DE112009000140B4 - Verfahren zum reversiblen Anbringen eines Vorrichtungswafers an einem Trägersubstrat und ein daraus erhaltener Gegenstand - Google Patents

Verfahren zum reversiblen Anbringen eines Vorrichtungswafers an einem Trägersubstrat und ein daraus erhaltener Gegenstand Download PDF

Info

Publication number
DE112009000140B4
DE112009000140B4 DE112009000140.8T DE112009000140T DE112009000140B4 DE 112009000140 B4 DE112009000140 B4 DE 112009000140B4 DE 112009000140 T DE112009000140 T DE 112009000140T DE 112009000140 B4 DE112009000140 B4 DE 112009000140B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
group
substrate
bond
edge bond
procedure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE112009000140.8T
Other languages
English (en)
Other versions
DE112009000140T5 (de
Inventor
Tony D. Flaim
Jeremy W. McCutcheon
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Brewer Science Inc
Original Assignee
Brewer Science Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Brewer Science Inc filed Critical Brewer Science Inc
Publication of DE112009000140T5 publication Critical patent/DE112009000140T5/de
Application granted granted Critical
Publication of DE112009000140B4 publication Critical patent/DE112009000140B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Abstract

Verfahren zum Bilden einer temporären Waferbondstruktur, bei demein erstes Substrat (12) mit Vorderseiten- und Rückseitenoberflächen (16) bereitgestellt wird, wobei die Vorderseitenoberfläche einen peripheren Bereich (18) und einen zentralen Bereich (20) aufweist,auf dem peripheren Bereich (18) ein Randbond (46) gebildet wird, wobei der Randbond (46) in dem zentralen Bereich (20) fehlt, wobei der Randbond (46) aus einem Material gebildet wird, das Monomere, Oligomere oder Polymere enthält, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Epoxidharzen, Acrylen, Silikonen, Styrolen, Vinylhalogeniden, Vinylestern, Polyamiden, Polyimiden, Polysulfonen, Polyethersulfonen, Cycloolefinen, Polyolefinkautschuken und Polyurethanen, wobei der Randbond (46) eine Haftstärke aufweist, die größer als etwa 345 kPa ist, undin den zentralen Bereich (20) ein amorphes polymeres Füllmaterial (22) eingebracht wird, wobei das Füllmaterial eine Haftstärke von weniger als etwa 345 kPa Überdruck aufweist, bestimmt mittels ASTM D4541/D7234, wobei das Füllmaterial (22) einen Gewichtsverlust von weniger als etwa 1 Gew.-% bei Temperaturen von etwa 150°C bis etwa 350°C erfährt, wobei der Randbond (46) eine Haftstärke aufweist, die mindestens etwa 3447 Pa Überdruck größer ist als die Haftstärke des Füllmaterials (22), und anschließendein zweites Substrat (32) mit einer Trägeroberfläche (34) in Kontakt gebracht wird, um so den Randbond (46) an die Trägeroberfläche (34) zu bonden und die temporäre Waferbondingstruktur zu bilden.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung befasst sich allgemein mit neuen Verfahren zum temporären Bonden von Wafern, die einen Vorrichtungswafer während einer Waferverdünnung und anderer Rückseitenbearbeitung auf einem Trägersubstrat tragen können.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Integrierte Schaltungen, Leistungshalbleiter, lichtemittierende Dioden, photonische Schaltungen, mikroelektromechanische Systeme (MEMS), eingebettete passive Arrays, Packaging Interposers und ein Host von weiteren Silizium- und Verbindungshalbleiter-basierten Mikrovorrichtungen werden kollektiv in Arrays auf Wafersubstraten hergestellt, deren Durchmesser von 2,54 bis 30,48 cm (1 bis 12 Zoll) reicht. Die Vorrichtungen werden anschließend in einzelne Vorrichtungen oder Rohchips (engl.: „dies“) getrennt, die so gepackt werden, dass sie eine praktische Kopplung mit der makroskopischen Umgebung erlauben, zum Beispiel durch Kopplung mit einer Leiterplatte. Es erfreut sich zunehmender Beliebtheit, die Vorrichtungspackung auf dem oder um den Rohchip herum zu konstruieren, während es nach wie vor Teil des Wafer Arrays ist. Diese Praxis, die als Wafer Level Packaging bezeichnet wird, verringert die Gesamtpackungskosten und ermöglicht das Erreichen einer höheren Kopplungsdichte zwischen der Vorrichtung und seiner mikroelektronischen Umgebung als mit traditionelleren Packungen, die gewöhnlich Außenabmessungen besitzen, die mehrmals größer sind als die gegenwärtige Vorrichtung.
  • Bis vor kurzem haben sich Kopplungsschemata im Allgemeinen auf zwei Dimensionen beschränkt, was bedeutet, dass sämtliche der elektrischen Verbindungen zwischen der Vorrichtung und der entsprechenden Platten- oder Packungsoberfläche, an der sie angebracht ist, in einer horizontalen, oder x-y-, Ebene platziert wurden. Die Mikroelektronikindustrie hat nun erkannt, dass bedeutende Zunahmen der Vorrichtungskopplungsdichte und entsprechende Verringerungen der Signalverzögerung (als Ergebnis der Verkürzung der Entfernung zwischen elektrischen Verbindungsstellen) erreicht werden können, indem Vorrichtungen vertikal, das heißt in der z-Richtung, gestapelt und gekoppelt werden. Zwei übliche Erfordernisse für das Stapeln von Vorrichtungen sind: (1) Verdünnen der Vorrichtung in der Richtung durch den Wafer von der Rückseite, und (2) anschließendes Bilden von elektrischen Verbindungen durch den Wafer, die üblicherweise als Silizium-Durchkontaktierungen (engl. „through-silicon-vias“ oder „TSVs“) bezeichnet werden, und die auf der Rückseite der Vorrichtung enden. In diesem Fall ist das Verdünnen von Halbleitervorrichtungen nunmehr gängige Praxis geworden, sogar wenn Vorrichtungen nicht in einer gestapelten Konfiguration gepackt werden, weil es die Wärmeverteilung fördert und einen viel geringeren Formfaktor ermöglicht, der mit kompakten elektronischen Produkten wie zum Beispiel Mobiltelefonen erreichbar ist.
  • Es gibt ein wachsendes Interesse am Verdünnen von Halbleitervorrichtungen auf weniger als 100 Mikrometer, um deren Profile zu verringern, insbesondere wenn sie oder die entsprechenden Packungen, in denen sie sich befinden, gestapelt sind, und um die Bildung von elektrischen Rückseitenverbindungen auf den Vorrichtungen zu erleichtern. Siliziumwafer, die bei der Herstellung von integrierten Schaltungen hohen Volumens verwendet werden, weisen typischerweise Durchmesser von 200 oder 300 mm und eine Dicke durch den Wafer von etwa 750 Mikrometern auf. Ohne Verdünnung wäre es nahezu unmöglich, elektrische Rückseitenkontakte zu bilden, die sich mit einer Vorderseitenschaltung verbinden, indem die Verbindungen durch den Wafer geführt werden. Hocheffiziente Verdünnungsverfahren für Silizium mit Halbleiterqualität und Verbindungshalbleiter, die auf mechanischem Schleifen (Rückseitenschleifen) und Polieren sowie chemischem Ätzen basieren, werden nunmehr gewerblich eingesetzt. Diese Verfahren ermöglichen eine Verringerung der Dicke der Vorrichtungswafer auf weniger als 100 Mikrometer in wenigen Minuten, während eine genaue Kontrolle über die Gleichmäßigkeit der Waferquerdicke beibehalten wird.
  • Beispielsweise lehrt die DE 10 2006 000 687 A1 das Bonden eines Substrats und eines Wafer unter Verwendung einer Klebeschicht, die so gewählt ist, dass ihre Klebeeigenschaften neutralisiert oder kleiner werden, wenn eine vorgegebene Temperatur überschritten wird. Die Klebeschicht wird nur ringförmig zwischen dem Substrat und dem Wafer in der Nähre des Randbereichs des Wafers aufgebracht, wobei der zentrale Bereich des Wafer/Stapels entweder leer ist oder einen zusätzlichen elastischen Klebefilm enthält, der mit einer Klebeschicht auf einer oder beiden Seiten ausgestattet ist, um die Haftung zwischen dem Substrat und dem Wafer zu verbessern.
  • Ferner offenbart die US 2006 / 0 046 433 A1 ein Verfahren zum Halten eines Wafers an einem Träger, so dass der Wafer gedünnt werden kann. Es gibt eine Reihe von Vorsprüngen zum Aufnehmen und Halten der Merkmale auf der Vorrichtungsoberfläche des zu dünnenden Wafers. Am Rand gibt es einen Spalt zwischen dem Träger und dem Vorrichtungssubstrat.
  • In der US 2005 / 0 029 224 A1 wird ein Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht/Substrat-Anordnung beschrieben. Hierbei werden zwei Substrate aneinander angebracht nachdem man eines davon gedünnt hat.
  • Vorrichtungswafer, die auf weniger als 100 Mikrometer verdünnt worden sind, und insbesondere solche, die auf weniger als 60 Mikrometer verdünnt worden sind, sind extrem zerbrechlich und müssen über ihre vollen Abmessungen getragen werden, um Rissbildung und Zerbrechen zu verhindern. Zum Transportieren von ultradünnen Vorrichtungswafern sind zahlreiche Wafer-Stäbe und -futter (engl. „wafer wands and chucks“) entwickelt worden, aber es existiert nach wie vor das Problem, wie die Wafer während Rückschleif- und TSV-Bildungsverfahren, die Stufen wie chemisch-mechanisches Polieren (CMP), Lithographie, Ätzen, Abscheidung, Glühen und Reinigen einschließen, getragen werden sollen, weil diese Stufen den Vorrichtungswafer hoher thermischer und mechanischer Beanspruchung aussetzen, wenn oder nachdem er verdünnt wird oder worden ist. Ein zunehmend beliebter Ansatz zur Handhabung von ultradünnen Wafern umfasst das Anbringen des Vorrichtungswafers mit noch voller Dicke abwärtsgerichtet an einem starren Träger mit einem polymeren Haftmittel. Er wird anschließend verdünnt und von der Rückseite her bearbeitet. Der vollständig bearbeitete, ultradünne Wafer wird anschließend, nachdem die Rückseitenbearbeitung beendet wurde, durch thermische, thermomechanische oder chemische Verfahren von dem Träger entfernt oder debondet.
  • Gängige Trägermaterialien schließen Silizium (z.B. einen rohen Vorrichtungswafer), Natronkalkglas, Borosilikatglas, Saphir und verschiedene Metalle und Keramiken ein. Die Träger können quadratisch oder rechteckig sein, sind üblicherweise aber rund und sind der Größe nach so an den Vorrichtungswafer angepasst, dass die gebondete Anordnung in herkömmlichen Bearbeitungsgeräten und -kassetten gehandhabt werden kann. Manchmal sind die Träger perforiert, um den Debondingprozess zu beschleunigen, wenn ein flüssiges chemisches Mittel als Trennmittel verwendet wird, um das polymere Haftmittel aufzulösen oder zu zersetzen.
  • Die polymeren Haftmittel, die zum temporären Wafer Bonding verwendet werden, werden typischerweise durch Rotationsbeschichtung oder Sprühbeschichtung aus einer Lösung oder durch Laminieren als Trockenfolienbänder aufgetragen. Rotations- und sprühaufgetragene Haftmittel werden zunehmend bevorzugt, weil sie Beschichtungen mit höherer Dickengleichmäßigkeit bilden als Bänder bereitstellen können. Eine höhere Dickengleichmäßigkeit mündet in einer größeren Kontrolle über die Dickengleichmäßigkeit in Querrichtung des Wafers nach dem Verdünnen. Die polymeren Haftmittel weisen eine hohe Bondfestigkeit gegenüber dem Vorrichtungswafer und dem Träger auf.
  • Das polymere Haftmittel kann auf den Vorrichtungswafer, den Träger oder beide rotationsaufgetragen werden, abhängig von der Dicke und der Beschichtungsplanität (Ebenheit), die erforderlich ist. Der beschichtete Wafer wird gebacken, um sämtliches Beschichtungslösungsmittel aus der polymeren Haftmittelschicht zu entfernen. Der beschichtete Wafer und Träger werden anschließend in einer beheizten mechanischen Presse zum Bonden in Kontakt gebracht. Ausreichende(r) Temperatur und Druck werden angelegt, um zu bewirken, dass das Haftmittel in die strukturellen Merkmale des Vorrichtungswafers fließt und diese füllt, und um einen innigen Kontakt mit sämtlichen Bereichen der Vorrichtungswafer und Trägeroberflächen zu erreichen.
  • Das Debonden des Vorrichtungswafers von dem Träger, das sich an die Rückseitenbearbeitung anschließt, wird typischerweise auf einem von vier Wegen durchgeführt:
    • (1) Chemisch - Der gebondete Waferstapel wird in ein Lösungsmittel oder chemisches Mittel eingetaucht oder mit einem Lösungsmittel oder chemischen Mittel besprüht, um das polymere Haftmittel aufzulösen oder zu zersetzen.
    • (2) Photozersetzung - Der gebondete Waferstapel wird mit einer Lichtquelle durch einen transparenten Träger bestrahlt, um die Haftmittelgrenzschicht, die an den Träger anschließt, photozuzersetzen. Der Träger kann anschließend von dem Stapel getrennt werden, und der Rest des polymeren Haftmittels wird von dem Vorrichtungswafer debondet, während er auf einem Futter gehalten wird.
    • (3) Thermomechanisch - Der gebondete Waferstapel wird über die Erweichungstemperatur des polymeren Haftmittels hinaus erhitzt, und der Vorrichtungswafer wird anschließend von dem Träger weggeschoben oder -gezogen, während er mit einem Halterfutter (engl.: „holding chuck“) gestützt wird, das den gesamten Wafer hält.
    • (4) Thermische Zersetzung - Der gebondete Waferstapel wird über die Zersetzungstemperatur des polymeren Haftmittels hinaus erhitzt, was dazu führt, dass es verdampft und die Haftung gegenüber dem Vorrichtungswafer und dem Träger verliert.
  • Jedes dieser Debondingverfahren weist Nachteile auf, die dessen Verwendung in einer Produktionsumgebung ernsthaft einschränken. Zum Beispiel ist das chemische Debonden durch Auflösen des polymeren Haftmittels ein langsamer Prozess, weil das Lösungsmittel über eine große Entfernung durch das viskose Polymermedium diffundieren muss, um eine Abtrennung zu bewirken. Das heißt, dass das Lösungsmittel von dem Rand des gebondeten Substrats, oder von einer Perforation in dem Träger, in den lokalen Bereich des Haftmittels diffundieren muss. In jedem Fall beträgt die minimale Entfernung, die für Lösungsmitteldiffusion und -penetration erforderlich ist, mindestens 3 bis 5 mm und kann viel größer sein, sogar wenn Perforationen vorhanden sind, um den Lösungsmittelkontakt mit der Haftmittelschicht zu erhöhen. Behandlungszeiten von mehreren Stunden, sogar bei erhöhten Temperaturen (> 60°C) sind üblicherweise erforderlich, damit das Debonding auftritt, was bedeutet, dass der Waferdurchsatz gering sein wird.
  • Die Photozersetzung ist ebenfalls ein langsamer Prozess, weil das gesamte gebondete Substrat nicht zur gleichen Zeit belichtet werden kann. Stattdessen muss die belichtende Lichtquelle, die üblicherweise ein Laser mit einem Strahlquerschnitt von nur wenigen Millimetern ist, zu einem bestimmten Zeitpunkt auf eine kleine Fläche fokussiert werden, um ausreichend Energie freizusetzen, damit die Zersetzung der Haftmittelschicht auftritt. Der Strahl wird anschließend in einer laufenden Weise quer über das Substrat gescannt (oder gerastert), um die gesamte Oberfläche zu debonden, was zu langen Debondingzeiten führt.
  • Während das thermomechanische (TM) Debonden typischerweise in wenigen Minuten durchgeführt werden kann, weist es andere Einschränkungen auf, die die Vorrichtungsausbeute verringern. Rückseitenverfahren für temporär gebondete Vorrichtungswafer umfassen häufig Arbeitstemperaturen von mehr als 200 °C oder sogar 300 °C. Die polymeren Haftmittel, die für das TM-Debonding verwendet werden, dürfen bei oder nahe der Arbeitstemperatur weder zerfallen, noch umfangreich erweichen, da sonst das Debonding frühzeitig auftreten würde. Als Ergebnis werden die Haftmittel normalerweise so ausgestaltet, dass sie bei 20 bis 50 °C oberhalb der Arbeitstemperatur ausreichend erweichen, damit das Debonding auftritt. Als Ergebnis der thermischen Ausdehnung setzt die hohe Temperatur, die für das Debonding erforderlich ist, das gebondete Paar einer bedeutenden Beanspruchung aus. Zur gleichen Zeit verursacht die hohe mechanische Kraft, die erforderlich ist, um den Vorrichtungswafer von dem Träger durch eine Gleit-, Hebe- oder Drehbewegung wegzubewegen, zusätzliche Beanspruchung, die dazu führen kann, dass der Vorrichtungswafer zerbricht oder innerhalb der mikroskopischen Schaltung einzelner Vorrichtungen Schaden anrichtet, was zu Vorrichtungsfehlern und Ausbeuteverlusten führt.
  • Das Debonden durch thermische Zersetzung (TD) ist ebenfalls anfällig für das Zerbrechen der Wafer. Wenn das polymere Haftmittel zersetzt wird, werden Gase erzeugt, und diese Gase können zwischen dem Vorrichtungswafer und dem Träger gefangen gehalten werden, bevor der Großteil des Haftmittels entfernt worden ist. Die Ansammlung gefangener Gase kann dazu führen, dass der dünne Vorrichtungswafer Blasen bekommt und rissig wird oder sogar zerspringt. Ein weiteres Problem beim TD-Debonden ist, dass eine Polymerzersetzung oft mit der Bildung von hartnäckigen Verkohlungsrückständen einhergeht, die von dem Vorrichtungswafer durch gewöhnliche Reinigungstechniken nicht entfernt werden können.
  • Die Einschränkungen dieser Debondingverfahren für polymere Haftmittel des Standes der Technik haben zu einem Bedarf an neuen Arten der trägergestützten Handhabung von dünnen Wafern geführt, die einen hohen Waferdurchsatz liefern und die Wahrscheinlichkeit für einen Vorrichtungswaferbruch und eine innere Vorrichtungsbeschädigung verringern oder beseitigen.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung stellt allgemein ein neues temporäres Bondingverfahren bereit.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Bilden einer temporären Waferbondstruktur wird in einer Ausführungsform
    ein erstes Substrat mit Vorderseiten- und Rückseitenoberflächen bereitgestellt, wobei die Vorderseitenoberfläche einen peripheren Bereich und einen zentralen Bereich aufweist,
    auf dem peripheren Bereich ein Randbond gebildet, wobei der Randbond in dem zentralen Bereich fehlt, wobei der Randbond aus einem Material gebildet wird, das Monomere, Oligomere oder Polymere enthält, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Epoxidharzen, Acrylen, Silikonen, Styrolen, Vinylhalogeniden, Vinylestern, Polyamiden, Polyimiden, Polysulfonen, Polyethersulfonen, Cycloolefinen, Polyolefinkautschuken und Polyurethanen, wobei der Randbond eine Haftstärke aufweist, die größer als etwa 345 kPa ist, und
    in den zentralen Bereich ein amorphes polymeres Füllmaterial eingebracht, wobei das Füllmaterial eine Haftstärke von weniger als etwa 345 kPa (50 psi) Überdruck aufweist, bestimmt mittels ASTM D4541/D7234, wobei das Füllmaterial einen Gewichtsverlust von weniger als etwa 1 Gew.-% bei Temperaturen von etwa 150°C bis etwa 350°C erfährt, wobei der Randbond eine Haftstärke aufweist, die mindestens etwa 3447 Pa (0,5 psi) Überdruck größer ist als die Haftstärke des Füllmaterials, und anschließend
    ein zweites Substrat mit einer Trägeroberfläche in Kontakt gebracht, um so den Randbond an die Trägeroberfläche zu bonden und die temporäre Waferbondingstruktur zu bilden.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Bilden einer temporären Waferbondstruktur werden in einer anderen Ausführungsform ein Stapel bereitgestellt, der
    ein erstes Substrat mit einer Rückseitenoberfläche und einer Vorrichtungsoberfläche, wobei die Vorrichtungsoberfläche einen peripheren Bereich und einen zentralen Bereich aufweist,
    ein zweites Substrat mit einer Trägeroberfläche, und
    einen Randbond, der an den peripheren Bereich und an die Trägeroberfläche gebondet ist, wobei der Randbond in dem zentralen Bereich fehlt, um eine Füllzone zu bilden, wobei der Randbond aus einem Material gebildet wird, das Monomere, Oligomere oder Polymere enthält, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Epoxidharzen, Acrylen, Silikonen, Styrolen, Vinylhalogeniden, Vinylestern, Polyamiden, Polyimiden, Polysulfonen, Polyethersulfonen, Cycloolefinen, Polyolefinkautschuken und Polyurethanen, wobei der Randbond eine Haftstärke aufweist, die größer als etwa 345 kPa ist, und
    ein amorphes polymeres Füllmaterial in der Füllzone umfasst, wobei das Füllmaterial eine Haftstärke von weniger als etwa 345 kPa (50 psi) Überdruck aufweist, bestimmt mittels ASTM D4541/D7234, wobei das Füllmaterial einen Gewichtsverlust von weniger als etwa 1 Gew.-% bei Temperaturen von etwa 150°C bis etwa 350°C erfährt, wobei der Randbond eine Haftstärke aufweist, die mindestens etwa 3447 Pa (0,5 psi) Überdruck größer ist als die Haftstärke des Füllmaterials,
    und die ersten und zweiten Substrate getrennt, wobei vor dem Trennen der Randbond einem Lösungsmittel ausgesetzt wird, um den Randbond aufzulösen, oder der Randbond mechanisch unter Verwendung von Laserablation, Plasmaätzen, Bestrahlen mit Wasser zerrissen oder zerstört wird.
  • In noch einer weiteren Ausführungsform stellt die Erfindung einen Gegenstand bereit, der
    ein erstes Substrat mit Vorderseiten- und Rückseitenoberflächen, wobei die Vorderseitenoberfläche einen peripheren Bereich und einen zentralen Bereich aufweist,
    ein zweites Substrat mit einer Trägeroberfläche,
    einen Randbond, der erste und zweite Oberflächen zeigt, wobei die erste Oberfläche an den peripheren Bereich gebondet ist und die zweite Oberfläche von dem peripheren Bereich wegweist und an die Trägeroberfläche gebondet ist, wobei der Randbond in dem zentralen Bereich fehlt, um eine Füllzone zu bilden, wobei der Randbond aus einem Material gebildet wird, das Monomere, Oligomere oder Polymere enthält, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Epoxidharzen, Acrylen, Silikonen, Styrolen, Vinylhalogeniden, Vinylestern, Polyamiden, Polyimiden, Polysulfonen, Polyethersulfonen, Cycloolefinen, Polyolefinkautschuken und Polyurethanen, wobei der Randbond eine Haftstärke aufweist, die größer als etwa 345 kPa ist, und
    ein amorphes polymeres Füllmaterial in der Füllzone umfasst, wobei das Füllmaterial eine Haftstärke von weniger als etwa 345 kPa (50 psi) Überdruck aufweist, bestimmt mittels ASTM D4541/D7234 und an den ersten und zweiten Oberflächen fehlt, wobei das Füllmaterial einen Gewichtsverlust von weniger als etwa 1 Gew.-% bei Temperaturen von etwa 150°C bis etwa 350°C erfährt, wobei der Randbond eine Haftstärke aufweist, die mindestens etwa 3774 Pa (0,5 psi) Überdruck größer ist als die Haftstärke des Füllmaterials.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine schematische Zeichnung, die eine Ausführungsform für das Bonden von Substraten gemäß der Erfindung zeigt;
    • 2 ist eine schematische Zeichnung, die eine alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, bei der zwei der Verfahrensstufen vertauscht worden sind;
    • 3 ist eine schematische Zeichnung, die eine alternative Ausführungsform der Erfindung wiedergibt, bei der ein Laminat als die Füllschicht eingesetzt werden kann;
    • 4 ist eine schematische Zeichnung, die eine weitere alternative Ausführungsform der Erfindung wiedergibt, bei der eine zweite Schicht verwendet wird, die an die Füllschicht angrenzt;
    • 5 ist eine schematische Zeichnung, die eine mögliche gewerbliche Variation der Ausführungsform von 4 zeigt; und
    • 6 ist eine schematische Zeichnung, die eine weitere Variation der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Ausführliche Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • 1 zeigt ein Verfahren, durch welches das periphere Bonden der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden kann. Im Bezug auf Stufe (a) von 1 wird eine Vorläuferstruktur 10 in einer schematischen und Querschnittsansicht dargestellt. Struktur 10 schließt ein erstes Substrat 12 ein. In dieser Ausführungsform ist das erste Substrat 12 ein Vorrichtungswafer. Das heißt, dass das Substrat 12 eine Vorderseiten- oder Vorrichtungsoberfläche 14, eine Rückseitenoberfläche 16 und einen äußersten Rand 17 aufweist. Obwohl das Substrat 12 von irgendeiner Form sein kann, wäre es typischerweise kreisförmig. Ungeachtet der Form weist die Vorderseiten- oder Vorrichtungsoberfläche 14 einen peripheren Bereich 18 und einen zentralen Bereich 20 auf.
  • Bevorzugte erste Substrate 12 schließen Vorrichtungswafer ein, deren Vorrichtungsoberflächen Arrays von Vorrichtungen enthalten, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus integrierten Schaltungen, MEMS, Mikrosensoren, Leistungshalbleitern, lichtdemittierenden Dioden, photonischen Schaltungen, Interposern, eingebetteten passiven Vorrichtungen und weiteren Mikrovorrichtungen, die auf oder aus Silizium oder weiteren halbleitenden Materialien wie zum Beispiel Silizium-Germanium, Galliumarsenid und Galliumnitrid hergestellt sind. Die Oberflächen dieser Vorrichtungen enthalten üblicherweise Strukturen, die aus einem oder mehreren der folgenden Materialien gebildet sind: Silizium, Polysilizium, Siliziumdioxid, Silizium(oxy)nitrid, Metallen (z.B. Kupfer, Aluminium, Gold, Wolfram, Tantal), Dielektrika mit geringem k-Wert, Polymerdielektrika und verschiedenen Metallnitriden und -siliziden. Die Vorrichtungsoberfläche 14 kann ferner erhöhte Strukturen wie zum Beispiel Lötperlen und Metallpfosten und -pfeiler enthalten.
  • Ein Füllmaterial wird auf die Vorrichtungsoberfläche 14 von Substrat 12 aufgetragen, um eine Füllschicht 22 zu bilden. Die Füllschicht 22 weist erste und zweite Oberflächen 24, 26 sowie einen äußersten Teilbereich 28 auf. Es ist bevorzugt, dass die Füllschicht 22 so aufgetragen wird, dass sie eine Dicke (gemessen an ihrer dicksten Stelle) von etwa 5 um bis etwa 100 um, bevorzugter von etwa 5 um bis etwa 50 um, und noch bevorzugter von etwa 10 um bis etwa 30 µm aufweist.
  • Die Auftragung des Füllmaterials kann mittels irgendeines herkömmlichen Mittels durchgeführt werden, das Rotationsbeschichtung, Gießen aus der Lösung (z.B. Miniskusbeschichtung oder Walzenbeschichtung), Tintenstrahlbildung und Sprühbeschichtung einschließt. Wenn es mittels Rotationsbeschichtung aufgetragen wird, wird das die Füllschicht 22 bildende Material typischerweise bei Geschwindigkeiten von etwa 500 U/min bis etwa 5000 U/min über einen Zeitraum von etwa 60 Sekunden bis etwa 120 Sekunden rotationsbeschichtet. Die Schicht würde anschließend nahe oder oberhalb des Siedepunktes des bzw. der Lösungsmittel(s), das (die) in der Füllschicht 22 vorhanden ist (sind) (z.B. von etwa 80 °C bis etwa 250°C), für einen Zeitraum von etwa 1 Minute bis etwa 15 Minuten gebacken, um den Gehalt an restlichem Lösungsmittel in der Füllschicht 22 auf weniger als etwa 1 Gew.-% zu reduzieren.
  • Die Füllschicht 22 wird typischerweise aus einem Material gebildet, das Monomere, Oligomere und/oder Polymere enthält, die in einem Lösungsmittelsystem dispergiert oder gelöst sind. Falls die Füllschicht mittels Rotationsbeschichtung aufgetragen wird, ist es bevorzugt, dass der Feststoffgehalt dieses Materials etwa 1 Gew.-% bis etwa 50 Gew.-%, bevorzugter etwa 5 Gew.-% bis etwa 40 Gew.-%, und noch bevorzugter etwa 10 Gew.-% bis etwa 30 Gew.-% beträgt. Beispiele geeigneter Monomere, Oligomere und/oder Polymere schließen solche ein, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Cycloolefinpolymeren und -copolymeren und amorphen Fluorpolymeren mit hohem Gehalt an Fluoratomen (größer als etwa 30 Gew.-%) wie zum Beispiel fluorierten Siloxanpolymeren, fluorierten Ethylen-Propylen-Copolymeren, Polymeren mit Perfluoralkoxyseitengruppen und Copolymeren von Tetrafluorethylen und 2,2-Bis-trifluormethyl-4,5-difluor-1,3-dioxol, die besonders bevorzugt sind. Es wird betont, dass die Bondfestigkeit dieser Materialien von deren spezifischen chemischen Strukturen und den Beschichtungs- und Backbedingungen, die verwendet werden, um sie aufzutragen, abhängen wird.
  • Beispiele geeigneter Lösungsmittelsysteme für Cycloolefinpolymere und -copolymere schließen Lösungsmittel ein, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus aliphatischen Lösungsmitteln wie zum Beispiel Hexan, Decan, Dodecan und Dodecen, alkylsubstituierten aromatischen Lösungsmitteln wie zum Beispiel Mesitylen und Mischungen davon. Geeignete Lösungsmittelsysteme für amorphe Fluorpolymere schließen Fluorkohlenstofflösungsmittel ein, die beispielsweise von 3 M Corporation unter der Marke FLÜORINERT® verkauft werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform könnte die Füllschicht 22 ferner aus einem polymeren Material gebildet werden, das dispergierte Nanopartikel enthält. Geeignete Nanopartikelmaterialien schließen solche ein, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Aluminiumoxid, Ceroxid, Titandioxid, Siliziumdioxid, Zirkonium, Graphit und Mischungen davon.
  • Das Material, aus dem die Füllschicht 22 gebildet wird, sollte bei Temperaturen von etwa 150°C bis etwa 350°C, und vorzugsweise von etwa 200°C bis 300°C, stabil bleiben. Darüber hinaus sollte dieses Material unter den chemischen Bedingungen, denen es in den bestimmten Rückseitenverfahren begegnet, denen es unterzogen wird, stabil sein. Die Füllschicht 22 sollte sich nicht zersetzen (d.h. weniger als etwa 1 % Gewichtsverlust) oder anderweitig ihre mechanische Integrität unter diesen Bedingungen verlieren, zum Beispiel durch Schmelzen. Die Füllschicht 22 sollte ferner keine Entgasung zeigen, die dazu führen könnte, dass die dünnen Vorrichtungswafer Blasen bilden oder sich verformen, insbesondere wenn sie Hochvakuumverfahren unterzogen werden, wie während der Abscheidung von CVD-dielektrischen Schichten.
  • In dieser Ausführungsform bildet die Füllschicht 22 vorzugsweise keine starken Haftverbindungen, was die spätere Trennung erleichtert. Allgemein gesagt sind amorphe polymere Materialien erwünscht, die (1) geringe freie Oberflächenenergien aufweisen, (2) nicht klebrig sind und dafür bekannt sind, nicht stark an Glas, Silizium und Metalloberflächen zu haften (d.h. typischerweise sehr geringe Konzentrationen an Hydroxyl- oder Carbonsäuregruppen, und vorzugsweise keine solchen Gruppen, aufweisen würden), (3) aus der Lösung gegossen werden können oder zur Laminierung zu einer dünnen Folie verarbeitet werden können, (4) unter typischen Bondingbedingungen fließen werden, um die Vorrichtungswaferoberflächentopographie zu füllen, wobei zwischen den Substraten ein hohlraumfreier Bondfilm gebildet wird, und (5) unter mechanischer Beanspruchung, der sie während der Rückseitenbearbeitung begegnen, sogar wenn diese bei hohen Temperaturen oder unter Hochvakuumbedingungen durchgeführt werden, keine Risse bilden, nicht fließen oder sich neu verteilen werden. So wie hierin verwendet, ist die geringe freie Oberflächenenergie als ein polymeres Material definiert, das einen Kontaktwinkel mit Wasser von mindestens etwa 90° zeigt und eine kritische Oberflächenspannung von weniger als etwa 40 dynes/cm, vorzugsweise weniger als etwa 30 dynes/cm und noch bevorzugter etwa 12 dynes/cm bis etwa 25 dynes/cm aufweist, wie durch Kontaktwinkelmessungen bestimmt.
  • Die geringe Bondfestigkeit bezieht sich auf polymere Materialien, die nicht haften oder von einem Substrat mit nur geringem Handdruck debondet werden können, wie er verwendet werden könnte, um ein anbindendes Notizpapier zu debonden. Somit wäre irgendetwas mit einer Haftstärke von weniger als etwa 345 kPa (50 psi) Überdruck, vorzugsweise von weniger als etwa 241 kPa (35 psi) Überdruck, und noch bevorzugter von etwa 6,89 kPa (1 psi) Überdruck bis etwa 207 kPa (30 psi) Überdruck zur Verwendung als Füllschicht 22 erwünscht. So wie hierin verwendet, ist die Bindungsfestigkeit mittels ASTM D4541/D7234 bestimmt. Beispiele geeigneter polymerer Materialien, die die obigen Eigenschaften aufweisen, schließen einige Cycloolefinpolymere und -copolymere, die unter den Bezeichnungen APEL® von Mitsui, TOPAS® von Ticona und ZEONOR® von Zeon brands verkauft werden, und lösungsmittellösliche Fluorpolymere wie zum Beispiel CYTOP®-Polymere, die von Asahi Glass verkauft werden, und TEFLON® AF-Polymere, die von DuPont verkauft werden, ein. Die Bondfestigkeit dieser Materialien wird von den Beschichtungs- und Backbedingungen abhängen, die verwendet werden, um sie aufzutragen.
  • Als nächstes, und mit Bezug auf Stufe (b) von 1, wird der äußerste Teilbereich 28 der Füllschicht 22 entfernt. Dies kann durch irgendein Mittel erreicht werden, das die Entfernung der gewünschten Menge ohne Beschädigen des ersten Substrats 12 ermöglicht, einschließlich des Auflösens des äußersten Teilbereichs 28 mit einem Lösungsmittel, das dafür bekannt ist, ein gutes Lösungsmittel für das Material zu sein, aus dem die Füllschicht 22 gebildet ist. Beispiele solcher Lösungsmittel schließen solche ein, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus aliphatischen Lösungsmitteln (z.B. Hexan, Decan, Dodecan und Dodecen), Fluorkohlenstofflösungsmitteln und Mischungen davon. Nach der Randentfernung weist die Füllschicht 22 einen äußersten Rand 30 auf, der in einer Entfernung „D“ von dem äußeren Rand 17 angeordnet ist. „D“ beträgt typischerweise etwa 2 mm bis etwa 15 mm, vorzugsweise etwa 2 mm bis etwa 10 mm, und noch bevorzugter etwa 2 mm bis etwa 5 mm. Der Kontakt mit dem Randentfernungslösungsmittel kann für eine ausreichende Zeit beibehalten werden, um die gewünschte Menge von Füllschicht 22 aufzulösen, um die erwünschte Entfernung „D“ zu erzielen, jedoch wären typische Kontaktzeiten etwa 5 Sekunden bis etwa 60 Sekunden.
  • Mit Bezug auf Stufe (c) von 1 wird ein zweites Substrat 32 abgebildet. In dieser besonderen Ausführungsform ist das zweite Substrat 32 ein Trägersubstrat. Das zweite Substrat 32 schließt eine Trägeroberfläche 34, eine Rückseitenoberfläche 36 und einen äußeren Rand 38 ein. Wie im Fall des ersten Substrats 12, kann das zweite Substrat 32 von irgendeiner Form sein, obwohl es typischerweise kreisförmig wäre. Darüber hinaus wäre das zweite Substrat 32 vorzugsweise von einer Größe, die etwa der Größe des ersten Substrats 12 entspricht, so dass der äußere Rand 38 des zweiten Substrats 32 im Wesentlichen entlang der gleichen Ebene wie der äußere Rand 17 des ersten Substrats 12 liegen wird. Ungeachtet der Form weist die Trägeroberfläche 34 einen peripheren Bereich 40 und einen zentralen Bereich 42 auf.
  • Bevorzugte Substrate 32 enthalten ein Material, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Silizium, Saphir, Quarz, Metallen (z.B. Aluminium, Kupfer, Stahl) und verschiedenen Gläsern und Keramiken. Das Substrat 32 kann ferner weitere Materialien einschließen, die auf dessen Oberfläche abgeschieden sind. Zum Beispiel kann Siliziumnitrid auf einem Siliziumwafer abgeschieden werden, um die Bindungseigenschaften der Füllschicht 22 zu ändern.
  • Das zweite Substrat 32 wird mit der Füllschicht 22 in Kontakt gebracht, was einen Hohlraum 44 zwischen dem peripheren Bereich 18 des ersten Substrats 12 und dem peripheren Bereich 40 des zweiten Substrats 32 hinterlässt. Dieser Kontakt wird vorzugsweise unter Hitze und Druck durchgeführt, so dass sich das Material, aus dem die Füllschicht 22 gebildet ist, im Wesentlichen gleichmäßig entlang der Vorderseitenoberfläche 14 des ersten Substrats 12 sowie entlang der Trägeroberfläche 34 des zweiten Substrats 32 verteilt. Der Druck und die Hitze werden basierend auf dem chemischen Aufbau der Füllschicht 22 angepasst und werden so ausgewählt, dass die Entfernung „D“ nach dem Pressen des zweiten Substrats 32 auf das erste Substrat 12 im Wesentlichen die gleiche bleibt wie vor einem solchen Zusammenpressen. Das heißt, dass die Füllschicht 22 wenig oder keinen Fluss in den Hohlraum 44 erfährt und die Entfernung „D“ nach dem Zusammenpressen innerhalb etwa 10 % der Entfernung „D“ vor dem Zusammenpressen sein wird. Typische Temperaturen während dieser Stufe werden von etwa 150°C bis etwa 375°C, und vorzugsweise von etwa 160 °C bis etwa 350°C reichen, wobei die Drücke typischerweise von etwa 1000 N bis etwa 5000 N, und vorzugsweise von etwa 2000 N bis etwa 4000 N reichen.
  • Als nächstes wird ein Verbindungsmaterial in den Hohlraum 44 eingeführt (siehe Stufe (d) von 1), um einen Randbond 46 zu bilden, der eine Dicke aufweisen wird, die der oben hinsichtlich der Füllschicht 22 beschriebenen entspricht. Weil der Hohlraum 44 auf den äußeren Umfang der Substrate 12 und 32 beschränkt wurde, wird der Randbond 46 ebenfalls eingeschränkt sein. In Fällen, in denen die Substrate 12 oder 32 kreisförmig sind, wird der Randbond 46 ringförmig sein. Daher gibt es eine ungleichmäßige Materialverteilung über die Substrate 12 und 32, im Gegensatz zu Haftmitteln des Standes der Technik, die eine gleichmäßige Schicht des gleichen Materials zwischen den und über die beiden Substrate 12 und 32 aufweisen.
  • Das Randbondingmaterial kann durch irgendeine Zahl von Mitteln eingeführt werden, wobei ein geeigneter Mechanismus die Verwendung einer Nadel, einer Spritze oder eines Spitzeneinspritzinstruments (engl. „tip dispense instrument“) ist, um das Material in den Hohlraum 44 abzugeben, während die Struktur 10 langsam gedreht wird, bis der Hohlraum 44 mit dem Bondmaterial gefüllt ist, und somit der Randbond 46 gebildet wird. Der Randbond 46 kann ferner mittels kapillaren Füllens von Hohlraum 44 oder mittels chemischer Gasphasenabscheidung aufgetragen werden. In einem weiteren Auftragungsverfahren kann ein flüssiges (100 % Feststoffe oder Lösung) Randbondmaterial unter Verwendung eines randumwickelnden Ablenksystems (engl. „edge-wrapping baffle system“) auf dem Rand des Trägers oder Vorrichtungswafers aufgetragen werden, bevor die Substrate 12 und 32 in Kontakt gebracht werden. Ein solches System ist von Dalvi-Malhotra et al., „Use of silane-based primer on Silicon wafers to enhance adhesion of edgeprotective coatings during wet etching: Application of the TALON Wrap™ process,“ Proceedings of SPIE, Vol. 6462, 2007, Seiten 64620B-1 bis 64620B-7 offenbart, das hierin durch Bezugnahme eingefügt ist. Der Randbond 46 wird anschließend dem geeigneten Härtungs- oder Verfestigungsverfahren unterzogen (z.B. UV-Vernetzung).
  • Die Materialien, aus denen der Randbond 46 gebildet wird, sollten dazu geeignet sein, einen starken Haftbond mit den Substraten 12 und 32 zu bilden. Irgendetwas mit einer Bindungsfestigkeit von größer als etwa 345 kPa (50 psi) Überdruck, vorzugsweise von etwa 552 kPa (80 psi) Überdruck bis etwa 1724 kPa (250 psi) Überdruck, und noch bevorzugter von etwa 689 kPa (100 psi) Überdruck bis etwa 1034 kPa (150 psi) Überdruck wäre zur Verwendung als Randbond 46 wünschenswert. Darüber hinaus beträgt die Bindungsfestigkeit des Randbonds 46 mindestens etwa 3447 Pa (0,5 psi) Überdruck, vorzugsweise mindestens etwa 138 kPa (20 psi) Überdruck, und noch bevorzugter etwa 345 kPa (50 psi) Überdruck bis etwa 1724 kPa (250 psi) Überdruck mehr als die Bindungsfestigkeit der Füllschicht 22. Darüber hinaus muss das Material, aus dem der Randbond 46 gebildet wird, die thermischen und chemischen Stabilitätserfordernisse der Rückseitenbearbeitung erfüllen. Der Randbond 46 sollte bei Temperaturen von etwa 150°C bis etwa 350°C, und vorzugsweise von etwa 200°C bis etwa 300°C stabil bleiben. Darüber hinaus sollte dieses Material unter den chemischen Bedingungen, denen es in den Rückseitenverfahren begegnet, dem der gebondete Stapel unterzogen wird, stabil sein. Der Randbond 46 sollte bei den oben beschriebenen Rückseitenbearbeitungstemperaturen sich nicht zersetzen (d.h. weniger als etwa 1% Gewichtsverlust) oder anderweitig seine mechanische Integrität verlieren. Diese Materialien sollten ferner keine flüchtigen Verbindungen freisetzen, die eine Blasenbildung von dünnen Vorrichtungswafern verursachen könnten, insbesondere wenn sie Hochvakuumverfahren unterzogen werden, wie zum Beispiel während der Abscheidung von CVD-dielektrischen Schichten.
  • Der Randbond (46) wird aus einem Material gebildet, das Monomere, Oligomere oder Polymere enthält, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Epoxidharzen, Acrylen, Silikonen, Styrolen, Vinylhalogeniden, Vinylestern, Polyamiden, Polyimiden, Polysulfonen, Polyethersulfonen, Cycloolefinen, Polyolefinkautschuken und Polyurethanen. Bevorzugte Randabdichtungs- oder Randbondmaterialien schließen handelsübliche temporäre Waferbondzusammensetzungen wie zum Beispiel die WaferBOND®-Materialien (die von Brewer Science Inc., Rolla, MO verkauft werden) ein, zusammen mit Harzen und Polymeren, die hohe Bindungsfestigkeiten gegenüber Halbleitermaterialien, Glas und Metallen aufweisen. Besonders bevorzugt sind: (1) UV-härtbare Harzsysteme mit hohem Feststoffgehalt wie zum Beispiel reaktive Epoxidharze und Acryle, (2) verwandte thermisch aushärtende Harzsysteme wie zum Beispiel zweiteilige Epoxid- und Silikonhaftmittel, (3) thermoplastische Acryl-, styrolische, Vinylhalogenid- (nicht fluorhaltig) und Vinylesterpolymere und -copolymere, zusammen mit Polyamiden, Polyimiden, Polysulfonen, Polyethersulfonen und Polyurethanen, die aus der Schmelze oder als Lösungsbeschichtungen aufgetragen werden, die nach der Auftragung gebacken werden, um die peripheren Bereiche 18 und 40 zu trocknen und dichter zu machen, und (4) Cycloolefine, Polyolefinkautschuke (z.B. Polyisobutylen) und kohlenwasserstoffbasierte Klebrigmacherharze. Wie im Fall der Materialien, die verwendet werden, um die Füllschicht 22 zu bilden, wird betont, dass die Bondfestigkeit der Randbondmaterialien ferner von deren speziellen chemischen Strukturen und den Beschichtungs- und Backbedingungen, die verwendet werden, um sie aufzutragen, abhängen wird.
  • In diesem Stadium kann das erste Substrat 12 sicher gehandhabt werden und weiteren Verfahren unterzogen werden, die ansonsten, wenn es nicht an das zweite Substrat 32 gebunden wäre, das erste Substrat 12 beschädigt haben könnten. Somit kann die Struktur einer Rückseitenbearbeitung wie Rückseitenschleifen, CMP, Ätzen, Metall- und Dielektrikumsabscheidung, Musterbildung (z.B. Photolithographie, mittels Ätzen), Passivierung, Glühen und Kombinationen davon sicher unterzogen werden, ohne dass eine Trennung der Substrate 12 und 32 auftritt, und ohne Eindringen irgendwelcher Chemikalien, denen sie während dieser anschließenden Bearbeitungsstufen begegnet, in die zentralen Bereiche 20 und 42 zwischen den Substraten 12 und 32.
  • Vorteilhafterweise werden die getrockneten oder gehärteten Schichten der gestapelten Struktur in dieser und sämtlichen Ausführungsformen etliche sehr wünschenswerte Eigenschaften besitzen. Beispielsweise werden die Schichten während Heiz- und/oder Vakuumabscheidungsverfahren wenig Entgasung zeigen. Das heißt, dass das Backen bei etwa 150 bis 300 °C für bis zu etwa 60 Minuten zu einer Änderung der Foliendicke der Füllschicht 22 und des Randbonds 46 von weniger als etwa 5 % führt, vorzugsweise weniger als etwa 2 % und noch bevorzugter weniger als etwa 1%. Somit können die getrockneten Schichten auch auf Temperaturen von bis zu 350 °C erhitzt werden, vorzugsweise bis zu etwa 320 °C und noch bevorzugter bis zu etwa 300 °C, ohne dass in der Schicht chemische Reaktionen auftreten. In einigen Ausführungsformen können die Schichten in dem gebondeten Stapel ferner bei einer Temperatur von etwa 80 °C für etwa 15 Minuten polaren Lösungsmitteln (z.B. N-methyl-2-pyrrolidon) ausgesetzt werden, ohne zu reagieren oder sich auflösen.
  • Die Bondintegrität des Randbonds 46 kann sogar bei Einwirkung einer Säure oder Base beibehalten werden. Das heißt, dass ein getrockneter Randbond mit einer Dicke von etwa 15 µm in ein saures Medium (z.B. konzentrierte Schwefelsäure) bei Raumtemperatur für etwa 10 Minuten oder in ein basisches Medium (z.B. 30 Gew.-% KOH) bei etwa 85 °C für 45 Minuten eingetaucht werden kann, während die Bondintegrität beibehalten wird. Die Bondintegrität kann bewertet werden, indem ein Glasträgersubstrat verwendet wird und der Randbond 46 durch das Glasträgersubstrat visuell beobachtet wird, um auf Blasen, Hohlräume, etc. zu überprüfen.
  • Wenn die gewünschte Bearbeitung einmal beendet ist, können das erste Substrat 12 und das zweite Substrat 32 leicht getrennt werden. In einem Trennungsverfahren wird der Randbond 46 zuerst mit der Hilfe eines Lösungsmittels oder anderer chemischer Mittel aufgelöst. Dies kann durch Eintauchen in das Lösungsmittel oder durch Sprühen eines Strahls des Lösungsmittels auf den Randbond 46 bewerkstelligt werden, um ihn aufzulösen. Die Verwendung von thermoplastischen Materialien ist besonders wünschenswert, wenn eine Lösungsmittelauflösung eingesetzt werden soll, um den Randbond 46 zu zerstören. Lösungsmittel, die während dieses Entfernungsverfahrens typischerweise verwendet werden könnten, schließen solche ein, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Ethyllactat, Cyclohexanon, N-Methylpyrrolidon, aliphatischen Lösungsmitteln (z.B. Hexan, Decan, Dodecan und Dodecen) und Mischungen davon.
  • Die Substrate 12 und 32 können ferner getrennt werden, indem zuerst die Kontinuität des Randbonds 46 unter Verwendung von Laserablation, Plasmaätzen, Bestrahlen mit Wasser oder anderen Hochenergietechniken, die den Randbond 46 wirksam ätzen oder zersetzen, mechanisch zerrissen oder zerstört wird. Es ist ferner möglich, zuerst den Randbond 46 durchzusägen oder -zuschneiden oder den Randbond 46 mit einem gleichwertigen Mittel zu spalten.
  • Ungeachtet dessen, welches der obigen Mittel eingesetzt wird, kann anschließend eine geringe mechanische Kraft (z.B. Fingerdruck, leichtes Keilen) angewendet werden, um die Substrate 12 und 32 vollständig zu trennen. Vorteilhafterweise, und im Gegensatz zu den Bondingverfahren des Standes der Technik, erfordert es die Trennung nicht, starke Haftbonds zwischen der Füllschicht 22 und den Substraten 12 oder 32 zu überwinden. Damit eine Trennung auftritt, ist es stattdessen lediglich notwendig, die Haftbonds an dem Randbond 46 in den peripheren Bereichen 18 und 40 zu lösen. Die Oberflächen der Substrate 12 und/oder 32 können anschließend mit geeigneten Lösungsmitteln sauber gespült werden, falls dies notwendig sein sollte, um irgendwelches restliches Material zu entfernen.
  • Während das Obige das wichtigste Verfahren der Anwendung der vorliegenden Erfindung beschreibt, gibt es mehrere alternative Ausführungsformen der Erfindung. Zum Beispiel beschreibt die obige Ausführungsform das erste Substrat 12 als einen Vorrichtungswafer und das zweite Substrat 32 als ein Trägersubstrat. Es ist ebenfalls akzeptabel, dass das erste Substrat 12 das Trägersubstrat ist und das zweite Substrat 32 der Vorrichtungswafer ist. In diesem Fall wird die Vorderseitenoberfläche 14 des ersten Substrats 12 keine Vorrichtungsoberfläche sein, sondern wird eher eine Trägeroberfläche sein. Ferner wird die Oberfläche 34 des zweiten Substrats 32 keine Trägeroberfläche sein, sondern wird stattdessen eine Vorrichtungsoberfläche sein. Mit anderen Worten kann die Füllschicht eher auf den Träger als auf den Vorrichtungswafer aufgetragen werden, wobei die gestapelte Struktur während der anschließenden Bondbildungsstufe mit der gleichen Qualität gebildet wird.
  • Darüber hinaus beschreibt die obige Ausführungsform die aufeinanderfolgende Auftragung der Füllschicht 22 und des Randbonds 46 auf dasselbe Substrat 12. Es ist ebenfalls geeignet, eines von Füllschicht 22 und Randbond 46 auf das erste Substrat 12 und das andere von Füllschicht 22 und Randbond 46 auf das zweite Substrat 32 aufzutragen. Die ersten und zweiten Substrate könnten anschließend in einer Anordnung von Angesicht zu Angesicht unter Hitze und/oder Druck wie oben beschrieben zusammengepresst werden, um die beiden zu bonden.
  • Letztlich, während es in einigen Ausführungsformen bevorzugt ist, dass die Füllschicht 22 keine starken Haftbonds mit entweder der Vorrichtungsoberfläche 14 oder der Trägeroberfläche 34 bildet, kann es in anderen Ausführungsformen wünschenswert sein, die Füllschicht 22 so zu formulieren, dass sie keine starken Haftbonds mit lediglich einer der Vorrichtungsoberfläche 14 oder der Trägeroberfläche 34 bildet.
  • Mit Bezug auf 2 wird eine weitere alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei gleiche Teile wie in 1 nummeriert sind. Wie in dieser Figur veranschaulicht wird, werden die Substrate 12 und 32, die Füllschicht 22 und der Randbond 46 aus den gleichen Materialien gebildet wie oben hinsichtlich 1 beschrieben, lediglich die Verfahrensfolge wurde geändert. Das heißt, dass mit Bezug auf Stufe (c') von 2 das Bond- oder Dichtungsmaterial, das verwendet wird, um den Randbond 46 zu bilden, nach der Auftragung von Füllschicht 22, jedoch vor dem in Kontakt bringen des zweiten Substrats 32 mit der Füllschicht 22 (gezeigt in Stufe (d')) in den Hohlraum 44 eingebracht wird.
  • Wie im Fall der Ausführungsform von 1 könnte das erste Substrat 12 das Trägersubstrat sein und das zweite Substrat 32 könnte der Vorrichtungswafer sein. In diesem Fall wird die Vorderseitenoberfläche 14 des ersten Substrats 12 erneut keine Vorrichtungsoberfläche sein, sondern wird eher eine Trägeroberfläche sein. Ferner wird die Oberfläche 34 des zweiten Substrats 32 keine Trägeroberfläche sein, sondern wird stattdessen eine Vorrichtungsoberfläche sein. Diese alternative Anordnung ist besonders vorteilhaft, weil die Struktur 10, die in Stufe (c') von 2 gezeigt wird, derart hergestellt werden könnte, dass das erste Substrat 12 als Trägerwafer bereitgestellt wird. Diese Struktur könnte anschließend einem Endverbraucher bereitgestellt werden, der einen Vorrichtungswafer an die Struktur bonden und den Stapel einer Weiterbearbeitung aussetzen würde. Damit wäre dem Endverbraucher ein haftbereiter Träger mit zusätzlichem Komfort verfügbar, da Bearbeitungsstufen für den Endverbraucher beseitigt werden.
  • 3 gibt noch eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wieder, wobei für gleiche Teile erneut die gleiche Nummerierung verwendet wird. In dieser Ausführungsform wird die Füllschicht 22 als ein Laminat bereitgestellt, das an das erste Substrat 12 unter Hitze, Druck und/oder Vakuum geheftet wird, wie es für das bestimmte Material erforderlich ist, um sicherzustellen, dass es zwischen der Füllschicht 22 und der Vorderseitenoberfläche 14 keine Hohlräume gibt (siehe Stufe (A) von 3). Das Laminat ist auf die geeignete Form (z.B. kreisförmig) vorgeschnitten oder wird nach der Auftragung mechanisch abgeschnitten, so dass der Hohlraum 44 geeigneter Größe hergestellt wird, wie oben diskutiert. Das Bond- oder Dichtungsmaterial, das verwendet wird, um den Randbond 46 zu bilden, wird nach der Auftragung des Laminats, das verwendet wird, um die Füllschicht 22 zu bilden, und vor dem in Kontakt bringen des zweiten Substrats 32 mit der Füllschicht 22 in den Hohlraum eingebracht (gezeigt in Stufe (c)).
  • Wie bereits im Fall der Ausführungsformen von 1 und 2 könnte das erste Substrat 12 der Trägerwafer sein und das zweite Substrat 32 könnte der Vorrichtungswafer sein. In diesem Fall wird die Vorderseitenoberfläche 14 des ersten Substrats 12 erneut keine Vorrichtungsoberfläche sein, sondern wird eher eine Trägeroberfläche sein. Ferner wird die Oberfläche 34 des zweiten Substrats 32 keine Trägeroberfläche sein, sondern wird stattdessen eine Vorrichtungsoberfläche sein. Wie im Fall der Ausführungsform von 2 ist diese alternative Anordnung besonders vorteilhaft, weil die Struktur 10, die in Stufe (B) von 3 gezeigt wird, derart hergestellt werden könnte, dass das erste Substrat 12 als Trägersubstrat bereitgestellt wird. Diese Struktur könnte anschließend einem Endverbraucher bereitgestellt werden, der einen Vorrichtungswafer an die Struktur bonden und den Stapel einer Weiterbearbeitung unterziehen würde.
  • Eine weitere alternative Ausführungsform ist in 4 dargestellt, wobei die gleiche Nummerierung verwendet wird, um die gleichen Teile wiederzugeben. Eine Struktur 48 ist dargestellt. Struktur 48 ist der Struktur 10 ähnlich, die in Stufe (d) von 1 gezeigt wird (und wird ähnlich gebildet), abgesehen davon, dass Struktur 48 ferner eine zweite Schicht 50 enthält. Die Schicht 50 kann eine Schicht mit einer geringen Haftfestigkeit sein, wie zum Beispiel eine Antihaftbeschichtung (z.B. Formtrennmittel), die aufgetragen wird, um die Trennung nach einer Rückseiten- oder anderen Bearbeitung zu erleichtern. Die Verwendung der Antihaftbeschichtung vermindert das Erfordernis für die Füllschicht 22, mit den ersten oder zweiten Substraten 12 oder 32 eine nichthaftende Grenzfläche oder eine Grenzfläche mit geringer Haftfestigkeit zu bilden.
  • Anstatt in der Form einer Schicht mit einer geringen Haftfestigkeit zu sein, könnte Schicht 50 (nicht maßstabsgerecht) auch eine Fläche auf der Vorderseitenoberfläche 14 des ersten Substrats 12 wiedergeben, die chemisch modifiziert wurde, um eine dauerhaft nichthaftende Oberflächenschicht zu erhalten oder eine Oberflächenschicht, an der ein Füllmaterial nicht stark haften kann. Solche Modifizierungen können zum Beispiel einschließen: (a) chemische Behandlung einer Siliziumoberfläche mit einem hydrophoben Organosilan wie zum Beispiel einem (Fluor)alkylsilan (z.B. Perfluoralkyltrichlorsilan) oder einem (Fluor)alkylphosphonat, um deren freie Oberflächenenergie zu verringern, oder (b) chemische Gasphasenabscheidung einer Beschichtung mit einer geringen freien Oberflächenenergie (z.B. fluorierte Parylene oder Parylen AF 4) auf den Träger, um eine dauerhaft nichthaftende Oberfläche zu erzeugen. Der Vorteil dieses Ansatzes ist, dass die füllende(n) Schicht(en) aus irgendeiner Kombination von anderen Eigenschaften (z.B. Dicke, Löslichkeit, thermische Stabilität) ausgewählt werden kann bzw. können als dem Bereitstellen einer nichthaftenden Grenzfläche oder einer Grenzfläche mit einer geringen Haftfestigkeit gegenüber dem Substrat. Wenn eine Oberflächenmodifizierung durchgeführt wird, wird die Dicke von Schicht 50 im Allgemeinen in der Größenordnung von etwa 1 nm bis etwa 5 nm liegen.
  • Letztlich könnte die Schicht 50 anstelle einer Schicht mit einer geringen Haftfestigkeit oder einer Oberflächenmodifizierung auch eine zweite polymere Schicht darstellen. Schicht 50 könnte eine Polymerbeschichtung sein, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Cycloolefinpolymeren und -copolymeren mit einer geringen Haftfestigkeit gegenüber dem Substrat 12 oder 32, auf das sie aufgetragen wird, oder der Füllschicht 22, mit der sie in Kontakt ist, oder die Schicht 50 könnte auch eine permanent nichthaftende Schicht wie zum Beispiel eine Fluorpolymerbeschichtung (z.B. solche, die unter dem Namen Teflon® von DuPont verkauft werden) sein. Wenn die Schicht 50 eine Polymerschicht mit einer geringen Haftfestigkeit ist, wird sie vorzugsweise (z.B. mittels Rotationsbeschichtung) in einer Dicke von mindestens etwa 0,5 µm und bevorzugter von etwa 1 um bis etwa 10 µm aufgetragen.
  • Die Verwendung einer Polymerbeschichtung als Schicht 50 bietet dem Endverbraucher den Vorteil einer kundenspezifischen Anpassung. Beispielsweise könnte die Schicht 50 mit dem ersten Substrat 12 eine nichthaftende Grenzfläche oder eine Grenzfläche mit einer geringen Haftfestigkeit bilden, um eine leichte Trennung dieses Substrats zu ermöglichen, wenn der Randbond 46 gebrochen oder entfernt worden ist, während die Füllschicht 22 fest an dem zweiten Substrat 32 haftet. Der Vorteil dieser Konfiguration ist, dass die Füllschicht 22 sehr dick sein kann (bis zu mehreren Hundert Mikrometern) und für eine schnelle Auflösung in einem reinigenden Lösungsmittel ausgewählt werden kann, jedoch mit dem ersten Substrat 12 keine nichthaftende Grenzfläche oder Grenzfläche mit einer geringen Haftfestigkeit bilden muss, oder die Funktionen der Schichten umgedreht werden könnten. Die Auftragung der Schicht 50 und der Füllschicht 22 kann aufeinanderfolgend auf das erste Substrat 12 erfolgen, oder alternativ können sie getrennt beschichtet werden, wobei eine der Schichten 50 oder 22 zuerst auf jedem Substrat platziert wird, und anschließend miteinander in Kontakt gebracht werden.
  • Ungeachtet der eingesetzten Schicht 50 sollte sie sich mit der Füllschicht 22 nicht vermischen, sich nicht darin lösen und nicht mit ihr reagieren. Darüber hinaus sollte sie so ausgewählt werden, dass sie gleichmäßig und ohne Hohlräume oder andere Defekte beschichtet.
  • Wie bereits im Fall der vorstehend diskutierten Ausführungsformen könnten die Substrate 12 und 32 vertauscht werden, so dass das erste Substrat 12 das Trägersubstrat wäre und das zweite Substrat 32 der Vorrichtungswafer wäre. In diesem Fall wird die Vorderseitenoberfläche 14 des ersten Substrats 12 erneut keine Vorrichtungsoberfläche sein, sondern wird eher eine Trägeroberfläche sein. Ferner wird die Oberfläche 34 des zweiten Substrats 32 keine Trägeroberfläche sein, sondern wird stattdessen eine Vorrichtungsoberfläche sein. Diese alternative Anordnung wäre erneut vorteilhaft, weil die Struktur 48', die in 5 gezeigt wird, mit dem ersten Substrat 12 hergestellt werden könnte, das als Trägerwafer bereitgestellt wird. Diese Struktur könnte anschließend einem Endverbraucher bereitgestellt werden, der einen Vorrichtungswafer an die Struktur bonden und den Stapel einer Weiterbearbeitung unterziehen würde. Somit wäre dem Endverbraucher wie in den vorherigen Ausführungsformen ein haftbereiter Träger mit zusätzlichem Komfort verfügbar, da Verfahrensstufen für den Endverbraucher beseitigt werden.
  • Eine weitere Ausführungsform der Erfindung wird in 6 dargestellt. In dieser Ausführungsform ist die Struktur 52 der Struktur 48' ähnlich, die in 5 gezeigt wird, abgesehen davon, dass die Struktur 52 lediglich das Substrat 12 und die Schicht 50 enthält. In dieser Ausführungsform wäre das Substrat 12 vorzugsweise ein Trägersubstrat wie zum Beispiel solche, die vorstehend beschrieben sind. Diese Struktur könnte einem Endverbraucher bereitgestellt werden, der sie dann als Trägersubstrat verwenden würde, um einen Vorrichtungswafer während der Bearbeitung zu tragen.
  • Letztlich sind die Materialien, die verwendet werden, um die Füllschicht 22, den Randbond 46 und die Schicht 50 zu bilden, vorstehend beschrieben worden. Es wird betont, dass der Mechanismus zum Verfestigen oder Härten dieser Materialien von üblichen Durchschnittsfachmännern leicht ausgewählt und angepasst werden kann. Beispielsweise kann es in einigen Ausführungsformen wünschenswert sein, zum leichteren Auflösen in späteren Entfernungs- oder Reinigungsverfahren eine nichthärtende Zusammensetzung zu verwenden. Für jedes dieser Materialien wären thermoplastische oder kautschukartige Zusammensetzungen (typischerweise mit einem gewichtsgemittelten Molekulargewicht von mindestens etwa 5000 Dalton), harz- oder Rosin-harzartige Zusammensetzungen (typischerweise mit einem gewichtsgemittelten Molekulargewicht von weniger als etwa 5000 Dalton) und Mischungen der vorgenannten geeignet.
  • In weiteren Ausführungsformen kann ein thermisch härtbares Material besser geeignet sein, und somit würde eine Zusammensetzung ausgewählt, die beim Erhitzen härtet oder vernetzt. Dies würde die Verwendung eines Vernetzungsmittels und möglicherweise eines Katalysators in dem System sowie eine Stufe, um die Vernetzung herbeizuführen, erfordern.
  • In noch einer weiteren Ausführungsform kann ein photohärtbares System bevorzugt sein. Dies würde die Verwendung eines freiradikalischen Photoinitiators oder photogenerierten Katalysators in dem System sowie eine Stufe (z.B. Aussetzung gegenüber UV-Licht), um eine Härtung herbeizuführen, erfordern. Dieses System stellt in einigen Fällen einen Vorteil dar, in denen es als Zusammensetzung mit einem Feststoffgehalt von 100 % eingesetzt werden kann, falls erforderlich.
  • Es wird betont, dass das Vorstehende dazu verwendet werden kann, etliche integrierte Mikrovorrichtungen herzustellen, die solche einschließen, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Silizium-basierten Halbleitervorrichtungen, Verbindungshalbleiter-basierten Vorrichtungen, Arrays von eingebetteten passiven Vorrichtungen (z.B. Widerständen, Kondensatoren, Spulen), MEMS-Geräten, Mikrosensoren, photonischen Schaltungsvorrichtungen, lichtemittierenden Dioden, Wärmemanagementvorrichtungen und ebenen Packungssubstraten (z.B. Interposern), an die eine oder mehrere der vorgenannten Vorrichtungen angebracht worden ist/sind oder wird/werden.
  • Beispiele
  • Die folgenden Beispiele legen bevorzugte Verfahren gemäß der Erfindung dar. Diese Beispiele werden jedoch selbstverständlich zur Veranschaulichung bereitgestellt und nichts davon sollte als Einschränkung des Gesamtumfangs der Erfindung angenommen werden.
  • Beispiel 1
  • Haftgebondete Randoberfläche und chemisch modifizierte Zentrumsoberfläche
  • Ein Epoxidharz-basierter Photoresist (SU-8 2002, Microchem, Newton, MA) wurde auf die Oberfläche eines 100 mm-Siliziumwafers (Wafer 1) am äußeren Rand aufgegeben, um einen Bereich der Waferoberfläche zu beschichten, der etwa 3 bis 5 mm breit war. Ein fluoriertes Silan ((Heptadecafluor-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)trichlorsilan) wurde unter Verwendung von FC-40-Lösungsmittel (Perfluorverbindung mit hauptsächlich C12, verkauft unter dem Namen Fluorinert, erhalten von 3M) auf eine 1 %ige Lösung verdünnt. Die Lösung wurde auf die Oberfläche von Wafer 1 rotationsbeschichtet. Der Wafer 1 wurde auf einer Heizplatte bei 100 °C für 1 Minute gebacken. Er wurde in einem Spincoater mit FC-40-Lösungsmittel abgespült und bei 100 °C für 1 weitere Minute gebacken. Der Epoxidharz-basierte Photoresist wurde unter Verwendung von Aceton in einem Spincoater entfernt, wobei der Rand von der fluorierten Silanlösung unbehandelt hinterlassen wurde.
  • Die Oberfläche eines weiteren 100 mm-Siliziumwafers (Wafer 2) wurde mit einer Bondzusammensetzung (WaferBOND® HT10.10, erhältlich von Brewer Science Inc., Rolla, MO) mittels Rotationsbeschichtung beschichtet. Dieser Wafer wurde bei 110 °C für 2 Minuten gebacken, gefolgt von 160 °C für 2 Minuten. Die beschichteten Wafer wurden in einer Anordnung zueinander von Angesicht zu Angesicht in einer beheizten Vakuum- und Druckkammer unter Vakuum bei 220 °C für 3 Minuten gebondet. Sie wurden debondet, indem an dem Rand zwischen den beiden Wafern eine Rasierklinge eingeführt wurde. Nach der Trennung wurde lediglich ein 3 bis 5 mm breiter Ring der Bondzusammensetzungsbeschichtung auf den Rand von Wafer 1 übertragen, während der Rest der Beschichtung auf dem Wafer 2 verblieb. Jeder Wafer könnte in diesem Beispiel als der Vorrichtungswafer oder der Trägerwafer betrachtet werden.
  • Beispiel 2
  • Haftgebondete Randoberfläche, chemisch modifizierte Zentrumsoberfläche und Debonden unter Verwendung eines Lösungsmittelstrahls am Rand mit einem Keil
  • Ein Epoxidharz-basierter Photoresist wurde auf die Oberfläche eines 200 mm-Siliziumwafers (Wafer 1) am äußeren Rand aufgegeben, um einen Bereich der Waferoberfläche zu beschichten, der etwa 3 bis 5 mm breit war. Ein fluoriertes Silan ((Hepta- decafluor-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)trichlorsilan) wurde unter Verwendung von FC-40-Lösungsmittel auf eine 1 %ige Lösung verdünnt. Die Lösung wurde auf die Oberfläche von Wafer 1 rotationsbeschichtet. Der Wafer 1 wurde auf einer Heizplatte bei 100 °C für 1 Minute gebacken. Er wurde in einem Spincoater mit FC-40-Lösungsmittel abgespült und bei 100 °C für 1 weitere Minute gebacken. Der Epoxidharz-basierte Photoresist wurde unter Verwendung von Aceton in einem Spincoater entfernt, wobei der Rand von der fluorierten Silanlösung unbehandelt hinterlassen wurde.
  • Die Oberfläche eines weiteren 200 mm-Siliziumwafers (Wafer 2) wurde mit der Bondzusammensetzung WaferBOND® HT10.10 mittels Rotationsbeschichtung beschichtet. Dieser Wafer wurde bei 110 °C für 2 Minuten und 160 °C für 2 Minuten gebacken. Die beschichteten Wafer wurden in einer Anordnung von Angesicht zu Angesicht zueinander in einer beheizten Vakuum- und Druckkammer unter Vakuum bei 220 °C für 2 Minuten gebondet. Die Wafer wurden debondet, indem Dodecen, das Lösungsmittel in dem WaferBOND® HT10.10, direkt auf dem Rand der gebondeten Wafer verteilt wurde, um die Bondzusammensetzung aufzulösen, während die Wafer rotiert wurden, um den Rand der gebondeten Wafer dem Lösungsmittel auszusetzen. Nachdem das Lösungsmittel das Material bis etwa 0,5 bis 1 mm von dem Rand aufgelöst hatte, wurde an dem Rand zwischen den Wafern eine geschärfte runde Platte eingeführt, während sie nach wie vor rotierten. Dies verursachte ein Versagen der Bondzusammensetzung am Rand und die Wafer wurden getrennt. Nach der Trennung wurde lediglich ein 3 bis 5 mm breiter Ring der HT10.10-Beschichtung auf den Rand von Wafer 1 übertragen, während der Rest der Beschichtung auf dem Wafer 2 verblieb. Jeder Wafer könnte in diesem Beispiel als der Vorrichtungswafer oder der Trägerwafer betrachtet werden.
  • Beispiel 3
  • Haftgebondete Randoberfläche und mit Trennungsmaterial beschichtete Zentrumsoberfläche
  • Ein negativer Epoxidharz-basierter Photoresist (verkauft unter dem Namen SU-8 2010, erhalten von Microchem) wurde auf die Oberfläche eines 100 mm-Glaswafers rotationsbeschichtet. Der Wafer wurde bei 110 °C für 2 Minute gebacken. Eine Teflon® AF-Lösung (Teflon® AF2400 in FC-40, erhalten von DuPont) wurde über den SU-8 2010 rotationsbeschichtet. Anschließend wurde das FC-40-Lösungsmittel auf die Oberfläche des Wafers an dem äußeren Rand aufgegeben, um einen etwa 3 bis 5 mm breiten Bereich der Teflon® AF-Beschichtung von der Waferoberfläche zu entfernen. Der Wafer wurde bei 110 °C für 2 Minuten gebacken. Der Wafer wurde in einer Anordnung von Angesicht zu Angesicht mit einem rohen 100 mm-Siliziumwafer in einer beheizten Vakuum- und Druckkammer unter Vakuum bei 120 °C für 3 Minuten gebondet. Die gebondeten Wafer wurden von der äußeren Seite des Glaswafers einem Breitband-UV-Licht ausgesetzt. Die Wafer wurden bei 120 °C für 2 Minuten gebacken, um die SU-8-2010-Beschichtung zu vernetzen. Sie wurden debondet, indem an dem Rand zwischen den beiden Wafern eine Rasierklinge eingeführt wurde. Nach der Trennung wies der Siliziumwafer lediglich auf den äußeren 3 bis 5 mm einen Ring mit Material auf, während es keinen Materialtransfer in das Zentrum gab. Jeder Wafer könnte in diesem Beispiel als der Vorrichtungswafer oder der Trägerwafer betrachtet werden.
  • Beispiel 4
  • Haftgebondete Randoberfläche und mit Haftverstärker beschichtete Zentrumsoberfläche
  • Ein Silikonacrylatpolymer wurde hergestellt, indem zuerst das Folgende gemischt wurde, um eine Monomerlösung herzustellen: 624 g Methacryloxypropyltris(trismethylsiloxy)silan, 336 g Glycidylmethacrylat und 9,6 g Dicumylperoxid. Als nächstes wurden 1430,4 g 1-Butanol einem Reaktionsgefäß zugegeben und in einer Stunde auf 116 °C erhitzt. Die Monomerlösung wurde über 4 Stunden tropfenweise zugegeben und eine Polymerisation wurde für 20 Stunden bei 116 °C durchgeführt, um eine Silikonacrylatcopolymerlösung mit einem Feststoffgehalt von 40,4 % zu ergeben.
  • Die Copolymerlösung wurde auf die Oberfläche eines 100 mm-Siliziumwafers (Wafer 1) rotationsbeschichtet. Anschließend wurde 1-Butanol auf die Oberfläche des Wafers an dem äußeren Rand aufgegeben, um einen etwa 3 bis 5 mm breiten Bereich der Silikonacrylatcopolymerbeschichtung von der Waferoberfläche zu entfernen. Der Wafer wurde auf einer Heizplatte bei 110 °C für 2 Minuten gebacken. Die Oberfläche eines weiteren 100 mm-Siliziumwafers (Wafer 2) wurde mit der Waferbondzusammensetzung WaferBOND® HT10.10 von Brewer Science mittels Rotationsbeschichtung beschichtet. Dieser Wafer wurde anschließend bei 110 °C für 2 Minuten und 160 °C für 2 Minuten gebacken. Die beschichteten Wafer wurden in einer Anordnung von Angesicht zu Angesicht zueinander in einer beheizten Vakuum- und Druckkammer unter Vakuum bei 220 °C für 3 Minuten gebondet. Sie wurden debondet, indem an dem Rand zwischen den beiden Wafern eine Rasierklinge eingeführt wurde. Nach der Trennung verblieb lediglich ein 3 bis 5 mm breiter Ring der HT10.10-Beschichtung auf dem Rand von Wafer 2, während der Rest der Beschichtung sauber auf den Wafer 1 übertragen wurde. Jeder Wafer könnte in diesem Beispiel als der Vorrichtungswafer oder der Trägerwafer betrachtet werden.
  • Beispiel 5
  • Haftgebondete Randoberfläche und Zentrumsoberfläche, die mit Material mit geringer Haftung gegenüber jedem Substrat gefüllt ist
  • Die in Beispiel 3 verwendete Teflon® AF-Lösung wurde auf die Oberfläche eines 100 mm-Siliziumwafers (Wafer 1) rotationsbeschichtet. Anschließend wurde das FC-40-Lösungsmittel auf die Oberfläche des Wafers an dem äußeren Rand aufgegeben, um einen etwa 3 bis 5 mm breiten Bereich der Teflon® AF-Beschichtung von der Waferoberfläche zu entfernen. Der Wafer wurde bei 110 °C für 2 Minuten gebacken. Der Rand des Wafers wurde mit WaferBOND® HT10.10-Bondzusammensetzung mittels Rotationsbeschichtung beschichtet, wobei das Material lediglich am Rand aufgebracht wurde. Der Wafer wurde in einer Anordnung von Angesicht zu Angesicht mit einem rohen 100 mm-Siliziumwafer (Wafer 2) in einer beheizten Vakuum- und Druckkammer unter Vakuum bei 220 °C für 2 Minuten gebondet. Die Wafer wurden debondet, indem an dem Rand zwischen den beiden Wafern eine Rasierklinge eingeführt wurde. Nach der Trennung wies der Wafer 2 lediglich an den äußeren 3 bis 5 mm einen Ring des Bondmaterials auf, während es keinen Materialtransfer in das Zentrum gab. Jeder Wafer könnte in diesem Beispiel als der Vorrichtungswafer oder der Trägerwafer betrachtet werden.

Claims (33)

  1. Verfahren zum Bilden einer temporären Waferbondstruktur, bei dem ein erstes Substrat (12) mit Vorderseiten- und Rückseitenoberflächen (16) bereitgestellt wird, wobei die Vorderseitenoberfläche einen peripheren Bereich (18) und einen zentralen Bereich (20) aufweist, auf dem peripheren Bereich (18) ein Randbond (46) gebildet wird, wobei der Randbond (46) in dem zentralen Bereich (20) fehlt, wobei der Randbond (46) aus einem Material gebildet wird, das Monomere, Oligomere oder Polymere enthält, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Epoxidharzen, Acrylen, Silikonen, Styrolen, Vinylhalogeniden, Vinylestern, Polyamiden, Polyimiden, Polysulfonen, Polyethersulfonen, Cycloolefinen, Polyolefinkautschuken und Polyurethanen, wobei der Randbond (46) eine Haftstärke aufweist, die größer als etwa 345 kPa ist, und in den zentralen Bereich (20) ein amorphes polymeres Füllmaterial (22) eingebracht wird, wobei das Füllmaterial eine Haftstärke von weniger als etwa 345 kPa Überdruck aufweist, bestimmt mittels ASTM D4541/D7234, wobei das Füllmaterial (22) einen Gewichtsverlust von weniger als etwa 1 Gew.-% bei Temperaturen von etwa 150°C bis etwa 350°C erfährt, wobei der Randbond (46) eine Haftstärke aufweist, die mindestens etwa 3447 Pa Überdruck größer ist als die Haftstärke des Füllmaterials (22), und anschließend ein zweites Substrat (32) mit einer Trägeroberfläche (34) in Kontakt gebracht wird, um so den Randbond (46) an die Trägeroberfläche (34) zu bonden und die temporäre Waferbondingstruktur zu bilden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Einbringen eines Füllmaterials (22) vor dem Bilden eines Randbonds (46) durchgeführt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das erste Substrat (12) einen Vorrichtungswafer mit einer Vorrichtungsoberfläche (14) enthält, die einen Array von Vorrichtungen enthält, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus integrierten Schaltungen, MEMS, Mikrosensoren, Leistungshalbleitern, lichtemittierenden Dioden, photonischen Schaltungen, Interposern, eingebetteten passiven Vorrichtungen und Mikrovorrichtungen, die auf oder aus Silizium, Silizium-Germanium, Galliumarsenid und Galliumnitrid hergestellt sind.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das erste Substrat (12) ein Material enthält, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Silizium, Saphir, Quarz, Metall, Glas und Keramiken.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das zweite Substrat (32) ein Material enthält, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Silizium, Saphir, Quarz, Metall, Glas und Keramiken.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Vorrichtungsoberfläche (14) mindestens eine Struktur enthält, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Lötperlen, Metallpfosten, Metallpfeilern und Strukturen, die aus einem Material gebildet sind, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Silizium, Polysilizium, Siliziumdioxid, Silizium(oxy)nitrid, Metall, Dielektrika mit geringem k-Wert, polymeren Dielektrika, Metallnitriden und Metallsiliziden.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Füllmaterial (22) eine erste Oberfläche (24) und eine zweite Oberfläche (26) bietet, wobei die Struktur ferner eine zweite Schicht (50) in Kontakt mit einer von den ersten und zweiten Oberflächen (24,26) enthält.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Struktur ferner eine zweite Schicht (50) umfasst, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einer Schicht mit einer geringen Haftfestigkeit, einer polymeren Schicht und einer Oberflächenmodifizierung der Trägeroberfläche (34) oder der Vorrichtungsoberfläche (14).
  9. Verfahren nach Anspruch 8, bei dem die zweite Schicht (50) in Kontakt mit der Trägeroberfläche (34) ist.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Randbond (46) eine Breite von etwa 2 mm bis etwa 15 mm aufweist.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Füllmaterial (22) Polymere enthält, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Cycloolefinen und amorphen Fluorpolymeren.
  12. Verfahren zum temporären Bonden, bei dem ein Stapel (10) bereitgestellt wird, der ein erstes Substrat (12) mit einer Rückseitenoberfläche (16) und einer Vorrichtungsoberfläche (14), wobei die Vorrichtungsoberfläche (14) einen peripheren Bereich (18) und einen zentralen Bereich (20) aufweist, ein zweites Substrat (32) mit einer Trägeroberfläche (34), und einen Randbond (46), der an den peripheren Bereich (18) und an die Trägeroberfläche (34) gebondet ist, wobei der Randbond (46) in dem zentralen Bereich (20) fehlt, um eine Füllzone zu bilden, wobei der Randbond (46) aus einem Material gebildet wird, das Monomere, Oligomere oder Polymere enthält, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Epoxidharzen, Acrylen, Silikonen, Styrolen, Vinylhalogeniden, Vinylestern, Polyamiden, Polyimiden, Polysulfonen, Polyethersulfonen, Cycloolefinen, Polyolefinkautschuken und Polyurethanen, wobei der Randbond (46) eine Haftstärke aufweist, die größer als etwa 345 kPa ist, und ein amorphes polymeres Füllmaterial (22) in der Füllzone umfasst, wobei das Füllmaterial (22) eine Haftstärke von weniger als etwa 345 kPa Überdruck aufweist, bestimmt mittels ASTM D4541/-D7234, wobei das Füllmaterial (22) einen Gewichtsverlust von weniger als etwa 1 Gew.-% bei Temperaturen von etwa 150°C bis etwa 350°C erfährt, wobei der Randbond (46) eine Haftstärke aufweist, die mindestens etwa 3447 Pa Überdruck größer ist als die Haftstärke des Füllmaterials (22), und die ersten und zweiten Substrate (12,32) getrennt werden, wobei vor dem Trennen der Randbond (46) einem Lösungsmittel ausgesetzt wird, um den Randbond (46) aufzulösen, oder der Randbond (46) mechanisch unter Verwendung von Laserablation, Plasmaätzen, Bestrahlen mit Wasser zerrissen oder zerstört wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die Vorrichtungsoberfläche (14) einen Array von Vorrichtungen enthält, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus integrierten Schaltungen, MEMS, Mikrosensoren, Leistungshalbleitern, lichtemittierenden Dioden, photonischen Schaltungen, Interposern, eingebetteten passiven Vorrichtungen und Mikrovorrichtungen, die auf oder aus einem Material ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Silizium, Silizium-Germanium, Galliumarsenid und Galliumnitrid hergestellt sind.
  14. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem das zweite Substrat (32) ein Material enthält, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Silizium, Saphir, Quarz, Metall, Glas und Keramiken.
  15. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die Vorrichtungsoberfläche (14) mindestens eine Struktur umfasst, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Lötperlen, Metallpfosten, Metallpfeilern und Strukturen, die aus einem Material gebildet sind, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Silizium, Polysilizium, Siliziumdioxid, Silicium(oxy)nitrid, Metall, Dielektrika mit geringem k-Wert, polymeren Dielektrika, Metallnitriden und Metallsiliziden.
  16. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem das Füllmaterial (22) eine erste Oberfläche (24) in Kontakt mit der Trägeroberfläche (34) und eine zweite Oberfläche (26) in Kontakt mit der Vorrichtungsoberfläche (14) bietet, wobei das Füllmaterial (22) von der ersten Oberfläche (24) zu der zweiten Oberfläche (26) ein gleichförmiges Material ist.
  17. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem das Füllmaterial (22) eine erste Oberfläche (24) und eine zweite Oberfläche (26) bietet, wobei der Stapel (10) ferner eine zweite Schicht (50) in Kontakt mit einer von der ersten und zweiten Oberflächen (24,26) umfasst, wobei die andere von der ersten und zweiten Oberflächen (24,26) in Kontakt mit einer von der Trägeroberfläche (34) und der Vorrichtungsoberfläche (14) ist.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, bei dem die zweite Schicht (50) ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einer Schicht mit einer geringen Haftfestigkeit, einer polymeren Schicht und einer Oberflächenmodifizierung der Trägeroberfläche (34) oder der Vorrichtungsoberfläche (14) .
  19. Verfahren nach Anspruch 18, bei dem die zweite Schicht (50) in Kontakt mit der Trägeroberfläche (34) ist.
  20. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem der Randbond (46) eine Breite von etwa 2 mm bis etwa 15 mm aufweist.
  21. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem das Füllmaterial (22) Polymere enthält, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Cycloolefinen und amorphen Fluorpolymeren.
  22. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem ferner der Stapel (10) einer Bearbeitung unterzogen wird, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Rückseitenschleifen, chemischmechanischem Polieren, Ätzen, Metall- und Dielektrikumsabscheidung, Musterbildung, Passivierung, Glühen und Kombinationen davon, bevor die ersten und zweiten Substrate (12,32) getrennt werden.
  23. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem beim Trennen auf mindestens eines der ersten und zweiten Substrate (12,32) eine geringe Kraft angewendet wird, um sie auseinanderzuziehen.
  24. Gegenstand, der ein erstes Substrat (12) mit Vorderseiten- und Rückseitenoberflächen (16), wobei die Vorderseitenoberfläche einen peripheren Bereich (18) und einen zentralen Bereich (20) aufweist, ein zweites Substrat (32) mit einer Trägeroberfläche (34), einen Randbond (46), der erste und zweite Oberflächen zeigt, wobei die erste Oberfläche an den peripheren Bereich (18) gebondet ist und die zweite Oberfläche von dem peripheren Bereich (18) wegweist und an die Trägeroberfläche (34) gebondet ist, wobei der Randbond (46) in dem zentralen Bereich (20) fehlt, um eine Füllzone zu bilden, wobei der Randbond (46) aus einem Material gebildet wird, das Monomere, Oligomere oder Polymere enthält, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Epoxidharzen, Acrylen, Silikonen, Styrolen, Vinylhalogeniden, Vinylestern, Polyamiden, Polyimiden, Polysulfonen, Polyethersulfonen, Cycloolefinen, Polyolefinkautschuken und Polyurethanen, wobei der Randbond (46) eine Haftstärke aufweist, die größer als etwa 345 kPa ist, und ein amorphes polymeres Füllmaterial (22) in der Füllzone umfasst, wobei das Füllmaterial eine Haftstärke von weniger als etwa 345 kPa Überdruck aufweist, bestimmt mittels ASTM D4541/D7234 und an den ersten und zweiten Oberflächen fehlt, wobei das Füllmaterial (22) einen Gewichtsverlust von weniger als etwa 1 Gew.-% bei Temperaturen von etwa 150°C bis etwa 350°C erfährt, wobei der Randbond (46) eine Haftstärke aufweist, die mindestens etwa 3774 Pa Überdruck größer ist als die Haftstärke des Füllmaterials (22).
  25. Gegenstand nach Anspruch 24, bei dem das erste Substrat (12) einen Vorrichtungswafer mit einer Vorrichtungsoberfläche (14) umfasst, die einen Array von Vorrichtungen umfasst, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus integrierten Schaltungen, MEMS, Mikrosensoren, Leistungshalbleitern, lichtemittierenden Dioden, photonischen Schaltungen, eingebetteten passiven Vorrichtungen und Mikrovorrichtungen, die auf oder aus einem Material ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Silizium, Silizium-Germanium, Galliumarsenid und Galliumnitrid hergestellt sind.
  26. Gegenstand nach Anspruch 24, bei dem das erste Substrat (12) ein Material umfasst, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Silizium, Saphir, Quarz, Metal, Glas und Keramiken.
  27. Gegenstand nach Anspruch 24, bei dem das zweite Substrat (32) ein Material umfasst, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Silizium, Saphir, Quarz, Metall, Glas und Keramiken.
  28. Gegenstand nach Anspruch 25, bei dem die Vorrichtungsoberfläche (14) mindestens eine Struktur umfasst, die ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Lötperlen, Metallpfosten, Metallpfeilern und Strukturen, die aus einem Material gebildet sind, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Silizium, Polysilizium, Siliziumdioxid, Silizium(oxy)nitrid, Metall, Dielektrika mit geringem k-Wert, polymeren Dielektrika, Metallnitriden und Metallsiliziden.
  29. Gegenstand nach Anspruch 24, bei dem das Füllmaterial (22) eine erste Oberfläche (24) und eine zweite Oberfläche (26) bietet, wobei der Gegenstand ferner eine zweite Schicht (50) in Kontakt mit einer der ersten und zweiten Oberflächen (24,26) umfasst.
  30. Gegenstand nach Anspruch 24, bei dem das Füllmaterial (22) eine erste Oberfläche (24) und eine zweite Oberfläche (26) bietet, wobei der Gegenstand ferner eine Schicht (50) in Kontakt mit einer der ersten und zweiten Oberflächen (24,26) aufweist und wobei diese Schicht (50) ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einer Schicht mit einer geringen Haftfestigkeit, einer polymeren Schicht und einer Oberflächenmodifizierung der Trägeroberfläche (34) oder der Vorrichtungsoberfläche (14).
  31. Gegenstand nach Anspruch 30, bei dem diese Schicht (50) in Kontakt mit der Trägeroberfläche (34) ist.
  32. Gegenstand nach Anspruch 24, bei dem der Randbond (46) eine Breite von etwa 2 mm bis etwa 15 mm aufweist.
  33. Gegenstand nach Anspruch 24, bei dem das Füllmaterial (22) Polymere enthält, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Cycloolefinen und amorphen Fluorpolymeren.
DE112009000140.8T 2008-01-24 2009-01-23 Verfahren zum reversiblen Anbringen eines Vorrichtungswafers an einem Trägersubstrat und ein daraus erhaltener Gegenstand Active DE112009000140B4 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US2337908P 2008-01-24 2008-01-24
US61/023,379 2008-01-24
PCT/US2009/031862 WO2009094558A2 (en) 2008-01-24 2009-01-23 Method for reversibly mounting a device wafer to a carrier substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE112009000140T5 DE112009000140T5 (de) 2010-11-18
DE112009000140B4 true DE112009000140B4 (de) 2022-06-15

Family

ID=40901639

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE202009018064U Expired - Lifetime DE202009018064U1 (de) 2008-01-24 2009-01-23 Gegenstände beim reversiblen Anbringen eines Vorrichtungswafers an einem Trägersubstrat
DE112009000140.8T Active DE112009000140B4 (de) 2008-01-24 2009-01-23 Verfahren zum reversiblen Anbringen eines Vorrichtungswafers an einem Trägersubstrat und ein daraus erhaltener Gegenstand

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE202009018064U Expired - Lifetime DE202009018064U1 (de) 2008-01-24 2009-01-23 Gegenstände beim reversiblen Anbringen eines Vorrichtungswafers an einem Trägersubstrat

Country Status (13)

Country Link
US (2) US9111981B2 (de)
EP (1) EP2238618B1 (de)
JP (2) JP5111620B2 (de)
KR (1) KR101096142B1 (de)
CN (1) CN101925996B (de)
AT (2) AT508318B1 (de)
CA (1) CA2711266A1 (de)
DE (2) DE202009018064U1 (de)
IL (1) IL206872A (de)
PT (1) PT2238618E (de)
RU (1) RU2010129076A (de)
TW (1) TWI439526B (de)
WO (1) WO2009094558A2 (de)

Families Citing this family (167)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4746003B2 (ja) * 2007-05-07 2011-08-10 リンテック株式会社 移載装置及び移載方法
KR101096142B1 (ko) 2008-01-24 2011-12-19 브레우어 사이언스 인코포레이션 캐리어 기판에 디바이스 웨이퍼를 가역적으로 장착하는 방법
US8092628B2 (en) 2008-10-31 2012-01-10 Brewer Science Inc. Cyclic olefin compositions for temporary wafer bonding
US9991311B2 (en) 2008-12-02 2018-06-05 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
US9721825B2 (en) 2008-12-02 2017-08-01 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
US9601530B2 (en) 2008-12-02 2017-03-21 Arizona Board Of Regents, A Body Corporated Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
US8476165B2 (en) * 2009-04-01 2013-07-02 Tokyo Electron Limited Method for thinning a bonding wafer
US8181688B2 (en) * 2009-04-16 2012-05-22 Suss Microtec Lithography, Gmbh Apparatus for temporary wafer bonding and debonding
US8950459B2 (en) 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
US8366873B2 (en) 2010-04-15 2013-02-05 Suss Microtec Lithography, Gmbh Debonding equipment and methods for debonding temporary bonded wafers
US8871609B2 (en) * 2009-06-30 2014-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thin wafer handling structure and method
US9305769B2 (en) 2009-06-30 2016-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thin wafer handling method
EP2706561B1 (de) * 2009-09-01 2017-04-05 EV Group GmbH Verfahren zum konzentrischen Ablösen eines Produktsubstrats (z.B. eines Halbleiterwafers) von einem Trägersubstrat durch Verformung eines auf einem Filmrahmen montierten flexiblen Films
DE102009050568A1 (de) * 2009-10-23 2011-04-28 Schott Ag Einrichtung mit verminderten Reibeigenschaften
KR101105918B1 (ko) * 2009-11-30 2012-01-17 주식회사 엘지실트론 질화물 반도체 소자의 제조방법
TWI412096B (zh) * 2009-12-15 2013-10-11 Hiwin Tech Corp 晶圓防護裝置及其操作流程
JP5535670B2 (ja) * 2010-01-28 2014-07-02 富士フイルム株式会社 放射線画像検出器の製造方法
US9159595B2 (en) * 2010-02-09 2015-10-13 Suss Microtec Lithography Gmbh Thin wafer carrier
KR20120132624A (ko) 2010-02-12 2012-12-06 다우 코닝 코포레이션 반도체 가공을 위한 임시 웨이퍼 접합 방법
US8541886B2 (en) * 2010-03-09 2013-09-24 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with via and method of manufacture thereof
JP5763169B2 (ja) * 2010-03-31 2015-08-12 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 二面上にチップを備えたウェハを製造するための方法
JP5728163B2 (ja) * 2010-04-02 2015-06-03 東京応化工業株式会社 剥離方法、および剥離液
US9837295B2 (en) 2010-04-15 2017-12-05 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus and method for semiconductor wafer leveling, force balancing and contact sensing
US9859141B2 (en) 2010-04-15 2018-01-02 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus and method for aligning and centering wafers
US9064686B2 (en) 2010-04-15 2015-06-23 Suss Microtec Lithography, Gmbh Method and apparatus for temporary bonding of ultra thin wafers
JP6116476B2 (ja) * 2010-05-20 2017-04-19 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー チップスタックを製造するための方法及びその方法を実施するためのキャリア
US8742009B2 (en) * 2010-06-04 2014-06-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Temporary adhesive composition, and method of producing thin wafer
JP5671265B2 (ja) * 2010-06-10 2015-02-18 東京応化工業株式会社 基板の加工方法
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
CN102315311A (zh) * 2010-07-06 2012-01-11 杜邦太阳能有限公司 太阳能模块装置及其封边涂布方法
US9263314B2 (en) 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
KR101735571B1 (ko) 2010-08-20 2017-05-16 삼성전자주식회사 방열 재료, 상기 방열 재료로 만들어진 접합부를 포함하는 발광 다이오드 패키지
JP5714859B2 (ja) * 2010-09-30 2015-05-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法
EP3035047B1 (de) * 2010-11-12 2019-03-20 EV Group E. Thallner GmbH Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels
US8415183B2 (en) * 2010-11-22 2013-04-09 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Wafer level conformal coating for LED devices
US8753460B2 (en) * 2011-01-28 2014-06-17 International Business Machines Corporation Reduction of edge chipping during wafer handling
CN102637575B (zh) * 2011-02-09 2015-07-01 群康科技(深圳)有限公司 元件基板的制造方法
KR101579772B1 (ko) * 2011-02-18 2015-12-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 레벨 싱귤레이션 방법 및 시스템
SG193904A1 (en) * 2011-04-11 2013-11-29 Ev Group E Thallner Gmbh Flexible carrier mount, device and method for detaching a carrier substrate
US9500541B2 (en) 2011-06-06 2016-11-22 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and device for determining the pressure distribution for bonding
WO2013006865A2 (en) 2011-07-07 2013-01-10 Brewer Science Inc. Methods of transferring device wafers or layers between carrier substrates and other surfaces
RU2469433C1 (ru) * 2011-07-13 2012-12-10 Юрий Георгиевич Шретер Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)
DE102011079687A1 (de) 2011-07-22 2013-01-24 Wacker Chemie Ag Temporäre Verklebung von chemisch ähnlichen Substraten
JP2013026546A (ja) * 2011-07-25 2013-02-04 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜デバイス用基板、及び薄膜デバイスの製造方法
US8940104B2 (en) 2011-08-02 2015-01-27 Brewer Science Inc. Cleaning composition for temporary wafer bonding materials
WO2013036638A2 (en) * 2011-09-06 2013-03-14 Brewer Science Inc. Use of megasonic energy to assist edge bond removal in a zonal temporary bonding process
US10497601B2 (en) 2011-09-20 2019-12-03 Ev Group E. Thallner Gmbh Device and method for coating of a carrier wafer
JP5962395B2 (ja) * 2011-09-28 2016-08-03 Jsr株式会社 基材の仮固定方法、半導体装置および仮固定用組成物
JP5913053B2 (ja) * 2011-12-08 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR20200019772A (ko) 2011-12-22 2020-02-24 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 가요성 기판 홀더, 제1 기판을 분리하기 위한 장치 및 방법
US8696864B2 (en) 2012-01-26 2014-04-15 Promerus, Llc Room temperature debonding composition, method and stack
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
WO2015157202A1 (en) 2014-04-09 2015-10-15 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
US20130201635A1 (en) * 2012-02-08 2013-08-08 Brewer Science Inc. Fluorinated silane coating compositions for thin wafer bonding and handling
US8975157B2 (en) 2012-02-08 2015-03-10 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Carrier bonding and detaching processes for a semiconductor wafer
JP6055597B2 (ja) * 2012-02-09 2016-12-27 東京応化工業株式会社 貼付方法及び貼付装置
US8697542B2 (en) 2012-04-12 2014-04-15 The Research Foundation Of State University Of New York Method for thin die-to-wafer bonding
JP5348341B1 (ja) * 2012-04-27 2013-11-20 Ｊｓｒ株式会社 基材の処理方法、仮固定用組成物および半導体装置
US9127126B2 (en) 2012-04-30 2015-09-08 Brewer Science Inc. Development of high-viscosity bonding layer through in-situ polymer chain extension
JP5360260B2 (ja) * 2012-05-08 2013-12-04 Ｊｓｒ株式会社 基材の処理方法、積層体および半導体装置
JP5901422B2 (ja) 2012-05-15 2016-04-13 古河電気工業株式会社 半導体ウェハのダイシング方法およびこれに用いる半導体加工用ダイシングテープ
JP6063641B2 (ja) * 2012-05-16 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハ保護部材
JP5752639B2 (ja) * 2012-05-28 2015-07-22 東京エレクトロン株式会社 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CN103035580B (zh) * 2012-07-24 2015-06-03 上海华虹宏力半导体制造有限公司 应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法
SG2014014716A (en) 2012-07-30 2014-08-28 Erich Thallner Substrate composite, method and device for bonding of substrates
KR101970291B1 (ko) 2012-08-03 2019-04-18 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 제조 방법
US8963336B2 (en) 2012-08-03 2015-02-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor packages, methods of manufacturing the same, and semiconductor package structures including the same
KR101276487B1 (ko) * 2012-10-05 2013-06-18 주식회사 이녹스 웨이퍼 적층체 및 디바이스 웨이퍼 및 캐리어 웨이퍼의 본딩 및 디본딩 처리 방법
US20140103499A1 (en) * 2012-10-11 2014-04-17 International Business Machines Corporation Advanced handler wafer bonding and debonding
US9269623B2 (en) 2012-10-25 2016-02-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ephemeral bonding
US20140117509A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 Infineon Technologies Ag Metal Deposition with Reduced Stress
DE102012220954A1 (de) 2012-11-16 2014-05-22 Wacker Chemie Ag Schleifbare Siliconelastomerzusammensetzung und deren Verwendung
CN106030686A (zh) * 2012-12-13 2016-10-12 康宁股份有限公司 玻璃和制备玻璃制品的方法
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US9340443B2 (en) 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
US10014177B2 (en) 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
TWI617437B (zh) * 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
EP2747130B1 (de) 2012-12-21 2017-10-11 ams AG Verfahren zur Herstellung einer entfernbaren Waferverbindung und Wafer-Träger-Verbund
JP6170672B2 (ja) * 2012-12-27 2017-07-26 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法
EP2752871B1 (de) * 2013-01-08 2015-09-16 ams AG Verfahren der Anwendung eines Trägers auf einen Vorrichtungswafer
JP6162976B2 (ja) * 2013-02-26 2017-07-12 東京応化工業株式会社 基板の処理方法
EP2772939B1 (de) 2013-03-01 2016-10-19 Ams Ag Halbleitervorrichtung zum Erfassen von Strahlung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung zum Erfassen von Strahlung
WO2014137801A1 (en) * 2013-03-03 2014-09-12 John Moore Temporary adhesive with tunable adhesion force sufficient for processing thin solid materials
US9028628B2 (en) 2013-03-14 2015-05-12 International Business Machines Corporation Wafer-to-wafer oxide fusion bonding
WO2014142303A1 (ja) * 2013-03-14 2014-09-18 富士電機株式会社 半導体デバイスの製造方法
TWI679175B (zh) * 2013-03-15 2019-12-11 美商康寧公司 玻璃片之大量退火
US9093489B2 (en) * 2013-03-15 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Selective curing method of adhesive on substrate
JP5921473B2 (ja) * 2013-03-21 2016-05-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP6114596B2 (ja) 2013-03-26 2017-04-12 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
JP6050170B2 (ja) 2013-03-27 2016-12-21 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
JP5975918B2 (ja) 2013-03-27 2016-08-23 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
CN104103731A (zh) * 2013-04-03 2014-10-15 新世纪光电股份有限公司 发光二极管结构及其制作方法
CN103259069B (zh) * 2013-04-12 2015-06-24 上海安费诺永亿通讯电子有限公司 一种改进损耗的传输线
CN103259070B (zh) * 2013-04-12 2016-08-03 上海安费诺永亿通讯电子有限公司 一种降低损耗的传输线
CN103280423A (zh) * 2013-05-29 2013-09-04 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种机械式拆键合工艺及系统
US9058974B2 (en) 2013-06-03 2015-06-16 International Business Machines Corporation Distorting donor wafer to corresponding distortion of host wafer
CN103441083B (zh) * 2013-06-27 2016-03-30 清华大学 一种用于三维集成的临时键合方法
KR101617316B1 (ko) 2013-08-14 2016-05-02 코스텍시스템(주) 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩/디본딩 방법 및 본딩/디본딩 장치
US9508659B2 (en) 2013-07-01 2016-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus to protect a wafer edge
KR20150011072A (ko) 2013-07-22 2015-01-30 삼성전자주식회사 임시 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
CN103367221A (zh) * 2013-07-23 2013-10-23 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种晶圆拆键合工艺及系统
US8962449B1 (en) * 2013-07-30 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Methods for processing semiconductor devices
US10103048B2 (en) 2013-08-28 2018-10-16 Brewer Science, Inc. Dual-layer bonding material process for temporary bonding of microelectronic substrates to carrier substrates
JP6182491B2 (ja) 2013-08-30 2017-08-16 富士フイルム株式会社 積層体およびその応用
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
CN103633004B (zh) * 2013-11-20 2016-05-25 中国电子科技集团公司第四十一研究所 30μm-50μm超薄石英基片上光刻刻蚀薄膜电路图形的方法
JP5607847B1 (ja) 2013-11-29 2014-10-15 古河電気工業株式会社 半導体加工用粘着テープ
US9224696B2 (en) 2013-12-03 2015-12-29 United Microelectronics Corporation Integrated semiconductor device and method for fabricating the same
FR3015110B1 (fr) * 2013-12-17 2017-03-24 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d’un substrat-poignee destine au collage temporaire d’un substrat
US9761474B2 (en) 2013-12-19 2017-09-12 Micron Technology, Inc. Methods for processing semiconductor devices
SG11201605469PA (en) * 2014-01-07 2016-08-30 Brewer Science Inc Cyclic olefin polymer compositions and polysiloxane release layers for use in temporary wafer bonding processes
US9865490B2 (en) 2014-01-07 2018-01-09 Brewer Science Inc. Cyclic olefin polymer compositions and polysiloxane release layers for use in temporary wafer bonding processes
US10381224B2 (en) 2014-01-23 2019-08-13 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an electronic device and electronic device thereof
WO2017034645A2 (en) 2015-06-09 2017-03-02 ARIZONA BOARD OF REGENTS, a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY Method of providing an electronic device and electronic device thereof
WO2015156891A2 (en) 2014-01-23 2015-10-15 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
KR102353030B1 (ko) 2014-01-27 2022-01-19 코닝 인코포레이티드 얇은 시트와 캐리어의 제어된 결합을 위한 물품 및 방법
EP2899760B1 (de) 2014-01-27 2018-08-29 ams AG Halbleitervorrichtung für optische Anwendungen und Verfahren zur Herstellung solch einer Halbleitervorrichtung
TW201530610A (zh) * 2014-01-27 2015-08-01 Dow Corning 暫時性接合晶圓系統及其製造方法
CN103839862A (zh) * 2014-02-28 2014-06-04 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种机械式拆键合工艺方法
WO2015132852A1 (ja) 2014-03-03 2015-09-11 古河電気工業株式会社 半導体加工用粘着テープ
JP6151204B2 (ja) * 2014-03-04 2017-06-21 東京エレクトロン株式会社 接合方法および接合システム
CN103956327A (zh) * 2014-04-28 2014-07-30 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种激光拆键合工艺方法及系统
JP2017518638A (ja) * 2014-05-13 2017-07-06 アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・フォー・アンド・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティＡｒｉｚｏｎａ Ｂｏａｒｄ Ｏｆ Ｒｅｇｅｎｔｓ Ｆｏｒ Ａｎｄ Ｏｎ Ｂｅｈａｌｆ Ｏｆ Ａｒｉｚｏｎａ Ｓｔａｔｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ 電子デバイスを提供する方法およびその電子デバイス
JP6344971B2 (ja) * 2014-05-16 2018-06-20 株式会社ディスコ サポートプレート、サポートプレートの形成方法及びウェーハの加工方法
JP6385133B2 (ja) * 2014-05-16 2018-09-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び中間部材
KR102404034B1 (ko) 2014-07-22 2022-05-31 브레우어 사이언스, 인코포레이션 3차원 ic 적용용 레이저 박리 재료로서의 폴리이미드
CN105336682A (zh) * 2014-08-06 2016-02-17 上海和辉光电有限公司 一种柔性基板的制作方法、固定方法以及固定结构
US10978334B2 (en) * 2014-09-02 2021-04-13 Applied Materials, Inc. Sealing structure for workpiece to substrate bonding in a processing chamber
US10141216B2 (en) 2014-10-22 2018-11-27 Promerus, Llc Room temperature debondable and thermally curable compositions
US10446582B2 (en) 2014-12-22 2019-10-15 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an imaging system and imaging system thereof
US9741742B2 (en) 2014-12-22 2017-08-22 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device
JP6225894B2 (ja) * 2014-12-24 2017-11-08 信越化学工業株式会社 ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
EP3245263A1 (de) * 2015-01-14 2017-11-22 EV Group E. Thallner GmbH Verfahren und vorrichtung zum lösen eines substrats von einem substratstapel
DE102015100863B4 (de) * 2015-01-21 2022-03-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats und ein verklebtes Substratsystem
CN107249933B (zh) * 2015-02-06 2020-03-17 安道拓卢森堡控股有限公司 交通工具座椅部件的连接方法以及交通工具座椅
JP2016146429A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
US9644118B2 (en) 2015-03-03 2017-05-09 Dow Global Technologies Llc Method of releasably attaching a semiconductor substrate to a carrier
US10522383B2 (en) 2015-03-25 2019-12-31 International Business Machines Corporation Thermoplastic temporary adhesive for silicon handler with infra-red laser wafer de-bonding
CN107635769B (zh) 2015-05-19 2020-09-15 康宁股份有限公司 使片材与载体粘结的制品和方法
DE102015210384A1 (de) 2015-06-05 2016-12-08 Soitec Verfahren zur mechanischen Trennung für eine Doppelschichtübertragung
CN104916550A (zh) * 2015-06-09 2015-09-16 深圳市华星光电技术有限公司 用于制造柔性基板的方法以及基板结构
US9799625B2 (en) * 2015-06-12 2017-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
EP3313799B1 (de) 2015-06-26 2022-09-07 Corning Incorporated Verfahren und artikel mit einem bogen und einem träger
CN105280541A (zh) * 2015-09-16 2016-01-27 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法
RU2612879C1 (ru) * 2015-10-15 2017-03-13 Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега" Способ временного закрепления подложек на технологическом основании
DE102015118742A1 (de) 2015-11-02 2017-05-04 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum Bonden und Lösen von Substraten
US10050012B2 (en) * 2015-11-25 2018-08-14 International Business Machines Corporation Method for semiconductor die removal rework
DE102016106351A1 (de) * 2016-04-07 2017-10-12 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Bonden zweier Substrate
TW201825623A (zh) 2016-08-30 2018-07-16 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI821867B (zh) 2016-08-31 2023-11-11 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
US20180068843A1 (en) * 2016-09-07 2018-03-08 Raytheon Company Wafer stacking to form a multi-wafer-bonded structure
CN106847718A (zh) * 2017-03-28 2017-06-13 深圳市化讯半导体材料有限公司 一种器件晶圆的临时键合与拆键合工艺
US10403598B2 (en) 2017-08-11 2019-09-03 Micron Technology, Inc. Methods and system for processing semiconductor device structures
US10326044B2 (en) * 2017-08-18 2019-06-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for processing semiconductor device structures
US10300649B2 (en) 2017-08-29 2019-05-28 Raytheon Company Enhancing die flatness
JP7130735B2 (ja) 2017-09-12 2022-09-05 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 仮ボンディングされた基板スタックを分離させるための装置および方法
US11331692B2 (en) 2017-12-15 2022-05-17 Corning Incorporated Methods for treating a substrate and method for making articles comprising bonded sheets
KR20200092349A (ko) 2017-12-22 2020-08-03 브레우어 사이언스 인코포레이션 3-d ic응용 제품을 위한 레이저로 분리 가능한 접착 재료
US10446431B2 (en) * 2017-12-27 2019-10-15 Micron Technology, Inc. Temporary carrier debond initiation, and associated systems and methods
WO2019227955A1 (zh) * 2018-05-31 2019-12-05 浙江清华柔性电子技术研究院 柔性器件的过渡装置、制备方法及柔性器件的制作方法
US11024501B2 (en) * 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US11610801B2 (en) 2019-01-22 2023-03-21 Brewer Science, Inc. Laser-releasable bonding materials for 3-D IC applications
US10847569B2 (en) 2019-02-26 2020-11-24 Raytheon Company Wafer level shim processing
FR3103313B1 (fr) * 2019-11-14 2021-11-12 Commissariat Energie Atomique Procédé de démontage d’un empilement d’au moins trois substrats
DE102022000425A1 (de) 2022-02-03 2023-08-03 Azur Space Solar Power Gmbh III-N-Silizium Halbleiterscheibe
WO2023179868A1 (de) 2022-03-25 2023-09-28 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und substratsystem zum trennen von trägersubstraten
CN117219502B (zh) * 2023-11-07 2024-01-12 天通控股股份有限公司 一种键合晶片的单面减薄方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050029224A1 (en) 2001-04-13 2005-02-10 Bernard Aspar Detachable substrate or detachable structure and method for the production thereof
US20060046433A1 (en) 2004-08-25 2006-03-02 Sterrett Terry L Thinning semiconductor wafers
DE102006000687A1 (de) 2006-01-03 2007-07-12 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Kombination aus einem Träger und einem Wafer

Family Cites Families (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3970494A (en) * 1975-04-18 1976-07-20 Western Electric Co., Inc. Method for adhering one surface to another
US4474942A (en) * 1982-06-28 1984-10-02 Takeda Chemical Industries, Ltd. Cross-linked polyesteramide from bis(2-oxazoline)
GB8320270D0 (en) 1983-07-27 1983-09-01 Raychem Ltd Polymer composition
JPS61144839A (ja) * 1984-12-18 1986-07-02 Toshiba Corp 半導体ウエハの接着方法
US4558114A (en) * 1985-01-23 1985-12-10 Ashland Oil, Inc. Polymers derived from polyisocyanates, bicyclic amide acetals and oxazolines
US4710542A (en) * 1986-05-16 1987-12-01 American Cyanamid Company Alkylcarbamylmethylated amino-triazine crosslinking agents and curable compositions containing the same
US4855170A (en) * 1986-08-21 1989-08-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Pressure-sensitive tape construction incorporating resilient polymeric microspheres
JPH0266933A (ja) * 1988-09-01 1990-03-07 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
NL8902683A (nl) 1989-10-31 1991-05-16 Stamicarbon Meerkomponentensysteem op basis van een oxazoline en een fosfor bevattende verbinding.
US5043250A (en) * 1990-07-17 1991-08-27 Eastman Kodak Company Radiation-sensitive composition containing a poly (N-acyl-alkyleneimine) and use thereof in lithographic printing plates
US5195729A (en) * 1991-05-17 1993-03-23 National Semiconductor Corporation Wafer carrier
JPH0645436A (ja) * 1992-07-22 1994-02-18 Nec Corp 半導体基板の貼付方法
JP3656254B2 (ja) 1994-02-28 2005-06-08 三菱住友シリコン株式会社 接着ウエーハの剥離方法及び剥離装置
US5654226A (en) * 1994-09-07 1997-08-05 Harris Corporation Wafer bonding for power devices
JP2004119975A (ja) * 1995-12-04 2004-04-15 Renesas Technology Corp Ｉｃカードの製造方法
US6342434B1 (en) * 1995-12-04 2002-01-29 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier
JPH09263500A (ja) * 1996-01-22 1997-10-07 Komatsu Electron Metals Co Ltd 貼り合わせｓｏｉウェーハの剥がし治具
DE19628393A1 (de) 1996-07-13 1998-01-15 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zum Schutz des Rands eines Wafers vor einer ätzenden Flüssigkeit und Verfahren zur Montage der Vorrichtung
US6054363A (en) * 1996-11-15 2000-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor article
SG67458A1 (en) 1996-12-18 1999-09-21 Canon Kk Process for producing semiconductor article
CN1104480C (zh) * 1997-01-30 2003-04-02 三井化学株式会社 热熔粘合剂组合物
AU9105298A (en) * 1997-08-22 1999-03-16 Cubic Memory, Inc. Vertical interconnect process for silicon segments with thermally conductive epoxy preform
US6110999A (en) * 1998-03-06 2000-08-29 Denovus Llc Reusable adhesive composition and method of making the same
KR100304197B1 (ko) * 1998-03-30 2001-11-30 윤종용 소이제조방법
US6068727A (en) * 1998-05-13 2000-05-30 Lsi Logic Corporation Apparatus and method for separating a stiffener member from a flip chip integrated circuit package substrate
KR100509059B1 (ko) * 1998-09-12 2005-11-22 엘지전자 주식회사 플렉시블인쇄회로기판의제조방법및그방법으로생산한플렉시블인쇄회로기판
FR2783970B1 (fr) 1998-09-25 2000-11-03 Commissariat Energie Atomique Dispositif autorisant le traitement d'un substrat dans une machine prevue pour traiter de plus grands substrats et systeme de montage d'un substrat dans ce dispositif
FR2785217B1 (fr) * 1998-10-30 2001-01-19 Soitec Silicon On Insulator Procede et dispositif pour separer en deux tranches une plaque de materiau notamment semi-conducteur
JP2000138193A (ja) * 1998-11-02 2000-05-16 Enya System:Kk マウント板への堆積物の付着防止方法
JP2002531942A (ja) 1998-12-02 2002-09-24 ニューポート・コーポレーション 試料を保持するロボットアーム端部エフェクタ
JP2000208252A (ja) * 1999-01-14 2000-07-28 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
FR2796491B1 (fr) * 1999-07-12 2001-08-31 Commissariat Energie Atomique Procede de decollement de deux elements et dispositif pour sa mise en oeuvre
US6350664B1 (en) * 1999-09-02 2002-02-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2001079304A1 (fr) * 2000-04-13 2001-10-25 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Procede de production de copolymere de vinyle $g(a)-olefinique/aromatique
US20030168158A1 (en) * 2000-08-22 2003-09-11 Takeyoshi Kato Method of film laminating
JP2002237516A (ja) 2001-02-07 2002-08-23 Seiko Epson Corp ウェハ保護ケース
US20020115263A1 (en) * 2001-02-16 2002-08-22 Worth Thomas Michael Method and related apparatus of processing a substrate
US6660330B2 (en) * 2001-04-10 2003-12-09 International Business Machines Corporation Method for depositing metal films onto substrate surfaces utilizing a chamfered ring support
DE10121115A1 (de) * 2001-04-28 2002-10-31 Leica Microsystems Haltevorrichtung für Wafer
US6811916B2 (en) * 2001-05-15 2004-11-02 Neah Power Systems, Inc. Fuel cell electrode pair assemblies and related methods
US6543808B1 (en) * 2001-07-05 2003-04-08 Translucent Technologies, Llc Direct thermal printable pull tabs
DE10137375A1 (de) * 2001-07-31 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Verwendung von Polybenzoxazolen (PBO) zum Kleben
EP1295926A1 (de) * 2001-09-19 2003-03-26 ExxonMobil Chemical Patents Inc. Komponente für Klebstoffe und Verfahren zur deren Herstellung
JP3957506B2 (ja) * 2001-12-26 2007-08-15 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 基板表面保護シート貼り付け装置および貼り付け方法
KR20050006120A (ko) * 2002-05-13 2005-01-15 제이에스알 가부시끼가이샤 고체의 일시적 고정을 위한 조성물 및 방법
CN1639869B (zh) * 2002-05-20 2010-05-26 三菱住友硅晶株式会社 粘合基片的制造方法、以及其中使用的晶片外周加压用夹具类
JP4565804B2 (ja) 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP4074794B2 (ja) 2002-08-30 2008-04-09 ソタジャパン有限会社 ゲルマニウム合金−シリカ複合体を用いた装身具
US7608336B2 (en) * 2002-11-28 2009-10-27 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Flame-retardant epoxy resin composition and cured product obtained therefrom
JP4593068B2 (ja) * 2002-11-29 2010-12-08 古河電気工業株式会社 半導体ウエハー固定用粘着テープ
US7187162B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Tools and methods for disuniting semiconductor wafers
US6869894B2 (en) * 2002-12-20 2005-03-22 General Chemical Corporation Spin-on adhesive for temporary wafer coating and mounting to support wafer thinning and backside processing
JP4514409B2 (ja) 2003-02-20 2010-07-28 日東電工株式会社 半導体ウエハの仮固定方法及び電子部品、回路基板
JP4171898B2 (ja) * 2003-04-25 2008-10-29 信越化学工業株式会社 ダイシング・ダイボンド用接着テープ
DE10320375B3 (de) * 2003-05-07 2004-12-16 Süss Micro Tec Laboratory Equipment GmbH Verfahren zum temporären Fixieren zweier flächiger Werksücke
AU2003235243A1 (en) * 2003-05-13 2004-12-03 Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. Wafer demounting method, wafer demounting device, and wafer demounting and transferring machine
US6911375B2 (en) * 2003-06-02 2005-06-28 International Business Machines Corporation Method of fabricating silicon devices on sapphire with wafer bonding at low temperature
JP4170839B2 (ja) * 2003-07-11 2008-10-22 日東電工株式会社 積層シート
DE10334576B4 (de) * 2003-07-28 2007-04-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kunststoffgehäuse
JP4462997B2 (ja) * 2003-09-26 2010-05-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP4447280B2 (ja) * 2003-10-16 2010-04-07 リンテック株式会社 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
US7084201B2 (en) * 2003-11-14 2006-08-01 Wall-Guard Corporation Of Ohio Non-flammable waterproofing composition
EP1700896A1 (de) 2003-11-27 2006-09-13 JSR Corporation Schmelzkleber
JP2006135272A (ja) * 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
US20050150597A1 (en) * 2004-01-09 2005-07-14 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for controlled cleaving
US7279063B2 (en) * 2004-01-16 2007-10-09 Eastman Kodak Company Method of making an OLED display device with enhanced optical and mechanical properties
KR100696287B1 (ko) * 2004-01-28 2007-03-19 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 보호방법
RU2273075C2 (ru) 2004-01-28 2006-03-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" (ОАО "НИИПМ") Устройство для обработки полупроводниковых пластин
DE102004007060B3 (de) * 2004-02-13 2005-07-07 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden von Wafern
FR2866983B1 (fr) * 2004-03-01 2006-05-26 Soitec Silicon On Insulator Realisation d'une entite en materiau semiconducteur sur substrat
JP2005268690A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 多層回路基板の製造方法
US7226812B2 (en) * 2004-03-31 2007-06-05 Intel Corporation Wafer support and release in wafer processing
DE102004018249B3 (de) * 2004-04-15 2006-03-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks an einem Werkstückträger
JP4539368B2 (ja) * 2005-02-24 2010-09-08 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
US7541264B2 (en) 2005-03-01 2009-06-02 Dow Corning Corporation Temporary wafer bonding method for semiconductor processing
JP4721828B2 (ja) * 2005-08-31 2011-07-13 東京応化工業株式会社 サポートプレートの剥離方法
US7545042B2 (en) * 2005-12-22 2009-06-09 Princo Corp. Structure combining an IC integrated substrate and a carrier, and method of manufacturing such structure
US8268449B2 (en) * 2006-02-06 2012-09-18 Brewer Science Inc. Thermal- and chemical-resistant acid protection coating material and spin-on thermoplastic adhesive
JP4682883B2 (ja) * 2006-03-10 2011-05-11 株式会社豊田自動織機 貼り合わせ基板の分断方法
US20070267972A1 (en) * 2006-05-22 2007-11-22 Menegus Harry E Method for forming a temporary hermetic seal for an OLED display device
US20070274871A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-29 Genetix Limited Well plate
RU2380305C2 (ru) 2006-07-06 2010-01-27 Рена Зондермашинен Гмбх Устройство и способ разъединения и транспортировки подложек
JP2008021929A (ja) 2006-07-14 2008-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート、搬送装置、剥離装置及び剥離方法
US7713835B2 (en) * 2006-10-06 2010-05-11 Brewer Science Inc. Thermally decomposable spin-on bonding compositions for temporary wafer bonding
US20080200011A1 (en) * 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach
JP2008171934A (ja) 2007-01-10 2008-07-24 Lintec Corp 脆質部材の保護構造および脆質部材の処理方法
JP4125776B1 (ja) 2007-01-31 2008-07-30 信越エンジニアリング株式会社 粘着チャック装置
JP4729003B2 (ja) * 2007-06-08 2011-07-20 リンテック株式会社 脆質部材の処理方法
CN101827906A (zh) * 2007-10-19 2010-09-08 日东欧洲股份有限公司 粘合带
JP2009154407A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Tdk Corp 剥離装置、剥離方法および情報記録媒体製造方法
KR101096142B1 (ko) 2008-01-24 2011-12-19 브레우어 사이언스 인코포레이션 캐리어 기판에 디바이스 웨이퍼를 가역적으로 장착하는 방법
JP2010010207A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離装置および剥離方法
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050029224A1 (en) 2001-04-13 2005-02-10 Bernard Aspar Detachable substrate or detachable structure and method for the production thereof
US20060046433A1 (en) 2004-08-25 2006-03-02 Sterrett Terry L Thinning semiconductor wafers
DE102006000687A1 (de) 2006-01-03 2007-07-12 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Kombination aus einem Träger und einem Wafer

Also Published As

Publication number Publication date
US9099512B2 (en) 2015-08-04
EP2238618A2 (de) 2010-10-13
TWI439526B (zh) 2014-06-01
CA2711266A1 (en) 2009-07-30
US20110069467A1 (en) 2011-03-24
JP2012253367A (ja) 2012-12-20
DE202009018064U1 (de) 2010-12-02
JP5111620B2 (ja) 2013-01-09
WO2009094558A2 (en) 2009-07-30
CN101925996A (zh) 2010-12-22
AT508318B1 (de) 2022-07-15
EP2238618A4 (de) 2011-03-09
PT2238618E (pt) 2015-09-03
JP5558531B2 (ja) 2014-07-23
EP2238618B1 (de) 2015-07-29
KR20100095021A (ko) 2010-08-27
US9111981B2 (en) 2015-08-18
JP2011510518A (ja) 2011-03-31
KR101096142B1 (ko) 2011-12-19
RU2010129076A (ru) 2012-01-20
AT508318A3 (de) 2015-12-15
DE112009000140T5 (de) 2010-11-18
US20090218560A1 (en) 2009-09-03
TW200946628A (en) 2009-11-16
AT508318A2 (de) 2010-12-15
CN101925996B (zh) 2013-03-20
WO2009094558A3 (en) 2009-09-24
IL206872A0 (en) 2010-12-30
AT12755U1 (de) 2012-11-15
IL206872A (en) 2015-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112009000140B4 (de) Verfahren zum reversiblen Anbringen eines Vorrichtungswafers an einem Trägersubstrat und ein daraus erhaltener Gegenstand
DE102010027703B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen eines reversibel angebrachten Vorrichtungswafers von einem Trägersubstrat
EP1568071B1 (de) Wafer mit trennschicht und trägerschicht und dessen herstellungsverfahren
EP1384255B1 (de) Verfahren zum rückseitenschleifen von wafern
WO2013120648A1 (de) Verfahren zum temporären verbinden eines produktsubstrats mit einem trägersubstrat
US8293652B2 (en) Substrate processing method, semiconductor chip manufacturing method, and resin-adhesive-layer-backed semiconductor chip manufacturing method
EP2572380B1 (de) Verfahren zur herstellung von chipstapeln sowie ein träger für die durchführung des verfahrens
EP2666185A1 (de) Verfahren zum ablösen eines produktsubstrats von einem trägersubstrat
DE10340409B4 (de) Trägerwafer und Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers unter Verwendung eines Trägerwafers
DE10139056B4 (de) Verfahren zum Dünnen eines scheibenförmigen Gegenstands sowie zur Herstellung eines beidseitig strukturierten Halbleiterbauelements
DE102021209979A1 (de) Verfahren zur bearbeitung eines substrats

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final