KR102305378B1 - 레이저 가공 장치 - Google Patents

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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은, 웨이퍼의 가공에 필요한 정보를 간단하게 설정할 수 있는 레이저 가공 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
복수의 디바이스(13)가 표면에 배열된 웨이퍼(11)의 인접한 디바이스를 이격시키는 분할 예정 라인(15, 15a)에 웨이퍼를 투과하는 파장의 레이저 광선(L)을 조사하여, 웨이퍼의 내부에 정해진 길이로 연속되는 개질층(21)을 형성하는 레이저 가공 장치(2)로서, 표시 수단(44)에는, 웨이퍼를 촬상한 촬상 화상에 겹치는 안표부(52)가 표시되고, 표시 수단에 표시된 촬상 화상의 원하는 위치로 안표부를 이동시킴으로써, 촬상 화상의 원하는 위치에 대응하는 좌표를, 개질층이 형성되는 분할 예정 라인(15a)의 시점(15b) 또는 종점(15c)으로 하여 기억 수단(42b)에 기억시키도록 구성된다.

Description

레이저 가공 장치{LASER MACHINING APPARATUS}
본 발명은, 분할의 기점이 되는 개질층을 형성하기 위한 레이저 광선을 웨이퍼에 조사하는 레이저 가공 장치에 관한 것이다.
IC(Integrated Circuit) 등의 디바이스가 형성된 웨이퍼를 복수의 칩으로 분할하기 위해, 웨이퍼의 내부에 레이저 광선을 집광시켜 분할의 기점이 되는 개질층을 형성하는 웨이퍼의 가공 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
이 가공 방법은, 절삭 블레이드를 이용하는 종래기술의 가공 방법에 비하여, 절삭 여유(가공 폭)를 축소하고, 또한, 치핑(칩의 손상)을 억제할 수 있다. 게다가, 이 가공 방법에서는, 물을 사용하지 않고 웨이퍼를 가공하는 것도 가능하다.
그런데, 전술한 가공 방법에 사용되는 레이저 가공 장치에서는, 레이저 광선의 조사, 비조사를 용이하게 전환할 수 있다. 그래서, 이 레이저 가공 장치의 특성을 살려, 상이한 형상, 크기의 디바이스가 혼합된 이른바 멀티프로젝트 타입의 웨이퍼를 가공하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조).
일본 특허 공개 제2005-86161호 공보 일본 특허 공개 제2010-123723호 공보
전술한 멀티프로젝트 타입의 웨이퍼와 같이, 분할 예정 라인이 도중에 끊기는 웨이퍼를 가공하는 경우에는, 레이저 광선의 조사, 비조사를 적절히 전환하여, 원하는 영역에만 레이저 광선을 조사해야 한다. 그래서, 레이저 가공 장치에는, 레이저 광선을 조사해야 할 영역의 정보(예컨대, 시점 및 종점의 좌표)를 포함하는 가공 조건을 웨이퍼마다 설정하고 있다.
그러나, 이러한 경우의 가공 조건은, 웨이퍼의 직경 등에 맞추어 정해지는 일반적인 웨이퍼의 가공 조건에 비하여 복잡하여, 용이하게는 설정할 수 없다. 그 때문에, 잘못된 가공 조건을 레이저 가공 장치에 설정해 버릴 가능성이 높아지고 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 웨이퍼의 가공에 필요한 정보를 용이하게 설정할 수 있는 레이저 가공 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 복수의 디바이스가 표면에 배열된 웨이퍼의 상기 디바이스끼리를 이격시키는 분할 예정 라인에 상기 웨이퍼를 투과하는 파장의 레이저 광선을 조사하여, 상기 웨이퍼의 내부에 정해진 길이로 연속되는 개질층을 형성하는 레이저 가공 장치로서, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 상기 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단과, 상기 척 테이블과 상기 레이저 광선 조사 수단을 가공 이송 방향 및 인덱싱 이송 방향으로 상대 이동시키는 이동 수단과, 상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 촬상한 촬상 화상을 표시하는 표시 수단과, 웨이퍼를 가공하는 가공 조건을 입력하는 입력 수단과, 상기 입력 수단에 입력된 상기 가공 조건을 기억하는 기억 수단을 구비하고, 상기 표시 수단에는, 상기 촬상 화상에 겹치는 안표부가 표시되며, 상기 표시 수단에 표시된 상기 촬상 화상의 원하는 위치로 상기 안표부를 이동시킴으로써, 상기 촬상 화상의 상기 원하는 위치에 대응하는 좌표를, 상기 개질층이 형성되는 분할 예정 라인의 시점 또는 종점으로 하여 상기 기억 수단에 기억시키는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치가 제공된다.
본 발명에 따른 레이저 가공 장치에서는, 촬상 화상과 겹치는 안표부가 표시 수단에 표시되고, 표시 수단에 표시된 촬상 화상의 원하는 위치로 안표부를 이동시킴으로써, 촬상 화상의 원하는 위치에 대응하는 좌표를, 정해진 길이로 연속되는 개질층이 형성되는 분할 예정 라인의 시점 또는 종점으로 하여 기억 수단에 기억시키기 때문에, 개질층이 형성되는 분할 예정 라인에 관한 정보를 시각적으로 설정할 수 있다. 즉, 본 발명의 레이저 가공 장치에 따르면, 웨이퍼의 가공에 필요한 정보를 용이하게 설정할 수 있다.
도 1은 레이저 가공 장치의 구성예를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 웨이퍼의 구성예를 모식적으로 나타낸 사시도이다.
도 3은 웨이퍼의 구성예를 모식적으로 나타낸 평면도이다.
도 4의 (A) 및 도 4의 (B)는 분할 예정 라인의 시점 및 종점을 레이저 가공 장치에 설정하는 절차를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 5의 (A) 및 도 5의 (B)는 개질층의 형성 공정을 모식적으로 나타낸 일부 단면 측면도이다.
도 6의 (A) 및 도 6의 (B)는 변형례에 따른 웨이퍼를 가공할 때에, 분할 예정 라인의 시점 및 종점을 레이저 가공 장치에 설정하는 절차를 모식적으로 나타낸 도면이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1은, 본 실시형태에 따른 레이저 가공 장치의 구성예를 모식적으로 나타낸 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 레이저 가공 장치(2)는, 각 구조를 지지하는 베이스(4)를 구비하고 있다. 베이스(4)는, 직방체형의 기부(基部; 6)와, 기부(6)의 후단에 있어서 위쪽으로 연장되는 벽부(8)를 포함한다.
기부(6)의 상면에는, 보호 테이프(17)를 통해 웨이퍼(11)를 흡인 유지하는 척 테이블(10)이 배치되어 있다. 척 테이블(10)의 위쪽에는, 웨이퍼(11)를 향해 레이저 광선을 조사하는 레이저 가공 헤드(레이저 광선 조사 수단)(12)가 마련되어 있다. 또한, 레이저 가공 헤드(12)와 인접하는 위치에는, 웨이퍼(11)를 촬상하는 카메라(14)가 설치되어 있다.
척 테이블(10)의 아래쪽에는, 척 테이블(10)을 Y축 방향(인덱싱 이송 방향)으로 이동시키는 Y축 이동 유닛(인덱싱 이송 수단, 이동 수단)(16)이 마련되어 있다. Y축 이동 유닛(16)은, 기부(6)의 상면에 고정되어 Y축 방향으로 평행한 한 쌍의 Y축 가이드 레일(18)을 구비한다.
Y축 가이드 레일(18)에는, Y축 이동 테이블(20)이 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. Y축 이동 테이블(20)의 이면측(하면측)에는, 너트부(도시하지 않음)가 마련되어 있고, 이 너트부에는, Y축 가이드 레일(18)과 평행한 Y축 볼나사(22)가 나사 결합되어 있다.
Y축 볼나사(22)의 일단부에는, Y축 펄스 모터(24)가 연결되어 있다. Y축 펄스 모터(24)로 Y축 볼나사(22)를 회전시키면, Y축 이동 테이블(20)은, Y축 가이드 레일(18)을 따라 Y축 방향으로 이동한다.
Y축 이동 테이블(20)의 표면측(상면측)에는, 척 테이블(10)을 Y축 방향과 직교하는 X축 방향(가공 이송 방향)으로 이동시키는 X축 이동 유닛(가공 이송 수단, 이동 수단)(26)이 마련되어 있다. X축 이동 유닛(26)은, Y축 이동 테이블(20)의 상면에 고정되어 X축 방향으로 평행한 한 쌍의 X축 가이드 레일(28)을 구비한다.
X축 가이드 레일(28)에는, X축 이동 테이블(30)이 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. X축 이동 테이블(30)의 이면측(하면측)에는, 너트부(도시하지 않음)가 마련되어 있고, 이 너트부에는, X축 가이드 레일(28)과 평행한 X축 볼나사(32)가 나사 결합되어 있다.
X축 볼나사(32)의 일단부에는, X축 펄스 모터(34)가 연결되어 있다. X축 펄스 모터(34)로 X축 볼나사(32)를 회전시키면, X축 이동 테이블(30)은, X축 가이드 레일(28)을 따라 X축 방향으로 이동한다.
X축 이동 테이블(30)의 표면측(상면측)에는, 지지대(36)가 마련되어 있다. 지지대(36)의 상부에는, 척 테이블(10)이 배치되어 있다. 척 테이블(10)은, 아래쪽에 마련된 회전 구동원(도시하지 않음)과 연결되어 있고, Z축의 주위로 회전한다. 척 테이블(10)의 주위에는, 웨이퍼(11)를 지지하는 환상의 프레임(19)을 사방에서 협지 고정하는 4개의 클램프(38)가 마련되어 있다.
척 테이블(10)의 표면은, 웨이퍼에 접착된 보호 테이프(17)를 통해 웨이퍼(11)를 흡인 유지하는 유지면(10a)으로 되어 있다. 이 유지면(10a)에는, 척 테이블(10)의 내부에 형성된 유로(도시하지 않음)를 통해 흡인원(도시하지 않음)의 부압이 작용하고, 보호 테이프(17)를 흡인하는 흡인력이 발생한다.
벽부(8)의 상부 전면에는, 전방을 향해 연장되는 지지 아암(40)이 마련되어 있고, 이 지지 아암(40)의 선단부에는, 레이저 가공 헤드(12) 및 카메라(14)가 배치되어 있다.
레이저 가공 헤드(12)는, 웨이퍼(11)를 투과하는 파장의 레이저 광선을 발진시키는 레이저 발진기(도시하지 않음)와, 척 테이블(10)에 유지된 웨이퍼(11)의 내부에 레이저 광선을 집광시키는 집광기(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 이 레이저 가공 헤드(12)는, 웨이퍼(11)의 내부에 레이저 광선을 집광시켜, 다광자 흡수에 의한 개질층을 형성한다.
카메라(14)는, 예컨대 웨이퍼(11)에 흡수되기 어려운 적외 영역의 광을 검출하는 촬상 소자를 구비하고, 웨이퍼(11)를 위쪽에서 촬상한다. 촬상에 의해 형성되는 촬상 화상은, 후술하는 가공 조건의 설정 등에 이용된다.
척 테이블(10), 레이저 가공 헤드(12), 카메라(14), Y축 이동 유닛(16), X축 이동 유닛(26) 등은, 제어 장치(제어 수단)(42)에 접속되어 있다. 이 제어 장치(42)는, 사용자 인터페이스가 되는 터치식 표시 패널(표시 수단, 입력 수단)(44)을 통해 설정되는 가공 조건 등에 기초하여, 전술한 각 요소의 동작을 제어한다.
또한, 제어 장치(42)는, 표시 패널(44)에 촬상 화상을 표시하게 하고, 촬상 화상과 겹치는 안표(안표부)를 표시하게 한다. 예컨대, 이 안표를, 표시된 촬상 화상의 원하는 위치로 이동시킴으로써, 레이저 광선을 조사해야 할 영역을 설정할 수 있다. 제어 장치(42)는, 안표를 제어하는 안표 제어부(42a)와, 각종 정보를 기억하는 기억부(기억 수단)(42b)를 포함하고 있다. 구체적인 기능 등에 대해서는, 뒤에 상세히 설명한다.
다음에, 본 실시형태의 레이저 가공 장치(2)를 이용하여 분할의 기점이 되는 개질층을 형성하는 레이저 가공 방법에 대해서 설명한다. 도 2는, 본 실시형태의 레이저 가공 장치(2)로 가공되는 웨이퍼(11)의 구성예를 모식적으로 나타낸 사시도이고, 도 3은, 웨이퍼(11)의 구성예를 모식적으로 나타낸 평면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시형태의 웨이퍼(11)는, 이른바 멀티프로젝트 타입의 반도체 웨이퍼이며, 표면(11a) 측에는, 형상, 크기가 상이한 복수의 디바이스(13)(제1 디바이스(13a), 제2 디바이스(13b))가 배열되어 있다.
인접한 디바이스(13) 끼리는, 정해진 폭을 갖는 영역에 의해 이격되어 있고, 이 영역에 의해, 웨이퍼(11)를 분할하기 위한 분할 예정 라인(스트리트)(15)이 규정되어 있다.
또한, 웨이퍼(11)의 표면(11a) 측에는, 디바이스(13)를 보호하는 보호 테이프(17)가 접착되어 있다. 보호 테이프(17)의 외주 부분은, 환상의 프레임(19)에 고정되어 있다. 즉, 웨이퍼(11)는 보호 테이프(17)를 통해 프레임(19)에 지지되어 있다.
본 실시형태의 레이저 가공 방법에서는, 우선, 척 테이블(10)에 웨이퍼(11)의 표면(11a) 측(보호 테이프(17))을 흡인 유지시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(11)의 이면(11b) 측이 위쪽으로 노출된다. 다음에, 척 테이블(10)에 유지된 웨이퍼(11)를 카메라(14)로 촬상하고, 형성된 촬상 화상에 기초하여 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(15)을 X축 방향 또는 Y축 방향과 평행하게 맞춘다.
전술한 바와 같이, 제1 디바이스(13a) 및 제2 디바이스(13b)의 형상, 크기는 상이하다. 구체적으로는, 제1 디바이스(13a)보다 제2 디바이스(13b)가 크게 되어 있다. 그 때문에, 웨이퍼(11)의 끝에서부터 끝까지 연속되지 않는 분할 예정 라인(15)이 생긴다.
예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 디바이스(13b) 사이에 있는 위치에는, X축 방향으로 연장되는 짧은 분할 예정 라인(15a)이 배치되어 있다. 이러한 짧은 분할 예정 라인(15a)에 개질층을 형성하기 위해서는, 각 분할 예정 라인(15a)의 시점(15b) 및 종점(15c)을 레이저 가공 장치(2)에 설정해야 한다.
그래서, 본 실시형태의 레이저 가공 방법에서는, 웨이퍼(11)를 촬상하여 형성한 촬상 화상을 이용하여, 각 분할 예정 라인(15a)의 시점(15b) 및 종점(15c)을 레이저 가공 장치(2)에 설정한다. 도 4의 (A) 및 도 4의 (B)는, 분할 예정 라인(15a)의 시점(15b) 및 종점(15c)을 레이저 가공 장치(2)에 설정하는 절차를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 4의 (A) 및 도 4의 (B)에 도시된 바와 같이, 우선, 분할 예정 라인(15a)의 시점(15b) 및 종점(15c)을 포함하는 영역을 촬상하여, 촬상 화상을 표시 패널(44)에 표시하게 한다. 표시 패널(44)에 촬상 화상을 표시할 때에는, 제어 장치(42)의 안표 제어부(42a)는, 촬상 화상 내의 원하는 위치를 지정하는 안표(안표부)(52)를 표시 패널(44)에 표시하게 한다.
안표(52)는, 예컨대 십자선이며, 촬상 화상에 겹친 상태에서 눈으로 확인할 수 있도록 표시된다. 단, 안표(52)의 형상, 크기 등은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 안표(52)의 소재를 이해하기 쉽게 하기 위해서, 안표(52)를 둘러싸는 별도의 안표(안표부)(54) 등을 함께 표시하게 하여도 좋다.
촬상 화상과 겹치는 안표(52)가 표시된 상태에서, 오퍼레이터는, 예컨대 표시 패널(44)에 터치하여, 도 4의 (A)에 도시된 바와 같이, 안표(52)를 분할 예정 라인(15)의 시점(15b)에 해당하는 위치로 이동시킨다. 그 후, 예컨대 표시 패널(44)에 표시된 시점 설정용 아이콘을 터치하면, 제어 장치(42)의 안표 제어부(42a)는, 안표(52)로 지정된 촬상 화상의 위치를 레이저 가공 장치(2)의 XY 좌표로 변환한다. 변환된 XY 좌표는, 시점(15b)의 위치로서 기억부(42b)에 기억된다.
또한, 도 4의 (B)에 도시된 바와 같이, 오퍼레이터는, 안표(52)를 분할 예정 라인(15)의 종점(15c)에 해당하는 위치까지 이동시킨다. 그 후, 예컨대 표시 패널(44)에 표시된 종점 설정용 아이콘을 터치하면, 안표 제어부(42a)는, 안표(52)로 지정된 촬상 화상의 위치를 레이저 가공 장치(2)의 XY 좌표로 변환한다. 변환된 XY 좌표는, 종점(15c)의 위치로서 기억부(42b)에 기억된다.
이와 같이, 오퍼레이터는, 정해진 길이로 연속되는 분할 예정 라인(15a)의 시점(15b) 및 종점(15c)을 레이저 가공 장치(2)에 설정할 수 있다. 모든 분할 예정 라인(15a)의 시점(15b) 및 종점(15c)을 설정한 후에는, 개질층의 형성 공정이 시작된다.
도 5의 (A) 및 도 5의 (B)는, 개질층의 형성 공정을 모식적으로 나타낸 일부 단면 측면도이다. 도 5의 (A) 및 도 5의 (B)에 도시된 바와 같이, 개질층의 형성 공정에서는, 우선, 척 테이블(10)에 유지된 웨이퍼(11)의 위쪽에, 레이저 가공 헤드(12)를 위치시킨다. 그리고, 척 테이블(10)과 레이저 가공 헤드(12)를 상대 이동시키면서, 웨이퍼(11)에 레이저 광선(L)을 조사한다.
레이저 광선(L)은, 예컨대 YAG, YVO4 등을 레이저 매질로 하여 발진되며, 웨이퍼(11)의 이면(11b) 측에 조사된다. 또한, 전술한 바와 같이 설정된 시점(15b) 및 종점(15c)에 따라서, 레이저 광선(L)의 조사와 비조사를 전환한다. 레이저 광선(L)의 집광점(초점)은 웨이퍼(11)의 내부에 위치한다.
레이저 광선(L)이 조사된 영역에는, 도 5의 (A)에 도시된 바와 같이, 개질층(21)이 형성된다. 한편, 레이저 광선(L)이 조사되지 않는 영역에는, 도 5의 (B)에 도시된 바와 같이, 개질층(21)도 형성되지 않는다. 이와 같이, 본 실시형태의 레이저 가공 방법에 따르면, 설정된 시점(15b) 및 종점(15c)에 따라서 개질층(21)을 적절히 형성할 수 있다.
또한, 웨이퍼(11)가 실리콘으로 이루어진 경우에는, 적외 영역의 파장(예컨대, 1064 ㎚)의 레이저 광선(L)을 이용하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 웨이퍼(11)에 흡수되기 어려운 파장의 레이저 광선(L)을 이용함으로써, 분할의 기점이 되는 양호한 개질층(21)을 웨이퍼(11)의 내부에 형성할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에 따른 레이저 가공 장치(2)에서는, 촬상 화상과 겹치는 안표(안표부)(52)가 표시 패널(표시 수단)(44)에 표시되고, 표시 패널(44)에 표시된 촬상 화상의 원하는 위치로 안표(52)를 이동시킴으로써, 촬상 화상의 원하는 위치에 대응하는 좌표를, 정해진 길이로 연속되는 개질층(21)이 형성되는 분할 예정 라인(15a)의 시점(15b) 또는 종점(15c)으로 하여 기억부(기억 수단)(42b)에 기억시키기 때문에, 분할 예정 라인(15a)에 관한 정보를 시각적으로 설정할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태의 기재에 한정되지 않고, 여러 가지 변경하여 실시할 수 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 레이저 가공 장치(2)는, 상기 실시형태와는 상이한 양태의 웨이퍼를 가공할 때에도 이용할 수 있다. 도 6의 (A) 및 도 6의 (B)는, 변형례에 따른 웨이퍼를 가공할 때에, 분할 예정 라인(15a)의 시점(15b) 및 종점(15c)을 레이저 가공 장치(2)에 설정하는 절차를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 6의 (A) 및 도 6의 (B)에 도시된 바와 같이, 변형례에 따른 웨이퍼에는, 모서리부를 모따기하도록 잘라 내어진 변형 디바이스(13c)와, 잘라 내어진 모서리부에 해당하는 단재부(단(端)재(材)부; 13d)가 배열되어 있다. 즉, 이 웨이퍼에서는, 복수의 분할 예정 라인은 반드시 직교하지는 않는다.
이 경우에도, 도 6의 (A) 및 도 6의 (B)에 도시된 바와 같이, 우선, 정해진 길이로 연속되는 분할 예정 라인(15a)의 시점(15b) 및 종점(15c)을 포함하는 영역을 촬상하여, 촬상 화상을 표시 패널(44)에 표시하게 한다. 또한, 제어 장치(42)의 안표 제어부(42a)는 안표(안표부)(52)를 표시 패널(44)에 표시하게 한다.
촬상 화상과 겹치는 안표(52)가 표시된 상태에서, 오퍼레이터는, 예컨대 표시 패널(44)에 터치하여, 도 6의 (A)에 도시된 바와 같이, 안표(52)를 분할 예정 라인(15)의 시점(15b)에 해당하는 위치로 이동시킨다. 그 후, 예컨대 표시 패널(44)에 표시된 시점 설정용 아이콘을 터치하면, 제어 장치(42)의 안표 제어부(42a)는 안표(52)로 지정된 촬상 화상의 위치를 레이저 가공 장치(2)의 XY 좌표로 변환한다. 변환된 XY 좌표는 시점(15b)의 위치로서 기억부(42b)에 기억된다.
또한, 도 6의 (B)에 도시된 바와 같이, 오퍼레이터는 안표(52)를 분할 예정 라인(15)의 종점(15c)에 해당하는 위치까지 이동시킨다. 그 후, 예컨대 표시 패널(44)에 표시된 종점 설정용 아이콘을 터치하면, 안표 제어부(42a)는 안표(52)로 지정된 촬상 화상의 위치를 레이저 가공 장치(2)의 XY 좌표로 변환한다. 변환된 XY 좌표는 종점(15c)의 위치로서 기억부(42b)에 기억된다.
이와 같이, 변형례에 따른 웨이퍼를 가공할 때에도, 오퍼레이터는, 정해진 길이로 연속되는 분할 예정 라인(15a)에 대해서 시점(15b) 및 종점(15c)을 설정할 수 있다. 모든 분할 예정 라인(15a)에 대해서 시점(15b) 및 종점(15c)을 설정한 후에는, 상기 실시형태와 동일한 개질층의 형성 공정이 시작된다.
또한, 상기 실시형태에서는, 분할 예정 라인(15a)의 시점(15b)을 설정한 후에 종점(15c)을 설정하고 있지만, 종점(15c)을 설정한 후에 시점(15b)을 설정하여도 좋다. 그 밖에, 상기 실시형태에 따른 구성, 방법 등은, 본 발명의 목적 범위를 일탈하지 않는 한 적절하게 변경하여 실시할 수 있다.
2 : 레이저 가공 장치 4 : 베이스
6 : 기부 8 : 벽부
10 : 척 테이블 10a : 유지면
12 : 레이저 가공 헤드(레이저 광선 조사 수 )
14 : 카메라
16 : Y축 이동 유닛(인덱싱 이송 수단, 이동 수단)
18 : Y축 가이드 레일 20 : Y축 이동 테이블
22 : Y축 볼나사 24 : Y축 펄스 모터
26 : X축 이동 유닛(가공 이송 수단, 이동 수단)
28 : X축 가이드 레일 30 : X축 이동 테이블
32 : X축 볼나사 34 : X축 펄스 모터
36 : 지지대 38 : 클램프
40 : 지지 아암 42 : 제어 장치(제어 수단)
42a : 안표 제어부 42b : 기억부(기억 수단)
44 : 표시 패널(표시 수단, 입력 수단) 52 : 안표(안표부)
54 : 안표(안표부) 11 : 웨이퍼
11a : 표면 11b : 이면
13 : 디바이스 13a : 제1 디바이스
13b : 제2 디바이스 13c : 변형 디바이스
13d : 단재부
15, 15a : 분할 예정 라인(스트리트) 15b : 시점
15c : 종점 17 : 보호 테이프
19 : 프레임 21 : 개질층
L : 레이저 광선

Claims (2)

  1. 복수의 디바이스가 표면에 배열된 웨이퍼의 인접한 상기 디바이스를 이격시키는 분할 예정 라인에 상기 웨이퍼를 투과하는 파장의 레이저 광선을 조사하여, 웨이퍼의 내부에 정해진 길이로 연속되는 개질층을 형성하는 레이저 가공 장치에 있어서,
    웨이퍼를 유지하는 척 테이블과,
    상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 상기 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단과,
    상기 척 테이블과 상기 레이저 광선 조사 수단을 가공 이송 방향 및 인덱싱 이송 방향으로 상대 이동시키는 이동 수단과,
    상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 촬상한 촬상 화상을 표시하는 표시 수단과,
    웨이퍼를 가공하는 가공 조건을 입력하는 입력 수단과,
    상기 입력 수단에 입력된 상기 가공 조건을 기억하는 기억 수단과,
    제어 수단
    을 구비하고,
    상기 표시 수단에는, 상기 촬상 화상에 겹치는 안표부가 표시되며,
    상기 제어 수단은, 상기 촬상 화상에 겹치는 안표부가 상기 표시 수단에 표시된 상태에서 상기 안표부에 의해 지정되는 상기 촬상 화상의 위치를 상기 레이저 가공 장치의 좌표로 변환하고, 상기 개질층이 형성되는 분할 예정 라인의 시점 또는 종점으로 하여 상기 기억 수단에 기억시키는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
  2. 제1항에 있어서, 제어 수단은, 모든 분할 예정 라인의 시점 및 종점이 설정된 후에 상기 시점 및 상기 종점에 따라 상기 레이저 광선의 조사와 비조사를 전환하여 상기 개질층을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
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