JP2016207765A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエーハの表面に形成されたデバイスにダメージを与えることなく、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って確実に改質層を形成することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】被加工物保持手段（チャックテーブル）３６の保持面にウエーハ１０の表面側を対面して保持するウエーハ保持工程と、集光器５２を有するレーザー光線照射手段から照射されるパルスレーザー光線ＬＢの集光スポットＰをウエーハの裏面１０ｂ側から内部に位置付けて照射するとともに被加工物保持手段とレーザー光線照射手段とを相対的に加工送りしてウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層１００を形成する改質層形成工程とを含む。改質層形成工程においては、集光スポットにおける加工送り方向後方の一部を加工送り方向に直交する方向に遮光してウエーハの内部に位置付ける。【選択図】図５

Description

本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの内部に、分割予定ラインに沿って改質層を形成するウエーハの加工方法に関する。

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。

上述したウエーハの分割予定ラインに沿って分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの一方の面側から内部に集光点を位置付けウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、改質層を破断起点としてウエーハを分割予定ラインに沿って分割する技術であり、分割予定ラインの幅を狭くすることが可能となる（例えば、特許文献１参照）。

上述したようにウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成するレーザー加工に用いるパルスレーザー光線としては、ウエーハを形成するシリコンの吸収端が光の波長に換算して略１０５０ｎｍであることから、波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーが一般に使用されている（例えば、特許文献２参照）。

しかるに、波長が１０６４ｎｍのパルスレーザー光線を使用した場合、パルスレーザー光線の波長がシリコンの吸収端に近いことから集光点を挟む領域においてパルスレーザー光線の一部が吸収されて、十分な改質層が形成されず、ウエーハを個々のデバイスに分割できない場合がある。

このような問題を解消するために、波長が１３００〜１４００ｎｍの範囲に設定されたパルスレーザー光線、例えば波長が１３４０ｎｍのＹＡＧレーザーを用いて改質層を形成することにより、集光点を挟む領域においてパルスレーザー光線の吸収が軽減されて良好な改質層を形成することができる加工方法が下記特許文献３に開示されている。

特許第３４０８８０５号公報 特開２００５−９５９５２号公報 特開２００６−１０８４５９号公報

しかるに、ウエーハの裏面側から波長が１３４０ｎｍのパルスレーザー光線の集光点をウエーハの内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射すると、パルスレーザー光線を照射した反対側（デバイスが形成されている表面側）にパルスレーザー光線が散乱し、散乱したパルスレーザー光線が分割予定ラインから外れてデバイスにダメージを与えるという新たな問題が生じた。
この問題を検証したところ、直前に照射されたパルスレーザー光線によって形成された改質層から微細なクラックが伝播し、このクラックに照射されたパルスレーザー光線が屈折または反射してデバイスをアタックすることが判った。
このような問題は、波長が１３４０ｎｍのパルスレーザー光線ほどではないが、波長が１０６４ｎｍのパルスレーザー光線においても発生することが検証された。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハの表面に形成されたデバイスにダメージを与えることなく、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って確実に改質層を形成することができるウエーハの加工方法を提供することである。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持面を備えた被加工物保持手段と、該被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射して被加工物の内部に改質層を形成するレーザー光線照射手段と、該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送り方向に加工送りする加工送り手段とを具備するレーザー加工装置を用いて、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの内部に、分割予定ラインに沿って改質層を形成するウエーハの加工方法であって、
該被加工物保持手段の保持面にウエーハの表面側を対面して保持するウエーハ保持工程と、
該レーザー光線照射手段から照射されるパルスレーザー光線の集光スポットをウエーハの裏面側から内部に位置付けて照射するとともに該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りしてウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、を含み、
該改質層形成工程においては、集光スポットにおける加工送り方向後方の一部を加工送り方向に直交する方向に遮光してウエーハの内部に位置付ける、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。

上記改質層形成工程においては、集光スポットの２０％を遮光することが望ましい。

本発明によるウエーハの加工方法においては、レーザー光線照射手段から照射されるパルスレーザー光線の集光スポットをウエーハの裏面側から内部に位置付けて照射するとともに被加工物保持手段とレーザー光線照射手段とを相対的に加工送りしてウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程は、集光スポットにおける加工送り方向後方の一部を加工送り方向に直交する方向に遮光してウエーハの内部に位置付けるので、直前に照射されたパルスレーザー光線によって形成された改質層から伝播されたクラックに照射されることによるパルスレーザー光線の散乱が抑制される。従って、パルスレーザー光線が散乱することによりウエーハの表面に形成されたデバイスをアタックしてデバイスにダメージを与えるという問題が解消される。

ウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。 図１に示す半導体ウエーハを環状のフレームに装着された粘着テープに貼着された状態を示す斜視図。 本発明によるレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。 図３に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段のブロック構成図。 本発明によるレーザー加工方法における改質層形成工程の説明図。 本発明によるレーザー加工方法における分割工程を実施するための分割装置の斜視図。 本発明によるレーザー加工方法における分割工程の説明図。

以下、本発明によるウエーハの加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。

図１には、上述したレーザー加工装置によって加工される被加工物としての半導体ウエーハ１０の斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ１０は、厚みが１００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面１０ａに複数の分割予定ライン１０１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン１０１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０２が形成されている。なお、分割予定ライン１０１の幅は、図示の実施形態においては５０μｍに設定されている。

上述した半導体ウエーハ１０の内部に分割予定ライン１０１に沿って改質層を形成するために図示の実施形態においては、先ず、半導体ウエーハ１０の表面１０ａに合成樹脂からなるダイシングテープの表面を貼着するとともにダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図２に示すように、環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープＴの表面に半導体ウエーハ１０の表面１０ａを貼着する。なお、ダイシングテープは、図示の実施形態においては塩化ビニール（ＰＶＣ）シートによって形成されている。

次に、上記ウエーハ支持工程が実施された半導体ウエーハ１０の内部に分割予定ライン１０１に沿って改質層を形成するためのレーザー加工装置について、図３を参照して説明する。
図３に示すレーザー加工装置２は、静止基台２０と、該静止基台２０に矢印Ｘで示す加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、基台２上に配設されたレーザー光線照射手段としてのレーザー光線照射ユニット４とを具備している。

上記チャックテーブル機構３は、静止基台２０上に加工送り方向Ｘに沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上にＸ軸方向に移動可能に配設された第１の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に加工送り方向Ｘと直交する矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持された支持テーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１の上面である保持面上に被加工物である例えば円形状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、半導体ウエーハ１０をダイシングテープＴを介して支持する環状のフレームFを固定するためのクランプ３６２が配設されている。

上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に割り出し送り方向Ｙに沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２０に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第１の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って加工送り方向Ｘに移動せしめられる。

上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、割り出し送り方向Yに移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って割り出し送り方向Ｙに移動させるための割り出し送り手段３８を具備している。割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って割り出し送り方向Ｙに移動せしめられる。

上記レーザー光線照射ユニット４は、上記基台２０上に配設された支持部材４１と、該支持部材４１によって支持され実質上水平に延出するケーシング４２と、該ケーシング４２に配設されたレーザー光線照射手段５と、ケーシング４２の前端部に配設されレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段６を具備している。なお、撮像手段６は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備えており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。

上記レーザー光線照射手段５について、図４を参照して説明する。
図４に示すレーザー光線照射手段５は、パルスレーザー光線発振器５１と、該パルスレーザー光線発振器５１から発振されたパルスレーザー光線を集光してチャックテーブル３６に保持された被加工物Wに照射する集光器５２と、パルスレーザー光線発振器５１と集光器５２との間に配設されパルスレーザー光線発振器５１から発振されたパルスレーザー光線の一部を遮光するマスク部材５３を具備している。パルスレーザー光線発振器５１は、図示の実施形態においては波長が１３４０ｎｍのパルスレーザー光線ＬＢを発振する。上記集光器５２は、上記パルスレーザー光線発振器５１から発振されたパルスレーザー光線ＬＢを下方に方向変換する方向変換ミラー５２１と、該方向変換ミラー５２１によって方向変換されたパルスレーザー光線LBを集光してチャックテーブル３６に保持された被加工物Ｗに集光スポットＰで照射する集光レンズ５２２とからなっている。上記マスク部材５３は、パルスレーザー光線発振器５１から発振されたパルスレーザー光線の一部を遮光する遮光部５３１ａを有する孔５３１が設けられている。この孔５３１を形成する遮光部５３１ａは、集光スポットPにおける加工送り方向Ｘａ後方の一部を加工送り方向Ｘａに直交する方向に遮光する。なお、遮光部５３１ａによって遮光する割合は、図示の実施形態においてはパルスレーザー光線発振器５１から発振されたパルスレーザー光線ＬＢの２０％に設定されている。

図３および図４に示すレーザー加工装置２は以上のように構成されており、以下レーザー加工装置２を用いて上記ウエーハ支持工程が実施された半導体ウエーハ１０の内部に分割予定ライン１０１に沿って改質層を形成する改質層形成工程について説明する。
先ず、図３に示すレーザー加工装置２のチャックテーブル３６の保持面上に半導体ウエーハ１０が貼着されたダイシングテープＴ側を対面させて載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ１０をダイシングテープＴを介してチャックテーブル３６上に吸引保持する（被加工物保持工程）。従って、チャックテーブル３６にダイシングテープＴを介して保持された半導体ウエーハ１０は、裏面１０ｂが上側となる。なお、半導体ウエーハ１０をダイシングテープＴを介して支持した環状のフレームＦは、チャックテーブル３６に配設されたクランプ３６２によって固定される。

上述した被加工物保持工程を実施したならば、加工送り手段３７を作動して半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６を撮像手段６の直下に位置付ける。チャックテーブル３６が撮像手段６の直下に位置付けられると、撮像手段６および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されている分割予定ライン１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５の集光器５２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ１０に形成されている所定方向と直交する方向に形成されている分割予定ライン１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ１０の分割予定ライン１０１が形成されている表面１０ａは下側に位置しているが、撮像手段６が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂから透かして分割予定ライン１０１を撮像することができる。

以上のようにしてチャックテーブル３６上に保持されている半導体ウエーハ１０に形成された分割予定ライン１０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図５の（ａ）で示すようにチャックテーブル３６をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５の集光器５２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン１０１の一端（図５の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段５の集光器５２の直下に位置付ける。次に、集光器５２から照射されるパルスレーザー光線の集光スポットＰを半導体ウエーハ１０の厚み方向中間部に位置付ける。そして、レーザー光線照射手段５を作動して集光器５２からシリコンウエーハからなる半導体ウエーハ１０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３６を図５の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる（改質層形成工程）。そして、図５の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段５の集光器５２の照射位置が分割予定ライン１０１の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ１０の内部には、分割予定ライン１０１に沿って改質層１００が連続して形成される。

なお、上記改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長 ；１３４０ｎｍ（ＹＡＧレーザー）
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
平均出力 ：1．０Ｗ
集光スポット径 ；φ２．５μｍ
遮光率 ：２０％
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒

上記改質層形成工程において照射されるパルスレーザー光線ＬＢの照射状況について、図５の（ｃ）を参照して説明する。
上記加工条件においては、パルスレーザー光線ＬＢの各パルスは半導体ウエーハ１０に対して３．７５μｍ間隔で照射される。直前に照射されたパルスによって形成された改質層１００からは微細なクラック１１０が伝播される。このクラック１１０に次に照射されるパルスレーザー光線ＬＢが照射されると、パルスレーザー光線ＬＢが屈折または反射して半導体ウエーハ１０の表面に形成されたデバイス１０２をアタックし、デバイス１０２にダメージを与える。

このような問題を解消するために、本発明においては、パルスレーザー光線発振器５１と集光器５２との間にパルスレーザー光線発振器５１から発振されたパルスレーザー光線ＬＢの一部を遮光するマスク部材５３を配設し、図５の（ｃ）に示すように集光スポットＰを加工送り方向Ｘａ（チャックテーブル３６の移動方向Ｘ１と反対の方向）後方の一部を加工送り方向Ｘａに直交する方向に遮光（斜線Ａで示す領域）するので、直前に照射されたパルスレーザー光線によって形成された改質層１００から伝播されたクラック１１０に照射されることによるパルスレーザー光線の散乱が抑制される。従って、パルスレーザー光線が散乱することにより半導体ウエーハ１０の表面に形成されたデバイス１０２をアタックしてデバイス１０２にダメージを与えるという問題が解消される。

〈実験例〉
本願発明の上記加工条件で実施した加工と、従来の加工におけるダメージの度合いを検証した。なお、従来の加工における加工条件を次の通り設定した。
波長 ；１３４０ｎｍ（ＹＡＧレーザー）
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
平均出力 ：０．８Ｗ
集光スポット径 ；φ２．５μｍ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒

この検証実験においては、分割予定ラインの中心から１０μｍ以内、１０〜２０μｍ、２０〜３０μｍ、３０〜４０μｍ、４０〜５０μｍ、５０〜６０μｍ離れた領域で分割予定ライン１ｃｍ当たりに存在するダメージをカウントしたところ、以下の通りの結果が得られた。

検出領域 従来の加工によるダメージ数 本発明の加工によるダメージ数
１０μm以内 ８４ ４２０
１０〜２０μｍ １７０４ １０９５
２０〜３０μｍ ６８４ １２３
３０〜４０μｍ １７６ ６
４０〜５０μｍ ２８ １
５０〜６０μｍ ８ ０

以上のように、従来の加工においては５０〜６０μｍ離れた領域においてもダメージが存在するのに対し、本発明の加工においては５０μｍ程度離れた領域においてはダメージが殆ど存在しなくなることが検証された。

上述したように所定の分割予定ライン１０１に沿って上記改質層形成工程を実施したら、チャックテーブル３６を矢印Ｙで示す方向に半導体ウエーハ１０に形成された分割予定ライン１０１の間隔だけ割り出し送りし（割り出し送り工程）、上記改質層形成工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全ての分割予定ライン１０１に沿って上記改質層形成工程を実施したならば、チャックテーブル３６を９０度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割予定ライン１０１に対して直交する方向に延びる分割予定ライン１０１に沿って上記改質層形成工程を実行する。

以上のようにして改質層形成工程を実施したならば、分割予定ライン１０１に沿って内部に改質層１００が形成された半導体ウエーハ１０に外力を付与し、半導体ウエーハ１０を破断起点となる改質層１００が形成された分割予定ライン１０１に沿って個々のデバイスに分割する分割工程を実施する。この分割工程は、図６に示す分割装置７を用いて実施する。図６に示す分割装置７は、上記環状のフレームＦを保持するフレーム保持手段７１と、該フレーム保持手段７１に保持された環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴを拡張するテープ拡張手段７２と、ピックアップコレット７３を具備している。フレーム保持手段７１は、環状のフレーム保持部材７１１と、該フレーム保持部材７１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ７１２とからなっている。フレーム保持部材７１１の上面は環状のフレームＦを載置する載置面７１１ａを形成しており、この載置面７１１ａ上に環状のフレームＦが載置される。そして、載置面７１１ａ上に載置された環状のフレームＦは、クランプ７１２によってフレーム保持部材７１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段７１は、テープ拡張手段７２によって上下方向に進退可能に支持されている。

テープ拡張手段７２は、上記環状のフレーム保持部材７１１の内側に配設される拡張ドラム７２１を具備している。この拡張ドラム７２１は、環状のフレームＦの内径より小さく該環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着される半導体ウエーハ１０の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム７２１は、下端に支持フランジ７２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段７２は、上記環状のフレーム保持部材７１１を上下方向に進退可能な支持手段７２３を具備している。この支持手段７２３は、上記支持フランジ７２２上に配設された複数のエアシリンダ７２３ａからなっており、そのピストンロッド７２３ｂが上記環状のフレーム保持部材７１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ７２３ａからなる支持手段７２３は、図７の（ａ）に示すように環状のフレーム保持部材７１１を載置面７１１ａが拡張ドラム７２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、図７の（ｂ）に示すように拡張ドラム７２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。

以上のように構成された分割装置７を用いて実施する分割工程について図７の（ａ）および（ｂ）を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ１０が貼着されているダイシングテープＴが装着された環状のフレームＦを、図７の（ａ）に示すようにフレーム保持手段７１を構成するフレーム保持部材７１１の載置面７１１ａ上に載置し、クランプ７１２によってフレーム保持部材７１１に固定する（フレーム保持工程）。このとき、フレーム保持部材７１１は図７の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段７２を構成する支持手段７２３としての複数のエアシリンダ７２３ａを作動して、環状のフレーム保持部材７１１を図７の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材７１１の載置面７１１ａ上に固定されている環状のフレームＦも下降するため、図７の（ｂ）に示すように環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴは拡張ドラム７２１の上端縁に接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、ダイシングテープＴに貼着されている半導体ウエーハ１０には放射状に引張力が作用するため、半導体ウエーハ１０は改質層１００が破断起点となって分割予定ライン１０１に沿って個々のデバイス１０２に分離されるとともに、デバイス間に間隔Sが形成される。

次に、図７の（ｃ）に示すようにピックアップコレット７３を作動してデバイス１０２を吸着し、ダイシングテープＴから剥離してピックアップし、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。なお、ピックアップ工程においては、上述したようにダイシングテープＴに貼着されている個々のデバイス１０２間の隙間Ｓが広げられているので、隣接するデバイス１０２と接触することなく容易にピックアップすることができる。

２：レーザー加工装置
３：チャックテーブル機構
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３８：割り出し送り手段
５：レーザー光線照射手段
５１：パルスレーザー光線発振器
５２：集光器
５３：マスク部材
６：撮像手段
７：分割装置
７１：フレーム保持手段
７２：テープ拡張手段
７３：ピックアップコレット
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：ダイシングテープ

Claims (2)

1. 被加工物を保持する保持面を備えた被加工物保持手段と、該被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射して被加工物の内部に改質層を形成するレーザー光線照射手段と、該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送り方向に加工送りする加工送り手段とを具備するレーザー加工装置を用いて、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの内部に、分割予定ラインに沿って改質層を形成するウエーハの加工方法であって、
   該被加工物保持手段の保持面にウエーハの表面側を対面して保持するウエーハ保持工程と、
   該レーザー光線照射手段から照射されるパルスレーザー光線の集光スポットをウエーハの裏面側から内部に位置付けて照射するとともに該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りしてウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、を含み、
   該改質層形成工程においては、集光スポットにおける加工送り方向後方の一部を加工送り方向に直交する方向に遮光してウエーハの内部に位置付ける、
   ことを特徴とするウエーハの加工方法。
2. 該改質層形成工程においては、集光スポットの２０％を遮光する、請求項1記載のウエーハの加工方法。