WO2023195445A1

WO2023195445A1 - 表面保護用組成物、表面保護シート、及び、電子部品装置の製造方法

Info

Publication number: WO2023195445A1
Application number: PCT/JP2023/013814
Authority: WO
Inventors: 雄一郎宍戸; 慧佐藤; 尚英高本
Original assignee: 日東電工株式会社
Priority date: 2022-04-06
Filing date: 2023-04-03
Publication date: 2023-10-12
Also published as: TW202402937A

Abstract

基板の少なくとも一方の面を保護する表面保護用組成物であって、親水基を分子中に有するポリマーと、加熱又は活性エネルギー線の照射の少なくとも一方によって酸又は塩基を生じる化合物とを含む、表面保護用組成物などを提供する。

Description

表面保護用組成物、表面保護シート、及び、電子部品装置の製造方法

関連出願の相互参照

　本願は、日本国特願２０２２－０６３３８６号の優先権を主張し、該出願が引用によって本願明細書の記載に組み込まれる。

　本発明は、例えば、半導体集積回路などの電子部品装置を製造するために使用される表面保護用組成物、及び、表面保護シートに関する。また、本発明は、上記の表面保護用組成物又は上記の表面保護シートを用いて電子部品装置を製造する電子部品装置の製造方法に関する。

　従来、例えば半導体集積回路などの電子部品装置を製造するときに採用される電子部品装置の製造方法が知られている。この種の電子部品装置の製造方法では、例えば、シリコンウエハなどの基板を分割して小片化することにより、多数のチップを作製する加工を行う。
　このような加工の際には、基板を小片へと分割するときに基板のごく一部が微小片となって、微細な異物が生じる場合がある。基板の一方の面に回路配線又は電極部などの回路構成要素が配置されていると、微細な異物が回路配線又は電極部などに付着することがある。また、回路配線又は電極部などの回路構成要素が配置されていない他方の面にも異物が付着することがある。基板の表面に多量の異物が付着すると、異物が付着した面に回路構成要素が配置されているか否かにかかわらず、製造された電子部品装置は、製品としての信頼性が低下し得る。

　これに対して、基板の少なくとも一方の面に保護用粘着テープを貼り付けてから、上記のごとき加工を行う電子部品装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献１）。

　特許文献１に記載の電子部品装置の製造方法では、保護用粘着テープとして、基材と、基材の片面に重なった光硬化型粘着剤層（保護層）とを有する半導体保護用粘着テープを使用する。基材は、特定の厚さを有し、且つ、１５０℃で３０分間加熱された後に特定の加熱収縮率を有するように設計されている。また、光硬化型粘着剤層（保護層）は、所定の配合組成の組成物から形成され、所定の厚さを有し、且つ、光照射後に比較的小さい所定の粘着力を有するように設計されている。
　より詳しくは、特許文献１に記載の電子部品装置の製造方法では、まず、回路が形成された基板（以下、半導体パッケージ）の回路面に保護用粘着テープの光硬化型粘着剤層（保護層）を重ね合わせ、保護用粘着テープと半導体パッケージとを重ね合わせた状態で分割して小片化する。次に、小片化した半導体パッケージの回路面が仮固定テープと対向するように、且つ、仮固定テープと保護用粘着テープの基材とが接触するように、小片化した半導体パッケージ及び保護用粘着テープを仮固定テープに貼付する。続いて、仮固定した状態で半導体パッケージの表面の一部に金属膜を形成する。最後に、半導体パッケージの回路面と光硬化型粘着剤層との間で剥離させて、半導体パッケージをピックアップする。

　特許文献１に記載の電子部品装置の製造方法によれば、半導体パッケージ及び保護用粘着テープを小片化する加工の際には、保護用粘着テープによって半導体パッケージの回路面を覆うことで回路面を保護することができる。その後、半導体パッケージの回路面と、仮固定テープに固定した保護用粘着テープの光硬化型粘着剤層との間を剥離して、保護用粘着テープを除去することができる。保護用粘着テープの光硬化型粘着剤層（保護層）を除去するときの剥離力は、光照射によって光硬化型粘着剤層が硬化することによって弱められる。また、半導体パッケージの表面の一部に金属膜を形成するときの熱が基材の内部に収縮応力（残留ひずみ）を生じさせ、収縮応力（残留ひずみ）によって基材が変形しやすくなるため、上記の剥離が起こりやすくなる。

日本国特開２０２１－１４７５７９号公報

　ところが、特許文献１に記載の電子部品装置の製造方法では、半導体パッケージの回路面と光硬化型粘着剤層（保護層）との間を剥離するときの剥離力によって回路面が損傷を受けないように、例えば剥離速度等を調整する必要があり、保護層を除去する工程が必ずしも簡便ではない。また、上記のごとき剥離のために仮固定テープを用いる分、保護層を除去する工程が煩雑となり得る。また、剥離の後に、光硬化型粘着剤層（保護層）の一部が回路面に残存することがあり、必ずしも簡便に光硬化型粘着剤層（保護層）を除去できない。仮に、回路面が形成されていない非回路面に重なった光硬化型粘着剤層（保護層）を除去する場合であっても、上述したような問題が起こり得る。

　そこで、基板が加工等されるときに基板の少なくとも一方の保護される面を覆うことで斯かる面を保護できるたけでなく、加工等が終わった後には保護された面から比較的簡便に除去される保護層を形成できる表面保護用組成物が要望されている。
　特に、水などの溶媒と接触したときに少なくとも一部が溶解することで、比較的簡便に除去される保護層を形成できる表面保護用組成物が要望されている。

　しかしながら、基板の少なくとも一方の保護される面を覆って斯かる面を保護できるだけでなく、保護した後に水を含む液体と接触することによって比較的簡便に除去される保護層を形成するための表面保護用組成物については、未だ十分に検討されているとはいえない。

　そこで、本発明は、製造される電子部品装置における基板の少なくとも片面を覆って保護した後に、水を含む液体に接触すると比較的簡便に除去される保護層を形成するための表面保護用組成物を提供することを課題とする。また、該表面保護用組成物から形成された保護層を備える表面保護シートを提供することを課題とする。また、該保護層を使用して電子部品装置を製造する電子部品装置の製造方法を提供することを課題とする。

　上記課題を解決すべく、本発明に係る表面保護用組成物は、
　基板の少なくとも一方の面を保護する表面保護用組成物であって、
　親水基を分子中に有するポリマーと、加熱又は活性エネルギー線の照射の少なくとも一方によって酸又は塩基を生じる化合物とを含む。

　本発明に係る表面保護シートは、上記の表面保護用組成物で形成された保護層を備える。

　本発明に係る電子部品装置の製造方法は、
　基板の両面のうち保護される少なくとも一方の被保護面に表面保護用組成物から形成された保護層を重ねることによって前記被保護面を保護する工程と、
　前記被保護面に重なった前記保護層を除去する工程と、を含み、
　前記表面保護用組成物は、
　親水基を分子中に有するポリマーと、加熱又は活性エネルギー線の照射の少なくとも一方によって酸又は塩基を生じる化合物とを含み、
　前記除去する工程では、加熱又は活性エネルギー線の照射によって前記化合物から前記酸又は前記塩基を生じさせて前記保護層の親水性を高め、該保護層の少なくとも一部を水を含む液体に溶解させることによって前記保護層を除去する。

本実施形態の表面保護シートの一例を厚さ方向に切断した模式断面図。本実施形態の電子部品装置の製造方法における湿潤工程の様子の一例を表した模式断面図。本実施形態の電子部品装置の製造方法における保護工程の様子の一例を表した模式断面図。本実施形態の電子部品装置の製造方法における保護工程の様子の一例を表した模式断面図。本実施形態の電子部品装置の製造方法において基板を割断する前の様子の一例を表した模式断面図。本実施形態の電子部品装置の製造方法において基板を割断した後の様子の一例を表した模式断面図。本実施形態の電子部品装置の製造方法における除去工程の様子の一例を表した模式断面図。本実施形態の電子部品装置の製造方法における除去工程の様子の一例を表した模式断面図。ダイシングテープの一例を厚さ方向に切断した断面図。ダイシングダイボンドフィルムの一例を厚さ方向に切断した断面図。第１実施形態におけるマウント工程及び保護工程を実施した後の様子を模式的に表す断面図。第１実施形態におけるブレードダイシング加工工程の途中の様子を模式的に表す断面図。第１実施形態におけるブレードダイシング加工工程を実施した後の様子を模式的に表す断面図。第１実施形態における除去工程の様子を模式的に表す断面図。第１実施形態における除去工程の様子を模式的に表す断面図。第１実施形態におけるピックアップ工程の様子を模式的に表す断面図。第１実施形態における接合工程の様子を模式的に表す断面図。第１実施形態の他例における半導体ウエハのハーフカット加工の様子を模式的に表す断面図。第１実施形態の他例における半導体ウエハのハーフカット加工の様子を模式的に表す断面図。第１実施形態の他例における半導体ウエハのハーフカット加工の様子を模式的に表す断面図。第１実施形態の他例におけるマウント工程の様子を模式的に表す断面図。半導体ウエハの一例を厚さ方向に切断した断面図。半導体ウエハが分割されて作製された半導体チップの一例を厚さ方向に切断した断面図。第２実施形態におけるマウント工程前の様子を模式的に表す断面図。第２実施形態におけるマウント工程の様子を模式的に表す断面図。第２実施形態におけるマウント工程後の様子を模式的に表す断面図。第２実施形態における保護工程の様子を模式的に表す断面図。第２実施形態におけるステルス加工工程の様子を模式的に表す断面図。第２実施形態におけるエキスパンド工程の様子を模式的に表す断面図。第２実施形態における除去工程の様子を模式的に表す断面図。第２実施形態における除去工程の様子を模式的に表す断面図。第２実施形態におけるピックアップ工程の様子を模式的に表す断面図。第２実施形態における接合工程の様子を模式的に表す断面図。第３実施形態における半導体ウエハ及びバックグラインドテープの様子を模式的に表す断面図。第３実施形態における保護工程の様子を模式的に表す断面図。第３実施形態におけるマウント工程前の様子を模式的に表す断面図。第３実施形態におけるマウント工程の様子を模式的に表す断面図。第４実施形態における半導体ウエハ及びバックグラインドテープの様子を模式的に表す断面図。第４実施形態におけるステルス加工工程の様子を模式的に表す断面図。第４実施形態における保護工程の様子を模式的に表す断面図。第４実施形態におけるマウント工程前の様子を模式的に表す断面図。第４実施形態におけるマウント工程の様子を模式的に表す断面図。第５実施形態における保護工程後の研削加工の様子を模式的に表す断面図。第５実施形態における研削加工後の様子を模式的に表す断面図。第５実施形態におけるステルス加工工程中の様子を模式的に表す断面図。第５実施形態におけるステルス加工工程後の様子を模式的に表す断面図。

　以下、本発明に係る表面保護用組成物、表面保護シート、及び電子部品装置の製造方法の各実施形態について、順を追って図面を参照しつつ説明する。

　本実施形態の表面保護用組成物は、基板の少なくとも一方の面を保護する表面保護用組成物であって、親水基を分子中に有するポリマーと、加熱又は活性エネルギー線の照射の少なくとも一方によって酸又は塩基を生じる化合物（以下、イオン発生化合物とも称する）とを含む組成物である。本実施形態の表面保護用組成物は、例えば、基板の少なくとも一方の保護される面（以下、被保護面とも称する）を保護する保護層を形成するために使用される。

　上記の表面保護用組成物で形成された保護層を基板の少なくとも一方の面に重ねることによって、斯かる面に重なった保護層を除去するまで、保護すべき基板の面（被保護面）に異物が付着することなどを防止できる。例えば、表面保護用組成物で形成された保護層と基板とが重なり合った状態で基板及び保護層を小片化する加工を実施するときに、小片化に伴って生じ得る破片などの異物が、被保護面に付着することを防止できることから、被保護面を保護できる。
　また、加熱処理又は活性エネルギー線の照射処理を上記の保護層に対して施すことによって、上記の化合物から酸又は塩基が発生する。これにより、表面保護用組成物で形成された保護層の親水性が高まる。親水性が高まった保護層の少なくとも一部は、水を含む液体と接触することによって、斯かる液体に対して比較的容易に溶解し得る。よって、親水性が高まった保護層の全部又は一部が、水を含む液体に溶解し、被保護面から保護層が容易に離脱する。従って、例えばはく離用テープを保護層に貼り付けて保護層をはく離用テープと共に除去する場合と比べて、保護層は、簡便に被保護面から除去される。特に、分割されて小片化された保護層を除去する場合、はく離用テープを用いて除去するよりも、小片化された複数の保護層を被保護面から簡便に除去できる。
　このように、上記の表面保護用組成物で形成された保護層は、製造される電子部品装置の部材である基板の被保護面を保護できるだけでなく、保護した後に、水を含む液体によって、被保護面から比較的簡便に除去される。

　本実施形態において、前記ポリマーの前記親水基は、例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基である。前記親水基は、ポリオキシエチレン鎖であってもよい。本実施形態において、上記のイオン発生化合物は、例えば、加熱又は活性エネルギー線の照射の少なくとも一方によって酸を生じる酸発生剤、又は、加熱又は活性エネルギー線の照射の少なくとも一方によって塩基を生じる塩基発生剤である。上記のイオン発生化合物としては、例えば、光酸発生剤、光塩基発生剤、熱酸発生剤、又は、熱塩基発生剤が挙げられる。

　上記の表面保護用組成物は、上記のイオン発生化合物を含むため、加熱処理、又は、紫外線等の活性エネルギー線の照射処理の少なくとも一方によって親水性が高まる物性を有する。上記の表面保護用組成物は、上記のごとき処理の後に所定以上の親水性であればよい。従って、上記処理の前において、上記の表面保護用組成物は、所定未満の親水性であってもよく、所定以上の親水性であってもよい。上記の表面保護用組成物が所定以上の親水性を有すると、通常、上記の表面保護用組成物の少なくとも一部は、水を含む液体に溶解する。上記のイオン発生化合物としては、活性エネルギー線（特に、紫外線）の照射によって酸又は塩基を生じるイオン発生化合物が好ましい。

　上記のごとき処理によって親水性が高まった後の表面保護用組成物は、所定以上の親水性を有することが好ましく、即ち、上記の表面保護用組成物の吸水率が１．５質量％以上であることが好ましい。これにより、加熱処理又は活性エネルギー線の照射処理を受けた表面保護用組成物が、水を含む液体にさらに溶解しやすくなる。上記吸水率は、例えば、表面保護用組成物におけるイオン発生化合物の含有量を増やすことによって、高めることができる。上記の吸水率は、例えば１０．０質量％以下であってもよい。
　なお、活性エネルギー線の照射処理によって表面保護用組成物の親水性を高めた場合、上記の吸水率は、高圧水銀ランプによる５００ｍＪ／ｃｍ^２の照射処理を実施した後の値である。

　なお、上記のごとき加熱処理又は活性エネルギー線の照射処理を受ける前の表面保護用組成物の吸水率は、１．５質量％未満であってもよい。これにより、表面保護用組成物で形成された保護層を除去する除去工程（後に詳述）よりも前に、保護層が水に接触したとしても、意図せず保護層が除去されることを抑制できる。
　一方、上記のごとき加熱処理又は活性エネルギー線の照射処理を受ける前の表面保護用組成物の吸水率は、０．１質量％以上であってもよい。これにより、加熱処理又は活性エネルギー線の照射処理を受けた表面保護用組成物は、より高い親水性を有することができる。
　上記のごとき処理前の表面保護用組成物の吸水率は、例えば、表面保護用組成物に含まれる上記ポリマーの親水基を増やすことによって、高めることができる。

　上記の表面保護用組成物の吸水率は、カールフィッシャー法の電量滴定法を用いた測定値から求められる。上記のごとき加熱処理又は活性エネルギー線の照射処理を受ける前、及び、受けた後の表面保護用組成物を用いて、それぞれ測定を行う。具体的には、温度２３℃、湿度５０ＲＨ％の環境下で定常状態となった試験サンプルを、水分気化装置によって１５０℃で３分間加熱しつつ、気化された水分について測定を行う。上記加熱後の試験サンプルの質量に対する、測定された水分量の割合から、上記吸水率を求める。なお、上記の表面保護用組成物が溶媒を含む場合、揮発処理等によって溶媒を除去した後に表面保護用組成物の吸水率を測定する。

　例えば、本実施形態の表面保護用組成物は、上記のポリマーとして、主鎖と複数の側鎖とを分子中に有するポリマーを含み、前記複数の側鎖のそれぞれは、エステル基又は親水基のいずれか一方を少なくとも有し、前記親水基がヒドロキシ基又はカルボキシ基であってもよい。

　上記のポリマーが、ヒドロキシ基又はカルボキシ基の少なくとも一方を親水基として分子中に含むことにより、該表面保護用組成物で形成された保護層は、上記ヒドロキシ基又はカルボキシ基によって、被保護面に対してより十分に密着できる。従って、保護層に対して加熱又は活性エネルギー線の照射といった処理が施される前までは、被保護面に十分に密着でき、しかも、処理後には、上述のように保護層が被保護面から比較的簡便に除去される。

　上記のポリマーは、主鎖と側鎖とを分子中に有する。主鎖は、例えばラジカル重合反応によって生じた共有結合鎖である。例えば、主鎖は、ビニルアセテート（酢酸ビニル）、アルキル（メタ）アクリレート（（メタ）アクリル酸アルキルエステル）、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート（（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル）、（メタ）アクリル酸などが重合反応することによって生じた共有結合鎖である。

　複数の側鎖のそれぞれは、親水基及びエステル基のうち少なくとも一方を含む。例えば、上記のポリマーに含まれる多数の側鎖のうち、一部の側鎖が親水基を有し、他の一部がエステル基を有する。親水基は、例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基の少なくとも一方である。エステル基は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－で表される。エステル基において、エーテル基の酸素原子よりも炭素原子がより主鎖により近い位置に配置されていてもよく、エーテル基の酸素原子よりも炭素原子がより主鎖から遠い位置に配置されていてもよい。換言すると、側鎖は、主鎖から側鎖の末端へ向かって、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－というエステル基の原子配列を有してもよく、－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－というエステル基の原子配列を有してもよい。

　親水基を含む各側鎖において、親水基が、側鎖の末端部分に配されていてもよく、側鎖の中央部分に配されていてもよい。側鎖における親水基は、側鎖の末端部分に配されていることが好ましい。なお、側鎖の末端部分に配された親水基は、エステル基を介して主鎖と結合していてもよい。例えば、主鎖から側鎖の末端へ向けて、エステル基、アルキル基、親水基の順で各基が配置されていてもよい。

　エステル基を含む側鎖において、エステル基は、側鎖の中央部分に配置されていることが好ましい。好ましくは、側鎖において、炭素数１以上４以下のアルキル基がエステル基を介して主鎖と結合している。

　上記のポリマーとしては、例えば、ビニルアセテートの重合体におけるエステル結合の一部を加水分解して得られるポリビニルアルコール、アルキル（メタ）アクリレートと（メタ）アクリル酸又はヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの少なくとも一方とのコポリマー、又は、ポリエチレンオキシド（例えば分子量５万以上）などが挙げられる。
　なお、本明細書において「（メタ）アクリレート」という表記は、アクリレート及びメタクリレートの両方を包含する。同様に、「（メタ）アクリル酸」という表記は、アクリル酸及びメタクリル酸の両方を包含する。

　上記のポリマーがポリビニルアルコール（ＰＶＡ）である場合、上記の表面保護用組成物で形成された保護層が加熱処理又は活性エネルギー線の照射処理（後に詳述）を施される前において、ポリビニルアルコールのけん化度（モル％）は、２０以上１００以下であってもよい。
　ポリビニルアルコールのけん化度は、２５以上であることが好ましく、３５以上であることがより好ましい。ポリビニルアルコールのけん化度がより大きくなることによって、上記の表面保護用組成物で形成された保護層が、加熱処理又は活性エネルギー線の照射処理の後において、より高い親水性を有することとなる。従って、水を含む液体によって保護層をより簡便に除去できる。
　一方、ポリビニルアルコールのけん化度は、８０以下であることが好ましく、６０以下であることがより好ましい。ポリビニルアルコールのけん化度がより小さくなることによって、基板に対する密着力をより向上できる。

＜けん化度の測定方法、測定条件＞
　上記のけん化度は、以下の分析条件で実施するプロトン磁気共鳴分光法（^１Ｈ　ＭＮＲ）によって測定される。
　なお、表面保護用組成物がＰＶＡ以外の成分を含む場合、測定チャートにおけるピークの重なりを避けるため、メタノール抽出等によってＰＶＡの分離抽出処理を行った後、測定を実施する。
　　分析装置：ＦＴ－ＮＭＲ
　　（例えばＢｒｕｋｅｒＢｉｏｓｐｉｎ社製、「ＡＶＡＮＣＥIII－４００」）
　　観測周波数：４００ＭＨｚ（１Ｈ）
　　測定溶媒：重水、または、重ジメチルスルホキシド（重ＤＭＳＯ）
　　測定温度：８０℃
　　化学シフト基準：外部標準ＴＳＰ－ｄ４（０．００ｐｐｍ）（重水測定時）
　　　　　　　　　：測定溶媒（２．５０ｐｐｍ）（重ＤＭＳＯ測定時）

＜けん化度の算出＞
　ビニルアルコールユニット（ＶＯＨ）のメチレン基由来ピーク（重水；２．０～１．１ｐｐｍ、重ＤＭＳＯ；１．９～１．０ｐｐｍ）と、酢酸ビニルユニット（ＶＡｃ）のアセチル基由来ピーク（重水；２．１ｐｐｍ付近、重ＤＭＳＯ；２．０ｐｐｍ付近）とに基づいて、下記の算出式によってけん化度を算出する。なお、下記の算出式において、ＶＯＨ（－ＣＨ_２－）は、ビニルアルコールユニット（ＶＯＨ）のメチレン基由来ピークの強度であり、ＶＡｃ（ＣＨ_３ＣＯ－）は、酢酸ビニルユニット（ＶＡｃ）のアセチル基由来ピークの強度である。

　上記のポリビニルアルコールの平均重合度は、好ましくは１００以上であり、より好ましくは２００以上である。また、上記平均重合度は、好ましくは１０００以下であり、より好ましくは８００以下である。
　ポリビニルアルコールの平均重合度が２００以上であることによって、上記の表面保護用組成物によって保護層をより形成しやすくなる。一方、ポリビニルアルコールの平均重合度が１０００以下であることによって、ポリビニルアルコールの親水性がより高まり、上記の表面保護用組成物で形成された保護層が、水を含む液体に、より溶解しやすくなる。

　上記の平均重合度は、以下の測定方法及び測定条件によって求められる。
＜平均重合度の測定方法、測定条件＞
・分析装置：ゲル浸透クロマトグラフィー分析装置
　　（例えば、Ａｇｉｌｅｎｔ社製　装置名「１２６０Ｉｎｆｉｎｉｔｙ」）
・カラム：ＴＳＫｇｅｌ　Ｇ６０００ＰＷＸＬ及びＴＳＫｇｅｌ　Ｇ３０００ＰＷＸＬ（東ソー社製　直列接続）
・カラム温度：４０℃
・溶離液：０．２Ｍの硝酸ナトリウム水溶液
・流速：０．８ｍＬ／ｍｉｎ
・注入量：１００μＬ
・検出器：示差屈折率計（ＲＩ）
・標準試料：ＰＥＧ標準試料及びＰＶＡ標準試料
　ＰＥＧ標準試料を用いたＧＰＣ測定によって、被測定試料（ＰＶＡ）、及び、平均重合度が既知のＰＶＡ標準試料の質量平均分子量Ｍｗをそれぞれ算出する。ＰＶＡ標準試料の平均重合度と、算出したＰＶＡ標準試料の質量平均分子量Ｍｗとから検量線を作成する。この検量線を用いて、被測定試料（ＰＶＡ）の質量平均分子量Ｍｗから被測定試料（ＰＶＡ）の平均重合度を求める。

　本実施形態の表面保護用組成物に含まれる上記の化合物（イオン発生化合物）は、加熱処理及び活性エネルギー線の照射処理のうち少なくとも一方によって、酸又は塩基を新たに発生させる化合物である。発生した酸によって上記のポリマーの親水基をイオン化して、表面保護用組成物の親水性を簡便に高めることができるという点で、上記のイオン発生化合物としては、酸を新たに発生させる化合物が好ましい。
　加熱処理及び活性エネルギー線の照射処理については、後に詳述する。

　上記のイオン発生化合物としては、光酸発生剤若しくは光塩基発生剤などの光イオン発生剤、又は、熱酸発生剤若しくは熱塩基発生剤などの熱イオン発生剤が挙げられ、上記の光イオン発生剤が好ましい。なお、一化合物が、光酸発生剤及び熱酸発生剤の両方の機能を有する場合がある。換言すると、例えば、特定の酸発生剤が、加熱処理及び活性エネルギー線の照射処理のいずれでも酸を発生する場合がある。塩基発生剤も同様である。
　上記のイオン発生化合物が光酸発生剤、光塩基発生剤、熱酸発生剤、又は、熱塩基発生剤であることにより、上記の表面保護用組成物で形成された保護層では、加熱処理、又は、紫外線照射などの活性エネルギー線の照射処理によって、酸又は塩基がより十分に発生する。そのため、上記保護層の親水性がより高められる。従って、水を含む液体によって、上記保護層が被保護面からより簡便に除去される。

　酸発生剤としての光酸発生剤は、例えばカチオン重合のために一般的に用いられる光カチオン重合開始剤であり、酸発生剤としての熱酸発生剤は、例えばカチオン重合のために一般的に用いられる熱カチオン重合開始剤である。
　塩基発生剤としての光塩基発生剤は、例えばアニオン重合のために一般的に用いられる光アニオン重合開始剤であり、塩基発生剤としての熱塩基発生剤は、例えばアニオン重合のために一般的に用いられる熱アニオン重合開始剤である。
　上記の光酸発生剤、熱酸発生剤、光塩基発生剤、又は熱塩基発生剤としては、それぞれ市販されている製品を採用できる。

　光酸発生剤としては、イオン型と非イオン型とが挙げられる。イオン型の光酸発生剤は、カチオン構造とアニオン構造とを有する。イオン型の光酸発生剤としては、カチオン構造の種類ごとに、例えば、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、又は、ジスルホニルジアゾメタン化合物等が挙げられる。

　オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩化合物、スルホニウム塩化合物、オキシムスルホネート化合物、ジアゾニウム塩化合物等のオニウム塩化合物などが挙げられ、なかでもヨードニウム塩化合物又はスルホニウム塩化合物が好ましく、スルホニウム塩化合物がより好ましい。

　ヨードニウム塩化合物としては、例えば、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフエート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセナート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロノルマルオクタンスルホネート、ベンジル－４－ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホネート、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４-フルオロフェニル）ヨードニウムトリフラート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。その他、以下の実施例で用いたヨードニウム塩化合物も挙げられる。

　スルホニウム塩化合物としては、例えば、ジフェニル［４－（フェニルスルファニル）フェニル］スルホニウム＝トリフルオロトリス（ペンタフルオロエチル）－λ^５－ホスファヌイド、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、４，７－ジ－ｎ－ブトキシ－１－ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムアダマンタンカルボキシレートトリフルオロエタンスルホン酸塩、トリフェニルスルホニウムｐ－トルエンスルホン酸塩、トリフェニルスルホニウムメタンスルホン酸塩、トリフェニルスルホニウムフェノールスルホン酸塩、トリフェニルスルホニウム硝酸塩、トリフェニルスルホニウムマレイン酸塩、ビス（トリフェニルスルホニウム）マレイン酸塩、トリフェニルスルホニウム塩酸塩、トリフェニルスルホニウム酢酸塩、トリフェニルスルホニウムトリフルオロ酢酸塩、トリフェニルスルホニウムサリチル酸塩、トリフェニルスルホニウム安息香酸塩、トリフェニルスルホニウム水酸化物等が挙げられる。その他、以下の実施例で用いたスルホニウム塩化合物も挙げられる。

　オキシムスルホネート化合物としては、例えば、（５－プロピルスルフォニルオキシイミノ－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）アセトニトリル、（５－オクチルスルフォニルオキシイミノ－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）アセトニトリル、（カンファースルフォニルオキシイミノ－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）アセトニトリル、（５－ｐ－トルエンスルフォニルオキシイミノ－５Ｈ－チオフェン－２－イリデン）－（２－メチルフェニル）アセトニトリル、（５－オクチルスルフォニルオキシイミノ）－（４－メトキシフェニル）アセトニトリル等が挙げられる。

　ジアゾニウム塩化合物としては、例えば、４－ニトロベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。

　オニウム塩化合物の市販製品の例としては、例えば、オプトマーＳＰ－１５０、オプトマーＳＰ－１７０、オプトマーＳＰ－１７１（いずれもＡＤＥＫＡ社製）、ＵＶＥ－１０１４（ゼネラルエレクトロニクス社製）、ＯＭＮＩＣＡＴ２５０、ＯＭＮＩＣＡＴ２７０（いずれもＩＧＭＲｅｓｉｎ社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ２９０（ＢＡＳＦ社製）、サンエイドＳＩ－６０Ｌ、サンエイドＳＩ－８０Ｌ、サンエイドＳＩ－１００Ｌ（いずれも三新化学工業社製）、ＣＰＩ－１００Ｐ、ＣＰＩ－１０１Ａ、ＣＰＩ－２００Ｋ（いずれもサンアプロ社製）等が挙げられる。

　光酸発生剤としてのスルホンイミド化合物としては、例えばＮ－（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（ノナフルオロノルマルブタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ナフタルイミド、Ｎ－（カンファスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（４－メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（２－トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（４－フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ－（カンファスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ－（２－トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ－（２－フルオロフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ－（カンファスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、４－メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド等が挙げられる。

　光酸発生剤としてのジスルホニルジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ－トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４－ジメチルベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、及びメチルスルホニル－ｐ－トルエンスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。

　その他、光酸発生剤としては、例えば、２，４－ビス（トリクロロメチル）－６－［２－（フラン－２－イル）ビニル］－１，３，５－トリアジンなどが挙げられる。

　熱酸発生剤としては、例えば、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリアリールスルホキソニウム塩、ピリジニウム塩、キノリニウム塩、イソキノリニウム塩、スルホン酸エステル類、鉄アレーン錯体などが挙げられる。

　光酸発生剤又は熱酸発生剤などの酸発生剤は、表面保護用組成物に含まれる上記のポリマーとの相溶性が良好であることが好ましい。酸発生剤としては、イオン型酸発生剤が好ましく、イオン型光酸発生剤がより好ましい。酸発生剤は、より強酸であることが好ましい。

　酸発生剤の酸としての強さを示す指標として、気相酸性度（Gas phase acidity）［ΔＧacid］を用いることができる。気相酸性度は、極力溶媒効果を排除した酸性度の指標である。即ち、気相酸性度は、気相中での酸性度を示す指標である。

　酸発生剤の反応性の高さは、酸発生剤に含まれる対アニオン（共役酸）の種類に影響される。酸発生剤に含まれるアニオンの気相酸性度は、２８０［ｋＪ／ｍｏｌ］以下であることが好ましく、２６０［ｋＪ／ｍｏｌ］以下であることがより好ましい。斯かる数値が小さいほど、より強酸であることを示す。

　代表的な各アニオン及びその気相酸性度を例示すると、（ＣＦ_３ＣＦ_２）_３ＰＦ_３ ^－（気相酸性度：２５６［ｋＪ／ｍｏｌ］）、ＳｂＦ_６ ^－（気相酸性度：２５６［ｋＪ／ｍｏｌ］）、ＰＦ_６ ^－（気相酸性度：２７７［ｋＪ／ｍｏｌ］）、ＢＦ_４ ^－（気相酸性度：２８８［ｋＪ／ｍｏｌ］）などである。酸発生剤としては、アニオンとして（ＣＦ_３ＣＦ_２）_３ＰＦ_３ ^－　又はＳｂＦ_６ ^－　を有する酸発生剤が好ましい。

　気相酸性度は、酸解離に伴うギブズエネルギー変化である、とＩＵＰＡＣによって定義されている。気相酸性度は、例えば「J. Am. Chem. Soc. 2000、122、5114 - 5124 」に記載されたような公知の方法で計算可能である。

　光塩基発生剤としては、例えば、４－（メチルチオベンゾイル）－１－メチル－１－モルホリノエタン、（４－モルホリノベンゾイル）－１－ベンジル－１－ジメチルアミノプロパン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルホリノフェニル）－ブタノン、Ｎ－（２－ニトロベンジルオキシカルボニル）ピロリジン、１－（アントラキノン－２－イル）エチルイミダゾールカルボキシレート等の複素環基含有感放射線性塩基発生剤などが挙げられる。その他、２－ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、［［（２，６－ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、ビス［［（２－ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサン－１，６－ジアミン、トリフェニルメタノール、ｏ－カルバモイルヒドロキシルアミド、ｏ－カルバモイルオキシム、ヘキサアンミンコバルト（ＩＩＩ）トリス（トリフェニルメチルボレート）、１，２－ジシクロヘキシル－４，４，５，５－テトラメチルビグアニジウムｎ－ブチルトリフェニルボラート、アセトフェノンＯ－ベンゾイルオキシム、２－（９－オキソキサンテン－２－イル）プロピオン酸１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エンなどが挙げられる。さらに、以下の実施例で用いた光塩基発生剤も挙げられる。

　熱塩基発生剤としては、例えば、１－メチル－１－（４－ビフェニルイル）エチルカルバメート、１，１－ジメチル－２－シアノエチルカルバメート、ベンゾイルシクロヘキシルカルバメートなどのカルバメート誘導体、尿素若しくはＮ，Ｎ－ジメチル－Ｎ’－メチル尿素などの尿素誘導体、１，４－ジヒドロニコチンアミドなどのジヒドロピリジン誘導体、有機シラン若しくは有機ボランの四級化アンモニウム塩などが挙げられる。

　上記の表面保護用組成物において、上記のポリマー１００質量部に対する、上記イオン発生化合物の量は、１質量部以上であることが好ましく、３質量部以上であることがより好ましい。これにより、表面保護用組成物で形成された保護層は、加熱処理又は活性エネルギー線の照射処理された後に、より高い親水性を有することができる。
　上記のポリマー１００質量部に対する、上記イオン発生化合物の量は、１０質量部以下であることが好ましい。これにより、上記イオン発生化合物が上記の表面保護用組成物中で残留することをより十分に抑えることができる。

　本実施形態の表面保護用組成物は、上述した配合成分の他に、例えば溶媒、界面活性剤などをさらに含んでもよい。溶媒としては、水又は有機溶媒が挙げられる。
　有機溶媒としては、比較的揮発しやすい有機溶媒が好ましい。このような有機溶媒としては、例えばエタノール又はメタノールなどが挙げられる。

　本実施形態の表面保護用組成物は、流動性を有しない固体であってもよく、流動性を有してもよい。表面保護用組成物は、溶媒を含む場合、流動性を有し得る。

　本実施形態の表面保護用組成物は、上述したポリマー、上述した光酸発生剤などのイオン発生化合物、及び、必要に応じて溶媒などを一般的な方法によって混合することによって製造できる。また、本実施形態の表面保護用組成物は、上記混合した後に溶媒を揮発させることによって製造されてもよい。

　本実施形態の表面保護用組成物は、例えば、後述する表面保護シートを作製するために使用される。

　次に、本実施形態の表面保護シート１０について説明する。

　本実施形態の表面保護シート１０は、図１に示すように保護層１１を少なくとも備える。本実施形態の表面保護シート１０は、保護層１１の少なくとも一方の面に重なるはく離ライナー１５をさらに備えてもよい。はく離ライナー１５は、保護層１１の一方の面又は両方の面に重ね合わされてもよい。
　なお、図面における各図は模式図であり、実物における縦横の長さ比と必ずしも同じではない。他の図面についても同様である。

　本実施形態において、表面保護シート１０の保護層１１は、上述した表面保護用組成物からシート状に形成されている。上記の表面保護シート１０は、例えば、使用されるときにはく離ライナー１５を保護層１１から剥離して、保護層１１を基板の少なくとも一方の面（被保護面）に貼り付けて使用される。

　上記の保護層１１は、比較的弱い力で変形できる柔軟性を有する。また、上記の保護層１１は、例えば基板の被保護面に粘着できる粘着性を有する。

　上記の保護層１１は、例えば、溶媒を含む上記の表面保護用組成物を基板の片面に塗布し、その後、溶媒を揮発させることによって形成されてもよい。又は、上記の保護層１１は、溶媒を含む上記の表面保護用組成物をはく離ライナー１５の片面に塗布し、その後、溶媒を揮発させることによって形成されてもよい。形成された上記の保護層１１は、好ましくは、上記の表面保護用組成物に流動性を付与するために配合された溶媒を含まない。
　なお、上記の保護層１１は、例えば、溶媒を含まない上記の表面保護用組成物から、一般的な成形法によって形成されていてもよい。

　上記の表面保護シートにおいて、保護層１１の厚さは、特に限定されないが、例えば１μｍ以上１００μｍ以下である。斯かる厚さは、３μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよい。また、斯かる厚さは、４０μｍ以下であってもよい。なお、保護層１１が積層体である場合、上記の厚さは、積層体の総厚さである。

　上記の保護層１１は、面方向に引き伸ばされることによって、小片化される物性を有してもよい。斯かる物性を有する保護層１１は、後に述べるステルスダイシング装置を用いるステルス加工工程を経て電子部品装置を製造する場合に好適に使用される。同様に、ＤＢＧプロセス（後に詳述）を経て電子部品装置を製造する場合に好適に使用される。
　なお、上記の保護層１１は、ブレードダイシング加工工程（後に詳述）を経て電子部品装置を製造する場合にも好適に使用され得ることから、上記のごとき物性を有さなくてもよい。

　上記保護層１１の基板に対する密着性は、例えば基板としてのシリコンベアウエハから上記保護層１１を剥離するときの剥離力によって示される。上記保護層１１の２５℃における剥離力は、１０．０［Ｎ／１０ｍｍ］以下であってもよく、８．０Ｎ／１０ｍｍ］以下であってもよい。なお、上記の剥離力は、０．０１［Ｎ／１０ｍｍ］以上であってもよい。なお、上記の剥離力の数値は、保護層１１に加熱処理及び活性エネルギー線の照射処理のうち少なくとも一方を施す前における値である。

　上記の剥離力は、以下の測定条件で測定される。
　上記保護層１１における一方の面（シリコンベアウエハに貼り付けられる側の面）の剥離力を測定するために、以下のようにして測定用サンプルを作製する。まず、２５℃において保護層１１の上記一方の面とは反対側の面に、ハンドローラーを用いて裏打ちテープを貼り付ける。次に、１００ｍｍ幅となるように測定用サンプルを加工し、保護層１１における上記一方の面にベアウエハを貼り合わせる。貼り合わせは、９０℃、１０ｍｍ／秒の条件で実施する。そして、２３℃の雰囲気下において、１８０°の剥離角度且つ３００ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で、裏打ちテープとともに保護層１１をベアウエハから剥離して剥離力を測定する。最後に、［Ｎ／１０ｍｍ］の単位値で表すべく、測定値を換算した。なお、測定装置として、例えば「オートグラフ（ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製）」を使用できる。

　上記保護層１１の表面自由エネルギーは、２５℃において７０［ｍＪ／ｍ^２］以下であってもよく、６５［ｍＪ／ｍ^２］以下であってもよい。なお、上記の表面自由エネルギーは、２０［ｍＪ／ｍ^２］以上であってもよい。
　上記の表面自由エネルギーが上記範囲にあることによって、上記保護層１１の水への濡れ性が適度に良好となるため、後述する除去工程において、より簡便に上記保護層１１を除去できる。なお、上記の表面自由エネルギーの数値は、保護層１１に加熱処理及び活性エネルギー線の照射処理のうち少なくとも一方を施す前における値である。

　本実施形態の保護シート１は、例えば、電子部品装置を製造する工程中で使用される。具体的には、本実施形態の保護シート１は、電子部品（基板の１種）の被保護面（保護対象面）を一時的に保護する等の目的で使用される。より具体的には、本実施形態の保護シート１は、例えば、電子部品（基板の１種）の被保護面に貼り付けられて使用される。
　上記の電子部品としては、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ、配線回路基板などの基板、配線回路基板が複数連接されて構成される連接配線回路基板、又は、疑似ウエハなどが挙げられる。

　上記の半導体チップは、通常、半導体チップ本体と、該半導体チップ本体の片面側又は両面側に配置され且つ他部材の電極部と電気的に接続される電極部とを有する。他部材としては、配線回路基板、又は、他の半導体チップなどが挙げられる。半導体チップには、例えば少なくとも一方の面に、回路が形成された回路面が形成されている。
　具体的には、上記の半導体チップは、半導体チップ本体の両面側にそれぞれ配置されて対となる電極部と、電極部の一方及び他方を導通するように半導体チップ本体を厚さ方向に貫通する導通部とを備えたＴＳＶ（Through Silicon Via）形式の半導体チップであってもよい。ＴＳＶ形式の半導体チップでは、一方の面のみに回路面が形成されていてもよく、両面にそれぞれ回路面が形成されていてもよい。
　また、半導体チップの回路には、素子としてのセンサ素子（例えば、受光素子又は振動素子など）が備えられてもよい。この種の半導体チップは、例えばセンサチップである。センサチップとしては、ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）チップ、又は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Systems）チップなどが挙げられる。

　上記の疑似ウエハは、例えば、支持基板と、該支持基板上に配置された複数の半導体チップを一括して樹脂封止した状態のパッケージ体とを備える。疑似ウエハは、上記の支持基板から取り外された上記のパッケージ体であってもよい。疑似ウエハの表面の少なくとも一部には、再配線層が形成されていてもよい。斯かる再配線層を覆うように上記の保護シート１が使用されてもよい。なお、少なくとも１つの半導体チップを含む構成単位ごとに上記の疑似ウエハを分割した分割体が、電子部品であってもよい。

　上記の通り、被保護面（保護対象面）を有する電子部品には、様々な種類があり、様々な電子部品が基板となり得る。

　続いて、本実施形態の電子部品装置の製造方法について説明する。

　本実施形態の電子部品装置の製造方法は、
　基板の両面のうち保護される少なくとも一方の被保護面に表面保護用組成物から形成された保護層１１を重ねることによって前記被保護面を保護する工程（保護工程）と、
　前記被保護面に重なった前記保護層１１を除去する工程（除去工程）と、を含み、
　前記表面保護用組成物は、
　親水基を分子中に有するポリマーと、加熱又は活性エネルギー線の照射の少なくとも一方によって酸又は塩基を生じる化合物（上記のイオン発生化合物）とを含み、
　前記除去する工程では、加熱又は活性エネルギー線の照射によって前記化合物（イオン発生化合物）から前記酸又は前記塩基を生じさせて前記保護層１１の親水性を高め、該保護層１１の少なくとも一部を水を含む液体に溶解させることによって前記保護層１１を除去する。

　本実施形態の電子部品装置の製造方法は、上記の保護工程の前に、被保護面Ｓａに接する気体の湿度を高める工程（湿潤工程）をさらに含んでもよい（図２Ａ参照）。湿潤工程を実施することによって、被保護面Ｓａに対する、保護層１１の密着性を高めることができる。
　湿潤工程は、例えば、水蒸気を含む気体を被保護面に接触させること、霧状の水を被保護面に吹きかけること、水を被保護面に塗布することなどによって実施できる。

　上記の保護工程では、図２Ｂに示すように、保護層１１の片面側にはく離ライナー１５を備えた表面保護シート１０を使用して、基板Ｓの被保護面Ｓａを保護してもよい。例えば、基板Ｓの被保護面Ｓａに表面保護シート１０の保護層１１を重ね合わせた後、はく離ライナー１５を保護層１１からはく離してもよい（図２Ｃを参照）。

　本実施形態の電子部品装置の製造方法は、図２Ｄ及び図２Ｅに示すように、さらに、
　重なり合った基板Ｓ及び保護層１１の積層物を面方向に間隔を空けるように分割して小片化することによって、基板が小片化したチップＳ’と保護層の小片１１’とが重なり合った複数の積層物の小片を作製する工程を含んでもよい。なお、分割される前の基板Ｓの内部には、小片化するための脆弱部などが形成されていてもよい。

　上記の除去する工程では、図２Ｆに示すように、保護層の複数の小片１１’に対して例えば加熱処理又は紫外線などの活性エネルギー線の照射処理などを施すことによって、各小片１１’に含まれる上記イオン発生化合物から酸又は塩基を新たに生じさせ、各小片１１’の親水性を高める。
　そして、上記の除去する工程では、図２Ｇに示すように、水を含む液体によって、チップＳ’の回路面に重なった保護層の各小片１１’を除去する。
　なお、本実施形態の電子部品装置の製造方法は、チップＳ’の回路面を被着体に向けて配置して、チップＳ’と被着体とを接合する工程をさらに含んでもよい。

　本実施形態の製造方法によって製造される電子部品装置は、上述したような様々な電子部品のうち少なくとも１種を備える。電子部品装置としては、例えば、半導体チップを備える半導体集積回路などの半導体装置、相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）を有するシステムＬＳＩを備える装置、又は、機械要素部品、センサ、アクチュエータ、若しくは電子回路を１つのシリコン基板、ガラス基板、若しくは有機材料基板などの上に微細加工技術によって集積化したデバイス（ＭＥＭＳ　Micro Electro Mechanical Systems）などを備える装置などが挙げられる。なお、製造される電子部品装置は、配線回路基板を備える装置であってもよい。

　本実施形態の電子部品装置の製造方法において、基板の少なくとも一方の面は、保護層によって保護される。保護される面（以下、単に被保護面ともいう）は、基板の片面のみであってもよく、両面であってもよい。なお、被保護面には、回路構成要素（後に詳述）が配置されていてもよく、配置されていなくてもよい。

　基板は、板状であればその材質は特に限定されない。基板の材質としては、例えば、ガラス、シリコン、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、プラスチック、又は、セラミックなどが挙げられる。基板としては、例えば、半導体ウエハ、ＣＭＯＳ又はＭＥＭＳなどのセンサ系ウエハ、疑似ウエハ、又は配線回路基板などが挙げられる。

　上記の保護工程では、回路配線、センサ部、及び電極部のうち少なくとも１種が回路構成要素として配置されている側の基板の表面に、保護層１１を重ねてもよい。例えば、回路配線が配置されている方の基板の片面（回路面）に保護層１１を重ねてもよく、センサ部が配置されている方の基板の片面に保護層１１を重ねてもよく、電極部が配置されている方の基板の片面に保護層１１を重ねてもよい。上記の保護工程では、回路配線、センサ部、若しくは電極部を保護層１１で覆うように、基板の少なくとも一方の面に保護層１１を重ねることが好ましい。回路構成要素としては、例えば、回路配線、電極部、又は、トランジスタ、ダイオード、若しくはセンサ部（受光センサ若しくは振動センサ等）などの素子が挙げられる。

　以下、電子部品装置として半導体集積回路（半導体装置）を製造する場合について詳しく説明する。

　一般的に、半導体装置の製造方法は、高集積の電子回路によってウエハの片面側に回路面を形成する前工程と、回路面が形成されたウエハからチップを切り出して組立てを行う後工程とを備える。

　後工程では、例えば、回路面が形成された基板としてのウエハ（半導体ウエハ）を小さい半導体チップ（ダイ）へ小片化するための脆弱部位をウエハに形成し、回路面とは反対側の面にダイシングテープの粘着剤層を貼り付ける。そして、ダイシングテープの粘着剤層に半導体ウエハを貼り付けた状態のままダイシングテープを面方向に引き伸ばすことによって、上記の脆弱部位を境界にして半導体ウエハを半導体チップへ小片化する。その後、小片となった半導体チップをダイシングテープの粘着剤層から剥離する。

　上記のごとき後工程は、例えば、ウエハを小さいチップ（ダイ）へ小片化するための脆弱部位をレーザー光等によってウエハに形成するステルス加工工程と、半導体ウエハの回路面とは反対側の面をダイシングテープに貼り付けて半導体ウエハを固定するマウント工程と、ダイシングテープを面方向に引き伸ばすことによって半導体ウエハを半導体チップ（ダイ）へと小片化するエキスパンド工程と、粘着剤層から半導体チップを剥離して取り出すピックアップ工程と、取り出した半導体チップを被着体に接合する接合工程と、を有する。半導体集積回路（半導体装置）は、例えばこれらの工程を経て製造される。

　本実施形態の半導体装置（電子部品装置）の製造方法において、例えば、回路面が形成された半導体ウエハから半導体チップを切り出し、切り出した半導体チップを有する半導体装置を組み立てる。本実施形態の半導体装置の製造方法では、表面保護シート１０の保護層１１と、ダイシングテープ２０（図３Ａ参照）とを少なくとも使用して、以下のようにして半導体装置を製造する。これらのシート及びテープは、半導体装置を製造するための補助用具として使用される。なお、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２にダイボンドシート３０が重なったダイシングダイボンドフィルムを使用することもできる（図３Ｂ参照）。ダイシングテープ２０及びダイシングダイボンドフィルムとしては、それぞれ市販品を使用できる。

　以下、半導体装置の製造方法の具体的実施形態について、第１実施形態から第５実施形態までそれぞれ詳しく説明する。
　なお、第１実施形態の製造方法の様子を示す図面には、「Ｉ」と記載している。同様に、第２実施形態～第５実施形態については、図面中にそれぞれ「II」～「V」と記載している。

「第１実施形態」
　第１実施形態の半導体装置の製造方法は、回路面が形成された半導体ウエハＷ（基板）から半導体チップＸを切り出して、斯かる半導体チップＸを有する半導体装置を組立てる組立工程を備える。
　斯かる組立工程は、半導体ウエハＷの少なくとも一方の面であって回路構成要素のいずれかが形成された回路面に、前記回路構成要素を保護するための保護層１１を重ね合わせて回路面（被保護面）を保護する工程（保護工程）と、
　重なり合った半導体ウエハＷ及び保護層１１の積層物を面方向に間隔を空けるように分割して小片化することによって、半導体ウエハＷが小片化した半導体チップＸと保護層の小片１１’とが重なり合った積層物の複数の小片を作製する工程と、
　半導体チップＸの回路面に重なった保護層の各小片１１’に対して、加熱処理又は活性エネルギー線の照射処理などを施して各小片１１’中の上記イオン発生化合物から酸又は塩基を発生させて各小片１１’の親水性を高めた後に、水を含む液体によって保護層の各小片１１’を除去する工程（除去工程）と、
　半導体チップＸと被着体とを接合する工程と、を含む。

　第１実施形態の組立工程は、例えば、以下の各工程を有する。
　具体的には、第１実施形態の組立工程は、
　片面に回路構成要素が形成された半導体ウエハＷをダイシングダイボンドフィルム（ダイシングテープ２０に重なったダイボンドシート３０）に貼り付けて、ダイシングダイボンドフィルムに半導体ウエハＷを固定するマウント工程と、
　半導体ウエハＷの回路面に保護層１１を貼り付けることによって回路面を保護する保護工程と、
　ダイボンドシート３０と保護層１１を貼り付けた半導体ウエハＷとを、ダイシングブレードＴなどによって小片化し、半導体ウエハＷを小片化した半導体チップ（ダイ）を作るブレードダイシング加工工程（上記の積層物の複数の小片を作製する工程）と、
　上記のごとき加熱処理又は活性エネルギー線の照射処理などを経た後に、半導体チップＸに貼り付いた保護層の複数の小片１１’を除去する除去工程（上記の除去する工程）と、
　半導体チップＸとダイボンドシートの小片３０’との間を剥離して、ダイボンドシートの小片３０’が貼り付いた状態の半導体チップＸを取り出すピックアップ工程と、
　取り出した半導体チップＸを、ダイボンドシートの小片３０’を介して被着体に接合させる接合工程（上記の接合する工程）と、を有する。これらの工程を実施するときに、上述した保護層１１、及び、ダイシングテープ２０を有するダイシングダイボンドフィルムが製造補助用具として使用される。

　半導体ウエハＷは、複数の半導体チップＸを得られるように構成されている。詳しくは、半導体ウエハＷは、面に沿う複数の方向（例えば面に沿う方向であって互いに直交する方向）に間隔をそれぞれ空けるように分割されて小片化されることによって、複数の半導体チップＸを作製できるように構成されている。また、半導体ウエハＷは、回路構成要素の少なくとも１種が配置された回路面を少なくとも一方の面に有する。例えば、第１実施形態で用いる半導体ウエハＷには、いずれか一方の面に回路面が形成されている。

　近年の半導体産業においては、集積化技術のさらなる進展に伴って、より薄い半導体チップ（例えば２０μｍ以上５０μｍ以下の厚さ）が要望されている。半導体チップを厚さ方向の一方から見たときの形状は、例えば矩形状であり、一辺の長さは、例えば５ｍｍ以上２０ｍｍ以下の所定長さである。

　マウント工程では、図４Ａに示すように、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２にダイシングリングＲを取り付けつつ、ダイシングテープ２０に重なったダイボンドシート３０に半導体ウエハＷを貼り付けて固定する。

　保護工程では、例えば図４Ａに示すように、半導体ウエハＷの上記一方の回路面に保護層１１を重ね合わせる。保護工程では、例えば、保護層１１を上記回路面に直接押し当てて貼り付けることによって上記回路面に保護層１１を重ね合わせてもよい。一方、保護層１１を構成する固形成分と、該固形成分を溶解する溶媒とを含む表面保護用組成物を調製し、調製した表面保護用組成物を上記回路面に塗布した後に溶媒を揮発させることによって上記回路面に接する保護層１１を形成し、これによって上記回路面に保護層１１を重ね合わせてもよい。
　半導体ウエハＷの回路面に保護層１１を重ね合わせることによって、保護層１１が除去されるまで、回路面を保護層１１によって保護できる。よって、保護層１１で覆われた半導体ウエハＷの回路面にゴミ等が付着することを防止できる。
　なお、マウント工程の後に保護工程を実施してもよく、保護工程の後にマウント工程を実施してもよい。

　ブレードダイシング加工工程では、例えば図４Ｂ及び図４Ｃ示すように、半導体ウエハＷのダイシングを行う。詳しくは、半導体ウエハＷをダイボンドシート３０と共に所定のサイズに切断し、ダイボンドシート３０付き半導体チップを形成する。ブレードダイシング加工工程は、例えばダイシングブレードＴを用いて、常法に従い行われる。ブレードダイシング加工工程では、例えばダイボンドシート３０まで切り込みを実施するフルカットと呼ばれる切断方式を採用できる。ブレードダイシング加工工程で使用されるダイシング装置としては、特に限定されず、従来公知の装置を使用できる。
　ブレードダイシング加工工程では、半導体ウエハＷの切断に伴って破片などの異物が生じ得る。このとき、保護層１１によって半導体ウエハＷの被保護面が保護されているため、被保護面に異物が付着することを抑制できる。
　なお、ブレードダイシング加工工程の前に、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２にダイシングリングＲを取り付けた後、エキスパンド装置の保持具ＨにダイシングリングＲを固定してもよい。

　除去工程では、図４Ｄに示すように、保護層の複数の小片１１’に対して、上記イオン発生化合物から酸又は塩基を生じさせる処理を施す。斯かる処理としては、加熱処理、又は、活性エネルギー線の照射処理の少なくとも一方が採用される。
　加熱処理は、例えば、９０℃以上２５０℃以下の環境下に保護層の複数の小片１１’を１０分間以上３００分間以下暴露することによって実施する。
　活性エネルギー線の照射処理では、例えば、１０ｍＷ／ｃｍ^２以上３００ｍＷ／ｃｍ^２以下の強度の紫外線を活性エネルギー線として採用し、積算光量が５０ｍＪ／ｃｍ^２以上１０００ｍＪ／ｃｍ^２以下となるように保護層の複数の小片１１’に紫外線を照射する。
　除去工程において、保護層の複数の小片１１’に対して上記のごとき処理を実施することにより、小片１１’に含まれる上記イオン発生化合物から酸又は塩基が生じる。新たに酸又は塩基が生じた分、保護層の複数の小片１１’の親水性が高まる。これにより、後に小片１１’が、水を含む液体と接触したときに、小片１１’が半導体チップＸの表面から比較的容易に除去される。

　除去工程では、図４Ｅに示すように、水を含む液体と保護層の複数の小片１１’とを接触させて各小片１１’の少なくとも一部を上記液体に溶解させることによって、半導体チップＸの表面（被保護面）から保護層の各小片１１’を除去する。
　このようにして保護層の小片１１’を除去することにより、保護層の複数の小片１１’の全部を比較的簡便に除去でき、また、半導体チップ表面に付着した異物の数を上記の液体によって比較的簡便に減らすことができる。また、保護層の小片１１’が重なっていた各半導体チップＸの表面（被保護面）を液体で洗浄することもできる。

　除去工程では、小片化された保護層（保護層の複数の小片１１’）の全てを上記液体に溶解させることによって保護層の小片１１’を除去してもよい。一方、保護層の小片１１’の構成成分の一部を上記液体に溶解させ、半導体チップＸとの付着力が弱くなった各小片１１’を半導体チップＸから剥離させることによって保護層の複数の小片１１’を除去してもよい。

　水を含む液体は、水を含む液状物質であれば、特に限定されない。斯かる液体は、水を３０質量%以上含んでもよく、５０質量％以上含んでもよく、７０質量％以上含んでもよく、８０質量％以上含んでもよく、９０質量％以上含んでもよい。
　上記液体は、水の他に、水に溶解する成分を含んでもよい。斯かる成分としては、例えば、水溶性有機溶媒が挙げられる。斯かる水溶性有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのプロパノール、又は、ｔ－ブタノールなどのブタノールといった、炭素数４以下の１価アルコールが挙げられる。

　第１実施形態における除去工程では、撹拌されている上記液体のなかに保護層の小片１１’を浸積して、保護層の小片１１’に液体を接触させてもよい。又は、ノズル等から噴射された液体を、保護層の小片１１’に接触させてもよい。上記液体の温度は、特に限定されず、例えば１０℃以上９０℃以下に設定されてもよい。

　例えば、除去工程では、ダイシングテープ２０を下方から支える円板状のステージを周方向に回転させつつ、ダイボンドシートの小片３０’にそれぞれ貼り付いている半導体チップＸに向けて上記液体を噴射する。これにより、半導体チップＸにそれぞれ重なった保護層の複数の小片１１’を除去することができる。ステージの回転速度は、例えば５００ｒｐｍ以上４０００ｒｐｍ以下であってもよく、液体の噴射量は、例えば０．０５Ｌ／分以上５．０Ｌ／分以下であってもよく、噴射時間は、例えば５秒間以上３００秒以下であってもよい。

　第１実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体ウエハＷにおける回路構成要素が形成された面（回路面）に、保護層１１を重ね合わせるため、保護層１１を除去するまで、上記回路面を保護することができる。具体的には、半導体ウエハＷと保護層１１とが重なり合った状態で半導体ウエハＷを小片化して半導体チップＸを作製するため、半導体ウエハＷの割断等に伴って生じ得る破片などの異物が半導体チップＸの回路面に付着することを防止できる。仮に、保護層１１を重ねる前の半導体チップＸの回路面に異物が付着していても、半導体チップＸの回路面に重なった保護層の小片１１’を除去するときに、その異物も除去できる。従って、作製される半導体チップＸの回路面に異物が付着することを抑制できる。

　ピックアップ工程では、図４Ｆに示すように、半導体チップＸをダイシングテープ２０の粘着剤層２２から剥離する。詳しくは、ピン部材Ｐを上昇させて、ピックアップ対象の半導体チップＸを、ダイシングテープ２０を介して突き上げる。突き上げられた半導体チップＸを吸着治具Ｊによって保持する。

　このようにピックアップ工程を行うときに、半導体チップＸに貼り付いたダイボンドシートの小片３０’が、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２から容易に剥離される必要がある。また、上述したエキスパンド工程を行うときに、ダイシングテープ２０を引き伸ばすことによって、ダイボンドシート３０と半導体ウエハＷと保護層１１とを良好に小片化する必要がある。上述したダイシングテープ２０は、このような性能を良好に発揮できるように設計されている。
　例えば、ダイシングテープ２０は、活性エネルギー線（例えば紫外線）が照射されることによって、粘着剤層２２が硬化して、粘着剤層２２の粘着力が低下するように構成されている。照射後に粘着剤層２２が硬化することによって、粘着剤層２２の粘着力を下げることができるため、照射後に粘着剤層２２から半導体チップＸ及びダイボンドシートの小片３０’を比較的容易に剥離させることができる。このような構成のダイシングテープ２０は、市販されている。

　接合工程では、ダイボンドシートの小片３０’が貼り付いた状態の半導体チップＸを被着体Ｚに接合させる。換言すると、ダイボンドシートの小片３０’を介して半導体チップＸを被着体Ｚに接合させる。なお、接合工程では、図４Ｇに示すように、ダイボンドシートの小片３０’が貼り付いた状態の半導体チップＸを複数回積み重ねていくことがある。第１実施形態において、ダイボンドシートの小片３０’を介して基板又は半導体チップＸなどの被着体に半導体チップＸが接合されることとなる。
　接合工程において上記のごとく複数の半導体チップＸを積み重ねる場合、回路面に異物が付着することが抑制された複数の半導体チップＸを積み重ねるため、積み重ねられた一方の半導体チップＸと他方の半導体チップＸとの間に入り込む異物の数を抑えられる。
　なお、被着体Ｚとしては、例えば、インターポーザ、配線回路基板、又は、基板の小片（基板の小片を積み重ねて積層させる場合）などが挙げられる。

　第１実施形態においては、接合工程を経た半導体チップＸを保護するために、熱硬化性樹脂などによって半導体チップＸを封止する（覆う）樹脂封止工程を実施してもよい。

　第１実施形態の上記説明においては、ブレードダイシング加工工程によって半導体ウエハＷを小片化する例を挙げたが、半導体ウエハＷをハーフカット加工した後に半導体ウエハＷの厚さを薄くする、いわゆるＤＢＧプロセスを経て半導体ウエハＷを小片化させてもよい。
　ハーフカット加工では、例えば、半導体ウエハＷを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべく半導体ウエハＷに溝を形成し、さらに半導体ウエハＷを研削して厚さを薄くする。ハーフカット工程では、例えば図４Ｈ～図４Ｋに示すように、半導体ウエハＷの回路面とは反対側の面に、ウエハ加工用テープＥを貼り付ける。ウエハ加工用テープＥを貼り付けた状態で、分割用の溝を形成する。溝を形成した面にバックグラインドテープＢを貼り付ける一方で、始めに貼り付けたウエハ加工用テープＥを剥離する。バックグラインドテープＢを貼り付けた状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さになるまで研削加工を施す。そして、マウント工程を実施して、その後、上記と同様にして半導体装置を製造する。

　次に、第２実施形態について詳しく説明する。なお、第２実施形態について、第１実施形態と同様の説明は繰り返さない。第２実施形態において、特に言及しない限り、第１実施形態と同様の操作が行われ得る。

「第２実施形態」
　第２実施形態の半導体装置の製造方法は、例えば、
　両面にそれぞれ回路構成要素が形成された半導体ウエハＷをダイシングテープ２０に貼り付けて、ダイシングテープ２０に半導体ウエハＷを固定するマウント工程と、
　半導体ウエハＷの露出した方の回路面に保護層１１を貼り付けることによって回路面を保護する保護工程と、
　保護層１１を貼り付けた半導体ウエハＷの内部にレーザー光によって脆弱部位を形成することで、半導体ウエハＷを半導体チップ（ダイ）へ小片化する準備を行うステルス加工工程と、
　ダイシングテープ２０を引き延ばすことによって半導体ウエハＷ及び保護層１１をともに小片化するエキスパンド工程と、
　上記のごとき加熱処理又は活性エネルギー線の照射処理などを経た後に、半導体チップＸに貼り付いた保護層の複数の小片１１’を除去する除去工程と、
　半導体チップＸと粘着剤層２２との間を剥離して半導体チップＸを取り出すピックアップ工程と、
　取り出した半導体チップＸを被着体に接合させる接合工程と、を有する。
　これらの工程を実施するときに、上述した保護層１１及びダイシングテープ２０が製造補助用具として使用される。

　上記のダイシングテープ２０としては、第１実施形態で使用したものを使用できる。

　半導体チップＸへと小片化される前の半導体ウエハＷ（基板）は、例えば、所望の厚さまでバックグラインド加工によって研削されたものであってもよい。具体的には、バックグラインド加工では、回路面にバックグラインドテープＢが貼り付けられた半導体ウエハＷを研削して、後に作製される半導体チップＸの厚さになるまで半導体ウエハＷの厚さを薄くしてもよい。

　第２実施形態で用いる半導体ウエハＷには、両面にそれぞれ回路面が形成されている。一方、その他の実施形態で用いる半導体ウエハＷには、いずれか一方の面に回路面が形成されている。図５Ａ及び図５Ｂに示すように、回路面が形成された一方の面側に、電極部Ｄが配置され、回路面が形成された他方の面側にも電極部Ｄが配置されている。一方の面側の電極部Ｄは、他方の面側の電極部Ｄと互いに導通（電気的に接続）している。

　詳しくは、半導体ウエハＷが分割されて作製された半導体チップＸは、両面側にそれぞれ配置され且つ互いに導通された電極部Ｄを有する。より詳しくは、図５Ｂに示すように、半導体チップＸの両面側にそれぞれ電極部Ｄが配置され、また、半導体チップＸの厚さ方向に貫通するように導電性の貫通ビアＶが配置されている。斯かる貫通ビアＶを介して、両面側の各電極部Ｄが互いに導通している。

　第２実施形態では、図６Ａに示すように、半導体ウエハＷの一方の回路面に、例えばガラスキャリアＧが貼り付けられている。ガラスキャリアＧは、比較的厚さの薄い半導体ウエハを支持し、斯かる半導体ウエハの取り扱いを容易にするために、半導体ウエハＷの一方の回路面に重ねられている。例えば、ガラスキャリアＧは、上記一方の回路面の形成後に斯かる回路面に貼り付けられた状態で、半導体ウエハＷの他方の面にさらに回路構成要素を配置するために使用される。ガラスキャリアＧの厚さは、例えば、０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である。

　マウント工程では、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２にダイシングリングＲを取り付けつつ、粘着剤層２２の露出面に、半導体ウエハＷを貼り付ける（図６Ｂ参照）。次に、半導体ウエハＷからガラスキャリアＧを剥離する（図６Ｃ参照）。

　続く保護工程では、半導体ウエハＷの上記一方の回路面に保護層１１を重ね合わせる（図６Ｄ参照）。保護工程では、例えば、保護層１１を上記回路面に直接押し当てて貼り付けることによって上記回路面に保護層１１を重ね合わせてもよい。一方、保護層１１を構成する固形成分と、該固形成分を溶解する溶媒とを含む表面保護用組成物を調製し、調製した表面保護用組成物を上記回路面に塗布した後に溶媒を揮発させることによって上記回路面に接する保護層１１を形成し、これによって上記回路面に保護層１１を重ね合わせてもよい。
　半導体ウエハＷの回路面に保護層１１を重ね合わせることによって、保護層１１が除去されるまで、回路面を保護層１１によって保護できる。よって、保護層１１で覆われた半導体ウエハＷの回路面にゴミ等が付着することを防止できる。

　ステルス加工工程では、半導体ウエハＷを半導体チップＸへと小片化するための脆弱部位を半導体ウエハＷの内部に形成する。半導体ウエハＷにレーザー光Ｌを当てることによって半導体ウエハＷの内部に脆弱部位を形成する（図６Ｅ参照）。レーザー光Ｌは、例えば、ダイシングテープ側から半導体ウエハＷへ照射される。なお、後のエキスパンド工程によって半導体ウエハＷが分割されて作製される各半導体チップＸが、あらかじめ設計した通りに上記電極部Ｄを有するように、レーザー光Ｌを半導体ウエハＷに当てる。ステルス加工工程は、例えば、市販されているステルスダイシング装置を用いて実施できる。

　エキスパンド工程では、図６Ｆに示すように、半導体ウエハＷの両面側にそれぞれダイシングテープ２０と保護層１１とを配置した状態で、ダイシングテープ２０の表面積を大きくするようにダイシングテープ２０を面方向に引き伸ばす。これにより、半導体ウエハＷと保護層１１との積層物を分割して小片化し、小片化されて形成された互いに隣り合う半導体チップＸの間隔を面方向に沿って広げる。詳しくは、エキスパンド装置が備える突き上げ部材Ｕを、ダイシングテープ２０の下側から突き上げることによって、ダイシングテープ２０を面方向に広げるように引き延ばす。これにより、特定の温度条件において半導体ウエハＷ及び保護層１１を小片化する。上記温度条件は、例えば－２０℃以上０℃以下である。突き上げ部材Ｕを下降させることによって、エキスパンド状態を解除する（ここまで低温エキスパンド工程）。
　このように低温でエキスパンド工程を行うときに、保護層１１が割断されて小片化される必要がある。上述した保護層１１は、このときに良好に割断されるように設計されている。
　さらに、エキスパンド工程では、より高い温度条件下（例えば１０℃以上２５℃以下）において、ダイシングテープ２０の表面積を広げるようにダイシングテープ２０を引き延ばす。これにより、互いに隣り合う半導体チップＸをダイシングテープ２０の面方向に引き離して、さらにカーフ（間隔）を広げる（常温エキスパンド工程）。
　エキスパンド工程では、ダイシングテープ２０の面積を広げるようにダイシングテープ２０を面方向に引き伸ばすことによって、半導体ウエハＷとともに保護層１１が分割されて小片となる。詳しくは、ダイシングテープ２０を引き伸ばすことによって、半導体ウエハ内部の上記脆弱部位を境界にして半導体ウエハＷを小片の半導体チップＸへ分割できる。このとき、半導体ウエハＷから半導体チップＸへの小片化されるとともに、保護層１１も分割されて小片化される。

　第２実施形態の除去工程は、図６Ｇ及び図６Ｈに示すように、第１実施形態における除去工程と同様にして実施できる。

　第２実施形態のピックアップ工程では、図６Ｉに示すように、半導体チップＸをダイシングテープ２０の粘着剤層２２から剥離する。このようにピックアップ工程を行うときに、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２から半導体チップＸが剥離される。

　ピックアップ工程によって取り出された半導体チップＸの両面側には、上述した通り、互いに導通している電極部Ｄが配置されている。半導体チップＸにおける一方の面及び他方の面の表層部に、電極部Ｄと、電極部Ｄ以外の非電極部とが配置されている。非電極部は、例えば、絶縁材料（ケイ素酸化物）などで構成されている。図５Ｂに示すように、半導体チップＸにおける一方の面及び他方の面では、電極部Ｄ及び非電極部の表面が面一となっている。電極部Ｄは、例えば、半導体チップＸの表面から５ｎｍ以上１０μｍ以下の厚さを有するように形成されている。なお、半導体チップＸを厚さ方向に貫通するように配置されている上述した貫通ビアＶは、電極部Ｄと接する部分以外において、上記の絶縁材料で覆われている。換言すると、半導体チップＸを厚さ方法に延びる貫通ビアＶの表面の一部は、絶縁材料によって被覆されており、他の一部は、電極部Ｄと接している。

　接合工程は、除去工程及びピックアップ工程の後に実施する。接合工程では、図６Ｊに示すように、半導体チップＸにおける保護層の小片１１’が除去された面（回路面）を被着体に向けて被着体に半導体チップＸを接合してもよい。

　接合工程では、例えば、被着体Ｚ（配線基板など）に半導体チップＸを接合させる。このとき、被着体Ｚの電極部Ｄと半導体チップＸの電極部Ｄとが導通するように、被着体Ｚと半導体チップＸとを接合する。
　また、例えば接合工程では、少なくとも２つの半導体チップＸを積み重ねて、被着体である一方の半導体チップＸの電極部Ｄと、他方の半導体チップＸの電極部Ｄとを互いに直接接続する。
　接合工程において上記のごとく複数の半導体チップＸを積み重ねる場合、回路面に異物が付着することが抑制された複数の半導体チップＸを積み重ねるため、積み重ねられた一方の半導体チップＸと他方の半導体チップＸとの間に入り込む異物の数を抑えられる。よって、隣り合う半導体チップＸの電極部Ｄを互いにより確実に接続することができる。よって、複数の半導体チップＸの回路が高い信頼性で互いに導通される。

　電極部Ｄを互いに直接接続するときに、例えば原子拡散接合処理法を採用できる。原子拡散接合処理は、例えば市販されている原子拡散接合装置を用いて実施できる。

　続いて、第３実施形態～第５実施形態について詳しく説明する。なお、第３実施形態～第５実施形態について、第１実施形態又は第２実施形態と同様の説明は繰り返さない。第３実施形態～第５実施形態において、特に言及しない限り、第１実施形態又は第２実施形態と同様の操作が行われ得る。

「第３実施形態」
　第３実施形態の半導体装置の製造方法は、第２実施形態の半導体装置の製造方法と同様に、上述した各工程を有する。
　ただし、第３実施形態の半導体装置の製造方法は、主に、半導体ウエハＷの一方の面に回路構成要素が配置されている点、また、マウント工程において、ガラスキャリアＧに重なった半導体ウエハＷをダイシングテープ２０の粘着剤層２２に貼り付けるのではなく、半導体ウエハＷと表面保護シート１０とが積層した状態で半導体ウエハＷを粘着剤層２２に貼り付ける点などにおいて、第２実施形態と異なる。

　詳しくは、第３実施形態の半導体装置の製造方法では、図７Ａに示すように、バックグラインドテープＢに貼り付けられた半導体ウエハＷを準備する。

　保護工程では、図７Ｂに示すように、半導体ウエハＷに表面保護シート１０の保護層１１を貼り付ける。このとき、半導体ウエハＷの一方の面に表面保護シート１０の保護層１１が貼り付けられ、他方の面にバックグラインドテープＢが貼り付けられた状態となる。半導体ウエハＷの上記一方の面には、回路面が形成されている。

　次に、マウント工程では、図７Ｃに示すように、半導体ウエハＷと表面保護シート１０とが重なった状態で、半導体ウエハＷからバックグラインドテープＢを剥離する。これにより、半導体ウエハＷと表面保護シート１０とが重なり、半導体ウエハＷの他方の面（回路面が形成されていない面）が露出した状態となる。

　第３実施形態のマウント工程では、図７Ｄに示すように、半導体ウエハＷと保護層１１とが重なった状態で、露出した半導体ウエハＷの他方の面をダイシングテープ２０の粘着剤層２２に貼り付ける。このとき、半導体ウエハＷの一方の面に保護層１１が貼り付けられ、さらにはく離ライナー１５が貼り付けられているため、保護層１１及びはく離ライナー１５を介して、半導体ウエハＷを粘着剤層２２に押し付けることができる。よって、半導体ウエハＷの回路面を保護しつつ、半導体ウエハＷを粘着剤層２２に貼り付けることができる。

　マウント工程において、はく離ライナー１５が保護層１１と積層された状態で半導体ウエハＷに保護層１１を重ね、エキスパンド工程において保護層１１が小片化される前に、保護層１１からはく離ライナー１５を剥離することが好ましい。

　第３実施形態において、特に言及していない工程は、第１実施形態乃至第５実施形態における各工程と同様にして行うことができる。

　続いて、第４実施形態について詳しく説明する。なお、第４実施形態について、上述した実施形態と同様の説明は繰り返さない。第４実施形態において、特に言及しない限り、第１実施形態乃至第３実施形態における各操作と同様の操作が行われ得る。

「第４実施形態」
　第４実施形態の半導体装置の製造方法は、主に、マウント工程の前に、半導体ウエハＷに対してレーザー光を照射してウエハ内部に脆弱部位を形成する点において、第３実施形態と異なる。
　詳しくは、第４実施形態の半導体装置の製造方法は、上記の脆弱部位を形成すべく、バックグラインドテープＢを貼り付けた半導体ウエハＷの内部にレーザー光によって脆弱部位を形成し、半導体ウエハＷを小片化するための準備を行うステルス加工工程を有する。

　第４実施形態では、図８Ａに示すように、バックグラインドテープＢと重なり合った状態の半導体ウエハＷを用意する。なお、このような状態の半導体ウエハＷは、例えば、バックグラインドテープＢが貼り付けられたままバックグラインド加工が施されることによって、所望の厚さまで薄くなっている。

　第４実施形態のステルス加工工程では、図８Ｂに示すように、バックグラインドテープＢと重なり合った状態の半導体ウエハＷに対してレーザー光を照射する。バックグラインドテープＢは、例えば、半導体ウエハＷの回路面とは反対側の面に貼り付けられている。レーザー光は、例えば、半導体ウエハＷの回路面側から照射される。

　第４実施形態の保護工程では、第３実施形態と同様に、図８Ｃに示すように、半導体ウエハＷに表面保護シート１０の保護層１１を貼り付ける。これにより、半導体ウエハＷの一方の面（回路面）に保護層１１が重なり、他方の面にバックグラインドテープＢが重なった状態となる。その後、バックグラインドテープＢを半導体ウエハＷから剥離する。なお、保護層１１には、図８Ｃに示すように、はく離ライナー１５が重なっていてもよい。

　その後、図８Ｄ及び図８Ｅに示すように、第３実施形態と同様にして、マウント工程を実施できる。

　第４実施形態において、特に言及していない工程は、第１実施形態乃至第３実施形態における各工程と同様にして行うことができる。

　最後に、第５実施形態について詳しく説明する。なお、第５実施形態について、第１実施形態乃至第４実施形態と同様の説明は繰り返さない。第５実施形態において、特に言及しない限り、第１実施形態乃至第４実施形態における各操作と同様の操作が行われ得る。

「第５実施形態」
　第５実施形態の半導体装置の製造方法は、主に、半導体ウエハＷとバックグラインドテープＢの間に保護層１１を配置した状態で、半導体ウエハＷをダイシングテープ２０の粘着剤層２２に貼り付ける点において、他の実施形態と異なる。
　詳しくは、第５実施形態の半導体装置の製造方法では、図９Ａに示すように、半導体ウエハＷの回路面に保護層１１を重ね合わせ、さらに、保護層１１にバックグラインドテープＢを重ね合わせる。なお、保護層１１の一方の面にバックグラインドテープＢを重ね合わせてから、保護層１１の他方の面に半導体ウエハＷを重ね合わせてもよく、保護層１１の一方の面にバックグラインドテープＢを重ね合わせる前に、保護層１１の他方の面に半導体ウエハＷを重ね合わせてもよい。

　半導体ウエハＷ、保護層１１、及びバックグラインドテープＢが積層された状態で、半導体ウエハＷにおける回路構成要素が配置されていない面に対して、研削加工を施す。詳しくは、図９Ａに示すように、半導体ウエハＷが所定の厚さになるまで研削パッドＫによる研削加工（バックグラインド加工）を施す。研削加工によって半導体ウエハＷの厚さは、措定の厚さにまで薄くなる（図９Ｂ参照）。

　次に、マウント工程において、研削加工が施された半導体ウエハＷの面（回路構成要素が配置されていない面）をダイシングテープ２０の粘着剤層２２に重ね合わせる。このとき、図９Ｃに示すように、半導体ウエハＷの回路面には保護層１１が貼り付いており、さらに、保護層１１にはバックグラインドテープＢが貼り付いている。

　ダイシングテープ２０の粘着剤層２２に半導体ウエハＷを重ね合わせた後、上述した方法と同様の方法によってステルス加工工程を実施できる。そして、半導体ウエハＷに貼り付いた保護層１１と、バックグラインドテープＢとの間で剥離させて、バックグラインドテープＢを取り除く（図９Ｄ参照）。なお、バックグラインドテープＢを取り除いた後に、ステルス加工工程を実施してもよい。

　その後、上述した方法と同様の方法によって、半導体ウエハＷ及び保護層１１を小片化するエキスパンド工程、半導体チップＸに貼り付いた保護層の小片１１’を除去する除去工程、半導体チップＸを取り出すピックアップ工程、及び、半導体チップＸを被着体に接合させる接合工程などを実施できる。

　本発明の実施形態の電子部品装置の製造方法は上記例示の通りであるが、本発明は、上記例示の電子部品装置の製造方法に限定されるものではない。
　即ち、一般的な電子部品装置の製造方法において用いられる種々の形態が、本発明の効果を損ねない範囲において、採用され得る。

　例えば、上述したように、本発明の製造方法において使用する半導体ウエハは、第１実施形態で説明したように、両面にそれぞれ回路面が形成された半導体ウエハであってもよく、一方、その他の実施形態で説明したように、一方の面のみに回路面が形成された半導体ウエハであってもよい。換言すると、本発明の製造方法において作成される半導体チップの両面のうち、片方のみに回路構成要素が配置されていてもよく、両方にそれぞれ回路構成要素が配置されていてもよい。

　本明細書によって開示される事項は、以下のものを含む。
（１）
　基板の少なくとも一方の面を保護する表面保護用組成物であって、
　親水基を分子中に有するポリマーと、加熱又は活性エネルギー線の照射の少なくとも一方によって酸又は塩基を生じる化合物とを含む、表面保護用組成物。
　斯かる表面保護用組成物は、製造される電子部品における基板の少なくとも片面を覆った後に、水を含む液体に接触すると比較的簡便に除去される保護層を形成できる。
（２）
　前記化合物が、前記活性エネルギー線の照射によって酸又は塩基を生じる化合物である、上記（１）に記載の表面保護用組成物。
（３）
　前記ポリマーの前記親水基がヒドロキシ基又はカルボキシ基である、上記（１）又は（２）に記載の表面保護用組成物。
（４）
　前記加熱を受ける前、又は、前記活性エネルギー線の照射を受ける前の吸水率が、０．１質量％以上１．５質量％未満であり、
　前記加熱を受けた後の吸水率、又は、前記活性エネルギー線の照射として高圧水銀ランプによる５００ｍＪ／ｃｍ^２の照射を受けた後の吸水率が、１．５質量％以上である、上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の表面保護用組成物。
（５）
　前記ポリマーが、ポリビニルアルコール又はポリエチレンオキシドである、上記（１）乃至（４）のいずれかに記載の表面保護用組成物。
（６）
　上記（１）乃至（５）のいずれかに記載された表面保護用組成物で形成された保護層を備える表面保護シート。
（７）
　前記保護層の少なくとも一方の面に重なったはく離ライナーをさらに備える、上記（６）に記載の表面保護シート。
（８）
　基板の両面のうち保護される少なくとも一方の被保護面に表面保護用組成物から形成された保護層を重ねることによって前記被保護面を保護する工程と、
　前記被保護面に重なった前記保護層を除去する工程と、を含み、
　前記表面保護用組成物は、
　親水基を分子中に有するポリマーと、加熱又は活性エネルギー線の照射の少なくとも一方によって酸又は塩基を生じる化合物とを含み、
　前記除去する工程では、加熱又は活性エネルギー線の照射によって前記化合物から前記酸又は前記塩基を生じさせて前記保護層の親水性を高め、該保護層の少なくとも一部を水を含む液体に溶解させることによって前記保護層を除去する、電子部品装置の製造方法。
　斯かる電子部品装置の製造方法は、製造される電子部品装置における基板の少なくとも片面に異物が付着することを上記保護層によって抑制でき、しかも、その後に、水を含む液体に上記保護層を接触させて比較的簡便に上記保護層を除去できる。
（９）
　前記基板の前記被保護面に、回路構成要素が配置されている、上記（８）に記載の電子部品装置の製造方法。

　次に実験例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

　ダイシングテープとして市販品（製品名「Ｖ－１２ＳＲ」日東電工社製）を用意した。また、半導体ウエハの代わりにシリコンベアウエハ（厚さ５０μｍ、直径３００ｍｍの円板状）を使用した。
　以下のようにして、表面保護シートを作製した。具体的には、溶媒を含む表面保護用組成物をはく離ライナーの一方の面に塗布し、溶媒を揮発させることによって、保護層とはく離ライナーとを積層させた。さらに、はく離ライナーを保護層に貼り合わせて、２つのはく離ライナーの間に保護層を配置した表面保護シートを作製した。

［実施例１～１０、比較例］
（表面保護シートａの作製）
　下記のポリビニルアルコール（市販品）を用意した。このポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を下記のアルコール水溶液のいずれかに溶解させて、ＰＶＡ溶液を調製した。調製したＰＶＡ溶液に下記の光酸発生剤又は光塩基発生剤をＰＶＡ１００質量部に対して表１に示す量となるようにそれぞれ添加して混合した。各ＰＶＡ溶液をはく離ライナーａ（ＰＥＴフィルム　厚さ５０μｍ）上にそれぞれ塗布した。各はく離ライナーａは、シリコーン離型処理が施された面を有し、この面上にアプリケータを用いて上記ＰＶＡ溶液を塗布した。さらに、１１０℃で２分間乾燥処理を行い、はく離ライナーａの一方の面に重なった厚さ１０μｍの保護層をそれぞれ形成した。その後、斯かる各保護層の露出面にはく離ライナーｂ（ＰＥＴフィルム　厚さ２５μｍ）を重ね合わせた。なお、各はく離ライナーｂは、シリコーン離型処理が施された面を有し、この面を保護層に貼り付けた。このようにして、２つのはく離ライナーに挟まれた表面保護シートａをそれぞれ作製した。
・ポリビニルアルコール
　けん化度：３５（モル％）、平均重合度：２００
・アルコール水溶液
　エタノール５０％濃度水溶液（実施例１～３、９、１０、比較例）
　イソプロピルアルコール６０％濃度水溶液（実施例４～８）
・光酸発生剤
　スルホニウム塩タイプ　製品名「ＣＰＩ－２００Ｋ」　サンアプロ社製（気相酸性度：２５６）
　　化学名：ジフェニル［４－（フェニルスルファニル）フェニル］スルホニウム＝トリフルオロトリス（ペンタフルオロエチル）－λ^５－ホスファヌイド　［別名：Diphenyl[4-(phenylthio)phenyl]sulfonium, trifluorotris(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)phosphate(1-) (1:1)］
　スルホニウム塩タイプ　製品名「ＣＰＩ－３１０ＦＧ」　サンアプロ社製（気相酸性度：２５９）
　ヨードニウム塩タイプ　製品名「ＩＫ－１」　サンアプロ社製（気相酸性度：２５６）
　　化学名：（４－イソプロピルフェニル）（４－トリル）ヨードニウム＝トリフルオロ［トリス（ペンタフルオロエチル）］－λ^５－ホスファヌイド　［別名：[4-(1-Methylethyl)phenyl](4-methylphenyl)iodonium trifluorotris(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)phosphate(1-) (1:1)］
・光塩基発生剤
　製品名「ＷＰＢＧ－２６６」　富士フィルム社製
　　化学名：2-(3-Benzoylphenyl)propionic acid 1,2-diisopropyl-3[bis(dimethylamino)methylene]guanidine　［別名：Benzeneacetic acid, 3-benzoyl-α-methyl-, compd. with N,N,N',N'-tetramethyl-N''-[[(1-methylethyl)amino][(1-methylethyl)imino]methyl]guanidine (1:1)］
（マウント工程及び保護工程）
　作製した表面保護シートａからはく離ライナーｂを剥離して取り除き、保護層の一方面を露出させた。この露出面を、ダイシングテープに重なっているシリコンベアウエハ（基板）に貼り合わせた。
　ウエハのこの露出面（ダイシングテープとの接触面と反対側の面）と、はく離ライナーｂを剥離した保護層の上記露出面とが当接するように貼り合わせた。貼り合わせのときに、ステージ温度を９０℃に加温した日東精機社製ＭＶ３０００真空マウンターを用いた。このようにして、ダイシングテープとシリコンベアウエハと保護層とがこの順で積層した状態とした。
（除去工程）
　保護層に対して、高圧水銀ランプによる５００ｍＪ／ｃｍ^２の照射処理（紫外線を含む光照射処理）を実施して、保護層の親水性を高めた。その後、保護層を除去するため、ＤＩＳＣＯ社製の洗浄ユニット（製品名　ＤＦＤ６３６１）を用いて、以下のようにして除去工程を実施した。ダイシングテープを下方から支える円板状のステージを周方向に回転させつつ、ダイボンドシートの小片にそれぞれ貼り付いている半導体チップに向けて２５℃の水を噴射した。ステージの回転速度は、１０００ｒｐｍ、水の噴射時間は、それぞれ表１に示す通りであった。

［比較例］
　表面保護シートの保護層を作製するときに、ＰＶＡ水溶液に光酸発生剤を添加しなかった点、除去工程において紫外線を小片化された保護層に照射しなかった点、除去工程における水の噴射時間を変更した点以外は、実施例１と同様にして表面保護シートｂを作製した。

＜紫外線照射の前後における保護層の吸水率＞
　三菱ケミカルアナリティック社製の水分測定装置（製品名「ＣＡ－０７」）及び水分気化装置（製品名「ＶＡ－０７」）を用いて、カールフィッシャー／電量滴定法により、保護層の吸水率を測定した。具体的には、約４ｍｇで秤量した保護層の試験サンプルを、２３℃且つ５０ＲＨ％の定常状態に置いた。その後、水分気化装置によって１５０℃で３分間加熱して試験サンプルの水分を蒸発させつつ、気化した水分量を測定した。
　加熱前の試験サンプルの質量に対する、測定された水分量の割合から、吸水率を求めた。

＜評価：基板との密着性（紫外線照射前）＞
　以下の評価基準にしたがって、シリコンベアウエハに対する保護層の密着性を評価した。
　（良）　シリコンベアウエハに対する保護層の密着力が０．２Ｎ／１００ｍｍ以上
　（不良）　シリコンベアウエハに対する保護層の密着力が０．２Ｎ／１００ｍｍ未満

＜評価：保護層の除去の簡便さ（紫外線照射後）＞
　上記のごとく除去工程を実施した後、保護層を除去するために用いた水を取り除いた。さらに、シリコンベアウエハの表面をフーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ－ＩＲ）で分析した。斯かる分析によって、残留有機物の有無を確認した。なお、保護層の除去の簡便さに関わる評価基準は、以下の通りである。
　（良）　保護層の残留物が目視確認では認められない（８００～４０００ｃｍ^－１における極大吸収が０．０５以下である）
　（やや良）　保護層の残留物が目視確認では認められない（ただし、８００～４０００ｃｍ^－１における極大吸収が０．０５を超える）
　（不良）　保護層の残留物が目視確認で認められる

　以上のようにして、実施例及び比較例の各製造方法を実施した。各製造方法において使用した表面保護シートの保護層の詳細、及び、評価結果について表１に示す。

　上記の評価結果から把握されるように、実施例の半導体装置の製造方法によって半導体装置を製造することによって、半導体チップ（ダイ）の回路面に異物が付着することを抑制できたため、回路面を保護できた。また、除去工程において、小片化された複数の保護層を水によって比較的簡便に除去することができたため、効率良く半導体装置を製造できた。なお、除去工程において保護層に照射するエネルギー量が多くても少なくても（紫外線の照射時間が長くても短くても）、保護層の除去性に大きな差はなかった。

　上記のごとき実施例の半導体装置の製造方法を実施することによって、異物などがほとんど付着していない半導体チップが複数積層された半導体装置などを、効率良く製造することができる。

　本発明の電子部品装置の製造方法は、例えば、半導体集積回路などを有する半導体装置を製造するために好適に使用される。

　１０：表面保護シート、
　　　１１：保護層、　１１’：保護層の小片、　１５：はく離ライナー、
　２０：ダイシングテープ、
　　２１：基材層、　２２：粘着剤層、
　３０：ダイボンドシート、
　Ｇ：ガラスキャリア、
　Ｗ：半導体ウエハ、　Ｘ：半導体チップ、　Ｖ：貫通ビア、　Ｄ：電極部、
　Ｂ：バックグラインドテープ。

Claims

　基板の少なくとも一方の面を保護する表面保護用組成物であって、
　親水基を分子中に有するポリマーと、加熱又は活性エネルギー線の照射の少なくとも一方によって酸又は塩基を生じる化合物とを含む、表面保護用組成物。
　前記化合物が、前記活性エネルギー線の照射によって酸又は塩基を生じる化合物である、請求項１に記載の表面保護用組成物。
　前記ポリマーの前記親水基がヒドロキシ基又はカルボキシ基である、請求項１又は２に記載の表面保護用組成物。
　前記加熱を受ける前、又は、前記活性エネルギー線の照射を受ける前の吸水率が、０．１質量％以上１．５質量％未満であり、
　前記加熱を受けた後の吸水率、又は、前記活性エネルギー線の照射として高圧水銀ランプによる５００ｍＪ／ｃｍ^２の照射を受けた後の吸水率が、１．５質量％以上である、請求項１又は２に記載の表面保護用組成物。
　請求項１又は２に記載された表面保護用組成物で形成された保護層を備える表面保護シート。
　前記保護層の少なくとも一方の面に重なったはく離ライナーをさらに備える、請求項５に記載の表面保護シート。
　基板の両面のうち保護される少なくとも一方の被保護面に表面保護用組成物から形成された保護層を重ねることによって前記被保護面を保護する工程と、
　前記被保護面に重なった前記保護層を除去する工程と、を含み、
　前記表面保護用組成物は、
　親水基を分子中に有するポリマーと、加熱又は活性エネルギー線の照射の少なくとも一方によって酸又は塩基を生じる化合物とを含み、
　前記除去する工程では、加熱又は活性エネルギー線の照射によって前記化合物から前記酸又は前記塩基を生じさせて前記保護層の親水性を高め、該保護層の少なくとも一部を水を含む液体に溶解させることによって前記保護層を除去する、電子部品装置の製造方法。
　前記基板の前記被保護面に、回路構成要素が配置されている、請求項７に記載の電子部品装置の製造方法。