JP6230870B2 - レーザー加工装置 - Google Patents
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なお、加工送り方向(X軸方向)がリニアモータによって構成されている場合にも同様の問題が生ずる。
該被加工物保持手段は、被加工物を保持する保持面を有し回転可能に構成された第1の保持テーブルおよび第2の保持テーブルと、該第1の保持テーブルと該第2の保持テーブルとをY軸方向に並列して支持する一つのテーブル基台とを具備し、
該加工送り手段は、該テーブル基台をX軸方向に沿って移動可能に支持する案内レールと、該テーブル基台をX軸方向に沿って移動する移動手段とを具備し、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光して該第1の保持テーブルに保持された被加工物に照射する集光器と、該集光器によって集光されるレーザー光線の集光点をY軸方向に補正する集光点位置補正手段とを具備し、
該撮像手段は、該第2の保持テーブルに保持された被加工物を撮像して画像信号を該制御手段に送り、
該制御手段は、該撮像手段によって該第2の保持テーブルに保持された被加工物における該第1の保持テーブルに保持された被加工物の加工すべき領域と同じ領域を撮像した画像信号に基づいてY軸方向の変位量を検出し、該変位量を補正するように該集光点位置補正手段を制御する、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
音響光学偏向手段からなる集光点位置補正手段64の偏向角度調整手段644に後述する制御手段から例えば5Vの電圧が印加され、音響光学素子641に5Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図2において1点鎖線で示すように偏向され集光点Paに集光される。また、偏向角度調整手段644に後述する制御手段から例えば10Vの電圧が印加され、音響光学素子641に10Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図2において実線で示すように偏向され、上記集光点Paから割り出し送り方向(Y軸方向)に図2において左方に所定量変位した集光点Pbに集光される。一方、偏向角度調整手段644に後述する制御手段から例えば15Vの電圧が印加され、音響光学素子641に15Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図2において2点鎖線で示すように偏向され、上記集光点Pbから割り出し送り方向(Y軸方向)に図2において左方に所定量変位した集光点Pcに集光される。また、集光点位置補正手段64の偏向角度調整手段644に後述する制御手段から電圧が印加されないと、音響光学素子641はパルスレーザー光線発振手段61から発振されたパルスレーザー光線を図2において破線で示すようにレーザー光線吸収手段645に導く。このように、音響光学素子641によって偏向されたレーザー光線は、偏向角度調整手段644に印加される電圧に対応して割り出し送り方向(Y軸方向)に偏向せしめられる。
図3にはレーザー加工される被加工物としての第1の半導体ウエーハ20aおよび第2の半導体ウエーハ20bが示されている。図3に示す第1の半導体ウエーハ20aおよび第2の半導体ウエーハ20bは、同一に構成されたシリコンウエーハからなり、それぞれ表面に格子状に配列された複数の分割予定ライン201によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス202がそれぞれ形成されている。このように構成された第1の半導体ウエーハ20aおよび第2の半導体ウエーハ20bは、それぞれ環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に裏面が貼着される。このようにして環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持された第1の半導体ウエーハ20aおよび第2の半導体ウエーハ20bは、図1に示すレーザー加工装置の第1の保持テーブル31aおよび第2の保持テーブル31b上にそれぞれダイシングテープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより第1の半導体ウエーハ20aおよび第2の半導体ウエーハ20bは、それぞれダイシングテープTを介して第1の保持テーブル31aおよび第2の保持テーブル31b上に吸引保持される。また、環状のフレームFは、それぞれ第1の保持テーブル31aおよび第2の保持テーブル31bに設けられたクランプ312によって固定される。
以下、第1の保持テーブル31aに保持された第1の半導体ウエーハ20aに形成された分割予定ライン201に沿ってレーザー加工溝を形成する実施形態について説明する。
レーザー光線の光源 :YVO4レーザーまたはYAGレーザー
波長 :355nm
繰り返し周波数 :100kHz
出力 :3W
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :200mm/秒
第1の半導体ウエーハ20aの内部に分割予定ライン201に沿って改質層を形成する場合には、第1のレーザー光線照射手段6aはシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、第1のレーザー光線照射手段6aの集光器62から照射されるパルスレーザー光線の集光点を第1の半導体ウエーハ20aの分割予定ライン201に対応する厚み方向中間部に位置付ける。そして、制御手段10は上述したレーザー加工溝形成工程と同様の制御を実行することにより、第1の半導体ウエーハ20aの内部に分割予定ライン201に沿って改質層を形成することができる。
レーザー光線の光源 :YVO4レーザーまたはYAGレーザー
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :100kHz
出力 :0.5W
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :500mm/秒
3:被加工物保持手段
31a:第1の保持テーブル
31b:第2の保持テーブル
4:加工送り手段
6a:第1のレーザー光線照射手段
6b:第2のレーザー光線照射手段
61:パルスレーザー光線発振手段
62:集光器
64:集光点位置補正手段
65a:第1の集光点位置調整手段
65b:第2の集光点位置調整手段
7a:第1の移動基板
7b:第2の移動基板
8a:第1の撮像手段
8b:第2の撮像手段
82a:第1の位置調整手段
82b:第2の位置調整手段
9a:第1の割り出し送り手段
9b:第2の割り出し送り手段
10:制御手段
20a:第1の半導体ウエーハ
20b:第2の半導体ウエーハ
Claims (2)
- 被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物を撮像する撮像手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段を加工送り方向(X軸方向)に相対的に移動せしめる加工送り手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段を加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に相対的に移動せしめる割り出し送り手段と、制御手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該被加工物保持手段は、被加工物を保持する保持面を有し回転可能に構成された第1の保持テーブルおよび第2の保持テーブルと、該第1の保持テーブルと該第2の保持テーブルとをY軸方向に並列して支持する一つのテーブル基台とを具備し、
該加工送り手段は、該テーブル基台をX軸方向に沿って移動可能に支持する案内レールと、該テーブル基台をX軸方向に沿って移動する移動手段とを具備し、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光して該第1の保持テーブルに保持された被加工物に照射する集光器と、該集光器によって集光されるレーザー光線の集光点をY軸方向に補正する集光点位置補正手段とを具備し、
該撮像手段は、該第2の保持テーブルに保持された被加工物を撮像して画像信号を該制御手段に送り、
該制御手段は、該撮像手段によって該第2の保持テーブルに保持された被加工物における該第1の保持テーブルに保持された被加工物の加工すべき領域と同じ領域を撮像した画像信号に基づいてY軸方向の変位量を検出し、該変位量を補正するように該集光点位置補正手段を制御する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 - 該レーザー光線照射手段は該第1の保持テーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射する第1のレーザー光線照射手段および該第2の保持テーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射する第2のレーザー光線照射手段を具備し、該撮像手段は該第1の保持テーブルに保持された被加工物を撮像する第1の撮像手段および該第2の保持テーブルに保持された被加工物を撮像する第2の撮像手段を具備している、請求項1記載のレーザー加工装置。
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