JP2012146723A - ダイシング加工装置 - Google Patents
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- 238000013459 approach Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 70
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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Abstract
【課題】保持手段と加工手段とが相対的に移動しながらダイシング加工が行われるダイシング加工装置において、加工中における保持手段と加工手段との相対速度を適切に制御することにより加工品質を低下させることなく加工の生産性を向上させる。
【解決手段】ワークを保持する保持手段と加工手段との相対速度を、加工開始時は最低速度とし、加工中は最高速度に近づくように加速しまたは最高速度に達した場合は最高速度を可能な限り維持し、加工終了時は最低速度となるまで減速する。加工中は、相対速度を最低速度以上とするとともに最高速度に近づけ、最高速度に達した場合は最高速度を可能な限り維持することで、加工品質を低下させることなく加工を効率よく行うことを可能としている。また、加工開始時及び加工終了時の相対速度を最低速度とすることで、助走距離及びオーバーラン距離を従来よりも短くし、全体として生産性を向上させることができる。
【選択図】図2
【解決手段】ワークを保持する保持手段と加工手段との相対速度を、加工開始時は最低速度とし、加工中は最高速度に近づくように加速しまたは最高速度に達した場合は最高速度を可能な限り維持し、加工終了時は最低速度となるまで減速する。加工中は、相対速度を最低速度以上とするとともに最高速度に近づけ、最高速度に達した場合は最高速度を可能な限り維持することで、加工品質を低下させることなく加工を効率よく行うことを可能としている。また、加工開始時及び加工終了時の相対速度を最低速度とすることで、助走距離及びオーバーラン距離を従来よりも短くし、全体として生産性を向上させることができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、被加工物のダイシング加工を行うダイシング加工装置に関する。
半導体ウェーハ等の各種被加工物(ワーク)のダイシング加工を行うためのダイシング加工装置として、レーザ加工装置が用いられている。レーザ加工装置では、保持手段と、レーザ照射ヘッドを有するレーザ加工手段とを加工送り方向に相対移動させながら、レーザ照射ヘッドからワークの分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射することにより、ダイシング加工を行う(例えば特許文献1参照)。
また、被加工物を分割予定ラインに沿って加工する装置としては、高速回転する切削ブレードを備えた切削装置も利用されている。切削装置におけるワークの加工時は、ワークを保持する保持手段と、切削ブレードを有する切削加工手段とを加工送り方向に相対移動させながら、高速回転する切削ブレードを分割予定ラインに沿って切り込ませることにより、ダイシング加工が行われる。
このように、レーザ加工装置、切削装置といったダイシング加工装置においては、ワークを保持する保持手段と加工手段とが相対移動する構成となっており、分割予定ラインの加工時には、保持手段と加工手段との相対移動の速度(相対速度)が一定となるような制御が行われている。
また、ワークの加工中は、保持手段と加工手段との相対速度が、加工品質維持の観点から許容される最高速度に設定され、その最高速度を一定に保った状態で加工が行われている。そして、加工中における保持手段と加工手段との相対速度を一定かつ最高速度とすることを前提として、加工開始前に保持手段を加速させるための助走距離が設定されている。
しかし、加工開始時に保持手段と加工手段との相対速度を最高速度とするためには、保持手段の助走距離を長くとる必要があり、このことがかえって生産性を低下させる要因となっている。また、保持手段と加工手段との相対速度を最高速度として加工をした後は、減速のためにある程度の距離が必要となるため、加工後における保持手段と加工手段との相対移動距離も長くなり、このことも生産性を低下させる要因となっている。
一方、保持手段と加工手段との相対速度が遅くなりすぎても加工品質の点で問題が生じるが、この相対速度は、許容される最低速度と最高速度との間であればよく、必ずしも加工中の相対速度を最高速度に維持する必要はない。
本発明は、このような点にかんがみなされたもので、その目的は、保持手段と加工手段とが相対的に移動しながらダイシング加工が行われるダイシング加工装置において、加工中における保持手段と加工手段との相対速度を適切に制御することにより、加工品質を低下させることなく加工の生産性を向上させることである。
本発明は、分割予定ラインが設定されたワークを保持する保持手段と、保持手段に保持されたワークに分割予定ラインに沿ってダイシング加工を施す加工手段と、加工手段と保持手段とを加工送り方向に相対的に移動させる加工送り手段と、加工送り手段を制御する制御手段とを有するダイシング加工装置に関するもので、制御手段が以下の各ステップを実行することとしている。
(1)ワークを適切に加工可能な最低速度と最高速度とを記憶する記憶ステップ、
(2)加工手段がワークの加工を開始する際の保持手段と加工手段との相対速度が最低速度となるように、保持手段と加工手段との相対速度を加速させる第一の制御ステップ、
(3)加工手段がワークの加工を終了する際の保持手段と加工手段との相対速度が最低速度となるように、保持手段と加工手段との相対速度を減速させる第二の制御ステップ、
(4)第一の制御ステップと第二の制御ステップとを満足できる条件下で加工手段がワークを加工している間に保持手段と加工手段との相対速度が最高速度に近づくように保持手段と加工手段との相対速度を加速、もしくは最高速度まで保持手段と加工手段との相対速度を加速して最高速度を維持する第三の制御ステップ。
(1)ワークを適切に加工可能な最低速度と最高速度とを記憶する記憶ステップ、
(2)加工手段がワークの加工を開始する際の保持手段と加工手段との相対速度が最低速度となるように、保持手段と加工手段との相対速度を加速させる第一の制御ステップ、
(3)加工手段がワークの加工を終了する際の保持手段と加工手段との相対速度が最低速度となるように、保持手段と加工手段との相対速度を減速させる第二の制御ステップ、
(4)第一の制御ステップと第二の制御ステップとを満足できる条件下で加工手段がワークを加工している間に保持手段と加工手段との相対速度が最高速度に近づくように保持手段と加工手段との相対速度を加速、もしくは最高速度まで保持手段と加工手段との相対速度を加速して最高速度を維持する第三の制御ステップ。
本発明では、保持手段と加工手段との相対速度を、加工開始時には最低速度とし、加工終了時には最低速度となるまで減速し、加工中は最高速度に近づくように加速しもしくは最高速度に達した場合は加工終了時に最低速度まで減速できる限度において最高速度を維持することで、加工品質を低下させることなく加工を効率よく行うことを可能としている。また、加工開始時及び加工終了時の相対速度を最低速度とすることで、助走距離及びオーバーラン距離を従来よりも短くし、全体として生産性を向上させることができる。さらに、助走距離及びオーバーラン距離を短くできるため、ダイシング加工装置の小型化を図ることができる。
1 装置構成
図1に示すレーザ加工装置1は、保持手段2に保持された被加工物(ワーク)Wに対して加工手段3がレーザ加工を施してワークWのダイシング加工を行う装置である。保持手段2は、加工送り手段4によってX軸方向(加工送り方向)に送られるとともに、割り出し送り手段5によってX軸に対して水平方向に直交するY軸方向(割り出し送り方向)に送られる構成となっている。
図1に示すレーザ加工装置1は、保持手段2に保持された被加工物(ワーク)Wに対して加工手段3がレーザ加工を施してワークWのダイシング加工を行う装置である。保持手段2は、加工送り手段4によってX軸方向(加工送り方向)に送られるとともに、割り出し送り手段5によってX軸に対して水平方向に直交するY軸方向(割り出し送り方向)に送られる構成となっている。
保持手段2は、ワークWが載置され吸引される保持面20と、保持面20の外周側に複数配置され、テープTを介してワークWと一体化されたフレームFを固定するクランプ部21とを有している。クランプ部21は、水平方向の回転軸を中心として所定角度回動する押さえ部210を備えている。
加工手段3は、装置後端部に設けられた壁部10に固定されており、下方に向けてレーザビームを照射するレーザ照射ヘッド30を備えている。保持手段2をX方向に送りながらワークWに設定された分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射することにより、ワークWにダイシング加工を施すことができる。
加工送り手段4は、X軸方向に延びるボールネジ40と、ボールネジ40と平行に配設されたガイドレール41と、ボールネジ40の一端に連結されボールネジ40を回動させるパルスモータ42と、下部がガイドレール41に摺接するとともにボールネジ40に螺合する図示しないナットを内部に備えたスライド板43とを備え、パルスモータ42に駆動されてボールネジ40が回動するのにともないスライド板43がガイドレール41にガイドされてX軸方向に移動する構成となっている。スライド板43には、内部にパルスモータを備えた回転駆動部44が固定されており、回転駆動部44は、保持手段2を所定角度回転させることができる。加工送り手段4は、保持手段2をスライド板43を加工送り方向に駆動して保持手段2を加工送り方向に送り出すことにより、保持手段2と加工手段3とを加工送り方向に相対的に移動させることができる。
割り出し送り手段5は、Y軸方向に延びるボールネジ50と、ボールネジ50と平行に配設されたガイドレール51と、ボールネジ50の一端に連結されボールネジ50を回動させるパルスモータ52と、下部がガイドレール51に摺接するとともにボールネジ50に螺合する図示しないナットを内部に備えたスライド板53とを備え、ボールネジ50の回動にともないスライド板53がガイドレール51にガイドされてX軸方向に移動する構成となっている。スライド板53には加工送り手段4が配設されており、スライド板53のY軸方向の移動にともない加工送り手段4も同方向に移動する構成となっている。
加工送り手段4のパルスモータ42及び割り出し送り手段5のパルスモータ52は、制御手段60から送出されるパルス信号によって制御される。制御手段60は記憶手段61に接続されており、制御手段60は、記憶手段61の記憶内容を参照してパルスモータ42、52を制御することにより、加工送り手段4及び割り出し送り手段5を制御することができる。
2 ダイシング加工
図1に示すように、ダイシング対象のワークWは、テープTを介して環状のフレームFに支持される。そして、ワークWは保持面20において吸引保持され、フレームFはクランプ部21によって固定される。ワークWには図示しない分割予定ライン(以下「ライン」という。)が設定されており、ラインに沿って加工を行うことにより、個々のチップにダイシングされる。なお、ワークWは特に限定はされないが、例えばシリコンウェーハ、ガリウム砒素、シリコンカーバイド等の半導体ウェーハや、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるDAF(Die Attach Film)等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミックス、ガラス、サファイア系の無機材料基板、液晶ディスプレイドライバー等の各種電子部品、さらには、ミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料が挙げられる。ワークの形状も特に限定されない。
図1に示すように、ダイシング対象のワークWは、テープTを介して環状のフレームFに支持される。そして、ワークWは保持面20において吸引保持され、フレームFはクランプ部21によって固定される。ワークWには図示しない分割予定ライン(以下「ライン」という。)が設定されており、ラインに沿って加工を行うことにより、個々のチップにダイシングされる。なお、ワークWは特に限定はされないが、例えばシリコンウェーハ、ガリウム砒素、シリコンカーバイド等の半導体ウェーハや、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるDAF(Die Attach Film)等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミックス、ガラス、サファイア系の無機材料基板、液晶ディスプレイドライバー等の各種電子部品、さらには、ミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料が挙げられる。ワークの形状も特に限定されない。
(1)記憶ステップ
加工開始前に、制御手段60は、ワークWを適切に加工可能とするための保持手段2と加工手段3との相対移動速度(以下「相対速度」という。)の最低速度と最高速度とをそれぞれ記憶手段61に記憶させる。最低速度は、ワークWを適切に加工して加工品質を維持するために加工中に最低限なければならない相対速度の下限値である。一方、最高速度は、加工品質維持のために超えてはならない相対速度の上限値である。
加工開始前に、制御手段60は、ワークWを適切に加工可能とするための保持手段2と加工手段3との相対移動速度(以下「相対速度」という。)の最低速度と最高速度とをそれぞれ記憶手段61に記憶させる。最低速度は、ワークWを適切に加工して加工品質を維持するために加工中に最低限なければならない相対速度の下限値である。一方、最高速度は、加工品質維持のために超えてはならない相対速度の上限値である。
ワークWを品質上の問題なく適切に加工するためには、加工中における相対速度が最低速度と最高速度との間となるように制御しなければならない。かりに、レーザビームのパルス幅を変えずに相対速度のみを速くしすぎると、レーザビームのパルス間隔が長くなり、加工が不十分となる。一方、レーザビームのパルス幅を変えずに相対速度のみを遅くしすぎると、レーザビームのパルス間隔が短くなり、加工屑が加工溝の中に溜まる埋め戻りが生じる。
また、相対速度を変化させてもパルス間隔が一定となるようにする場合は出力を調整するが、出力が大きくなりすぎると加工のしすぎ、デラミネーションが起こり、出力が小さくなりすぎると加工が不十分となり、ワークの加工しきい値を下回るとまったく加工ができないということにもなる。
なお、切削加工の場合は、相対速度が速くなりすぎるとワークにチッピングが生じ、相対速度が遅くなりすぎると、ガラス等の切削時に砥石の自生発刃作用が阻害されて砥石に目つぶれが生じる。
以上のように、ワークWの加工時は、相対速度が最低速度と最高速度との幅の間でなければならない。一方、相対速度が最低速度と最高速度の間にあれば、一定である必要はない。制御手段60は、このような観点から、以下に示す各ステップの制御を行う。
なお、相対速度は、図1の例では制御手段60がパルスモータ42に対して送出するパルス数によってボールねじ40の回転速度を制御して調整し、最低速度と最高速度との間とすることができる。最低速度及び最高速度の具体的な値は、ワークの材質等に応じて決定され、図示しないキーボード等の入力手段から入力され、記憶手段61に記憶される。制御手段60は、以降のステップにおいて、記憶手段61に記憶された情報を参照して制御を行う。
(2)第一の制御ステップ
加工前においては、レーザ照射ヘッド30は、ワークWの上方から外れた位置に位置している。ダイシング加工を始めるにあたり、加工送り手段4及び割り出し送り手段5による制御の下で、図2(B)に示すように、レーザ照射ヘッド30を、ワークWの端部に設定されたAラインの延長線上の助走開始位置100に位置させる。
加工前においては、レーザ照射ヘッド30は、ワークWの上方から外れた位置に位置している。ダイシング加工を始めるにあたり、加工送り手段4及び割り出し送り手段5による制御の下で、図2(B)に示すように、レーザ照射ヘッド30を、ワークWの端部に設定されたAラインの延長線上の助走開始位置100に位置させる。
そして、加工送り手段4が保持手段2をX方向に移動させ、保持手段2と加工手段3との加工送り方向の相対移動速度(以下「相対速度」という。)を加速させ、図2(A)に示すように、レーザ照射ヘッド30がAラインの一方の端部の上方にさしかかると、ワークWに対するレーザ照射ヘッド30からのレーザビームの照射が開始される。ここで、レーザビームの照射が開始されるときのレーザ照射ヘッド30の位置を加工開始位置101とし、助走開始位置100と加工開始位置101との距離を助走距離D1で表す。
レーザビームの照射開始時には、相対速度が少なくとも最低速度にまで加速されていなければならない。したがって、レーザビームの照射開始時に保持手段2が最低速度に達するために、保持手段2の加速度を考慮し、図2(B)に示した助走開始位置100が設定される。具体的には、助走開始位置100は、記憶手段61に記憶させた最低速度、及び加工送り手段4、特にボールねじ40の加速の性能に基づいて決定される。このように、制御手段60は、加工手段3がワークWの加工を開始する際の保持手段2と加工手段3との相対速度が最低速度となるように、保持手段2と加工手段3との相対速度を加速させる。
(3)第二の制御ステップ
相対速度は、加工中も徐々に増していき、Aラインの中心付近で最高速度に達する。この最高速度は、加工品質維持のために超えてはならない最高の速度である。このように、加工品質維持の観点から許容される相対速度には、最低速度と最高速度との間で幅がある。
相対速度は、加工中も徐々に増していき、Aラインの中心付近で最高速度に達する。この最高速度は、加工品質維持のために超えてはならない最高の速度である。このように、加工品質維持の観点から許容される相対速度には、最低速度と最高速度との間で幅がある。
相対速度が最高速度に達した後は、レーザ照射ヘッド30がAラインのもう一方の端部の上方に達してワークWの加工を終了する時点で相対送り速度が最低速度となるように、加工途中で相対速度の減速を開始する。すなわち、制御手段60は、レーザビームの照射終了位置である加工終了位置102に位置する時点で相対速度が最低速度となるように制御を行う。
こうして加工終了時に相対速度が最低速度となるように減速した後、さらに減速させ、図2(B)に示す停止位置103にレーザ照射ヘッド30が位置した時点で保持手段2の移動を停止させる。ここで、加工終了位置102と停止位置103との距離をオーバーラン距離D2とする。停止位置103は、加工終了位置102、記憶手段61に記憶させた最低速度、及び加工送り手段4、特にボールねじ40の減速の性能に基づいて定まる。
このようにして、加工手段3がワークの加工を終了する際の保持手段2と加工手段3との相対速度が最低速度となるように相対速度を減速させ、さらに減速を行うことにより、オーバーラン距離D2を短くすることができる。
(4)第三の制御ステップ
加工中は、相対速度が最低速度と最高速度の間に維持され、その状態でレーザ照射ヘッド30から各ラインに沿ってレーザビームが照射されることにより、アブレーション加工がなされる。加工中は、相対速度をより速い速度とすれば、加工速度がより速くなる。したがって、制御手段60は、第一の制御ステップと第二の制御ステップとを満足できる条件下で、加工手段3がワークWを加工している間に相対速度が最高速度に近づくように加速する。第一の制御ステップと第二の制御ステップとを満足できる条件は、具体的には、最低速度から最高速度までの範囲内で、どの位置まで加速できるか、どの位置まで最高速度を維持できるかといった条件であり、例えば図1に示した例では、加工送り手段4、特にボールネジ40の減速の性能によって決定される。
加工中は、相対速度が最低速度と最高速度の間に維持され、その状態でレーザ照射ヘッド30から各ラインに沿ってレーザビームが照射されることにより、アブレーション加工がなされる。加工中は、相対速度をより速い速度とすれば、加工速度がより速くなる。したがって、制御手段60は、第一の制御ステップと第二の制御ステップとを満足できる条件下で、加工手段3がワークWを加工している間に相対速度が最高速度に近づくように加速する。第一の制御ステップと第二の制御ステップとを満足できる条件は、具体的には、最低速度から最高速度までの範囲内で、どの位置まで加速できるか、どの位置まで最高速度を維持できるかといった条件であり、例えば図1に示した例では、加工送り手段4、特にボールネジ40の減速の性能によって決定される。
また、図2(A)の例では、Aラインを半分加工した時に相対速度が最高速度に達したため、すぐに減速しているが、最高速度まで相対速度を加速した時点で加工が半分終了していない場合は、可能な限り最高速度を維持する。
以上のようにしてAラインの加工が終了した後は、図1に示した割り出し送り手段5が加工手段3を割り出し送り方向に移動させながら、順次ラインを同様にレーザ加工していく。ワークWが円形であるため、ラインの長さは個々に異なる。例えば、図2(B)に示すBラインは、ワークWの中心部に設定されている。
Bラインの加工にあたっては、図2(C)に示す助走開始位置200の上方にレーザ照射ヘッド30を位置させる。そして、第一の制御ステップにより加速を行い、レーザ照射ヘッド30が加工開始位置201に達した時点で相対速度が最低速度となるように制御する。ここで、助走開始位置200から加工開始位置201までの距離を助走距離D3とする。
相対速度が加速され最低速度に達すると、レーザ照射ヘッド30からレーザビームを照射してBラインの加工を開始し、第三の制御ステップにより相対速度を最高速度に近づけながら加工を行う。BラインはAラインよりも長いため、最高速度に達した後、最高速度を維持しつつ加工を行う。最高速度に達した後は、加工終了位置202で最低速度まで減速できる範囲で最高速度を維持する。
レーザ照射ヘッド30が加工終了位置202に達した時点で第二の制御ステップによりさらに減速し、停止位置203にレーザ照射ヘッド30が位置した時点で相対移動を終了する。ここで、加工終了位置202から停止位置203までの距離をオーバーラン距離D4とする。
(比較例)
本発明と比較するために、同一のワーク3について、図3(A),(C)に示すように、従来のごとくAライン及びBラインの加工中の相対速度を最高速度に維持して加工する場合について検討する。図3の例において、加速度(加速及び減速の度合い)を図2の場合と同一とすると、Aラインの加工にあたり、助走開始位置300から加工開始位置301までの助走距離D5は、図2(A)に示した助走距離D1よりも長くとらなければならない。
本発明と比較するために、同一のワーク3について、図3(A),(C)に示すように、従来のごとくAライン及びBラインの加工中の相対速度を最高速度に維持して加工する場合について検討する。図3の例において、加速度(加速及び減速の度合い)を図2の場合と同一とすると、Aラインの加工にあたり、助走開始位置300から加工開始位置301までの助走距離D5は、図2(A)に示した助走距離D1よりも長くとらなければならない。
また、加工終了位置302までは相対速度が最高速度で加工が行われるため、加工終了位置302から停止位置303までのオーバーラン距離D6も、図2(A)に示したオーバーラン距離D2より長くなる。
図3(C)に示すように、Bラインの加工においても、Aラインの加工中を最高速度で開始できるようにするためには、助走開始位置400から加工開始位置401までの助走距離D7を、図2(A)に示した助走距離D3よりも長くとらなければならない。
また、加工終了位置402までは相対速度が最高速度で加工が行われているため、加工終了位置402から停止位置403までのオーバーラン距離D8は、図2(A)に示したオーバーラン距離D4よりも長くなる。
以上のように、本発明では、図2に示したごとく、加工中における相対速度を一定とせずに最低速度と最高速度との間とし、加工開始時は相対速度を最低速度とし、加工中に相対速度を最高速度に近づくように加速し、または最高速度まで加速して加工終了時に最低速度まで減速できる限度において最高速度を維持し、加工終了時に相対速度が最低速度となるまで減速する。このように、加工中は相対速度を最高速度に近づけ、最高速度の達した場合は可能な限り最高速度を維持することにより、加工品質維持のための最低速度と最高速度との間の幅を利用しつつ生産性向上を図ることができる。また、加工開始時及び加工終了時の相対速度を最低速度とすることで、助走距離及びオーバーラン距離を従来よりも短くすることができ、この点においても生産性向上を図ることができる。さらに、助走距離及びオーバーラン距離を短くできるため、レーザ加工装置の小型化を図ることができる。
なお、上記実施形態では、加工手段が動かずに保持手段が加工送り方向に移動する構成としたが、保持手段と加工手段とが相対的に加工送り方向に移動する構成であればよく、例えば、保持手段が動かずに加工手段が加工送り方向に移動する構成としてもよい。また、ダイシング加工装置としてレーザ加工装置を例に挙げて説明したが、保持手段と加工手段とが加工送り方向に相対移動する加工装置であれば、レーザ加工装置には限定されない。
1:レーザ加工装置
2:保持手段
20:保持面 21:クランプ部 210:押さえ部
3:加工手段 30:レーザ照射ヘッド
4:加工送り機構
40:ボールネジ 41:ガイドレール 42:パルスモータ 43:スライド板
44:回転駆動部
5:割り出し送り機構
50:ボールネジ 51:ガイドレール 52:パルスモータ 53:スライド板
60:制御手段 61:記憶手段
10:壁部
W:ワーク
100,200,300,400:助走開始位置
101,201,301,401:加工開始位置
102,202,302,402:加工終了位置
103,203,303,403:停止位置
D1,D3,D5,D7:助走距離
D2,D4,D6,D8:オーバーラン距離
2:保持手段
20:保持面 21:クランプ部 210:押さえ部
3:加工手段 30:レーザ照射ヘッド
4:加工送り機構
40:ボールネジ 41:ガイドレール 42:パルスモータ 43:スライド板
44:回転駆動部
5:割り出し送り機構
50:ボールネジ 51:ガイドレール 52:パルスモータ 53:スライド板
60:制御手段 61:記憶手段
10:壁部
W:ワーク
100,200,300,400:助走開始位置
101,201,301,401:加工開始位置
102,202,302,402:加工終了位置
103,203,303,403:停止位置
D1,D3,D5,D7:助走距離
D2,D4,D6,D8:オーバーラン距離
Claims (1)
- 分割予定ラインが設定されたワークを保持する保持手段と、
該保持手段に保持されたワークに該分割予定ラインに沿ってダイシング加工を施す加工手段と、
該加工手段と該保持手段とを加工送り方向に相対的に移動させる加工送り手段と、
該加工送り手段を制御する制御手段と、
を有するダイシング加工装置であって、
該制御手段は、
ワークを適切に加工可能な最低速度と最高速度とを記憶する記憶ステップと、
該加工手段がワークの加工を開始する際の該保持手段と該加工手段との相対速度が該最低速度となるように、該保持手段と該加工手段との相対速度を加速させる第一の制御ステップと、
該加工手段がワークの加工を終了する際の該保持手段と該加工手段との相対速度が該最低速度となるように、該保持手段と該加工手段との相対速度を減速させる第二の制御ステップと、
該第一の制御ステップと該第二の制御ステップとを満足できる条件下で該加工手段がワークを加工している間に該保持手段と該加工手段との相対速度が該最高速度に近づくように該保持手段と該加工手段との相対速度を加速、もしくは該最高速度まで該保持手段と該加工手段との相対速度を加速して該最高速度を維持する第三の制御ステップと、
を実行するダイシング加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011001839A JP2012146723A (ja) | 2011-01-07 | 2011-01-07 | ダイシング加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011001839A JP2012146723A (ja) | 2011-01-07 | 2011-01-07 | ダイシング加工装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012146723A true JP2012146723A (ja) | 2012-08-02 |
Family
ID=46790030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2011001839A Pending JP2012146723A (ja) | 2011-01-07 | 2011-01-07 | ダイシング加工装置 |
Country Status (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11791196B2 (en) | 2019-06-03 | 2023-10-17 | Disco Corporation | Processing apparatus |
WO2023203613A1 (ja) * | 2022-04-18 | 2023-10-26 | ヤマハ発動機株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工方法、レーザ加工プログラム、記録媒体、半導体チップ製造方法および半導体チップ |
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-
2011
- 2011-01-07 JP JP2011001839A patent/JP2012146723A/ja active Pending
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