)과 실질적으로 동일한 외경을 가질 수도 있고, 보호 필름 또는 시트는 웨이퍼의 디바이스 영역과 실질적으로 동일한 형상 또는 동일한 형상을 가질 수도 있다.
디바이스 영역은 웨이퍼의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 복수의 돌출부 또는 돌기부(projection)를 가지고 형성될 수도 있다. 웨이퍼의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부 또는 돌기부는 보호 필름 또는 시트에 매립될 수도 있다.
범프와 같은 돌출부 또는 돌기부는, 실질적으로 편평한 표면인 웨이퍼의 평탄한 표면으로부터 돌출, 연장 또는 돌기할 수도 있다. 돌출부 또는 돌기부는, 웨이퍼의 한쪽 면, 즉 웨이퍼의 전면을 고르지 않게 만드는, 이 한쪽 면의 표면 구조체 또는 지형을 정의할 수도 있다.
이들 돌출부 또는 돌기부는, 예를 들면, 웨이퍼가 분할된 이후, 예를 들면, 이동 전화 및 퍼스널 컴퓨터와 같은 전자 기기에 다이를 통합할 때, 개개의 칩 또는 다이 내의 디바이스와의 전기적 접촉을 확립하기 위해 사용될 수도 있다.
돌출부는 불규칙적으로 배열될 수도 있거나 또는 규칙적인 패턴으로 배열될 수도 있다. 돌출부 중 일부만이 규칙적인 패턴으로 배열될 수도 있다.
돌출부는 임의의 타입의 형상을 가질 수도 있다. 예를 들면, 돌출부 중 일부 또는 전부는, 구체, 반구체, 기둥(pillar) 또는 칼럼, 예를 들면, 원형, 타원형 또는 다각형, 예컨대 삼각형, 정사각형, 등등의 단면 또는 밑면을 갖는 기둥 또는 칼럼, 원뿔, 잘린 원뿔 또는 계단의 형상일 수도 있다.
돌출부 중 적어도 일부는 웨이퍼의 평탄한 표면 상에 형성되는 엘리먼트로부터 발생할 수도 있다. 돌출부 중 적어도 일부는, 예를 들면, 실리콘 관통 비아(through silicon via; TSV)의 경우에, 웨이퍼의 두께 방향에서 웨이퍼를 부분적으로 또는 전체적으로 관통하는 엘리먼트로부터 발생할 수도 있다. 이들 후자의 엘리먼트는 웨이퍼 두께의 일부를 따라 또는 전체 웨이퍼 두께를 따라 연장할 수도 있다.
돌출부는, 웨이퍼의 두께 방향에서, 20 내지 500 ㎛, 바람직하게는 30 내지 400 ㎛, 더욱 바람직하게는 40 내지 250 ㎛, 더더욱 바람직하게는 50 내지 200 ㎛, 그리고 여전히 더더욱 바람직하게는 70 내지 150 ㎛의 범위 이내의 높이를 가질 수도 있다.
모든 돌출부는 실질적으로 동일한 형상 및/또는 사이즈를 가질 수도 있다. 대안적으로, 돌출부 중 적어도 일부는 형상 및/또는 사이즈가 서로 상이할 수도 있다.
본 발명의 웨이퍼 처리 방법에서, 웨이퍼의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부 또는 돌기부는 보호 필름 또는 시트에 매립될 수도 있다. 그러므로, 후속하는 웨이퍼 처리 단계에 대한, 디바이스 영역에서의 돌출부의 존재로부터 발생하는 표면 불균일성(unevenness)의 임의의 부정적인 영향은 감소될 수 있거나 또는 심지어 제거될 수 있다.
특히, 보호 필름 또는 시트에 돌출부를 매립하는 것에 의해, 돌출부는 웨이퍼 처리 동안, 예를 들면, 후속하는 연삭 및/또는 절단 단계에서 임의의 손상으로부터 보호될 수 있다.
또한, 웨이퍼가 얇은 두께, 예를 들면, ㎛ 범위의 두께로 연삭되면, 웨이퍼의 전면 측 상의 디바이스 영역의 돌출부는, 웨이퍼의 감소된 두께 및 연삭 프로세스에서 웨이퍼의 이면 측에 인가되는 압력으로 인해, 웨이퍼 이면 측의 변형을 야기할 수도 있다. 이 후자의 효과는, 웨이퍼 전면 측 상의 돌출부의 패턴이 웨이퍼 이면 측으로 전달되기 때문에, "패턴 전사"로 칭해지며, 웨이퍼 이면 측 표면의 소망되지 않은 불균일성을 초래하여, 결과적으로 나타나는 칩 또는 다이의 품질을 손상시킨다.
보호 필름 또는 시트는, 예를 들면, 웨이퍼 이면 측을 처리하는 동안, 예를 들면, 연삭 및/또는 연마하는 동안, 웨이퍼 전면 측이 놓이는 지지체 또는 캐리어와 웨이퍼 전면 측 사이에서 쿠션 또는 버퍼로서 작용하고, 따라서, 처리 동안 압력의 균일하고 균질한 분포를 달성하는 데 기여한다. 그러므로, 웨이퍼의 이면 측을 처리하는 동안 웨이퍼의 패턴 전사 또는 파괴가 방지될 수 있다.
그 방법은, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용하는 동안 및/또는 적용한 이후, 보호 필름 또는 시트의 전면과는 반대쪽의 그 이면(back surface)에 압력을 인가하는 것을 더 포함할 수도 있다. 이러한 방식으로, 보호 필름 또는 시트의 전면은 웨이퍼의 한쪽 면에 대해 가압된다. 따라서, 보호 필름 또는 시트가 웨이퍼에 확실하게 부착되는 것이 특히 효율적으로 보장될 수 있다.
압력은, 보호 필름 또는 시트를 가열하기 이전에 및/또는 가열하는 동안에 및/또는 가열한 이후에, 보호 필름 또는 시트의 이면에 인가될 수도 있다. 압력은, 웨이퍼의 이면 측을 처리하기 이전에 보호 필름 또는 시트의 이면에 인가될 수도 있다.
압력은, 롤러, 스탬프, 멤브레인 또는 등등과 같은 압력 인가 수단에 의해 보호 필름 또는 시트의 이면에 인가될 수도 있다.
특히 바람직하게는, 가열된 롤러 또는 가열된 스탬프와 같은 조합된 열 및 압력 인가 수단이 사용될 수도 있다. 이 경우, 보호 필름 또는 시트의 이면에 압력이 인가될 수 있고, 동시에, 보호 필름 또는 시트를 가열할 수 있다.
압력은, 하기에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 진공 챔버 내에서 보호 필름 또는 시트의 이면에 인가될 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는, 감압 분위기, 특히 진공 하에서, 웨이퍼의 전면 측에 적용 및/또는 부착될 수도 있다. 이러한 방식으로, 보호 필름 또는 시트와 웨이퍼 사이에 보이드 및/또는 기포가 존재하지 않는 것이 확실하게 보장될 수 있다. 그러므로, 예를 들면, 가열 프로세스에서 팽창하는 이러한 기포에 기인하는, 웨이퍼의 이면 측을 처리하는 동안의 웨이퍼에 대한 임의의 응력 또는 변형이 방지된다. 예를 들면, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용 및/또는 부착하는 단계 또는 단계들은, 진공 챔버에서 수행될 수도 있다. 특히, 보호 필름 또는 시트는 진공 라미네이터(vacuum laminator)를 사용하는 것에 의해 웨이퍼의 한쪽 면에 적용 및/또는 부착될 수도 있다. 이러한 진공 라미네이터에서, 웨이퍼는, 웨이퍼 이면 측이 척 테이블의 상면과 접촉하고 웨이퍼 전면 측이 상방으로 지향되는 상태에서, 진공 챔버 내의 척 테이블 상에 배치된다. 척 테이블은, 예를 들면, 가열된 척 테이블일 수도 있다.
웨이퍼 전면 측에 적용될 보호 필름 또는 시트는, 환형 프레임에 의해 웨이퍼 주변부에서 유지되고 진공 챔버에서 웨이퍼 전면 측 위에 배치된다. 척 테이블 및 환형 프레임 위에 위치되는 진공 챔버의 상부는, 팽창 가능한 고무 멤브레인에 의해 폐쇄되는 공기 유입구 포트를 구비한다.
웨이퍼 및 보호 필름이 진공 챔버 안으로 적재된 이후, 챔버는 배기되고 공기가 공기 유입구 포트를 통해 고무 멤브레인으로 공급되어, 고무 멤브레인으로 하여금 배기된 챔버 안으로 팽창하게 한다. 이러한 방식으로, 고무 멤브레인은, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼 전면 측에 대해 푸시하도록, 진공 챔버 내에서 아래쪽으로 이동되어, 주변 웨이퍼 부분을 보호 필름 또는 시트로 밀봉하게 되고 필름 또는 시트를 웨이퍼 전면 측 상의 디바이스 영역에 대해 가압하게 된다. 그러므로, 보호 필름은, 디바이스 영역의 윤곽, 예를 들면, 내부에 존재하는 돌출부 또는 돌기부의 윤곽을 따르도록 웨이퍼 전면 측에 밀착되어 적용될 수 있다.
보호 필름 또는 시트는, 예를 들면, 척 테이블을 가열하는 것에 의해, 웨이퍼의 한쪽 면에 대한 보호 필름 또는 시트의 적용 동안 및/또는 적용 이후, 가열될 수도 있다.
후속하여, 진공 챔버 내의 진공이 해제되고, 보호 필름 또는 시트는 진공 챔버 내의 양압(positive pressure) 및 가열 프로세스에 의해 생성되는 부착력에 의해 웨이퍼 전면 측 상의 자신의 위치에서 유지된다.
대안적으로, 고무 멤브레인은 소프트 스탬프 또는 소프트 롤러, 예를 들면, 가열된 소프트 스탬프 또는 가열된 소프트 롤러로 교체될 수 있다.
한쪽 면과는 반대쪽에 있는 웨이퍼의 면, 즉 웨이퍼 이면 측을 처리하는 것은, 한쪽 면과는 반대쪽에 있는 웨이퍼의 면을 연삭 및/또는 연마 및/또는 에칭하는 것을 포함할 수도 있거나 또는 이들로 구성될 수도 있다.
특히, 한쪽 면과는 반대쪽에 있는 웨이퍼의 면을 처리하는 것은, 웨이퍼 두께를 조정하기 위해 한쪽 면과는 반대쪽에 있는 웨이퍼의 면을 연삭하는 것을 포함할 수도 있거나 또는 그것으로 구성될 수도 있다. 이 경우, 본 발명의 방법은 특히 유리한 방식으로 활용될 수 있다.
구체적으로, 연삭 프로세스에서, 상당한 압력이 웨이퍼의 이면 측에 인가된다. 이 압력은, 특히, 웨이퍼가 얇은 두께, 예를 들면, ㎛ 범위의 두께로 연삭되는 경우, 파괴 및/또는 변형과 같은 웨이퍼에 대한 손상을 야기할 수도 있다. 예를 들면, 웨이퍼 전면 측 상에 형성되는 돌출부 또는 돌기부의 패턴은, 상기에서 상세히 설명된 바와 같이, 웨이퍼 이면 측으로 전사될 수도 있다.
본 발명의 방법에서, 보호 필름 또는 시트는, 예를 들면, 웨이퍼 이면 측을 연삭하는 동안 웨이퍼 전면 측이 놓이는 척 테이블과 같은 지지체 또는 캐리어와 웨이퍼 전면 측 사이에서 쿠션 또는 버퍼로서 작용한다. 그러므로, 연삭 동안 압력의 더욱 균일하고 균질한 분포가 달성될 수 있어서, 연삭 동안 웨이퍼의 패턴 전달 또는 파괴의 위험성을 줄이거나 또는 심지어 없애게 된다.
그 방법은, 웨이퍼를, 예를 들면, 복수의 디바이스를 구획하는 분할선을 따라 절단하는 것을 더 포함할 수도 있다.
웨이퍼는 그 전면 측 또는 이면 측에서 절단될 수도 있다. 웨이퍼의 절단은, 한쪽 면과는 반대쪽에 있는 웨이퍼의 면의 처리의 일부를 형성할 수도 있거나 또는 그 처리를 구성할 수도 있다.
절단은, 예를 들면, 블레이드 다이싱 또는 쏘잉(sawing)에 의한 기계적 절단에 의해, 및/또는 레이저 절단에 의해 및/또는 플라즈마 절단에 의해 수행될 수도 있다. 웨이퍼는, 단일의 기계적 절단 단계, 단일의 레이저 절단 단계 또는 단일의 플라즈마 절단 단계에서 절단될 수도 있다. 대안적으로, 웨이퍼는, 기계적 절단 및/또는 레이저 절단 및/또는 플라즈마 절단 단계의 시퀀스에 의해 절단될 수도 있다.
레이저 절단은, 예를 들면, 애블레이션 레이저 절단(ablation laser cutting)에 의해 및/또는 스텔스 레이저 절단(stealth laser cutting)에 의해, 즉, 레이저 빔의 인가에 의해 웨이퍼 내에 개질된 영역을 형성하는 것에 의해, 및/또는 레이저 빔의 인가에 의해 웨이퍼에 복수의 홀 영역을 형성하는 것에 의해 수행될 수도 있다. 이들 홀 영역의 각각은, 개질된 영역 및 웨이퍼의 표면으로 열린 개질된 영역의 공간으로 구성될 수도 있다.
웨이퍼의 절단은, 보호 필름 또는 시트가 웨이퍼에 부착된 상태에서 수행될 수도 있다. 이러한 방식으로, 절단 단계 동안 인가되는 압력이 절단 동안 웨이퍼 전체에 걸쳐 더욱 균일하고 균질하게 분포되는 것이 보장될 수 있고, 따라서 절단 단계에서 웨이퍼에 대한 손상의 임의의 위험성, 예를 들면, 결과적으로 나타나는 칩 또는 다이의 측벽의 균열을 감소시킬 수 있거나 또는 심지어 최소화할 수 있다. 이 경우, 웨이퍼를 그 이면 측으로부터 절단하는 것이 특히 바람직하다.
보호 필름 또는 시트는 웨이퍼의 외경보다 더 큰 외경을 가질 수도 있다. 이러한 방식으로, 웨이퍼의 처리, 핸들링 및/또는 운반이 용이해질 수 있다. 특히, 하기에서 상세히 설명되는 바와 같이, 보호 필름 또는 시트의 외주부(outer peripheral portion)는 환형 프레임에 부착될 수 있다.
보호 필름 또는 시트는, 웨이퍼의 외경보다 더 작은 외경을 가질 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는, 웨이퍼의 외경과 실질적으로 동일한 외경을 가질 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는, 디바이스 영역의 외경과 실질적으로 동일한 외경을 가질 수도 있다. 이러한 방식으로, 디바이스 영역에 형성되는 디바이스를 확실하게 보호하면서, 리소스의 특히 효율적인 사용이 보장된다.
그 방법은 보호 필름 또는 시트를 절단하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 보호 필름 또는 시트는, 보호 필름 또는 시트가 웨이퍼의 외경보다 더 큰 또는 웨이퍼의 외경보다 더 작은 또는 웨이퍼의 외경과 실질적으로 동일한 또는 디바이스 영역의 외경과 실질적으로 동일한 외경을 가지도록 절단될 수도 있다.
보호 필름 또는 시트를 절단하는 단계는, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼에 적용하기 이전에 또는 이후에 수행될 수도 있다.
보호 필름 또는 시트를 절단하는 단계는, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼에 부착하기 이전에 또는 이후에 수행될 수도 있다.
그 방법은 보호 필름 또는 시트의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 것을 더 포함할 수도 있다. 특히, 보호 필름 또는 시트의 외주부는, 보호 필름 또는 시트가 환형 프레임의 중앙 개구, 즉 환형 프레임의 내경(inner diameter) 내부의 영역을 막도록 환형 프레임에 부착될 수도 있다. 이러한 방식으로, 보호 필름 또는 시트, 특히 그 중앙부에 부착되는 웨이퍼는 보호 필름 또는 시트를 통해 환형 프레임에 의해 유지된다. 따라서, 웨이퍼, 보호 필름 또는 시트 및 환형 프레임을 포함하는 웨이퍼 유닛이 형성되어, 웨이퍼의 처리, 핸들링 및/또는 운반을 용이하게 한다.
보호 필름 또는 시트의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 단계는, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼에 적용하기 이전에 또는 이후에 수행될 수도 있다.
보호 필름 또는 시트의 외주부를 환형 프레임에 부착하는 단계는, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼에 부착하기 이전에 또는 이후에 수행될 수도 있다.
환형 프레임에 보호 필름 또는 시트의 외주부를 부착하는 단계는, 웨이퍼의 이면 측을 처리하기 이전에 또는 이후에 수행될 수도 있다.
환형 프레임은 반도체 사이즈의 환형 프레임(semiconductor-sized annular frame)일 수도 있다. 본원에서, 용어 "반도체 사이즈의 환형 프레임"은, 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 환형 프레임의 치수(표준화된 치수), 특히 내경(표준화된 내경)을 갖는 환형 프레임을 지칭한다.
반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 환형 프레임의 치수, 특히 내경은 SEMI 표준에서 정의되어 있다. 예를 들면, 300 mm 웨이퍼에 대한 테이프 프레임의 치수는 SEMI 표준 SEMI G74에서 정의되어 있으며 300 mm 웨이퍼에 대한 플라스틱 테이프 프레임의 치수는 SEMI 표준 SEMI G87에서 정의되어 있다. 환형 프레임은, 예를 들면, 3 인치, 4 인치, 5 인치, 6 인치, 8 인치, 12 인치 또는 18 인치의 사이즈를 갖는 반도체 사이즈의 웨이퍼(semiconductor-sized wafer)를 유지하기 위한 프레임 사이즈를 가질 수도 있다.
보호 필름 또는 시트의 외주부는 실질적으로 환형의 또는 환형의 접착제 층을 통해 환형 프레임에 부착될 수도 있다. 본원에서, 용어 "실질적으로 환형"은, 예를 들면, 하나 이상의 편평한 또는 직선 부분, 노치 및/또는 그루브(groove)의 존재에 기인하여, 접착제 층의 형상이 완벽한 환형으로부터 벗어날 수도 있다는 것을 정의한다. 실질적으로 환형의 또는 환형의 접착제 층은 보호 필름 또는 시트와 환형 프레임 사이에서 배열될 수도 있다.
실질적으로 환형의 또는 환형의 접착제 층은, 보호 필름 또는 시트의 전면의 외주부에 도포될 수도 있다. 접착제 층은 보호 필름 또는 시트의 전면의 외주부에만 제공될 수도 있다.
실질적으로 환형의 또는 환형의 접착제 층은, 보호 필름 또는 시트의 외주부에 부착될 환형 프레임의 표면에 도포될 수도 있다.
실질적으로 환형의 또는 환형의 접착제 층은 연속적인 접착제 층일 수도 있다. 대안적으로, 실질적으로 환형의 또는 환형의 접착제 층은 불연속 접착제 층일 수도 있다. 특히, 실질적으로 환형의 또는 환형의 접착제 층에서, 접착제는 불연속적인 형태로, 예컨대 점 형태로, 예를 들면, 직선 및/또는 곡선의 스트라이프를 갖는 스트라이프 형태로, 또는 등등으로 제공될 수도 있다.
실질적으로 환형의 또는 환형의 접착제 층은, 180 ℃ 이상의 온도까지, 바람직하게는 220 ℃ 이상의 온도까지, 그리고 더욱 바람직하게는 250 ℃ 이상의 온도까지 내열성일 수도 있다.
실질적으로 환형의 또는 환형의 접착제 층의 내경은, 반도체 사이즈의 웨이퍼를 유지하기 위한 반도체 사이즈의 환형 프레임의 내경과 실질적으로 동일하거나 또는 더 클 수도 있다.
본원에서, 용어 "반도체 사이즈의 웨이퍼"는, 반도체 웨이퍼의 치수(표준화된 치수), 특히 직경(표준화된 직경), 즉 외경을 갖는 웨이퍼를 가리킨다. 반도체 웨이퍼의 치수, 특히 직경, 즉 외경은 SEMI 표준에 정의되어 있다. 예를 들면, 반도체 사이즈의 웨이퍼는 Si 웨이퍼일 수도 있다. 연마된 단결정 Si 웨이퍼의 치수는, SEMI 표준 M1 및 M76에서 정의되어 있다. 반도체 사이즈의 웨이퍼는 3 인치, 4 인치, 5 인치, 6 인치, 8 인치, 12 인치 또는 18 인치 웨이퍼일 수도 있다.
실질적으로 환형의 또는 환형의 접착제 층의 내경은 웨이퍼의 외경보다 더 크다.
실질적으로 환형의 또는 환형의 접착제 층의 외경은 반도체 사이즈의 웨이퍼를 유지하기 위한 반도체 사이즈의 환형 프레임의 내경보다 더 클 수도 있다.
그 방법은 보호 필름 또는 시트의 전면과는 반대쪽의 보호 필름 또는 시트의 이면에 쿠션 층(cushioning layer)을 부착하는 것을 더 포함할 수도 있다.
디바이스 영역은, 상기에서 상세히 설명된 바와 같이, 웨이퍼의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 범프와 같은 복수의 돌출부 또는 돌기부를 가지고 형성될 수도 있다. 웨이퍼의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부 또는 돌기부는 쿠션 층에 매립될 수도 있다.
쿠션 층에 돌출부 또는 돌기부를 매립하는 것에 의해, 돌출부 또는 돌기부는 웨이퍼 처리 동안, 예를 들면, 후속하는 연삭 및/또는 절단 단계에서, 임의의 손상으로부터 특히 확실하게 보호된다.
보호 필름 또는 시트는 웨이퍼의 디바이스 영역에 형성되는 디바이스를 피복하고, 따라서 디바이스를 손상 및 오염으로부터 보호하게 된다. 또한, 보호 필름 또는 시트는 처리 이후 웨이퍼로부터의 쿠션 층의 제거를 용이하게 한다. 특히, 보호 필름 또는 시트의 전면이 웨이퍼의 전면 측과 직접 접촉하기 때문에, 즉, 보호 필름 또는 시트의 전면과 웨이퍼 전면 측 사이에 접착제가 존재하지 않기 때문에, 보호 필름 또는 시트 및 쿠션 층은 특히 간단하고 효율적인 방식으로 웨이퍼로부터 제거될 수 있다.
쿠션 층은, 웨이퍼의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부 또는 돌기부가 내부에 매립되는 것을 허용하는 임의의 타입의 재료로 형성될 수도 있다. 예를 들면, 쿠션 층은 수지, 접착제, 겔 또는 등등으로 형성될 수도 있다.
쿠션 층은, 180 ℃ 이상의 온도까지, 바람직하게는 220 ℃ 이상의 온도까지, 그리고 더욱 바람직하게는 250 ℃ 이상의 온도까지 내열성일 수도 있다.
쿠션 층은, 20 내지 300 ㎛, 바람직하게는 50 내지 250 ㎛ 그리고 더욱 바람직하게는 80 내지 200 ㎛의 범위 이내의 두께를 가질 수도 있다.
쿠션 층을 보호 필름 또는 시트의 이면에 부착하는 것은, 예를 들면, 범프와 같은 돌출부 또는 돌기부의 존재로 인해 웨이퍼의 전면 측 상에서 상대적으로 높은 정도의 표면 거칠기 또는 불균일성을 갖는 웨이퍼에 대해 특히 유리하다. 이 경우, 돌출부 또는 돌기부는, 보호 필름 또는 시트의 이면 상에서 적어도 소정 정도의 표면 불균일성이 존재하도록, 보호 필름 또는 시트에 완전히 매립되지 않을 수도 있다. 이 표면 불균일성은, 돌출부 또는 돌기부를 더욱 매립하는 쿠션 층에 의해 흡수될 수 있다. 따라서, 돌출부 또는 돌기부는 특히 신뢰성 있는 방식으로 보호될 수 있다. 또한, 하기에서 상세히 설명되는 바와 같이, 처리 동안 웨이퍼에 걸친 응력 또는 변형의 분포는 더 향상될 수 있다.
쿠션 층의 전면은, 보호 필름 또는 시트의 이면과 접촉할 수도 있다. 쿠션 층의 전면과는 반대쪽의 쿠션 층의 이면은 한쪽 면과는 반대쪽에 있는 웨이퍼의 면에 실질적으로 평행할 수도 있다.
이 경우, 웨이퍼의 이면 측을 처리하는 경우, 예를 들면, 연삭, 연마 및/또는 절단하는 경우, 쿠션 층의 이면에, 예를 들면, 이 이면을 척 테이블과 같은 지지체 또는 캐리어 상에 배치하는 것에 의해, 적절한 대향 압력(counter pressure)이 인가될 수 있다.
쿠션 층의 평탄한 이면이 웨이퍼의 이면 측에 실질적으로 평행하기 때문에, 예를 들면, 연삭 장치의 연삭 휠(grinding wheel)에 의해, 연삭과 같은 처리 동안 웨이퍼에 인가되는 압력은, 웨이퍼에 걸쳐 균일하고 균질하게 분포되고, 따라서, 패턴 전달, 즉, 처리된, 예를 들면, 연삭된 웨이퍼 이면 측으로의 디바이스 영역의 돌출부 또는 돌기부에 의해 정의되는 패턴의 전사, 및 웨이퍼의 파손의 임의의 위험성을 최소화하게 된다. 또한, 웨이퍼의 이면 측 및 쿠션 층의 편평하고 균일한 이면의 실질적으로 평행한 정렬은 처리 단계가 고도로 정밀하게 수행되는 것을 허용하고, 따라서, 예를 들면, 연삭 이후 특히 균일하고 균질한 웨이퍼 두께를 달성하게 된다.
또한, 보호 필름 또는 시트는 웨이퍼 전면 측과 쿠션 층 사이에서 추가적인 쿠션 또는 버퍼로서 작용하고, 따라서 연삭과 같은 처리 동안 압력의 균일하고 균질한 분포에 추가로 기여한다. 그러므로, 처리 동안 웨이퍼의 패턴 전사 또는 파손이 특히 확실하게 방지될 수 있다.
쿠션 층의 이면은, 쿠션 층의 이면에 압력을 인가하는 것에 의해 웨이퍼의 이면 측에 실질적으로 평행하게 될 수도 있다. 압력은 쿠션 층의 이면에 직접적으로 인가될 수도 있다, 즉 압력을 인가하기 위한 가압 수단과 쿠션 층의 이면 사이에 어떠한 추가적인 엘리먼트 또는 컴포넌트도 존재하지 않는다.
예를 들면, 진공 챔버와 같은 장착 챔버에서 웨이퍼 이면 측 및 쿠션 층의 이면에 평행한 가압력을 인가하는 것에 의해, 예를 들면, 웨이퍼 및 쿠션 층은, 보호 필름 또는 시트를 사이에 배열한 상태에서, 함께 가압될 수도 있다. 예를 들면, 두 개의 평행한 가압판을 사용하여 압력이 인가될 수도 있다. 가압판은, 가압 프로세스 동안 보호 필름 또는 시트가 가열되는 것을 허용하는 가열된 가압판일 수도 있다.
쿠션 층은, UV 방사선, 열, 전기장 및/또는 화학 제제(chemical agent)와 같은 외부 자극에 의해 경화될 수도 있다. 이 경우, 쿠션 층은, 외부 자극의 인가시 적어도 어느 정도까지 단단하게 된다. 예를 들면, 쿠션 층은 경화성 수지, 경화성 접착제, 경화성 겔 또는 등등으로 형성될 수도 있다.
쿠션 층은, 그 경화 이후 어느 정도의 압축성, 탄성 및/또는 가요성을 나타내도록, 즉, 경화 이후 압축성이 있도록, 탄성이 있도록 및/또는 가요성이 있도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 쿠션 층은 경화에 의해 고무와 같은 상태가 되게 되는 그러한 것일 수도 있다. 대안적으로, 쿠션 층은 경화 이후에 견고하고 단단한 상태에 도달하도록 구성될 수도 있다.
본 발명의 처리 방법에서 쿠션 층으로서의 사용을 위한 UV 경화성 수지의 바람직한 예는 DISCO Corporation에 의한 ResiFlat 및 DENKA에 의한 TEMPLOC이다.
본 발명의 방법은, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용한 이후, 쿠션 층을 경화시키도록 쿠션 층에 외부 자극을 인가하는 것을 더 포함할 수도 있다. 외부 자극은, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 부착한 이후에, 쿠션 층에 적용될 수도 있다.
외부 자극은, 웨이퍼 이면 측을 처리하기 이전에, 예를 들면 연삭하기 이전에, 쿠션 층에 인가될 수도 있다. 이러한 방식으로, 처리 동안의 웨이퍼의 보호 및 처리 정확도가 더 향상될 수 있다.
보호 필름 또는 시트는, 자신에게 부착되는 경화성 또는 경화된 쿠션 층의, 웨이퍼로부터의 제거를 용이하게 한다. 특히, 보호 필름 또는 시트의 존재로 인해, 쿠션 층은, 디바이스 영역에서 수지, 접착제 또는 겔 잔류물과 같은 임의의 잔류물을 방지하면서 신뢰 가능하고 간단한 방식으로 웨이퍼로부터 제거될 수 있고, 따라서 디바이스의 오염을 방지할 수 있게 되고, 제거 프로세스에서의 돌출부 또는 돌기부를 손상시킬 위험성을 최소화할 수 있게 된다. 경화 이후 경화성 쿠션 층이 어느 정도의 압축성, 탄성 및/또는 가요성을 나타내면, 즉, 예를 들면, 고무와 같이, 압축성이 있고, 탄성이 있고 및/또는 가요성이 있으면, 경화된 쿠션 층은 경화 이후 특히 신뢰 가능하고 효율적인 방식으로 제거될 수 있다.
쿠션 층이 경화시 견고하고 단단한 상태에 도달하도록 구성되면, 웨이퍼로부터의 쿠션 층의 제거는, 경화된 쿠션 층에 외부 자극을 가하는 것에 의해, 쿠션 층을 적어도 어느 정도까지 연화시키거나 또는 제거하는 것에 의해, 용이하게 될 수도 있다. 예를 들면, DENKA에 의한 UV 경화성 수지 TEMPLOC로 형성되는 몇몇 쿠션 층은, 예를 들면, 경화된 쿠션 층을 연화시켜 웨이퍼로부터의 쿠션 층의 특히 용이한 제거를 허용하기 위해, 경화 이후 쿠션 층에 열수(hot water)를 적용하여 처리될 수도 있다.
쿠션 층은, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용하기 이전에, 보호 필름 또는 시트의 이면에 부착될 수도 있다.
이 경우, 보호 필름 또는 시트와 쿠션 층은 먼저 적층되어, 쿠션 층과 쿠션 층에 부착되는 보호 필름 또는 시트를 포함하는 보호 시팅을 형성할 수도 있다. 이러한 방식으로 형성되는 보호 시팅은, 예를 들면, 웨이퍼의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부 또는 돌기부가 보호 필름 또는 시트에 의해 피복되고 보호 필름 또는 시트 및 쿠션 층에 매립되도록, 그리고 쿠션 층의 이면이 한쪽 면과는 반대쪽에 있는 웨이퍼의 면, 즉 웨이퍼 이면 측에 실질적으로 평행하도록, 웨이퍼의 한쪽 면에 후속하여 적용될 수도 있다. 보호 시팅이 웨이퍼의 한쪽 면에 적용될 때, 보호 필름 또는 시트의 전면은 웨이퍼의 한쪽 면에 적용된다.
이러한 방식으로, 웨이퍼 처리 방법은 특히 간단하고 효율적인 방식으로 수행될 수 있다. 예를 들면, 보호 시트는 미리 준비될 수 있고, 나중에 사용하기 위해 저장될 수 있으며 필요할 때 웨이퍼 처리를 위해 사용될 수 있다. 따라서, 보호 시팅은 다량으로 제조될 수도 있어서, 그 제조를 시간 및 비용 둘 모두의 관점에서 특히 효율적으로 만들 수도 있다.
쿠션 층은, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용한 이후 보호 필름 또는 시트의 이면에 부착될 수도 있다.
이 경우, 보호 필름 또는 시트는 먼저 웨이퍼의 한쪽 면에 적용되고, 보호 필름이 적용된 웨이퍼의 한쪽 면은, 예를 들면, 웨이퍼의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부 또는 돌기부가 보호 필름 또는 시트 및 쿠션 층에 매립되도록, 그리고 쿠션 층의 이면이 한쪽 면과는 반대쪽에 있는 웨이퍼의 면에 실질적으로 평행하도록, 쿠션 층의 전면에 후속하여 부착된다. 이 접근법은, 보호 필름 또는 시트가, 특히 웨이퍼의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부 또는 돌기부와 관련하여, 특히 고도로 정확하게 웨이퍼의 한쪽 면에 부착되는 것을 허용한다.
쿠션 층은, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 부착하기 이전에 및/또는 부착하는 동안에 및/또는 부착한 이후에 보호 필름 또는 시트의 이면에 부착될 수도 있다.
본 발명의 방법은 웨이퍼로부터 보호 필름 또는 시트 및 쿠션 층을 제거하는 것을 더 포함할 수도 있다. 보호 필름 또는 시트 및 쿠션 층은 연삭과 같은 처리 이후에 웨이퍼로부터 제거될 수도 있다. 예를 들면, 보호 필름 또는 시트 및 쿠션 층은, 연삭 이후 그러나 절단 이전에 또는 연삭 및 절단 이후에, 웨이퍼로부터 제거될 수도 있다. 이러한 방식으로, 절단 프로세스에서 획득되는 개별적인 칩 또는 다이는 간단하고 신뢰 가능한 방식으로 분리 및 픽업될 수 있다. 예를 들면, 보호 필름 및 쿠션 층이 상기에서 상세히 설명되는 보호 시팅의 형태로 제공되는 경우, 보호 시팅은 연삭 이후 또는 연삭 및 절단 이후 웨이퍼로부터 제거될 수도 있다.
쿠션 층 및 보호 필름 또는 시트는 개별적으로, 즉 차례차례로 제거될 수도 있다. 예를 들면, 쿠션 층이 먼저 제거되고, 보호 필름 또는 시트의 제거가 후속될 수도 있다.
웨이퍼의 절단은 보호 필름 또는 시트 및 쿠션 층을 웨이퍼로부터 제거하기 이전에 수행될 수도 있다. 이 경우, 웨이퍼는 절단 프로세스에서 보호 필름 및 쿠션 층에 의해 안전하게 보호된다. 따라서, 절단 동안 웨이퍼에 대한 어떠한 손상도 특히 확실하게 방지될 수 있다.
대안적으로, 웨이퍼로부터 보호 필름 또는 시트 및 쿠션 층을 제거한 이후에 웨이퍼의 절단이 수행될 수도 있다. 이러한 접근법은 개별 칩 또는 다이가 절단 단계 직후 분리 및 픽업되는 것을 허용한다. 이 경우, 웨이퍼의 전면 측으로부터 절단 단계를 수행하는 것이 특히 바람직하다.
그 방법은, 베이스 시트의 전면이 쿠션 층의 이면과 직접 접촉하도록, 베이스 시트를 쿠션 층의 이면에 부착하는 것을 더 포함할 수도 있다.
베이스 시트의 재료는 특별히 제한되지 않는다.
베이스 시트는, 예를 들면, 폴리머 재료, 예를 들면, 폴리비닐 클로라이드(PVC) 또는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA)와 같은 소프트한 또는 유연한 재료로 제조될 수도 있다.
대안적으로, 베이스 시트는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 및/또는 실리콘 및/또는 유리 및/또는 스테인리스 스틸(SUS)과 같은 견고하고 또는 단단한 재료로 제조될 수도 있다.
예를 들면, 베이스 시트가 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 유리로 제조되고 쿠션 층이 외부 자극에 의해 경화 가능한 경우, 쿠션 층은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 유리를 통해 투과되는 방사선, 예를 들면, UV 방사선에 의해 경화될 수도 있다. 베이스 시트가 실리콘 또는 스테인레스 스틸(SUS)로 제조되는 경우, 비용 효율적인 베이스 시트가 제공된다.
또한, 베이스 시트는 상기에서 열거되는 재료의 조합으로 형성될 수도 있다.
베이스 시트는 180 ℃ 이상의 온도까지, 바람직하게는 220 ℃ 이상의 온도까지, 더욱 바람직하게는 250 ℃ 이상의 온도까지 내열성일 수도 있다.
베이스 시트는 30 내지 1500 ㎛, 바람직하게는 40 내지 1200 ㎛ 그리고 더욱 바람직하게는 50 내지 1000 ㎛의 범위 이내의 두께를 가질 수도 있다. 특히 바람직하게는, 베이스 시트는 30 내지 250 ㎛ 범위 이내의 두께를 갖는다. 50 ㎛의 베이스 시트의 두께가 특히 바람직하다. 예를 들면, 베이스 시트는 50 ㎛의 두께를 갖는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름일 수도 있다.
쿠션 층 및 베이스 시트는, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 전면에 적용하기 이전에 또는 이후에 보호 필름 또는 시트의 이면에 부착될 수도 있다. 특히, 보호 필름 또는 시트, 쿠션 층 및 베이스 시트는 먼저 적층되어, 베이스 시트, 쿠션 층 및 쿠션 층에 부착되는 보호 필름 또는 시트를 포함하는 보호 시팅을 형성할 수도 있다. 이러한 방식으로 형성되는 보호 시팅은, 보호 필름 또는 시트의 전면이 웨이퍼 전면 측과 직접 접촉하도록, 후속하여 웨이퍼의 전면 측에 적용될 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는 폴리머와 같은 플라스틱 재료로 제조될 수도 있다. 특히 바람직하게는, 보호 필름 또는 시트는 폴리올레핀으로 제조된다. 예를 들면, 보호 필름 또는 시트는 폴리에틸렌(PE) 또는 폴리프로필렌(PP)으로 제조될 수도 있다.
폴리올레핀 필름은 본 발명의 웨이퍼 처리 방법에서 사용하기에 특히 유리한 재료 속성(property)을 갖는다. 특히, 그러한 필름은 가열된 상태에 있는 경우, 예를 들면, 60 ℃ 내지 150 ℃ 범위 이내의 온도까지 가열되는 경우, 유연하고 신축 가능하며 소프트하다. 따라서, 보호 필름 또는 시트가 웨이퍼의 한쪽 면 상의 웨이퍼 표면을 따르는 것이, 예를 들면, 웨이퍼 지형을 흡수하는 것이 특히 확실하게 보장될 수 있다. 이것은, 디바이스 영역이 웨이퍼의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부 또는 돌기부를 가지고 형성되는 경우에 특히 유익하다.
또한, 폴리올레핀 필름은, 냉각된 상태에서 더욱 견고하고 강건하게 되도록, 냉각시 단단하게 되고 및 견고하게 된다. 그러므로, 연삭 및/또는 연마와 같은 웨이퍼의 후속 처리 동안 디바이스의 특히 신뢰 가능한 보호가 보장될 수 있다.
보호 필름 또는 시트는 5 내지 200 ㎛, 바람직하게는 8 내지 100 ㎛, 더욱 바람직하게는 10 내지 80 ㎛ 그리고 더더욱 바람직하게는 12 내지 50 ㎛의 범위 이내의 두께를 가질 수도 있다. 특히 바람직하게는, 보호 필름 또는 시트는 80 내지 150 ㎛의 범위 이내의 두께를 갖는다. 이러한 방식으로, 보호 필름 또는 시트가 디바이스 영역의 윤곽을 충분히 따를 만큼 충분히 가요성이고 유연하며, 동시에, 디바이스 영역에서 형성되는 디바이스를 확실하고 효율적으로 보호하기 위해 충분한 두께를 나타내는 것이 보장될 수 있다.
본 발명은 또한, 한쪽 면 상에 복수의 디바이스를 갖는 디바이스 영역을 구비하는 웨이퍼를 처리하는 방법을 더 제공하는데, 그 방법은, 보호 필름 또는 시트를 제공하는 것, 액체 접착제를 제공하는 것, 및 보호 필름 또는 시트 상으로 및/또는 웨이퍼 상으로 액체 접착제를 분배하는 것을 포함한다. 또한, 그 방법은, 웨이퍼 상의 디바이스를 피복하기 위해, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면, 즉, 웨이퍼 전면 측에 적용하는 것, 및 한쪽 면과는 반대쪽에 있는 웨이퍼의 면, 즉 웨이퍼 이면 측을 처리하는 것을 포함한다. 액체 접착제는 보호 필름 또는 시트의 주변부 상으로만 및/또는 웨이퍼의 주변부 상으로만 분배된다.
웨이퍼는 상기에서 상세히 설명되는 속성, 특성 및 피쳐를 가질 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는 상기에서 상세히 설명되는 속성, 특성 및 피쳐를 가질 수도 있다. 특히, 보호 필름 또는 시트는, 상기에서 상세히 설명되는 바와 같이, 쿠션 층과 조합하여 또는 쿠션 층 및 베이스 시트와 조합하여 사용될 수도 있다.
쿠션 층은, 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로, 보호 필름의 이면에 부착될 수도 있다.
베이스 시트가, 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로, 쿠션 층의 이면에 부착될 수도 있다.
한쪽 면과는 반대쪽에 있는 웨이퍼의 면을 처리하는 단계는, 상기에서 상세히 설명되는 방식으로 수행될 수도 있다.
그 방법에 따르면, 액체 접착제는 보호 필름 또는 시트의 주변부 상으로만 및/또는 웨이퍼의 주변부 상으로만 분배된다.
그러므로, 접착제에 의해 생성되는, 보호 필름 또는 시트와 웨이퍼 사이의 접착력은, 예를 들면, 접착제가 웨이퍼의 전체 전면 측에 적용되는 경우와 비교하여, 상당히 감소된다. 따라서, 예를 들면, 접착제의 접착력으로 인한, 디바이스 영역에 형성되는 디바이스에 대한 임의의 손상은 상당히 감소될 수 있거나 또는 심지어 완전히 방지될 수 있다.
또한, 이러한 방식으로, 예를 들면, 디바이스 상의 접착제 잔류물로 인한, 디바이스 영역에 형성되는 디바이스의 가능한 오염이 상당히 감소될 수 있거나 또는 심지어 완전히 방지될 수 있다.
액체 형태의 접착제를 보호 필름 또는 시트의 주변부 상으로 및/또는 웨이퍼의 주변부 상으로 분배하는 것은, 접착제가 정확하고 효율적인 방식으로 도포되는 것을 허용한다. 특히, 접착제는, 디바이스 영역에 형성되는 디바이스의 오염을 확실하게 방지하기 위해 정밀하게 투여될 수 있다.
따라서, 본 방법은 디바이스 영역을 구비하는 웨이퍼의 신뢰 가능하고 효율적인 처리를 가능하게 하여, 웨이퍼, 특히 디바이스 영역에 형성되는 디바이스에 대한 오염 및 손상의 임의의 위험성을 최소화한다.
웨이퍼는 임의의 타입의 형상을 가질 수도 있다. 웨이퍼에 대한 평면도에서, 웨이퍼는, 예를 들면, 원 형상, 계란 형상, 타원 형상 또는 직사각형 형상 또는 정사각형 형상과 같은 다각형 형상을 가질 수도 있다. 보호 필름 또는 시트는 임의의 타입의 형상을 가질 수도 있다. 보호 필름 또는 시트에 대한 평면도에서, 보호 필름 또는 시트는, 예를 들면, 원 형상, 계란 형상, 타원 형상 또는 직사각형 형상 또는 정사각형 형상과 같은 다각형 형상을 가질 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는 웨이퍼와 실질적으로 동일한 형상 또는 동일한 형상을 가질 수도 있다. 보호 필름 또는 시트는 웨이퍼의 디바이스 영역과 실질적으로 동일한 형상 또는 동일한 형상을 가질 수도 있다.
액체 접착제는, 실질적으로 환형의 또는 환형의 형상을 갖는 접착제 층을 형성하도록, 보호 필름 또는 시트의 주변부 상으로만 및/또는 웨이퍼의 주변부 상으로만 분배될 수도 있다.
액체 접착제는 연속적인 접착제 층을 형성하도록 분배될 수도 있다. 대안적으로, 액체 접착제는 불연속 접착제 층을 형성하도록 분배될 수도 있다. 특히, 액체 접착제에 의해 형성된 접착제 층에서, 접착제는, 불연속적인 형태로, 예컨대 점 형태로, 예를 들면, 직선 및/또는 곡선의 스트라이프를 갖는 스트라이프 형태로, 또는 등등으로 제공될 수도 있다.
접착제는, 180 ℃ 이상의 온도까지, 바람직하게는 220 ℃ 이상의 온도까지, 그리고 더욱 바람직하게는 250 ℃ 이상의 온도까지 내열성일 수도 있다.
액체 접착제는, 예를 들면, Brewer Science에 의해 제조되는 접착제, 예컨대, BrewerBOND® 220 Material(http://www.brewerscience.com/product-categories/wafer-level-packaging/ 참조)일 수도 있다.
액체 접착제는 디스펜서를 사용하여 분배될 수도 있다. 디스펜서는, 예를 들면, 기계적 디스펜서 또는 공기 펄스 디스펜서일 수도 있다.
디스펜서는, 예를 들면, Musashi Engineering에 의해 제조되는 디스펜서, 예컨대 디스펜서 ML-5000XII(http://www.musashi-engineering.co.jp.e.cn.hp.transer.com/products/ 참조)일 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는 보호 필름 또는 시트의 주변부 및/또는 웨이퍼의 주변부에 분배된 접착제를 통해 웨이퍼의 한쪽 면에 부착될 수도 있다.
특히, 액체 접착제는, 보호 필름 또는 시트의 주변부 상으로 및/또는 웨이퍼의 주변부 상으로 분배될 수도 있고, 보호 필름 또는 시트는, 보호 필름 또는 시트의 주변부가 접착제를 통해 웨이퍼의 주변부로 부착되도록, 웨이퍼의 한쪽 면에 적용될 수도 있다.
몇몇 실시형태에서, 액체 접착제는, 웨이퍼 상으로는 분배되지 않고, 보호 필름 또는 시트의 주변부 상으로만 분배된다. 다른 실시형태에서, 액체 접착제는, 보호 필름 또는 시트 상으로는 분배되지 않고, 웨이퍼의 주변부 상으로만 분배된다. 또한, 액체 접착제는 보호 필름 또는 시트의 주변부 상으로 그리고 웨이퍼의 주변부 상으로 분배될 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는 액체 접착제를 분배하기 이전에 웨이퍼의 한쪽 면에 부착될 수도 있다.
특히, 보호 필름 또는 시트는, 보호 필름 또는 시트를 상기에서 상세히 설명되는 방식으로 웨이퍼의 한쪽 면에 적용하는 동안 및/또는 적용한 이후에 보호 필름 또는 시트를 가열하는 것에 의해 웨이퍼의 한쪽 면에 부착될 수도 있다. 보호 필름 또는 시트는, 상기에서 상세히 설명되는 접근법을 사용하는 것에 의해 웨이퍼의 한쪽 면에 부착될 수도 있다. 후속하여, 보호 필름 또는 시트가 웨이퍼의 한쪽 면에 부착된 이후, 액체 접착제가 분배될 수도 있다. 액체 접착제는, 웨이퍼의 주변부에서 보호 필름 또는 시트와 웨이퍼 사이에 존재할 수도 있는 임의의 갭을 밀봉하도록 또는 피복하도록 분배될 수도 있다. 액체 형태의 접착제를 분배하는 것에 의해, 그러한 갭이 효율적으로 밀봉 또는 피복된다는 것이 특히 확실하게 보장될 수 있다.
액체 접착제는, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용하기 이전에 및/또는 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용한 이후에, 보호용 필름 또는 시트 상으로 및/또는 웨이퍼 상으로 분배될 수도 있다. 액체 접착제는, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용한 이후 그러나 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 부착하기 이전에, 보호 필름 또는 시트 상으로 및/또는 웨이퍼 상으로 분배될 수도 있다.
액체 접착제는, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용한 이후 보호 필름 또는 시트 상으로 및/또는 웨이퍼 상으로 분배될 수도 있고, 보호 필름 또는 시트는 이렇게 분배되는 접착제에 의해 웨이퍼의 한쪽 면에 부착될 수도 있다. 또한 이 경우에도, 액체 형태의 접착제를 분배하는 것은, 접착제의 특히 정확하고 효율적인 도포를 가능하게 한다.
액체 접착제는, 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용한 이후, 웨이퍼의 디바이스 영역에 어떠한 접착제도 존재하지 않도록, 보호 필름 또는 시트 상으로 및/또는 웨이퍼 상으로 분배될 수도 있다. 특히, 접착제는 웨이퍼의 전면 측 상의 주변 가장자리 영역에만 존재할 수도 있는데, 주변 가장자리 영역은 디바이스가 없고 디바이스 영역 주위에 형성된다. 보호 필름 또는 시트를 웨이퍼의 한쪽 면에 적용한 이후, 접착제가 존재하지 않는 보호 필름 또는 시트의 영역은, 웨이퍼의 디바이스 영역과 실질적으로 동일한 형상 및/또는 사이즈를 가질 수도 있다.
액체 접착제는, 보호 필름 또는 시트의 전면, 즉 웨이퍼에 적용될 보호 필름 또는 시트의 표면의 주변부 상으로, 및/또는 보호 필름 또는 시트의 주변 사이드 에지(peripheral side edge) 상으로 분배될 수도 있다.
액체 접착제는, 웨이퍼의 전면 측의 주변부 상으로 및/또는 웨이퍼의 주변 사이드 에지 상으로 분배될 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는 웨이퍼의 외경보다 더 큰 외경을 가질 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는, 웨이퍼의 외경보다 더 작은 외경을 가질 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는, 웨이퍼의 외경과 실질적으로 동일한 외경을 가질 수도 있다.
보호 필름 또는 시트는, 디바이스 영역의 외경과 실질적으로 동일한 외경을 가질 수도 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 비제한적인 예가 설명되는데, 도면에서:
도 1은 본 발명의 방법에 의해 처리될 웨이퍼를 도시하는 단면도이다;
도 2는 본 발명의 방법의 제1 실시형태에 따라 웨이퍼에 보호 필름을 적용하는 단계를 예시하는 단면도이다;
도 3은 제1 실시형태에 따라 웨이퍼에 보호 필름을 적용하는 단계를 예시하는 사시도이다;
도 4는 제1 실시형태에 따라 보호 필름에 열 및 압력을 인가하는 단계를 예시하는 단면도이다;
도 5는 제1 실시형태의 수정예에 따라 보호 필름에 열 및 압력을 인가하는 단계를 예시하는 단면도이다;
도 6은 본 발명의 방법의 제2 실시형태에서 사용되는 보호 필름 및 환형 프레임을 도시하는 단면도이다;
도 7은 제2 실시형태에 따라 보호 필름에 열 및 압력을 인가하는 단계를 예시하는 단면도이다;
도 8은 도 7에서 예시되는 보호 필름에 열 및 압력을 인가하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 9는 본 발명의 방법의 제3 실시형태에 따라 보호 필름에 열 및 압력을 인가하는 단계를 예시하는 단면도이다;
도 10은 본 발명의 방법의 제4 실시형태에 따라 보호 필름에 열 및 압력을 인가하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 11은 제4 실시형태에 따라 보호 필름의 일부분을 절단하는 단계를 예시하는 단면도이다;
도 12는 도 11에서 예시되는 보호 필름의 일부분을 절단하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 13은 제4 실시형태에 따라 웨이퍼 이면 측을 연삭하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 14는 본 발명의 방법의 제5 실시형태에 따라 웨이퍼 이면 측을 연삭하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 15는 제5 실시형태에 따라 보호 필름의 일부분을 절단하는 단계를 예시하는 단면도이다;
도 16은 도 15에서 예시되는 보호 필름의 일부분을 절단하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 17은 본 발명의 방법의 제6 실시형태에서 사용되는 보호 필름 및 쿠션 층을 도시하는 단면도이다;
도 18은 제6 실시형태에 따라 보호 필름에 열 및 압력을 인가하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 19는 본 발명의 방법의 제7 실시형태에 따라 보호 필름에 열 및 압력을 인가하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 20은 본 발명의 방법의 제7 실시형태의 수정예에 따라 보호 필름에 열 및 압력을 인가하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 21은 제7 실시형태의 수정예에 따라 웨이퍼 이면 측을 연삭하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 22는 본 발명의 방법의 제8 실시형태에서 사용되는 보호 필름, 쿠션 층 및 환형 프레임을 도시하는 단면도이다;
도 23은 제8 실시형태에 따라 보호 필름에 열 및 압력을 인가하는 단계를 예시하는 단면도이다;
도 24는 본 발명의 방법의 제9 실시형태에 따라 웨이퍼에 접착제를 분배하고 보호 필름을 적용하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 25는 본 발명의 방법의 제10 실시형태에 따라 웨이퍼에 접착제를 분배하고 보호 필름을 적용하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 26은 본 발명의 방법의 제11 실시형태에 따라 웨이퍼에 접착제를 분배하고 보호 필름을 적용하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 27은 본 발명의 방법의 제12 실시형태에 따라 웨이퍼에 접착제를 분배하고 보호 필름을 적용하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다;
도 28은 본 발명의 방법의 제13 실시형태에 따라 웨이퍼에 접착제를 분배하고 보호 필름을 적용하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다; 그리고
도 29는 본 발명의 방법의 제14 실시형태에 따라 웨이퍼에 접착제를 분배하고 보호 필름을 적용하는 단계의 결과를 도시하는 단면도이다.
이제, 본 발명의 바람직한 실시형태가 첨부하는 도면을 참조하여 설명될 것이다. 바람직한 실시형태는 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 방법에 관한 것이다.
웨이퍼(W)는, 예를 들면, 그 전면 측(1)의 표면 상에 MEMS 디바이스가 형성된 MEMS 웨이퍼일 수 있다(도 1 참조). 그러나, 웨이퍼(W)는 MEMS 웨이퍼로 제한되지 않으며, 웨이퍼(W)는 또한, 바람직하게는 고체 촬상 디바이스(solid-state imaging device)로서 그 전면 측(1) 상에 CMOS 디바이스가 형성된 CMOS 웨이퍼 또는 전면 측(1) 상에 다른 타입의 디바이스를 갖는 웨이퍼일 수도 있다.
웨이퍼(W)는 반도체, 예를 들면, 실리콘으로 제조될 수도 있다. 이러한 실리콘 웨이퍼(W)는 실리콘 기판 상에 IC(integrated circuit; 집적 회로) 및 LSI(large scale integration; 대규모 집적 회로)와 같은 디바이스를 포함할 수 있다. 대안적으로, 웨이퍼는, 예를 들면, 세라믹, 유리 또는 사파이어의 무기 재료 기판(inorganic material substrate) 상에 LED(light emitting diode; 발광 다이오드)와 같은 광학 디바이스를 형성하는 것에 의해 구성되는 광학 디바이스 웨이퍼일 수도 있다. 웨이퍼(W)는 이것으로 제한되지 않으며 임의의 다른 방식으로 형성될 수 있다. 더구나, 상기에서 설명된 예시적인 웨이퍼 설계의 조합도 또한 가능하다.
웨이퍼(W)는 연삭 이전에 ㎛ 범위 이내의, 바람직하게는 625 내지 925 ㎛의 범위 이내의 두께를 가질 수 있다.
웨이퍼(W)는 원 형상을 나타내는 것이 바람직하다. 그러나, 웨이퍼(W)의 형상은 특별히 제한되지는 않는다. 다른 실시형태에서, 웨이퍼(W)는, 예를 들면, 계란 형상, 타원 형상 또는 다각형 형상, 예컨대 직사각형 형상 또는 정사각형 형상을 가질 수도 있다.
웨이퍼(W)는 그 전면 측(1) 상에 형성되는, 스트리트(street)로 칭해지는 복수의 교차 분할선(11)(도 3 참조)을 구비하며, 그에 의해, 웨이퍼(W)를, 앞서 설명된 것과 같은 디바이스(7)가 각각 형성되는 복수의 직사각형 영역으로 구획한다. 이들 디바이스(7)는 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(2)에 형성된다. 원형 웨이퍼(W)의 경우, 이 디바이스 영역(2)은 바람직하게는 원형이며, 웨이퍼(W)의 외주(outer circumference)와 동심원적으로 배열된다.
디바이스 영역(2)은, 도 1 내지 도 3에서 개략적으로 도시되는 바와 같이, 환형의 주변 가장자리 영역(3)에 의해 둘러싸인다. 이 주변 가장자리 영역(3)에는, 어떠한 디바이스도 형성되지 않는다. 주변 가장자리 영역(3)은, 바람직하게는, 디바이스 영역(2) 및/또는 웨이퍼(W)의 외주에 대해 동심원적으로 배열된다. 주변 가장자리 영역(3)의 반경 방향 연장은 mm 범위 이내에 있을 수 있고, 바람직하게는 1에서부터 3 mm까지의 범위 이내에 있을 수 있다.
디바이스 영역(2)은, 예를 들면, 도 1 및 도 2에서 개략적으로 도시되는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 복수의 돌출부(14)를 가지고 형성된다. 돌출부(14)는, 예를 들면, 분리된 칩 또는 다이 내의 디바이스 영역(2)의 디바이스(7)와 전기 접촉을 확립하기 위한 범프일 수도 있다. 웨이퍼(W)의 두께 방향에서의 돌출부(14)의 높이는 20 내지 500 ㎛의 범위 이내에 있을 수도 있다.
이하, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 웨이퍼(W)를 처리하는 방법이, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 방법에 의해 처리될 웨이퍼(W)의 단면도를 도시한다. 도 2 및 도 3은, 이 제1 실시형태에 따라 웨이퍼(W)에 보호 필름(4)을 적용하는 단계를 예시한다. 이 단계에서, 보호 필름(4)은, 웨이퍼(W) 상의 디바이스(7)를 피복하기 위해, 도 2에서 화살표에 의해 나타내어지는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 적용된다.
보호 필름(4)은, 바람직하게는, 웨이퍼(W)와 동일한 형상, 즉 본 실시형태에서는 원형 형상을 가지며, 웨이퍼(W)에 동심원적으로 부착된다. 보호 필름(4)의 직경은, 도 2 내지 도 4에 개략적으로 도시되는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 직경과 대략 동일하다.
보호 필름(4)은, 돌출부(14)를 비롯한 디바이스 영역(2)에 형성되는 디바이스(7)를 피복하여, 디바이스(7)를 손상 또는 오염으로부터 보호한다. 또한, 보호 필름(4)은, 하기에서 상세히 설명되는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 후속 처리에서, 예를 들면, 후속하는 연삭 단계에서 쿠션으로서 작용한다.
보호 필름(4)은, 도 2에서 도시되는 바와 같이, 전면(4a) 및 이면(4b)을 구비한다. 보호 필름(4)은, 보호 필름(4)의 전면(4a)이 웨이퍼 전면 측(1)과 직접 접촉하도록, 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 적용된다. 따라서, 보호 필름(4)의 전면(4a)과 웨이퍼(W)의 전면 측(1) 사이에는, 어떠한 재료, 특히, 어떠한 접착제도 존재하지 않는다(도 2 내지 도 4 참조).
보호 필름(4)은 폴리올레핀으로 제조된다. 예를 들면, 보호 필름(4)은 폴리에틸렌(PE) 또는 폴리프로필렌(PP)으로 제조될 수도 있다.
보호 필름(4)은 5 내지 200 ㎛, 바람직하게는 80 내지 150 ㎛의 범위 이내의 두께를 가질 수도 있다. 예를 들면, 보호 필름(4)은 80 ㎛의 두께를 가질 수도 있다.
웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 보호 필름(4)을 적용한 이후, 보호 필름(4)이 웨이퍼 전면 측(1)에 부착되도록, 보호 필름(4)은 가열된다.
특히, 보호 필름(4)이 적용된 웨이퍼(W)는 척 테이블(20) 상에 배치될 수도 있고(도 4 참조), 척 테이블(20)은 예를 들면, 60 ℃ 내지 150 ℃ 범위 이내의 온도까지 가열될 수도 있다. 특히 바람직하게는, 척 테이블(20)은 대략 100 ℃의 온도까지 가열된다. 척 테이블(20)은, 예를 들면, 1 분 내지 10 분의 범위 이내의 지속 기간에 걸쳐 가열될 수도 있다.
또한, 도 4에서 도시되는 바와 같이, 롤러(30)에 의해 보호 필름(4)의 이면(4b)에 압력이 인가된다. 롤러(30)는, 도 4의 화살표에 의해 나타내어지는 바와 같이, 보호 필름(4)의 이면(4b)을 따라 이동되어, 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 대해 가압한다.
롤러(30)는 가열된 롤러일 수도 있다. 가열된 척 테이블(20)을 통해 보호 필름(4)을 가열하는 것 이외에, 또는 그 대안으로서, 가열된 롤러(30)에 의해 보호 필름(4)에 열이 인가될 수도 있다.
가열된 척 테이블(20) 및/또는 가열된 롤러(30)를 사용하여 보호 필름(4)을 가열하는 것에 의해, 보호 필름(4)은 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 부착된다.
구체적으로는, 보호 필름(4)을 웨이퍼(W) 상의 그 위치에 유지하는, 보호 필름(4)과 웨이퍼(W) 사이의 부착력이 가열 프로세스를 통해 생성된다. 특히, 보호 필름(4)을 가열하는 것에 의해, 보호 필름(4)과 웨이퍼(W) 사이에 형태 맞춤 및/또는 재료 결합이 형성된다.
보호 필름(4)의 이면(4b)에 압력을 인가하는 것에 의해, 보호 필름(4)의 전면(4a)이 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 대해 가압된다. 따라서, 보호 필름(4)이 웨이퍼(W)에 확실하게 부착되는 것이 특히 효율적으로 보장될 수 있다.
보호 필름(4)의 부착 상태에서, 도 4에서 개략적으로 도시되는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부(14)는 보호 필름(4) 내에 완전히 매립된다.
보호 필름(4)을 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 부착한 이후, 웨이퍼(W)의 전면 측(1)과는 반대쪽에 있는, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)(도 1 내지 도 3 참조)이 처리된다. 웨이퍼(W)의 이면 측(6)은, 연삭 및/또는 연마 및/또는 에칭 및/또는 절단에 의해 처리될 수도 있다. 특히 바람직하게는, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)은 연삭에 의해 처리된다.
특히, 보호 필름(4)이 부착된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 이면 측(6)이 위로 향하도록, 척 테이블(20)로부터 제거되어 뒤집어질 수도 있다. 후속하여, 예를 들면, 연삭에 의한 웨이퍼 이면 측(6)의 처리가 수행될 수도 있다. 이러한 연삭 단계는 도 13을 참조한 본 발명의 방법의 제4 실시형태와 관련하여 아래에서 상세히 설명된다. 웨이퍼(W)의 이면 측(6)을 처리하는 동안, 예컨대 연삭하는 동안, 웨이퍼(W)는, 보호 필름(4)의 이면(4b)이 지지체의 상부 표면과 접촉하도록, 척 테이블과 같은 지지체(도시되지 않음) 상에 놓여질 수 있다. 보호 필름(4)은, 웨이퍼 처리 동안, 웨이퍼(W), 특히 디바이스(7) 및 돌출부(14)를 임의의 손상으로부터 확실하게 보호한다.
웨이퍼(W)의 이면 측(6)이 연삭된 이후, 개개의 칩 또는 다이(도시하지 않음)를 획득하기 위해, 웨이퍼(W)는 분할선(11)을 따라 절단될 수도 있다.
예를 들면, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)을 연삭한 이후, 보호 필름(4)은 웨이퍼(W)로부터 제거, 예를 들면, 박리될 수도 있다. 이 제거 프로세스는, 예를 들면, 웨이퍼(W)로부터 보호 필름(4)을 제거하기 이전에 및/또는 제거하는 동안 보호 필름(4)을 가열하는 것에 의해 용이하게 될 수도 있다.
후속하여, 웨이퍼(W)는 분할선(11)을 따라 그 전면 측(1)으로부터 절단될 수도 있다. 이러한 방식으로, 서로 완전히 분리된 칩 또는 다이가 획득된다. 웨이퍼(W)를 절단하는 것은, 예를 들면, 블레이드 또는 톱을 사용하는 기계적 절단, 및/또는 레이저에 의한 절단 및/또는 플라즈마에 의한 절단에 의해 수행될 수도 있다.
칩 또는 다이가 절단 단계에서 서로 완전히 분리된 이후, 그들은, 예를 들면, 픽업 디바이스(도시되지 않음)를 사용하는 것에 의해 픽업될 수 있다. 개개의 칩 또는 다이 사이의 간격은, 픽업 프로세스를 용이하게 하기 위해, 픽업 프로세스 이전에 증가될 수 있다.
도 5는 본 발명의 방법의 제1 실시형태의 수정예에 따라 보호 필름(4)에 열 및 압력을 인가하는 단계를 예시한다. 이 수정예는, 보호 필름(4)의 직경이 웨이퍼(W)의 외경보다 더 작다는 점에서만 제1 실시형태와 상이하다. 특히, 보호 필름(4)의 직경은 디바이스 영역(2)의 외경과 실질적으로 동일할 수도 있다.
이하, 본 발명의 제2 실시형태에 따라 웨이퍼(W)의 처리하는 방법이 도 6 내지 도 8을 참조하여 설명될 것이다.
제2 실시형태에 따른 방법은, 보호 필름(4)의 직경이 웨이퍼(W)의 외경보다 더 크고 보호 필름(4)의 외주부가 환형 프레임(40)에 부착되는 점에서, 제1 실시형태에 따른 방법과는 상이하다(도 6 내지 도 8 참조). 제2 실시형태의 설명에서, 제1 실시형태의 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일한 참조 부호에 의해 나타내어지고 그것의 반복된 상세한 설명은 생략된다.
도 6은, 환형 프레임(40)에 대한 보호 필름(4)의 부착 이전의 보호 필름(4) 및 환형 프레임(40)을 도시한다. 보호 필름(4) 및 환형 프레임(40)의 부착된 상태는 도 7 및 도 8에서 예시된다.
특히, 보호 필름(4)의 외주부는, 보호 필름(4)이 환형 프레임(40)의 중앙 개구를 막도록 환형 프레임(40)에 부착된다. 이러한 방식으로, 보호 필름(4), 특히 그 중앙부에 부착되는 웨이퍼(W)는 보호 필름(4)을 통해 환형 프레임(40)에 의해 유지된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 처리, 핸들링 및/또는 운반을 용이하게 하는, 웨이퍼(W), 보호 필름(4) 및 환형 프레임(40)을 포함하는 웨이퍼 유닛이 형성된다(도 7 및 도 8 참조).
본 실시형태에서, 보호 필름(4)의 외주부를 환형 프레임(40)에 부착하는 단계는, 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)에 적용하기 이전에 수행되는 것이 바람직하다. 이러한 방식으로, 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)에 적용하는 단계는, 예를 들면, 웨이퍼(W)를 핸들링 및 운반하기 위한 환형 프레임(40)을 사용하여 더욱 용이해질 수 있다.
도 6 내지 도 8에서 도시되는 바와 같이, 보호 필름(4)의 외주부는 환형 접착제 층(42)을 통해 환형 프레임(40)에 부착된다. 접착제 층(42)은 보호 필름(4)과 환형 프레임(40) 사이에 배열된다.
웨이퍼(W)에 보호 필름(4)을 적용한 이후, 도 4를 참조한 제1 실시형태와 관련하여 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 동일한 방식으로 열 및 압력이 보호 필름(4)에 인가되고, 그에 의해 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)에 부착하게 된다(도 7 참조).
도 8은 도 7에서 예시되는 보호 필름(4)에 열 및 압력을 인가하는 단계의 결과를 도시한다. 도 8에서 나타내어지는 바와 같이, 돌출부(14)로부터 유래하는 웨이퍼 지형은 보호 필름(4)에 완전히 흡수되지는 않는다. 따라서, 보호 필름(4)의 이면(4b) 상에 표면 불균일성이 발생한다. 이러한 표면 불균일성은 상대적으로 큰 돌출부(14)의 경우에 발생할 수도 있다. 이 경우, 웨이퍼 지형을 완전히 흡수하는 것이 소망되는 경우, 본 발명에 따른 방법의 제4 내지 제8 실시형태와 관련하여 하기에서 상세히 설명되는 바와 같이, 보호 필름(4)의 이면(4b)에 쿠션 층이 제공될 수도 있다.
보호 필름(4)을 웨이퍼(W)에 부착한 이후, 웨이퍼(W)는 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 처리될 수도 있다.
이하, 본 발명의 제3 실시형태에 따라 웨이퍼(W)를 처리하는 방법이 도 9를 참조하여 설명될 것이다.
제3 실시형태에 따른 방법은, 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)에 적용하는 프로세스 및 보호 필름(4)의 이면(4b)에 압력을 인가하는 프로세스에서 제1 실시형태에 따른 방법과는 상이하다. 제3 실시형태의 설명에서, 이전의 실시형태의 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일한 참조 부호에 의해 나타내어지고 그것의 반복된 상세한 설명은 생략된다.
특히, 보호 필름(4)은, 도 9에서 예시되는 바와 같이, 진공 라미네이터를 사용하여 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 적용된다. 이 진공 라미네이터에서, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 이면 측(6)이 척 테이블(20)의 상면에 접촉하고 웨이퍼 전면 측(1)이 상방으로 배향된 상태로, 진공 챔버(도시하지 않음) 내의 척 테이블(20) 상에 배치된다. 척 테이블(20)은 가열된 척 테이블이다.
보호 필름(4)은, 웨이퍼 전면 측(1)과 보호 필름(4) 사이에 배열되는 환형 스페이서(60)에 의해 자신의 주변부에서 유지된다. 이러한 방식으로, 보호 필름(4)은 진공 챔버 내에서 웨이퍼 전면 측(1) 위에 배치된다(도 9 참조). 척 테이블(20) 및 보호 필름(4) 위에 위치되는 진공 챔버의 상부 부분에는, 팽창 가능한 고무 멤브레인(52)에 의해 폐쇄되는 공기 유입구(50)가 제공된다.
웨이퍼(W) 및 보호 필름(4)이 진공 챔버 안으로 적재된 이후, 챔버가 배기되고 공기는 공기 유입구 포트(50)를 통해 고무 멤브레인(52)으로 공급되어, 고무 멤브레인(52)으로 하여금 진공 챔버 안으로 팽창하게 한다. 이러한 방식으로, 보호 필름(4)을 웨이퍼 전면 측(1)에 대해 푸시하여, 보호 필름(4)을 웨이퍼 전면 측(1) 상의 디바이스 영역(7)에 대해 가압하도록, 고무 멤브레인(52)은, 도 9에서 화살표에 의해 나타내어지는 바와 같이, 진공 챔버 내에서 하방으로 이동된다. 따라서, 보호 필름(4)은 디바이스 영역(7)의 윤곽, 특히, 내부에 존재하는 돌출부(14)의 윤곽을 따르도록 웨이퍼 전면 측(1)에 밀착하여 적용될 수 있다.
보호 필름(4)은 척 테이블(20)을 가열하는 것에 의해, 웨이퍼 전면 측(1)에 대한 보호 필름(4)의 적용 동안 및/또는 적용 이후 가열된다.
또한, 고무 멤브레인(52)은, 웨이퍼(W)에 대한 보호 필름(4)의 적용 이후, 보호 필름(4)의 이면(4b)에 압력을 인가하기 위해 추가로 사용된다. 이러한 방식으로, 보호 필름(4)이 웨이퍼(W)에 확실하게 부착되는 것이 특히 효율적으로 보장될 수 있다.
후속하여, 진공 챔버 내의 진공이 해제되고, 보호 필름(4)은, 가열 프로세스에 의해 생성되는 부착력 및 진공 챔버 내의 양압에 의해 웨이퍼 전면 측(1) 상의 자신의 위치에서 유지된다.
대안적으로, 고무 멤브레인(52)은 소프트 스탬프 또는 소프트 롤러, 예를 들면, 가열된 소프트 스탬프 또는 가열된 소프트 롤러에 의해 대체될 수 있다.
보호 필름(4)을 웨이퍼(W)에 부착한 이후, 웨이퍼(W)는 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 처리될 수도 있다.
이하, 본 발명의 제4 실시형태에 따라 웨이퍼(W)를 처리하는 방법이 도 10 내지 도 13을 참조하여 설명될 것이다.
제4 실시형태에 따른 방법은, 보호 필름(4)의 이면(4b) 상에 쿠션 층(8) 및 베이스 시트(9)가 제공되는 점에서, 제2 실시형태에 따른 방법과는 상이하다(예를 들면, 도 10 참조). 제4 실시형태의 설명에서, 이전의 실시형태의 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일한 참조 부호에 의해 나타내어지고 그것의 반복된 상세한 설명은 생략된다.
특히, 쿠션 층(8)은, 쿠션 층(8)의 전면이 보호 필름(4)의 이면(4b)과 직접 접촉하도록, 보호 필름(4)의 이면(4b)에 부착된다.
도 10에서 도시되는 바와 같이, 돌출부(14)는 보호 필름(4) 및 쿠션 층(8)에 매립된다. 그러므로, 웨이퍼 지형은 완전히 흡수된다.
쿠션 층(8)은 수지, 접착제, 겔 또는 등등으로 형성될 수도 있다. 쿠션 층(8)은 20 내지 300 ㎛의 범위 이내의 두께를 가질 수도 있다.
베이스 시트(9)는, 베이스 시트(9)의 전면이 쿠션 층(8)의 이면과 직접 접촉하도록, 쿠션 층(8)의 이면에 부착된다.
베이스 시트(9)의 재료는 특별히 제한되지 않는다.
베이스 시트(9)는, 예를 들면, 폴리머 재료, 예를 들면, 폴리비닐 클로라이드(PVC) 또는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA)와 같은 소프트한 또는 유연한 재료로 제조될 수도 있다.
대안적으로, 베이스 시트(9)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 및/또는 실리콘 및/또는 유리 및/또는 스테인리스 스틸(SUS)과 같은 견고한 또는 단단한 재료로 제조될 수도 있다.
예를 들면, 베이스 시트(9)가 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 유리로 제조되고 쿠션 층(8)이 외부 자극에 의해 경화 가능한 경우, 쿠션 층(8)은, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 유리를 투과할 수 있는 방사선, 예를 들면, UV 방사선에 의해 경화될 수도 있다. 베이스 시트(9)가 실리콘 또는 스테인리스 스틸(SUS)로 제조되는 경우, 비용 효율적인 베이스 시트(9)가 제공된다.
또한, 베이스 시트(9)는 상기에서 열거되는 재료의 조합으로 형성될 수도 있다.
베이스 시트(9)는 30 내지 1500 ㎛, 바람직하게는 40 내지 1200 ㎛ 그리고 더욱 바람직하게는 50 내지 1000 ㎛의 범위 이내의 두께를 가질 수도 있다. 특히 바람직하게는, 베이스 시트(9)는 30~250 ㎛의 범위 이내의 두께를 갖는다. 50 ㎛의 베이스 시트(9)의 두께가 특히 바람직하다. 예를 들면, 베이스 시트(9)는 50 ㎛의 두께를 갖는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름일 수도 있다.
베이스 시트(9) 및 쿠션 층(8) 각각은 실질적으로 원 형상을 갖는다. 베이스 시트(9) 및 쿠션 층(8)의 직경은 실질적으로 서로 동일하고 웨이퍼(W)의 직경보다 더 크다. 베이스 시트(9) 및 쿠션 층(8)의 직경은 보호 필름(4)의 직경보다 더 작다.
쿠션 층(8) 및 베이스 시트(9)는, 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 대한 보호 필름(4)의 적용 이전에 또는 이후에 보호 필름(4)의 이면(4b)에 부착될 수도 있다. 특히, 보호 시트(4), 쿠션 층(8) 및 베이스 시트(9)는 먼저 적층되어, 베이스 시트(9), 쿠션 층(8) 및 쿠션 층(8)에 부착되는 보호 필름(4)을 포함하는 보호 시팅을 형성할 수도 있다. 이러한 방식으로 형성되는 보호 시팅은, 보호 필름(4)의 전면(4a)이 웨이퍼 전면 측(1)과 직접 접촉하도록, 후속하여 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 적용될 수도 있다.
후속하여, 보호 필름(4)은, 보호 시팅을 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 부착시키기 위해 가열된다. 보호 필름(4)은 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로, 즉 가열된 척 테이블(20)에 의해 가열될 수도 있다(도 10 참조).
또한, 두 개의 평행한 가압판을 사용하는 것에 의해 베이스 시트(9)의 이면(9b)에 압력이 인가된다. 압력 인가 프로세스에서, 하나의 판은 베이스 시트(9)의 이면(9b)을 가압하고 다른 판은 웨이퍼(W)의 이면 측(6)을 가압한다. 이러한 방식으로, 베이스 시트(9)의 이면(9b)이, 도 10에서 점선의 화살표에 의해 나타내어지는 바와 같이, 웨이퍼 이면 측(6)에 실질적으로 평행한 것이 보장될 수 있다.
가압판은, 보호 필름(4)이 가압 프로세스 동안 웨이퍼(W)를 통해 및/또는 베이스 시트(9) 및 쿠션 층(8)을 통해 가열되는 것을 허용하는 가열된 가압판일 수도 있다. 이러한 가열 프로세스는, 가열된 척 테이블(20)에 의해 보호 필름(4)을 가열하는 것에 부가하여 또는 대안으로서 수행될 수도 있다.
쿠션 층(8)은 UV 방사선, 열, 전기장 및/또는 화학 제제와 같은 외부 자극에 의해 경화될 수도 있다. 이 경우, 쿠션 층(8)은 외부 자극이 인가되면 적어도 어느 정도 단단해진다. 예를 들면, 쿠션 층(8)은 경화성 수지, 경화성 접착제, 경화성 겔 또는 등등으로 형성될 수도 있다.
본 실시형태에서 쿠션 층(8)으로서 사용하기 위한 UV 경화성 수지의 바람직한 예는 DISCO Corporation의 ResiFlat 및 DENKA에 의한 TEMPLOC이다. 본 실시형태의 방법은, 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 적용한 이후 쿠션 층(8)을 경화시키기 위해 쿠션 층(8)에 외부 자극을 인가하는 것을 더 포함할 수도 있다. 외부 자극은, 보호 필름(4)을 웨이퍼 전면 측(1)에 부착한 이후 쿠션 층(8)에 인가될 수도 있다.
외부 자극은, 처리 이전에, 예를 들면, 웨이퍼 이면 측(6)을 연삭하기 이전에, 쿠션 층(8)에 인가될 수도 있다. 이러한 방식으로, 처리 동안 웨이퍼(W)의 보호 및 처리 정확도가 더욱 향상될 수 있다.
도 11은, 도 11의 점선 및 화살표에 의해 나타내어지는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 원주를 넘어 측방향으로 연장하는 보호 필름(4), 쿠션 층(8) 및 베이스 시트(9)의 부분을 절단하는 후속 단계를 예시한다. 이들 부분은, 예를 들면, 블레이드 또는 톱을 사용하는 기계적 절단, 레이저 절단 또는 플라즈마 절단에 의해 절단될 수도 있다. 이들 부분을 절단하는 것은 후속하는 처리 단계에서 웨이퍼 유닛의 핸들링을 용이하게 한다.
도 12는 도 11에서 예시되는 절단 단계의 결과를 도시한다.
이 절단 단계 이후, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)은, 하기에서 상세히 설명되는 바와 같이, 처리된다, 즉, 연삭 프로세스를 받게 된다.
평탄하고 편평한 표면인 베이스 시트(9)의 이면(9b)은, 도 10의 척 테이블(20)과 동일할 수도 있는 척 테이블(도시되지 않음)의 상부 표면 상에 배치된다. 후속하여, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)은, 예를 들면, 대략 20 내지 100 ㎛의 범위 이내의 값까지 웨이퍼 두께를 조정하도록 연삭된다. 두께는 칩 또는 다이의 최종 두께일 수 있다. 도 13은 이 연삭 단계의 결과를 도시한다.
웨이퍼(W)의 이면 측(6)의 연삭은, 연삭 장치(도시하지 않음)를 사용하여 수행될 수도 있다. 연삭 장치는 스핀들 하우징, 스핀들 하우징 내에 회전 가능하게 수용되는 스핀들 및 스핀들의 하단에 장착되는 연삭 휠을 포함할 수도 있다. 연삭 휠의 하부 표면에는 복수의 연마 부재(abrasive member)가 고정될 수도 있는데, 각각의 연마 부재는, 다이아몬드 연마 입자를 금속 결합이나 수지 결합과 같은 결합에 의해 고정하는 것에 의해 구성되는 다이아몬드 연마 부재로 형성될 수도 있다. 연마 부재를 갖는 연삭 휠은, 예를 들면, 모터를 사용하여 스핀들을 구동하는 것에 의해 고속으로 회전된다.
연삭 단계에서, 웨이퍼 유닛을 유지하는 척 테이블 및 연삭 장치의 연삭 휠이 회전되고 연삭 휠의 연마 부재가 웨이퍼(W)의 이면 측(6)과 접촉하게 되도록 연삭 휠이 하강되고, 그에 의해 이면 측(6)을 연삭하게 된다.
연삭 장치의 척 테이블의 상부 표면 상에 배치되는 베이스 시트(9)의 평탄한 이면(9b)이 웨이퍼(W)의 이면 측(6)에 실질적으로 평행하기 때문에(도 10 참조), 연삭 프로세스 동안 연삭 휠에 의해 웨이퍼(W)에 인가되는 압력은 웨이퍼(W)에 걸쳐 균일하고 균질하게 분배된다. 그러므로, 웨이퍼(W)의 파손 또는 패턴 전사의 임의의 위험성이 최소화될 수 있다. 또한, 베이스 시트(9)의 편평하고 반반한 이면(9b)과 웨이퍼(W)의 이면 측(6)의 실질적으로 평행한 정렬은, 연삭 단계가 고도로 정밀하게 수행되는 것을 허용하고, 따라서 연삭 이후 특히 균일하고 균질한 웨이퍼 두께를 달성하게 된다.
웨이퍼(W)의 추가적인 처리, 즉 그 절단 및 분리된 칩 또는 다이의 픽업은, 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 수행될 수도 있다.
이하, 본 발명의 제5 실시형태에 따른 웨이퍼(W)를 처리하는 방법이 도 14 내지 도 16을 참조하여 설명될 것이다.
제5 실시형태에 따른 방법은, 보호 필름(4)을 절단하고 웨이퍼 이면 측(6)을 연삭하는 단계의 순서에서 제4 실시형태에 따른 방법과는 상이하다. 제5 실시형태의 설명에서, 이전의 실시형태의 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일한 참조 부호에 의해 나타내어지고 그것의 반복된 상세한 설명은 생략된다.
특히, 제5 실시형태의 방법에서, 보호 필름(4)이 환형 프레임(40)에 여전히 부착되어 있는 동안, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)이 먼저 연삭된다. 이 연삭 단계의 결과는 도 14에서 도시된다. 웨이퍼 이면 측(6)은 도 13을 참조하여 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 연삭된다.
이어서, 도 15의 점선과 화살표로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 둘레를 넘어 측방으로 연장하는 보호 필름(4), 쿠션 층(8) 및 베이스 시트(9)의 부분이 절단된다. 이러한 절단 단계는 도 11을 참조하여 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 수행된다. 도 16은 도 15에서 예시되는 절단 단계의 결과를 도시한다.
웨이퍼(W)의 추가적인 처리, 즉 그 절단 및 분리된 칩 또는 다이의 픽업은, 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 수행될 수도 있다.
이하, 본 발명의 제6 실시형태에 따른 웨이퍼(W)를 처리하는 방법이 도 17 및 도 18을 참조하여 설명될 것이다.
제6 실시형태에 따른 방법은, 보호 필름(4)의 이면(4b) 상에 쿠션 층(8)이 제공되는 점에서, 제1 실시형태에 따른 방법과는 상이하다(예를 들면, 도 17 및 도 18 참조). 또한, 제6 실시형태에 따른 방법은, 특히 쿠션 층(8)의 이면(8b)에 베이스 시트가 제공되지 않는다는 점에서, 제4 및 제5 실시형태에 따른 방법과는 상이하다. 제6 실시형태의 설명에서, 이전의 실시형태의 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일한 참조 부호에 의해 나타내어지고 그것의 반복된 상세한 설명은 생략된다.
제6 실시형태의 방법에서, 보호 시팅(10)은, 도 17에서 도시되는 바와 같이, 보호 필름(4)의 이면(4b)에 쿠션 층(8)을 부착하는 것에 의해 형성된다. 따라서, 보호 시팅(10)은 보호 필름(4) 및 그것에 부착되는 쿠션 층(8)을 포함한다. 쿠션 층(8)은 제4 실시형태와 관련하여 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 동일한 속성 및 특성을 가질 수도 있다.
보호 필름(4) 및 쿠션 층(8)의 직경은 실질적으로 서로 동일하고 웨이퍼(W)의 직경과 동일하다(도 18 참조).
보호 시팅(10)은, 보호 필름(4)의 전면(4a)이 웨이퍼 전면 측(1)과 직접 접촉하도록, 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 적용된다. 후속하여, 보호 시팅(10)을 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 부착하기 위해 보호 필름(4)은 가열된다. 보호 필름(4)은 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로, 즉 가열된 척 테이블(20)에 의해 가열될 수도 있다(도 18 참조).
또한, 두 개의 평행한 가압판을 사용하여 쿠션 층(8)의 이면(8b)에 압력이 인가된다. 압력 인가 프로세스에서, 하나의 판은 쿠션 층(8)의 이면(8b)을 가압하고 다른 판은 웨이퍼(W)의 이면 측(6)을 가압한다. 이러한 방식으로, 쿠션 층(8)의 이면(8b)이 웨이퍼 이면 측(6)에 실질적으로 평행한 것이 보장될 수 있다.
가압판은, 보호 필름(4)이 가압 프로세스 동안 웨이퍼(W)를 통해 및/또는 쿠션 층(8)을 통해 가열되는 것을 허용하는 가열된 가압판일 수도 있다. 이러한 가열 프로세스는, 가열된 척 테이블(20)에 의해 보호 필름(4)을 가열하는 것에 부가하여 또는 대안으로서 수행될 수도 있다.
보호 필름(4)에 열 및 압력을 인가하는 단계의 결과가 도 18에서 도시된다. 이 도면에서 나타내어지는 바와 같이, 돌출부(14)로부터 유래하는 웨이퍼 지형은 보호 필름(4) 및 쿠션 층(8)에 의해 완전히 흡수된다.
쿠션 층(8)은 경화성 재료로 제조될 수도 있고, 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 경화될 수도 있다.
후속하여, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)은 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 연삭된다.
웨이퍼(W)의 추가적인 처리, 즉 그 절단 및 분리된 칩 또는 다이의 픽업은, 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 수행될 수도 있다.
이하, 본 발명의 제7 실시형태에 따라 웨이퍼(W)의 처리하는 방법이 도 19 내지 도 21을 참조하여 설명될 것이다.
제7 실시형태에 따른 방법은, 베이스 시트(9)가 쿠션 층(8)의 이면(8b)에 부착된다는 점에서, 제6 실시형태에 따른 방법과는 상이하다. 제7 실시형태의 설명에서, 이전의 실시형태의 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일한 참조 부호에 의해 나타내어지고 그것의 반복된 상세한 설명은 생략된다.
베이스 시트(9)는, 베이스 시트(9)의 전면이 쿠션 층(8)의 이면(8b)과 직접 접촉하도록, 쿠션 층(8)의 이면(8b)에 부착된다(도 19 참조). 베이스 시트(9)는 제4 실시형태와 관련하여 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 동일한 속성 및 특성을 가질 수도 있다.
보호 필름(4), 쿠션 층(8) 및 베이스 시트(9)의 직경은 실질적으로 서로 동일하고 웨이퍼(W)의 직경과 동일하다(도 19 참조).
보호 필름(4), 쿠션 층(8) 및 베이스 시트(9)는, 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 웨이퍼 전면 측(1)에 부착될 수도 있다.
이 부착 프로세스의 결과는 도 19에서 도시된다. 베이스 시트(9)의 이면(9b)은, 도 19에 점선의 화살표에 의해 나타내어지는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)에 실질적으로 평행하다.
후속하여, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)은 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 연삭된다.
웨이퍼(W)의 추가적인 처리, 즉 그 절단 및 분리된 칩 또는 다이의 픽업은, 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 수행될 수도 있다.
도 20 및 도 21은 본 발명의 방법의 제7 실시형태의 수정예를 도시한다. 이 수정예는, 주로, 보호 필름(4)이 쿠션 층(8)보다 더 작은 직경을 가지며 쿠션 층(8)이 보호 필름(4)을 넘어 퍼진다는 점에서, 제7 실시형태와는 상이하다.
구체적으로, 보호 필름(4)은, 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(2)의 직경과 실질적으로 동일한 직경을 갖는다(도 20 및 도 21 참조).
보호 필름(4), 쿠션 층(8) 및 베이스 시트(9)는, 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 웨이퍼 전면 측(1)에 부착될 수도 있다. 이 부착 프로세스의 결과는 도 20에서 도시된다.
이 도면에서 예시되는 바와 같이, 쿠션 층(8)은 보호 필름(4)의 외주를 둘러싸고 웨이퍼 전면 측(1)과 직접 접촉한다. 이러한 배열은, 웨이퍼 전면 측(1)에 대한 보호 시팅, 특히 보호 필름(4)의 특히 안정적이고 강건한 부착을 제공한다. 이 부착의 강도는 쿠션 층(8)을 경화시키는 것에 의해 더 향상될 수도 있다.
후속하여, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)은 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 연삭된다. 이 연삭 프로세스의 결과는 도 21에서 도시된다.
웨이퍼(W)의 추가적인 처리, 즉 그 절단 및 분리된 칩 또는 다이의 픽업은, 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 수행될 수도 있다.
이하, 본 발명의 제8 실시형태에 따른 웨이퍼(W)를 처리하는 방법이 도 22 및 도 23을 참조하여 설명될 것이다.
제8 실시형태에 따른 방법은, 쿠션 층(8)이 보호 필름(4)의 이면(4b) 상에 제공되는 점에서, 제2 실시형태에 따른 방법과는 상이하다(예를 들면, 도 22 참조). 제8 실시형태의 설명에서, 이전의 실시형태의 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일한 참조 부호에 의해 나타내어지고 그것의 반복된 상세한 설명은 생략된다.
쿠션 층(8)은 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 보호 필름(4)의 이면(4b)에 부착될 수도 있다.
보호 필름(4) 및 쿠션 층(8)의 직경은 실질적으로 서로 동일하고 웨이퍼(W)의 직경보다 더 크다(도 23 참조).
보호 필름(4) 및 쿠션 층(8)을 포함하는 보호 시팅은, 제2 실시형태의 보호 필름(4)에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 웨이퍼 전면 측(1)에 부착된다. 특히, 보호 시팅을 웨이퍼 전면 측(1)에 적용한 이후, 보호 시트(4)는 가열된 척 테이블(20) 및/또는 가열된 롤러(30)에 의해 가열된다(도 23 참조). 또한, 롤러(30)에 의해 쿠션 층(8)의 이면(8b)에 압력이 인가된다.
웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 보호 시트를 부착한 이후, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)은 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 연삭된다.
웨이퍼(W)의 추가적인 처리, 즉 그 절단 및 분리된 칩 또는 다이의 픽업은, 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 수행될 수도 있다.
이하, 본 발명의 제9 실시형태에 따른 웨이퍼(W)를 처리하는 방법이 도 24를 참조하여 설명될 것이다.
제9 실시형태에 따른 방법은, 특히 보호 필름(4) 및 웨이퍼(W)의 주변부에 접착제 층(12)이 제공되는 점에서, 제1 실시형태에 따른 방법과는 상이하다. 제9 실시형태의 설명에서, 이전의 실시형태의 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일한 참조 부호에 의해 나타내어지고 그것의 반복된 상세한 설명은 생략된다.
웨이퍼(W)의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부 또는 돌기부, 예컨대 상기에서 상세히 설명되는 돌출부(14)가 도 24에서 생략되어 있지만, 그러나 이러한 돌출부 또는 돌기부는 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(7)에 존재할 수도 있다.
제9 실시형태의 방법에서는, 웨이퍼(W) 상의 디바이스(7)를 피복하기 위해, 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 적용하기 이전에, 액체 접착제가, 예를 들면, 디스펜서(도시되지 않음)에 의해 보호 필름(4) 상으로 및/또는 웨이퍼(W) 상으로 분배된다. 이러한 방식으로, 도 24에서 도시되는 바와 같이, 접착제 층(12)이 형성된다. 액체 접착제는 보호 필름(4)의 주변부 상으로만 및/또는 웨이퍼(W)의 주변부 상으로만 분배된다. 접착제 층(12)은 환형 형상을 갖는다. 접착제 층(12)은 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(2)에 접착제가 존재하지 않도록 배열된다.
액체 접착제는 예를 들면, Brewer Science에 의해 제조되는 액체 접착제, 예컨대 BrewerBOND(등록 상표) 220 Material일 수도 있다.
디스펜서는, 예를 들면, Musashi Engineering에 의해 제조되는 디스펜서, 예컨대 디스펜서 ML-5000XII일 수도 있다.
접착제 층(12)은 연속적인 접착제 층일 수도 있다. 대안적으로, 접착제 층(12)은 불연속 접착제 층일 수도 있다. 특히, 접착제 층(12)에서, 접착제는, 불연속적인 형태로, 예컨대 점 형태로, 예를 들면, 직선 및/또는 곡선의 스트라이프를 갖는 스트라이프 형태로, 또는 등등으로 제공될 수도 있다.
액체 접착제는, 웨이퍼(W) 상으로는 분배되지 않고, 보호 필름(4)의 주변부 상으로만 분배될 수도 있다. 대안적으로, 액체 접착제는, 보호 필름(4) 상으로는 분배되지 않고, 웨이퍼(W)의 주변부 상으로만 분배될 수도 있다. 또한, 액체 접착제는 보호 필름(4)의 주변부 상으로 그리고 웨이퍼(W)의 주변부 상으로 분배될 수도 있다.
액체 접착제는, 보호 필름(4)의 전면의 주변부와 그리고 웨이퍼(W)의 전면 측(1)의 주변부와 직접 접촉하는 접착제 층(12)을 형성하도록 분배된다.
보호 필름(4)은 웨이퍼(W)의 직경과 실질적으로 동일한 직경을 갖는다(도 24 참조).
상기에서 상세히 설명되는 방식으로 액체 접착제를 분배한 이후, 보호 필름(4)은 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 적용된다. 보호 필름(4)은 접착제 층(12)을 통해 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 부착된다.
보호 필름(4)을 웨이퍼 전면 측(1)에 부착한 이후, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)은 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 연삭된다.
웨이퍼(W)의 추가적인 처리, 즉 그 절단 및 분리된 칩 또는 다이의 픽업은, 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 수행될 수도 있다.
이하, 본 발명의 제10 실시형태에 따른 웨이퍼(W)를 처리하는 방법이 도 25를 참조하여 설명될 것이다.
제10 실시형태에 따른 방법은, 보호 필름(4)의 직경 및 접착제 층(12)의 배열에서, 제9 실시형태에 따른 방법과는 상이하다. 제10 실시형태의 설명에서, 이전의 실시형태의 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일한 참조 부호에 의해 나타내어지고 그것의 반복된 상세한 설명은 생략된다.
웨이퍼(W)의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부 또는 돌기부, 예컨대 상기에서 상세히 설명되는 돌출부(14)가 도 25에서 생략되어 있지만, 이러한 돌출부 또는 돌기부는 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(7)에 존재할 수도 있다.
도 25에서 예시되는 바와 같이, 보호 필름(4)은 웨이퍼(W)의 직경보다 더 큰 직경을 갖는다. 액체 접착제는, 보호 필름(4)의 전면의 주변부와 그리고 웨이퍼(W)의 전면 측(1)의 주변부 및 웨이퍼(W)의 주변 사이드 에지의 일부와 직접 접촉하는 접착제 층(12)을 형성하도록 분배된다. 접착제 층(12)은 환형 형상을 갖는다. 접착제 층(12)은 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(2)에 접착제가 존재하지 않도록 배열된다.
보호 필름(4)은 접착제 층(12)을 통해 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 부착된다.
보호 필름(4)을 웨이퍼 전면 측(1)에 부착한 이후, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)은 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 연삭된다.
웨이퍼(W)의 추가적인 처리, 즉 그 절단 및 분리된 칩 또는 다이의 픽업은, 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 수행될 수도 있다.
이하, 본 발명의 제11 실시형태에 따른 웨이퍼(W)를 처리하는 방법이 도 26을 참조하여 설명될 것이다.
제11 실시형태에 따른 방법은, 보호 필름(4) 및 접착제 층(12)의 배열에서, 제10 실시형태에 따른 방법과는 상이하다. 제11 실시형태의 설명에서, 이전의 실시형태의 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일한 참조 부호에 의해 나타내어지고 그것의 반복된 상세한 설명은 생략된다.
웨이퍼(W)의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부 또는 돌기부, 예컨대 상기에서 상세히 설명되는 돌출부(14)가 도 26에서 생략되어 있지만, 이러한 돌출부 또는 돌기부는 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(7)에 존재할 수도 있다.
보호 필름(4)은 웨이퍼(W)의 직경보다 더 큰 직경을 갖는다. 또한, 보호 필름(4)의 표면의 주변부가, 도 26에서 예시되는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 주변 사이드 에지의 일부분과 직접 접촉하도록, 보호 필름(4)의 주변부는 하방으로 굴곡된다.
액체 접착제는, 보호 필름(4)의 주변 사이드 에지와 그리고 웨이퍼(W)의 주변 사이드 에지의 일부분과 직접 접촉하는 접착제 층(12)을 형성하도록 분배된다. 접착제 층(12)은 환형 형상을 갖는다. 접착제 층(12)은 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(2)에 접착제가 존재하지 않도록 배열된다.
액체 접착제는, 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)에 적용하기 이전에, 보호 필름(4) 상으로 및/또는 웨이퍼(W) 상으로 분배될 수도 있다. 대안적으로, 액체 접착제는, 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)에 적용한 이후에, 보호 필름(4) 상으로 및/또는 웨이퍼(W) 상으로 분배될 수도 있다.
보호 필름(4)은 접착제 층(12)을 통해 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 부착된다. 그에 추가하여, 보호 필름(4)은, 보호 필름(4)을 웨이퍼 전면 측(1)에 적용하는 동안 및/또는 적용한 이후 보호 필름(4)을 가열하는 것에 의해, 웨이퍼 전면 측(1)에 부착될 수도 있다. 특히, 보호 필름(4)은 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되는 접근법을 사용하는 것에 의해 웨이퍼(W)에 부착될 수도 있다.
예를 들면, 보호 필름(4)은 상기에서 상세히 설명되는 방식으로 보호 필름(4)을 가열하는 것에 의해 웨이퍼(W)에 먼저 부착될 수도 있다. 후속하여, 보호 필름(4)이 웨이퍼(W)에 부착된 이후, 액체 접착제는 분배될 수도 있다. 액체 접착제는, 웨이퍼(W)의 주변부에서 보호 필름(4)과 웨이퍼(W) 사이에 존재할 수도 있는 임의의 갭을 밀봉하거나 또는 피복하도록 분배될 수도 있다(도 26 참조).
보호 필름(4)을 웨이퍼 전면 측(1)에 부착한 이후, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)은 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 연삭된다.
웨이퍼(W)의 추가적인 처리, 즉 그 절단 및 분리된 칩 또는 다이의 픽업은, 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 수행될 수도 있다.
이하, 본 발명의 제12 실시형태에 따른 웨이퍼(W)를 처리하는 방법이 도 27을 참조하여 설명될 것이다.
제12 실시형태에 따른 방법은, 접착제 층(12)의 배열에서, 제9 실시형태에 따른 방법과는 상이하다. 제12 실시형태의 설명에서, 이전의 실시형태의 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일한 참조 부호에 의해 나타내어지고 그것의 반복된 상세한 설명은 생략된다.
웨이퍼(W)의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부 또는 돌기부, 예컨대 상기에서 상세히 설명되는 돌출부(14)가 도 27에서 생략되어 있지만, 이러한 돌출부 또는 돌기부는 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(7)에 존재할 수도 있다.
보호 필름(4)의 직경은 웨이퍼(W)의 직경과 실질적으로 동일한 직경을 갖는다(도 27 참조).
액체 접착제는, 보호 필름(4)의 전면의 일부분 및 주변 사이드 에지의 일부분과 그리고 웨이퍼(W)의 전면 측(1)의 일부분 및 주변 사이드 에지의 일부분과 직접 접촉하는 접착제 층(12)을 형성하도록 분배된다. 접착제 층(12)은 환형 형상을 갖는다. 접착제 층(12)은 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(2)에 접착제가 존재하지 않도록 배열된다.
액체 접착제는, 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)에 적용하기 이전에, 보호 필름(4) 상으로 및/또는 웨이퍼(W) 상으로 분배될 수도 있다. 대안적으로, 액체 접착제는 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)에 적용한 이후 보호 필름(4) 상으로 그리고 웨이퍼(W) 상으로 분배될 수도 있다.
보호 필름(4)은 접착제 층(12)을 통해 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 부착된다. 그에 추가하여, 보호 필름(4)은, 보호 필름(4)을 웨이퍼 전면 측(1)에 적용하는 동안 및/또는 적용한 이후 보호 필름(4)을 가열하는 것에 의해, 웨이퍼 전면 측(1)에 부착될 수도 있다. 특히, 보호 필름(4)은 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되는 접근법을 사용하는 것에 의해 웨이퍼(W)에 부착될 수도 있다.
예를 들면, 보호 필름(4)은 상기에서 상세히 설명되는 방식으로 보호 필름(4)을 가열하는 것에 의해 웨이퍼(W)에 먼저 부착될 수도 있다. 후속하여, 보호 필름(4)이 웨이퍼(W)에 부착된 이후, 액체 접착제는 분배될 수도 있다. 액체 접착제는, 웨이퍼(W)의 주변부에서 보호 필름(4)과 웨이퍼(W) 사이에 존재할 수도 있는 임의의 갭을 밀봉하거나 또는 피복하도록 분배될 수도 있다(도 27 참조).
보호 필름(4)을 웨이퍼 전면 측(1)에 부착한 이후, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)은 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 연삭된다.
웨이퍼(W)의 추가적인 처리, 즉 그 절단 및 분리된 칩 또는 다이의 픽업은, 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 수행될 수도 있다.
이하, 본 발명의 제13 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 방법이 도 28을 참조하여 설명될 것이다.
제13 실시형태에 따른 방법은, 보호 필름(4)의 직경 및 접착제 층(12)의 배열에서, 제9 실시형태에 따른 방법과는 상이하다. 제13 실시형태의 설명에서, 이전의 실시형태의 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일한 참조 부호에 의해 나타내어지고 그것의 반복된 상세한 설명은 생략된다.
웨이퍼(W)의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부 또는 돌기부, 예컨대 상기에서 상세히 설명되는 돌출부(14)가 도 28에서 생략되어 있지만, 이러한 돌출부 또는 돌기부는 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(7)에 존재할 수도 있다.
보호 필름(4)은 웨이퍼(W)의 직경보다 더 작은 직경을 갖는다. 보호 필름(4)의 직경은 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(2)의 직경과 실질적으로 동일하다(도 28 참조).
액체 접착제는, 보호 필름(4)의 주변 사이드 에지와 그리고 웨이퍼(W)의 전면 측(1)의 일부분과 직접 접촉하는 접착제 층(12)을 형성하도록 분배된다. 접착제 층(12)은 환형 형상을 갖는다. 접착제 층(12)은 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(2)에 접착제가 존재하지 않도록 배열된다.
액체 접착제는, 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)에 적용하기 이전에, 보호 필름(4) 상으로 및/또는 웨이퍼(W) 상으로 분배될 수도 있다. 대안적으로, 액체 접착제는 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)에 적용한 이후 보호 필름(4) 상으로 그리고 웨이퍼(W) 상으로 분배될 수도 있다.
보호 필름(4)은 접착제 층(12)을 통해 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 부착된다. 그에 추가하여, 보호 필름(4)은, 보호 필름(4)을 웨이퍼 전면 측(1)에 적용하는 동안 및/또는 적용한 이후 보호 필름(4)을 가열하는 것에 의해, 웨이퍼 전면 측(1)에 부착될 수도 있다. 특히, 보호 필름(4)은 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되는 접근법을 사용하는 것에 의해 웨이퍼(W)에 부착될 수도 있다.
예를 들면, 보호 필름(4)은 상기에서 상세히 설명되는 방식으로 보호 필름(4)을 가열하는 것에 의해 웨이퍼(W)에 먼저 부착될 수도 있다. 후속하여, 보호 필름(4)이 웨이퍼(W)에 부착된 이후, 액체 접착제는 분배될 수도 있다. 액체 접착제는, 웨이퍼(W)의 주변부에서 보호 필름(4)과 웨이퍼(W) 사이에 존재할 수도 있는 임의의 갭을 밀봉하거나 또는 피복하도록 분배될 수도 있다(도 28 참조).
보호 필름(4)을 웨이퍼 전면 측(1)에 부착한 이후, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)은 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 연삭된다.
웨이퍼(W)의 추가적인 처리, 즉 그 절단 및 분리된 칩 또는 다이의 픽업은, 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 수행될 수도 있다.
이하, 본 발명의 제14 실시형태에 따른 웨이퍼(W)를 처리하는 방법이 도 29를 참조하여 설명될 것이다.
제14 실시형태에 따른 방법은, 보호 필름(4)의 직경 및 접착제 층(12)의 배열에서, 제9 실시형태에 따른 방법과는 상이하다. 제14 실시형태의 설명에서, 이전의 실시형태의 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일한 참조 부호에 의해 나타내어지고 그것의 반복된 상세한 설명은 생략된다.
웨이퍼(W)의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 돌출부 또는 돌기부, 예컨대 상기에서 상세히 설명되는 돌출부(14)가 도 29에서 생략되어 있지만, 이러한 돌출부 또는 돌기부는 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(7)에 존재할 수도 있다.
보호 필름(4)은 웨이퍼(W)의 직경보다 더 큰 직경을 갖는다(도 29 참조).
액체 접착제는, 보호 필름(4)의 전면의 주변부와 그리고 웨이퍼(W)의 전면 측(1)의 일부분 및 주변 사이드 에지의 일부분과 직접 접촉하는 접착제 층(12)을 형성하도록 분배된다.
접착제 층(12)은 환형 형상을 갖는다. 접착제 층(12)은 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(2)에 접착제가 존재하지 않도록 배열된다.
제14 실시형태에 따른 접착제 층(12)의 배열은 또한, 실질적으로 원형의 디바이스 영역(2)과 환형 접착제 층(12)의 내주(inner circumference) 사이에서 배열되는, 웨이퍼(W)의 전면 측(1)의 환형 부분이 어떠한 접착제도 없다는 점에서, 제9 실시형태에 따른 것과는 상이하다(도 29 참조). 이와는 대조적으로, 제9 실시형태의 배열에서는, 접착제 층(12)의 내주가 디바이스 영역(2)에 직접적으로 인접하여 배치되도록 접착제 층(12)이 제공된다(도 24 참조).
액체 접착제는, 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)에 적용하기 이전에, 보호 필름(4) 상으로 및/또는 웨이퍼(W) 상으로 분배될 수도 있다. 대안적으로, 액체 접착제는 보호 필름(4)을 웨이퍼(W)에 적용한 이후 보호 필름(4) 상으로 그리고 웨이퍼(W) 상으로 분배될 수도 있다.
보호 필름(4)은 접착제 층(12)을 통해 웨이퍼(W)의 전면 측(1)에 부착된다. 그에 추가하여, 보호 필름(4)은, 보호 필름(4)을 웨이퍼 전면 측(1)에 적용하는 동안 및/또는 적용한 이후 보호 필름(4)을 가열하는 것에 의해, 웨이퍼 전면 측(1)에 부착될 수도 있다. 특히, 보호 필름(4)은 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되는 접근법을 사용하는 것에 의해 웨이퍼(W)에 부착될 수도 있다.
예를 들면, 보호 필름(4)은 상기에서 상세히 설명되는 방식으로 보호 필름(4)을 가열하는 것에 의해 웨이퍼(W)에 먼저 부착될 수도 있다. 후속하여, 보호 필름(4)이 웨이퍼(W)에 부착된 이후, 액체 접착제는 분배될 수도 있다. 액체 접착제는, 웨이퍼(W)의 주변부에서 보호 필름(4)과 웨이퍼(W) 사이에 존재할 수도 있는 임의의 갭을 밀봉하거나 또는 피복하도록 분배될 수도 있다(도 29 참조).
보호 필름(4)을 웨이퍼 전면 측(1)에 부착한 이후, 웨이퍼(W)의 이면 측(6)은 제4 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 연삭된다.
웨이퍼(W)의 추가적인 처리, 즉 그 절단 및 분리된 칩 또는 다이의 픽업은, 제1 실시형태에 대해 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로 수행될 수도 있다.
제9 실시형태 내지 제14 실시형태의 보호 필름(4)은, 상기에서 상세히 설명되어 있는 바와 실질적으로 동일한 방식으로, 이전 실시형태의 베이스 시트(9) 및 쿠션 층(8)과 조합하여 또는 쿠션 층(8)과 조합하여 사용될 수도 있다.

Claims (18)

  1. 한쪽 면(one side)(1) 상에 복수의 디바이스(7)를 갖는 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법으로서,
    보호 필름(4)을 제공하는 단계;
    상기 보호 필름(4)의 전면(front surface)(4a)이 상기 웨이퍼(W)의 상기 한쪽 면(1)과 직접 접촉하도록, 상기 웨이퍼(W) 상의 상기 디바이스(7)를 피복하기 위해, 상기 보호 필름(4)을 상기 웨이퍼(W)의 상기 한쪽 면(1)에 적용하는 단계;
    상기 보호 필름(4)이 상기 웨이퍼(W)의 상기 한쪽 면(1)에 부착되도록, 상기 보호 필름(4)을 상기 웨이퍼(W)의 상기 한쪽 면(1)에 적용하는 동안 및 적용한 이후 중 적어도 하나에서, 상기 보호 필름(4)을 가열하는 단계; 및
    상기 한쪽 면(1)과는 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 면(6)을 처리하는 단계
    를 포함하는, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 디바이스 영역(2)은, 상기 웨이퍼(W)의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 복수의 돌출부(14)를 가지고 형성되고,
    상기 웨이퍼(W)의 상기 평탄한 표면으로부터 돌출하는 상기 돌출부(14)는 상기 보호 필름(4)에 매립되는(embedded) 것인, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 보호 필름(4)을 상기 웨이퍼(W)의 상기 한쪽 면(1)에 적용하는 동안 및 적용한 이후 중 적어도 하나에서, 상기 보호 필름(4)의 상기 전면(4a)과는 반대쪽에 있는 상기 보호 필름(4)의 이면(back surface)(4b)에 압력을 인가하는 단계를 더 포함하는, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 한쪽 면(1)과는 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 면(6)을 처리하는 단계는, 웨이퍼 두께를 조정하기 위해, 상기 한쪽 면(1)과는 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 상기 면(6)을 연삭하는 단계를 포함하는 것인, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 보호 필름(4)은, 상기 웨이퍼(W)의 외경보다 더 큰, 또는 상기 웨이퍼(W)의 외경보다 더 작은, 또는 상기 웨이퍼(W)의 외경과 동일한, 또는 상기 디바이스 영역(2)의 외경과 동일한 외경을 갖는 것인, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 보호 필름(4)의 외주부(outer peripheral portion)를 환형 프레임(40)에 부착하는 단계를 더 포함하는, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 보호 필름(4)의 상기 외주부는 환형의 접착제 층(42)을 통해 상기 환형 프레임(40)에 부착되는 것인, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 보호 필름(4)의 상기 전면(4a)과는 반대쪽의 상기 보호 필름(4)의 이면(4b)에 쿠션 층(8)이 부착되고,
    상기 디바이스 영역(2)은, 상기 웨이퍼(W)의 평탄한 표면으로부터 돌출하는 복수의 돌출부(14)를 가지고 형성되고,
    상기 웨이퍼(W)의 상기 평탄한 표면으로부터 돌출하는 상기 돌출부(14)는 상기 쿠션 층(8)에 매립되는 것인, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 쿠션 층(8)의 전면이 상기 보호 필름(4)의 상기 이면(4b)과 접촉하고,
    상기 쿠션 층(8)의 상기 전면과는 반대쪽의 상기 쿠션 층(8)의 이면(8b)이, 상기 한쪽 면(1)과는 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 상기 면(6)에 평행한 것인, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 쿠션 층(8)은, 외부 자극에 의해 경화 가능한 것인, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 보호 필름(4)을 상기 웨이퍼(W)의 상기 한쪽 면(1)에 적용한 이후, 상기 쿠션 층(8)을 경화시키기 위해 상기 쿠션 층(8)에 상기 외부 자극을 인가하는 단계를 더 포함하는, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  12. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 쿠션 층(8)은, 상기 보호 필름(4)을 상기 웨이퍼(W)의 상기 한쪽 면(1)에 적용하기 이전에, 상기 보호 필름(4)의 상기 이면(4b)에 부착되거나, 또는
    상기 쿠션 층(8)은, 상기 보호 필름(4)을 상기 웨이퍼(W)의 상기 한쪽 면(1)에 적용한 이후에, 상기 보호 필름(4)의 상기 이면(4b)에 부착되는 것인, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  13. 한쪽 면(1) 상에 복수의 디바이스(7)를 갖는 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법으로서,
    보호 필름(4)을 제공하는 단계;
    액체 접착제를 제공하는 단계;
    상기 보호 필름(4) 상으로 및 상기 웨이퍼(W) 상으로 중 적어도 하나 상으로 상기 액체 접착제를 분배하는(dispense) 단계;
    상기 웨이퍼(W) 상의 상기 디바이스를 피복하기 위해, 상기 보호 필름(4)을 상기 웨이퍼(W)의 상기 한쪽 면(1)에 적용하는 단계; 및
    상기 한쪽 면(1)과는 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 면(6)을 처리하는 단계
    를 포함하고,
    상기 액체 접착제는, 상기 보호 필름(4)의 주변부(peripheral portion) 상으로만 및 상기 웨이퍼(W)의 주변부 상으로만 중 적어도 하나 상으로만 분배되는 것인, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 액체 접착제는, 상기 보호 필름(4)을 상기 웨이퍼(W)의 상기 한쪽 면(1)에 적용하기 이전에 및 상기 보호 필름(4)을 상기 웨이퍼(W)의 상기 한쪽 면(1)에 적용한 이후에 중 적어도 하나에서, 상기 보호 필름(4) 상으로 및 상기 웨이퍼(W) 상으로 중 적어도 하나 상으로 분배되는 것인, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 액체 접착제는, 상기 보호 필름(4)을 상기 웨이퍼(W)의 상기 한쪽 면(1)에 적용한 이후, 상기 웨이퍼(W)의 상기 디바이스 영역(2)에 어떠한 접착제도 존재하지 않도록, 상기 보호 필름(4) 상으로 및 상기 웨이퍼(W) 상으로 중 적어도 하나 상으로 분배되는 것인, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 보호 필름(4)의 이면(4b)에 쿠션 층(8)이 부착되는 것인, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  17. 제8항 또는 제16항에 있어서,
    상기 쿠션 층(8)의 이면(8b)에 베이스 시트(9)가 부착되는 것인, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
  18. 제1항, 제2항, 제8항, 제9항, 제13항, 제14항, 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호 필름(4)은 폴리머로 제조되는 것인, 디바이스 영역(2)을 구비하는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법.
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