JP2016054207A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
Description
波長 :1342nm
平均出力 :0.5W
繰り返し周波数 :100kHz
スポット径 :φ2.5μm
送り速度 :300mm/s
11 シリコンウエーハ
13a 第1の分割予定ライン
13b 第2の分割予定ライン
15 デバイス
19a 第1改質層
19b 第2改質層
21 デバイスチップ
28 チャックテーブル
34 レーザービーム照射ユニット
35 レーザービーム発生ユニット
37 集光器
39 撮像ユニット
62 レーザー発振器
66 パルス幅調整手段
72 集光レンズ
80 分割装置
T ダイシングテープ
F 環状フレーム
Claims (2)
- 被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームを照射して被加工物の内部に改質層を形成するレーザービーム照射手段と、該保持手段と該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を備えたレーザー加工装置によって表面に複数のデバイスが複数の分割予定ラインによって区画されて形成されたシリコンからなるウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザービームの波長を1300nm〜1400nmの範囲に設定する波長設定ステップと、
該波長設定ステップ実施後、ウエーハの内部にパルスレーザービームの集光点を位置づけてウエーハの裏面から該分割予定ラインに対応する領域にパルスレーザービームを照射するとともに該保持手段と該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りしてウエーハの内部に第1改質層を形成する第1改質層形成ステップと、
該第1改質層から加工送り方向に直交する方向に所定距離ずらし更に互いに隣接する該第1改質層の間にパルスレーザービームの集光点を位置づけて、ウエーハの裏面から前記分割予定ラインと同一の分割予定ラインに対応する領域にパルスレーザービームを照射するとともに該保持手段と該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りしてウエーハの内部に該第1改質層と互い違いに第2改質層を形成する第2改質層形成ステップと、
該第1及び第2改質層形成ステップ実施後、ウエーハに外力を付与して該第1及び第2改質層を分割起点にウエーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 前記所定距離は1〜5μmである請求項1記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014179221A JP6308919B2 (ja) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | ウエーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014179221A JP6308919B2 (ja) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016054207A true JP2016054207A (ja) | 2016-04-14 |
JP6308919B2 JP6308919B2 (ja) | 2018-04-11 |
Family
ID=55745389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014179221A Active JP6308919B2 (ja) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6308919B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017069309A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP2018088439A (ja) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2018088438A (ja) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021504933A (ja) * | 2017-11-29 | 2021-02-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
WO2023277006A1 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
CN110491834B (zh) * | 2018-05-15 | 2023-08-18 | 株式会社迪思科 | 被加工物的加工方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005019667A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ光線を利用した半導体ウエーハの分割方法 |
JP2006108459A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | シリコンウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP2011061129A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2012086226A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法 |
-
2014
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005019667A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ光線を利用した半導体ウエーハの分割方法 |
JP2006108459A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | シリコンウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP2011061129A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2012086226A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017069309A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
US11103959B2 (en) | 2015-09-29 | 2021-08-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method, and laser processing device |
JP2018088439A (ja) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2018088438A (ja) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021504933A (ja) * | 2017-11-29 | 2021-02-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
CN110491834B (zh) * | 2018-05-15 | 2023-08-18 | 株式会社迪思科 | 被加工物的加工方法 |
WO2023277006A1 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
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