JP2009182256A - 基板の処理装置および基板の処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイシングテープを劣化することなく、基板を支持するサポートプレートを基板から剥離することが可能な基板の処理方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる基板の処理方法は、薄板化され、一方の面１０ａに第１接着剤を介して第１サポートプレート１２が貼着され、他方の面１０ｂに第２接着剤を介して第２サポートプレート１４が貼着された基板１０から、サポートプレートを剥離する基板の処理方法であって、前記第２接着剤に対して不活性な溶剤を用いて前記第１接着剤を溶解し、第１サポートプレート１２をその自重によって基板から剥離させる剥離工程を含む。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体チップを形成するための半導体ウエハ（基板）の製造方法に関し、該基板の処理方法および基板の処理装置に関する。

携帯電話、デジタルＡＶ機器およびＩＣカード等の高機能化に伴い、搭載される半導体シリコンチップ（以下、チップ）を小型化および薄板化することによって、パッケージ内にチップを高集積化する要求が高まっている。パッケージ内のチップの高集積化を実現するためには、チップの厚さを２５〜１５０μｍの範囲にまで薄くする必要がある。

しかしながら、チップのベースとなる半導体ウエハ（以下、ウエハ）は、研削することにより肉薄となるため、その強度は弱くなり、ウエハにクラックまたは反りが生じやすくなる。また、薄板化することによって強度が弱くなったウエハを自動搬送することは困難であるため、人手によって搬送しなければならず、その取り扱いが煩雑であった。

そのため、研削するウエハにサポートプレートと呼ばれる、ガラス、硬質プラスチック等からなるプレートを貼り合わせることによって、ウエハの強度を保持し、クラックの発生およびウエハの反りを防止するウエハサポートシステムが開発されている。ウエハサポートシステムによりウエハの強度を維持することができるため、薄板化した半導体ウエハの搬送を自動化することができるのである。

ウエハとサポートプレートとは、粘着テープ、熱可塑性樹脂、接着剤等を用いて貼り合わせられている。その後、ウエハをダイシングする前にサポートプレートを基板から剥離する。ウエハとサポートプレートとの貼り合わせに粘着テープを用いる場合は、ウエハをサポートプレートから引き剥がす、熱可塑性樹脂を用いる場合は樹脂を加熱して樹脂を溶解させる、接着剤を用いる場合は溶解液を用いて接着剤を溶解させること等によって、ウエハをサポートプレートから剥離する。たとえば、特許文献１には、厚さ方向に貫通孔を有するサポートプレートを用いて、該サポートプレートとウエハとを接着剤を介して貼り合わせ、基板を研削した後、溶解液により接着剤を溶解させてウエハをサポートプレートから剥離する技術が開示されている。

上述のように、薄板化されたウエハ（基板）からサポートプレートを剥離する際には、ウエハの膜厚に応じて、ウエハの他方の面を、ダイシングテープなどの他の支持体に貼り合わせた後に剥離が行われる。これは、ウエハの膜厚が薄い場合、ウエハ自体の強度が低く、クラックが生じやすいためである。つまり、ダイシングテープ、基板およびサポートプレートからなる積層構造を一旦形成した後に、基板からサポートプレートが剥離されることになる。
特開２００６−１３５２７２号公報（２００６年５月２５日公開）

上述のように、ダイシングテープ、基板およびサポートプレートとで構成される積層構造を形成した後に、サポートプレートを基板から剥離する際には、サポートプレートがその最上に位置するよう積層構造を保持し、サポートプレートの貫通孔を介して基板とサポートプレートとを貼り付けている接着剤を溶解する溶剤が供給される。

しかしながら、上記のように溶剤の供給が行なわれると、露出しているダイシングテープに溶剤が飛散することがある。このとき、溶剤の種類によっては、ダイシングテープが劣化してしまうおそれがある。ダイシングテープの劣化は、基板のクラックや反りを生じさせる一因となり、その後のダイシングにも問題が生じることになる。

そのため、ダイシングテープを劣化させることなく、基板からサポートプレートを剥離する方法の開発が求められている。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ダイシングテープを劣化することなく、基板を支持するサポートプレートを基板から剥離することが可能な基板の処理方法および基板の処理装置を提供することにある。

本発明にかかる基板の処理装置は、薄板化され、一方の面に第１接着剤を介して第１サポートプレートが貼着され、他方の面に第２接着剤を介して第２サポートプレートが貼着された基板から、当該サポートプレートを剥離する基板の処理装置であって、前記第２接着剤に対して不活性な溶剤を用いて前記第１接着剤を溶解し、該第１サポートプレートを該基板から剥離させるようになっていることを特徴とする。

本発明にかかる基板の処理方法は、薄板化され、一方の面に第１接着剤を介して第１サポートプレートが貼着され、他方の面に第２接着剤を介して第２サポートプレートが貼着された基板から、当該サポートプレートを剥離する基板の処理方法であって、前記第２接着剤に対して不活性な溶剤を用いて前記第１接着剤を溶解し、該第１サポートプレートをその自重によって該基板から剥離させる第１剥離工程を含むことを特徴とする。

本発明にかかる基板の処理方法によれば、基板から第１サポートプレートを自重により剥離することが可能となる。そのため、基板と第１サポートプレートとを互いに反対の方向に引っ張るなどの過度の力を加えることなく剥離することができる。その結果、基板に損傷を与えることなく、第１サポートプレートを基板から剥離することができる。

さらに、第２サポートプレートは、ダイシングテープに対して不活性な溶剤に溶解する第２接着剤を用いて基板に貼り合わせられている。そのため、第２サポートプレートを基板から剥離するとき、ダイシングテープの露出面に溶剤が飛散したとしても、ダイシングテープの劣化が起こることがない。その結果、本発明によれば、ダイシングテープを劣化させることなく、基板からサポートプレートを剥離することができる基板の処理方法を提供することができる。

また、本発明によれば、上記処理方法を実現できる基板の処理装置を提供することができる。この処理装置によれば、基板を損傷することなく、かつ、ダイシングテープを劣化させることなく、基板からサポートプレートを剥離することができる。

以下、図面を参照しつつ本実施形態について説明する。以下の説明では、まず、処理対象について説明し、その後、本実施形態にかかる基板の処理装置および基板の処理方法について説明する。

〔処理対象〕
図１を参照しつつ、本実施形態にかかる処理方法の対象となる基板について説明する。図１は、処理対象となる基板を模式的に示す断面図である。図１に示すように、処理対象となる基板１０には、一方の面１０ａに第１サポートプレート１２が貼着され、他方の面１０ｂに第２サポートプレート１４が貼着されている。つまり、第１サポートプレート１２、基板１０および第２サポートプレート１４が順次設けられた積層体２０中にある基板１０が処理対象である。そして、第１サポートプレート１２と基板１０、および、第２サポートプレート１４と基板１０とは、それぞれ溶解性が異なる接着剤を介して貼り付けられている。この接着剤については後述する。

基板１０は、たとえば、薄板化された基板である。具体的には、基板１０は、半導体ウエハ、化合物半導体ウエハであることが好ましい。このとき、基板１０の厚さは、１０〜１５０μｍとすることができる。

第１サポートプレート１２は、後述の半導体ウエハを薄板化する工程にて詳細を説明するが、基板１０を支持する役割を果たす。第１サポートプレート１２は、基板１０の面１０ａと同一の大きさまたは同一以上の大きさを有することが好ましく、面１０ａと同一の大きさであることがより好ましい。この態様によれば、基板１０に対して成膜処理を施すなど、基板１０を所定の処理装置において処理する場合、基板１０と第１サポートプレートからなる積層構造の取り扱いが容易になる。

また、第１サポートプレート１２は、厚さ方向に第１サポートプレート１２を貫通する貫通孔（図示せず）が設けられていることが好ましい。このとき、貫通孔は、第１サポートプレート１２の全面に均一に分散して設けられていることが好ましく、貫通孔の直径は、０．３ｍｍ〜０．５ｍｍであり、貫通孔同士のピッチは、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍであることが好ましい。このように、第１サポートプレート１２が貫通孔を有する場合の利点については後述する。第１サポートプレート１２は、ガラス、硬質ガラスなどによって形成されていることが好ましい。

第１サポートプレート１２と基板１０とは、第１接着剤を介して貼り付けられている。第１接着剤としては、後述の第２接着剤を溶解しない溶剤の内、少なくとも１種の溶剤に対して溶解性を示す材料であることがもとめられる。このような接着剤の例としては、例えば、有機溶剤に対して可溶性を示す接着剤が好ましく、特開２００５−１９１５５０号公報に記載されているような、ノボラックタイプのフェノール樹脂あるいはアクリル系樹脂材料を含有してなる接着剤組成物、特開２００７−１１９６４６号公報に記載されているような、スチレン、環式骨格含有（メタ）アクリル酸エステルモノマー、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとからなるアクリル系ポリマーを主成分とする接着剤組成物などを例示することができる。この態様によれば、基板１０が、熱処理などに曝されることがあっても、耐熱性があり、良好な接着力が維持されたままであることができる。

また、一実施形態において、第１接着剤としては、非水溶性接着剤を用いることが好ましい。「非水溶性」とは、水または水性溶剤に溶解し得ないことをいう。具体的には、後述するダイシングテープに対して不活性な溶剤では溶解しえない接着剤のことをいう。

第２サポートプレート１４は、第１サポートプレート（支持板）１２と同様に、基板１０を支持する役割を果たす。第２サポートプレート１４は、基板１０の他方の面１０ｂと接触が可能な面を有する部材である限りその制限はなく、種々の材料からなるベアプレートなどを用いることができる。また、第１サポートプレート１２で説明したように、厚さ方向に貫通する貫通穴を有するプレートであってもよい。第２サポートプレート１４の大きさは、面１０ｂと同一以上であることが好ましい。中でも、図１に示すように、基板１０の面１０ｂと比して大径であることが好ましい。つまり、基板１０の周囲に露出した第２サポートプレート１４が位置している構造である。この態様が好ましい理由については後述する。

また、第２サポートプレート１４が貫通孔を有する場合、第２サポートプレート１４と基板１０との間に接着剤の溶剤の浸透をより迅速に行なうことができるという利点を有する。

第２サポートプレート１４は、第１接着剤を溶解する溶剤に対して耐性を有する材料であることが好ましい。つまり、第１接着剤を溶解する溶剤が第２サポートプレート１４に飛散したとしても、第２サポートプレート１４自体が損傷することがない材料である。たとえば、ガラス、硬質プラスチック、ＳＵＳ、セラミック、アルミなどを用いることができる。

第２サポートプレート１４は、基板１０に第２接着剤を介して貼り付けられている。第２接着剤は、第１接着剤と溶解性が異なる。なお、本発明において、「第１接着剤と溶解性が異なる」とは、第１接着剤を溶解する溶剤の内、少なくとも１種の溶剤に対して不溶性あるいは難溶性を示すことを意味する。中でも、第２接着剤としては、水溶性接着剤を用いることが好ましい。ここで、「水溶性」とは、水および水性溶剤に溶解しえることを意味する。水溶性接着剤の例としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、アクリルアミド−ジアセトンアクリルアミド共重合体などの水溶性ポリマーを水、あるいは溶剤に溶解してなる組成物を挙げることができる。

〔処理対象準備工程〕
次に、図２および図３を参照しつつ基板１０を準備する工程について説明する。図２および図３は、基板１０を得るための工程を示す断面図である。

（基板薄板化）
図２に示すように、まず、薄化する前の基板１１を準備する。ついで、図２に示すように、基板１１の面１０ａに、第１サポートプレート１２を第１接着剤を介して貼り付ける。第１サポートプレート１２としては、上述の積層体の項で説明した構成をとることができる。このとき、第１サポートプレート１２は、薄化される基板を支持する役割を果たす。第１接着剤については、処理対象の項で説明した材料を用いることができる。

次に、図３に示すように、基板１１を研削して、薄板化された基板１０を得る。基板１０の膜厚は、１０〜１５０μｍであることが好ましい。これにより、図３に示すように、薄板化された基板１０と、第１サポートプレート１２とからなる積層構造を得る。

（第２サポートプレートの貼着）
次に、図１に参照されるように、基板１０における第１サポートプレート１２の貼着面１０ａとは反対側の面１０ｂに、第２接着剤を介して第２サポートプレート１４を貼着する。本実施形態では、第２サポートプレート１４は、その厚さ方向に貫通する貫通孔を有し、基板１０の面１０ｂと比較して大径である場合を例として説明する。第２サポートプレート１４は、基板１０と比較して大径であるために、図１に参照されるように、基板１０の周囲に露出した第２サポートプレート１４が存在している。

第２接着剤は、上記の第１接着剤とは異なる溶解性を有している。そのため、第１サポートプレート１２と第２サポートプレート１４とが同時に剥離されることがない。第２接着剤としては、水溶性接着剤を使用することが好ましい。具体的には、上述の処理対象の項で説明した材料を用いることができる。

〔基板の処理方法〕
次に、本実施形態にかかる基板の処理方法について説明する。本実施形態にかかる基板の処理方法は、薄板化され、一方の面に第１接着剤を介して第１サポートプレートが貼着され、他方の面に第２接着剤を介して第２サポートプレートが貼着された基板から、当該サポートプレートを剥離する基板の処理方法であって、
前記第２接着剤に対して不活性な溶剤を用いて前記第１接着剤を溶解し、該第１サポートプレートをその自重によって該基板から剥離させる第１剥離工程を含む。

さらに、基板１０の面１０ａにダイシングテープを貼り着ける貼着工程と、
基板１０の面１０ｂから第２サポートプレートを剥離する第２剥離工程と、を含む。

（第１の実施形態）
第１の実施形態にかかる基板の処理方法について、図４から図７を参照しつつ説明する。図４から図７は、第１の実施形態にかかる基板の処理方法について説明する断面図である。

図４に示すように、本実施形態にかかる処理方法では、溶剤４２が貯えられた処理容器４０を準備する。このとき、溶剤４２としては、第２接着剤を溶解しえず、第１接着剤のみを溶解しえる溶剤を用いる。溶剤としては、上述の処理対象の項で説明した溶剤を用いることができるが、特に、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）および２−ヘプタノンから選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましい。ついで、積層体２０を、第１サポートプレート１２が下向きとなるようにして溶剤４２中に漬ける。このとき、積層体２０の全てが、溶剤中に漬けられている必要はないが、基板１０と第１サポートプレート１２との界面（接着面）は、溶剤４２に浸されている必要がある。

第１サポートプレート１２を溶剤４２に浸す方法としては、第１サポートプレート１２を下向きにして溶剤４２に浸すことができる限り、特に制限はされない。例えば、図４に示すように、第２サポートプレート１４を支持部４６を用いて固定し、第１サポートプレート１２が下向きの状態を維持したまま溶剤に浸すことができる。支持部４６としては、例えば、第２サポートプレート１４を吸引手段などを有する部材を用いることができる。

積層体２０を溶剤に浸すことにより、第１接着剤を溶解させることができる。そして、第１接着剤の接着力が低下したとき、図５に示すように、第１サポートプレート１２が自重により基板１０から剥離する。

この態様によれば、積層体２０を溶剤に浸すという、簡便な方法で基板１０から第１サポートプレート１２を剥離することができる。そのため、基板１０と第１サポートプレート１２を引っ張るなどの力を加えることなく、基板１０から第１サポートプレート１２が剥離される。その結果、基板を損傷することなく、基板１０と第１サポートプレートとを剥離することができる。また、積層体２０は、その全体が溶剤を浸されたとしても、何ら支障はない。このことは、処理方法の選択の自由度を高めることになり、製造コストの低下などに寄与する。このようにして、第２サポートプレート１４が貼り付けられている基板１０が得られる。

また、第１サポートプレート１２は、全面に貫通孔が設けられているプレートであることが好ましい。この場合、溶剤の浸透が速くなり、自重による剥離までの時間を短縮することができるためである。

次に、図６に示すように、基板１０の面１０ａにダイシングテープ１６を貼り付ける。ダイシングテープ１６は、ダイシングフレーム１８により周囲を固定されている。つまり、ダイシングフレームは、ダイシングテープ１６が緩むことのないようダイシングテープ１８の張りを維持している。

次に、図７に示すように、第２サポートプレート１４を基板１０から剥離する。第２サポートプレート１４の剥離では、まず第２接着剤を溶解する。第２接着剤の溶解は、たとえば、溶剤中に浸すことにより実現することができる。この溶剤は、ダイシングテープに対して不活性な溶剤である。具体的には、水または水性溶剤であることが好ましく、ｐＨ値が６〜８を示す水であることが好ましい。この態様によれば、溶剤がダイシングテープに飛散してもダイシングテープは劣化することがない。ここで、水性溶剤とは、水、または水に各種添加剤（例えば、界面活性剤、酸性化合物、塩基性化合物など）を配合した水溶液のことをいう。

また、第２サポートプレート１４が厚さ方向に、貫通する貫通孔を有する場合には、積層体２０を溶剤に浸すことなく、第２サポートプレート１４の上方向から貫通孔を介して溶剤を供給し、第２接着剤を溶解することができる。また、第２サポートプレート１４が貫通孔を有する場合に、積層体２０を溶剤に浸す方法を採用したときには、貫通孔からも溶剤の浸透が進むため、処理の迅速化を図ることができるという利点もある。この他に、端面側から溶剤を供給し、第２接着剤を溶解することもできる。

以上の工程により、薄板化された基板１０がダイシングテープ１６に取り付けられた当該基板１０を得ることができる。

本実施形態にかかる基板の処理方法では、ダイシングテープ１６を劣化させることなく、薄板化した基板１０を支持するサポートプレート（第１サポートプレート１２および第２サポートプレート１４を含む）を剥離することができる。これは、ダイシングテープ１６に基板１０を貼り付ける前に、第１サポートプレート１２が基板１０から剥離されているためである。そのため、基板１０にダイシングテープ１６を貼り付けた後、基板１０から第２サポートプレート１４を剥離する際に使用する溶剤が飛散したとしても、ダイシングテープ１６は劣化することがない。また、第２サポートプレート１４の剥離において、処理装置や処理方法に対する制限が少なくなり、より簡便な方法によって基板１０からサポートプレートを剥離することができる。

上述の説明では、第１サポートプレート１２を下向きにする場合について説明したが、第１サポートプレート１２が自重により落下できる方向を向いている限りこれに限定されない。第１の実施形態にかかる基板の処理方法の変形例について、図８を参照しつつ説明する。図８は、基板の処理方法の変形例を示す断面図である。

図８に示すように、たとえば、溶剤４２中で基板１０の面１０ａ、つまり、第１サポートプレート１２が貼着されている面が上を向くように、かつ、第１サポートプレート１２が貼着されている面１０ａと、鉛直下向きの直線とのなす角度αが、０°＜α＜９０°となるように積層体２０を配置する。この場合であっても、第１サポートプレート１２には自重が直接かかるため、第１接着剤の接着力の低下に伴い、自然と基板１０から分離することとなる。

また、上述の説明では、第２サポートプレート１４が、基板１０の面１０ｂと比して大径である場合について説明したが、これに限定されない。例えば、基板１０の面１０ｂと同径を有する第２サポートプレート１４を用いてもよい。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態にかかる基板の処理方法について図９から図１２を参照しつつ説明する。図９から図１２は、第２の実施形態にかかる基板の処理方法の工程を示す断面図である。

まず、図９に示すように、複数の積層体２０をカセット３０に保持する。このとき、積層体２０は、第１サポートプレート１２が下向きになった状態で保持される。

ここで、本実施形態にかかる基板の処理装置について説明する。本実施形態にかかる基板の処理装置は、第１接着剤または第２接着剤を溶解しえる溶剤が貯められている処理容器４０（処理容器４０については図１０参照）と、該処理容器４０内に収められるカセット３０と、を含む。

カセット３０は、図９に示すように、積層体２０の端部を支持する把持部３２と、把持部３２に挟まれた空間の下方に設けられた受止め部（受止め手段）３４と、を一組として、この一組が列状に配列している。つまり、把持部３２と受止め部３４とが、鉛直下方に沿って交互に配置されている。受止め部３４には、物理的変化または光学的変化により第１サポートプレート１２の有無を検知する検出部３６が設けられていることが好ましい。検出部３６としては、例えば、圧電センサー、重量センサー、遮光センサーなどを例示することができる。

処理容器４０は、図１０に示すように、溶剤を貯えられる部材であれば特に限定されない。本実施形態では、上端が開口している処理容器４０を例示する。処理容器４０の開口は、カセット３０を収納できるだけの大きさを有していればよい。

このカセット３０に積層体２０を保持するとき、積層体２０において、第２サポートプレート１４のはみ出た部分を把持部３２の上に配置する。これにより、図９に示すように、第１サポートプレート１２が鉛直下方を向いた状態で、積層体２０を保持することができる。

次に、図１０に示すように、処理対象が保持されたカセット３０を溶剤４２が貯えられた処理容器４０内に漬ける。これにより、第１接着剤の溶解が始まる。その後、図１１に示すように、第１接着剤の溶解が進むにつれ、接着力を失った積層体２０では、第１サポートプレート１２が自重により基板１０から剥離する。なお、図１１および図１２においてもカセット３０は、溶剤４２中に浸されているが、処理容器４０および溶剤４２の図示を省略する。剥離した第１サポートプレート１２は、受止め部３４上に落下する。このとき、受止め部３４では、検出部３６により第１サポートプレート１２の存在が確認される。その結果を持って、第１サポートプレート１２が基板１０から剥離されたか否かが決定されるのである。

次に、図１２に示すように、検出部３６により、カセット３０に保持されている全ての処理対象において、第１サポートプレート１２が基板１０から剥離されたことが確認された後、カセット３０を処理容器４０から取り出す。その後、必要に応じて洗浄、乾燥処理を行ない、カセット３０に保持されている基板１０を取り出す。ついで、第１の実施形態と同様にして、ダイシングテープ１６への貼り付け、および、第２サポートプレート１４の剥離を行なう。

第２の実施形態にかかる基板の処理方法によれば、複数の基板１０を一括して剥離処理に供することができる。さらに、受止め部３４に第１サポートプレートの有無を確認する検出部３６が設けられていることにより、一括処理の終点を迅速に確認することができる。つまり、本発明によれば、簡便な方法により複数の基板１０からサポートプレートを剥離することができる。

また、第２の実施形態では、第２サポートプレート１４の基板と対向する面が基板１０の面１０ｂと比して大きい場合を例として説明したが、把持部３２上に配置されることが可能な形状である限り、これに限定されない。たとえば、第２サポートプレート１４を鉛直上方から平面視したときに、一部分だけが突出した形状であってもよい。この場合には、突出部分が把持部３２の上に配置されることにより、積層体２０がカセット３０に保持されることになる。さらに、カセット３０には、検出部３６が必ずしも設けられている必要はないが、検出部３６が設けられていることにより、剥離処理の迅速化を図ることができる。

（変形例）
なお、本発明は上述の実施形態に限定されることなく、たとえば、第２サポートプレート１４を基板１０から剥離する場合にも、本実施形態にかかる基板の処理装置および基板の処理方法を使用することができる。この変形例について、図１３を参照しつつ説明する。図１３は、第２の実施形態にかかる変形例を説明する断面図である。なお、以下の説明では、第２の実施形態と比して異なる点についてのみ説明する。

この基板の処理方法では、第１サポートプレート１２を基板１０から剥離して、基板１０とダイシングテープ１６とを貼り付けた後、これらの積層構造を上述したカセット３０に保持する。具体的には、図１３に参照されるように、第２サポートプレート１４が鉛直下方を向くようにして、ダイシングフレーム１８を把持部３２の上に保持する。つまり、第２サポートプレート１４と受止め部３４とは対向している。その後、このカセット３０を溶剤が貯えられた処理容器（図示せず）に浸す。ついで、図１３に示すように、検出部３６により、カセット３０に保持されている全ての処理対象において、第２サポートプレート１４の剥離が確認された後、カセット３０を溶剤から取り出す。その後、必要に応じて、洗浄および乾燥を行なうことで、ダイシングテープ１６に貼り付けられた基板１０を得ることができる。

この態様によれば、簡便な方法によりサポートプレートを基板１０から剥離することができる。また、複数の基板１０を一括して処理できることにより、処理の迅速化を図ることができる。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明は、たとえば、微細化された半導体チップの製造に利用することができる。

本実施形態にかかる基板処理方法の処理対象を示す断面図である。 本実施形態にかかる基板処理方法の処理対象を示す断面図である。 本実施形態にかかる基板処理方法の処理対象を示す断面図である。 第１の実施形態にかかる基板の処理方法を示す断面図である。 第１の実施形態にかかる基板の処理方法を示す断面図である。 第１の実施形態にかかる基板の処理方法を示す断面図である。 第１の実施形態にかかる基板の処理方法を示す断面図である。 第１の実施形態にかかる基板の処理方法を示す断面図である。 第２の実施形態にかかる基板の処理方法を示す断面図である。 第２の実施形態にかかる基板の処理方法を示す断面図である。 第２の実施形態にかかる基板の処理方法を示す断面図である。 第２の実施形態にかかる基板の処理方法を示す断面図である。 第２の実施形態にかかる基板の処理方法を示す断面図である。

符号の説明

１０ 基板（ウエハ）
１０ａ、１０ｂ 面
１１ 基板
１２ 第１サポートプレート
１４ 第２サポートプレート
１６ ダイシングテープ
１８ ダイシングフレーム
２０ 積層体
３０ カセット
３２ 把持部
３４ 受止め部（受止め手段）
３６ 検出部
４０ 処理容器（処理室）
４２ 溶剤

Claims (17)

1. 薄板化され、一方の面に第１接着剤を介して第１サポートプレートが貼着され、他方の面に第２接着剤を介して第２サポートプレートが貼着された基板から、当該サポートプレートを剥離する基板の処理装置であって、
   前記第２接着剤に対して不活性な溶剤を用いて前記第１接着剤を溶解し、該第１サポートプレートを該基板から剥離させるようになっていることを特徴とする基板の処理装置。
2. 前記処理装置は、前記第１サポートプレートが自重によって前記基板から剥離可能なように、第２サポートプレートのみを支持する支持部材を備えていることを特徴とする請求項１に記載の基板の処理装置。
3. 前記処理装置は、その処理室内が前記第２接着剤に対して不活性な溶剤によって満たされていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板の処理装置。
4. 前記処理装置は、複数の基板を同時に処理可能な機構を備えていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の基板の処理装置。
5. 前記処理装置は、剥離した前記第１サポートプレートを受止める受止め手段において、該第１サポートプレートの存在を検出可能な検出機構を備えていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の基板の処理装置。
6. 前記受止め手段は、物理的変化または光学的変化により前記第１サポートプレートの有無を検知することを特徴とする請求項５に記載の基板の処理装置。
7. 薄板化され、一方の面に第１接着剤を介して第１サポートプレートが貼着され、他方の面に第２接着剤を介して第２サポートプレートが貼着された基板から、当該サポートプレートを剥離する基板の処理方法であって、
   前記第２接着剤に対して不活性な溶剤を用いて前記第１接着剤を溶解し、該第１サポートプレートをその自重によって該基板から剥離させる第１剥離工程を含むことを特徴とする基板の処理方法。
8. 前記第１剥離工程の後に、さらに、
   前記基板において前記第１サポートプレートが除去された面がダイシングテープと対向するようにして、該基板と該ダイシングテープとを貼着する貼着工程と、
   前記第２接着剤を溶解し、該第２サポートプレートを前記基板から剥離する第２剥離工程と、を含むことを特徴とする請求項７に記載の基板の処理方法。
9. 前記第１剥離工程は、前記第１サポートプレートが貼着されている側が下向きとなるように前記基板を配置し、前記第１接着剤を溶解することを特徴とする請求項７または８に記載の基板の処理方法。
10. 前記第１剥離工程は、前記基板における前記第１サポートプレートが貼着されている側を上にして、かつ、該第１サポートプレートが貼着されている面と、鉛直下向きの直線とのなす角度αが、０°＜α＜９０°となるように前記基板を配置し、前記第１接着剤を溶解することを特徴とする請求項７または８に記載の基板の処理方法。
11. 前記第２接着剤は、水溶性接着剤であることを特徴とする請求項７から１０のいずれか１項に記載の基板の処理方法。
12. 前記第１剥離工程は、前記基板を前記溶剤に浸漬することを含むことを特徴とする請求項７から１１のいずれか１項に記載の基板の処理方法。
13. 前記第１サポートプレートおよび第２サポートプレートの少なくとも一方は、厚さ方向に貫通した複数の貫通孔を有することを特徴とする請求項７から１２のいずれか１項に記載の基板の処理方法。
14. 前記第２サポートプレートにおける前記基板との対向面の面積が、該基板の面積より大きい第２サポートプレートを用いることを特徴とする請求項７から１３のいずれか１項に記載の基板の処理方法。
15. 複数の基板を同時に処理することを特徴とする請求項７から１４のいずれか１項に記載の基板の処理方法。
16. 自重により剥離した前記第１サポートプレートを受止める受止め手段において、該第１サポートプレートの存在が検出されることにより、前記第１剥離工程の終点が決定されることを含むことを特徴とする請求項７から１５のいずれか１項に記載の基板の処理方法。
17. 前記受止め手段は、物理的変化または光学的変化により前記第１サポートプレートの有無を検知することを特徴とする請求項１６に記載の基板の処理方法。

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