CN111048462B - 基板支承装置及其制造方法 - Google Patents

基板支承装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111048462B
CN111048462B CN201910957782.0A CN201910957782A CN111048462B CN 111048462 B CN111048462 B CN 111048462B CN 201910957782 A CN201910957782 A CN 201910957782A CN 111048462 B CN111048462 B CN 111048462B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas supply
supply hole
electrostatic chuck
substrate
substrate supporting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910957782.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111048462A (zh
Inventor
李相起
李在京
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN111048462A publication Critical patent/CN111048462A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111048462B publication Critical patent/CN111048462B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明的一实施例提供一种基板支承装置及其制造方法，基板支承装置包括：底座，至少形成一个以上第一气体供给孔，以便供给温度调节气体；以及静电卡盘，设置于所述底座上并支承基板，并且至少形成一个以上第二气体供给孔，以便与所述第一气体供给孔连通，所述第二气体供给孔在烧结所述静电卡盘之前加工。

Description

基板支承装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于处理半导体晶圆等基板的基板支承装置及其制造方法。
背景技术
最近，在半导体器件制造工艺中，在半导体基板形成膜或蚀刻膜的工艺中大量使用等离子体处理设备。
等离子体处理设备包括：加工腔室，具备用于加工半导体基板的空间；以及基板支承装置，布置于加工腔室内部并支承半导体基板。
基板支承装置包括：底座，由铝构成；陶瓷静电卡盘，布置于底座的上侧；内部电极，设置于陶瓷静电卡盘的内部。在内部电极连接用于产生静电力的电源，半导体基板通过静电力吸附固定于静电卡盘上。
位于静电卡盘上的半导体基板通过等离子体气体加热，向半导体基板的背面供给用于调节半导体基板的温度的冷却气体。作为冷却气体，主要使用氦(He)气，冷却气体通过在底座及静电卡盘形成的冷却气体供给孔向基板的背面供给。
另一方面，随着半导体微细化，用于产生等离子体的RF功率越来越高，冷却气体供给孔内的放电产生问题成为严重的问题。这种放电可能引发基板支承装置的损伤。
为了抑制产生放电，技术开发朝着减小冷却气体供给孔的直径或插入多孔性陶瓷等最小化能够产生放电的空间的方向进行，但因机械加工的局限，将孔的直径减小到一定直径(例如，0.1mm)以下存在局限。另外，仅通过在气体导入通路内设置陶瓷多孔体并不能获得足够的绝缘耐压。
现有技术文献
专利文献
专利文献1韩国公开专利10-2017-0025964
发明内容
本发明提供一种能够使气体供给孔内的放电产生最小化的基板支承装置及其制造方法。
本发明的目的不限于前述的内容，未提及的本发明的其他目的和优点可通过下述说明得到理解。
本发明的实施例的基板支承装置可以包括：底座，至少形成一个以上第一气体供给孔，以便供给温度调节气体；以及静电卡盘，设置于所述底座上并支承基板，并且至少形成一个以上第二气体供给孔，以便与所述第一气体供给孔连通，所述第二气体供给孔在烧结所述静电卡盘之前加工。
在本发明的实施例中，可以是，所述第二气体供给孔具有比所述第一气体供给孔的直径小的直径。
在本发明的实施例中，可以是，所述第二气体供给孔在一个所述第一气体供给孔的直径范围内形成多个。
在本发明的实施例中，可以是，所述第二气体供给孔之间的间距不规则布置。
在本发明的实施例中，可以是，所述底座和所述静电卡盘通过粘合层而粘合。
在本发明的实施例中，可以是，所述基板支承装置还包括多孔体，所述多孔体设置于所述第一气体供给孔。
另外，本发明的实施例的基板支承装置的制造方法可以包括以下步骤：在底座加工第一气体供给孔；在静电卡盘加工第二气体供给孔；烧结所述静电卡盘，使第二气体供给孔的直径缩小；以及将烧结的所述静电卡盘固定于所述底座上，以使所述第一气体供给孔与所述第二气体供给孔连通。
在本发明的实施例中，可以是，于在所述静电卡盘加工第二气体供给孔的步骤中，所述第二气体供给孔在一个所述第一气体供给孔的直径范围内形成多个。
在本发明的实施例中，可以是，所述基板支承装置的制造方法还包括在烧结所述静电卡盘之后向第二气体供给孔内以设定压力供给流体的步骤。
根据本发明的实施例，在烧结静电卡盘之前加工气体供给孔，在烧结静电卡盘时使气体供给孔收缩，最大限度减小气体供给孔的直径，从而最小化气体供给孔内的放电。
应当理解，本发明的效果不限于以上所述的效果，而是包括从本发明的详细说明或权利要求书中所记载的发明的构成能够推出的所有效果。
附图说明
图1是本发明的第一实施例的基板支承装置的俯视图。
图2是本发明的第一实施例的基板支承装置的剖面图。
图3是详细展示图2的“A”部分的放大图。
图4是展示对图3的比较例的图。
图5是依次示出本发明的第一实施例的基板支承装置的制造过程的流程图。
图6是本发明的第二实施例的基板支承装置的俯视图。
图7是本发明的第二实施例的基板支承装置的剖面图。
附图标记说明
100：基板支承装置；110：底座；111：第一气体供给孔；120：静电卡盘；121、122：第二气体供给孔；130：电极；140：粘合层；150：多孔体。
具体实施方式
以下底面，参考所附的附图，详细说明本发明的实施例。本发明能够以各种不同形态实现，不限于此处说明的实施例。
为了明确说明本发明，对于与本发明的本质无关的部分，有时省略对其的具体说明，对在整个说明书中相同或类似构成要件有时赋予相同的附图标记。
另外，当称为某部分“包括”某构成要件时，其除非有特别相反的记载，并非排除其它构成要件而是意指可以还包括其他构成要件。在此所使用的专业术语仅出于提及特定实施例的意图，无意限定本发明，除非在本说明书中另有定义，可以以具备本发明所属技术领域的一般知识的人所理解的概念来解释。
图1及图2是示出本发明的第一实施例的基板支承装置的图。
参考图1及图2，一实施例的基板支承装置包括底座110、陶瓷静电卡盘120。
底座110支承陶瓷静电卡盘120。即，底座110具有顶面和底面，在底座110的顶面布置陶瓷静电卡盘120。底座110可以由金属材质例如铝形成。
在底座110至少准备一个以上第一气体供给孔111。第一气体供给孔111可以以贯通底座110的顶面和底面的方式形成。
因此，底座110可以执行调整静电卡盘120的温度的作用。例如，在冷却静电卡盘120的情况下，可以从第一气体供给孔111流入冷却介质，冷却附着在底座110上的静电卡盘120。相反，在对静电卡盘120进行保温的情况下，也可以将保温介质送入第一气体供给孔111。或者，也可以在静电卡盘120或底座110内置发热体。如此，若通过底座110调整静电卡盘120的温度，则能够调整通过静电卡盘120吸附保持的对象物即基板的温度。
静电卡盘120设置于底座110的顶面。静电卡盘120可以通过粘合层140固定于底座110。作为粘合层140，例如可以适用硅胶粘合剂。
在静电卡盘120的内部设置电极130。若向电极130施加吸附保持用电压，则静电卡盘120通过静电力而能够保持对基板的吸附。
在静电卡盘120至少形成一个以上第二气体供给孔121。第二气体供给孔121在烧结静电卡盘120之前加工。之后，在烧结静电卡盘120时，第二气体供给孔121的直径能够被缩小。因此，优选的是，在烧结静电卡盘120时，掌握第二气体供给孔121的直径缩小的程度，在电极130以不产生与第二气体供给孔21的干涉的方式形成直径大于第二气体供给孔121直径的孔。
第二气体供给孔121与第一气体供给孔111连通。第二气体供给孔121在烧结静电卡盘120时缩小，从而能够具有比第一气体供给孔111的直径小的直径。另外，第二气体供给孔121可以具有彼此不同的直径。
另一方面，如图2所示，在烧结静电卡盘之后，第二气体供给孔121能够布置成彼此之间不规则的间距。例如，在任一个第二气体供给孔与相邻的第二气体供给孔之间的间距为d1，另一个第二气体供给孔与相邻第二气体供给孔之间的间距为d2时，d1与d2可以彼此不同。
如此，内部具备电极130，经烧结制造而成的陶瓷静电卡盘120向设置在内部的电极130施加静电吸附用电力，从而通过静电力来吸附硅晶圆等基板。
若在保持吸附基板的状态下，向第一气体供给孔111提供氦(He)等冷却气体，则冷却气体通过与第一气体供给孔111连通的第二气体供给孔121向布置于静电卡盘120上的基板的底面传递，基板能够被传递的冷却气体直接冷却。
另一方面，若如一实施例那样，在烧结静电卡盘120之前加工第二气体供给孔121之后进行对静电卡盘120的烧结，则如图3那样，第二气体供给孔121的内壁无结晶粒121a损伤而能够得到稳定的孔结构。但是，如图4所示，在通过烧结静电卡盘120＇之后打孔的方法来形成第二气体供给孔121＇的情况下，在第二气体供给孔121＇的内壁产生结晶粒121a＇的损伤，由此从在工艺过程中损伤的结晶粒121a＇可能产生颗粒。
图5是示出制造本发明的第一实施例的基板支承装置的方法的流程图。
参考图5，基板支承装置是在金属材质的底座上粘合固定烧结完毕的陶瓷材质的静电卡盘而制造。
就这种静电卡盘而言，可以使氦(He)等惰性气体向静电卡盘的表面与吸附对象物即基板的背面之间流动，从而控制吸附对象物即基板的温度。
例如，就化学气相沉积装置(CVD，ChemicalVaporDeposition)、溅镀装置、离子注入装置、蚀刻装置等对基板进行处理的装置而言，处理过程中有时伴随基板的温度上升。就这种基板处理装置而言，使氦等惰性气体向静电卡盘与吸附对象物即基板之间流动，使惰性气体接触于基板，从而抑制基板的温度上升。
就通过氦(He)等惰性气体来控制基板的温度的基板处理装置而言，在静电卡盘及支承静电卡盘的底座形成用于导入氦(He)等惰性气体的气体供给孔。
即，在底座形成第一气体供给孔(S10)，在静电卡盘以与其相对应的方式形成第二气体供给孔(S20)。在第一气体供给孔内可以设置陶瓷多孔体而增加气体供给孔内的绝缘性。
在烧结静电卡盘之前加工第二气体供给孔。而且，在烧结静电卡盘时，第二气体供给孔的直径减小(S30)。因此，在静电卡盘烧结完毕之后，第二气体供给孔的直径能够充分减小。即，以往是烧结静电卡盘之后利用打孔或激光形成第二气体供给孔，从而将其直径减小到一定直径例如0.1mm以下是存在局限，因此减少第二气体供给孔内产生放电存在局限。但是，根据本发明的实施例，加工第二气体供给孔之后烧结静电卡盘，从而能够充分减小第二气体供给孔的直径。
如此，能够加工微细孔，因此在利用通过上述的方法制造的静电卡盘来进行工艺的情况下，能够最小化第二气体供给孔内的放电产生。
另一方面，在烧结静电卡盘之前加工第二气体供给孔再进行静电卡盘的烧结的情况下，第二气体供给孔之间的间距根据其收缩率可能不规则。因此，在烧结静电卡盘之前加工第二气体供给孔时，需要考虑其收缩率而与设定位置对应地准确加工气体供给孔。
例如，若烧结前加工第二气体供给孔，则烧结时的收缩可能导致产生气体供给孔的堵塞现象。尤其，在加工0.1mm以下的微细孔的情况下，气体供给孔的堵塞可能成为问题。因此，在一实施例中，可以还包括烧结静电卡盘之后向第二气体供给孔供给具有预定液压的流体(液体或气体)从而消除孔堵塞的步骤(S40)。
之后，烧结完毕的静电卡盘可以利用硅胶粘合剂等而粘合固定于底座上(S50)。
图6及图7是示出本发明的第二实施例的基板支承装置的图。
参考图6及图7，第二实施例的基板支承装置包括底座110和静电卡盘120。
在底座110至少形成一个以上第一气体供给孔111。第一气体供给孔111可以贯通底座110的顶面和底面而形成。
静电卡盘120布置于底座110的上侧。静电卡盘120可以通过粘合层140与底座110粘合固定。在静电卡盘120至少形成一个以上第二气体供给孔122。第二气体供给孔122可以贯通静电卡盘120的顶面和底面而形成。
第二气体供给孔122可以在第一气体供给孔111的直径范围内对应形成多个。即，在一个第一气体供给孔111的上侧以连通方式布置由多个构成的1组(Group)第二气体供给孔122。
此时，如图7所示，烧结静电卡盘之后，包含于各组的第二气体供给孔122彼此间可以以不规则的间距布置。例如，当在任一组内，任一个第二气体供给孔与相邻的第二气体供给孔之间的间距为d3，另一个第二气体供给孔与相邻的第二气体供给孔之间的间距为d4时，d3与d4可以彼此不同。
在静电卡盘120内部设置电极130，以通过静电力能够吸附保持基板。第二气体供给孔122需要以不与电极130的干涉的方式形成。即，应在电极130中，在对应于第二气体供给孔的122的位置以比第二气体供给孔122的直径大的直径形成孔。
本发明所属技术领域的从业人员能够将本发明不改变其技术思想和必要特征的情况下以其它具体形态实施，因此应当理解为以上所记述的实施例在所有方面为示例性并非限定性。
比起说明书，权利要求书更能体现本发明的范围，应解释为权利要求书的意思、范围以及从其等价概念导出的所有变更或变形形态均包括在本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种基板支承装置，包括：
底座，至少形成一个以上第一气体供给孔，以便供给温度调节气体；以及
静电卡盘，设置于所述底座上并支承基板，并且至少形成一个以上第二气体供给孔，以便与所述第一气体供给孔连通，
所述第二气体供给孔在烧结所述静电卡盘之前加工，
所述第二气体供给孔以0.1mm以下的直径贯通所述静电卡盘的顶面和底面。
2.根据权利要求1所述的基板支承装置，其中，
所述第二气体供给孔具有比所述第一气体供给孔的直径小的直径。
3.根据权利要求1所述的基板支承装置，其中，
所述第二气体供给孔具有彼此不同的直径。
4.根据权利要求1所述的基板支承装置，其中，
所述第二气体供给孔在一个所述第一气体供给孔的直径范围内形成多个。
5.根据权利要求4所述的基板支承装置，其中，
所述第二气体供给孔之间的间距不规则布置。
6.根据权利要求1所述的基板支承装置，其中，
所述底座和所述静电卡盘通过粘合层而粘合。
7.根据权利要求1所述的基板支承装置，其中，
所述基板支承装置还包括多孔体，所述多孔体设置于所述第一气体供给孔。
8.一种基板支承装置的制造方法，包括以下步骤：
在底座加工第一气体供给孔；
在静电卡盘加工第二气体供给孔；
烧结所述静电卡盘，使第二气体供给孔的直径缩小，并且所述第二气体供给孔以0.1mm以下的直径贯通所述静电卡盘的顶面和底面；以及
将烧结的所述静电卡盘固定于所述底座上，以使所述第一气体供给孔与所述第二气体供给孔连通。
9.根据权利要求8所述的基板支承装置的制造方法，其中，
于在所述静电卡盘加工第二气体供给孔的步骤中，所述第二气体供给孔在一个所述第一气体供给孔的直径范围内形成多个。
10.根据权利要求8所述的基板支承装置的制造方法，其中，
所述基板支承装置的制造方法还包括在烧结所述静电卡盘之后向第二气体供给孔内以设定压力供给流体的步骤。
CN201910957782.0A 2018-10-15 2019-10-10 基板支承装置及其制造方法 Active CN111048462B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0122794 2018-10-15
KR1020180122794A KR102188779B1 (ko) 2018-10-15 2018-10-15 기판 지지 장치 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111048462A CN111048462A (zh) 2020-04-21
CN111048462B true CN111048462B (zh) 2023-07-21

Family

ID=70162336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910957782.0A Active CN111048462B (zh) 2018-10-15 2019-10-10 基板支承装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11011405B2 (zh)
KR (1) KR102188779B1 (zh)
CN (1) CN111048462B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7441404B2 (ja) * 2019-03-05 2024-03-01 Toto株式会社 静電チャック、および処理装置
KR20210057384A (ko) * 2019-11-12 2021-05-21 주식회사 미코세라믹스 정전척
KR20220012590A (ko) 2020-07-23 2022-02-04 세메스 주식회사 정전척 제조 방법 및 재생 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274281A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Kobe Steel Ltd 静電チャック及びその製造方法
JP2003197727A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Kyocera Corp ウエハ載置ステージ
JP2007194320A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電チャック装置
JP2008153701A (ja) * 2008-03-10 2008-07-03 Kyocera Corp 静電チャック
JP2009218592A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Ngk Insulators Ltd 静電チャック

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277593A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Ibiden Co Ltd 静電チャック
JP3965258B2 (ja) * 1999-04-30 2007-08-29 日本碍子株式会社 半導体製造装置用のセラミックス製ガス供給構造
JP4937724B2 (ja) * 2006-12-15 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板載置台の製造方法、基板処理装置、流体供給機構
KR101384585B1 (ko) * 2007-09-06 2014-04-11 가부시키가이샤 크리에이티브 테크놀러지 정전 척 장치에서의 가스공급구조의 제조방법 및 정전 척 장치 가스공급구조 및 정전 척 장치
JP4929150B2 (ja) * 2007-12-27 2012-05-09 新光電気工業株式会社 静電チャック及び基板温調固定装置
JP5363132B2 (ja) * 2008-02-13 2013-12-11 日本碍子株式会社 酸化イットリウム材料、半導体製造装置用部材及び酸化イットリウム材料の製造方法
JP5268476B2 (ja) * 2008-07-29 2013-08-21 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
JP5785862B2 (ja) 2011-11-30 2015-09-30 新光電気工業株式会社 静電チャック及びその製造方法、基板温調固定装置
JP5872998B2 (ja) * 2012-04-26 2016-03-01 日本特殊陶業株式会社 アルミナ焼結体、それを備える部材、および半導体製造装置
JP5984504B2 (ja) * 2012-05-21 2016-09-06 新光電気工業株式会社 静電チャック、静電チャックの製造方法
US9608550B2 (en) * 2015-05-29 2017-03-28 Lam Research Corporation Lightup prevention using multi-layer ceramic fabrication techniques
KR101791871B1 (ko) 2015-08-31 2017-10-31 세메스 주식회사 정전 척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274281A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Kobe Steel Ltd 静電チャック及びその製造方法
JP2003197727A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Kyocera Corp ウエハ載置ステージ
JP2007194320A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電チャック装置
JP2008153701A (ja) * 2008-03-10 2008-07-03 Kyocera Corp 静電チャック
JP2009218592A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Ngk Insulators Ltd 静電チャック

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
电介质刻蚀设备生产效能提升研究;金异波;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 (信息科技辑)》(第01期);I135-105 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR102188779B1 (ko) 2020-12-08
KR20200042330A (ko) 2020-04-23
CN111048462A (zh) 2020-04-21
US11011405B2 (en) 2021-05-18
US20200118860A1 (en) 2020-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5357639B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
CN111048462B (zh) 基板支承装置及其制造方法
JP5464655B2 (ja) 環状固定及び背面冷却を行う静電クランプ
JP4397271B2 (ja) 処理装置
US8295026B2 (en) Electrostatic chuck and substrate processing apparatus having same
JP4739039B2 (ja) 静電チャック装置
CN106716619B (zh) 静电吸盘装置
US20060144516A1 (en) Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
CN112053988A (zh) 具有独立隔离的加热器区域的晶片载体
JP7454976B2 (ja) 基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法
JP5011736B2 (ja) 静電チャック装置
JP2004282047A (ja) 静電チャック
JP2020145281A (ja) 静電チャック
JP2006013256A (ja) 静電チャック
WO2021158612A1 (en) Electrostatic edge ring mounting system for substrate processing
JP4390629B2 (ja) 静電吸着装置およびプラズマ処理装置
JP5785862B2 (ja) 静電チャック及びその製造方法、基板温調固定装置
US11145532B2 (en) Electrostatic chuck
JP7484152B2 (ja) 静電チャック
JP7486018B2 (ja) 静電チャック
US20210082731A1 (en) Substrate fixing device and electrostatic chuck
TWI794131B (zh) 靜電吸盤
US20230064141A1 (en) Substrate processing apparatus including electrostatic chuck, substrate processing method, and method of manufacturing electrostatic chuck
US20230068968A1 (en) Electrostatic chuck and processing apparatus
KR20210157876A (ko) 플라스마 처리 시스템, 플라스마 처리 장치 및 에지 링의 교환 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant