TW201909333A - 處理晶圓的方法 - Google Patents

處理晶圓的方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201909333A
TW201909333A TW107116827A TW107116827A TW201909333A TW 201909333 A TW201909333 A TW 201909333A TW 107116827 A TW107116827 A TW 107116827A TW 107116827 A TW107116827 A TW 107116827A TW 201909333 A TW201909333 A TW 201909333A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
protective film
sheet
buffer layer
attached
Prior art date
Application number
TW107116827A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI683392B (zh
Inventor
凱爾Ｈ 普瑞渥瑟
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW201909333A publication Critical patent/TW201909333A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI683392B publication Critical patent/TWI683392B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

處理晶圓的方法。本發明涉及一種處理晶圓的方法，該晶圓在一側具有器件區域，該器件區域具有多個器件。該方法包括提供保護膜並且將用於覆蓋晶圓上的器件的保護膜施加到晶圓的所述一側，使得保護膜的前表面與晶圓的所述一側直接接觸。該方法還包括在將保護膜施加到晶圓的所述一側期間和/或之後對保護膜加熱，使得保護膜附接到晶圓的所述一側，並且處理晶圓的與所述一側相反的側。此外，本發明涉及一種處理這種晶圓的方法，其中液體黏合劑僅被分配到保護膜的周邊部分上和/或僅被分配到晶圓的周邊部分上。

Description

處理晶圓的方法
本發明涉及一種處理諸如半導體晶圓的晶圓的方法，該晶圓在一側具有器件區域，該器件區域具有多個器件。
在半導體器件製造程序中，帶有具有多個器件(通常通過多條分割線劃分)的器件區域的晶圓被分割成各個晶粒。這種製造程序通常包括用於調節晶圓厚度的研磨步驟以及沿著分割線切割晶圓以獲得各個晶粒的切割步驟。從與形成有器件區域的晶圓前側相反的晶圓後側執行研磨步驟。此外，也可在晶圓後側上執行諸如拋光和/或蝕刻的其它處理步驟。
為了在晶圓的處理期間保護形成在晶圓上的器件例如免於由碎片、研磨水或切割水導致的破裂、變形和/或污染，可在處理之前向晶圓前側施加保護膜或片材。
如果器件區域具有不平整的表面結構，則器件的這種保護特別重要。例如，在諸如晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)的已知半導體器件製造程序中，晶圓的器件區域形成有從晶圓的平面表面突出的多個突起(例如，凸塊)。這些突起例如用於與各個晶粒中的器件建立電接觸(例如，在將晶粒併入諸如行動電話和個人電腦的電子設備中時)。
為了減小這種電子設備的尺寸，半導體器件必須減小尺寸。因此，在上面提到的研磨步驟中將形成有器件的晶圓研磨至µm範圍內(例如，20至100 µm的範圍內)的厚度。
在已知的半導體器件製造程序中，如果器件區域中存在突起(例如，凸塊)，則在處理期間(例如，在研磨步驟中)可能出現問題。特別是，由於這些突起的存在，在處理期間晶圓破損的風險顯著增加。此外，如果晶圓被研磨至較小的厚度(例如，µm範圍內的厚度)，則晶圓前側的器件區域的突起可能導致晶圓後側的變形，因此損害了所得晶粒的品質。
因此，當處理帶有具有這樣的不平整表面結構的器件區域的晶圓時，保護膜或片材的使用特別重要。
然而，特別是，對於諸如MEMS的敏感器件，存在這樣的問題：當膜或片材從晶圓被剝離時，晶圓上的器件結構可能由於形成在保護膜或片材上的黏合層的黏合力而損壞，或者可能被器件上殘留的黏合劑污染。
因此，仍需要一種可靠且有效的方法來處理具有器件區域的晶圓，其能夠使污染和損壞晶圓的任何風險最小化。
因此，本發明的目的在於提供一種處理具有器件區域的晶圓的可靠且有效的方法，其能夠使污染和損壞晶圓的任何風險最小化。該目標通過具有請求項1的技術特徵的晶圓處理方法以及具有請求項13的技術特徵的晶圓處理方法來實現。本發明的優選實施方式從從屬請求項得出。
本發明提供了一種處理晶圓的方法，該晶圓在一側具有器件區域，該器件區域具有多個器件。該方法包括：提供保護膜或片並且為了覆蓋晶圓上的器件將保護膜或片施加到晶圓的所述一側，使得保護膜或片的前表面與晶圓的所述一側直接接觸。此外，該方法包括：在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側期間和/或之後對保護膜或片加熱使得保護膜或片附接到晶圓的所述一側，並且處理晶圓的與所述一側相反的側。
保護膜或片被施加到晶圓的所述一側(即，晶圓前側)，使得保護膜或片的前表面與晶圓的所述一側直接接觸。因此，在保護膜或片的前表面與晶圓的所述一側之間沒有材料，特別是，沒有黏合劑。
因此，可消除例如由於黏合層的黏合力或者器件上殘留的黏合劑而導致的對形成在器件區域中的器件的任何可能的污染或損壞。
在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側期間和/或之後，保護膜或片被加熱，使得保護膜或片附接到晶圓的所述一側。因此通過加熱程序生成保護膜或片與晶圓之間的附接力，該附接力將保護膜或片保持在其在晶圓上的位置。因此，不需要附加黏合材料來將保護膜或片附接到晶圓的所述一側。
特別是，通過對保護膜或片加熱，可在保護膜或片與晶圓之間形成諸如正配合和/或材料結合(例如，黏合結合)的形式配合。術語「材料結合」和「黏合結合」限定了保護膜或片與晶圓之間由於作用在這兩個組件之間的原子和/或分子力而附接或連接。
術語「黏合結合」涉及作用以使保護膜或片附接或黏附到晶圓的這些原子和/或分子力的存在，並非暗示在保護膜或片與晶圓之間存在附加黏合劑。相反，如上面已詳述的，保護膜或片的前表面與晶圓的所述一側直接接觸。
本發明的方法因此允許具有器件區域的晶圓的可靠且有效的處理，從而使對晶圓(特別是，形成在器件區域中的器件)的任何污染和損壞的風險最小化。
該方法還可包括：在加熱程序之後允許保護膜或片冷卻。特別是，可允許保護膜或片冷卻至其初始溫度(即，其在加熱程序之前的溫度)。可在處理晶圓的與所述一側相反的側(即，晶圓後側)之前允許保護膜或片冷卻至例如其初始溫度。
如上面已詳述的，保護膜或片與晶圓之間的附接力通過加熱程序來生成。可在加熱程序本身中和/或在允許保護膜或片冷卻的後續程序中使得保護膜或片附接到晶圓。
可通過加熱程序使保護膜或片軟化，以例如適形於晶圓的所述一側的晶圓表面(例如，吸收晶圓形貌)。在冷卻至例如其初始溫度時，保護膜或片可重新硬化，以例如形成與晶圓的形式配合和/或材料結合。
保護膜或片可耐熱最高至180℃或以上的溫度，優選最高至220℃或以上的溫度，更優選最高至250℃或以上的溫度。
保護膜或片可被加熱至60℃至150℃，優選70℃至140℃，更優選80℃至130℃，甚至更優選90℃至120℃的範圍內溫度。特別優選地，保護膜或片被加熱至大約100℃的溫度。
在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側期間和/或之後，保護膜或片可在1分鐘至10分鐘，優選1分鐘至8分鐘，更優選1分鐘至6分鐘，甚至更優選1分鐘至4分鐘，還更優選1分鐘至3分鐘的範圍內的持續時間內加熱。
保護膜或片可被直接和/或間接加熱。
保護膜或片可通過例如使用熱施加裝置(例如，受熱輥、受熱印模等)或熱輻射裝置直接對其施加熱來加熱。保護膜或片和晶圓可被放置在容器或腔室(例如，真空室)中，並且容器或腔室的內部容積可被加熱，以對保護膜或片加熱。容器或腔室可設置有熱輻射裝置。
可例如通過在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側之前和/或期間和/或之後對晶圓加熱來間接對保護膜或片加熱。例如，可通過將晶圓放置在支撐件或載體(例如，卡盤台)上並加熱支撐件或載體來對晶圓加熱。
例如，支撐件或載體(例如，卡盤台)可被加熱至60℃至150℃，優選70℃至140℃，更優選80℃至130℃，甚至更優選90℃至120℃的範圍內的溫度。特別優選地，支撐件或載體可被加熱至大約100℃的溫度。
這些方法也可被組合，例如，通過使用熱施加裝置(例如，受熱輥等)或熱輻射裝置以用於直接加熱保護膜或片，並且還通過晶圓間接加熱保護膜或片。
優選的是，保護膜或片在處於其受熱狀態時為易彎的、彈性的、柔性的、可拉伸的、柔軟的和/或可壓縮的。這樣，可特別可靠地確保保護膜或片適形於晶圓的所述一側的晶圓表面(例如，吸收晶圓形貌)。如下面將進一步詳述的，如果器件區域形成有從晶圓的平面表面突出的突起，則這尤其有利。
優選地，保護膜或片在冷卻時至少在一定程度上硬化或變硬，以在冷卻狀態下變得更剛性和/或堅固。這樣，可確保在晶圓的後續處理(例如，研磨和/或拋光)期間器件的特別可靠的保護。
該方法還可包括：在處理其後側之後將保護膜或片從晶圓移除。在將保護膜或片從晶圓移除之前和/或期間，保護膜或片可被加熱。這樣，可方便移除程序。
器件區域還可具有劃分多個器件的多條分割線。
晶圓還可在其前側具有周邊邊緣區域，該周邊邊緣區域沒有器件並且圍繞器件區域形成。
晶圓可以是例如半導體晶圓、玻璃晶圓、藍寶石晶圓、陶瓷晶圓(例如，氧化鋁(Al2 O3 )陶瓷晶圓)、石英晶圓、氧化鋯晶圓、PZT(鋯鈦酸鉛)晶圓、聚碳酸酯晶圓、金屬(例如，銅、鐵、不銹鋼、鋁等)或金屬化材料晶圓、鐵氧體晶圓、光學晶體材料晶圓、樹脂(例如，環氧樹脂)、塗布或模制晶圓等。
特別是，晶圓可以是例如Si晶圓、GaAs晶圓、GaN晶圓、GaP晶圓、InAs晶圓、InP晶圓、SiC晶圓、SiN晶圓、LT(鉭酸鋰)晶圓、LN(鈮酸鋰)晶圓等。
晶圓可由單一材料或者不同材料(例如，上述材料中的兩種或更多種)的組合製成。例如，晶圓可以是Si和玻璃結合晶圓，其中由Si製成的晶圓元件結合到由玻璃製成的晶圓元件。
晶圓可具有任何類型的形狀。在其俯視圖中，晶圓可具有例如圓形形狀、卵形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀(例如，矩形形狀或正方形形狀)。
保護膜或片可具有任何類型的形狀。在其俯視圖中，保護膜或片可具有例如圓形形狀、卵形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀(例如，矩形形狀或正方形形狀)。
保護膜或片可具有與晶圓基本上相同的形狀或相同的形狀。
保護膜或片可具有與晶圓的器件區域基本上相同的形狀或相同的形狀。例如，保護膜或片可具有與器件區域的外徑基本上相同的外徑，並且保護膜或片可具有與晶圓的器件區域基本上相同的形狀或相同的形狀。
器件區域可形成有從晶圓的平面表面突出的多個突起或凸起。從晶圓的平面表面突出的突起或凸起可被埋入保護膜或片中。
突起或凸起(例如，凸塊)可從晶圓的平面表面(基本上平坦表面)突出、延伸或凸出。突起或凸起可限定晶圓的所述一側(即，其前側)的表面結構或形貌，從而使得這一側不平整。
這些突起或凸起可用於例如在晶圓已被分割之後(例如，在將晶片或晶粒併入電子設備(例如，行動電話和個人電腦)中時)與各個晶片或晶粒中的器件建立電接觸。
突起可不規則地佈置或者按照規則圖案佈置。僅一些突起可按照規則圖案佈置。
突起可具有任何類型的形狀。例如，一些或全部突起可為球形、半球形、柱形或圓柱形(例如，具有圓形、橢圓形或多邊形(例如，三角形、正方形等)橫截面或底面的柱形或圓柱形)、錐形、截錐形或臺階的形狀。
至少一些突起可由形成在晶圓的平面表面上的元件引起。至少一些突起可由在其厚度方向上部分地或完全地穿透晶圓的元件(例如，對於矽通孔(TSV)的情況)引起。後面這些元件可沿著晶圓厚度的部分或者沿著整個晶圓厚度延伸。
突起在晶圓的厚度方向上的高度可在20至500 µm，優選30至400 µm，更優選40至250 µm，甚至更優選50至200 µm，還甚至更優選70至150 µm的範圍內。
所有突起可具有基本上相同的形狀和/或尺寸。另選地，至少一些突起的形狀和/或尺寸可彼此不同。
在本發明的晶圓處理方法中，從晶圓的平面表面突出的突起或凸起可被埋入保護膜或片中。因此，可減小或者甚至消除由器件區域中的突起的存在引起的表面不平整對後續晶圓處理步驟的任何負面影響。
特別是，通過將突起埋入保護膜或片中，可在晶圓處理期間(例如，在後續研磨和/或切割步驟中)保護突起免受任何損壞。
此外，如果晶圓被研磨至較小厚度(例如，µm範圍內的厚度)，則由於晶圓的厚度減小以及在研磨程序期間對其施加的壓力，晶圓前側的器件區域的突起可導致晶圓後側的變形。這後一種效應被稱為「圖案轉印」，因為晶圓前側的突起的圖案被轉印到晶圓後側，並且導致晶圓的後側表面的不期望的不平整，因此有損所得晶片或晶粒的品質。
保護膜或片在處理(例如，研磨和/或拋光)晶圓後側期間充當晶圓前側與例如晶圓前側所擱在的支撐件或載體之間的墊層或緩衝物，因此有助於在處理期間實現壓力的一致且均勻的分佈。因此，可防止在處理其後側期間晶圓的圖案轉印或破裂。
該方法還可包括在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側期間和/或之後，對保護膜或片的與其前表面相反的後表面施加壓力。這樣，保護膜或片的前表面被施壓抵靠晶圓的所述一側。因此，可特別有效地確保保護膜或片可靠地附接到晶圓。
可在對保護膜或片加熱之前和/或期間和/或之後對保護膜或片的後表面施加壓力。可在處理晶圓後側之前對保護膜或片的後表面施加壓力。
可通過壓力施加裝置(例如，輥、印模、膜等)對保護膜或片的後表面施加壓力。
特別優選地，可使用組合的熱和壓力施加裝置(例如，受熱輥或受熱印模)。在這種情況下，可在對保護膜或片加熱的同時對保護膜或片的後表面施加壓力。
如下面將進一步詳述的，可在真空室中對保護膜或片的後表面施加壓力。
保護膜或片可在壓力減小的氣氛中(特別是，在真空下)被施加和/或附接到晶圓前側。這樣，可可靠地確保在保護膜或片與晶圓之間不存在空隙和/或氣泡。因此，避免了在處理其後側期間晶圓上的任何應力或應變(例如，由於這些氣泡在加熱程序中膨脹)。
例如，將保護膜或片施加和/或附接到晶圓的所述一側的步驟可在真空室中進行。特別是，可使用真空層壓機將保護膜或片施加和/或附接到晶圓的所述一側。在這種真空層壓機中，在晶圓後側與卡盤台的上表面接觸並且晶圓前側向上取向的狀態下將晶圓放置在真空室中的卡盤台上。卡盤台可以是例如受熱卡盤台。
要施加到晶圓前側的保護膜或片在其周邊部分處通過環形框架保持並被放置在真空室中的晶圓前側上方。位於卡盤台和環形框架上方的真空室的上部設置有通過可膨脹橡膠膜封閉的進氣口。
在晶圓和保護膜已被裝載到真空室中之後，腔室被抽空並且通過進氣口向橡膠膜供應空氣，使得橡膠膜向抽空的腔室中膨脹。這樣，橡膠膜在真空室中向下移動以將保護膜或片推向晶圓前側，從而利用保護膜或片密封周邊晶圓部分並施壓膜或片抵靠晶圓前側的器件區域。因此，保護膜可被緊密地施加到晶圓前側，以遵循器件區域的輪廓(例如，存在於其中的突起或凸起的輪廓)。
保護膜或片可在其被施加到晶圓的所述一側期間和/或之後例如通過加熱卡盤台來被加熱。
隨後，真空室中的真空被釋放，並且保護膜或片通過經由加熱程序生成的附接力以及真空室中的正壓被保持在其在晶圓前側的位置。
另選地，橡膠膜可由軟印模或軟輥(例如，受熱軟印模或受熱軟輥)代替。
處理晶圓的與所述一側相反的側(即，晶圓後側)可包括或由研磨和/或拋光和/或蝕刻晶圓的與所述一側相反的側組成。
特別是，處理晶圓的與所述一側相反的側可包括或由研磨晶圓的與所述一側相反的側以用於調節晶圓厚度組成。在這種情況下，可按照特別有利的方式採用本發明的方法。
具體地，在研磨程序中，對晶圓後側施加可觀的壓力。該壓力可導致晶圓的損壞，例如其破裂和/或變形，特別是，如果晶圓被研磨至較小厚度(例如，µm範圍內的厚度)。例如，如上面已詳述的，形成在晶圓前側的突起或凸起的圖案可被轉印到晶圓後側。
在本發明的方法中，在研磨晶圓後側期間保護膜或片充當晶圓前側與例如晶圓前側所擱在的支撐件或載體(例如，卡盤台)之間的墊層或緩衝物。因此，可實現研磨期間更一致且均勻的壓力分佈，從而降低或甚至消除在研磨期間圖案轉印或晶圓破裂的風險。
該方法還可包括例如沿著劃分多個器件的分割線切割晶圓。
晶圓可從其前側或後側切割。晶圓的切割可形成晶圓的與所述一側相反的側的處理的一部分或構成該處理。
可通過機械切割(例如，通過刀片劃片或鋸切)和/或通過雷射切割和/或通過等離子體切割來執行切割。晶圓可在單個機械切割步驟、單個雷射切割步驟或單個等離子體切割步驟中切割。另選地，晶圓可通過一系列機械切割和/或雷射切割和/或等離子體切割步驟來切割。
可例如通過燒蝕雷射切割和/或通過隱形雷射切割(即，通過施加雷射光束以在晶圓內形成改性區域，和/或通過施加雷射光束以在晶圓中形成多個孔區域)來執行雷射切割。這些孔區域中的每一個可包括改性區域以及改性區域中向晶圓的表面敞開的空間。
晶圓的切割可在保護膜或片附接到晶圓的狀態下執行。這樣，可確保在切割步驟期間施加的壓力在切割期間貫穿晶圓更一致地和均勻地分佈，因此減小或者甚至使在切割步驟中損壞晶圓的任何風險(例如，所得晶片或晶粒的側壁開裂)最小化。在這種情況下，特別優選的是從其後側切割晶圓。
保護膜或片的外徑可大於晶圓的外徑。這樣，可方便晶圓的處理、操控和/或運輸。特別是，如下面將詳述的，保護膜或片的外周部分可附接到環形框架。
保護膜或片的外徑可小於晶圓的外徑。
保護膜或片的外徑可基本上與晶圓的外徑相同。
保護膜或片的外徑可基本上與器件區域的外徑相同。這樣，在可靠地保護形成在器件區域中的器件的同時確保了特別有效的資源使用。
該方法還可包括切割保護膜或片。保護膜或片可被切割使得其外徑大於晶圓的外徑或者小於晶圓的外徑或者基本上與晶圓的外徑相同或者基本上與器件區域的外徑相同。
切割保護膜或片的步驟可在將保護膜或片施加到晶圓之前或之後執行。
切割保護膜或片的步驟可在將保護膜或片附接到晶圓之前或之後執行。
該方法還可包括將保護膜或片的外周部分附接到環形框架。特別是，保護膜或片的外周部分可附接到環形框架使得保護膜或片封閉環形框架的中心開口(即，環形框架的內徑內的區域)。這樣，附接到保護膜或片(特別是，附接到其中心部分)的晶圓由環形框架通過保護膜或片保持。因此，形成包括晶圓、保護膜或片和環形框架的晶圓單元，從而方便晶圓的處理、操控和/或運輸。
將保護膜或片的外周部分附接到環形框架的步驟可在將保護膜或片施加到晶圓之前或之後執行。
將保護膜或片的外周部分附接到環形框架的步驟可在將保護膜或片附接到晶圓之前或之後執行。
將保護膜或片的外周部分附接到環形框架的步驟可在處理晶圓後側之前或之後執行。
環形框架可以是半導體尺寸環形框架。本文中，術語「半導體尺寸環形框架」是指具有用於保持半導體晶圓的環形框架的尺寸(標準化尺寸)(特別是，內徑(標準化內徑))的環形框架。
在SEMI標準中定義了用於保持半導體晶圓的環形框架的尺寸(特別是，內徑)。例如，在SEMI標準SEMI G74中定義了用於300 mm晶圓的帶框的尺寸，在SEMI標準SEMI G87中定義了用於300 mm晶圓的塑膠帶框的尺寸。環形框架可具有用於保持尺寸為例如3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸或18英寸的半導體尺寸晶圓的框架尺寸。
保護膜或片的外周部分可通過基本上環形或環形黏合層附接到環形框架。本文中，術語「基本上環形」限定了黏合層的形狀可能例如由於一個或更多個平坦或筆直部分、凹口和/或凹槽的存在而偏離完美環形。基本上環形或環形黏合層可被佈置在保護膜或片與環形框架之間。
基本上環形或環形黏合層可被施加到保護膜或片的前表面的外周部分。黏合層可僅設置在保護膜或片的前表面的外周部分中。
基本上環形或環形黏合層可被施加到環形框架的要附接到保護膜或片的外周部分的表面。
基本上環形或環形黏合層可以是連續的黏合層。另選地，基本上環形或環形黏合層可以是不連續的黏合層。特別是，在基本上環形或環形黏合層中，黏合劑可按照諸如點形式、條形式(例如，筆直和/或彎曲的條)等的不連續形式來設置。
基本上環形或環形黏合層可耐熱最高至180℃或以上的溫度，優選最高至220℃或以上的溫度，更優選最高至250℃或以上的溫度。
基本上環形或環形黏合層的內徑可基本上等於或大於用於保持半導體尺寸晶圓的半導體尺寸環形框架的內徑。
本文中，術語「半導體尺寸晶圓」是指具有半導體晶圓的尺寸(標準化尺寸)，特別是直徑(標準化直徑))(即，外徑)的晶圓。在SEMI標準中定義了半導體晶圓的尺寸，特別是直徑(即，外徑)。例如，半導體尺寸晶圓可以是Si晶圓。在SEMI標準M1和M76中定義了拋光單晶Si晶圓的尺寸。半導體尺寸晶圓可以是3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸或18英寸晶圓。
基本上環形或環形黏合層的內徑大於晶圓的外徑。
基本上環形或環形黏合層的外徑可大於用於保持半導體尺寸晶圓的半導體尺寸環形框架的內徑。
該方法還可包括將緩衝層附接到保護膜或片的與其前表面相反的後表面。
如上面已詳述的，器件區域可形成有從晶圓的平面表面突出的多個突起或凸起(例如，凸塊)。從晶圓的平面表面突出的突起或凸起可被埋入緩衝層中。
通過將突起或凸起埋入緩衝層中，在晶圓處理期間(例如，在後續研磨和/或切割步驟中)特別可靠地保護突起或凸起免受任何損壞。
保護膜或片覆蓋形成在晶圓的器件區域中的器件，因此保護器件免受損壞和污染。此外，保護膜或片方便在處理之後將緩衝層從晶圓移除。特別是，由於保護膜或片的前表面與晶圓前側直接接觸，即，在保護膜或片的前表面與晶圓前側之間不存在黏合劑，所以可按照特別簡單且有效的方式將保護膜或片和緩衝層從晶圓移除。
緩衝層可由允許從晶圓的平面表面突出的突起或凸起埋入的任何類型的材料形成。例如，緩衝層可由樹脂、黏合劑、凝膠等形成。
緩衝層可耐熱最高至180℃或以上的溫度，優選最高至220℃或以上的溫度，更優選最高至250℃或以上的溫度。
緩衝層可具有20至300 µm，優選50至250 µm，更優選80至200 µm的範圍內的厚度。
將緩衝層附接到保護膜或片的後表面特別有利於在其前側具有相對高的表面粗糙度或不平整程度(例如，由於諸如凸塊的突起或凸起的存在)的晶圓。在這種情況下，突起或凸起可能未完全埋入保護膜或片中，從而在保護膜或片的後表面上存在至少一定程度的表面不平整。該表面不平整可通過進一步埋置突起或凸起的緩衝層來吸收。因此，可按照特別可靠的方式保護突起或凸起。此外，如下面將詳述的，可進一步改進在其處理期間晶圓上的應力或應變的分佈。
緩衝層的前表面可與保護膜或片的後表面接觸。緩衝層的與其前表面相反的後表面可基本上平行於晶圓的與所述一側相反的側。
在這種情況下，當處理(例如，研磨、拋光和/或切割)晶圓後側時，合適的反壓力可被施加到緩衝層的後表面(例如，通過將該後表面放置在諸如卡盤台的支撐件或載體上)。
由於緩衝層的平面後表面基本上平行於晶圓後側，所以在處理(例如，例如通過研磨設備的磨輪研磨)期間施加於晶圓的壓力在晶圓上均勻地分佈，因此使圖案轉印(即，由器件區域中的突起或凸起限定的圖案轉印到處理的(例如，研磨的)晶圓後側)以及晶圓破裂的任何風險最小化。此外，緩衝層的平坦、平整的後表面與晶圓的後側的基本上平行的對準允許以高精度執行處理步驟，因此例如在研磨之後實現特別一致且均勻的晶圓厚度。
另外，保護膜或片充當晶圓前側與緩衝層之間的另外的墊層或緩衝物，因此進一步有助於諸如研磨的處理期間一致且均勻的壓力分佈。因此，可特別可靠地防止在處理期間圖案轉印或晶圓破裂。
可通過對緩衝層的後表面施加壓力來使緩衝層的後表面基本上平行於晶圓後側。可直接對緩衝層的後表面施加壓力，即，使得在用於施加壓力的壓緊裝置與緩衝層的後表面之間不存在附加元件或組件。
例如，通過例如在安裝室(例如，真空室)中對晶圓的後側和緩衝層的後表面施加平行的壓緊力，晶圓和緩衝層可在保護膜或片佈置在二者間的情況下被一起壓緊。可例如利用兩個平行的壓板來施加壓力。壓板可以是受熱壓板，從而允許保護膜或片在壓緊程序期間被加熱。
緩衝層可通過外部刺激(例如，UV輻射、熱、電場和/或化學試劑)來固化。在這種情況下，緩衝層在被施加外部刺激時至少一定程度地硬化。例如，緩衝層可由可固化樹脂、可固化黏合劑、可固化凝膠等形成。
緩衝層可被配置為在其固化之後呈現出一定程度的可壓縮性、彈性和/或柔性，即，在固化之後為可壓縮的、彈性的和/或柔性的。例如，緩衝層可使得其通過固化而進入橡膠狀態。另選地，緩衝層可被配置為在固化之後達到剛性、堅硬狀態。
在本發明的處理方法中用作緩衝層的可UV固化樹脂的優選示例是DISCO公司的ResiFlat以及DENKA的TEMPLOC。
本發明的方法還可包括在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側之後，對緩衝層施加外部刺激以使緩衝層固化。可在將保護膜或片附接到晶圓的所述一側之後對緩衝層施加外部刺激。
可在處理(例如，研磨)晶圓後側之前對緩衝層施加外部刺激。這樣，可進一步改進處理期間晶圓的保護和處理精度。
保護膜或片方便附接的可固化或固化的緩衝層從晶圓移除。特別是，由於保護膜或片的存在，可按照可靠且簡單的方式將緩衝層從晶圓移除，從而避免器件區域中的任何殘留物(例如，樹脂、黏合劑或凝膠殘留物)，因此防止器件的污染，並且使在移除程序中損壞突起或凸起的風險最小化。
如果可固化緩衝層呈現出一定程度的可壓縮性、彈性和/或柔性，即，在固化之後為可壓縮的、彈性的和/或柔性的(例如，橡膠狀)，則可在固化之後以特別可靠且有效的方式移除固化的緩衝層。
如果緩衝層被配置為在固化時達到剛性、堅硬狀態，則可通過對固化的緩衝層施加外部刺激，至少一定程度地軟化或移除緩衝層來方便將緩衝層從晶圓移除。例如，例如由DENKA的可UV固化樹脂TEMPLOC形成的一些緩衝層可通過在固化之後施加熱水來處理，以使固化的緩衝層軟化並允許特別容易地將緩衝層從晶圓移除。
緩衝層可在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側之前附接到保護膜或片的後表面。
在這種情況下，保護膜或片和緩衝層可首先被層壓，從而形成包括緩衝層以及附接到緩衝層的保護膜或片的保護片材。按照這種方式形成的保護片材可隨後被施加到晶圓的所述一側，例如使得從晶圓的平面表面突出的突起或凸起被保護膜或片覆蓋並被埋入保護膜或片和緩衝層中，並且緩衝層的後表面基本上平行於晶圓的與所述一側相反的側(即，晶圓後側)。當保護片材被施加到晶圓的所述一側時，保護膜或片的前表面被施加到晶圓的所述一側時。
這樣，可按照特別簡單且有效的方式來執行晶圓處理方法。例如，保護片材可被預先準備，儲存以便於稍後使用，並且在需要時用於晶圓處理。保護片材因此可被大量製造，從而使得其生產在時間和成本上均特別高效。
緩衝層可在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側之後附接到保護膜或片的後表面。
在這種情況下，保護膜或片首先被施加到晶圓的所述一側，施加了保護膜的晶圓的所述一側隨後附接到緩衝層的前表面，例如使得從晶圓的平面表面突出的突起或凸起被埋入保護膜或片和緩衝層中，並且緩衝層的後表面基本上平行於晶圓的與所述一側相反的側。該方法允許保護膜或片以特別高的精度(特別是，相對於從晶圓的平面表面突出的突起或凸起)附接到晶圓的所述一側。
緩衝層可在將保護膜或片附接到晶圓的所述一側之前和/或期間和/或之後附接到保護膜或片的後表面。
本發明的方法還可包括將保護膜或片和緩衝層從晶圓移除。可在諸如研磨的處理之後將保護膜或片和緩衝層從晶圓移除。例如，可在研磨之後但是在切割之前，或者在研磨和切割之後，將保護膜或片和緩衝層從晶圓移除。這樣，在切割程序中獲得的各個晶片或晶粒可按照簡單且可靠的方式分離和拾取。例如，如果保護膜和緩衝層按照上面詳述的保護片材的形式來提供，則可在研磨之後或者在研磨和切割之後將保護片材從晶圓移除。
緩衝層和保護膜或片可被分別(即，一個接一個)移除。例如，緩衝層可被首先移除，然後移除保護膜或片。
可在將保護膜或片和緩衝層從晶圓移除之前執行晶圓的切割。在這種情況下，在切割程序中通過保護膜和緩衝層來安全地保護晶圓。因此，可特別可靠地避免在切割期間對晶圓的任何損壞。
另選地，可在將保護膜或片和緩衝層從晶圓移除之後執行晶圓的切割。此方法允許各個晶片或晶粒在切割步驟之後立即被分離和拾取。在這種情況下，特別優選從晶圓的前側執行切割步驟。
該方法還可包括將基片附接到緩衝層的後表面，使得基片的前表面與緩衝層的後表面直接接觸。
基片的材料不受特別限制。
基片可由諸如例如聚合物材料的柔軟或易彎的材料製成，例如聚氯乙烯(PVC)或乙烯乙酸乙烯酯(EVA)。
另選地，基片可由剛性或堅硬的材料製成，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)和/或矽和/或玻璃和/或不銹鋼(SUS)。
例如，如果基片由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃製成並且緩衝層可通過外部刺激固化，則可利用可透射穿過聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃的輻射(例如，UV輻射)來使緩衝層固化。如果基片由矽或不銹鋼(SUS)製成，則提供具有成本效益的基片。
另外，基片可由上面所列的材料的組合形成。
基片可耐熱最高至180℃或以上的溫度，優選最高至220℃或以上的溫度，更優選最高至250℃或以上的溫度。
基片可具有30至1500 µm，優選40至1200 µm，更優選50至1000 µm的範圍內的厚度。特別優選地，基片具有30至250 µm的範圍內的厚度。基片的50 µm的厚度特別優選。例如，基片可以是厚度為50 µm的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。
緩衝層和基片可在將保護膜或片施加到晶圓前側之前或之後附接到保護膜或片的後表面。特別是，保護膜或片、緩衝層和基片可首先被層壓，從而形成包括基片、緩衝層以及附接到緩衝層的保護膜或片的保護片材。按照這種方式形成的保護片材可隨後被施加到晶圓前側，使得保護膜或片的前表面與晶圓前側直接接觸。
保護膜或片可由諸如聚合物的塑膠製成。特別優選地，保護膜或片由聚烯烴製成。例如，保護膜或片可由聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP)製成。
聚烯烴膜具有特別有利於用在本發明的晶圓處理方法中的材料性質。特別是，這些膜在受熱狀態下(例如，當被加熱到60℃至150℃範圍內的溫度時)易彎、可拉伸並且柔軟。因此，可特別可靠地確保保護膜或片適形於晶圓的所述一側的晶圓表面(例如，吸收晶圓形貌)。如果器件區域形成有從晶圓的平面表面突出的突起或凸起，則這特別有益。
此外，聚烯烴膜在冷卻時硬化變硬，以在冷卻狀態下變得更剛性和堅固。因此，可確保在晶圓的後續處理(例如，研磨和/或拋光)期間器件的特別可靠的保護。
保護膜或片可具有5至200 µm，優選8至100 µm，更優選10至80 µm，甚至更優選12至50 µm的範圍內的厚度。特別優選地，保護膜或片具有80至150 µm範圍內的厚度。這樣，可確保保護膜或片足夠柔性和易彎以充分地適形於器件區域的輪廓，並且同時，表現出足夠的厚度以便可靠地且有效地保護形成在器件區域中的器件。
本發明還提供一種處理晶圓的方法，該晶圓在一側具有器件區域，該器件區域具有多個器件，其中，該方法包括提供保護膜或片，提供液體黏合劑，並且將液體黏合劑分配到保護膜或片上和/或晶圓上。此外，該方法包括將用於覆蓋晶圓上的器件的保護膜或片施加到晶圓的所述一側(即，晶圓前側)，並且處理晶圓的與所述一側相反的側(即，晶圓後側)。液體黏合劑僅被分配到保護膜或片的周邊部分上和/或僅被分配到晶圓的周邊部分上。
晶圓可具有上面詳細描述的性質、特性和特徵。
保護膜或片可具有上面詳細描述的性質、特性和特徵。特別是，如上面詳細描述的，保護膜或片可與緩衝層或緩衝層和基片組合使用。
緩衝層可基本上按照如上面詳述的相同方式附接到保護膜的後表面。
基片可基本上按照如上面詳述的相同方式附接到緩衝層的後表面。
處理晶圓的與所述一側相反的側的步驟可按照上面詳細描述的方式來執行。
根據該方法，液體黏合劑僅被分配到保護膜或片的周邊部分上和/或僅被分配到晶圓的周邊部分上。
因此，例如與黏合劑被施加到晶圓的整個前側的情況相比，通過黏合劑產生的保護膜或片與晶圓之間的黏合力大幅減小。因此，可顯著減少或者甚至完全防止例如由於黏合劑的黏合力而引起的對形成在器件區域中的器件的任何損壞。
此外，這樣，可大幅減少或者甚至完全避免了例如由於器件上的黏合劑殘留物而引起的器件區域中的器件的可能污染。
將液體形式的黏合劑分配到保護膜或片的周邊部分上和/或晶圓的周邊部分上允許以精確且有效的方式施加黏合劑。特別是，黏合劑可被精確地定量，以可靠地避免形成在器件區域中的器件的污染。
該方法因此允許具有器件區域的晶圓的可靠且有效的處理，從而使晶圓(特別是，形成在器件區域中的器件)的污染和損壞的任何風險最小化。
晶圓可具有任何類型的形狀。在其俯視圖中，晶圓可具有例如圓形形狀、卵形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀(例如，矩形形狀或正方形形狀)。
保護膜或片可具有任何類型的形狀。在其俯視圖中，保護膜或片可具有例如圓形形狀、卵形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀(例如，矩形形狀或正方形形狀)。
保護膜或片可具有與晶圓基本上相同的形狀或相同的形狀。保護膜或片可具有與晶圓的器件區域基本上相同的形狀或相同的形狀。
液體黏合劑可僅被分配到保護膜或片的周邊部分上和/或僅被分配到晶圓的周邊部分上，以形成具有基本上環形或環形形狀的黏合層。
液體黏合劑可被分配以形成連續的黏合層。另選地，液體黏合劑可被分配以形成不連續的黏合層。特別是，在通過液體黏合劑形成的黏合層中，黏合劑可按照諸如點形式、條形式(例如，筆直和/或彎曲的條)等的不連續形式設置。
黏合劑可耐熱最高至180℃或以上的溫度，優選最高至220℃或以上的溫度，更優選最高至250℃或以上的溫度。
液體黏合劑可以是例如由Brewer Science生產的液體黏合劑，例如BrewerBOND® 220材料(見http://www.brewerscience.com/product-categories/wafer-level-packaging/)。
液體黏合劑可利用分配器來分配。分配器可以是例如機械分配器或空氣脈衝分配器。
分配器可以是例如由Musashi Engineering生產的分配器，例如分配器ML-5000XII(見http://www.musashi-engineering.co.jp.e.cn.hp.transer.com/products/)。
保護膜或片可通過分配到保護膜或片的周邊部分上和/或晶圓的周邊部分上的黏合劑附接到晶圓的所述一側。
特別是，液體黏合劑可被分配到保護膜或片的周邊部分上和/或晶圓的周邊部分上，並且保護膜或片可被施加到晶圓的所述一側，使得保護膜或片的周邊部分通過黏合劑附接到晶圓的周邊部分。
在一些實施方式中，液體黏合劑僅被分配到保護膜或片的周邊部分上，而未分配到晶圓上。在其它實施方式中，液體黏合劑僅被分配到晶圓的周邊部分上，而未分配到保護膜或片上。此外，液體黏合劑可被分配到保護膜或片的周邊部分上和晶圓的周邊部分上。
保護膜或片可在分配液體黏合劑之前附接到晶圓的所述一側。
特別是，可按照上面詳述的方式通過在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側期間和/或之後對保護膜或片加熱來將保護膜或片附接到晶圓的所述一側。保護膜或片可使用上面詳細說明的方法附接到晶圓的所述一側。
隨後，在保護膜或片已附接到晶圓的所述一側之後，可分配液體黏合劑。液體黏合劑可被分配以密封或覆蓋保護膜或片與晶圓之間在其周邊部分處可能存在的任何間隙。通過分配液體形式的黏合劑，可特別可靠地確保這些間隙被有效地密封或覆蓋。
可在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側之前和/或在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側之後將液體黏合劑分配到保護膜或片上和/或晶圓上。可在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側之後，但是在將保護膜或片附接到晶圓的所述一側之前將液體黏合劑分配到保護膜或片上和/或晶圓上。
可在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側之後將液體黏合劑分配到保護膜或片上和/或晶圓上，並且保護膜或片可通過如此分配的黏合劑附接到晶圓的所述一側。另外在這種情況下，分配液體形式的黏合劑允許黏合劑的特別精確且有效的施加。
液體黏合劑可被分配到保護膜或片上和/或晶圓上，使得在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側之後，在晶圓的器件區域中不存在黏合劑。特別是，可僅在晶圓前側的周邊邊緣區域中存在黏合劑，該周邊邊緣區域沒有器件並且圍繞器件區域形成。在將保護膜或片施加到晶圓的所述一側之後，保護膜或片的不存在黏合劑的區域可具有與晶圓的器件區域基本上相同的形狀和/或尺寸。
液體黏合劑可被分配到保護膜或片的前表面(即，保護膜或片的要施加到晶圓的表面)的周邊部分上和/或保護膜或片的周邊側邊緣上。
液體黏合劑可被分配到晶圓前側的周邊部分上和/或晶圓的周邊側邊緣上。
保護膜或片的外徑可大於晶圓的外徑。
保護膜或片的外徑可小於晶圓的外徑。
保護膜或片的外徑可基本上與晶圓的外徑相同。
保護膜或片的外徑可基本上與器件區域的外徑相同。
現在將參照附圖描述本發明的優選實施方式。優選實施方式涉及用於處理晶圓W的方法。
晶圓W可以是例如在其前側1的表面(參見圖1)上形成有MEMS器件的MEMS晶圓。然而，晶圓W不限於MEMS晶圓，而是也可以是在其前側1形成有CMOS器件(優選作為固態成像器件)的CMOS晶圓或者在前側1具有其它類型的器件的晶圓。
晶圓W可由半導體(例如，矽)製成。這種矽晶圓W可包括在矽基板上的諸如IC (積體電路)和LSI (大規模積體電路)的器件。另選地，晶圓可以是通過在例如陶瓷、玻璃或藍寶石的無機材料基板上形成諸如LED (發光二極體)的光學器件而配置的光學器件晶圓。晶圓W不限於此，可按照任何其它方式形成。另外，上述示例性晶圓設計的組合也是可以的。
晶圓W在研磨之前的厚度可在µm範圍內，優選在625至925 µm的範圍內。
晶圓W優選呈現出圓形形狀。然而，晶圓W的形狀不受特別限制。在其它實施方式中，晶圓W可具有例如卵形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀(例如，矩形形狀或正方形形狀)。
晶圓W設置有形成在其前側1的多條交叉分割線11 (參見圖3)(稱為街道)，從而將晶圓W劃分成其中分別形成諸如先前所述器件的器件7的多個矩形區域。這些器件7形成在晶圓W的器件區域2中。在圓形晶圓W的情況下，該器件區域2優選為圓形並且與晶圓W的外圓周同心地佈置。
如圖1至圖3中示意性地示出的，器件區域2被環形周邊邊緣區域3圍繞。在該周邊邊緣區域3中，沒有形成器件。周邊邊緣區域3優選與器件區域2和/或晶圓W的外圓周同心地佈置。周邊邊緣區域3的徑向延伸可在mm範圍內，優選在1至3 mm的範圍內。
如例如圖1和圖2中示意性地示出的，器件區域2形成有從晶圓W的平面表面突出的多個突起14。突起14可以是例如用於與分離的晶片或晶粒中的器件區域2的器件7建立電接觸的凸塊。突起14在晶圓W的厚度方向上的高度可在20至500 µm的範圍內。
在下文中，將參照圖1至圖5描述根據本發明的第一實施方式的處理晶圓W的方法。
圖1示出要通過根據本發明的第一實施方式的方法處理的晶圓W的橫截面圖。圖2和圖3示出根據此第一實施方式的將保護膜4施加到晶圓W的步驟。在此步驟中，用於覆蓋晶圓W上的器件7的保護膜4被施加到晶圓W的前側1，如圖2中的箭頭所指示的。
保護膜4優選具有與晶圓W相同的形狀(即，在本實施方式中，圓形形狀)，並且與其同心地附接。保護膜4的直徑與晶圓W近似相同，如圖2至圖4中示意性地示出的。
保護膜4覆蓋形成在器件區域2中的器件7 (包括突起14)，因此保護器件7免受損壞或污染。此外，如下面將詳述的，保護膜4在晶圓W的後續處理中(例如，在後續研磨步驟中)充當墊層。
如圖2所示，保護膜4具有前表面4a和後表面4b。保護膜4被施加到晶圓W的前側1使得保護膜4的前表面4a與晶圓前側1直接接觸。因此，在保護膜4的前表面4a與晶圓W的前側1(參見圖2至圖4)之間不存在材料(特別是，黏合劑)。
保護膜4由聚烯烴製成。例如，保護膜4可由聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP)製成。
保護膜4可具有5至200 µm，優選80至150 µm的範圍內的厚度。例如，保護膜4可具有80 µm的厚度。
在將保護膜4施加到晶圓W的前側1之後，保護膜4被加熱，使得保護膜4附接到晶圓前側1。
特別是，施加有保護膜4的晶圓W可被放置在卡盤台20(參見圖4)上並且卡盤台20可被加熱至例如60℃至150℃範圍內的溫度。特別優選地，卡盤台20被加熱至大約100℃的溫度。卡盤台20可例如在1分鐘至10分鐘範圍內的持續時間內加熱。
此外，如圖4所示，利用輥30對保護膜4的後表面4b施加壓力。如圖4中的箭頭所指示的，輥30沿著保護膜4的後表面4b移動，從而施壓保護膜4抵靠晶圓W的前側1。
輥30可以是受熱輥。除了通過受熱卡盤台20對保護膜4加熱之外，或者作為其替代，可通過受熱輥30對保護膜4施加熱。
通過使用受熱卡盤台20和/或受熱輥30對保護膜4加熱，保護膜4附接到晶圓W的前側1。
具體地，通過加熱程序產生保護膜4與晶圓W之間的將保護膜4保持在其在晶圓W上的位置的附接力。特別是，通過對保護膜4加熱，在保護膜4與晶圓W之間形成形式配合和/或材料結合。
通過對保護膜4的後表面4b施加壓力，保護膜4的前表面4a被施壓抵靠晶圓W的前側1。因此，可特別有效地確保保護膜4可靠地附接到晶圓W。
在保護膜4的附接狀態下，從晶圓W的平面表面突出的突起14被完全埋入保護膜4中，如圖4中示意性地示出的。
在將保護膜4附接到晶圓W的前側1之後，處理晶圓W的與其前側1相反的後側6 (參見圖1至圖3)。可通過研磨和/或拋光和/或蝕刻和/或切割來處理晶圓W的後側6。特別優選地，通過研磨來處理晶圓W的後側6。
特別是，可將附接有保護膜4的晶圓W從卡盤台20移除並翻轉，使得晶圓後側6面向上。隨後，可執行晶圓後側6的處理(例如，通過研磨)。這種研磨步驟在下面參照圖13針對本發明的方法的第四實施方式詳述。
在處理(例如，研磨)晶圓W的後側6期間，可將晶圓W放置在諸如卡盤台的支撐件(未示出)上，使得保護膜4的後表面4b與支撐件的上表面接觸。在晶圓處理期間保護膜4可靠地保護晶圓W(特別是，器件7和突起14)免受任何損壞。
在晶圓W的後側6已被研磨之後，可沿著分割線11切割晶圓W以獲得各個晶片或晶粒(未示出)。
例如，可在研磨其後側6之後將保護膜4從晶圓W移除(例如，剝離)。可例如通過在將保護膜4從晶圓W移除之前和/或期間對保護膜4加熱來方便此移除程序。
隨後，可沿著分割線11從其前側1切割晶圓W。這樣，獲得彼此完全分離的晶片或晶粒。切割晶圓W可通過機械切割(例如，使用刀片或鋸)和/或雷射切割和/或等離子體切割來執行。
在切割步驟中將晶片或晶粒彼此完全分離之後，可例如使用拾取裝置(未示出)來拾取它們。在拾取程序之前可增加各個晶片或晶粒之間的間距，以方便拾取程序。
圖5示出根據本發明的方法的第一實施方式的改型的對保護膜4施加熱和壓力的步驟。此改型與第一實施方式的不同之處僅在於保護膜4的直徑小於晶圓W的外徑。特別是，保護膜4的直徑可與器件區域2的外徑基本上相同。
在下文中，將參照圖6至圖8描述根據本發明的第二實施方式的處理晶圓W的方法。
根據第二實施方式的方法與根據第一實施方式的方法的不同之處在於，保護膜4的直徑大於晶圓W的外徑並且保護膜4的外周部分附接到環形框架40 (參見圖6至圖8)。在第二實施方式的描述中，與第一實施方式基本上相同的元件由相同的標號表示，並且省略其重複的詳細描述。
圖6示出在保護膜4附接到環形框架40之前的保護膜4和環形框架40。圖7和圖8示出保護膜4和環形框架40的附接狀態。
特別是，保護膜4的外周部分附接到環形框架40，使得保護膜4封閉環形框架40的中心開口。這樣，附接到保護膜4(特別是，附接到其中心部分)的晶圓W由環形框架40通過保護膜4保持。因此，形成包括晶圓W、保護膜4和環形框架40的晶圓單元，從而方便晶圓W的處理、操控和/或運輸(參見圖7和圖8)。
在本實施方式中，將保護膜4的外周部分附接到環形框架40的步驟優選在將保護膜4施加到晶圓W之前執行。這樣，可例如使用用於操控和運輸晶圓W的環形框架40來進一步方便將保護膜4施加到晶圓W的步驟。
如圖6至圖8所示，保護膜4的外周部分通過環形黏合層42附接到環形框架40。黏合層42佈置在保護膜4與環形框架40之間。
在將保護膜4施加到晶圓W之後，按照上面參照圖4針對第一實施方式詳述的相同方式對保護膜4施加熱和壓力，從而將保護膜4附接到晶圓W(參見圖7)。
圖8示出圖7所示的對保護膜4施加熱和壓力的步驟的結果。如圖8中所指示的，源自突起14的晶圓形貌未被保護膜4完全吸收。因此，在保護膜4的後表面4b上產生表面不平整。對於具有相對大的高度的突起14的情況可能出現這種表面不平整。在這種情況下，如果期望完全吸收晶圓形貌，則可在保護膜4的後表面4b上設置緩衝層，如下面將針對根據本發明的方法的第四至第八實施方式詳述的。
在將保護膜4附接到晶圓W之後，可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式處理晶圓W。
在下文中，將參照圖9描述根據本發明的第三實施方式的處理晶圓W的方法。
根據第三實施方式的方法與根據第一實施方式的方法的不同之處在於將保護膜4施加到晶圓W的程序以及對保護膜4的後表面4b施加壓力的程序。在第三實施方式的描述中，與先前實施方式基本上相同的元件由相同的標號表示，並且省略其重複的詳細描述。
特別是，如圖9所示，使用真空層壓機將保護膜4施加到晶圓W的前側1。在該真空層壓機中，在晶圓後側6與卡盤台20的上表面接觸並且晶圓前側1向上取向的狀態下將晶圓W放置在真空室(未示出)中的卡盤台20上。卡盤台20是受熱卡盤台。
保護膜4在其周邊部分處通過佈置在晶圓前側1與保護膜4之間的環形間隔物60保持。這樣，保護膜4在真空室中被放置晶圓前側1上方(參見圖9)。位於卡盤台20和保護膜4上方的真空室的上部設置有通過可膨脹橡膠膜52封閉的進氣口50。
在晶圓W和保護膜4已被裝載到真空室中之後，腔室被抽空並且通過進氣口50向橡膠膜52供應空氣，使得橡膠膜52向抽空的腔室中膨脹。這樣，橡膠膜52在真空室中向下移動(如圖9中的箭頭所指示)，以將推保護膜4抵靠晶圓前側1，從而施壓保護膜4抵靠晶圓前側1的器件區域2。因此，保護膜4可被緊密地施加到晶圓前側1，以遵循器件區域2的輪廓(特別是，存在於其中的突起14的輪廓)。
保護膜4在其施加到晶圓前側1期間和/或之後通過對卡盤台20加熱而被加熱。
橡膠膜52進一步用於在保護膜4施加到晶圓W之後對保護膜4的後表面4b施加壓力。這樣，可特別有效地確保保護膜4可靠地附接到晶圓W。
隨後，釋放真空室中的真空並且保護膜4通過經由加熱程序產生的附接力以及真空室中的正壓被保持在其在晶圓前側1上的位置。
另選地，橡膠膜52可由軟印模或軟輥(例如，受熱軟印模或受熱軟輥)代替。
在將保護膜4附接到晶圓W之後，可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式來處理晶圓W。
在下文中，將參照圖10至圖13描述根據本發明的第四實施方式的處理晶圓W的方法。
根據第四實施方式的方法與根據第二實施方式的方法的不同之處在於緩衝層8和基片9被設置在保護膜4的後表面4b上(參見例如圖10)。在第四實施方式的描述中，與先前實施方式基本上相同的元件由相同的標號表示，並且省略其重複的詳細描述。
特別是，緩衝層8附接到保護膜4的後表面4b，使得緩衝層8的前表面與保護膜4的後表面4b直接接觸。
如圖10所示，突起14被埋入保護膜4和緩衝層8中。因此，晶圓形貌被完全吸收。
緩衝層8可由樹脂、黏合劑、凝膠等形成。緩衝層8可具有20至300 µm範圍內的厚度。
基片9附接到緩衝層8的後表面，使得基片9的前表面與緩衝層8的後表面直接接觸。
基片9的材料不受特別限制。
基片9可由諸如例如聚合物材料的柔軟或易彎的材料製成，例如聚氯乙烯(PVC)或乙烯乙酸乙烯酯(EVA)。
另選地，基片9可由剛性或堅硬的材料製成，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)和/或矽和/或玻璃和/或不銹鋼(SUS)。
例如，如果基片9由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃製成並且緩衝層8可通過外部刺激固化，則可利用可透射穿過聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃的輻射(例如，UV輻射)來使緩衝層8固化。如果基片9由矽或不銹鋼(SUS)製成，則提供具有成本效益的基片9。
另外，基片9可由上面所列的材料的組合形成。
基片9可具有30至1500 µm，優選40至1200 µm，更優選50至1000 µm範圍內的厚度。特別優選地，基片9具有30至250 µm範圍內的厚度。基片9的50 µm的厚度特別優選。例如，基片9可以是厚度為50 µm的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。
基片9和緩衝層8各自具有基本上圓形形狀。基片9和緩衝層8的直徑基本上彼此相同並且大於晶圓W的直徑。基片9和緩衝層8的直徑小於保護膜4的直徑。
緩衝層8和基片9可在將保護膜4施加到晶圓W的前側1之前或之後附接到保護膜4的後表面4b。特別是，保護膜4、緩衝層8和基片9可首先被層壓，從而形成包括基片9、緩衝層8以及附接到緩衝層8的保護膜4的保護片材。按照這種方式形成的保護片材可隨後被施加到晶圓W的前側1，使得保護膜4的前表面4a與晶圓前側1直接接觸。
隨後，保護膜4被加熱以將保護片材附接到晶圓W的前側1。保護膜4可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式(即，利用受熱卡盤台20)加熱(參見圖10)。
此外，使用兩個平行的壓板對基片9的後表面9b施加壓力。在壓力施加程序中，一個板施壓抵靠基片9的後表面9b，另一個板施壓抵靠晶圓W的後側6。這樣，可確保基片9的後表面9b基本上平行於晶圓後側6，如圖10中的虛線箭頭所指示的。
壓板可以是受熱壓板，從而允許保護膜4在壓緊程序期間通過晶圓W和/或通過基片9和緩衝層8被加熱。該加熱程序可除了利用受熱卡盤台20對保護膜4加熱之外或者作為其替代執行。
緩衝層8可通過外部刺激(例如，UV輻射、熱、電場和/或化學試劑)來固化。在這種情況下，緩衝層8在被施加外部刺激時至少在一定程度上硬化。例如，緩衝層8可由可固化樹脂、可固化黏合劑、可固化凝膠等形成。
在本實施方式中用作緩衝層8的可UV固化樹脂的優選示例是DISCO公司的ResiFlat以及DENKA的TEMPLOC。
本實施方式的方法還可包括在將保護膜4施加到晶圓W的前側1之後，對緩衝層8施加外部刺激以使緩衝層8固化。可在將保護膜4附接到晶圓前側1之後對緩衝層8施加外部刺激。
可在處理(例如，研磨)晶圓後側6之前對緩衝層8施加外部刺激。這樣，可進一步改進處理期間晶圓W的保護和處理精度。
圖11示出切去保護膜4、緩衝層8和基片9的橫向延伸超出晶圓W的圓周的部分的後續步驟，如圖11中的虛線和箭頭所指示的。可例如通過機械切割(例如，使用刀片或鋸)、雷射切割或等離子體切割來切去這些部分。切去這些部分方便了在後續處理步驟中晶圓單元的操控。
圖12示出圖11所示的切割步驟的結果。
在此切割步驟之後，晶圓W的後側6被處理(即，經受研磨程序)，如將在下文中詳述的。
作為平面、平坦表面的基片9的後表面9b被放置在可與圖10中的卡盤台20相同的卡盤台(未示出)的頂表面上。隨後，對晶圓W的後側6進行研磨以用於將晶圓厚度調節至例如大約20至100 µm範圍內的值。該厚度可以是晶片或晶粒的最終厚度。圖13示出此研磨步驟的結果。
晶圓W的後側6的研磨可使用研磨設備(未示出)來執行。研磨設備可包括主軸殼體、可旋轉地容納在主軸殼體中的主軸以及安裝到主軸的下端的磨輪。多個磨料構件可被固定到磨輪的下表面，其中，各個磨料構件可由金剛石磨料構件形成，該金剛石磨料構件通過利用諸如金屬結合劑或樹脂結合劑的結合劑固定金剛石磨粒來配置。通過例如使用電機驅動主軸來使具有磨料構件的磨輪高速旋轉。
在研磨步驟中，保持晶圓單元的卡盤台和研磨設備的磨輪旋轉，並且磨輪下降以使磨輪的磨料構件與晶圓W的後側6接觸，從而研磨後側6。
由於放置在研磨設備的卡盤台的頂表面上的基片9的平面後表面9b基本上平行於晶圓W的後側6 (參見圖10)，所以在研磨程序期間通過磨輪施加於晶圓W的壓力在晶圓W上均勻地並且一致地分佈。因此，可使圖案轉印或晶圓W破裂的任何風險最小化。此外，基片9的平坦、平整後表面9b與晶圓W的後側6的基本上平行的對準允許以高精度執行研磨步驟，因此在研磨之後實現特別一致且均勻的晶圓厚度。
晶圓W的進一步處理(即，其切割以及分離的晶片或晶粒的拾取)可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式執行。
在下文中，將參照圖14至圖16描述根據本發明的第五實施方式的處理晶圓W的方法。
根據第五實施方式的方法與根據第四實施方式的方法的不同之處在於切割保護膜4和研磨晶圓後側6的步驟的順序。在第五實施方式的描述中，與先前實施方式基本上相同的元件由相同的標號表示，並且省略其重複的詳細描述。
特別是，在第五實施方式的方法中，晶圓W的後側6首先被研磨，而保護膜4仍附接到環形框架40。圖14中示出此研磨步驟的結果。晶圓後側6基本上按照上面參照圖13針對第四實施方式詳述的相同方式研磨。
隨後，保護膜4、緩衝層8和基片9的橫向延伸超出晶圓W的圓周的部分被切去，如圖15中的虛線和箭頭所指示的。此切割步驟基本上按照上面參照圖11針對第四實施方式詳述的相同方式執行。圖16示出圖15所示的切割步驟的結果。
晶圓W的進一步處理(即，其切割以及分離的晶片或晶粒的拾取)可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式執行。
在下文中，將參照圖17和圖18描述根據本發明的第六實施方式的處理晶圓W的方法。
根據第六實施方式的方法與根據第一實施方式的方法的不同之處在於，緩衝層8被設置在保護膜4的後表面4b上(參見圖17和圖18)。此外，根據第六實施方式的方法與根據第四和第五實施方式的方法的不同之處尤其在於，在緩衝層8的後表面8b上沒有設置基片。在第六實施方式的描述中，與先前實施方式基本上相同的元件由相同的標號表示，並且省略其重複的詳細描述。
在第六實施方式的方法中，如圖17所示，通過將緩衝層8附接到保護膜4的後表面4b來形成保護片材10。保護片材10因此包括保護膜4以及附接到保護膜4的緩衝層8。緩衝層8可具有如上面針對第四實施方式詳述的相同性質和特性。
保護膜4和緩衝層8的直徑基本上彼此相同並且與晶圓W的直徑相同(參見圖18)。
保護片材10被施加到晶圓W的前側1使得保護膜4的前表面4a與晶圓前側1直接接觸。隨後，保護膜4被加熱以將保護片材10附接到晶圓W的前側1。保護膜4可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式(即，利用受熱卡盤台20)來加熱(參見圖18)。
此外，使用兩個平行的壓板對緩衝層8的後表面8b施加壓力。在壓力施加程序中，一個板施壓抵靠緩衝層8的後表面8b，另一個板施壓抵靠晶圓W的後側6。這樣，可確保緩衝層8的後表面8b基本上平行於晶圓後側6。
壓板可以是受熱壓板，從而允許保護膜4在壓緊程序期間通過晶圓W和/或通過緩衝層8而被加熱。此加熱程序可除了利用受熱卡盤台20對保護膜4加熱之外或作為其替代執行。
圖18中示出對保護膜4施加熱和壓力的步驟的結果。如該圖中所指示的，源自突起14的晶圓形貌被保護膜4和緩衝層8完全吸收。
緩衝層8可由可固化材料製成，並且可基本上按照上面針對第四實施方式詳述的相同方式固化。
隨後，晶圓W的後側6基本上按照上面針對第四實施方式詳述的相同方式研磨。
晶圓W的進一步處理(即，其切割以及分離的晶片或晶粒的拾取)可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式執行。
在下文中，將參照圖19至圖21描述根據本發明的第七實施方式的處理晶圓W的方法。
根據第七實施方式的方法與根據第六實施方式的方法的不同之處在於基片9附接到緩衝層8的後表面8b。在第七實施方式的描述中，與先前實施方式基本上相同的元件由相同的標號表示，並且省略其重複的詳細描述。
基片9附接到緩衝層8的後表面8b使得基片9的前表面與緩衝層8的後表面8b直接接觸(參見圖19)。基片9可具有如上面針對第四實施方式詳述的相同性質和特性。
保護膜4、緩衝層8和基片9的直徑基本上彼此相同並且與晶圓W的直徑相同(參見圖19)。
保護膜4、緩衝層8和基片9可基本上按照上面針對第四實施方式詳述的相同方式附接到晶圓前側1。
圖19中示出此附接程序的結果。基片9的後表面9b基本上平行於晶圓W的後側6，如圖19中的虛線箭頭所指示的。
隨後，晶圓W的後側6基本上按照上面針對第四實施方式詳述的相同方式研磨。
晶圓W的進一步處理(即，其切割以及分離的晶片或晶粒的拾取)可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式執行。
圖20和圖21示出本發明的方法的第七實施方式的改型。該改型與第七實施方式的不同之處主要在於保護膜4的直徑小於緩衝層8並且緩衝層8超越保護膜4。
具體地，保護膜4的直徑基本上與晶圓W的器件區域2的直徑相同(參見圖20和圖21)。
保護膜4、緩衝層8和基片9可基本上按照上面針對第四實施方式詳述的相同方式附接到晶圓前側1。圖20中示出此附接程序的結果。
如此圖中所示，緩衝層8圍繞保護膜4的外圓周並且與晶圓前側1直接接觸。此佈置方式提供了保護片材(特別是，保護膜4)與晶圓前側1的特別穩定且堅固的附接。可通過使緩衝層8固化來進一步增強此附接的強度。
隨後，晶圓W的後側6基本上按照上面針對第四實施方式詳述的相同方式研磨。圖21中示出此研磨程序的結果。
晶圓W的進一步處理(即，其切割以及分離的晶片或晶粒的拾取)可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式執行。
在下文中，將參照圖22和圖23描述根據本發明的第八實施方式的處理晶圓W的方法。
根據第八實施方式的方法與根據第二實施方式的方法的不同之處在於緩衝層8被設置在保護膜4的後表面4b上(參見例如圖22)。在第八實施方式的描述中，與先前實施方式基本上相同的元件由相同的標號表示，並且省略其重複的詳細描述。
緩衝層8可基本上按照上面針對第四實施方式詳述的相同方式附接到保護膜4的後表面4b。
保護膜4和緩衝層8的直徑基本上彼此相同並且大於晶圓W的直徑(參見圖23)。
包括保護膜4和緩衝層8的保護片材基本上按照上面針對第二實施方式的保護膜4詳述的相同方式附接到晶圓前側1。特別是，在將保護片材施加到晶圓前側1之後，通過受熱卡盤台20和/或受熱輥30對保護片4加熱(參見圖23)。此外，利用輥30對緩衝層8的後表面8b施加壓力。
在將保護片材附接到晶圓W的前側1之後，晶圓W的後側6基本上按照上面針對第四實施方式詳述的相同方式研磨。
晶圓W的進一步處理(即，其切割以及分離的晶片或晶粒的拾取)可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式執行。
在下文中，將參照圖24描述根據本發明的第九實施方式的處理晶圓W的方法。
根據第九實施方式的方法與根據第一實施方式的方法的不同之處尤其在於黏合層12被設置在保護膜4和晶圓W的周邊部分處。在第九實施方式的描述中，與先前實施方式基本上相同的元件由相同的標號表示，並且省略其重複的詳細描述。
儘管圖24中省略了從晶圓W的平面表面突出的突起或凸起(例如，上面詳述的突起14)，這些突起或凸起可存在於晶圓W的器件區域2中。
在第九實施方式的方法中，在將用於覆蓋晶圓W上的器件7的保護膜4施加到晶圓W的前側1之前，例如利用分配器(未示出)將液體黏合劑分配到保護膜4上和/或晶圓W上。這樣，如圖24所示形成黏合層12。液體黏合劑僅被分配到保護膜4的周邊部分上和/或僅被分配到晶圓W的周邊部分上。黏合層12具有環形形狀。黏合層12被佈置為使得在晶圓W的器件區域2中不存在黏合劑。
液體黏合劑可以是例如由Brewer Science生產的液體黏合劑，例如BrewerBOND® 220材料。
分配器可以是例如由Musashi Engineering生產的分配器，例如分配器ML-5000XII。
黏合層12可以是連續的黏合層。另選地，黏合層12可以是不連續的黏合層。特別是，在黏合層12中，黏合劑可按照諸如點形式、條形式(例如，筆直和/或彎曲的條)等的不連續形式設置。
液體黏合劑可僅被分配到保護膜4的周邊部分上，而未被分配到晶圓W上。另選地，液體黏合劑可僅被分配到晶圓W的周邊部分上，而未被分配到保護膜4上。此外，液體黏合劑可被分配到保護膜4的周邊部分上和晶圓W的周邊部分上。
分配液體黏合劑以形成與保護膜4的前表面的周邊部分以及與晶圓W的前側1的周邊部分直接接觸的黏合層12。
保護膜4的直徑基本上與晶圓W的直徑相同(參見圖24)。
在按照上面詳述的方式分配液體黏合劑之後，保護膜4被施加到晶圓W的前側1。保護膜4通過黏合層12附接到晶圓W的前側1。
在將保護膜4附接到晶圓前側1之後，晶圓W的後側6基本上按照上面針對第四實施方式詳述的相同方式研磨。
晶圓W的進一步處理(即，其切割以及分離的晶片或晶粒的拾取)可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式執行。
在下文中，將參照圖25描述根據本發明的第十實施方式的處理晶圓W的方法。
根據第十實施方式的方法與根據第九實施方式的方法的不同之處在於保護膜4的直徑和黏合層12的佈置。在第十實施方式的描述中，與先前實施方式基本上相同的元件由相同的標號表示，並且省略其重複的詳細描述。
儘管圖25中省略了從晶圓W的平面表面突出的突起或凸起(例如，上面詳述的突起14)，這些突起或凸起可存在於晶圓W的器件區域2中。
如圖25所示，保護膜4的直徑大於晶圓W的直徑。分配液體黏合劑以形成與保護膜4的前表面的周邊部分以及與晶圓W的前側1的周邊部分和晶圓W的周邊側邊緣的一部分直接接觸的黏合層12。黏合層12具有環形形狀。黏合層12被佈置為使得在晶圓W的器件區域2中不存在黏合劑。
保護膜4通過黏合層12附接到晶圓W的前側1。
在將保護膜4附接到晶圓前側1之後，晶圓W的後側6基本上按照上面針對第四實施方式詳述的相同方式研磨。
晶圓W的進一步處理(即，其切割以及分離的晶片或晶粒的拾取)可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式執行。
在下文中，將參照圖26描述根據第本發明的十一實施方式的處理晶圓W的方法。
根據第十一實施方式的方法與根據第十實施方式的方法的不同之處在於保護膜4和黏合層12的佈置。在第十一實施方式的描述中，與先前實施方式基本上相同的元件由相同的標號表示，並且省略其重複的詳細描述。
儘管圖26中省略了從晶圓W的平面表面突出的突起或凸起(例如，上面詳述的突起14)，這些突起或凸起可存在於晶圓W的器件區域2中。
保護膜4的直徑大於晶圓W的直徑。此外，如圖26所示，保護膜4的周邊部分向下彎曲，使得保護膜4的前表面的周邊部分與晶圓W的周邊側邊緣的一部分直接接觸。
分配液體黏合劑以形成與保護膜4的周邊側邊緣以及與晶圓W的周邊側邊緣的一部分直接接觸的黏合層12。黏合層12具有環形形狀。黏合層12被佈置為使得在晶圓W的器件區域2中不存在黏合劑。
液體黏合劑可在將保護膜4施加到晶圓W之前被分配到保護膜4上和/或晶圓W上。另選地，液體黏合劑可在將保護膜4施加到晶圓W之後被分配到保護膜4上和/或晶圓W上。
保護膜4通過黏合層12附接到晶圓W的前側1。除此之外，可通過在將保護膜4施加到晶圓前側1期間和/或之後對保護膜4加熱來使保護膜4附接到晶圓前側1。特別是，保護膜4可使用上面針對第一實施方式詳述的方法附接到晶圓W。
例如，保護膜4可首先通過按照上面詳述的方式對保護膜4加熱來附接到晶圓W。隨後，在保護膜4已附接到晶圓W之後，可分配液體黏合劑。可分配液體黏合劑以密封或覆蓋保護膜4與晶圓W之間在其周邊部分處可能存在的任何間隙(參見圖26)。
在將保護膜4附接到晶圓前側1之後，晶圓W的後側6基本上按照上面針對第四實施方式詳述的相同方式研磨。
晶圓W的進一步處理(即，其切割以及分離的晶片或晶粒的拾取)可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式執行。
在下文中，將參照圖27描述根據本發明的第十二實施方式的處理晶圓W的方法。
根據第十二實施方式的方法與根據第九實施方式的方法的不同之處在於黏合層12的佈置。在第十二實施方式的描述中，與先前實施方式基本上相同的元件由相同的標號表示，並且省略其重複的詳細描述。
儘管圖27中省略了從晶圓W的平面表面突出的突起或凸起(例如，上面詳述的突起14)，這些突起或凸起可存在於晶圓W的器件區域2中。
保護膜4的直徑基本上與晶圓W相同(參見圖27)。
分配液體黏合劑以形成與保護膜4的周邊側邊緣的一部分和前表面的一部分以及與晶圓W的周邊側邊緣的一部分和前側1的一部分直接接觸的黏合層12。黏合層12具有環形形狀。黏合層12被佈置為使得在晶圓W的器件區域2中不存在黏合劑。
液體黏合劑可在將保護膜4施加到晶圓W之前被分配到保護膜4上和/或晶圓W上。另選地，液體黏合劑可在將保護膜4施加到晶圓W之後被分配到保護膜4上和晶圓W上。
保護膜4通過黏合層12附接到晶圓W的前側1。除此之外，保護膜4可通過在將保護膜4施加到晶圓前側1期間和/或之後對保護膜4加熱來附接到晶圓前側1。特別是，保護膜4可使用上面針對第一實施方式詳述的方法附接到晶圓W。
例如，可首先通過按照上面詳述的方式對保護膜4加熱來使保護膜4附接到晶圓W。隨後，在保護膜4已附接到晶圓W之後，可分配液體黏合劑。可分配液體黏合劑以密封或覆蓋保護膜4與晶圓W之間在其周邊部分處可能存在的任何間隙(參見圖27)。
在將保護膜4附接到晶圓前側1之後，晶圓W的後側6基本上按照上面針對第四實施方式詳述的相同方式研磨。
晶圓W的進一步處理(即，其切割以及分離的晶片或晶粒的拾取)可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式執行。
在下文中，將參照圖28描述根據本發明的第十三實施方式的處理晶圓W的方法。
根據第十三實施方式的方法與根據第九實施方式的方法的不同之處在於保護膜4的直徑和黏合層12的佈置。在第十三實施方式的描述中，與先前實施方式基本上相同的元件由相同的標號表示，並且省略其重複的詳細描述。
儘管圖28中省略了從晶圓W的平面表面突出的突起或凸起(例如，上面詳述的突起14)，這些突起或凸起可存在於晶圓W的器件區域2中。
保護膜4的直徑小於晶圓W的直徑。保護膜4的直徑基本上與晶圓W的器件區域2相等(參見圖28)。
分配液體黏合劑以形成與保護膜4的周邊側邊緣以及與晶圓W的前側1的一部分直接接觸的黏合層12。黏合層12具有環形形狀。黏合層12被佈置為使得在晶圓W的器件區域2中不存在黏合劑。
液體黏合劑可在將保護膜4施加到晶圓W之前被分配到保護膜4上和/或晶圓W上。另選地，液體黏合劑可在將保護膜4施加到晶圓W之後被分配到保護膜4上和晶圓W上。
保護膜4通過黏合層12附接到晶圓W的前側1。除此之外，可通過在將保護膜4施加到晶圓前側1期間和/或之後對保護膜4加熱來使保護膜4附接到晶圓前側1。特別是，保護膜4可使用上面針對第一實施方式詳述的方法附接到晶圓W。
例如，可首先通過按照上面詳述的方式對保護膜4加熱來使保護膜4附接到晶圓W。隨後，在保護膜4已附接到晶圓W之後，可分配液體黏合劑。可分配液體黏合劑以密封或覆蓋保護膜4與晶圓W之間在其周邊部分處可能存在的任何間隙(參見圖28)。
在將保護膜4附接到晶圓前側1之後，晶圓W的後側6基本上按照上面針對第四實施方式詳述的相同方式研磨。
晶圓W的進一步處理(即，其切割以及分離的晶片或晶粒的拾取)可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式執行。
在下文中，將參照圖29描述根據本發明的第十四實施方式的處理晶圓W的方法。
根據第十四實施方式的方法與根據第九實施方式的方法的不同之處在於保護膜4的直徑和黏合層12的佈置。在第十四實施方式的描述中，與先前實施方式基本上相同的元件由相同的標號表示，並且省略其重複的詳細描述。
儘管圖29中省略了從晶圓W的平面表面突出的突起或凸起(例如，上面詳述的突起14)，這些突起或凸起可存在於晶圓W的器件區域2中。
保護膜4的直徑大於晶圓W的直徑(參見圖29)。
分配液體黏合劑以形成與保護膜4的前表面的周邊部分以及與晶圓W的周邊側邊緣的一部分和前側1的一部分直接接觸的黏合層12。
黏合層12具有環形形狀。黏合層12被佈置為使得在晶圓W的器件區域2中不存在黏合劑。
根據第十四實施方式的黏合層12的佈置方式與根據第九實施方式的佈置方式不同之處還在於，佈置在基本上圓形器件區域2與環形黏合層12的內圓周之間的晶圓W的前側1的環形部分沒有任何黏合劑(參見圖29)。與此相反，在第九實施方式的佈置方式中，黏合層12被設置為使得其內圓周直接與器件區域2相鄰設置(參見圖24)。
液體黏合劑可在將保護膜4施加到晶圓W之前被分配到保護膜4上和/或晶圓W上。另選地，液體黏合劑可在將保護膜4施加到晶圓W之後被分配到保護膜4上和晶圓W上。
保護膜4通過黏合層12附接到晶圓W的前側1。除此之外，可通過在將保護膜4施加到晶圓前側1期間和/或之後對保護膜4加熱來使保護膜4附接到晶圓前側1。特別是，保護膜4可使用上面針對第一實施方式詳述的方法附接到晶圓W。
例如，可首先通過按照上面詳述的方式對保護膜4加熱來使保護膜4附接到晶圓W。隨後，在保護膜4已附接到晶圓W之後，可分配液體黏合劑。可分配液體黏合劑以密封或覆蓋保護膜4與晶圓W之間在其周邊部分處可能存在的任何間隙(參見圖29)。
在將保護膜4附接到晶圓前側1之後，晶圓W的後側6基本上按照上面針對第四實施方式詳述的相同方式研磨。
晶圓W的進一步處理(即，其切割以及分離的晶片或晶粒的拾取)可基本上按照上面針對第一實施方式詳述的相同方式執行。
第九至第十四實施方式的保護膜4可基本上按照上面詳述的相同方式與先前實施方式的緩衝層8組合或者與緩衝層8和基片9組合來使用。
1‧‧‧前側
2‧‧‧器件區域
3‧‧‧周邊邊緣區域
4‧‧‧保護膜
4a‧‧‧前表面
4b、8b、9b‧‧‧後表面
6‧‧‧後側
7‧‧‧器件
8‧‧‧緩衝層
9‧‧‧基片
10‧‧‧保護片材
11‧‧‧分割線
12‧‧‧黏合層
14‧‧‧突起
20‧‧‧卡盤台
30‧‧‧輥
40‧‧‧環形框架
42‧‧‧(環形)黏合層
50‧‧‧進氣口
52‧‧‧橡膠膜
60‧‧‧環形間隔物
W‧‧‧晶圓
以下，參照附圖說明本發明的非限制性示例，附圖中： 圖1是示出要通過本發明的方法處理的晶圓的橫截面圖； 圖2是示出根據本發明的方法的第一實施方式的將保護膜施加到晶圓的步驟的橫截面圖； 圖3是示出根據第一實施方式的將保護膜施加到晶圓的步驟的立體圖； 圖4是示出根據第一實施方式的對保護膜施加熱和壓力的步驟的橫截面圖； 圖5是示出根據第一實施方式的改型的對保護膜施加熱和壓力的步驟的橫截面圖； 圖6是示出本發明的方法的第二實施方式中所使用的保護膜和環形框架的橫截面圖； 圖7是示出根據第二實施方式的對保護膜施加熱和壓力的步驟的橫截面圖； 圖8是示出圖7所示的對保護膜施加熱和壓力的步驟的結果的橫截面圖； 圖9是示出根據本發明的方法的第三實施方式的對保護膜施加熱和壓力的步驟的橫截面圖； 圖10是示出根據本發明的方法的第四實施方式的對保護膜施加熱和壓力的步驟的結果的橫截面圖； 圖11是示出根據第四實施方式的切去保護膜的一部分的步驟的橫截面圖； 圖12是示出圖11所示的切去保護膜的一部分的步驟的結果的橫截面圖； 圖13是示出根據第四實施方式的研磨晶圓後側的步驟的結果的橫截面圖； 圖14是示出根據本發明的方法的第五實施方式的研磨晶圓後側的步驟的結果的橫截面圖； 圖15是示出根據第五實施方式的切去保護膜的一部分的步驟的橫截面圖； 圖16是示出圖15所示的切去保護膜的一部分的步驟的結果的橫截面圖； 圖17是示出本發明的方法的第六實施方式中所使用的保護膜和緩衝層的橫截面圖； 圖18是示出根據第六實施方式的對保護膜施加熱和壓力的步驟的結果的橫截面圖； 圖19是示出根據本發明的方法的第七實施方式的對保護膜施加熱和壓力的步驟的結果的橫截面圖； 圖20是示出根據本發明的方法的第七實施方式的改型的對保護膜施加熱和壓力的步驟的結果的橫截面圖； 圖21是示出根據第七實施方式的改型的研磨晶圓後側的步驟的結果的橫截面圖； 圖22是示出本發明的方法的第八實施方式中所使用的保護膜、緩衝層和環形框架的橫截面圖； 圖23是示出根據第八實施方式的對保護膜施加熱和壓力的步驟的橫截面圖； 圖24是示出根據本發明的方法的第九實施方式的分配黏合劑以及將保護膜施加到晶圓的步驟的結果的橫截面圖； 圖25是示出根據本發明的方法的第十實施方式的分配黏合劑以及將保護膜施加到晶圓的步驟的結果的橫截面圖； 圖26是示出根據本發明的方法的第十一實施方式的分配黏合劑以及將保護膜施加到晶圓的步驟的結果的橫截面圖； 圖27是示出根據本發明的方法的第十二實施方式的分配黏合劑以及將保護膜施加到晶圓的步驟的結果的橫截面圖； 圖28是示出根據本發明的方法的第十三實施方式的分配黏合劑以及將保護膜施加到晶圓的步驟的結果的橫截面圖；以及 圖29是示出根據本發明的方法的第十四實施方式的分配黏合劑以及將保護膜施加到晶圓的步驟的結果的橫截面圖。

Claims (18)

  1. 一種處理晶圓的方法，該晶圓在一側具有器件區域，該器件區域具有多個器件，其中，該方法包括以下步驟： 提供保護膜； 將用於覆蓋所述晶圓上的所述器件的所述保護膜施加到所述晶圓的所述一側，使得所述保護膜的前表面與所述晶圓的所述一側直接接觸； 在將所述保護膜施加到所述晶圓的所述一側期間和/或之後對所述保護膜加熱，使得所述保護膜附接到所述晶圓的所述一側；以及 處理所述晶圓的與所述一側相反的側。
  2. 如請求項1所述的方法，其中： 所述器件區域形成有從所述晶圓的平面表面突出的多個突起，並且 從所述晶圓的所述平面表面突出的所述突起被埋入所述保護膜中。
  3. 如請求項1或2所述的方法，該方法還包括：在將所述保護膜施加到所述晶圓的所述一側期間和/或之後，對所述保護膜的與其前表面相反的後表面施加壓力。
  4. 如請求項1所述的方法，其中，處理所述晶圓的與所述一側相反的所述側的步驟包括研磨所述晶圓的與所述一側相反的所述側以調節晶圓厚度。
  5. 如請求項1所述的方法，其中，所述保護膜的外徑大於所述晶圓的外徑或者小於所述晶圓的外徑或者基本上與所述晶圓的外徑相同或者基本上與所述器件區域的外徑相同。
  6. 如請求項1所述的方法，該方法還包括：將所述保護膜的外周部分附接到環形框架。
  7. 如請求項6所述的方法，其中，所述保護膜的所述外周部分通過基本上環形黏合層附接到所述環形框架。
  8. 如請求項1所述的方法，其中， 緩衝層附接到所述保護膜的與其前表面相反的後表面， 所述器件區域形成有從所述晶圓的平面表面突出的多個突起，並且 從所述晶圓的所述平面表面突出的所述突起被埋入所述緩衝層中。
  9. 如請求項8所述的方法，其中： 所述緩衝層的前表面與所述保護膜的所述後表面接觸，並且 所述緩衝層的與其前表面相反的後表面基本上平行於所述晶圓的與所述一側相反的所述側。
  10. 如請求項8或9所述的方法，其中，所述緩衝層能夠通過諸如UV輻射、熱、電場和/或化學試劑的外部刺激固化。
  11. 如請求項10所述的方法，該方法還包括：在將所述保護膜施加到所述晶圓的所述一側之後，對所述緩衝層施加所述外部刺激以使所述緩衝層固化。
  12. 如請求項8所述的方法，其中： 所述緩衝層在將所述保護膜施加到所述晶圓的所述一側之前附接到所述保護膜的所述後表面，或者 所述緩衝層在將所述保護膜施加到所述晶圓的所述一側之後附接到所述保護膜的所述後表面。
  13. 一種處理晶圓的方法，該晶圓在一側具有器件區域，該器件區域具有多個器件，其中，該方法包括以下步驟： 提供保護膜； 提供液體黏合劑； 將所述液體黏合劑分配到所述保護膜上和/或所述晶圓上； 將用於覆蓋所述晶圓上的所述器件的所述保護膜施加到所述晶圓的所述一側；以及 處理所述晶圓的與所述一側相反的側， 其中，所述液體黏合劑僅被分配到所述保護膜的周邊部分上和/或僅被分配到所述晶圓的周邊部分上。
  14. 如請求項13所述的方法，其中，在將所述保護膜施加到所述晶圓的所述一側之前和/或在將所述保護膜施加到所述晶圓的所述一側之後，所述液體黏合劑被分配到所述保護膜上和/或所述晶圓上。
  15. 如請求項13或14所述的方法，其中，所述液體黏合劑被分配到所述保護膜上和/或所述晶圓上，使得在將所述保護膜施加到所述晶圓的所述一側之後，在所述晶圓的所述器件區域中不存在黏合劑。
  16. 如請求項13所述的方法，其中，緩衝層附接到所述保護膜的後表面。
  17. 如請求項8或16所述的方法，其中，基片附接到所述緩衝層的後表面。
  18. 如請求項1或13所述的方法，其中，所述保護膜由聚合物、特別是聚烯烴製成。
TW107116827A 2017-05-18 2018-05-17 處理晶圓的方法 TWI683392B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017208405.7A DE102017208405B4 (de) 2017-05-18 2017-05-18 Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schutzfolie
DE102017208405.7 2017-05-18
??102017208405.7 2017-05-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201909333A true TW201909333A (zh) 2019-03-01
TWI683392B TWI683392B (zh) 2020-01-21

Family

ID=64272078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107116827A TWI683392B (zh) 2017-05-18 2018-05-17 處理晶圓的方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11637074B2 (zh)
JP (3) JP6888218B2 (zh)
KR (1) KR102105114B1 (zh)
CN (1) CN108933098A (zh)
DE (1) DE102017208405B4 (zh)
SG (1) SG10201803494SA (zh)
TW (1) TWI683392B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110663106B (zh) * 2017-05-18 2023-09-22 株式会社迪思科 在加工晶圆中使用的保护片、用于晶圆的处理系统以及晶圆与保护片的组合体
US20220135848A1 (en) 2019-02-26 2022-05-05 Disco Corporation Adhesive sheet for backgrinding and production method for semiconductor wafer
US20220148905A1 (en) 2019-02-26 2022-05-12 Disco Corporation Back grinding adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor wafer
JP7333192B2 (ja) * 2019-04-23 2023-08-24 株式会社ディスコ 移設方法
DE102019211540A1 (de) * 2019-08-01 2021-02-04 Disco Corporation Verfahren zum bearbeiten eines substrats
JP7430515B2 (ja) * 2019-11-06 2024-02-13 株式会社ディスコ ウエーハの処理方法
JP7455470B2 (ja) 2020-03-13 2024-03-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021190611A (ja) * 2020-06-02 2021-12-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法、保護部材貼着装置、及び、加工装置
JP2022041447A (ja) 2020-09-01 2022-03-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN112157580A (zh) * 2020-09-26 2021-01-01 绍兴自远磨具有限公司 一种硅片研磨盘及其制备方法和用途
US11587809B2 (en) * 2020-09-30 2023-02-21 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer supporting mechanism and method for wafer dicing
JP2024079914A (ja) 2022-12-01 2024-06-13 株式会社ディスコ 樹脂シート

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57173135A (en) * 1981-04-17 1982-10-25 Toshio Kunugi Manufacture of super-strong film
JPS58153352A (ja) 1982-03-09 1983-09-12 Toshiba Corp 半導体素子の製造方法
JP2000100558A (ja) * 1998-09-18 2000-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
JP4780828B2 (ja) * 2000-11-22 2011-09-28 三井化学株式会社 ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
JP2003037155A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄葉化ウェハーの製造法
JP2002203821A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 接着および剥離法
DE10121556A1 (de) * 2001-05-03 2002-11-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Rückseitenschleifen von Wafern
US6777267B2 (en) * 2002-11-01 2004-08-17 Agilent Technologies, Inc. Die singulation using deep silicon etching
JP2005191297A (ja) 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法
JP2005191296A (ja) 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp バックグラインドテープ及び半導体ウェハの研磨方法
US20050244631A1 (en) * 2004-04-28 2005-11-03 Mitsui Chemicals, Inc. Surface protecting film for semiconductor wafer and method of protecting semiconductor wafer using the same
JP2006210401A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP4930679B2 (ja) 2005-12-14 2012-05-16 日本ゼオン株式会社 半導体素子の製造方法
JP5151104B2 (ja) 2006-09-22 2013-02-27 パナソニック株式会社 電子部品の製造方法
JP5064985B2 (ja) * 2006-12-05 2012-10-31 古河電気工業株式会社 半導体ウェハの処理方法
TWI324802B (en) * 2007-02-16 2010-05-11 Advanced Semiconductor Eng Method of thinning wafer
JP4934620B2 (ja) 2008-03-25 2012-05-16 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP2010027685A (ja) 2008-07-15 2010-02-04 Lintec Corp 半導体ウエハの研削方法
JP2011054827A (ja) 2009-09-03 2011-03-17 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置の製造方法及び表面保護テープ
US8252665B2 (en) * 2009-09-14 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Protection layer for adhesive material at wafer edge
JP5545640B2 (ja) * 2010-05-11 2014-07-09 株式会社ディスコ 研削方法
KR20120023258A (ko) 2010-09-01 2012-03-13 주식회사 이오테크닉스 웨이퍼 가공방법 및 웨이퍼 가공장치
US9190388B2 (en) * 2011-12-19 2015-11-17 Intel Corporation Using an optically transparent solid material as a support structure for attachment of a semiconductor material to a substrate
JP6009217B2 (ja) 2012-05-18 2016-10-19 株式会社ディスコ 保護部材の貼着方法
JP6061590B2 (ja) * 2012-09-27 2017-01-18 株式会社ディスコ 表面保護部材および加工方法
KR102061695B1 (ko) * 2012-10-17 2020-01-02 삼성전자주식회사 웨이퍼 가공 방법
WO2014188879A1 (ja) * 2013-05-24 2014-11-27 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP5666659B2 (ja) * 2013-07-17 2015-02-12 リンテック株式会社 ウェハ加工用シート
US9184083B2 (en) * 2013-07-29 2015-11-10 3M Innovative Properties Company Apparatus, hybrid laminated body, method and materials for temporary substrate support
WO2015016064A1 (ja) * 2013-08-01 2015-02-05 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート
JP2016001677A (ja) * 2014-06-12 2016-01-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US9786643B2 (en) * 2014-07-08 2017-10-10 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices comprising protected side surfaces and related methods
DE102015216619B4 (de) * 2015-08-31 2017-08-10 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
US11437275B2 (en) 2015-08-31 2022-09-06 Disco Corporation Method of processing wafer and protective sheeting for use in this method
DE102018200656A1 (de) * 2018-01-16 2019-07-18 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
DE102018202254A1 (de) * 2018-02-14 2019-08-14 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020113778A (ja) 2020-07-27
JP6740542B2 (ja) 2020-08-19
JP6888218B2 (ja) 2021-06-16
DE102017208405A1 (de) 2018-11-22
US11784138B2 (en) 2023-10-10
KR20180127230A (ko) 2018-11-28
JP2019169727A (ja) 2019-10-03
KR102105114B1 (ko) 2020-04-27
US20180337141A1 (en) 2018-11-22
US11637074B2 (en) 2023-04-25
TWI683392B (zh) 2020-01-21
DE102017208405B4 (de) 2024-05-02
SG10201803494SA (en) 2018-12-28
US20210151390A1 (en) 2021-05-20
JP2018195805A (ja) 2018-12-06
CN108933098A (zh) 2018-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI683392B (zh) 處理晶圓的方法
TWI724020B (zh) 處理晶圓的方法及用於該方法的保護片
US10256148B2 (en) Method of processing wafer
TWI742343B (zh) 處理晶圓的方法
US11626324B2 (en) Method of processing a wafer
TWI795402B (zh) 在處理晶圓中使用的保護片、用於晶圓之處置系統、及晶圓與保護片之組合