DE102006000687A1 - Kombination aus einem Träger und einem Wafer - Google Patents

Kombination aus einem Träger und einem Wafer Download PDF

Info

Publication number
DE102006000687A1
DE102006000687A1 DE200610000687 DE102006000687A DE102006000687A1 DE 102006000687 A1 DE102006000687 A1 DE 102006000687A1 DE 200610000687 DE200610000687 DE 200610000687 DE 102006000687 A DE102006000687 A DE 102006000687A DE 102006000687 A1 DE102006000687 A1 DE 102006000687A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wafer
carrier
adhesive layer
annular
adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE200610000687
Other languages
English (en)
Other versions
DE102006000687B4 (de
Inventor
Erich Thallner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DE200610000687 priority Critical patent/DE102006000687B4/de
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to AT0178106A priority patent/AT503053B1/de
Priority to US11/610,750 priority patent/US7910454B2/en
Publication of DE102006000687A1 publication Critical patent/DE102006000687A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102006000687B4 publication Critical patent/DE102006000687B4/de
Priority to US12/916,734 priority patent/US8156981B2/en
Priority to US12/916,751 priority patent/US8349701B2/en
Priority to US13/464,088 priority patent/US8293063B2/en
Priority to US13/464,187 priority patent/US8536020B2/en
Priority to US13/915,908 priority patent/US8664082B2/en
Priority to US13/947,265 priority patent/US8802542B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
    • H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01076—Osmium [Os]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/12—Surface bonding means and/or assembly means with cutting, punching, piercing, severing or tearing
    • Y10T156/1348—Work traversing type
    • Y10T156/1352—Work traversing type with liquid applying means
    • Y10T156/1361—Cutting after bonding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1798—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means with liquid adhesive or adhesive activator applying means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
    • Y10T428/24322—Composite web or sheet
    • Y10T428/24331—Composite web or sheet including nonapertured component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Kombination aus einem Träger (6) und einem Wafer (15), wobei Träger (6) und Wafer (15) parallel zueinander angeordnet und mit einer zwischen Träger (6) und Wafer (15) befindlichen Kleberschicht (8) verklebt sind, wobei der Kleber derart beschaffen ist, dass seine Klebeeigenschaft bei Überschreiten einer vorgegebenen Temperatur verloren geht oder zumindest reduziert ist. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Kleberschicht (8) ausschließlich ringförmig im Randbereich des Wafers (15) zwischen Träger (6) und Wafer (15) vorgesehen ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Kombination aus einem Träger und einem Wafer, eine Vorrichtung zum Trennen einer Kombination aus einem Wafer und einem Träger sowie ein Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers.
  • In der Halbleiterindustrie ist es notwendig, nach der Strukturierung eines Wafers, diesen anschließend einem Rückdünnprozess zu unterwerfen, um einerseits die axiale bzw. vertikale Dimension zu verkleinern und andererseits um elektrische und thermische Verbesserungen des Endprodukts zu erzielen. Bei dem Rückdünnprozess wird die nicht strukturierte Seite des Wafers durch mechanische Schleifmethoden abgeschliffen. Die elektrisch aktive Schicht und gegebenenfalls vorhandene Kontaktierungsanschlüsse auf der Waferoberfläche, in der Regel in der Form von kleinen Lötkugeln (pumps), bleiben unberührt.
  • Da, wie erwähnt, der Rückdünnprozess meistens durch mechanisches Abschleifen des Wafers erfolgt, ist es erforderlich, den Wafer auf einem stabilen Träger zu montieren, um den Wafer beim Schleifvorgang zu stabilisieren. Eine derartige Stabilisierung ist insbesondere für einen bereits rückgedünnten Wafer anzuraten, da dieser aufgrund seiner nur sehr geringen Dicke von weniger als 100 μm nur eine sehr geringe mechanische Festigkeit aufweist.
  • Zur Erhöhung der mechanischen Stabilität des Wafers muss dieser zunächst auf einem Träger montiert werden. Nach Abschluss des Rückdünnprozesses muss der Träger jedoch wieder entfernt werden, ohne dabei den empfindlichen, rückgedünnten Wafer zu beschädigen.
  • Zur Herstellung dieser temporären Verbindung zwischen einem Wafer und einem Träger gibt es in der Praxis eine Vielzahl von Verfahren und Vorrichtungen. Das Ziel sämtlicher Verfahren ist es, den Träger aus Kostengründen wieder zu verwerten. Wird als Grundmaterial für die elektrischen Schaltkreise Silizium verwendet, so bedient man sich in der Praxis aus Kostengründen und aufgrund des identischen Ausdehnungskoeffizienten ebenfalls eines Siliziumwafers als Träger. Bei Wafern aus anderen Materialien, wie beispielsweise GaAs kommen Träger aus Glas, Saphir oder anderen Materialien zur Anwendung.
  • Eine weit verbreitete Methode zur Befestigung eines Wafers an einem Träger aus Glas besteht darin, den Glasträger mit dem Wafer großflächig zu verkleben. Der verwendete Kleber hat dabei die Eigenschaft, dass er bei Überschreiten einer gewissen Temperatur seine Klebeeigenschaften verliert. Zur Trennung des Wafers und des Glasträgers wird daher in den Glaswafer Energie mittels eines Lasers eingetragen, durch die der Kleber aufgelöst wird. Daraufhin lassen sich Wafer und Glasträger problemlos voneinander trennen. Nachteilig bei dem bekannten Verfahren ist es, dass es in der Praxis häufig vorkommt, dass der Kleber bereits von den während des Rückdünnungsprozesses auftretenden Temperaturen zerstört wird, wodurch sich der Wafer bereits während des Rückdünnprozesses von seinem Träger löst. Hierbei kommt es zur Zerstörung des Wafers.
  • Andere bekannte Verfahren arbeiten mit Folien, die mit einer Klebstoffschicht versehen sind. Auch dieser Klebstoff verliert seine Klebeeigenschaften bei Überschreiten einer bestimmten Temperatur. Ebenso wie bei dem zuvor beschriebenen Verfahren kann es bereits beim Rückdünnprozess durch die auftretenden hohen Temperaturen zu einem Lösen der Verbindung zwischen Träger und Wafer kommen.
  • Klebstoffe, die erst bei höheren Temperaturen als den beim Rückdünnprozess auftretenden Temperaturen ihre Klebeeigenschaft verlieren, können nicht eingesetzt werden, da die zur Zerstörung des Klebers notwendigen Temperaturen die Strukturen des Wafers zerstören können.
    •
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Kombination aus einem Träger und einem Wafer vorzuschlagen, deren Verbindung die bei einem Rückdünnprozess auftretenden Temperaturen unbeschadet übersteht und deren Verbindung nach Beendigung des Rückdünnprozesses mit einfachen Mitteln gelöst werden kann, ohne dabei den strukturierten Wafer zu beschädigen. Weiterhin besteht die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe darin, eine Vorrichtung zum Trennen der Kombination aus einem Wafer und einem Träger sowie ein Verfahren zur Handhabung eines Wafers und eines Trägers vorzuschlagen.
  • Die Aufgabe wird mit einer Kombination aus einem Träger und einem Wafer mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorrichtungsgemäß wird die Aufgabe durch die Merkmale des Anspruchs 6 gelöst. Eine verfahrensmäßige Lösung ist in Anspruch 10 wiedergegeben. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Der Erfindung liegt der Gedanke zugrunde, die Kleberschicht nicht großflächig zwischen Träger und Wafer aufzubringen, sondern den Kleber ausschließlich ringförmig im Randbereich zwischen Wafer und Träger aufzubringen. Der Kleber befindet sich also in einem Bereich des Wafers, in dem sich meistens keine Strukturierungen befinden. Hierdurch ist es möglich, Klebstoffe zu verwenden, die ihre Klebe- bzw. Bindungseigenschaften erst bei bedeutend höheren Temperaturen verlieren, als diese bei dem Rückdünnprozess auftreten. Der verwendete Kleber kann seine Klebeeigenschaften erst bei Temperaturen von größer als ca. 400°C verlieren, ohne die schon vorhandenen Schaltkreise und Kontaktierungen zu zerstören. Zur Trennung der Kombination aus Träger und Wafer muss nur der ringförmige Randbereich erhitzt werden, wodurch Strukturierungen in dem Bereich innerhalb der ringförmigen Kleberschicht nicht, zumindest nicht über die Maßen, erhitzt werden und somit den Trennprozess unbeschadet überstehen. Es eignen sich Kleber auf Polymer- oder Epoxydharzbasis.
  • Eine besonders gute Verbindung aus Träger und Wafer wird erhalten, wenn der Ring aus Kleber umfänglich geschlossen ist. Da es sich bei Wafern in der Regel um kreisrunde Gebilde handelt, ist es von Vorteil, den Kleber kreisringförmig aufzubringen, um die zur Verfügung stehende Klebefläche optimal auszunutzen. Die Breite B der ringförmigen Kleberschicht ist vorzugsweise klein gegenüber dem Durchmesser D der Kleberschicht. Die Breite B beträgt typischerweise 2 mm, bis maximal 5 mm.
  • Sollen Wafer rückgedünnt werden, die bereits mit Kontaktierungsanschlüssen, insbesondere pumps, versehen sind, ist es wichtig, die Bereiche des Wafers, die nicht mit Kontaktierungsanschlüssen bestückt sind, mechanisch zu unterstützen, da es ansonsten beim Rückdünnen zu Dickenschwankungen durch Verformungen der Kristallstruktur des Wafers kommen kann. Erfindungsgemäß ist zu diesem Zweck vorgesehen, in dem von der ringförmigen Kleberschicht umschlossenen Bereich eine elastische Folie vorzusehen. Die Kontaktierungsanschlüsse ragen in die elastische Folie hinein und werden von dieser umschlossen. Die Bereiche ohne Kontaktierungsanschlüsse werden mechanisch unterstützt, so dass der Wafer beim Rückdünnprozess nicht durchbiegen kann.
  • In Weiterbildung der Erfindung kann es vorteilhaft sein, elastische Folien vorzusehen, die einseitig oder beidseitig mit einer Klebstoffschicht versehen sind, um den Zusammenhalt zwischen Träger und Wafer noch weiter zu verbessern. Hierbei sollte es sich jedoch um eine Klebstoffschicht handeln, die bereits bei niedrigeren Temperaturen als die ringförmige Kleberschicht im Außenbereich ihre Klebeeigenschaft verliert, da ansonsten zu hohe Temperaturen notwendig wären, um die Folie zu lösen, was zu einer Beschädigung des bereits strukturierten Wafers führen könnte. Sollte sich die Klebstoffschicht der Folie bereits während des Rückdünnprozesses auflösen, so ist dies nicht problematisch, da Träger und Wafer über die ringförmige Kleberschicht aneinander fixiert bleiben.
  • Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung zum Trennen der erfindungsgemäßen Kombination aus Wafer und Träger. Entscheidend ist, dass zum Trennen von Träger und Wafer ausschließlich der Bereich der Kombination aus Träger und Wafer erhitzt wird, der mit der ringförmigen Kleberschicht versehen ist. Zur Erhitzung dieses Randbereiches ist gemäß der Erfindung ein Heizelement vorgesehen, das einen axialen, in Richtung Träger ragenden, ringförmigen Heizabschnitt aufweist. Dabei entsprechen der Durchmesser und die Breite des Heizabschnitts zumindest in etwa dem Durchmesser und der Breite der ringförmigen Kleberschicht. Weiterhin ist eine Verstelleinrichtung zum relativen Verstellen des Heizelementes und der Kombination aus Wafer und Träger zueinander vorgesehen. Da in der Regel der Wafer auf dem Träger aufliegt, ist es von Vorteil, wenn das Heizelement senkrecht in Richtung der Kombination aus Wafer und Träger verstellbar ist.
  • Damit der Wafer nach der Zerstörung der Kleberschicht von dem Träger abgehoben werden kann, ist in Weiterbildung der Erfindung in dem Bereich innerhalb des ringförmigen Heizabschnitts eine Fixiereinrichtung zur Fixierung des Wafers vorgesehen. Diese arbeitet bevorzugt auf Vakuumbasis und saugt den Wafer fest.
  • Damit der ringförmige Heizabschnitt trotz der Fixierung des Wafers an der Fixiereinrichtung von dem Wafer abgehoben werden kann, ist gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung vorgesehen, dass der ringförmige Heizabschnitt und die Fixiereinrichtung in axialer Richtung relativ zueiander verstellbar sind. Insbesondere ist der ringförmige Heizabschnitt in axialer Richtung von dem Wafer weg verstellbar, wenn der Wafer an der Fixiereinrichtung fixiert ist.
  • Eine konstruktiv besonders geschickte Lösung zur Realisierung der relativen Verstellbarkeit zwischen ringförmigem Heizabschnitt und Fixiereinrichtung besteht darin, wenn die Fixiereinrichtung an mindestens einer Feder an dem Heizelement oder einem sonstigen Bauelement der Vorrichtung aufgehängt ist. Wird das Heizelement zusammen mit seinem ringförmigen Heizabschnitt nach oben verfahren, so dehnt die Fixiereinrichtung die Federn, so dass der Wafer mit Abstand zu dem ringförmigen Heizabschnitt an der Fixiereinrichtung hängt.
  • Gegenstand der Erfindung ist weiterhin ein Verfahren zur Handhabung eines Trägers und Wafers. Zur Fixierung des Wafers an dem Träger wird eine Kleberschicht auf den Träger und/oder den Wafer aufgebracht. Mit Vorteil wird die Kleberschicht auf den an einer Fixiereinrichtung fixierten Träger aufgebracht. Erfindungsgemäß ist nun vorgesehen, dass die Kleberschicht ringförmig aufgebracht wird. Dabei sollte der Durchmesser des ringförmigen Kleberschicht derart bemessen werden, dass sich die Kleberschicht bei aufgebrachtem Wafer im Randbereich des Wafers zwischen Träger und Wafer befindet. Der Außendurchmesser der Kleberschicht entspricht in etwa dem Durchmesser des Wafers.
  • Bei Trägern mit Kontaktierungsanschlüssen ist es von Vorteil, vor dem Aufbringen des Wafers in dem Bereich innerhalb der ringförmigen Kleberschicht eine elastische Folie auf den Träger aufzubringen, in die die Kontaktierungsanschlüsse eintauchen können.
  • Um eine dünne Kleberschicht zu erhalten, ist es von Vorteil, den Träger und/oder den Wafer, je nachdem auf welches Bauteil die Kleberschicht aufgebracht ist, vor dem Zusammenfügen von Träger und Wafer in Rotation zu versetzen. Hierdurch kann ein Teil des aufgebrachten Klebers nach außen abgeschleudert werden.
  • Nach dem Zusammenbringen von Wafer und Träger muss die Klebstoffschicht ausgehärtet werden. Mit Vorteil wird ein Kleber verwendet, der durch Erwärmen aushärtet. Es sind jedoch beispielsweise auch UF-härtbare Klebstoffe anwendbar.
  • In Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass zum Trennen von Wafer und Träger die ringförmige Kleberschicht auf eine vorgegebene Temperatur erhitzt wird. Bei dieser Temperatur verliert der Kleber seine Klebeeigenschaft, so dass ein Lösen von Wafer und Träger möglich ist. Es sollte darauf geachtet werden, dass die Erwärmung ausschließlich in dem Bereich der ringförmigen Kleberschicht erfolgt, um die Strukturierungen des Wafers nicht zu beschädigen. Zur Erhitzung der Kleberschicht eignet sich insbesondere ein Heizelement mit ringförmigem Heizabschnitt.
    •
  • Weitere Vorteile und zweckmäßige Ausführungen sind den weiteren Ansprüchen, der Figurenbeschreibung und den Zeichnungen zu entnehmen. Es zeigen:
  • 1 eine Vorrichtung zur Verbindung eines Wafers mit einem Träger,
  • 2 einen auf einer Fixiereinrichtung fixierten Träger mit aufgebrachter Folie,
  • 3 den Träger gemäß 2 mit ringförmig aufgebrachter Kleberschicht,
  • 4 einen an einer Aufnahmeeinrichtung gehaltenen Wafer, kurz vor dem Aufbringen auf den Träger mit ringförmiger Kleberschicht und Folie,
  • 5 eine Kombination aus Träger und Wafer, wobei der Träger an einer Aufnahmeeinrichtung und der Wafer an einer Fixiereinrichtung gehalten sind,
  • 6 eine Vorrichtung zum Trennen der Kombination aus Wafer und Träger,
  • 7 die Kombination aus Träger und Wafer, wobei der Träger an einer Fixiereinrichtung gehalten ist,
  • 8 ein Zwischenschritt während der Trennung der Kombination aus Träger und Wafer, bei der ein Heizelement mit ringförmigem Heizabschnitt auf den Wafer abgesenkt ist, wobei sich in dem Bereich innerhalb des ringförmigen Heizabschnitts eine Fixiereinrichtung befindet, die mittels Federn an dem Heizelement aufgehängt ist, und
  • 9 das relativ zu der Fixiereinrichtung verfahrene Heizelement, mit daran fixiertem Wafer, der von dem Träger abgehoben ist.
  • In den Figuren sind gleiche Bauteile und Bauteile mit gleicher Funktion mit dem gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet.
  • In 1 ist eine Vorrichtung zum Verbinden eines Wafers 15 mit einem Träger 6 gezeigt. Die Vorrichtung umfasst eine Kammer 1 mit einer Klappe 2. Mittels der Klappe 2 kann die Kammer 1 gegenüber der Umgebung dicht verschlossen werden. Die Klappe 2 dient gleichzeitig zum Beschicken der Kammer 1 mit dem Träger 6 und dem Wafer 15. Die Kammer 1 kann über eine Vakuumleitung 3 mittels einer nicht dargestellten Vakuumpumpe evakuiert werden, um zu verhindern, dass beim Zusammenfügen von Träger 6 und Wafer 15 Luft eingeschlossen wird.
  • Innerhalb der Kammer 1 ist eine Aufnahmeeinrichtung 4 (chuck) zur Aufnahme des Trägers 6 vorgesehen. Die Aufnahmeeinrichtung ist mit einer Motoreinheit 5 verbunden. Mittels der Motoreinheit 5 kann die Aufnahmeeinrichtung 4 in Rotation versetzt werden.
  • Weiterhin umfasst die Vorrichtung eine verstellbare Düse 7, über die fluider Kleber auf den Träger 6 aufgebracht werden kann. Es eignen sich Polymerkleber oder auch Epoxidharzkleber. Während der Kleber aus der Düse 7 abgegeben wird, rotiert die Aufnahmevorrichtung 4, so dass der Kleber als ringförmige Kleberschicht 8 im Randbereich zwischen Träger 6 und Wafer 15 aufgetragen wird.
  • Damit sich der Träger 6 bei der Rotation der Aufnahmeeinrichtung 4 nicht verschiebt, sind in die Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung 4 Vakuumrillen 9 eingebracht, über die der Träger 6, in diesem Fall ebenfalls ein Wafer, an der Aufnahmeeinrichtung 4 fixierbar ist. Weiterhin umfasst die Aufnahmeeinrichtung 4 eine Heizwendel 10, um ein schnelles Aushärten der in diesem Fall kreisringförmigen Kleberschicht 8 zu bewirken. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel sind die Heizwendeln 10 über die gesamte Flächenerstreckung der Aufnahmeeinrichtung 4 verteilt, da, wie später noch erläutert wird, zusätzlich eine klebende Folie 14 verwendet wird, deren Klebstoff ebenfalls ausgehärtet wird. Mittels der Heizwendel 10 wird der Klebstoff der Folie ausgehärtet. Auf die Folie 14 kann jedoch, insbesondere bei Wafern ohne Kontaktierungsanschlüssen 17 verzichtet werden. Die Vakuumanbindung der Vakuumrillen 9 sowie die elektrischen Verbindungen zu den Heizwendeln 10 sind nicht dargestellt.
  • Zusätzlich ist in der Kammer 1 eine Hebeeinrichtung 11 vorgesehen, mit der eine Fixiereinrichtung 12 in vertikaler Richtung in Richtung Aufnahmeeinrichtung 4 verstellt werden kann. Innerhalb der Fixiereinrichtung 12 sind weitere Heizwendeln 13 integriert, um die Fixiereinrichtung 12 und damit den Wafer 15 auf einer bestimmten Temperatur zu halten. Die notwendigen Temperatursensoren und elektrischen Anbindungen der Heizwendel(n) 13 sowie eine mit den Temperatursensoren gekoppelte Regelungseinrichtung ist nicht gezeigt.
  • In 2 ist die Aufnahmeeinrichtung 4 mit darauf liegendem und fixiertem Träger 6 gezeigt. Auf den Träger 6 ist die bereits erwähnte Folie 14, welche elastisch verformbar ist, aufgebracht. In diesem Ausführungsbeispiel ist die Folie 14 beidseitig mit einer Klebeschicht ausgestattet, um ein Haften auf dem Träger 6 und dem Wafer 15 zu ermöglichen. Wie bereits erwähnt, muss diese Klebeschicht nicht vorhanden sein.
  • Der Träger 6 wird über einen nicht dargestellten Roboter(arm) bei geöffneter Klappe 2 in die Kammer 1 eingebracht und auf der Aufnahmeeinrichtung 4 abgelegt und dort mithilfe der Vakuumrillen 9 fixiert.
  • In 3 ist bereits eine ringförmige Kleberschicht 8 im Randbereich aufgebracht. Der fluide Klebstoff strömt aus der in 7 dargestellten Düse, die hierzu von der dargestellten Position radial nach außen bewegt werden muss. Um die ringförmige Kleberschicht 8 zu erhalten, muss die Aufnahmeeinrichtung 4 mittels der Motoreinheit 5 in Rotation gebracht werden. Durch eine Erhöhung der Drehzahl kann die aufgebrachte Kleberschicht teilweise abgeschleudert und dadurch eine sehr dünne Kleberschicht 8 bereitgestellt werden.
  • In 4 ist an der Fixiereinrichtung 12 der Wafer 15 montiert und dort mittels Vakuumrillen 16 gehalten. Die Fixiereinrichtung 12 mit daran fixiertem Wafer 15 ist mit Abstand zu dem Träger 6 mit Folie 14 angeordnet. In diesem Zustand wird die Klappe 2 geschlossen und die Kammer 1 über die Vakuumleitung 3 evakuiert. Zeitnah wird die Fixiereinrichtung 12 mittels der Hebeeinrichtung 11 in Richtung Aufnahmeeinrichtung 4 mit Träger 6 verfahren und mit einer vorgegebenen Anpresskraft angepresst. Hierbei werden auf dem Wafer 15 vorgesehene Kontaktierungen 17 in die elastische Folie 14 eingepresst und von dieser umschlossen. Gleichzeitig wird die dispenste Klebeschicht 8 zwischen Wafer 15 und Träger 6 zusammengepresst. Durch die Heizwendel 10 und 13 wird die Kleberschicht 8 ausgehärtet.
  • In 5 sind Träger 6 und Wafer 15 bereits fest miteinander verbunden. Die Kombination aus Träger 6 und Wafer 15 wird über die Klappe 2 mittels eines Roboters entnommen und einem Rückdünnprozess zugeführt. Nach dem Rückdünnprozess müssen Träger 6 und Wafer 15 voneinander getrennt werden, ohne dabei den Wafer 15 oder den Träger 6 zu zerstören. Der Träger 6 wird nach dem Trennprozess wieder verwendet.
  • In 6 ist eine Trennvorrichtung zur Trennung von Wafer 15 und Träger 6 mit einer Trennkammer 18 gezeigt. Die Trennkammer 18 ist mit einer Klappe 19 versehen, über die die Trennkammer 18 mit der Kombination aus Träger 6 und Wafer 15 mittels eines nicht dargestellten Roboters beschickt werden kann. Über eine Vakuumleitung 22 und eine nicht dargestellte Vakuumpumpe kann die Trennkammer 18 evakuiert werden, um entweder eine Vakuum- oder Gasatmosphäre zu schaffen. Innerhalb der Trennkammer 18 ist eine Fixiereinrichtung 20 vorgesehen, um den Träger 6 mithilfe von Vakuumrillen 21 zu fixieren. In der Trennkammer 18 ist weiterhin eine Hebeeinrichtung 23 vorgesehen. An der Hebeeinrichtung 23 ist ein wannenförmiges Heizelement 24 befestigt. Das Heizelement 24 weist einen ringförmigen Heizabschnitt mit Heizwendeln 28 auf, der ringförmige Heizabschnitt (Wannenumfangswandung) erstreckt sich in axialer Richtung in Richtung Fixiereinrichtung 20 mit Träger 6 und rückgedünntem Wafer 15. Radial innerhalb des ringförmigen Heizabschnitts ist eine Fixiereinrichtung 25 angeordnet, die nicht beheizbar ist und die Vakuumrillen 27 zur Fixierung des Wafers 15 aufweist. Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel hat die Fixiereinrichtung 25 eine kreisrunde Querschnittsfläche. Die Fixiereinrichtung 25 ist mithilfe von wegbegrenzenden Federn 26 an dem Heizelement 24 aufgehängt. Hierdurch ist eine relative axiale Beweglichkeit zwischen dem ringförmigen Heizabschnitt und der Fixiereinrichtung 25 gegeben. Die Breite des ringförmigen Heizabschnittes entspricht in etwa der Breite der Klebeschicht 8.
  • Der ringförmige Heizabschnitt wird mittels den Heizwendeln 28 auf eine vorgegebene Temperatur erhitzt. Die Temperatur ist derart bemessen, dass sich die Klebeschicht 8 auflöst bzw. die Klebeeigenschaft des verwendeten Klebers reduziert oder aufgehoben wird. Die elektrischen Anschlüsse und die notwendigen Temperatursensoren und Steuerleitungen sowie die Steuergeräte zur Einstellung der Temperatur des ringförmigen Heizabschnitts sind nicht dargestellt.
  • In 7 ist die Kombination aus Träger 6 und Wafer 15 mittels eines Roboters auf der Fixiereinrichtung 20 abgelegt. Der Träger 6 ist mittels eines an den Vakuumrillen 21 anliegenden Vakuums fixiert. Daraufhin wird das Heizelement 24 zusammen mit der Fixiereinrichtung 20 von der Hebeeinrichtung 23 auf den Wafer 15 abgesenkt. Die abgesenkte Position ist in 8 dargestellt. Da nur der ringförmige Heizabschnitt mittels der Heizwendeln 28 erhitzt wird, die Fixiereinrichtung 25 aber unbeheizt ist, wird nur im Randbereich des rückgedünnten Wafers 15 Wärme eingebracht, die zu einer Auflösung der Bindekräfte des Klebers führt. Da der übrige Bereich des Wafers 15, also der Bereich innerhalb der ringförmigen Kleberschicht 8, nicht erhitzt wird bzw. nicht so stark erhitzt wird wie der Randbereich, kommt es nicht zu einer Beschädigung des Wafers 15. Es können also Kleber verwendet werden, die erst bei sehr hohen Temperaturen ihre Bindekräfte verlieren.
  • Nach einer einstellbaren Zeit, die notwendig ist, um durch die Hitzeeinwirkung die Bindekräfte des Klebers zu zerstören, wird der rückgedünnte Wafer 15, welcher über die Vakuumrillen 27 an der Fixiereinrichtung 25 gehalten ist, abgehoben. 9 zeigt diesen Abhebeprozess. Es ist zu erkennen, dass das Heizelement 24 vor der Fixiereinrichtung 25 angehoben wird. Dies ist auf die federnde Aufhängung zurückzuführen. Aufgrund der Federn 26 verfährt das Heizelement 24 mit seinem ringförmigen Heizabschnitt 24 axial relativ zu der Fixiereinrichtung 25, wodurch der Wafer 15 mit Abstand zu dem ringförmigen Heizabschnitt an der Fixiereinrichtung 25 gehalten wird. Der rückgedünnte Wafer 15 wird nun, ebenso wie der Träger 6, mittels eines Roboters durch die Klappe 19 entladen.
  • Wenn der Wafer 15 keine Kontaktierungsanschlüsse 17 aufweisen sollte, kann auf die elastische Folie 14 verzichtet werden. In diesem Fall wird die ringförmige Kleberschicht 8 durch Rotation der Aufnahmeeinrichtung 4 mit sehr hoher Drehzahl zu einem Großteil abgeschleudert, um eine sehr dünne Kleberschicht 8 zu erhalten.
  • Weiterhin ist es denkbar, dass auf das Abheben des Wafers mithilfe der Fixiereinrichtung 25 verzichtet werden kann. Es ist möglich, die Kombination aus Träger 6 und Wafer 15 nach Zerstörung der Kleberschicht 8 mittels des ringförmigen Heizabschnitts komplett zu entnehmen und zu einer Laminierstation zu transportieren. Hier kann dann die weitere Verarbeitung erfolgen. Hier wird der rückgedünnte Wafer 15 auf einer Trägerfolie montiert.
    • 1
    Kammer
    2
    Klappe
    3
    Vakuumleitung
    4
    Aufnahmeeinrichtung
    5
    Motoreinheit
    6
    Träger
    7
    Düse
    8
    Kleberschicht
    9
    Vakuumrillen
    10
    Heizwendel
    11
    Hebeeinrichtung
    12
    Fixiereinrichtung
    13
    Heizwendel
    14
    Folie
    15
    Wafer
    16
    Vakuumrillen
    17
    Kontaktierungsanschlüsse
    18
    Trennkammer
    19
    Klappe
    20
    Fixiereinrichtung
    21
    Vakuumrillen
    22
    Vakuumleitung
    23
    Hebeeinrichtung
    24
    Heizelement mit ringförmigem Heizabschnitt
    25
    Fixiereinrichtung
    26
    Federn
    27
    Vakuumrillen
    28
    Heizwendel

Claims (15)

  1. Kombination aus einem Träger (6) und einem Wafer (15), wobei Träger (6) und Wafer (15) parallel zueinander angeordnet und mit einer zwischen Träger (6) und Wafer (15) befindlichen Kleberschicht (8) verklebt sind, wobei der Kleber derart beschaffen ist, dass seine Klebeeingenschaft bei Überschreiten einer vorgegebenen Temperatur verloren geht oder zumindest reduziert ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Kleberschicht (8) ausschließlich ringförmig im Randbereich des Wafers (15) zwischen Träger (6) und Wafer (15) vorgesehen ist.
  2. Kombination nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Ring aus Kleber geschlossen ist.
  3. Kombination nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in der von der ringförmigen Kleberschicht (8) umschlossenen Fläche eine elastische Folie (14) zwischen Träger (6) und Wafer (15) vorgesehen ist.
  4. Kombination nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (6) Kontaktierungsanschlüsse (17) aufweist, und mit den Kontaktierungsanschlüssen (17) auf der elastischen Folie (14) aufliegt.
  5. Kombination nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass elastische Folie (14) einseitig oder zweiseitig mit einer Klebstoffschicht versehen ist.
  6. Vorrichtung zum Trennen einer Kombination aus einem Wafer (6) und einem Träger (15) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung eine Fixiereinrichtung (20) zur Fixierung des Trägers (6) aufweist, und dass ein Heizelement (24) mit einem axial in Richtung Fixiereinrichtung (20) ragenden ringförmigen Heizabschnitt vorgesehen ist, und dass das Heizelement (24) und die Fixiereinrichtung (20) relativ zueinander verstellbar sind.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass radial innerhalb des ringförmigen Heizabschnitts eine zweite, vorzugsweise unbeheizte, Fixiereinrichtung (25) zur Fixierung des Wafers (15) vorgesehen ist.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Fixiereinrichtung (25) und der ringförmige Heizabschnitt in axialer Richtung relativ zueinander verstellbar sind.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Fixiereinrichtung (25) über mindestens eine Feder (26) an einem Bauteil, vorzugsweise dem Heizelement (24) angehängt ist.
  10. Verfahren zur Handhabung eines Trägers (6) und eines Wafers (15), wobei zum Befestigen des Wafers (15) an dem Träger (6) eine Kleberschicht (8) auf den Träger (6) und/oder den Wafer (15) aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der Kleberschicht (8) derart erfolgt, dass die Kleberschicht (8) ausschließlich ringförmig im Randbereich des Wafers (15) zwischen Träger (6) und Wafer (15) vorgesehen ist, und dass der Wafer (15) auf den Träger (6) aufgebracht, insbesondere aufgelegt, wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass in den Bereich innerhalb der ringförmigen Klebstoffschicht (8) vor dem Aufbringen des Wafers (15) auf den Träger (6) eine Folie (14) aufgebracht wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil der aufgebrachten Kleberschicht (8) durch Rotation des Träger (6) und/oder des Wafer (15) abgeschleudert wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die ringförmige Klebstoffschicht (8), insbesondere durch Erwärmen, ausgehärtet wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, zum Lösen des Wafers (15) von dem Träger (6) die ringförmige Kleberschicht (8) auf eine vorgegebene Temperatur erhitzt wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer (15) und/oder der Träger (6) ausschließlich im Bereich der Kleberschicht (8), vorzugsweise mittels eines Heizelememtes (24) mit ringförmigem Heizabschnitt, erhitzt werden.
DE200610000687 2006-01-03 2006-01-03 Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers Active DE102006000687B4 (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200610000687 DE102006000687B4 (de) 2006-01-03 2006-01-03 Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers
AT0178106A AT503053B1 (de) 2006-01-03 2006-10-24 Kombination aus einem träger und einem wafer
US11/610,750 US7910454B2 (en) 2006-01-03 2006-12-14 Combination of a substrate and a wafer
US12/916,751 US8349701B2 (en) 2006-01-03 2010-11-01 Combination of a substrate and a wafer
US12/916,734 US8156981B2 (en) 2006-01-03 2010-11-01 Combination of a substrate and a wafer
US13/464,187 US8536020B2 (en) 2006-01-03 2012-05-04 Combination of a substrate and a wafer
US13/464,088 US8293063B2 (en) 2006-01-03 2012-05-04 Combination of a substrate and a wafer
US13/915,908 US8664082B2 (en) 2006-01-03 2013-06-12 Combination of a substrate and a wafer
US13/947,265 US8802542B2 (en) 2006-01-03 2013-07-22 Combination of a substrate and a wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200610000687 DE102006000687B4 (de) 2006-01-03 2006-01-03 Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102006000687A1 true DE102006000687A1 (de) 2007-07-12
DE102006000687B4 DE102006000687B4 (de) 2010-09-09

Family

ID=38169821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200610000687 Active DE102006000687B4 (de) 2006-01-03 2006-01-03 Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers

Country Status (3)

Country Link
US (7) US7910454B2 (de)
AT (1) AT503053B1 (de)
DE (1) DE102006000687B4 (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008044200A1 (de) * 2008-11-28 2010-06-24 Thin Materials Ag Bonding-Verfahren
EP2230683A1 (de) * 2009-03-18 2010-09-22 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger
EP2290679A1 (de) * 2009-09-01 2011-03-02 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Trägersubstrat
WO2013021024A3 (de) * 2011-08-09 2013-04-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Trägerfolie für ein silikonelement und verfahren zum herstellen einer trägerfolie für ein silikonelement
DE102012101237A1 (de) * 2012-02-16 2013-08-22 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum temporären Verbinden eines Produktsubstrats mit einem Trägersubstrat
US8536020B2 (en) 2006-01-03 2013-09-17 Erich Thallner Combination of a substrate and a wafer
US9272501B2 (en) 2010-04-23 2016-03-01 Ev Group Gmbh Device for detaching a product substrate off a carrier substrate
DE112009000140B4 (de) 2008-01-24 2022-06-15 Brewer Science, Inc. Verfahren zum reversiblen Anbringen eines Vorrichtungswafers an einem Trägersubstrat und ein daraus erhaltener Gegenstand
DE102012220345B4 (de) 2012-11-08 2023-02-02 Disco Corporation Verfahren zur Bearbeitung einer Wafereinrichtung

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2091071B1 (de) * 2008-02-15 2012-12-12 Soitec Verfahren zum Bonden zweier Substrate
EP2299486B1 (de) * 2009-09-18 2015-02-18 EV Group E. Thallner GmbH Verfahren zum Bonden von Chips auf Wafer
US8613996B2 (en) * 2009-10-21 2013-12-24 International Business Machines Corporation Polymeric edge seal for bonded substrates
US8287980B2 (en) * 2009-10-29 2012-10-16 International Business Machines Corporation Edge protection seal for bonded substrates
US9018308B2 (en) * 2009-12-01 2015-04-28 Pbi Performance Products, Inc. Polybenzimidazole/polyacrylate mixtures
KR20160075845A (ko) * 2010-03-31 2016-06-29 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 양면에 칩이 장착되는 웨이퍼를 제작하기 위한 방법
FR2960340B1 (fr) * 2010-05-21 2012-06-29 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un support de substrat
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
US9263314B2 (en) 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
DE112011102903B4 (de) * 2010-09-01 2014-11-27 Toshiba Kikai K.K. Übertragungssystem und Übertragungsverfahren
US8753460B2 (en) * 2011-01-28 2014-06-17 International Business Machines Corporation Reduction of edge chipping during wafer handling
WO2012112937A2 (en) * 2011-02-18 2012-08-23 Applied Materials, Inc. Method and system for wafer level singulation
US8975157B2 (en) 2012-02-08 2015-03-10 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Carrier bonding and detaching processes for a semiconductor wafer
JP6021431B2 (ja) * 2012-05-22 2016-11-09 株式会社ディスコ 表面保護テープの貼着方法
US8962449B1 (en) 2013-07-30 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Methods for processing semiconductor devices
JP2015217461A (ja) * 2014-05-16 2015-12-07 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US9475272B2 (en) * 2014-10-09 2016-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. De-bonding and cleaning process and system
SG11201704977WA (en) * 2015-01-14 2017-07-28 Ev Group E Thallner Gmbh Method and device for detaching a substrate from a substrate stack
JP2016146429A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
NL2014625B1 (en) * 2015-04-13 2017-01-06 Suss Microtec Lithography Gmbh Wafer treating device and sealing ring for a wafer treating device.
KR101630646B1 (ko) * 2015-05-14 2016-06-15 주식회사 대화알로이테크 면상발열체를 이용한 반도체 진공라인의 히팅 장치
US20180068843A1 (en) * 2016-09-07 2018-03-08 Raytheon Company Wafer stacking to form a multi-wafer-bonded structure
DE102017205635A1 (de) * 2017-04-03 2018-10-04 3D-Micromac Ag Verfahren und Fertigungssystem zur Herstellung mikroelektronischer Komponenten mit Schichtaufbau
US10300649B2 (en) 2017-08-29 2019-05-28 Raytheon Company Enhancing die flatness
US10497667B2 (en) 2017-09-26 2019-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for bond wave propagation control
US10847569B2 (en) 2019-02-26 2020-11-24 Raytheon Company Wafer level shim processing

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10340409A1 (de) * 2003-09-02 2005-04-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Trägerwafer und Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers unter Verwendung eines Trägerwafers
DE102004018250A1 (de) * 2004-04-15 2005-11-03 Infineon Technologies Ag Wafer-Stabilisierungsvorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3988196A (en) 1967-10-09 1976-10-26 Western Electric Company, Inc. Apparatus for transferring an oriented array of articles
US5273615A (en) 1992-04-06 1993-12-28 Motorola, Inc. Apparatus and method for handling fragile semiconductor wafers
JPH06275717A (ja) 1993-01-22 1994-09-30 Mitsubishi Electric Corp ウエハはがし方法
JP4220580B2 (ja) 1995-02-10 2009-02-04 三菱電機株式会社 半導体装置の製造装置
JP3407835B2 (ja) 1995-03-09 2003-05-19 東京応化工業株式会社 基板端縁部被膜の除去方法及び除去装置
US6342434B1 (en) 1995-12-04 2002-01-29 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier
DE19734635A1 (de) 1997-08-11 1999-02-18 Gen Semiconductor Ireland Macr Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen von Bauelementen von einer Folie
KR100304197B1 (ko) 1998-03-30 2001-11-30 윤종용 소이제조방법
US6090687A (en) * 1998-07-29 2000-07-18 Agilent Technolgies, Inc. System and method for bonding and sealing microfabricated wafers to form a single structure having a vacuum chamber therein
TW459225B (en) * 1999-02-01 2001-10-11 Origin Electric Bonding system and method
JP2001196404A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3768069B2 (ja) 2000-05-16 2006-04-19 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの薄型化方法
DE10048881A1 (de) * 2000-09-29 2002-03-07 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum planen Verbinden zweier Wafer für ein Dünnschleifen und ein Trennen eines Produkt-Wafers
US6713880B2 (en) 2001-02-07 2004-03-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for producing the same, and method for mounting semiconductor device
JP2002237515A (ja) 2001-02-07 2002-08-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄葉化半導体基板の剥離装置および剥離法
DE10108369A1 (de) 2001-02-21 2002-08-29 B L E Lab Equipment Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Träger
US6603072B1 (en) * 2001-04-06 2003-08-05 Amkor Technology, Inc. Making leadframe semiconductor packages with stacked dies and interconnecting interposer
AT502233B1 (de) 2001-06-07 2007-04-15 Thallner Erich Vorrichtung zum lösen eines trägers von einer halbleiterscheibe
DE60336050D1 (de) * 2002-03-27 2011-03-31 Panasonic Corp Herstellungsverfahren für ein mehrschichtiges optisches informationsaufzeichnungsmedium
JP4271409B2 (ja) 2002-05-22 2009-06-03 リンテック株式会社 脆質材料の加工方法
TWI258316B (en) * 2002-10-25 2006-07-11 Ritdisplay Corp FPD encapsulation apparatus and method for encapsulating ehereof
JP2004193237A (ja) 2002-12-10 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd 粘着シートを具備するウェハー保持部材，及び粘着シートの剥離方法
JP4447280B2 (ja) * 2003-10-16 2010-04-07 リンテック株式会社 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP2006135272A (ja) 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
US7829152B2 (en) * 2006-10-05 2010-11-09 Lam Research Corporation Electroless plating method and apparatus
JP2006032506A (ja) 2004-07-14 2006-02-02 Taiyo Yuden Co Ltd 半導体ウェハの剥離方法および剥離装置
KR100610676B1 (ko) * 2004-08-11 2006-08-10 한국타이어 주식회사 3차원의 물결 및 직선홈을 가진 트레드 패턴
JP2006059861A (ja) 2004-08-17 2006-03-02 Lintec Corp 脆質部材の転着装置
JP4679890B2 (ja) 2004-11-29 2011-05-11 東京応化工業株式会社 サポートプレートの貼り付け装置
JP4848153B2 (ja) 2005-08-10 2011-12-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP4668052B2 (ja) 2005-12-06 2011-04-13 東京応化工業株式会社 剥離装置
DE102006000687B4 (de) 2006-01-03 2010-09-09 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers
JP2008021929A (ja) 2006-07-14 2008-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート、搬送装置、剥離装置及び剥離方法
JP5074940B2 (ja) 2008-01-30 2012-11-14 東京応化工業株式会社 基板の処理方法
JP2009182256A (ja) 2008-01-31 2009-08-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の処理装置および基板の処理方法
EP2402981B1 (de) 2009-03-18 2013-07-10 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10340409A1 (de) * 2003-09-02 2005-04-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Trägerwafer und Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers unter Verwendung eines Trägerwafers
DE102004018250A1 (de) * 2004-04-15 2005-11-03 Infineon Technologies Ag Wafer-Stabilisierungsvorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 2005123382 A, Engl. Übersetzung des Abstracts *

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8536020B2 (en) 2006-01-03 2013-09-17 Erich Thallner Combination of a substrate and a wafer
US8802542B2 (en) 2006-01-03 2014-08-12 Erich Thallner Combination of a substrate and a wafer
US8664082B2 (en) 2006-01-03 2014-03-04 Erich Thallner Combination of a substrate and a wafer
DE112009000140B4 (de) 2008-01-24 2022-06-15 Brewer Science, Inc. Verfahren zum reversiblen Anbringen eines Vorrichtungswafers an einem Trägersubstrat und ein daraus erhaltener Gegenstand
DE102008044200B4 (de) * 2008-11-28 2012-08-23 Thin Materials Ag Bonding-Verfahren
DE102008044200A1 (de) * 2008-11-28 2010-06-24 Thin Materials Ag Bonding-Verfahren
WO2010105793A1 (de) * 2009-03-18 2010-09-23 Ev Group Gmbh Vorrichtung und verfahren zum ablösen eines wafers von einem träger
CN102388431A (zh) * 2009-03-18 2012-03-21 Ev集团有限责任公司 用于从载体中分离晶片的装置和方法
EP2230683A1 (de) * 2009-03-18 2010-09-22 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger
US8443864B2 (en) 2009-03-18 2013-05-21 Ev Group Gmbh Device for stripping a wafer from a carrier
CN102388431B (zh) * 2009-03-18 2015-11-25 Ev集团有限责任公司 用于从载体中分离晶片的装置和方法
EP2402981A1 (de) * 2009-03-18 2012-01-04 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger
EP2660851A1 (de) * 2009-03-18 2013-11-06 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger
US8603294B2 (en) 2009-03-18 2013-12-10 Ev Group Gmbh Method for stripping a wafer from a carrier
US8905111B2 (en) 2009-03-18 2014-12-09 Ev Group Gmbh Device for releasing an interconnect layer that provides connection between a carrier and a wafer
WO2011026570A1 (de) * 2009-09-01 2011-03-10 Ev Group Gmbh Vorrichtung und verfahren zum ablösen eines halbleiterwafers von einem trägersubstrat
US8894807B2 (en) 2009-09-01 2014-11-25 Ev Group Gmbh Device and method for detaching a semiconductor wafer from a substrate
EP2290679A1 (de) * 2009-09-01 2011-03-02 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Trägersubstrat
US8986496B2 (en) 2009-09-01 2015-03-24 Ev Group Gmbh Device and method for stripping a product substrate from a carrier substrate
US9186877B2 (en) 2009-09-01 2015-11-17 Ev Group Gmbh Method for stripping a product substrate from a carrier substrate
US9381732B2 (en) 2009-09-01 2016-07-05 Ev Group Gmbh Device for stripping a product substrate from a carrier substrate
US9381729B2 (en) 2010-04-23 2016-07-05 Ev Group Gmbh Device for detaching a product substrate off a carrier substrate
US9272501B2 (en) 2010-04-23 2016-03-01 Ev Group Gmbh Device for detaching a product substrate off a carrier substrate
US9457552B2 (en) 2010-04-23 2016-10-04 Ev Group Gmbh Method for detaching a product substrate off a carrier substrate
WO2013021024A3 (de) * 2011-08-09 2013-04-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Trägerfolie für ein silikonelement und verfahren zum herstellen einer trägerfolie für ein silikonelement
DE102012101237A1 (de) * 2012-02-16 2013-08-22 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum temporären Verbinden eines Produktsubstrats mit einem Trägersubstrat
US9390956B2 (en) 2012-02-16 2016-07-12 Ev Group E. Thallner Gmbh Method for the temporary connection of a product substrate to a carrier substrate
DE112013000980B4 (de) * 2012-02-16 2020-09-24 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum temporären Verbinden eines Produktsubstrats mit einem Trägersubstrat sowie ein entsprechender Verbund
DE102012220345B4 (de) 2012-11-08 2023-02-02 Disco Corporation Verfahren zur Bearbeitung einer Wafereinrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US8536020B2 (en) 2013-09-17
US8293063B2 (en) 2012-10-23
US20120216959A1 (en) 2012-08-30
US20070155129A1 (en) 2007-07-05
DE102006000687B4 (de) 2010-09-09
AT503053A3 (de) 2008-04-15
US20120247640A1 (en) 2012-10-04
US8349701B2 (en) 2013-01-08
US8156981B2 (en) 2012-04-17
US20110045240A1 (en) 2011-02-24
US20130295746A1 (en) 2013-11-07
US20130309840A1 (en) 2013-11-21
US7910454B2 (en) 2011-03-22
US8664082B2 (en) 2014-03-04
US20110042010A1 (en) 2011-02-24
US8802542B2 (en) 2014-08-12
AT503053A2 (de) 2007-07-15
AT503053B1 (de) 2010-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006000687B4 (de) Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers
DE102012206869B4 (de) Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements
DE112013000980B4 (de) Verfahren zum temporären Verbinden eines Produktsubstrats mit einem Trägersubstrat sowie ein entsprechender Verbund
DE102008018536A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger
EP3440695B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum bonden zweier substrate
EP3658974A1 (de) Mems spiegelanordnung und verfahren zur herstellung einer mems spiegelanordnung
EP3520133B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum bonden zweier substrate
EP2422357A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum trennen eines substrats von einem trägersubstrat
EP2440025B1 (de) Abdeckeinrichtung für ein organisches Substrat, Substrat mit einer Abdeckeinrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Abdeckeinrichtung
EP3465786B1 (de) Verfahren zum verbinden eines keramischen friktionselements mit einem piezokeramischen element
WO2010121702A1 (de) Vorrichtung zur ausrichtung und vorfixierung eines wafers
DE102006032488B4 (de) Verfahren zur Bearbeitung von Wafern
DE102014202842A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauteils und mikromechanisches Bauteil
EP2313253B1 (de) Verfahren zum trennen zweier über zumindest eine klebschicht miteinander verklebter objekte
EP1524104A1 (de) Bearbeitungsverbund für ein Substrat
EP1349722A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum zusammenfügen von substraten
DE102014200126A1 (de) Bauteil mit einem Halbleiterbauelement auf einem Träger
EP4055624B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum verbinden von substraten
DE102005052039A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Mikropumpe und durch dieses Verfahren hergestellte Mikropumpe
WO2023066461A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum transferieren und bereitstellen von bauteilen
EP3918641B1 (de) Einrichtung und verfahren zur herstellung einer plattenanordnung
WO2023179868A1 (de) Verfahren und substratsystem zum trennen von trägersubstraten
EP3995443A1 (de) Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements und elektronisches bauelement
DE10139056B4 (de) Verfahren zum Dünnen eines scheibenförmigen Gegenstands sowie zur Herstellung eines beidseitig strukturierten Halbleiterbauelements
EP0626720A1 (de) Plattenstapel aus direkt miteinander verbundenen Siliziumplatten und Verfahren zur Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition