CN107186366A

CN107186366A - 激光加工装置

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Publication number: CN107186366A
Application number: CN201710130972.6A
Authority: CN
Inventors: 前田勉
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2016-03-09
Filing date: 2017-03-07
Publication date: 2017-09-22
Anticipated expiration: 2037-03-07
Also published as: JP6666173B2; JP2017162981A; US20170263473A1; US10580670B2; CN107186366B

Abstract

提供一种激光加工装置，能够对改质层的起点和终点的位置进行高精度地设定。激光加工装置的控制器包含：存储部，其对沿着晶片的分割预定线形成改质层的加工条件进行存储；以及加工预定线计算部，其将作为加工条件而存储的形成改质层的预定的位置作为加工预定线而显示在显示面板上。加工预定线计算部具有输出部，该输出部在第1分割预定线的起点或终点与第2分割预定线相连的区域使加工预定线与第1分割预定线重叠而显示在显示面板上。该激光加工装置中，允许在显示面板上将沿着第1分割预定线形成的第1改质层的起点或终点的位置进行重新设定，以使得不与沿着第2分割预定线形成的第2改质层干涉。

Description

激光加工装置

技术领域

本发明涉及激光加工装置。

背景技术

公知如下的加工方法：通过激光加工装置对形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)等多个器件的半导体晶片(以下，简称为“晶片”)照射激光光线，沿着分割预定线形成改质层，从而以改质层为断裂起点将晶片分割成各个器件芯片。激光加工装置通过对激光光线的照射和照射停止进行切换而能够形成断续的改质层。因此，激光加工装置能够进行具有非连续的分割预定线的晶片的加工(例如，参照专利文献1、专利文献2)。

专利文献1：日本特开2010-123723号公报

专利文献2：日本特开2015-020177号公报

在晶片上配置有由交叉的多条分割预定线划分出的多个器件。当在沿着某条分割预定线的方向上伸长的改质层的起点或终点超过了在沿着交叉的分割预定线的方向上伸长的改质层时，具有如下课题：在使晶片断裂成各个器件芯片时，超过了在交叉的方向上伸长的改质层的改质层会使龟裂进展到器件区域而对器件进行分割。因此，需要高精度地设定激光光线的照射位置。

以往，将加工条件设定为对显示在显示单元上的分割预定线的中央附近照射激光光线。但是，即使在所设定的加工条件中产生以微米为单位的位置偏移，也会产生上述那样的课题，所以加工条件的设定作业较难。

并且，发现了如下情况：当将改质层的起点或终点置于从在交叉的方向上伸长的改质层稍微离开的位置时，具有激光光线的漏光不会到达器件区域而减少了使器件破损的可能性的效果。

这样，迫切期望对改质层的起点或终点的位置相对于在交叉的方向上伸长的改质层进行高精度地设定。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种激光加工装置，能够对改质层的起点和终点的位置进行高精度地设定。

为了解决上述的课题并达成目的，根据本发明，提供激光加工装置，对设定有沿第1方向伸长的第1分割预定线和沿与该第1方向垂直的方向伸长的第2分割预定线的晶片照射激光光线而在该晶片的内部形成沿着该第1分割预定线和该第2分割预定线的改质层，该晶片具有断续形成的该第1分割预定线的起点或终点与该第2分割预定线相连的区域，该激光加工装置的特征在于，具有：卡盘工作台，其利用保持面对该晶片进行保持；激光光线照射单元，其对该卡盘工作台所保持的该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光光线；移动单元，其使该卡盘工作台和该激光光线照射单元相对移动；显示单元，其对拍摄该卡盘工作台所保持的该晶片而得的图像进行显示；存储单元，其存储对该晶片进行加工的加工条件；以及加工预定线计算部，其将作为该加工条件而存储的形成该改质层的预定的位置作为加工预定线而显示在该显示单元上，该加工预定线计算部包含输出部，该输出部在该第1分割预定线的起点或终点与该第2分割预定线相连的区域使该加工预定线与该第1分割预定线重叠而显示在该显示单元上，该激光加工装置中，允许将沿着该第1分割预定线形成的第1改质层的起点或终点的位置进行重新设定，以使得不与沿着该第2分割预定线形成的第2改质层干涉。

根据本发明的激光加工装置，能够对改质层的起点和终点的位置进行高精度地设定。

附图说明

图1是示出实施方式的激光加工装置的立体图。

图2是示出通过实施方式的激光加工装置而加工的晶片的立体图。

图3是示出通过实施方式的激光加工装置而加工的晶片的俯视图。

图4的(A)是示出通过实施方式的激光加工装置对改质层的起点进行设定的步骤的概略图，图4的(B)是示出通过实施方式的激光加工装置对改质层的终点进行设定的步骤的概略图。

图5是通过实施方式的激光加工装置对在与第1改质层交叉的方向上伸长的第2改质层的起点或终点进行设定的步骤的概略图。

图6是用于对以往的激光加工装置所设定的改质层进行说明的概略图。

标号说明

1：激光加工装置；10：卡盘工作台；10a：保持面；20：X轴移动单元；30：Y轴移动单元；50：激光光线照射单元；60：拍摄单元；100：控制单元；101：存储部(存储单元)；102：标记控制部；103：加工预定线计算部；110：显示面板(显示单元)；D：器件；K：加工预定线；L1：第1分割预定线；L2：第2分割预定线；LK：改质层的形成位置；M：标记部；MP：标记；PS：起点；PE：终点；W：晶片；Wa：正面。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边对本发明的实施方式进行详细地说明。本发明并不仅限于以下的实施方式所记载的内容。并且，在以下所记载的构成要素中，包含本领域技术人员所能够容易想到的、实际上相同的构成要素。进而，能够对以下所记载的结构进行适当组合。并且，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。

图1是示出实施方式的激光加工装置的立体图。图2是示出通过实施方式的激光加工装置加工的晶片的立体图。图3是示出通过实施方式的激光加工装置加工的晶片的俯视图。图4的(A)示出通过实施方式的激光加工装置对改质层的起点进行设定的步骤的概略图。图4的(B)是示出通过实施方式的激光加工装置对改质层的终点进行设定的步骤的概略图。图5是示出通过实施方式的激光加工装置对在与改质层交叉的方向上伸长的改质层的起点或终点进行设定的步骤的概略图。

使用图1对本实施方式的激光加工装置1进行说明。激光加工装置1对保持在卡盘工作台10上的晶片W照射激光光线而在晶片W的内部形成沿着第1分割预定线L1和第2分割预定线L2的改质层。

如图2所示，晶片W的正面Wa被粘贴在粘合带T的正面上，该粘合带T被安装在环状的框架F上。在晶片W的正面Wa上在由多条分割预定线L划分出的区域内形成有多个器件D。在本实施方式中，在晶片W中包含大小、形状不同的器件D。更详细地说，在晶片W上设定有在X轴方向(第1方向)上伸长的第1分割预定线L1和在与X轴方向垂直的Y轴方向(第2方向)上伸长的第2分割预定线L2。晶片W具有断续形成的第1分割预定线L1的起点PS或终点PE与第2分割预定线L2相连的区域。通过激光加工装置1来进行加工而形成改质层，由此，这样的晶片W被分割成各个器件D。在本实施方式中，通过激光加工装置1来实施加工的晶片W是以硅、蓝宝石、镓等为母材的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。

回到图1，激光加工装置1具有：大致长方体形状的主体部2、从主体部2的后侧朝向上方竖立设置的壁部3、以及从壁部3向前方伸出的支承柱4。

激光加工装置1具有：卡盘工作台10，其对晶片W进行保持；X轴移动单元20，其使卡盘工作台10和激光光线照射单元50在X轴方向上相对移动；Y轴移动单元30，其使卡盘工作台10和激光光线照射单元50在Y轴方向上相对移动；旋转单元40，其使卡盘工作台10绕与Z轴方向平行的中心轴线旋转；激光光线照射单元50，其对保持在卡盘工作台10上的晶片W照射脉冲激光光线而进行激光加工；拍摄单元60；以及控制单元100。

卡盘工作台10具有对晶片W进行保持的保持面10a。保持面10a对借助粘合带T粘贴在框架F的开口的晶片W进行保持。保持面10a是多孔陶瓷等形成的圆盘形状，并经由未图示的真空吸引路径而与未图示的真空吸引源连接。保持面10a隔着粘合带T对所载置的晶片W进行吸引并保持。在卡盘工作台10的周围配置有多个对晶片W的周围的框架F进行夹持的夹具部11。

X轴移动单元20是通过使卡盘工作台10在X轴方向上移动而在X轴方向上对卡盘工作台10进行加工进给的加工进给单元。X轴移动单元20具有：滚珠丝杠21，其以绕轴心自由旋转的方式设置；脉冲电动机22，其使滚珠丝杠21绕轴心旋转；以及导轨23，其将卡盘工作台10支承为在X轴方向上自由移动。

Y轴移动单元30是通过使卡盘工作台10在Y轴方向上移动而对卡盘工作台10进行分度进给的分度进给单元。Y轴移动单元30具有：滚珠丝杠31，其以绕轴心自由旋转的方式设置；脉冲电动机32，其使滚珠丝杠31绕轴心旋转；以及导轨33，其将卡盘工作台10支承为在Y轴方向上自由移动。

旋转单元40使卡盘工作台10绕与Z轴方向平行的中心轴线旋转。旋转单元40配置在移动工作台12上，该移动工作台12通过X轴移动单元20在X轴方向上移动。

激光光线照射单元50对保持在卡盘工作台10上的晶片W实施激光加工。更详细地说，激光光线照射单元50对保持在卡盘工作台10上的晶片W照射对于晶片W具有透过性的波长的激光而在晶片W的内部形成改质层。激光光线照射单元50具有振荡出激光的振荡单元和使激光会聚在晶片W的希望的位置的聚光单元。激光光线照射单元50安装在支承柱4的前端。

拍摄单元60从上方对保持在卡盘工作台10上的晶片W进行拍摄，其配设在与激光光线照射单元50在X轴方向上并排的位置。拍摄单元60安装在支承柱4的前端。拍摄单元60具有对难以被晶片W吸收的红外区域的光进行检测的拍摄元件。拍摄单元60将拍摄得到的拍摄图像输出给控制单元100。

控制单元100分别对上述的构成要素进行控制而使针对晶片W的激光加工动作在激光加工装置1中实施。控制单元100包含计算机系统。控制单元100具有：运算处理装置，其具有CPU(central processing unit：中央处理单元)那样的微处理器；存储装置，其具有ROM(read only memory：只读存储器)或RAM(random access memory：随机存取存储器)那样的存储器；以及输入输出接口装置。

控制单元100的运算处理装置根据存储在存储装置中的计算机程序来实施运算处理，并将用于控制激光加工装置1的控制信号经由输入输出接口装置而输出给激光加工装置1的上述的构成要素。并且，控制单元100与显示面板(显示单元)110和输入单元连接，其中，该显示面板(显示单元)110由对加工动作的状态或图像等进行显示的液晶显示装置等构成，该输入单元在操作者登记加工内容信息等时使用。输入单元由设置于显示面板110的触摸面板和键盘等中的至少一个构成。

如图1所示，控制单元100具有存储部(存储单元)101、标记控制部102、加工预定线计算部103以及显示面板110。控制单元100根据拍摄单元60所拍摄得到的拍摄图像对与显示面板110的显示画面111对应的区域111A的拍摄图像进行显示。

存储部101对控制单元100的处理所需的程序和数据进行存储。存储部101对加工晶片W的加工条件进行存储。加工条件是形成改质层的预定的位置的信息，换言之，是应照射激光光线的位置即改质层的形成位置LK的信息。在本实施方式中，改质层的形成位置LK是通过改质层的起点和终点在晶片W上的XY坐标来设定的。换言之，改质层的形成位置LK作为将改质层的起点和终点连接的加工预定线K而被设定。

如图4的(A)所示，标记控制部102将标记部M和标记MP与拍摄图像重叠地显示在显示面板110上。标记部M是方形的框，其围绕在标记MP的周围。标记MP是位于标记部M的中心的十字形状。在本实施方式中，能够通过在显示于显示面板110的拍摄图像上使标记MP移动至希望的位置而对改质层的形成位置LK进行设定。标记控制部102将标记MP在显示于显示面板110的拍摄图像上的位置转换成晶片W上的XY坐标。

加工预定线计算部103根据存储在存储部101中的改质层的形成位置LK而经由输出部将作为假想线的加工预定线K显示在显示面板110上。更详细地说，在对第1分割预定线L1的起点PS或终点PE与第2分割预定线L2相连的区域进行显示时，在存在已经存储了形成改质层的位置的第2分割预定线L2的情况下，加工预定线计算部103沿着形成改质层的预定的位置重叠地显示加工预定线K。当在与显示于显示面板110的拍摄图像对应的晶片W上的XY坐标的区域111A内包含有作为加工条件存储在存储部101中的改质层的形成位置LK的情况下，加工预定线计算部103使改质层的形成位置LK与拍摄图像中的第1分割预定线L1重叠而作为加工预定线K显示在显示面板110上。

显示面板110是触摸式的显示面板。显示面板110根据来自控制单元100的控制信号对由拍摄单元60拍摄的卡盘工作台10上所保持的晶片W的拍摄图像进行显示。显示面板110将标记部M、标记MP、加工预定线K与拍摄图像一起进行显示。显示面板110能够对形成于第1分割预定线L1和第2分割预定线L2的改质层的起点和终点的位置进行设定。进而，显示面板110在对第1分割预定线L1的起点PS或终点PE与第2分割预定线L2相连的区域进行显示时，在存在已经存储了形成改质层的位置的第2分割预定线L2的情况下，沿着形成改质层的预定的位置重叠地显示加工预定线K。在该情况下，显示面板110能够与形成于第2分割预定线L2的改质层的位置对应地设定形成于第1分割预定线L1的改质层的起点或终点的位置。

接着，对使用本实施方式的激光加工装置1来设定改质层的起点和终点的激光加工装置1的对准方法进行说明。激光加工装置1的对准方法包含晶片保持步骤、第1加工预定位置设定步骤以及第2加工预定位置设定步骤。

执行晶片保持步骤。在晶片保持步骤中，利用卡盘工作台10来保持晶片W。更详细地说，以使晶片W的背面Wb朝向上方露出的方式利用保持面10a对晶片W的正面Wa进行吸引保持，其中，该晶片W借助粘合带T而粘贴在框架F的开口。

在执行了晶片保持步骤之后，执行第1加工预定位置设定步骤。在第1加工预定位置设定步骤中，对沿着第1分割预定线L1形成的改质层的起点和终点进行登记。

更详细地说，首先，控制单元100通过X轴移动单元20和Y轴移动单元30来移动卡盘工作台10而将保持在卡盘工作台10上的晶片W定位在拍摄单元60的下方。并且，控制单元100通过拍摄单元60来拍摄晶片W。拍摄单元60将拍摄得到的图像输出给控制单元100。控制单元100将拍摄图像显示在显示面板110上。

然后，操作者在使卡盘工作台10旋转而将第1分割预定线L1的朝向调整成与X轴方向(加工进给方向)平行之后，对未图示的形成于器件D的关键图案(特异图形的图案)进行登记。通过对新保持在卡盘工作台10上的晶片W的关键图案进行读取，能够推算出晶片W的位置并推算出分割预定线L的位置(形成改质层的位置)。之后，一边对距所登记的关键图案的距离进行登记，一边将第1分割预定线L1的起点设定为改质层的起点。例如，操作者对显示在显示面板110上的第1分割预定线L1的起点PS进行点击操作。如图4的(A)所示，控制单元100使起点PS的周边放大显示在图中以方形的框所示的显示面板110的显示画面111A上。此时，将标记部M和标记MP与拍摄图像重叠地显示在显示面板110上。另外，为了方便说明，用虚线图示出形成在沿着第1分割预定线L1的方向上的改质层的形成位置LK。并且，操作者一边对显示面板110进行触摸操作，一边如图4的(A)所示，使标记MP移动到与起点PS一致。然后，在标记MP与起点PS一致的状态下，操作者通过触摸起点设定用的图标等方式而将起点PS设定为改质层的起点。控制单元100利用标记控制部102将标记MP在拍摄图像上的位置转换成晶片W上的XY坐标。然后，控制单元100将转换得到的XY坐标即起点PS的位置作为加工条件之一而存储在存储部101中。

接着，操作者将第1分割预定线L1的终点PE设定为改质层的终点。例如，操作者一边对显示面板110进行触摸操作，一边如图4的(B)所示，使标记MP移动到与终点PE一致。然后，在标记MP与终点PE一致的状态下，操作者通过触摸终点设定用的图标等方式而将终点PE设定为改质层的终点。控制单元100利用标记控制部102将标记MP在拍摄图像上的位置转换成晶片W上的XY坐标。然后，控制单元100将转换得到的XY坐标即终点PE的位置作为加工条件之一而存储在存储部101中。

操作者沿着第1分割预定线L1重复进行这样的步骤而对沿着第1分割预定线L1断续形成的改质层的起点和终点进行设定。这样，将在沿着第1分割预定线L1的方向上伸长的断续的加工预定线K作为加工条件进行设定并进行存储。进而，对在与第1分割预定线L1平行的方向上伸长的其他的分割预定线也重复同样的步骤。

在执行了第1加工预定位置设定步骤之后，执行第2加工预定位置设定步骤。在第2加工预定位置设定步骤中，对沿着在与第1分割预定线L1垂直的方向上伸长的第2分割预定线L2形成的改质层的起点和终点进行登记。在本实施方式中，对将形成在沿着第1分割预定线L1的方向上的改质层和形成在沿着第2分割预定线L2的方向上的改质层设定成稍微离开的情况进行说明。

更详细地说，首先，控制单元100利用旋转单元40使卡盘工作台10旋转90°。

然后，在使卡盘工作台10旋转而将第2分割预定线L2的朝向调整成与X轴方向(加工进给方向)平行之后，操作者对未图示的形成于器件D的关键图案(特异图形的图案)进行登记。之后，一边对距所登记的关键图案的距离进行登记，一边以与第1分割预定线L1的起点同样的步骤将第2分割预定线L2的起点设定为改质层的起点。然后，操作者以与第1分割预定线L1的终点同样的步骤将第2分割预定线L2的终点设定为改质层的终点。

在第2加工预定位置设定步骤中，如图5所示，控制单元100利用加工预定线计算部103将与第2分割预定线L2交叉的设定完毕的加工预定线K显示在显示面板110上。此时，在显示面板110上显示出标线(hairline)H，该标线H表示在对第2分割预定线L2指定由激光光线照射单元50进行的激光光线的照射位置时的目标线，即拍摄单元60中所包含的照相机的基准线。换言之，在显示面板110上显示出在第1加工预定位置设定步骤中设定完毕的加工预定线K和作为目标线的标线H。

例如，操作者在使标记MP从起点移动到与终点一致的期间，当在显示面板110上在与第2分割预定线L2交叉的方向上显示出加工预定线K的情况下，对设定完毕的加工预定线K的起点或终点进行修正。例如，操作者对显示在显示面板110上的作为第2分割预定线L2与加工预定线K的交点的、第1分割预定线L1的终点PE进行点击操作。然后，操作者一边对显示面板110进行触摸操作，一边使标记MP移动至在图5中比第1分割预定线L1的终点PE靠上方的位置，以使第1分割预定线L1的终点PE与标线H稍微(10μm以下)离开。然后，在标记MP位于比第1分割预定线L1的终点PE靠上方的位置的状态下，操作者通过触摸终点设定用的图标等方式对修正后的终点PE进行设定。控制单元100利用标记控制部102将标记MP在拍摄图像上的位置转换成晶片W上的XY坐标。控制单元100将转换得到的XY坐标即修正后的终点PE的位置存储在存储部101中。

操作者沿着第2分割预定线L2重复进行这样的处理而对沿着第2分割预定线L2断续形成的改质层的起点和终点进行设定。这样，将在沿着第2分割预定线L2的方向上伸长的断续的加工预定线K作为加工条件进行设定并进行存储。并且，对于设定在与第2分割预定线L2垂直的方向上的全部的加工预定线K，操作者对改质层的起点或终点进行修正设定。进而，对在与第2分割预定线L2平行的方向上伸长的其他的分割预定线也重复同样的步骤。

作为替代实施方式，在第2加工预定位置设定步骤中，也可以按照以下所述的那样，将形成在沿着第1分割预定线L1的方向上的改质层和形成在沿着第2分割预定线L2的方向上的改质层设定为稍微离开。

更详细地说，操作者在进行第2分割预定线L2的设定时，当在显示面板110上在与第2分割预定线L2垂直的方向上显示出加工预定线K的情况下，对第2分割预定线L2的起点或终点进行登记以使它们与设定完毕的加工预定线K稍微(例如10μm以下)离开。例如，操作者对显示在显示面板110上的作为第2分割预定线L2与加工预定线K的交点的、第1分割预定线L1的终点PE进行点击操作。然后，操作者一边对显示面板110进行触摸操作，一边使标记MP移动至比第1分割预定线L1的终点PE靠图5下方的位置。然后，在标记MP位于比第1分割预定线L1的终点PE靠下方的位置的状态下，操作者使标记MP沿着第2分割预定线L2移动至起点，并通过触摸起点设定用的图标等方式对沿着第2分割预定线L2断续形成的改质层的起点PS进行设定。控制单元100利用标记控制部102将标记MP在拍摄图像上的位置转换成晶片W上的XY坐标。控制单元100将所转换的XY坐标即起点PS的位置存储在存储部101中。接着，操作者使标记MP沿着第2分割预定线L2移动至终点，并通过触摸终点设定用的图标等方式对终点PE进行设定。控制单元100利用标记控制部102将标记MP在拍摄图像上的位置转换成晶片W上的XY坐标。控制单元100将所转换的XY坐标即终点PE的位置存储在存储部101中。操作者沿着第2分割预定线L2重复进行这样的处理而对沿着第2分割预定线L2断续形成的改质层的起点和终点进行设定以使它们与形成在沿着第1分割预定线L1的方向上的改质层稍微离开。

这样，操作者通过上述的对准方法对晶片W的全部的沿着分割预定线L的改质层的起点和终点进行设定。当设定了晶片W的全部的改质层的起点和终点时，执行改质层的形成步骤。

如以上那样，根据本实施方式，如图5所示，在对第1分割预定线L1的起点PS或终点PE与第2分割预定线L2相连的区域进行显示时，在具有已经存储了形成改质层的位置的第1分割预定线L1和第2分割预定线L2中的至少一条分割预定线的情况下，沿着形成改质层的预定的位置重叠而显示加工预定线K。换言之，在显示面板110上显示出在第1加工预定位置设定步骤中设定完毕的加工预定线K和作为目标线的标线H。因此，能够以加工预定线K和标线H为线索对形成于分割预定线L的断续的改质层的起点和终点的位置进行容易且高精度地设定。这样，根据本实施方式，能够高精度地对改质层的起点和终点的位置进行设定。

这里，为了进行比较，使用图6对使用以往的激光加工装置而进行的改质层的起点和终点的设定进行说明。图6是对通过以往的激光加工装置设定的改质层进行说明的概略图。关于以往的激光加工装置，即使是存储了形成改质层的位置的分割预定线，完成了设定的加工预定线也不会显示在显示面板上。因此，由于操作者必须以标线为线索对沿着各分割预定线形成的改质层的起点和终点进行设定，所以很难进行高精度地设定。并且，由于沿着各分割预定线形成的改质层的起点和终点必须针对各个分割预定线分别进行设定，所以很难设定在与在交叉的方向上伸长的改质层稍微离开的位置。当使用这样的以往的激光加工装置进行设定时，有时如加工预定线K1和加工预定线K2那样，设定成在交叉的方向上伸长的加工预定线大幅离开的状态。在这样的情况下，存在容易引起断裂不良且不能按照分割预定线进行分割的担心。并且，有时如加工预定线K1和加工预定线K3那样，设定成在交叉的方向上伸长的加工预定线超过了另一条加工预定线的状态。在这样的情况下，在将晶片W断裂成各个器件时，存在龟裂会延展到器件区域并对器件D进行分割的担心。

与此相对，根据本实施方式，能够对形成在沿着第1分割预定线L1的方向上的改质层和形成在沿着第2分割预定线L2的方向上的改质层进行高精度地设定。在本实施方式中，例如，能够抑制在沿着某条分割预定线的方向上伸长的改质层的起点或终点被设定成超过了在沿着交叉的分割预定线的方向上伸长的改质层。由此，在本实施方式中，在将晶片断裂成各个器件芯片时，能够抑制龟裂延展到器件区域而对器件进行分割。

并且，在本实施方式中，例如，能够容易地进行使形成在沿着第1分割预定线L1的方向上的改质层和形成在沿着第2分割预定线L2的方向上的改质层以点连接的准确的定位。这样，在本实施方式中，通过将形成在沿着第1分割预定线L1的方向上的改质层和形成在沿着第2分割预定线L2的方向上的改质层设定为以点连接，例如，即使在晶片W的厚度较厚的情况下等，也能够在合适的位置形成改质层而可靠地分割成各个器件D。

并且，在本实施方式中，例如，能够容易地进行使形成在沿着第1分割预定线L1的方向上的改质层和形成在沿着第2分割预定线L2的方向上的改质层稍微离开的设定。这样，在本实施方式中，通过将改质层彼此设定为稍微离开，即使产生了激光光线的漏光，也能够抑制对相邻的器件区域造成的影响。

这样，在本实施方式中，根据加工对象的晶片W的特性等，在本实施方式中，能够将形成在沿着第1分割预定线L1的方向上的改质层和形成在沿着第2分割预定线L2的方向上的改质层高精度地设定在希望的位置。

另外，本发明并不仅限于上述实施方式。即，在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种变形而实施。

Claims

1.一种激光加工装置，对设定有沿第1方向伸长的第1分割预定线和沿与该第1方向垂直的方向伸长的第2分割预定线的晶片照射激光光线而在该晶片的内部形成沿着该第1分割预定线和该第2分割预定线的改质层，该晶片具有断续形成的该第1分割预定线的起点或终点与该第2分割预定线相连的区域，该激光加工装置的特征在于，具有：

卡盘工作台，其利用保持面对该晶片进行保持；

激光光线照射单元，其对该卡盘工作台所保持的该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光光线；

移动单元，其使该卡盘工作台和该激光光线照射单元相对移动；

显示单元，其对拍摄该卡盘工作台所保持的该晶片而得的图像进行显示；

存储单元，其存储对该晶片进行加工的加工条件；以及

加工预定线计算部，其将作为该加工条件而存储的形成该改质层的预定的位置作为加工预定线而显示在该显示单元上，

该加工预定线计算部包含输出部，该输出部在该第1分割预定线的起点或终点与该第2分割预定线相连的区域使该加工预定线与该第1分割预定线重叠而显示在该显示单元上，

该激光加工装置中，允许将沿着该第1分割预定线形成的第1改质层的起点或终点的位置进行重新设定，以使得不与沿着该第2分割预定线形成的第2改质层干涉。