JP6740542B2 - ウェハ処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、複数のデバイスを備えたデバイス領域を一面に有する半導体ウェハのようなウェハを処理する方法に関する。
技術背景
半導体デバイス製造方法において、複数の分割ラインによって概して区切られる複数のデバイスを備えたデバイス領域を有するウェハは、個々のダイに分割される。この製造方法は、一般的に、ウェハの厚さを調整する為の研削ステップと、個々のダイを得る為に分割ラインに沿ってウェハを切断する切断ステップとを有する。研削ステップは、デバイス領域が形成されるウェハの表面に対して反対側にあるウェハの裏面から行われる。さらに、研磨および／またはエッチングのような他の処理ステップは、ウェハの裏面で実行されてもよい。
ウェハに形成されるデバイスを、例えば、割れ、変形および／または破片、ウェハの研削またはウェハの切断による汚染から、保護するため、保護フィルム又はシーティングが、処理前に、ウェハの表面に加えられてもよい。
デバイスの、そのような保護は、デバイス領域が不均一表面構造を有する場合、特に重要である。たとえば、ウェハーレベルチップスケールパッケージ（ＷＬＣＳＰ）のような既知の半導体デバイス製造方法において、ウェハのデバイス領域は、ウェハの平坦面から突出するバンプのような複数の突出部を備えて形成される。これらの突出部は、例えば、携帯電話やパーソナルコンピュータのような電気機器にダイを組み入れるときに、例えば、個々のダイにおけるデバイスとの電気的接触を確立する為に使用される。
そのような電気機器の小型化を達成するには、半導体デバイスの大きさを減少しなければならない。このため、表面にデバイスが形成されたウェハは、前述された研磨ステップで、μｍ範囲の厚さまで（例えば、２０−１００μｍの範囲で）研削される。
知られた半導体デバイス製造処理において、突出部（バンプなど）がデバイス領域に存在する場合、処理（例えば研削処理）中に問題が生じる。特に、これらの突出部の存在により、処理中のウェハの割れの危険性が著しく高くなる。さらに、ウェハが小さな厚さ（例えば、μｍ範囲の厚さ）まで研削される場合、ウェハ表面上のデバイス領域の突出部は、ウェハ裏面の変形の原因になり、その結果として生じるダイの品質を危うくする。
そのため、保護フィルム又はシーティングの使用は、そのような不均一表面構造を有するデバイス領域を持つウェハを処理するとき、特に重要である。
しかしながら、ＭＥＭのような傷つきやすいデバイスの場合、ウェハ上のデバイス構造が、保護フィルム又はシーティング上に形成される接着層の接着力によって損傷される場合があり、あるいは、フィルム又はシーティングがウェハから引き剥がされるとき、デバイス上の接着残留物によって汚染される場合がある。
このため、ウェハに対する汚染及び損傷の危険性を最小にできるデバイス領域を有するウェハ処理の、信頼性良く、効率的な方法が必要である。
したがって、本発明は、信頼性良く、効率の良い、ウェハに対する汚染および損傷が最小になるデバイス領域を有するウェハを処理する方法を提供することを目的とする。この目的は、請求項１の技術的特徴を備えたウェハ処理法と、請求項１３の技術的特徴を備えたウェハ処理方法によって達成される。本発明の好ましい実施形態は、従属形式請求項から続く。
本発明は、複数のデバイスを備えたデバイス領域を一面に有するウェハを処理する方法を提供する。この方法は、保護フィルム又はシートを準備するステップと、保護フィルム又はシートがウェハの一面と直接接触するようにウェハ上のデバイスを覆う為に、保護フィルム又はシートをウェハの一面に加えるステップとを含む。さらに、この方法は、保護フィルム又はシートはウェハの一面に付けられるように、ウェハの一面に保護フィルム又はシートを加える間および／または加えた後に、保護フィルム又はシートを加熱するステップと、一面の反対側にあるウェハの面を処理するステップを含む。
保護フィルム又はシートは、ウェハの一面、すなわち、ウェハの表面に加えられるので、保護フィルム又はシートの表面はウェハの一面と直接接触する。したがって、保護フィルム又はシートの表面とウェハの一面との間には何も材料、特に、接着材が存在しない。
そのため、デバイス領域に形成されたデバイスに対する、例えば、デバイス上の接着層又は接着残留物による汚染又は損傷の可能性が排除される。
保護フィルム又はシートをウェハの一面に加える間および／または加えた後、保護フィルム又はシートが加熱されるので、保護フィルム又はシートはウェハの一面に付けられる。そのため、保護フィルム又はシートをウェハ上の位置に保持する、保護フィルム又はシートおよびウェハの間の付ける力は、加熱処理によって生じる。このため、ウェハの一面に保護フィルム又はシートを付ける為に、何も追加の接着材が必要ない。
特に、保護フィルム又はシートを加熱することによって、保護フィルム又はシートとウェハの間に、積極嵌合のような形態嵌合（form fit）及び／又は接着結合のような材料結合（material bond）が形成されてもよい。用語「材料結合」と「接着結合」は、保護フィルム又はシートとウェハとの間を、これら２つのコンポーネント間に作用する原子及び／又は分子力によって付けること又は接続することを定める。
用語「接着結合」は、これらの原子及び／又は分子力の存在に関し、これらが、保護フィルム又はシートをウェハに付ける又は接着するように作用し、保護フィルム又はシートとウェハとの間に追加の接着の存在を意味しない。むしろ、保護フィルム又はシートの表面は、前述したように、ウェハの一面と直接接触する。
そのため、本発明の方法は、デバイス領域を有するウェハの信頼性良く効率の良い処理を可能にし、ウェハ、特に、デバイス領域に形成されたデバイスに対する汚染及び損傷の危険性を最小にする。
この方法は、保護フィルム又はシートが加熱処理後に冷却させるステップを更に含んでもよい。特に、保護フィルム又はシートは、その初期温度、すなわち、加熱処理前の温度まで冷却させてもよい。保護フィルム又はシートは、一面の反対側にあるウェハの面、すなわち、ウェハの裏面を処理する前に、例えば、その初期温度まで冷却させてもよい。
前述したように、保護フィルム又はシートとウェハとの間の付ける力は、加熱処理によって生じる。加熱処理で、さらに／または、保護フィルム又はシートを冷却させる後の処理で、保護フィルム又はシートをウェハに付けてもよい。
例えば、ウェハのトポグラフィを吸収し、たとえば、ウェハの一面上のウェハ表面に適合するように、保護フィルム又はシートは、加熱処理によって柔らかくされてもよい。例えば、その初期温度まで冷却する際、例えば、ウェハに対する形態嵌合および／または材料結合を作るように、保護フィルム又はシートが再び硬化されてもよい。
保護フィルム又はシートは、１８０℃以上の温度まで、好ましくは２２０℃以上の温度まで、より好ましくは２５０℃以上の温度まで耐熱性があってもよい。
保護フィルム又はシートは、６０℃〜１５０℃、好ましくは７０℃〜１４０℃、より好ましくは８０℃〜１３０℃、より更に好ましくは９０℃〜１２０℃の範囲内の温度まで加熱されてもよい。特に好ましくは、保護フィルム又はシートは、およそ１００℃の温度まで加熱される。
保護フィルム又はシートは、保護フィルム又はシートをウェハの一面に加える間および／または加えた後、１分〜１０分、好ましくは１分〜８分、より好ましくは１分〜６分、更により好ましくは１分〜４分、その上更により好ましくは１分〜３分の時間にわたって加熱されてもよい。
保護フィルム又はシートは、直接および／または間接に加熱されてもよい。
保護フィルム又はシートは、例えば、加熱されたローラ、加熱されたスタンプ等のような加熱手段、または熱放射手段を使用して、熱を直接、保護フィルム又はシートに加えることによって加熱されてもよい。保護フィルム又はシートおよびウェハは、真空チャンバのようなレセプタクル又はチャンバ内に配置されてもよく、レセプタクル又は、保護フィルム又はシートを加熱する為にチャンバの内容積が加熱されてもよい。レセプタクル又はチャンバには、熱放射手段が備えられてもよい。
保護フィルム又はシートは、例えば、ウェハの一面に保護フィルム又はシートを加える前および／または加える間および／または加えた後にウェハを加熱することによって、間接的に加熱されてもよい。たとえば、チャックテーブルのような支持体またはキャリアにウェハを配置し、その支持体またはキャリアを加熱することによって、ウェハが加熱されてもよい。
たとえば、チャックのような支持体又はキャリアは、６０℃〜１５０℃、好ましくは７０素〜１４０℃、より好ましくは８０℃〜１３０℃、更により好ましくは９０℃〜１２０℃の範囲内の温度まで加熱されてもよい。特に好ましくは、支持体又はキャリアは、およそ１００℃の温度まで加熱されてもよい。
例えば、加熱されたローラ等のような加熱手段と、あるいは、保護フィルム又はシートの直接加熱およびウェハを通した保護フィルム又はシートの間接加熱の為に熱放射手段とを使用することによって、これらの方法が組み合わされてもよい。
保護フィルム又はシートは、加熱された状態にあるとき、しなやかであり、弾性があり、柔軟性があり、伸ばすことができ、柔らかく、さらに／または、圧縮性があるのが好ましい。このように、保護フィルム又はシートがウェハの一面上のウェハ表面に適合し、例えば、ウェハトポグラフィを吸収することが特に信頼性良く確保できる。デバイス領域が、後述するように、ウェハの平坦面から突出する突出部で形成される場合、これは特に有利である。
好ましくは、保護フィルム又はシートは、冷却の際、ある程度まで硬くされ、或いは、堅くされ、冷却状態で、より剛性があり、さらに／または頑丈になる。このように、研削及び／又は研磨のようなウェハの後処理中に、特に信頼性の良いデバイス保護が確保できる。
この方法は、ウェハから、その裏面を処理した後で保護フィルム又はシートを取り外すステップを更に含む。保護フィルム又はシートをウェハから取り外す前および／または取り外す間、保護フィルム又はシートは加熱されてもよい。このように、取り外すステップは、容易にできる。
デバイス領域は、複数のデバイスを区切る、複数の分割ラインを更に有してもよい。
ウェハは、その表面に、デバイスを持たない周辺限界領域をデバイス領域の周りに更に有してもよい。
ウェハは、例えば、半導体ウェハ、ガラスウェハ、サファイヤウェハ、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）のようなセラミックウェハ、石英ウェハ、ジルコニアウェハ、ＰＺＴ（ジルコン酸チタン酸鉛）ウェハ、ポリカーボネートウェハ、金属（例えば、銅、鉄、鋼、アルミニウムなど）または金属で被覆された材料のウェハ、フェライトウェハ、光学的結晶ウェハ、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）、被覆または成形されたウェハなどでもよい。
特に、ウェハは、例えば、Ｓｉウェハ、ＧａＡｓウェハ、ＧａＮウェハ、ＧａＰウェハ、ＩｎＡｓウェハ、ＩｎＰウェハ、ＳｉＣウェハ、ＳｉＮウェハ、ＬＴ（タンタル酸リチウム）ウェハ、ＬＮ（ニオブ酸リチウム）ウェハなどでもよい。
ウェハは、単一材料で形成されてもよく、或いは、異なる材料の組合せ（例えば、２種以上の上記識別された材料）で形成されてもよい。たとえば、ウェハは、Ｓｉで形成されたウェハ要素がガラスで形成されたウェハ要素に結合されるＳｉ・ガラス結合ウェハでもよい。
ウェハは、どのような種類の形状を有してもよい。その上面視において、ウェハは、たとえば、円形状、楕円形状、矩形又は正方形のような多角形状を有してもよい。
保護フィルム又はシートは、どのような形状を有してもよい。その上面視において、保護フィルム又はシートは、たとえば、円形状、楕円形状、矩形又は正方形のような多角形状を有してもよい。
保護フィルム又はシートは、ウェハと実質的に同一または同一の形状を有してもよい。
保護フィルム又はシートは、ウェハのデバイス領域と実質的に同一または同一の形状を有してもよい。たとえば、保護フィルム又はシートは、デバイス領域と実質的に同一または同一の外径を有してもよく、保護フィルム又はシートは、ウェハのデバイス領域と実質的に同一または同一の形状を有してもよい。
デバイス領域は、ウェハの平坦面から突出する複数の突起または突出部を有してもよい。ウェハの平坦面から突出する突出部又は突起は、保護フィルム又はシート内に埋め込まれてもよい。
バンプのような突出部または突起は、実質的に平らな面であるウェハの平坦面から突出して延び、或いは、出っぱってもよい。突出部または突起は、この一面を不均等にする、ウェハの一面、すなわち、ウェハの表面のトポグラフィ又は表面構造を定める。
例えばチップ又はダイが形態電話又はパーソナルコンピュータのような電気機器に組み込まれるとき、ウェハが分割された後、これらの突出部又は突起が、たとえば、個々のチップ又はダイとの電気的接触を確立する為に使用されてもよい。
突出部は、不規則的に配置され、或いは、規則正しいパターンで配置される。一部の突出部だけが規則正しいパターンで配置されてもよい。
突出部は、どのような種類の形状を有してもよい。たとえば、一部または全部の突出部が球、半球、支柱（pillars）、円柱（columns）、例えば、円形を備えた支柱または円柱、楕円、多角形（例えば、三角、四角など）、横断面または底面積、円錐、円錐台、段状の形状でもよい。
少なくとも一部の突出部は、ウェハの平坦面に形成された要素から起き上がってもよい。スルーシリコンビア（ＴＳＶ）の場合、少なくとも一部の突出部は、ウェハの厚さ方向にウェハを部分的または全体的に貫通する要素から持ち上がってもよい。これら後者の要素は、ウェハ厚さの一部に沿って延びてもよく、或いは、全体のウェハ厚さに沿って延びてもよい。
突出部は、２０−５００μｍ、好ましくは３０−４００μｍ、より好ましくは４０−２５０μｍ、更により好ましくは５０−２００μｍ、もっと更により好ましくは７０−１５０μｍの範囲で、ウェハの厚さ方向の高さを有してもよい。
突出部の全ては、実質的に同一形状および／または大きさを有してもよい。あるいは、突出部の少なくとも一部は、互いに形状および／または大きさが異なってもよい。
本発明のウェハ処理方法において、ウェハの平坦面から突出する突出部又は突起は、保護フィルム又はシートに埋め込まれてもよい。このため、後のウェハ処理ステップでデバイス領域内の突出部の存在から起こる表面むらの否定的影響は減少され、又は排除されもする。
特に、保護フィルム又はシート内に突出部を埋め込むことによって、突出部は、ウェハ処理（例えば、後の研削および／または切断ステップ）中に、どんな損傷からも保護可能である。
さらに、もしウェハが小さな厚さ（例えば、μｍ範囲の厚さ）まで研削される場合、ウェハ表面上のデバイス領域の突出部は、ウェハ厚さの減少と、研削処理で加えられる圧力のため、ウェハ裏面の変形の原因になる。ウェハ表面上の突出部のパターンは、ウェハ裏面に転写されることから、この後者の影響は「パターン転写」と呼ばれ、ウェハ裏面側の望ましくないむらが生じるので、結果として生じるダイの品質を危うくする。
保護フィルム又はシートは、ウェハ表面と、ウェハ裏面の処理（研削及び／又は研磨））中にウェハ表面が置かれる支持体又はキャリアとの間の緩衝物あるいはクッションとして作用するので、処理中の圧力の一様かつ均質分布を達成するのに役立つ。このため、ウェハ裏面の処理中、ウェハの割れまたはパターン転写を避けることができる。
この方法は、ウェハの一面に保護フィルム又はシートを加える間および／または加えた後、保護フィルム又はシートの表の面の反対側の保護フィルム又はシートの裏の面に圧力を加えるステップを更に含んでもよい。このように、保護フィルム又はシートは、ウェハの一面に押しつけられる。そのため、保護フィルム又はシートが信頼性良くウェハに付けられることが特に効率良く確保できる。
圧力は、保護フィルム又はシートの加熱前および／または加熱中および／または加熱後に、保護フィルム又はシートの裏の面に加えられてもよい。圧力は、ウェハの裏面を処理する前に、保護フィルム又はシートの裏の面に加えられてもよい。
圧力は、ローラ、スタンプ、膜などのような圧力を加える手段によって保護フィルム又はシートの裏の面に加えられてもよい。
特に好ましくは、加熱されたローラ又は加熱されたスタンプのような組み合わされた熱及び圧力を加える手段が使用されてもよい。この場合、圧力は保護フィルム又はシートの裏の面に加えることができるが、同時に、少なくとも同時に、保護フィルム又はシートを加熱する。
圧力は、後述されるように、真空チャンバ内で保護フィルム又はシートの裏の面に加えられてもよい。
保護フィルム又はシートは、減圧雰囲気、特に、真空下で、ウェハの表面に加えられ、さらに／または、付けられてもよい。このように、保護フィルム又はシートとウェハとの間に何も空洞及び／又は気泡が存在しないことが確保できる。このため、ウェハの裏面を処理する間に、例えば、加熱処理に膨張するそのような気泡によるウェハの応力又は歪が避けられる。
たとえば、保護フィルム又はシートを、ウェハの一面に加えるステップおよび／または付けるステップは、真空チャンバ内で実行されてもよい。特に、保護フィルム又はシートは、真空ラミネート装置を使用することによって、ウェハの一面に加え、更に／又は、付けられてもよい。そのような真空ラミネート装置において、ウェハは、ウェハ裏面がチャックテーブルの上面と接触してウェハ表面が上方に向けられる状態で、真空チャンバ内のチャックテーブル上に置かれる。チャックテーブルは、たとえば、加熱されたチャックテーブルでもよい。
ウェハ表面に加えられる保護フィルムは、環状フレームによって、その周辺部分に保持され、真空チャンバ内のウェハ表面の上方に置かれる。チャックテーブルの上方に位置される真空チャンバの上部と環状フレームには、拡張可能なゴム製膜によって閉じられる空気入口ポートが設けられる。
ウェハおよび保護フィルムが真空チャンバにロードされた後、チャンバは排気され、空気がゴム製膜に空気入口ポートを通って供給され、ゴム製膜を排気済みチャンバに拡張させる。このように、ゴム製膜は、保護フィルム又はシートをウェハ表面に押しつけるように真空チャンバ内を下方に移動され、周辺ウェハ部分を保護フィルム又はシートで密封し、フィルム又はシートをウェハ表面上のデバイス領域に押しつける。このため、デバイス領域内の突出部の外形（例えば、中に存在する突出部又は突起）に追従するように、保護フィルムをウェハ表面に密着させることができる。
保護フィルム又はシートは、ウェハの一面に、保護フィルム又はシートを加える間および／または加えた後に、例えば、チャックテーブルを加熱することによって、保護フィルム又はシートが加熱されてもよい。
続いて、真空チャンバ内の真空が解除され、保護フィルム又はシートは、真空チャンバ内の正圧および加熱処理を経て発生される付ける力によって、ウェハ表面上の、その位置に保持される。
あるいは、柔らかいスタンプまたは軟らかいローラ（例えば、加熱された柔らかいスタンプ又は加熱された柔らかいローラ）によってゴム製膜を置き換えることができる。
一面の反対側にあるウェハの面（即ち、ウェハ裏面）を処理するステップは、一面の反対側にあるウェハの面を、研削および／または研磨および／またはエッチングすることを含み、あるいは、研削および／または研磨および／またはエッチングすることから成る。
特に、一面の反対側にあるウェハの面を処理するステップは、ウェハの厚さを調整する為に、一面の反対側にあるウェハの面を研削することを含み、あるいは、研削することから成る。この場合、本発明の方法は、特に有利な方法で使用可能である。
特に、研削処理では、相当の圧力がウェハの裏面に加えられる。この圧力は、ウェハが小さな厚さ（例えば、μｍ範囲の厚さ）まで研削される場合、ウェハの割れおよび／または変形のようなウェハの損傷を生じるかもしれない。たとえば、ウェハ表面に形成された突出部又は突起のパターンは、前述したように、ウェハ裏面に転写される場合がある。
本発明の方法において、保護フィルム又はシートは、ウェハ表面と、ウェハ裏面の研削中にウェハ表面が載る、例えば、チャックテーブルのような支持体又はキャリアとの間の緩衝物あるいはクッションとして作用する。このため、研削中、より一様かつ均質な圧力分布が達成可能であり、研削中にウェハの割れ又はパターン転写の危険性を減少させ、排除さえする。
この方法は、例えば、複数のデバイスを区切る分割ラインに沿って、ウェハを切断するステップを更に含んでもよい。
ウェハは、表面または裏面から切断されてもよい。ウェハの切断は、その一面の反対側にあるウェハの面の処理の一部を形成または一面の反対側にあるウェハの面の処理を構成してもよい。
この切断は、機械的切断（例えば、ブレードダイシング、鋸引き）により、および／または、レーザ切断により、および／または、プラズマ切断により行われてもよい。ウェハは、単一の機械的切断ステップ、単一のレーザ切断ステップ、或いは、単一のプラズマ切断ステップで切断されてもよい。あるいは、ウェハは、連続した機械的切断ステップおよび／またはレーザ切断ステップおよび／またはプラズマ切断ステップによって切断されてもよい。
レーザ切断は、たとえば、アブレーションレーザ切断によって、および／またはステルスレーザ切断によって、即ち、レーザビームを加えることによってウェハ内部に改質区域を形成することによって、および／またはレーザビームを加えることによってウェハ内に複数のホール区域を形成することによって、行われてもよい。これらのホール区域の各々は、ウェハの表面に開いた改質区域内の空間と改質区域とから構成されてもよい。
ウェハの切断は、保護フィルム又はシートがウェハに付け螺得た状態で行われてもよい。このように、切断ステップ中に加えられる圧力が、切断中にウェハの至る所で、一様かつ均質に分布されることが確保されるので、切断ステップにおいて、ウェハに対する損傷（例えば、結果として生じるチップ又はダイの側壁の割れ）の危険性を減少または排除さえする。この場合、ウェハが、その裏面から切断されることが特に好ましい。
保護フィルム又はシートは、ウェハの外形より大きな外形を有してもよい。このように、ウェハの処理、取扱い及び／又は運搬が容易にできる。特に、保護フィルム又はシートの外周部分には、後述するように、環状フレームを付けることができる。
保護フィルム又はシートは、ウェハの外径より小さな外径を有してもよい。
保護フィルム又はシートは、ウェハの外径と実質的に同一の外径を有してもよい。
保護ファーム又はシートは、デバイス領域の外径と実質的に同一の外径を有してもよい。このように、デバイス領域内に形成されたデバイスを信頼性良く保護しつつ、特に効率の良いリソースの使用が確保される。
当該方法は、保護フィルム又はシートの切断ステップを更に含んでもよい。保護フィルム又はシートが、ウェハの外径より大きな外径を有するように、又は、ウェハの外径より小さな外径を有するように、又は、ウェハの外径と実質的に同一の外径を有するように、又は、デバイス領域の外径と実質的に同一の外径を有するように、保護フィルム又はシートが切断されてもよい。
保護フィルム又はシートを切断するステップは、ウェハに保護フィルム又はシートを加える前または加えた後に行ってもよい。
保護フィルム又はシートを切断するステップは、保護フィルム又はシートをウェハに付ける前または付けた後に行われてもよい。
この方法は、保護フィルム又はシートの外周部分を環状フレームに付けるステップを更に含んでもよい。
特に、保護フィルム又はシートの外周部分は、保護フィルム又はシートが環状フレームの開口部、即ち、環状フレームの内径内側領域を閉じるように、環状フレームに付けられてもよい。このように、保護フィルム又はシート、特にその中央部分に付けられるウェハは、保護フィルム又はシートを通じて環状フレームによって保持される。このように、ウェハ、保護フィルム又はシート及び環状フレームを備えるウェハユニットが形成され、ウェハの処理、取扱い、及び／又は、運搬を容易にする。
保護フィルム又はシートの外周部分を環状フレームに付けるステップは、保護フィルム又はシートをウェハに加える前または加えた後に行われてもよい。
保護フィルム又はシートの外周部分を環状フレームに付けるステップは、保護フィルム又はシートをウェハに付ける前または付けた後に行われてもよい。
保護フィルム又はシートの外周部分を環状フレームに付けるステップは、ウェハの裏面を処理する前または処理した後に行われてもよい。
環状フレームは、半導体サイズの環状フレームでもよい。本書において、用語「半導体サイズの環状フレーム」とは、半導体ウェハを保持する為の環状フレームの寸法（規格化された寸法）、特に内径（規格化された内径）を持つ環状フレームを指す。
半導体ウェハを保持する為の環状フレームの寸法、特に内径は、ＳＥＭＩ規格でも規定されている。たとえば、３００ｍｍウェハの為のテープフレームの寸法は、ＳＥＭＩ規格ＳＥＭＩ Ｇ７４において規定され、３００ｍｍウェハの為のプラスチックテープフレームの寸法は、ＳＥＭＩ規格ＳＥＭＩ Ｇ８７で規定されている。環状フレームは、たとえば、３インチ、４インチ、５インチ、６インチ、８インチ、１２インチ、又は１８インチサイズの半導体サイズウェハを保持する為のフレームサイズを有してもよい。
保護フィルム又はシートの外周部分は、実質的に環状または環状接着層を通じて環状フレームに付けられてもよい。本書で、用語「実質的に環状」とは、接着層の形状が、一つ又は複数の平坦又は直線部分、切込み及び／又は溝の存在により、完全な環から外れてもよいことを規定する。実質的に環状または環状接着層は、保護フィルム又はシートと環状フレームとの間に配置されてもよい。
実質的に環状又は環状接着層は、保護フィルム又はシートの表面の外周部分に加えられてもよい。接着層は、保護フィルム又はシートの表面の外周部分のみに設けられてもよい。
実質的に環状又は環状接着層は、保護フィルム又はシートの外周部分に付けられるべき環状フレームの表面に加えられてもよい。
実質的に環状又は環状接着層は、連続した接着層でもよい。あるいは、実質的に環状又は環状接着層は、不連続接着層でもよい。特に、実質的に環状又は環状接着層において、接着材は、点形式、（例えば、直線及び／又は湾曲縞などを伴う）縞形式のような不連続形式で設けられてもよい。
実質的に環状又は環状接着層は、１８０℃以上の温度まで、好ましくは２２０℃以上の温度まで、より好ましくは２５０℃以上の温度まで耐熱性があってもよい。
実質的に環状又は環状接着層は、半導体サイズのウェハを保持する為に、半導体サイズの環状フレームの内径と実質的に等しい又はその内径より大きくてもよい。
ここで、用語「半導体サイズのウェハ」は、半導体ウェハの寸法（標準化された寸法）、特に、直径（標準化された直径）を持つウェハを指す。半導体ウェハの寸法、特に、直径、すなわち、外径は、ＳＥＭＩ基準で規定されている。たとえば、半導体サイズウェハは、Ｓｉウェハでもよい。研磨された単結晶Ｓｉウェハは、ＳＥＭＩ規格において、Ｍ１およびＭ７６と規定されている。半導体サイズのウェハは、３インチ、４インチ、５インチ、６インチ、８インチ、１２インチまたは１８インチウェハでもよい。
実質的に環状又は環状接着層の内径は、ウェハの外径より大きい。
実質的に環状又は環状接着層の外径は、半導体サイズのウェハを保持する為に、半導体サイズの環状フレームの内径より大きくてもよい。
この方法は、保護フィルム又はシートの、その表の面の反対側にある裏の面にクッション層を付けるステップを更に含んでもよい。
デバイス領域は、ウェハの平坦面から突出する複数の突出部または突起（バンプなど）で形成されてもよい。ウェハの平坦面から突出する突出部又は突起は、クッション層に埋め込まれてもよい。
クッション層に突出部又は突起を埋め込むことによって、突出部又は突起は、ウェハ処理（たとえば、後の研削及び／又は切断ステップ）中、どんな損傷からも特に信頼性良く保護される。
保護フィルム又はシートは、ウェハのデバイス領域に形成されたデバイスを覆うので、デバイスを損傷及び汚染から保護する。さらに、保護フィルム又はシートは、処理後にウェハからクッション層を取り外すことを容易にする。特に、保護フィルム又はシートの表面はウェハの表面と直接接触、即ち、保護フィルム又はシートの表面とウェハ表面との間には何も接着材が存在しないので、保護フィルム又はシートとクッション層は、特に単純かつ効率的な方法でウェハから取り外すことができる。
クッション層は、中に埋め込まれる、ウェハの平坦面から突出する突出部又は突起を可能にする、どんな形式の材料で形成されてもよい。たとえば、クッション層は、樹脂、接着材、ゲル等で形成されてもよい。
クッション層は、１８０℃以上の温度まで、好ましくは２２０℃以上の温度まで、より好ましくは２５０℃以上の温度まで耐熱性があってもよい。
クッション層は、２０〜３００μｍ、好ましくは５０〜２５０μｍ、より好ましくは８０〜２００μｍの範囲の厚さを有してもよい。
クッション層を保護フィルム又はシートの裏の面に付けるステップは、ウェハの表面に、例えば、突出部又は突起（バンプなど）による比較的高度の表面粗さ又は表面むらを有するウェハにとって特に有利である。この場合、突出部又は突起は、保護フィルム又はシートに完全に埋め込まれないので、少なくとも一定の程度の表面むらが保護フィルム又はシートの裏の面に存在する。この表面むらは、突出部又は突起を更に埋め込むクッション層によって吸収可能である。このように、突出部又は突起は、特に信頼性の良い方法で保護可能である。さらに、ウェハにわたる応力又は歪の分布は、後述するように、更に改善可能である。
クッション層の表の面は、保護フィルム又はシートの裏の面と接触してもよい。クッション層の、その表面の反対側の裏の面は、一面の反対側にあるウェハの面に対して、実質的に平行でもよい。
この場合、ウェハの裏面を処理、例えば、研削、研磨、及び／又は切断するとき、例えば、この裏の面を支持体又はキャリア（チャックテーブル等）上に配置することによって、適切なカウンタ圧力をクッション層の裏面に加えることができる。
クッション層の平坦な裏の面はウェハの裏面に対して実質的に平行になっていることから、研削のような処理中（例えば、研削装置の研削ホィールによって）ウェハに加えられる圧力は、ウェハにわたって、均一かつ均質に分布されるので、パターン転写（すなわち、デバイス領域の突出部又は突起によって定められるパターンが処理済み（例えば、研削済み）ウェハの裏面に転写されること）およびウェハの破壊の危険性を最小にする。さらに、クッション層の平らな均一な裏の面とウェハの裏面との実質的に平行な整列は、高精度で処理ステップを実行することを可能にするので、研削後、特に一様かつ均質なウェハの厚さを達成する。
また、保護フィルム又はシートは、ウェハ表面及びクッション層の間の更なるクッション又はバッファとして作用するので、研削のような処理中、圧力の一様かつ均質な分布に更に役立つ。このため、処理中のウェハのパターン転写または破壊を、特に信頼性良く避けることができる。
クッション層の裏の面は、クッション層の裏の面に圧力を加えることによって、ウェハの裏面に対して実質的に平行にされてもよい。圧力は、クッション層の裏の面に直接加えられてもよいので、圧力を加える為の圧力手段とクッション層の裏の面との間には何も追加要素またはコンポーネントが存在しない。
たとえば、ウェハおよびクッション層は、それらの間に配置された保護フィルム又はシートを用いて、例えば、真空チャンバのようなモニタリングチャンバ内で、ウェハ裏面およびクッション層の裏の面に平行な圧縮力を加えることによって一緒に、圧縮されてもよい。圧力は、例えば、２つの平行な圧縮プレートによって、加えられてもよい。圧縮プレートは、加熱された圧縮プレートでもよく、圧縮処理中に保護フィルム又はシートが加熱されることを可能にする。
クッション層は、ＵＶ線、熱、電界および／または化学剤のような外部刺激によって硬化可能でもよい。この場合、クッション層は、それに対して外部刺激が加えられることによって、少なくとも、ある程度まで硬くなる。たとえば、クッション層は、硬化性樹脂、硬化性接着材、硬化性ゲルなどで形成されてもよい。
クッション層は、その硬化後、ある程度の圧縮性、弾性および／または柔軟性を呈する、すなわち、硬化後に圧縮性、弾性および／または柔軟性を持つように構成されてもよい。たとえば、クッション層は、硬化によってゴムのような状態にもたらされるものでもよい。あるいは、クッション層は、硬化後、剛性があり、硬い状態に達するように構成されてもよい。
本発明の処理方法においてクッション層として使用されるＵＶ硬化性樹脂の好ましい実施例は、DISCO株式会社によるResiFlatとDENKAによるTEMPLOCである。
本発明の方法は、ウェハの一面に保護フィルム又はシートを加えた後に、クッション層を硬化させるようにクッション層に外部刺激を加えるステップを更に含んでもよい。この外部刺激は、ウェハの一面に保護フィルム又はシートを付けた後にクッション層に加えられてもよい。
外部刺激は、ウェハ裏面処理（例えば、研削）の前にクッション層に加えられてもよい。このように、処理中のウェハの保護と処理精度とを更に改善できる。
保護フィルム又はシートは、ウェハからウェハに付けられる硬化可能又は硬化済みクッション層の取り外しを容易にする。特に、保護フィルム又はシートが存在するため、クッション層を、信頼性良く単純な方法でウェハから取り外すことができ、デバイス領域内の、樹脂、接着材、ゲル残渣のようないかなる残渣も防ぐので、デバイスの汚染を防止し、取り外し処理における突出部又は突起の損傷リスクを最小にする。
硬化されたクッション層が、ある程度の圧縮性、弾性および／または柔軟性を呈する場合（すなわち、圧縮性があり、弾性があり、さらに／または柔軟性がある、例えば、硬化後にゴム状になる場合）、特に信頼性良く効率的な方法で、硬化済みクッション層を、硬化後に取り外すことができる。
クッション層が、硬化の際、剛性があり、硬い状態に達するように構成される場合、硬化済みクッション層に外部刺激を加え、少なくとも、ある程度、クッション層を少なくとも一定の程度まで軟化あるいは取り外すことによって、クッション層の、ウェハからの取り外しを容易にしてもよい。例えば、DENKAによるＵＶ硬化性樹脂TEMPLOCで形成された一部のクッション層は、硬化済みクッション層を軟化し、ウェハからクッション層を特に容易に取り外すことを可能にするため、硬化後、当該クッション層に熱湯を加えることによって処置されてもよい。
クッション層は、ウェハの一面に保護フィルム又はシートを加える前に、保護フィルム又はシートの裏の面に付けられてもよい。
この場合、保護フィルム又はシートおよびクッション層は、最初に積層され、クッション層と、クッション層に付けられた保護フィルム又はシートとを備える保護シーティング（sheeting）を形成してもよい。この方法で形成された保護シーティングは、跡でウェハの一面に加えられてもよく、例えば、ウェハの平坦面から突出する突出部又は突起が保護フィルム又はシートによって覆われ、保護フィルム又はシートおよびクッション層に埋め込まれ、クッション層の裏の面は、一面の反対側にあるウェハの面、すなわち、ウェハ裏面に対して実質的に平行である。保護フィルム又はシートの表の面は、保護シーティングがウェハの一面に加えられるとき、ウェハの一面に加えられる。
このように、ウェハ処理方法は、特に単純かつ効率の良い方法で実行可能である。たとえば、保護シーティングを、予め準備し、後の使用の為に貯蔵し、必要なときにウェハ処理の為に使用することができる。そのため、保護シーティングは、時間および費用の点で、大量に製造されてもよく、その生産を特に効率良くさせてもよい。
クッション層は、保護フィルム又はシートをウェハの一面に加えた後に、保護フィルム又はシートの裏の面に付けられてもよい。
この場合、保護フィルム又はシートは、最初に、ウェハの一面に加えられ、その後、保護フィルムを加えられたウェハの一面がクッション層の表の面に付けられるので、例えば、ウェハの平坦面から突出する突出部又は突起は、保護フィルム又はシートおよびクッション層に埋め込まれ、クッション層の裏の面は、一面に対し反対側にあるウェハの面に対して実質的に平行になる。このアプローチは、特に、ウェハの平坦面から突出する突出部又は突起に関して、保護フィルム又はシートが、特に高精度でウェハの一面に付けられることを可能にする。
クッション層は、ウェハの一面に保護フィルム又はシートを付ける前および／または付ける間および／または付けた後に、保護フィルム又はシートの裏の面に付けられてもよい。
本発明の方法は、ウェハから保護フィルム又はシートおよびクッション層を取り外すステップを更に含んでもよい。保護フィルム又はシートおよびクッション層は、研削のような処理の後にウェハから取り外されてもよい。たとえば、保護フィルム又はシートおよびクッション層は、研削の後、切断の前、または研削及び切断の後に、ウェハから取りはずされてもよい。このように、切断処理で得られた個々のチップ又はダイは、単純かつ信頼性の良い方法で分離され、ピックアップ可能である。たとえば、保護フィルムおよびクッション層が、前述した保護シーティングの形式で設けられる場合、保護シーティングは、研削後、または研削及び切断後にウェハから取り外されてもよい。
クッション層および保護フィルム又はシートは、個々に、すなわち、次々と取り外されてもよい。たとえば、クッション層が最初に取りはずされ、その後、保護フィルム又はシートが取り外されてもよい。
ウェハの切断は、保護フィルム又はシートおよびクッション層がウェハから取り外される前に行われてもよい。この場合、ウェハは、切断処理において、保護フィルムおよびクッション層によって安全に保護される。このため、切断処理中のウェハに対する損傷を特に信頼性良く避けることができる。
あるいは、ウェハの切断は、保護フィルム又はシートおよびクッション層をウェハから取り外した後に行われてもよい。このアプローチは、切断ステップの直後に、個々のチップ又はダイが分離され、ピックアップされることを可能にする。この場合、切断処理をウェハの表面から行うことが特に好ましい。
この方法は、クッション層の裏の面にベースシートを付けるステップを更に含んでもよく、ベースシートの表の面はクッション層の裏の面と直接接触する。
ベースシートの材料は、特に制限されない。
ベースシートは、たとえば、高分子材料のような、柔らかく、しなやかな材料（例えば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）又はエチレン酢酸ビニルコポリマ（ＥＶＡ））で形成されてもよい。
あるいは、ベースシートは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）および／またはシリコンおよび／またはガラスおよび／またはステンレス鋼（ＳＵＳ）のような剛性又は硬い材料で形成されてもよい。
たとえば、ベースシートがポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはガラスで形成され、クッション層が外部刺激によって硬化可能である場合、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はガラスを透過可能な放射線（例えば、ＵＶ線）でクッション層が硬化されてもよい。ベースシートがシリコン又はステンレス鋼（ＳＵＳ）で形成される場合、費用効果に優れたベースシートが設けられる。
また、ベースシートは、前述した材料の組合せで形成されてもよい。
ベースシートは、１８０℃以上の温度まで、好ましくは２２０℃以上の温度まで、より好ましくは２５０℃以上の温度まで耐熱性があってもよい。
ベースシートは、３０〜１５００μｍ、好ましくは４０〜１２００μｍ、より好ましくは５０〜１０００μｍの範囲の厚さを有してもよい。特に好ましくは、ベースシートは、３０〜２５０μｍの範囲の厚さを有する。５０μｍのベースシートの厚さが特に好ましい。たとえば、ベースシートは、５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）でもよい。
クッション層およびベースシートは、保護フィルム又はシートをウェハの表面に加える前または加えた後に、保護フィルム又はシートの裏の面に付けられてもよい。特に、保護フィルム又はシートおよびクッション層およびベースシートを最初に積層し、ベースシート、クッション層、クッション層に付けられた保護フィルム又はシートを備える保護シーティングを形成してもよい。この方式で形成された保護シーティングは、その後、ウェハの表面に加えられてもよく、保護フィルム又はシートの表の面はウェハ表面と直接接触する。
保護フィルム又はシートは、高分子のようなプラスチック材料で形成されてもよい。特に好ましくは、保護フィルム又はシートはポリオレフィンで形成される。たとえば、保護フィルム又はシートは、ポリエチレン（ＰＥ）又はポリプロピレン（ＰＰ）で形成されてもよい。
ポリオレフィンフィルムは、本発明のウェハ処理方法で使用する為に特に有利な材料特性を有する。特に、そのようなフィルムは、加熱された状態で（例えば、６０℃〜１５０℃の範囲の温度まで加熱されたとき）、しなやかで、伸ばすことができ、柔らかい。そのため、保護フィルム又はシートが、ウェハの一面においてウェハの面に適合すること（たとえば、ウェハのトポグラフィを吸収すること）を特に信頼性良く確保できる。デバイス領域が、ウェハの平坦面から突出する突出部又は突起で形成される場合、これは特に有利である。
さらに、ポリオレフィンフィルムは、冷却された状態で、より剛性があり、頑丈になるように、冷却の際に硬化し堅くなる。このため、ウェハの後処理（例えば、研削および／または研磨）中、特に信頼性の良いデバイスの保護を確保できる。
保護フィルム又はシートは、５〜２００μｍ、好ましくは８〜１００μｍ、より好ましくは１０〜８０μｍ、更により好ましくは１２〜５０μｍの範囲の厚さを有してもよい。
特に好ましくは、保護フィルム又はシートは、８０〜１５０μｍの範囲の厚さを有する。このように、保護フィルム又はシートが、デバイス領域の外形と有効に適合するのに十分な柔軟性としなやかさを有し、同時に、デバイス領域に形成されたデバイスを信頼性良く、効率良く保護する為に有効な厚さを呈することが確保できる。
本発明は、複数のデバイスを備えたデバイス領域を一面に有する、ウェハを処理する方法であって、この方法が、保護フィルム又はシートを準備するステップと、液体接着材を準備するステップと、液体接着材を保護フィルム又はシートおよび／またはウェハに投与するステップと、を含む、上記方法を更に提供する。さらに、この方法は、ウェハ上のデバイスを覆う為に、ウェハの一面に保護フィルム又はシートを加えるステップと、一面の反対側にあるウェハの面を処理するステップと、を含む。液体接着材は、保護フィルム又はシートの周辺部分のみ、及び／又は、ウェハの周辺部分のみに投与される。
ウェハは、前述した特性、特徴、機能を有してもよい。
保護フィルム又はシートは、前述した特性、特徴、機能を有してもよい。特に、保護フィルム又はシートは、前述したようなクッション層またはクッション層およびベースシートの組み合わせで使用されてもよい。
クッション層は、前述した同一の方法で、保護フィルムの裏の面に付けられてもよい。
ベースシートは、前述した同一の方法で、クッション層の裏の面に付けられてもよい。
一面の反対側にあるウェハの面を処理するステップは、前述した同一の方法で行われてもよい。
この方法によると、液体接着材は、保護フィルム又はシートの周辺部分のみ、及び／又は、ウェハの周辺部分のみに投与される。
このため、接着材によって生じる、保護フィルム又はシートとウェハとの間の接着力は、例えば、接着材がウェハの全表面に加えられる場合と比較すると、相当に減少される。そのため、例えば接着材の接着力によるデバイス領域に形成されるデバイスに対する損傷は、著しく減少され、又は、全体的に防止さえ可能である。
さらに、このように、デバイス領域に形成されたデバイスの可能な（例えばデバイス上の接着残渣による）汚染は、著しく減少され、又は、完全に防止さえ可能である。
保護フィルム又はシートの周辺部分および／またはウェハの周辺部分に液体形式の接着材を投与することによって、接着材を正確かつ効率の良い方法で加えることを可能にする。特に、デバイス領域に形成されたデバイスの汚染を信頼性良く防止するように、正確に接着材を投与することができる。
そのため、この方法は、信頼性良く、デバイス領域を有するウェハの、信頼性良く、効率的な処理を可能にし、ウェハ、特に、デバイス領域内に形成されたデバイスに対する汚染および損傷の危険性を最小にする。
ウェハは、どんな形状を有してもよい。上部における上面視において、ウェハは、たとえば、円形状、楕円形状、長円形状、矩形状または四角形状のような多角形状でもよい。
保護フィルム又はシートは、どんな形状を有してもよい。上部における上面視において、保護フィルム又はシートは、たとえば、円形状、楕円形状、長円形状、矩形状または四角形状のような多角形状でもよい。
保護フィルム又はシートは、ウェハと実質的に同一形状または同一形状を有してもよい。保護フィルム又はシートは、ウェハのデバイス領域と実質的に同一形状または同一形状を有してもよい。
液体接着材は、実質的に環状又は環状形状を有する接着材を形成するように、保護フィルム又はシートの周辺部分のみ、及び／又は、ウェハの周辺部分のみに投与されてもよい。
液体接着材は、連続した接着層を形成するように投与されてもよい。あるいは、液体接着材は、不連続の接着層を形成するように投与されてもよい。特に、液体接着材によって形成される接着層において、接着材は、点形式、（例えば、直線及び／又は湾曲縞などを伴う）縞形式のような不連続形式で設けられてもよい。
接着材は、１８０℃以上の温度まで、好ましくは２２０℃以上の温度まで、より好ましくは２５０℃以上の温度まで耐熱性を有してもよい。
液体接着材は、たとえば、BrewerBOND（登録商標）２２０材料（http://www.brewerscience.com/product-categories/wafer-level-packaging/を参照）のようなBrewer Scienceによって生産される液体接着材でもよい。
液体接着材は、ディスペンサによって投与されてもよい。ディスペンサは、たとえば、機械的ディスペンサまたはエアパルスディスペンサでもよい。
ディスペンサは、たとえば、ディスペンサML-5000XII(http://www.musashi-engineering.co.jp.e.cn.hp.transer.com/ products/を参照)のようなMusashi Engineeringによって生産されたディスペンサでもよい。
保護フィルム又はシートは、保護フィルム又はシートの周辺部分及び／又はウェハの周辺部分に投与された接着剤を通してウェハの一面に付けられてもよい。
特に、液体接着材は、保護フィルム又はシートの周辺部分および／またはウェハの周辺部分に投与されてもよく、保護フィルム又はシートは、保護フィルム又はシートが接着材を通してウェハの周辺部分に付けられるように、ウェハの一面に加えられてもよい。
一部の実施形態において、液体接写区材は、保護フィルム又はシートの周辺部分だけに投与されるが、ウェハには投与されない。他の実施形態において、液体接着材は、ウェハの周辺部分だけに投与されるが、保護フィルム又はシートには投与されない。さらに、液体接着材は、保護フィルム又はシートの周辺部分およびウェハの周辺部分に投与されてもよい。
保護フィルム又はシートは、液体接着材を投与する前にウェハの一面に付けられてもよい。
特に、保護フィルム又はシートは、前述した方法で、保護フィルム又はシートをウェハの一面に加える間および／または加えた後に保護フィルム又はシートを加熱することによってウェハの一面に付けられてもよい。保護フィルム又はシートは、前述したアプローチを使用することによって、ウェハの一面に付けられてもよい。
続いて、保護フィルム又はシートがウェハの一面に付けられた後、液体接着材が投与されてもよい。液体接着材は、周辺部分において、保護フィルム又はシートとウェハとの間に存在し得る隙間を密封または覆うように投与されてもよい。液体形式の接着材を投与することによって、そのような隙間が効率良く密封され、或いは、覆われることが、特に信頼性良く確保できる。
液体接着材は、保護フィルム又はシートをウェハの一面に加える前および／またはウェハの一面に保護フィルム又はシートを加えた後に、保護フィルム又はシートおよび／またはウェハに投与されてもよい。液体接着材は、保護フィルム又はシートをウェハの一面に加えた後、ウェハの一面に保護フィルム又はシートを付ける前、保護フィルム又はシートおよび／またはウェハに投与されてもよい。
液体接着材は、保護フィルム又はシートをウェハの一面に加えた後、保護フィルム又はシートおよび／またはウェハに投与されてもよく、保護フィルム又はシートは、このように投与された接着材によってウェハの一面に付けられてもよい。この場合も、接着材を液体方式で投与することによって、特に正確かつ効率の良い方法で接着材を加えることを可能にする。
液体接着材は、保護フィルム又はシートおよび／またはウェハに投与されてもよいので、保護フィルム又はシートをウェハの一面に加えた後は、ウェハのデバイス領域に何も接着材が存在しない。特に、接着材は、ウェハの表面の周辺限界領域だけに存在してもよいが、周辺限界領域は、デバイスを持たず、デバイス領域の周りに形成される。保護フィルム又はシートをウェハの一面に加えた後、保護フィルム又はシートの、接着材が存在しない区域は、ウェハのデバイス領域と実質的に同一の形状および／またはサイズを有してもよい。
液体接着材は、保護フィルム又はシートの表の面、すなわち、保護フィルム又はシートの、ウェハに加えられる面の周辺部分のみ及び／又は保護フィルム又はシートの周辺側縁のみに投与されてもよい。
液体接着材は、ウェハの表の面の周辺部分および／またはウェハの周辺側縁に投与されてもよい。
保護フィルム又はシートは、ウェハの外径より大きな外径を有してもよい。
保護フィルム又はシートは、ウェハの外径より小さな外径を有してもよい。
保護フィルム又はシートは、ウェハの外径と実質的に同一の外径を有してもよい。
保護フォルム又はシートは、デバイス領域の外径と実質的に同一の外径を有してもよい。
以下、添付図面を参照して、本発明の非限定的実施例を説明する。
図１は、本発明の方法によって処理されるウェハを示す横断面図である。 図２は、本発明の方法の第１実施形態に従うウェハに保護フィルムを加えるステップを示す横断面図である。 図３は、第１実施形態に従うウェハに保護フィルムを加えるステップを示す斜視図である。 図４は、第１実施形態に従う保護フィルムに熱および圧力を加えるステップを示す横断面図である。 図５は、第１実施形態の変形実施例に従う保護フィルムに熱および圧力を加えるステップを示す横断面図である。 図６は、本発明の方法の第２実施形態に使用される環状フレームおよび保護フィルムを示す横断面図である。 図７は、第２実施形態に従う保護フィルムに熱および圧力を加えるステップを示す横断面図である。 図８は、図７に示された保護フィルムに熱および圧力を加えるステップの結果を示す横断面図である。 図９は、本発明の方法の第３実施形態に従う保護フィルムに熱および圧力を加えるステップを示す横断面図である。 図１０は、本発明の方法の第４実施形態に従う保護フィルムに熱および圧力を加えるステップの結果を示す横断面図である。 図１１は、第４実施形態に従う保護フィルムの一部分を切り離すステップを示す横断面図である。 図１２は、図１１に示された保護フィルムの一部分を切り離すステップの結果を示す横断面図である。 図１３は、第４実施形態に従うウェハ裏面を研削するステップの結果を示す横断面図である。 図１４は、本発明の方法の第５実施形態に従うウェハ裏面を研削するステップの結果を示す横断面図である。 図１５は、第５実施形態に従う保護フィルムの一部分を切り離すステップを示す横断面図である。 図１６は、図１５に示された保護フィルムの一部分を切り離すステップの結果を示す横断面図である。 図１７は、本発明の方法の第６実施形態に使用されるクッション層および保護フィルムを示す横断面図である。 図１８は、第６実施形態に従う保護フィルムに熱および圧力を加えるステップの結果を示す横断面図である。 図１９は、本発明の方法の第７実施形態に従う保護フィルムに熱および圧力を加えるステップの結果を示す横断面図である。 図２０は、本発明の方法の第７実施形態の変形実施例に従う保護フィルムに熱および圧力を加えるステップの結果を示す横断面図である。 図２１は、第７実施形態の変形実施例に従うウェハ裏面を研削するステップの結果を示す横断面図である。 図２２は、本発明の方法の第８実施形態に使用される環状フレーム、クッション層、保護フィルムを示す横断面図である。 図２３は、第８実施形態に従う保護フィルムに熱および圧力を加える捨て婦を示す横断面図である。 図２４は、本発明の方法の第９実施形態に従うウェハに接着材を投与するステップ、保護フィルムを加えるステップを示す横断面図である。 図２５は、本は発明の方法の第１０実施形態に従うウェハに接着材を投与するステップ、保護フィルムを加えるステップの結果を示す横断面図である。 図２６は、本発明の方法の第１１実施形態に従うウェハに接着材を投与するステップ、保護フィルムを加えるステップを示す横断面図である。 図２７は、本発明の方法の第１２実施形態に従うウェハに接着材を投与するステップ、保護フィルムを加えるステップを示す横断面図である。 図２８は、本発明の方法の第１３実施形態に従うウェハに接着材を投与するステップ、保護フィルムを加えるステップを示す横断面図である。 図２９は、本発明の方法の第１４実施形態に従うウェハに接着材を投与するステップ、保護フィルムを加えるステップの結果を示す横断面図である。
好ましい実施形態の詳細な説明
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を説明する。好ましい実施形態は、ウェハＷを処理する為の方法に関する。
ウェハＷは、たとえば、ウェハＷの表面１の面にＭＥＭＳデバイスが形成されたＭＥＭＳウェハでもよい（図１を参照）。しかしながら、ウェハＷはＭＥＭＳウェハに限定されるものではなく、好ましくは固体撮像素子としてＣＭＯＳデバイスを有するＣＭＯＳウェハでもよく、これらは、ウェハＷの表面１上に、あるいは、表面１上の他の型式のデバイスと共にウェハ上に形成される。
ウェハＷは、半導体、例えば、シリコンで形成されてもよい。そのようなシリコンウェハＷは、シリコン基板上に、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）のようなデバイスを含むことができる。あるいは、ウェハは、例えば、セラミック、ガラス、サファイアの有機材料基板上に、ＬＥＤ（発光ダイオード）のような光学デバイスを形成することによって構成される光学デバイス用ウェハでもよい。ウェハＷは、これに限定されるものではなく、任意の他の方法で形成可能である。さらに、前述した例示的ウェハ設計の組み合わせも可能である。
ウェハＷは、研削する前にμｍの範囲、好ましくは６２５〜９２５μｍの範囲の厚さを有し得る。
ウェハＷは、好ましくは円形状を呈する。しかしながら、ウェハＷの形状は、特に限定されない。他の実施形態において、ウェハＷの形状は、たとえば、楕円形状、長円形状、矩形状又は四角形状のような多角形状でもよい。
ウェハＷには、その表面１に形成されたストリートと呼ばれる複数の交差分割ライン１１（図３を参照）が設けられ、それによって、前述されたようなデバイスがそれぞれ形成される複数の矩形区域にウェハＷが区切られる。これらのデバイス７は、ウェハＷのデバイス領域２に形成される。円形ウェハＷの場合、このデバイス領域２は、好ましくは、円形であり、ウェハＷの外周と同心で配置される。
デバイス領域２は、例えば、図１−図３に概略的に示されるように、環状周辺限界領域３によって囲まれる。この周辺限界領域３には、デバイスが形成されない。周辺限界領域３は、好ましくは、ウェハＷの外周および／またはデバイス領域２に対して同心で配置される。周辺限界領域３の径方向拡張部は、ｍｍ範囲、好ましくは、１−３ｍｍである。
デバイス領域２は、複数の突出部１４で形成され、突出部１４は、例えば、図１−図２に概略的に示されるように、ウェハＷの平坦な面から突出している。突出部１４は、例えば、分離されたダイにおけるデバイス領域のデバイス７と電気的接触を確立する為のバンプでもよい。ウェハＷの厚さ方向における突出部１４の高さは、２０−５００μｍの範囲でもよい。
以下、図１−図５を参照して、本発明の第１実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に従う方法によって処理されるウェハＷの横断面図を示す。図２及び図３は、この第１実施形態に従う方法を処理する第１ステップを示す。このステップにおいて、ウェハＷ上でデバイス７を覆う為の保護フィルム４は、図２において矢印で表示されるように、ウェハＷの表面１に加えられる。
保護フィルム４は、ウェハＷと同一形状、すなわち、本実施形態では円形状を有し、ウェハＷに同心で付けられるのが好ましい。保護フィルム４の直径は、図２〜図４に概略的に示されるように、ウェハＷの直径とほぼ同一である。
保護フィルム４は、突出部１４を含む、デバイス領域２に形成されたデバイス７を覆うので、損傷または汚染からデバイス７を保護する。さらに、保護フィルム４は、後述するように、ウェハＷの後の処理、例えば、後の研削ステップにおいて、クッションとして作用する。
保護フィルム４は、図２に示されるように、表の面４ａおよび裏の面４ｂを有する。保護フィルム４は、ウェハＷの表面１に加えられるので、保護フィルム４の表の面４ａは、ウェハ表面１と直接接触する。そのため、保護フィルム４の表の面４ａとウェハＷの表面１との間には、何も材料、特に接着材が存在しない（図２−図４を参照）。
保護フィルム４は、ポリオレフィンで形成される。たとえば、保護フィルム４は、ポリエチレン（ＰＥ）又はポリプロピレン（ＰＰ）で形成されてもよい。
保護フィルム４は、５〜２００μｍ、好ましくは８０〜１５０μｍの範囲の厚さを有してもよい。たとえば、保護フィルム４は、８０μｍの厚さを有してもよい。
保護フィルム４をウェハＷの表面１に加えた後、ほぼ膜４は加熱され、保護フィルム４がウェハ表面１に付けられる。
特に、保護フィルム４が加えられたウェハＷは、チャックテーブル２０上に置かれ（図４を参照）、チャックテーブル２０は、例えば、６０℃〜１５０℃の範囲の温度まで加熱されてもよい。特に好ましくは、チャックテーブル２０は、およそ１００℃の温度まで加熱される。チャックテーブル２０は、例えば、１分〜１０分の範囲の時間を越えて加熱されてもよい。
さらに、図４に示されるように、ローラ３０によって圧力が保護フィルム４の裏の面４ｂに加えられる。ローラ３０は、図４の矢印によって示されるように、保護フィルム４の裏の面４ｂに沿って移動され、保護フィルム４をウェハＷの表面１に押しつける。
ローラ３０は、加熱されたローラでもよい。加熱されたチャックテーブル２０を通して保護フィルム４を加熱することに加えて、あるいは、それに対する代替案として、加熱されたローラ３０によって保護フィルム４に熱が加えられてもよい。
加熱されたチャックテーブル２０及び／又は加熱されたローラ３０を使用して、保護フィルム４を加熱することによって、保護フィルム４は、ウェハＷの表面１に付けられる。
特に、保護フィルム４をウェハＷの所定位置に保持し、保護フィルム４とウェハＷを付ける力は、加熱処理を通して発生される。特に、保護フィルム４を加熱することによって、保護フィルム４とウェハＷとの間に形態嵌合（form fit）及び／又は材料結合（material bond）が形成される。
保護フィルム４の裏の面４ｂに圧力を加えることによって、保護フィルム４の表の面４ａは、ウェハＷの表面１に押しつけられる。そのため、保護フィルム４が信頼性良くウェハＷに付けられることが特に効率良く確保できる。
保護フィルム４の付けられた状態において、ウェハＷの平坦な面から突き出る突出部１４は、図４に概略的に示されるように、保護フィルム４に十分に埋め込まれる。
ウェハＷの表面１に保護フィルム４を付けた後、ウェハＷの表面１に対して反対側にあるウェハＷの裏面６（図１−図３を参照）が処理される。ウェハＷの裏面６は、研削及び／又は研磨及び／又はエッチング及び／又は切断によって処理されてもよい。ウェハＷの裏面６は、研削によって処理されるのが特に好ましい。
特に、保護フィルム４が付けられたウェハＷは、チャックテーブル２０から取り外され、向きが変えられ、ウェハの裏面６が上方に面してもよい。その後、ウェハ裏面６の、例えば、研削による処理が行われてもよい。そのような研削処理は、図１３を参照して、本発明の方法の第４実施形態で後述される。
ウェハＷの裏面６を研削するような処理中、チャックテーブルのような支持体（図示せず）上にウェハＷを置くことができるので、保護フィルム４の裏の面４ｂは、支持体の上面と接触する。保護フィルム４は、ウェハＷ、特に、デバイス７及び突出部１４をウェハ処理中の損傷から信頼性良く保護する。
ウェハＷの裏面６が研削された後、ウェハＷは分割ライン１１に沿って切断されてもよく、個々のチップ又はダイ（図示せず）が得られる。
たとえば、保護フィルム４は、ウェハＷの裏面６の研削後、ウェハＷから取り外（例えば、剥離）されてもよい。この取り外し処理は、それをウェハＷから取り外す前および／または取り外す間に、保護フィルム４を例えば加熱することによって、容易にされてもよい。
その後、ウェハＷは、ウェハＷの表面１から分割ライン１１に沿って切断されてもよい。このように、互いに十分に分離されたチップ又はダイが得られる。ウェハＷの切断は、（例えば、ブレード又は鋸を使用する）機械的切断および／またはレーザによる切断および／またはプラズマによる切断によって行われてもよい。
切断ステップにおいて、チップ又はダイが完全に互いに分離された後、チップ又はダイは、例えば、ピックアップデバイス（図示せず）を使用することによって、ピックアップ可能である。個々のチップ又はダイの間の間隔は、ピックアップ処理を容易にするため、ピックアップ処理前に増加することができる。
図５は、本発明の方法の第１実施形態の変形実施例に従う保護フィルム４に熱及び圧力を加えるステップを示す。この変形実施例は、保護フィルム４の直径がウェハＷの外径より小さい点でのみ、第１実施形態と異なる。特に、保護フィルム４の直径は、デバイス領域２の外径と実質的に同一でもよい。
以下、図６〜図８を参照して、本発明の第２実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。
第２実施形態に従う方法は、保護フィルム４の直径が環状フレーム４０に付けられる保護フィルム４の外周部分およびウェハＷの外径より大きい点で異なる（図６〜図８を参照）。第２実施形態の説明において、第１実施形態の要素と実質的に同一の要素を同一の参照符合で示し、重複する詳細な説明を省略する。
図６は、環状フレーム４０に保護フィルム４を付ける前の環状フレーム４０および保護フィルム４を示す。保護フィルム４および環状フレーム４０の付けられた状態は、図７及び図８に示される。
特に、保護フィルム４の外周部分は環状フレーム４０に付けられるので、保護フィルム４は、環状フレーム４０の中央開口部を閉じる。このように、保護フィルム４、特に、その中央部分に付けられるウェハＷは、保護フィルム４を介して環状フレーム４０によって保持される。そのため、ウェハＷ、保護フィルム４，環状フレーム４０を備えるウェハユニットが形成され、ウェハＷの処理、取扱い、及び／又は運搬が容易になる（図７及び図８を参照）。
本実施形態において、保護フィルム４の外周部分を環状フレーム４０に付けるステップは、ウェハＷに保護フィルム４を加える前に行われるのが好ましい。このように、保護フィルム４をウェハＷに加えるステップは、例えば、ウェハＷの取扱い及び運搬の為に環状フレーム４０を使用して、更に容易にされる。
図６〜図８に示されるように、保護フィルム４の外周部分は、環状接着層４２を介して環状フレーム４０に付けられる。接着層４２は、保護フィルム４および環状フレーム４０のあいだに配置される。
保護フィルム４をウェハＷに加えた後、図４を参照して第１実施形態で前述された同一の方法で保護フィルム４に熱及び圧力が加えられ、それによって、保護フィルム４をウェハＷに付ける（図７を参照）。
図８は、図７で示された保護フィルム４に熱及び圧力を加えるステップの結果を示す。図８に示されるように、突出部１４から始まるウェハトポグラフィは、保護フィルム４によって十分に吸収されない。そのため、保護フィルム４の裏の面４ｂに表面むらが発生する。そのような表面むらは、比較的高さの高い突出部１４の場合に生じる。この場合、ウェハトポグラフィを十分に吸収することが望まれるなら、本発明に従う方法の第４実施形態から第８実施形態で詳細に後述されるように、クッション層が保護フィルム４の裏の面４ｂに設けられてもよい。
ウェハＷに保護フィルム４を付けた後、ウェハＷは、第１実施形態で前述された実質的に同一の方法で処理されてもよい。
以下、図９を参照して、本発明の第３実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。
第３実施形態に従う方法は、保護フィルム４をウェハＷに加える処理、さらに、保護フィルム４の裏の面４ｂに圧力を加える処理において、第１実施形態に従う方法とは異なる。第３実施形態の説明において、先の実施形態の要素と実質的に同一の要素を同一の参照符合で示し、重複する詳細な説明を省略する。
特に、保護フィルム４は、図９に示されるように、真空ラミネート装置を使用することによってウェハＷの表面１に加えられる。この真空ラミネート装置において、ウェハＷは、ウェハ裏面６がチャックテーブル２０の上面と接触してウェハ表面１が上方に向けられる状態で、真空チャンバ（図示せず）内のチャックテーブル２０上に置かれる。チャックテーブル２０は、加熱されたチャックテーブルである。
保護フィルム４は、ウェハ表面１及び保護フィルム４の間に配置された環状スペーサ６０によって、その周辺部分で保持される。このように、保護フィルム４は、真空チャンバ内のウェハ表面１の上方に置かれる（図９を参照）。チャックテーブル２０の上方に位置される真空チャンバの上部と保護フィルム４には、拡張可能なゴム製膜５２によって閉じられる空気入口ポート５０が設けられる。
ウェハＷおよび保護フィルム４が真空チャンバにロードされた後、チャンバは排気され、空気がゴム製膜５２へと空気入口ポート５０を通って供給され、ゴム製膜５２を排気済みチャンバに拡張させる。このように、ゴム製膜５２は、図９の矢印で示されるように、保護フィルム４をウェハ表面１に押しつけるように真空チャンバ内を下方に移動し、保護フィルム４をウェハ表面１上のデバイス領域７に押しつける。
このため、デバイス領域７の外形、特に、その中に存在する突出部１４の外形に追従するように、保護フィルム４をウェハ表面１に密着させることができる。
保護フィルム４は、ウェハ表面１に加える間および／または加えた後、チャックテーブル２０の加熱によって加熱される。
ゴム製膜５２は、保護フィルム４をウェハＷに加えた後、保護フィルム４の裏の面４ｂに圧力を加える為に更に使用される。このように、保護フィルム４が信頼性良くウェハＷに付けられることが効率的に確保される。
続いて、真空チャンバ内の真空が解除され、保護フィルム４は、真空チャンバ内の正圧および加熱処理を介して発生された付ける力によって、ウェハ表面１上の所定位置に保持される。
あるいは、ゴム製膜５２を、柔らかいスタンプ又は柔らかいローラ（例えば、加熱されたソフトスタンプ又は加熱された柔らかいローラ）によって置き換えることができる。
保護フィルムをウェハＷに付けた後、ウェハＷは、第１実施形態で前述された実質的に同一の方法で処理されてもよい。
以下、図１０〜図１３を参照して、本発明の第４実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。
第４実施形態に従う方法は、クッション層８及びベースシート９が保護フィルム４の裏の面４ｂに設けられる点で第２実施形態に従う方法とは異なる（例えば、図１０を参照）。第４実施形態の説明において、先の実施形態の要素と実質的に同一の要素を同一の参照符合で示し、重複する説明を省略する。
特に、クッション層８は、保護フィルム４の裏の面４ｂに付けられ、クッション層８の表の面は、保護フィルム４の裏の面４ｂに直接接触する。
図１０に示されるように、突出部１４は、保護フィルム４及びクッション層８に埋め込まれる。このため、ウェハトポグラフィは、十分に吸収される。
クッション層８は、樹脂、接着材、ゲル等で形成されてもよい。クッション層８の厚さは、２０〜３００μｍの範囲内でもよい。
ベースシート９は、クッション層８の裏の面に付けられ、ベースシート９の表の面は、クッション層８の裏の面に直接接触する。
ベースシート９の材料は、特に制限されない。
ベースシート９は、柔らかく、しなやかな材料、たとえば、高分子材料（例えば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ），エチレン酢酸ビニルコポリマ（ＥＶＡ））で形成されてもよい。
あるいは、ベースシート９は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及び／又はシリコン及び／又はガラス及び／又はステンレス鋼（ＳＵＳ）のような剛性又は硬い材料で形成されてもよい。
たとえば、ベースシート９がポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はガラスで形成され、クッション層８が外部刺激によって硬化可能である場合、クッション層８は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はガラスを透過可能な放射線（例えばＵＶ線）で硬化されてもよい。ベースシート９がシリコン又はステンレス鋼（ＳＵＳ）で形成される場合、費用効果に優れたベースシート９が設けられる。
また、ベースシート９は、前述した材料の組合せで形成することも可能である。
ベースシート９は、３０−１５００μｍ、好ましくは４０−１２００μｍ、より好ましくは５０−１０００μｍの範囲の厚さを有してもよい。特に好ましくは、ベースシート９の厚さは、３０〜２５０μｍの範囲内にある。ベースシート９の厚さは、５０μｍが特に好ましい。たとえば、ベースシート９は、５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムでもよい。
ベースシート９及びクッション層８は、各々が実質的に円形状を有する。ベースシート９及びクッション層８の直径は、お互いに実質的に同一であり、ウェハＷの直径より大きい。ベースシート９及びクッション層８の直径は、保護フィルム４の直径より小さい。
クッション層８及びベースシート９は、保護フィルム４がウェハＷの表面１に加えられる前または加えられた後に、保護フィルム４の裏の面４ｂに付けられてもよい。特に、保護フィルム４，クッション層８，ベースシート９は、最初に積層され、ベースシート９，クッション層８，クッション層８に付けられる保護フィルム４を備える保護シーティング（sheeting）を形成する。この方式で形成された保護シーティングは、ウェハＷの表面１に後で加えられ、保護フィルム４の表の面４ａがウェハ表面１と直接接触してもよい。
その後、保護フィルム４は、保護シーティングをウェハＷの表面１に付けるように加熱される。保護フィルム４は、第１実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で、すなわち、加熱されたチャックテーブル２０によって加熱されてもよい（図１０を参照）。
さらに、２つの平行な圧縮プレートを使用して圧力がベースシート９の裏の面９ｂに加えられる。圧縮を加える処理において、一つのプレートは、ベースシート９の裏の面９ｂを押しつけ、他のプレートは、ウェハＷの裏面６を押しつける。このように、図１０の点線矢印で示すように、ベースシート９の裏の面９ｂがウェハ裏面６に対して実質的に平行になることが確保できる。
圧縮プレートは、加熱された圧縮プレートでもよく、これは、ウェハＷを介する、及び／又はベースシート９及びクッション層８を介する圧縮処理中、保護フィルム４が加熱されることを可能にする。この加熱処理は、加熱されたチャックテーブル２０による保護フィルム４の加熱に追加して、あるいは、代替で、行われてもよい。
クッション層８は、ＵＶ線、熱、電界及び／又は化学剤のような外部刺激によって硬化可能でもよい。この場合、クッション層８は、クッション層８に外部刺激が加えられる際、少なくとも、ある程度まで硬化する。たとえば、クッション層８は、硬化性樹脂、硬化性接着材、硬化性ゲルなどで形成されてもよい。
この実施形態においてクッション層８として使用する為のＵＶ硬化性樹脂の好ましい実施例は、DISCO株式会社によるResiFlatと、DENKAによるTEMPLOCである。
この実施形態の方法は、ウェハＷの表面１に保護フィルム４を加えた後、クッション層８を硬化させるようにクッション層８に外部刺激を加えるステップを更に含んでもよい。外部刺激は、ウェハ表面１に保護フィルム４を付けるステップの後、クッション層８に加えられてもよい。
外部刺激は、ウェハ裏面６の処理前に、例えば研削前に、クッション層８に加えられてもよい。このように、処理中のウェハＷの保護と、処理の精度とが更に改善可能である。
図１１は、保護フィルム４、クッション層８、ベースシート９の部分を切り離す後のステップを示すが、これらは、図１１の点線及び矢印によって示されるように、ウェハＷの周囲を越えて側方に拡張する。これらの部分は、たとえば、機械的切断（例えばブレード又は鋸を使用）、レーザ切断、プラズマ切断によって、切り離されてもよい。これらの部分の切り離しは、後の処理ステップにおけるウェハユニットの取扱いを容易にする。
図１２は、図１１に示された切断ステップの結果を示す。
この切断ステップの後、ウェハＷの裏面６は処理、すなわち、研削処理を受けるが、以下、詳述する。
バックシート９の裏の面９ｂは、平坦で平らな面であるが、チャックテーブル（図示せず）の最上面に置かれる（チャックテーブルは、図１０におけるチャックテーブル２０と同一であってもよい）。その後、ウェハＷの裏面６は、ウェハの厚さを調整する為に、例えば、およそ２０〜１００μｍの範囲内の値まで研削される。この厚さは、チップ又はダイの最終的な厚さでもよい。図１３は、この研削ステップの結果を示す。
ウェハＷの裏面６の研削ステップは、研削装置（図示せず）を使用して行われてもよい。研削装置は、スピンドルハウジングと、スピンドルハウジング内に回転できるように収容されたスピンドルと、スピンドルの下端に装着された研削ホィールとを備えてもよい。複数の研磨部材が研削ホィールの下面に固定されてもよく、各研磨部材は、金属結合や樹脂結合のような結合でダイヤモンド研磨粒子を固定することによって構成されたダイヤモンド研磨部材から形成されてもよい。研磨部材を有する研削ホィールは、例えば、モータを使用してスピンドルを駆動することによって高速で回転される。
研削ステップにおいて、ウェハユニットを保持するチャックテーブルと研削装置の研削ホィールとが回転し、研削ホィールの研磨部材をウェハＷの裏面６と接触させるように研削ホィールが下降するので、裏面６が研削される。
ベースシート９の平坦な裏の面９ｂは、研削装置のチャックテーブルの最上面に置かれ、ウェハＷの裏面６と実質的に平行であるので（図１０を参照）、研削処理中に研削ホィールによってウェハＷに加えられる圧力は、ウェハＷにわたって、均一かつ均質に分布される。このため、ウェハＷの割れやパターン転写の危険性は最小になる。さらに、バックシート９の平らな均一な裏の面９ｂとウェハＷの裏面６との実質的に平行な整列は、高精度で研削ステップが実行されることを可能にするので、研削後、特に一様な均質なウェハの厚さを達成する。
ウェハＷの更なる処理、すなわち、その切断および分離されたチップ又はダイのピックアップは、第１実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で行われてもよい。
以下、図１４〜図１６を参照して、本発明の第５実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。
第５実施形態に従う方法は、保護フィルム４の切断とウェハ裏面６の研削の順序において、第４実施形態に従う方法と異なる。第５実施形態の説明において、先の実施形態の要素と実質的に同一の要素を同一の参照符合で示し、重複する詳細な説明を省略する。
特に、第５実施形態の方法において、保護フィルム４が環状フレーム４０に付けられている間にウェハＷの裏面６が最初に研削される。研削ステップの結果は、図１４に示される。ウェハ裏面６は、図１３を参照して第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で研削される。
その後、保護フィルム４，クッション層８，ベースシート９の部分は、ウェハＷの周囲を越えて側方に拡張するが、これらは、図１５の点線及び矢印によって示されるように、切り離される。この切断ステップは、図１１を参照して第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で実施される。図１６は、図１５に示された切断ステップの結果を示す。
ウェハＷの更なる処理、すなわち、その切断、分離されたチップ又はダイのピックアップは、第１実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で行われてもよい。
以下、図１７および図１８を参照して、本発明の第６実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。
第６実施形態に従う方法は、クッション層８が保護フィルム４の裏の面４ｂに設けられる点で、第１実施形態に従う方法と異なる（図１７及び図１８を参照）。さらに、第６実施形態に従う方法は、とりわけ、クッション層８の裏の面８ｂに何もベースシートが設けられない点で、第４実施形態及び第５実施形態に従う方法と異なる。第６実施形態の説明において、先の実施形態の要素と実質的に同一の要素を同一の参照符合で示し、重複する詳細な説明を省略する。
第６実施形態の方法において、保護シーティング１０は、図１７に示されるように、保護フィルム４の裏の面４ｂにクッション層８を付けることによって形成される。そのため、保護シーティング１０は、保護フィルム４と、それに付けられるクッション層８とを備える。クッション層８は、第４実施形態の為に前述された同一特性および特徴を有してもよい。
保護フィルム４及びクッション層８の直径は、お互いに実質的に同一であり、ウェハＷの直径と同一である（図１８を参照）。
保護シーティング１０は、ウェハＷの表面１に加えられ、保護フィルム４の表の面４ａは、ウェハ表面１と直接接触する。その後、保護フィルム４は、ウェハＷの表面１に保護シーティング１０を付けるように加熱される。保護フィルム４は、第１実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で、すなわち、加熱されたチャックテーブル２０によって加熱されてもよい（図１８を参照）。
さらに、圧力は、２つの平行な圧縮プレートを使用することによって、クッション層８の裏の面８ｂに加えられる。圧力を加える処理において、一方のプレートは、クッション層８の裏の面８ｂを押しつけ、他方のプレートは、ウェハＷの裏の面６を押しつける。このように、クッション層８の裏の面８ｂがウェハ裏面６に対して実質的に平行になることが確保できる。
圧縮プレートは、加熱された圧縮プレートでもよく、これは、ウェハＷを介する、及び／又はクッション層８を介する圧縮処理中に保護フィルム４が加熱されることを可能にする。この加熱処理は、加熱されたチャックテーブル２０による保護フィルム４の加熱に追加して、あるいは、代替で行われてもよい。
熱及び圧力を保護フィルム４に加えるステップの結果が、図１８に示される。この図に示されるように、突出部１４から始まるウェハトポグラフィは、保護フィルム４及びクッション層８によって十分に吸収される。
クッション層８は、硬化可能な材料で形成され、第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で硬化されてもよい。
その後、ウェハＷの裏面６は、第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で研削される。
ウェハＷの更なる処理、すなわち、その切断、分離されたチップ又はダイのピックアップは、第１実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で行われてもよい。
以下、図１８〜図２１を参照して、本発明の第７実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。
第７実施形態に従う方法は、ベースシート９がクッション層８の裏の面８ｂに付けられる点で、第６実施形態に従う方法と異なる。第７実施形態の説明において、先の実施形態の要素と実質的に同一の要素を同一の参照符合で示し、重複する詳細な説明を省略する。
ベースシート９は、クッション層８の裏の面８ｂに付けられ、ベースシート９の表の面は、クッション層８の裏の面８ｂと直接接触する（図１９を参照）。ベースシート９は、第４実施形態の為に前述された同一の特性及び特徴を有してもよい。
保護フィルム４、クッション層８，ベースシート９の直径は、お互いに実質的に同一であり、ウェハＷの直径と同一である（図１９を参照）。
保護フィルム４，クッション層８，ベースシート９は、第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法でウェハ表面１に付けられてもよい。
この付ける処理の結果は、図１９に示される。ベースシート９の裏の面９ｂは、図１９で点線の矢印で示されるように、ウェハＷの裏面６に対して実質的に平行である。
その後、ウェハＷの裏面６は、第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で研削される。
ウェハＷの更なる処理、すなわち、その切断、分離されたチップ又はダイのピックアップは、第１実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で行われてもよい。
図２０及び図２１は、本発明の方法の第７実施形態の変形実施例を示す。この変形実施例は、主に、保護フィルム４がクッション層８より小さな直径を有し、クッション層８が保護フィルム４にリーチオーバーする点で、第７実施形態と異なる。
特に、保護フィルム４は、ウェハＷのデバイス領域２の直径と実質的に同一の直径を有する（図２０，図２１を参照）。
保護フィルム４，クッション層８，ベースシート９は、第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で、ウェハ表面１に付けられてもよい。この付ける処理の結果は、図２０に示される。
この図に示されるように、クッション層８は、保護フィルム４の外周を囲み、ウェハ表面１と直接接触する。この配置は、特に安定した頑丈な保護シーティングのアタッチメント、特に、保護フィルム４の、ウェハ表面１に対するアタッチメントを与える。このアタッチメント強度は、クッション層８を硬化させることによって更に増強されてもよい。
その後、ウェハＷの裏面６は、第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で研削される。この研削処理の結果は、図２１に示される。
ウェハＷの更なる処理、すなわち、その切断、分離されたチップ又はダイのピックアップは、第１実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で行われてもよい。
以下、図２２及び図２３を参照して、本発明の第８実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。
第８実施形態に従う方法は、クッション層８が保護フィルム４の裏の面４ｂに設けられる点で、第２実施形態に従う方法と異なる（例えば、図２２を参照）。第８実施形態の説明において、先の実施形態の要素と実質的に同一の要素を同一の参照符合により示し、重複する詳細な説明を省略する。
クッション層８は、第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で、保護フィルム４の裏の面４ｂに付けられてもよい。
保護フィルム４及びクッション層８の直径は、お互いに実質的に同一であり、ウェハＷの直径より大きい（図２３を参照）。
保護シーティングは、保護フィルム４及びクッション層８を備えるが、第２実施形態の保護フィルム４の為に前述された実質的に同一の方法で、ウェハ表面１に付けられる。特に、保護シーティングをウェハ表面１に加えた後、保護シート４は、加熱されたチャックテーブル２０および／または加熱されたローラ３０によって加熱される（図２３を参照）。
さらに、ローラ３０によって、クッション層８の裏の面８ｂに圧力が加えられる。
保護シーティングをウェハＷの表面１に付けた後、ウェハＷの裏面６は、第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で研削される。
ウェハＷの更なる処理、すなわち、その切断および分離されたチップ又はダイのピックアップは、第１実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で行われてもよい。
以下、図２４を参照して、本発明の第９実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。
第９実施形態に従う方法は、特に、接着層１２が保護フィルム４及びウェハＷの周辺部分に設けられる点で、第１実施形態に従う方法と異なる。第９実施形態の説明において、先の実施形態の要素と実質的に同一の要素を同一の参照符合により示し、重複する詳細な説明を省略する。
前述された突出部１４のような、ウェハＷの平坦面から突出する突出部または突起は、図２４では省略されるが、そのような突出部又は突起は、ウェハＷのデバイス領域７に存在してもよい。
第９実施形態の方法において、液体接着材が、保護フィルム４に更に／又はウェハＷに、例えばディスペンサ（図示せず）によって、ウェハＷ上のデバイス７を覆う為に、ウェハＷの表面１に保護フィルム４を加える前に、投与される。このように、接着層１２は、図２４に示されるように形成される。液体接着材は、保護フィルム４の周辺部分だけに、更に／又はウェハＷの周辺部分だけに投与される。接着層１２は、環状形状を有する。接着層１２は、ウェハＷのデバイス領域２に何も接着材が存在しないように配置される。
液体接着材は、たとえば、BrewerBOND（登録商標）２２０材料のようなBrewer Scienceによって生産される液体接着材でもよい。
ディスペンサは、たとえば、ディスペンサML-5000XIIのような武蔵エンジニアリングによって生産されるディスペンサでもよい。
接着層１２は、連続した接着層でもよい。あるいは、接着層１２は、不連続の接着層でもよい。特に、接着層１２において、接着材は、点形式、（例えば、直線及び／又は湾曲縞などを伴う）縞形式のような不連続形式で設けられてもよい。
液体接着材は、保護フィルム４の周辺部分だけに投与され、ウェハＷには投与されない。あるいは、液体接着材は、ウェハＷの周辺部分だけに投与され、保護フィルム４には投与されない。さらに、液体接着材は、保護フィルム４の周辺部分に投与され、ウェハＷの周辺部分に投与されてもよい。
液体接着材は、接着層１２を形成するように投与されるが、接着層１２は、保護フィルム４の表の面の周辺部分と直接接触し、ウェハＷの表面１の周辺部分と直接接触する。
保護フィルム４は、ウェハＷの直径と実質的に同一の直径を有する（図２４を参照）。
前述した方法で液体接着材を投与した後、保護フィルム４がウェハＷの表面１に加えられる。保護フィルム４は、接着層１２を介してウェハＷの表面１に付けられる。
保護フィルム４をウェハ表面１に付けた後、ウェハＷの裏面６が、第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で研削される。
ウェハＷの更なる処理、すなわち、その切断及び分離されたチップ又はダイのピックアップは、第１実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で行われてもよい。
以下、図２５を参照して、本発明の第１０実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。
第１０実施形態に従う方法は、保護フィルム４の直径と接着層１２の配置の点で、第９実施形態に従う方法と異なる。第１０実施形態の説明において、先の実施形態の要素と実質的に同一の要素を同一の参照符合で示し、重複する詳細な説明を省略する。
前述された突出部１４のような、ウェハＷの平坦面から突出する突出部または突起は、図２５では省略されるが、そのような突出部又は突起は、ウェハＷのデバイス領域７に存在してもよい。
図２５に示されるように、保護フィルム４は、ウェハＷの直径より大きな直径を有する。液体接着材は、接着層１２を形成するように投与されるが、接着層１２は、保護フィルム４の表の面の周辺部分と直接接触し、ウェハＷの周辺側縁の一部分及びウェハＷの表面１の周辺部分と直接接触する。接着層１２は、環状形状を有する。接着層１２は、ウェハＷのデバイス領域２に何も接着材が存在しないように配置される。
保護フィルム４は、接着層１２を介してウェハＷの表面１に付けられる。
保護フィルム４がウェハ表面１に付けられた後、ウェハＷの裏面６は、第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で研削される。
ウェハＷの更なる処理、すなわち、その切断及び分離されたチップ又はダイのピックアップは、第１実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で行われてもよい。
以下、図２６を参照して、本発明の第１１実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。
第１１実施形態に従う方法は、保護フィルム４及び接着層１２の配置において、第１０実施形態に従う方法と異なる。第１１実施形態の説明において、先の実施形態の要素と実質的に同一の要素を同一の参照符合で示し、重複する詳細な説明を省略する。
前述された突出部１４のような、ウェハＷの平坦面から突出する突出部または突起は、図２６では省略されるが、そのような突出部又は突起は、ウェハＷのデバイス領域７に存在してもよい。
保護フィルム４は、ウェハＷの直径より大きな直径を有する。さらに、図２６に示されるように、保護フィルム４の周辺部分は下方に曲げられ、保護フィルム４の表の面の周辺部分はウェハＷの周辺側縁部の一部分と直接接触する。
液体接着材は、接着層１２を形成するように投与されるが、接着層１２は、保護フィルム４の周辺側縁と直接接触し、ウェハＷの周辺側縁の一部分と直接接触する。接着層１２は、環状形状を有する。接着層１２は、ウェハＷのデバイス領域２に何も接着材が存在しないように配置される。
液体接着材は、ウェハＷに保護フィルム４を加える前にウェハＷに、更に／又は保護フィルム４に投与されてもよい。あるいは、液体接着材は、保護フィルム４をウェハＷに加えた後に、ウェハＷに、更に／又は保護フィルム４に投与されてもよい。
保護フィルム４は、接着層１２を介してウェハＷの表面１に付けられる。それに加えて、保護フィルム４は、保護フィルム４をウェハ表面１に加える間および／または加えた後に、保護フィルム４を加熱することによって、ウェハ表面１に付けられてもよい。特に、保護フィルム４は、第１実施形態の為に前述された方法を使用することによって、ウェハＷに付けられてもよい。
たとえば、保護フィルム４は、前述された方法で保護フィルム４を加熱することによって、最初にウェハＷに付けられてもよい。続いて、保護フィルム４がウェハＷに付けられた後、液体接着材が投与されてもよい。液体接着材は、周辺部分において、保護フィルム４及びウェハＷの間に存在し得る隙間を密封または覆うように投与されてもよい（図２６を参照）。
保護フィルム４をウェハ表面１に付けた後、ウェハＷの裏面６は、第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で研削される。
ウェハＷの更なる処理、すなわち、その切断、分離されたチップ又はダイのピックアップは、第１実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で行われてもよい。
以下、図２７を参照して、本発明の第１２実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。
第１２実施形態に従う方法は、接着層１２の配置において、第９実施形態に従う方法と異なる。第１２実施形態の説明において、先の実施形態の要素と実質的に同一の要素を同一の参照符合で示し、重複する詳細な説明を省略する。
前述された突出部１４のような、ウェハＷの平坦面から突出する突出部または突起は、図２７では省略されるが、そのような突出部又は突起は、ウェハＷのデバイス領域７に存在してもよい。
保護フィルム４は、ウェハＷの直径と実質的に同一の直径を有する（図２７を参照）。
液体接着材は接着層１２を形成するように投与されるが、接着層１２は、保護フィルム４の表の面の一部分及び周辺側縁の一部分と直接接触し、ウェハＷの表面１の一部分及び周辺側縁の一部分と直接接触する。接着層１２は、環状形状を有する。接着層１２は、ウェハＷのデバイス領域２に何も接着材が存在しないように配置される。
液体接着材は、ウェハＷに保護フィルム４を加える前に、ウェハＷに、更に／又は保護フィルム４に投与されてもよい。あるいは、液体接着材は、保護フィルム４がウェハＷに加えられた後に、ウェハＷに、更に／又は保護フィルム４に投与されてもよい。
保護フィルム４は、接着層１２を介してウェハＷの表面１に付けられる。それに加えて、保護フィルム４は、保護フィルム４をウェハ表面１に加える間および／または加えた後に保護フィルム４を加熱することによってウェハ表面１に付けられてもよい。特に、保護フィルム４は、第１実施形態の為に前述された方法を使用することによって、ウェハＷに付けられてもよい。
たとえば、保護フィルム４は、前述された方法で保護フィルム４を加熱することによって、最初にウェハＷに付けられてもよい。続けて、保護フィルム４がウェハＷに付けられた後、液体接着材が投与されてもよい。液体接着材は、周辺部分において、保護フィルム４及びウェハＷの間に存在し得る隙間を密封または覆うように投与されてもよい（図２７を参照）。
保護フィルム４をウェハ表面１に付けた後、ウェハＷの裏面６は、第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で研削される。
ウェハＷの更なる処理、すなわち、その切断及び分離されたチップ又はダイのピックアップは、第１実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で行われてもよい。
以下、図２８を参照して、本発明の第１３実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。
第１３実施形態に従う方法は、保護フィルム４の直径および接着層１２の配置において、第９実施形態に従う方法と異なる。第１３実施形態の説明において、先の実施形態の要素と実質的に同一の要素を同一の参照符合で示し、重複する詳細な説明を省略する。
前述された突出部１４のような、ウェハＷの平坦面から突出する突出部または突起は、図２８では省略されるが、そのような突出部又は突起は、ウェハＷのデバイス領域７に存在してもよい。
保護フィルム４は、ウェハＷの直径より小さな直径を有する。保護フィルム４の直径は、ウェハＷのデバイス領域２の直径と実質的に同一である。
液体接着材は、接着層１２を形成するように投与されるが、接着層１２は、保護フィルム４の周辺側縁と直接接触し、ウェハＷの表面１の一部分と直接接触する。接着層１２は、環状形状である。接着層１２は、ウェハＷのデバイス領域に何も接着材が存在しないように配置される。
液体接着材は、ウェハＷに保護フィルム４を加える前に、ウェハＷに投与され、更に／又は保護フィルム４に投与される。あるいは、液体接着材は、保護フィルム４をウェハＷに加えた後にウェハＷに、更に、保護フィルム４に投与されてもよい。
保護フィルム４は、接着層１２を介してウェハＷの表眼１に付けられる。それに加えて、保護フィルム４は、ウェハ表面１に保護フィルム４を加える間さらに／または加えた後に、保護フィルム４を加熱することによって、ウェハ表面に付けられてもよい。特に、保護フィルム４は、第１実施形態の為に前述された方法を使用することによって、ウェハＷに付けられてもよい。
たとえば、保護フィルム４は、前述された方法において、保護フィルム４を加熱することによって最初に付けられてもよい。続けて、保護フィルム４がウェハＷに付けられた後、液体接着材が投与される。液体接着材は、周辺部分において、保護フィルム４及びウェハＷの間に存在し得る隙間を密封または覆うように投与されてもよい（図２８を参照）。
保護フィルム４をウェハ表面１に付けた後、ウェハＷの裏面６は、第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で研削される。
ウェハＷの更なる処理、すなわち、その切断および分離されたチップ又はダイのピックアップは、第１実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で行われてもよい。
以下、図２９を参照して、本発明の第１４実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。
第１４実施形態に従う方法は、保護フィルム４の直径および接着層１２の配置において、第９実施形態に従う方法と異なる。第１４実施形態の説明において、先の実施形態の要素と実質的に同一の要素を同一の参照符合で示し、重複する詳細な説明を省略する。
前述された突出部１４のような、ウェハＷの平坦面から突出する突出部または突起は、図２９では省略されるが、そのような突出部又は突起は、ウェハＷのデバイス領域７に存在してもよい。
保護フィルム４は、ウェハＷの直径より大きな直径を有する（図２９を参照）。
液体接着材は、接着層１２を形成するように投与されるが、接着層１２は、保護フィルム４の表の面の周辺部分と直接接触し、ウェハＷの表面１の一部分及び周辺側縁の一部分と直接接触する。
接着層１２は、環状形状を有する。接着層１２は、ウェハＷのデバイス領域２に何も接着材が存在しないように配置される。
第１４実施形態に従う接着層１２の配置は、実質的に円形デバイス領域２および（接着材が全くない）環状接着層１２の内周の間に配置されたウェハＷの表面１の環状部分において、第９実施形態に従う接着層１２の配置と更に異なる。それと対照的に、第９実施形態の配置において、接着層１２は、その内周がデバイス領域２に直接隣接して設けられている（図２４を参照）。
液体接着材は、ウェハＷに保護フィルム４を加える前にウェハＷに投与され、更に／又は保護フィルム４に投与される。あるいは、液体接着材は、保護フィルム４をウェハＷに加えた後にウェハＷに投与され、更に、保護フィルム４に投与されてもよい。
保護フィルム４は、接着層１２を介してウェハＷの表面１に付けられる。それに加えて、保護フィルム４は、保護フィルム４をウェハ表面１に加える間および／または加えた後に、保護フィルム４を加熱することによって、ウェハ表面１に付けられてもよい。特に、保護フィルム４は、第１実施形態の為に前述された方法を使用することによって、ウェハＷに付けられてもよい。
たとえば、保護フィルム４は、前述された方法で保護フィルム４を加熱することによって、最初にウェハＷに付けられてもよい。続けて、保護フィルム４がウェハＷに付けられた後、液体接着材が投与されてもよい。液体接着材は、周辺部分において、保護フィルム４及びウェハＷの間に存在し得る隙間を密封または覆うように投与されてもよい（図２９を参照）。
保護フィルム４をウェハ表面１に付けた後、ウェハＷの裏面６は、第４実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で研削される。
ウェハＷの更なる処理、すなわち、その切断および分離されたチップ又はダイのピックアップは、第１実施形態の為に前述された実質的に同一の方法で行われてもよい。
第９実施形態から第１４実施形態の保護フィルム４は、前述された実質的に同一の方法で、クッション層８との組み合わせで使用されてもよく、あるいは、先の実施形態のクッション層８及びベースシート９との組み合わせで使用されてもよい。

Claims (6)

  1. 複数のデバイス（７）を備えたデバイス領域（２）を一面（１）に有する、ウェハ（Ｗ）を処理する方法であって、前記方法は、
    保護フィルム（４）を準備するステップと、
    液体接着材を準備するステップと、
    前記液体接着材を前記保護フィルム（４）および／または前記ウェハ（Ｗ）に投与するステップと、
    前記ウェハ（Ｗ）上の前記デバイスを覆う為に、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）に前記保護フィルム（４）を加えるステップと、
    前記一面（１）の反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の面（６）を処理するステップと、
    を含み、
    前記液体接着材は、前記保護フィルム（４）の周辺部分のみ、及び／又は、前記ウェハ（Ｗ）の周辺部分のみに投与され、
    前記保護フィルムは、前記液体接着材を投与する前に前記ウェハの前記一面に付けられ、前記保護フィルムは、前記保護フィルムを前記ウェハの前記一面に加える間および／または加えた後に前記保護フィルムを加熱することによって、前記ウェハの前記一面に付けられる、方法。
  2. 前記保護フィルム（４）を前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）に加えるステップの前および／または前記保護フィルム（４）を前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）に加えるステップの後、前記液体接着材が前記保護フィルム（４）及び／又は前記ウェハ（Ｗ）に投与される、請求項１に記載の方法。
  3. 前記液体接着材は前記保護フィルム（４）および／または前記ウェハ（Ｗ）に投与され、前記保護フィルム（４）を前記ウェハ（Ｗ）の前記一面に加えるステップの後、前記ウェハ（Ｗ）の前記デバイス領域（２）には何も接着材が存在しない、請求項１または２に記載の方法。
  4. クッション層（８）が、前記保護フィルム（４）の裏の面（４ｂ）に付けられる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
  5. 前記クッション層（８）の裏の面（８ｂ）にベースシート（９）が付けられる、請求項４に記載の方法。
  6. 前記保護フィルム（４）は、高分子、特に、ポリオレフィンで形成される、請求項５に記載の方法。
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