JP2010027685A - 半導体ウエハの研削方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ウエハの大きさや回路デザインに関わりなく適用でき、しかもコストの削減に寄与しうる半導体ウエハの研削方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体ウエハの研削方法は、バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハの回路面と、表面保護シートとを、半導体ウエハの外周端部において、液状接着剤を介して重ね、該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着して半導体ウエハのバンプ形成部を保護しつつ、表面保護シート側を固定台に載置し、半導体ウエハの裏面側を研削することを特徴とする。
【選択図】 図３

Description

本発明は半導体ウエハの研削方法に関し、特に、回路面上に高さの高いバンプが高密度で配列された半導体ウエハの研削方法に関する。

半導体装置の高密度実装化に伴い、ＩＣチップと基板の接合には球状ハンダ（バンプともよばれる）が用いられている。特に、ＩＣチップを直接接合する場合は、直径数百μｍ程度のバンプが用いられることが多い。このようなバンプは予め半導体ウエハの回路面に高密度に接合されている。

一方、ＩＣカードの普及にともない、ＩＣチップの薄型化が進められている。このため、ウエハの裏面を研削し、ウエハの厚みを５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになった。脆質部材であるウエハは、薄くなるにつれて、加工や運搬の際、破損する危険性が高くなる。また、裏面研削時に発生する切削屑により回路面が傷ついたり、汚染されることもある。このため、ウエハを極薄まで研削したり、極薄のウエハを運搬したりする場合は、粘着シートなどの表面保護用シートによりウエハの回路面側を保護して作業を進めている。

しかし、上記のようなバンプが回路面に形成されたウエハの裏面を研削すると、バンプの段差による圧力差がウエハ裏面に直接影響し、ウエハ裏面にディンプルとよばれる窪みやクラックが生じ、最終的に半導体ウエハを破損させてしまう。また、バンプの高さが邪魔をして、ウエハと表面保護用シートとが密着せず、特に外周端部においてウエハと表面保護用シートとが剥離することがあった。この結果、研削時に用いる水や研削屑がウエハと表面保護用シートとの空隙から浸入し、ウエハ回路面を破損または汚染することがあった。

このため、表面保護用シートの粘着剤層の厚みを厚くし、さらに粘着剤の流動性を高めることにより、粘着剤層とウエハとを密着させ、粘着剤層のクッション性によりバンプの段差による圧力差を解消するようにして対処している。しかし、粘着剤層の厚みを厚くし、かつその流動性を高くすると、バンプの根本部分に粘着剤が回り込み易くなる。このため、表面保護用シートの剥離操作によってバンプの根本部分に付着した粘着剤が層内破壊を起こし、その一部が回路面に残着することがある。これはエネルギー線硬化型粘着剤を用いた表面保護用シートを用いた場合であっても起こりうる問題であった。回路面に残着した粘着剤は溶剤洗浄等により除去しなければ、デバイスの異物として残留し完成したデバイスの信頼性を損なう。

このような問題を解消するため、特許文献１には、本願明細書に添付の図４に示すように、半導体ウエハの裏面研削を行う際に用いる表面保護用シート３０であって、基材３１の片面に、貼付する半導体ウエハ４の外径よりも小径の粘着剤層が形成されていない開口部３３と、その外周に形成された粘着剤層３２（両面粘着シート等）が形成されている部分とが設けられている表面保護用シートが開示されている。この表面保護用シート３０は、基材３１の片面にリング状に打ち抜かれた両面粘着シート３２が形成されてなる構造であり、バンプ５に当接する部分に粘着剤が設けられていないため、バンプ５の根本部分に粘着剤が付着することがなく、それによるデバイスの信頼性不足は起こりえない。また、通常はウエハ４の端部を両面粘着シート３２の粘着剤層により密着固定できるので、回路面への洗浄水の浸入が防止され、ウエハの汚損を低減できる。
特開2005-123382号公報

しかし、上記の表面保護用シート３０では、リング状の粘着剤層３２（両面粘着シート等）を予め準備する必要があった。リング状の粘着剤層は、シート状の粘着剤（両面粘着シート）を打ち抜き加工することで得られる。すなわち、ウエハのバンプ形成部の形状、大きさに対応する開口部を打ち抜き、かつウエハの外径に合わせて外周部を打ち抜いて、リング状の粘着剤層が得られる。打ち抜かれた残渣は廃棄物となる。このため、リング状の粘着剤層を製造するためには多量の廃棄物が発生する。また、両面粘着シートは高価でもあり、表面保護用シート３０の製造コストの削減を妨げる。

また、リング状の粘着剤層は、貼付されるウエハのバンプ形成部の形状、大きさおよびウエハの外径に合わせて準備する必要がある。このため、ウエハの大きさや回路デザインに適合するように、種々の表面保護用シートを準備する必要があり、在庫管理が煩雑化する。

本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、ウエハの大きさや回路デザインに関わりなく適用でき、しかもコストの削減に寄与しうる半導体ウエハの研削方法を提供することを目的としている。

このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下の通りである。
（１）バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハの回路面と、
表面保護シートとを、
半導体ウエハの外周端部において、液状接着剤を介して重ね、
該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着して半導体ウエハのバンプ形成部を保護しつつ、
表面保護シート側を固定台に載置し、半導体ウエハの裏面側を研削する半導体ウエハの研削方法。
（２）バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハのバンプが形成されていない外周端部に液状接着剤を塗布し、
該半導体ウエハの外周端部の液状接着剤を介して半導体ウエハに表面保護シートを積層し、
該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する（１）に記載の半導体ウエハの研削方法。
（３）表面保護シートの片面に、
バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハのバンプが形成されていない外周端部に対応する形状に液状接着剤を塗布し、
表面保護シートの液状接着剤塗布部が、半導体ウエハの外周端部に対応するように位置合わせをし、表面保護シートに半導体ウエハを積層し、
該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する（１）に記載の半導体ウエハの研削方法。
（４）バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハと表面保護シートとを重ね、積層体とし、
積層体の外周端部隙間に液状接着剤を注入し、硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する（１）に記載の半導体ウエハの研削方法。
（５）回路面上に形成されたバンプの高さが５０μｍ以上であり、ウエハの回路面外周端部に塗布される液状接着剤の幅は０．１〜５ｍｍである（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体ウエハの研削方法。

本発明による半導体ウエハの研削方法では、液状接着剤を塗布、硬化してバンプウエハの外周端部を封止するため、ウエハの大きさや回路デザインに関わりなく適用できる。また、高価な両面粘着シートを使用しないため、コストの大幅な削減が可能になる。さらにウエハのバンプに当接する部分に粘着剤が設けられていないためバンプの根本部分に粘着剤が付着することがなく、それによるデバイスの信頼性不足は起こりえない。また、ウエハの端部を接着剤により密着固定できるので、回路面への洗浄水の滲入が防止され、ウエハの汚損を低減できる。

以下、本発明について、図面を参照しながらさらに具体的に説明する。本発明に係る半導体ウエハの研削方法は、バンプ５が形成された回路表面を有する半導体ウエハ４の回路面と、表面保護シート１とを、半導体ウエハ４の外周端部において、液状接着剤２を介して重ね、該液状接着剤２を硬化して、半導体ウエハ４と表面保護シート１とを接着して半導体ウエハ４のバンプ形成部を保護しつつ、表面保護シート側を固定台に載置し、半導体ウエハの裏面側を研削する。

具体的には、たとえば図１に斜視図を示したように、バンプ５が形成された回路表面を有する半導体ウエハ４の外周端部に、ディスペンサーにより制御された液状接着剤２をノズル３より塗布し、図２および図３に示したように、該半導体ウエハ４に表面保護シート１を積層し、液状接着剤２を硬化して半導体ウエハの回路面を保護しつつ、表面保護シート１側を固定台に載置し、半導体ウエハの裏面側を研削する。また、表面保護シート１側に液状接着剤２を塗布して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着してもよく、さらに、表面保護シートと半導体ウエハを積み重ねた後、積層体の外周端部隙間に液状接着剤２を注入して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着してもよい。

（表面保護シート１）
表面保護シート１は、樹脂シートであれば、特に限定されず各種の樹脂シートが使用可能である。このような樹脂シートとしては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等のポリオレフィン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリ塩化ビニル、アクリルゴム、ポリアミド、ウレタン、ポリイミド等の樹脂フィルムが挙げられる。表面保護シート１はこれらの単層であってもよいし、積層体からなってもよい。また、架橋等の処理を施したシートであってもよい。

このような表面保護シート１としては、熱可塑性樹脂を押出成形によりシート化したものが使用されてもよいし、硬化性樹脂を所定手段により薄膜化、硬化してシート化したものが使われてもよい。硬化性樹脂としては、たとえば、エネルギー線硬化性のウレタンアクリレート系オリゴマーを主剤とし、比較的嵩高い基を有するアクリレートモノマーを希釈剤とし、必要に応じて光重合開始剤を配合した樹脂組成物が用いられる。

表面保護シートの厚さは、好ましくは３０〜１０００μm、さらに好ましくは５０〜５００μm、特に好ましくは１００〜３００μｍである。

また、表面保護シート１は、図２に示したように、貼付される半導体ウエハの外径とほぼ等しい大きさに予め打ち抜かれていてもよく、また表面保護シート１と半導体ウエハ４とを接着後、半導体ウエハの外径に合わせて表面保護シート１を切断してもよい。

（液状接着剤２）
液状接着剤２は、その種類は特定されず、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ウレタン系、ビニルエーテル系、エポキシ系、アミン系など汎用の接着剤から形成されてもよい。好ましくは、その硬化物のガラス転移温度が６０〜９０℃の接着剤である。

液状接着剤２は、自然硬化型、熱硬化型、ＵＶ硬化型のいずれでもよい。表面保護シート１と半導体ウエハ４とを接着後、強い接着力を有し、常温の水に対しては溶解、膨潤せず、温水や有機溶剤等に浸漬するなどの所定の手段で溶解ないし膨潤し、表面保護シート１と半導体ウエハ４とを分離可能な接着剤が特に好ましく用いられる。また、エネルギー線の照射により硬化して再剥離性となるエネルギー線硬化型接着剤であってもよい。

液状接着剤２としては、たとえば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、アルキド樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、アミド樹脂、イミド樹脂、クロロプレンゴム、ニトリルゴム、スチレンブタジエンゴムなどが挙げられる。

液状接着剤２の塗布厚は特に限定はされないが、液状接着剤の厚み（Ｌｔ）とバンプの高さ（Ｂｈ）とした場合、その差（Ｂｈ−Ｌｔ）は好ましくは−５〜＋５０μｍ、さらに好ましくは±０〜＋４０μｍである。例えば、バンプ５の高さ（Ｂｈ）が１００μmであった場合、好ましい液状接着剤２の厚さ（Ｌｔ）は５０〜１０５μｍ、好ましくは６０〜１００μｍである。このような厚さの関係とすれば、ウエハのバンプ５と表面保護シート１とが適度な圧力で接し、研削加工時に表面保護シート１の剥がれや位置ずれ等が起きにくくなる。その差（Ｂｈ−Ｌｔ）の値が負であり、接着剤がバンプの高さよりも厚く隙間が開いていたとしても、その値が小さければ研削加工時の押し圧による半導体ウエハの撓みにより、適度な圧力が発生し、ウエハ全体が固定可能となる。

適度な厚みの塗膜を形成するため、液状接着剤２の粘度は、好ましくは０．１〜１００Ｐａ・ｓ、さらに好ましくは１〜５０Ｐａ・ｓの範囲に調整される。

液状接着剤２の塗布法が特に限定はされないが、たとえばディスペンサーで制御され、ノズル３によりウエハ、表面保護シート等に塗布される。

（半導体ウエハ４）
本発明の半導体ウエハの研削方法に使用されるウエハ４は、回路面上にバンプ５が形成されたものであれば、いかなる構成のウエハであってもよいが、バンプ５の高さが５０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以上のウエハが、従来の表面保護用粘着シートでの適用が困難であったが、本発明においてより好適に用いられる。なお、通常使用されているバンプ付き半導体ウエハ４においては、半導体ウエハの内周部にバンプが形成され、外周端部にはバンプは形成されていない。バンプが形成されない外周端部の幅は、一定しないが、通常は半導体ウエハの端部から０．７〜３０ｍｍ程度の領域がバンプ不存在の領域となる。本発明では、バンプが形成されない外周端部において、接着剤を介して表面保護シートと半導体ウエハとを接着する。

（ウエハの表面保護形態）
本発明に係る半導体ウエハの研削方法では、まず、バンプ５が形成された回路表面を有する半導体ウエハ４の回路面と、表面保護シート１とを、半導体ウエハ４の外周端部において、液状接着剤２を介して重ね、該液状接着剤２を硬化して、半導体ウエハ４と表面保護シート１とを接着して半導体ウエハ４のバンプ形成部を保護する。

半導体ウエハ４と表面保護シート１とを接着する方法は特に限定はされないが、たとえば図１に示したように、バンプ５が形成された回路表面を有する半導体ウエハ４を回転させつつ、その外周端部に、液状接着剤２をノズル３より塗布し、図２および図３に示したように、該半導体ウエハ４に表面保護シート１を積層して、液状接着剤２を所定の手段で硬化して、半導体ウエハ４と表面保護シート１とを接着する。この際、表面保護シート１はなるべく張力により変形が起きないように低テンションで積層することが好ましい。表面保護シートの積層時に強いテンションが加えられると、半導体ウエハに接着後にも表面保護シートに内部応力が残留する。このため、ウエハを極薄に研削すると、残留応力によって表面保護シートが変形し、ウエハが湾曲することがある。

ウエハの回路面外周端部に塗布される液状接着剤２の幅は、ウエハのサイズやバンプが形成されない外周端部の幅により依存し、特に限定されないが、通常、０．１〜５ｍｍ、好ましくは０．２〜３ｍｍである。また、ウエハと表面保護シートとを積層後、液状接着剤２が漏出しないように、ウエハの最外周部には、接着剤が塗布されない領域を設けてもよい。接着剤を塗布しない領域は、ウエハの回路面外周端部から内側に向かって６ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以下、さらに好ましくは１ｍｍ以下である。

また、半導体ウエハ４と表面保護シート１とを接着する別の方法として、図示はしないが、表面保護シート１の片面に液状接着剤２をリング形状に塗布し、続いて半導体ウエハ４のバンプ５が液状接着剤２に対面しないように精度よく位置合わせをしながら半導体ウエハ４の外周端部を液状接着剤２に積層し、液状接着剤２を硬化して、上記と同様の表面保護形態としてもよい。液状接着剤２は、表面保護シートの片面に、半導体ウエハのバンプが形成されていない外周端部に対応する形状で塗布される。

さらにまた、別の方法として表面保護シート１と半導体ウエハ４とを重ね、積層体とし、積層体の外周端部隙間に、ノズルを介して液状接着剤２を注入し、硬化することによって同様の表面保護形態としてもよい。

なお、表面保護シート１は、半導体ウエハ４との接着に先立ち、図示したように半導体ウエハ４の外径と略同径に切断されていてもよく、半導体ウエハ４と接着後、ウエハの外周よりはみ出した表面保護シート１をカッター等で切除してもよい。

（ウエハの裏面研削）
上記のような表面保護形態としたウエハ４は、ウエハ研削装置のウエハ固定台（図示せず）に表面保護シート１側を戴置し、グラインダー６等を用いた通常の研削手法で研削を行う。

その後、表面保護シート１から半導体ウエハ４を分離する。半導体ウエハ４は、図示したように、リング状の接着剤を介して表面保護シート１に固定されている。リング状の接着剤の幅は狭く、したがって接着力も弱いため、半導体ウエハ４の剥離は容易である。また、接着剤が温水または有機溶剤に溶解または膨潤可能なものである場合には、表面保護シートと半導体ウエハとの積層体を温水または有機溶剤に浸漬することで、半導体ウエハ４を容易に剥離できる。さらに、接着剤がエネルギー線により接着力を消失する性質を有する場合には、接着剤層にエネルギー線を照射することで、半導体ウエハ４の剥離がさらに容易になる。

本発明では、ウエハ４の外周端部の全周が、接着剤の硬化物によって確実に封止されるため、研削加工時の洗浄水等の滲入は起こらずウエハの回路面を汚染することがない。また、ウエハ回路面に対してはバンプの頂点が適度な圧力で表面保護シートに接しているため、研削加工時に表面保護シートの剥がれや位置ずれ等が起きにくくなる。さらに本発明の方法では、液状接着剤２を塗布、硬化してバンプウエハの外周端部を封止するため、ウエハの大きさや回路デザインに関わりなく適用できる。また、高価な両面粘着シートを使用しないため、コストの大幅な削減が可能になる。

[実施例]
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
なお、以下の実施例および比較例において使用した表面保護シート、シリコンウエハおよび研削水滲入の評価方法を下記に示す。

（表面保護シート）
重量平均分子量５０００のウレタンアクリレート系オリゴマー（荒川化学社製）５０重量部と、イソボルニルアクリレート２５重量部と、フェニルヒドロキシプロピルアクリレート２５重量部と、光重合開始剤（チバ・スペシャルティケミカルズ社製、イルガキュア１８４）２重量部と、フタロシアニン系顔料０．２重量部を配合して、表面保護シートをキャスト製膜するための光硬化性を有する樹脂組成物を得た。

得られた樹脂組成物をファウンテンダイ方式により、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ社製、厚み３８μｍ）の上に厚みが１６０μｍとなるように塗工し、塗布膜上にさらに同じＰＥＴフィルムをラミネートし、その後、高圧水銀ランプ（１６０Ｗ／ｃｍ、高さ１０ｃｍ）を用いて、光量２５０ｍＪ／ｃｍ^２の条件で紫外線照射処理を行い、塗布膜を架橋・硬化させた。その後両面のＰＥＴフィルムを剥離して厚み１６０μｍの表面保護シートを得た。

（シリコンウエハ）
直径２００ｍｍ、厚さ７５０μｍのシリコンウエハの鏡面上に、高さ１００μｍの球状バンプをピッチ（隣接するバンプ同士の中心間距離）２００μｍ、バンプが形成されないウエハの外周端部の幅１０ｍｍで形成した。

（研削水滲入）
ウエハを研削後、ウエハ回路面を目視にて観察し、ウエハ回路面に洗浄水の滲入があったものは「あり」、洗浄水の滲入がなかったものは「なし」とした。

[実施例１]
液状接着剤として、粘度を１０Ｐａ・ｓに調整したテクノアルファ社製熱可塑性接着剤（ＳＴＡＹＳＴＩＫ品番３４３）を用い、ウエハ外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅２ｍｍ、高さ１００μｍになるように塗布した。１００℃、２分の環境で表面保護シートに接着させ、その後ウエハを研削した。研削後イソプロピルアルコールに浸漬し、表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表１に示す。

[実施例２]
液状接着剤として、粘度を５０Ｐａ・ｓに調整した化研テック社製エコセパラ（品番ＣＴ−１８８８Ａ／Ｂ）を用い、ウエハ外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅３ｍｍ、高さ１００μｍになるように塗布した。常温２５℃、６０分の環境で表面保護シートに接着させ、その後ウエハを研削した。熱水浸漬（約９０℃）し、表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表１に示す。

[実施例３]
飽和ポリエステル樹脂（ユニチカ社製エリーテルＵＥ−３４００）１００部を、酢酸エチル１００部中に溶解して樹脂溶液を得た。この樹脂溶液１００部に、微細シリカ粉末（日本アエロジール（株）製ＲＹ２００Ｓ）２．４部をディスパースミルで混合し、減圧脱泡して、粘度を２０Ｐａ・ｓに調整した絶縁性接着剤を製造した。ウエハ外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅１ｍｍ、高さ１００μｍになるように塗布した。１００℃、１分の環境で表面保護シートに接着させ、その後ウエハを研削し、常温で表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表１に示す。

[実施例４]
アクリル酸ブチル７５部、アクリル酸エチル２０部、アクリル酸５部、過酸化ベンゾイル０．５部を、酢酸エチル２３３部中で窒素気流下、７０℃で重合させた。この樹脂溶液に粘着付与剤（荒川化学工業（株）製テルペンフェノールタマノル８０３Ｌ）３０部と、ブロックイソシアネート（日本ポリウレタン工業（株）コロネート２５１３）１部を溶解し樹脂溶液を得た。この樹脂溶液１００部に、微細シリカ粉末（日本アエロジール（株）製ＲＹ２００Ｓ）１部をディスパースミルで混合し、減圧脱泡して、粘度を１Ｐａ・ｓに調整した絶縁性接着剤を製造した。ウエハと表面保護シートとを重ね、積層体外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅２ｍｍ、高さ１００μｍになるように塗布した。ウエハと表面保護シートとを接着させ、その後ウエハを研削し、常温で表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表１に示す。

[実施例５]
高分子量飽和ポリエステル樹脂（日本合成化学社製ポリエスターＷＲ９０１）３３部を、γ−ブチロラクトン６７部中で、８０℃、１時間溶解反応を行い樹脂を得た。この樹脂３５部に、消泡剤（ビックケミー：Ｂｙｋ−１４１）０．０３部、球状の溶融シリカ粉末（平均粒径４μｍ）３０部、微細シリカ粉末（日本アエロジール社製アエロジール＃２０）０．８部、溶剤として酢酸エチル４．２部を、ディスパー混合し、減圧脱泡して、粘度を１０Ｐａ・ｓに調整した絶縁性接着剤を製造した。表面保護シート外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅２ｍｍ、高さ１００μｍになるように塗布した。１００℃、１分の環境でウエハに接着させ、その後ウエハを研削し、６０℃の温水で表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表１に示す。

半導体ウエハに液状接着剤を塗工している状態を示す斜視図。 表面保護シートをウエハのバンプ面に貼付する状態を示す。 表面保護シートを、接着剤を介してウエハのバンプ面に貼付しウエハ裏面研削を行う状態を示す。 表面保護シートを、両面粘着テープを介してウエハのバンプ面に貼付しウエハ裏面研削を行う状態を示す。

符号の説明

１…表面保護シート
２…液状接着剤
３…ノズル
４…半導体ウエハ
５…バンプ
６…グラインダー

Claims (5)

1. バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハの回路面と、
   表面保護シートとを、
   半導体ウエハの外周端部において、液状接着剤を介して重ね、
   該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着して半導体ウエハのバンプ形成部を保護しつつ、
   表面保護シート側を固定台に載置し、半導体ウエハの裏面側を研削する半導体ウエハの研削方法。
2. バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハのバンプが形成されていない外周端部に液状接着剤を塗布し、
   該半導体ウエハの外周端部の液状接着剤を介して半導体ウエハに表面保護シートを積層し、
   該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する請求項１に記載の半導体ウエハの研削方法。
3. 表面保護シートの片面に、
   バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハのバンプが形成されていない外周端部に対応する形状に液状接着剤を塗布し、
   表面保護シートの液状接着剤塗布部が、半導体ウエハの外周端部に対応するように位置合わせをし、表面保護シートに半導体ウエハを積層し、
   該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する請求項１に記載の半導体ウエハの研削方法。
4. バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハと表面保護シートとを重ね、積層体とし、
   積層体の外周端部隙間に液状接着剤を注入し、硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する請求項１に記載の半導体ウエハの研削方法。
5. 回路面上に形成されたバンプの高さが５０μｍ以上であり、ウエハの回路面外周端部に塗布される液状接着剤の幅は０．１〜５ｍｍである請求項１〜４のいずれかに記載の半導体ウエハの研削方法。
   

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