CN108335963A - 等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种使等离子体处理的均匀性提高的等离子体处理装置。该等离子体处理装置利用用于生成等离子体的高频电力来将供给到腔室内的气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置具有：台，其以第一电极与第二电极分离的方式形成，该第一电极在上部载置基板，该第二电极在上部设置聚焦环且该第二电极设置于所述第一电极的周围；第一高频电源，其向所述第一电极施加主要用于吸引等离子体中的离子的第一高频电力；第二高频电源，其与所述第一高频电源独立地设置，向所述第二电极施加主要用于吸引等离子体中的离子的第二高频电力；以及控制部，其独立地控制所述第一高频电源和所述第二高频电源。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及一种等离子体处理装置。
背景技术
已知用于使等离子体处理的均匀性提高的各种技术(例如参照专利文献1、2)。例如，在专利文献1中公开了一种如下的技术：根据在等离子体处理时消耗的聚焦环的消耗量来控制阻抗调整电路，由此使施加于聚焦环的高频电力变化。据此，能够通过控制鞘层来使等离子体处理的均匀性提高。
在专利文献2中公开了：在对台的晶圆载置侧和聚焦环设置侧进行支承的基台形成槽。据此，抑制台的晶圆载置侧与聚焦环侧之间的热的移动，由此使等离子体处理的均匀性提高。
专利文献1：日本特开2010-186841号公报
专利文献2：日本特开2014-150104号公报
+
发明内容
发明要解决的问题
然而，关于专利文献1、2的台，并不是完全分离为晶圆载置侧与聚焦环设置侧的构造，而是至少一部分没有分离的构造。因此，产生难以在台的晶圆载置侧和聚焦环设置侧实现等离子体处理的均匀性的情况。
针对上述问题，在一个方面中，本发明的目的是使等离子体处理的均匀性提高。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种等离子体处理装置，其利用用于生成等离子体的高频电力来将供给到腔室内的气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置具有：台，其以第一电极与第二电极分离的方式形成，该第一电极在上部载置基板，该第二电极在上部设置聚焦环且该第二电极设置于所述第一电极的周围；第一高频电源，其向所述第一电极施加主要用于吸引等离子体中的离子的第一高频电力；第二高频电源，其与所述第一高频电源独立地设置，向所述第二电极施加主要用于吸引等离子体中的离子的第二高频电力；以及控制部，其独立地控制所述第一高频电源和所述第二高频电源。
发明的效果
根据一个方面，能够使等离子体处理的均匀性提高。
附图说明
图1是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的一例的图。
图2是将一个实施方式所涉及的台的一例放大的图。
图3是示出台的上部的鞘层的状态的图。
图4是将一个实施方式所涉及的台的其它例子放大的图。
图5是一个实施方式所涉及的多接点构造的一例的图。
附图标记说明
1：等离子体处理装置；10：腔室；11：静电卡盘；12：台(下部电极)；12a：基台；13：第一电极；14：第二电极；16：聚焦环；15a、15b：电介质；18a、18d：制冷剂流路；19：冷却单元；20：第一电力供给装置；21：第一高频电源；22：第三高频电源；25：第一直流电源；26：第二电力供给装置；27：第二高频电源；28：第四高频电源；31：第二直流电源；37：排气装置；40：气体喷头(上部电极)；41：气体供给源；101：控制部；100：多接点构件；110：隔热件；117：槽；120：真空空间；125：隔热件。
具体实施方式
下面参照附图来说明用于实施本发明的方式。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，由此省略重复的说明。
[等离子体处理装置的整体结构]
首先，举例说明本发明的一个实施方式所涉及的等离子体处理装置1。等离子体处理装置1具有例如由铝等导电性材料构成的腔室10。腔室10接地。在腔室10内设置有载置半导体晶圆(以下称为“晶圆W”。)和聚焦环16的台12。台12由支承体42支承。此外，晶圆W为作为等离子体处理对象的基板的一例。
本实施方式所涉及的等离子体处理装置1为如下的平行平板型的等离子体处理装置：将也作为下部电极发挥功能的台12和也作为上部电极发挥功能的气体喷头40相向地配置，从气体喷头40向腔室10内供给气体。
关于台12，台12中央的晶圆载置侧(以下称为“晶圆W侧”。)与台12外缘的聚焦环16侧分离，它们之间完全分离。
在台12中央的晶圆W侧上表面设置有用于静电吸附晶圆W的静电卡盘11。静电卡盘11以作为导电层的吸附用电极11a存在于电介质15a中的方式构成。静电卡盘11以覆盖台12中央的晶圆W侧上表面整体的方式配置。此外，也可以在电介质15b设置吸附用电极来吸附聚焦环16。
在本实施方式的台12的晶圆W侧，圆盘状的第一电极13和静电卡盘11设置在基台12a上。在台12的聚焦环16侧，环状的第二电极14和电介质15b设置在基台12a上。在静电卡盘11上载置晶圆W。在电介质15b上设置有聚焦环16。聚焦环16以包围晶圆W的外缘的方式配置。此外，基台12a由电介质构件形成。
电介质15a和电介质15b例如由氧化钇(Y2O3)、氧化铝(Al2O3)或陶瓷形成。第一电极13和第二电极14由铝(Al)、钛(Ti)、钢、不锈钢等导电性构件形成。聚焦环16由硅或石英形成。
在第一电极13连接有第一电力供给装置20。第一电力供给装置20具有第一高频电源21、第三高频电源22以及第一直流电源25。第一高频电源21供给作为主要用于吸引离子的高频电力LF的第一高频电力。第三高频电源22供给作为主要用于生成等离子体的高频电力HF的第三高频电力。第一直流电源25供给第一直流电流。
第一高频电源21向第一电极13例如供给20MHz以下的(例如13.56MHz等)频率的第一高频电力。第三高频电源22向第一电极13供给比20MHz大的(例如40MHz、60MHz等)频率的第三高频电力。第一直流电源25向第一电极13供给第一直流电流。
第一高频电源21经由第一匹配器23来与第一电极13电连接。第三高频电源22经由第三匹配器24来与第一电极13电连接。第一匹配器23使负载阻抗与第一高频电源21的内部(或输出)阻抗匹配。第三匹配器24使负载阻抗与第三高频电源22的内部(或输出)阻抗匹配。
在第二电极14连接有第二电力供给装置26。第二电力供给装置26具有第二高频电源27、第四高频电源28以及第二直流电源31。第二高频电源27供给作为主要用于吸引离子的高频电力LF的第二高频电力。第四高频电源28供给作为主要用于生成等离子体的高频电力HF的第四高频电力。第二直流电源31供给第二直流电流。
第二高频电源27向第二电极14供给例如20MHz以下的(例如13.56MHz等)频率的第二高频电力。第四高频电源28向第二电极14供给比20MHz大的(例如40MHz、60MHz等)频率的第四高频电力。第二直流电源31向第二电极14供给第二直流电流。
第二高频电源27经由第二匹配器29来与第二电极14电连接。第四高频电源28经由第四匹配器30来与第二电极14电连接。第二匹配器29使负载阻抗与第二高频电源27的内部(或输出)阻抗匹配。第四匹配器30使负载阻抗与第四高频电源28的内部(或输出)阻抗匹配。
如以上那样，关于本实施方式所涉及的台12，晶圆W侧与聚焦环16侧分离。也就是说，台12以在上部载置晶圆W的静电卡盘11及第一电极13与在上部设置聚焦环16且设置于第一电极13的周围的电介质15b及第二电极14分离的方式形成在电介质构件的基台12a上。
另外，关于向本实施方式所涉及的台12供给高频电力等的电源系统，也是晶圆侧的第一电力供给装置20与聚焦环16侧的第二电力供给装置26这两个系统分别独立地设置。由此，能够分别独立地进行晶圆W侧的电源控制和聚焦环16侧的电源控制。
在第一电极13和第二电极14的内部形成有制冷剂流路18a和制冷剂流路18d。从冷却单元19向制冷剂流路18a和制冷剂流路18d供给作为适当制冷剂的例如冷却水等，制冷剂经过制冷剂入口配管18b和制冷剂出口配管18c进行循环。此外，也可以设为制冷剂流路18a和制冷剂流路18d分别与单独的冷却单元连接而能够独立地进行温度控制的结构。
传热气体供给源34使氦气(He)、氩气(Ar)等传热气体通过气体供给线33而向静电卡盘11上的晶圆W的背面供给。利用所述结构，静电卡盘11利用在制冷剂流路18a、18d中循环的制冷剂和供给到晶圆W的背面的传热气体进行温度控制。其结果是，能够将晶圆W控制在规定的温度。
气体喷头40经由覆盖其外缘部的电介质的屏蔽环43安装于腔室10的顶部。气体喷头40既可以电接地，也可以构成为连接未图示的可变直流电源来向气体喷头40施加规定的直流(DC)电压。
在气体喷头40形成有用于从气体供给源41导入气体的气体导入口45。在气体喷头40的内部设置有将从气体导入口45导入的气体扩散的中央侧的扩散室50a和外周侧的扩散室50b。
在气体喷头40形成有用于从这些扩散室50a、50b向腔室10内供给气体的大量气体供给孔55。各气体供给孔55配置为能够向台12与气体喷头40之间供给气体。
通过所述结构，能够控制为从气体喷头40的外周侧供给第一气体，从气体喷头40的中央侧供给气体种类与第一气体的气体种类不同或气体比与第一气体的气体比不同的第二气体。
排气装置37与设置于腔室10的底面的排气口36连接。排气装置37对腔室10内的气体进行排气，由此将腔室10内维持在规定的真空度。
在腔室10的侧壁设置有闸阀G。晶圆W从闸阀G搬入到腔室10的内部，在腔室10的内部被进行了等离子体处理后从闸阀G搬出到腔室10的外部。
在等离子体处理装置1设置有控制整个装置的动作的控制部101。控制部101具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)以及RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)。CPU根据保存于RAM等存储区域的各种制程来对晶圆W执行期望的等离子体处理。在制程中记载有作为针对各工艺的装置的控制信息的工艺时间、压力(气体的排气)、高频电力、电压、各种工艺气体流量、腔室内温度(上部电极温度、腔室的侧壁温度、静电卡盘(ESC)温度等)等。此外，制程既可以存储于硬盘、半导体存储器，也可以在容纳于CD-ROM、DVD等可移动性的可由计算机读取的存储介质的状态下保存在存储区域的规定位置。
此外，将台12的晶圆W侧与聚焦环16侧分离而在它们之间形成的槽17既可以为真空空间，也可以如图2所示那样埋入氧化铝等绝缘体9、树脂。在埋入有氧化铝等绝缘体9、树脂的情况下，也可以省略第一直流电源25和第二直流电源31中的任一方的连接或这两方的连接。
[效果]
在本实施方式所涉及的等离子体处理装置1中，通过使用从第三高频电源22施加到台12的第三高频电力HF和从第四高频电源28施加到台12的第四高频电力HF对从气体供给源41供给到腔室10内的气体进行电离、解离来生成等离子体，通过使用从第一高频电源21施加到台12的第一高频电力LF和从第二高频电源27施加到台12的第二高频电力LF将该等离子体中的离子吸引到晶圆W来对晶圆W进行等离子体处理。在等离子体处理时，如图3的上部所示那样，鞘层区域S形成于晶圆W上和聚焦环16上。在鞘层区域S的内部，主要是等离子体中的离子朝向晶圆W加速。
每次进行等离子体处理时都暴露于等离子体的聚焦环16的表面逐渐消耗。这样，如图3的左下所示那样，形成于聚焦环16的上部的鞘层区域S的高度比形成于晶圆W的上部的鞘层区域S的高度低。这样，在晶圆W的最外周的附近，鞘层区域S倾斜地形成，因此在晶圆W的最外周的附近，离子斜入射到形成于晶圆W的孔。由此，产生形成被离子斜削而倾斜的孔的、所谓的“倾斜(tilting)”。当产生倾斜时，等离子体处理的均匀性下降，因此需要在产生倾斜之前定期更换聚焦环16以避免成品率的下降。然而，当聚焦环16的更换周期缩短而停机时间变长时，生产量下降且聚焦环16的更换费用变高。
因此，关于本实施方式的静电卡盘11，为台12的晶圆W侧与聚焦环16侧电分离的构造，利用两个系统的电源系统，分别独立地进行晶圆W侧的电源控制和聚焦环16侧的电源控制。由此，例如能够独立地控制为使施加于聚焦环16侧的高频电力比施加于晶圆W侧的高频电力高。
例如，如图的3的下部的左侧所示那样，在聚焦环16消耗了的情况下，聚焦环16的鞘层区域S的高度变低。在该情况下，控制部101以使施加于聚焦环16侧的第二高频电力LF比施加于晶圆W侧的第一高频电力LF高的方式控制第一高频电源21和第二高频电源27。由此，如图3的下部的右侧所示那样，能够加厚聚焦环16的上部的鞘层区域S的厚度。由此，能够与聚焦环16消耗之前同样地将聚焦环16的上部的鞘层区域S与晶圆W的上部的鞘层区域S控制为相同的高度。由此，能够防止倾斜的产生，能够提高等离子体处理的均匀性，防止成品率的下降。另外，能够延迟聚焦环16的更换周期，能够降低聚焦环16的更换产生的成本。
[电源控制]
在本实施方式中，具有两个系统的电源系统，其控制是通过控制部101来进行的。控制部101例如控制为使从第二高频电源27输出的第二高频电力LF比从第一高频电源21输出的第一高频电力LF高。由此，能够使形成于聚焦环16的上部的鞘层区域S的厚度比形成于晶圆W的上部的鞘层区域S的厚度厚。由此，即使聚焦环16消耗，也能够将聚焦环16和晶圆W的上部的鞘层区域S控制在相同的高度，由此能够避免倾斜的产生。
此外，第二高频电力LF和第一高频电力LF主要影响鞘层的厚度，因此控制部101彼此独立地控制这两个第一高频电源21和第二高频电源27。例如，如果使施加于聚焦环16侧的第二高频电力LF比施加于晶圆W侧的第一高频电力LF高，则能够将聚焦环16侧的上部的鞘层区域S的厚度控制得比晶圆W的上部的鞘层区域S的厚度厚。
作为具体的控制方法的一例，控制部101根据聚焦环16的消耗程度逐渐提高施加于聚焦环16侧的第二高频电力LF。作为控制方法的其它例子，也可以是，预先将聚焦环16制作得厚，控制部101在初始将第二高频电力LF控制得比第一高频电力LF低，根据聚焦环16的厚度逐渐提高第二高频电力LF。
控制部101施加第一高频电力LF和第二高频电力LF用于离子的吸引，并且通过控制第三高频电源22和第四高频电源28中的至少某一个来向台12施加等离子体生成用的高频电力HF。
作为具体的控制方法的一例，控制部101也可以根据聚焦环16的消耗程度来逐渐提高施加于聚焦环16侧的第四高频电力HF。作为控制方法的其它例子，也可以预先将聚焦环16制作得厚，控制部101在初始将第四高频电力HF控制得比第三高频电力HF低，根据聚焦环16的厚度逐渐提高第四高频电力HF。像这样，除了控制第一高频电力和第二高频电力LF以外，还控制第三高频电力HF和第四高频电力HF，由此能够提高聚焦环16侧和晶圆W侧的上部的鞘层区域S的厚度的控制性。
此外，在本实施方式中，在台12的晶圆W侧连接第一高频电源21和第三高频电源22，在聚焦环16侧连接有第二高频电源27和第四高频电源28，但不限于此。例如，也可以在台12的晶圆W侧连接第一高频电源21和第三高频电源22，在聚焦环16侧只连接第二高频电源27。另外，例如也可以在台12的晶圆W侧只连接第一高频电源21，在聚焦环16侧连接第二高频电源27和第四高频电源28，在气体喷头40(上部电极)连接第三高频电源22。另外，例如，也可以在台12的晶圆W侧只连接第一高频电源21，在聚焦环16侧只连接第二高频电源27，在气体喷头40(上部电极)连接第三高频电源22。
另外，控制部101也可以从第一直流电源25和第二直流电源31中的至少任一个向台12的晶圆W侧和聚焦环16侧中的至少任一个施加第一直流电流和第二直流电流中的至少任一个。在本实施方式的台12的构造中，台12的晶圆W侧与聚焦环16侧隔离，使用两个系统的电源系统分别进行控制，因此在第一电极13与第二电极14之间产生电位差。当产生电位差时，具有在槽17的内部的空间发生异常放电的情况。因而，控制部101优选控制第一直流电流和第二直流电流中的至少任一个以消除电位差，使得在槽17的内部难以产生放电现象。
根据所述结构的等离子体处理装置1，在台12的晶圆W和聚焦环16侧独立地设置两个系统的电源系统，由此能够分别控制聚焦环16侧的上部的鞘层区域S的厚度和晶圆W的上部的鞘层区域S的厚度。由此，能够防止倾斜的产生。其结果是，能够使等离子体处理的均匀性提高。
[其它电源控制]
作为其它控制的一例，控制部101也可以以使施加于聚焦环16侧的第二高频电力LF比施加于晶圆W侧的第一高频电力LF低的方式控制第一高频电源21和第二高频电源27。据此，聚焦环16侧的上部的鞘层区域S的厚度比晶圆W的上部的鞘层区域S的厚度薄。这样的控制能够用于在无晶圆干洗(WLDC)时去除附着于台12中央的晶圆W侧的电介质15a的最外周的角部的反应生成物。也就是说，控制部101在无晶圆干洗(WLDC)时进行使第一高频电力LF比第二高频电力LF低的控制。由此，聚焦环16侧的上部的鞘层区域S的厚度比形成于台12中央的晶圆W侧的电介质15a的上部的鞘层区域S的厚度更薄。其结果是，易于使离子斜着攻击到台12的最外周的角部(肩部)，能够有效地去除附着于台12中央的晶圆W侧的电介质15a的最外周的角部的反应生成物。此外，不仅是无晶圆干洗，在包括在将晶圆W载置于台12的状态下进行的干洗的清洗处理时，也可以以使第二高频电力LF比第一高频电力LF的低方式进行控制。由此，能够执行去除堆积于台12中央的晶圆W侧的电介质15a的最外周的角部的反应生成物的清洗。
在上述，只对主要用于吸引离子的高频电力LF的控制进行了记载。但是，不限于此，控制部101也可以以使施加于聚焦环16侧的第四高频电力HF比施加于晶圆W侧的电介质15a的第三高频电力HF高的方式控制第三高频电源22和第四高频电源28。通过像这样进行控制，能够使聚焦环16上的等离子体密度比台12中央的晶圆W侧的电介质15a上的等离子体密度更高，能够在无晶圆干洗时抑制电介质15a的消耗并且有效地利用从聚焦环16上的等离子体扩散来的自由基去除附着于台12中央的晶圆W侧的电介质15a的最外周的角部的反应生成物。在清洗处理时，除了只进行上述高频电力LF的控制、只进行上述高频电力HF的控制以外，还可以进行将上述高频电力LF和上述高频电力HF进行了组合的控制。
如以上所说明的那样，根据本实施方式所涉及的等离子体处理装置1，具有将台12分离为晶圆W侧与聚焦环16侧的构造，且对晶圆W与聚焦环16侧独立地设置两个系统的电源系统。由此，能够分别控制形成于聚焦环16侧的上部的鞘层区域S的厚度和形成于晶圆W的上部的鞘层区域S的厚度。其结果是，能够使等离子体处理的均匀性提高。
另外，根据本实施方式所涉及的等离子体处理装置1，设为将台12的晶圆W侧与聚焦环16侧分离的构造，由此能够使台12的晶圆W侧与聚焦环16侧之间的热干扰降低。由此，能够容易且准确地进行台12的温度控制。
[温度控制]
为了使等离子体处理的均匀性提高，相对于晶圆W的温度，具有想要以高温控制聚焦环16的温度的期望。例如，通过将台12的聚焦环16侧的温度控制得比台12的晶圆W侧的温度高，能够减少附着于聚焦环16的反应生成物的堆积量。由此，能够抑制晶圆W的最外周的蚀刻速率的上升等，从而使等离子体处理的均匀性提高。
因此，通过使台12的晶圆W侧和聚焦环16侧的冷却线独立而设为两个系统的冷却构造，能够更容易地控制台12的晶圆W侧与聚焦环16侧之间的温度差。但是，当将冷却线设为两个系统时，在台12的晶圆W侧与聚焦环16侧出现温度差时从台12的电接触面产生热的交换。而且，在台12的聚焦环16侧为高温的情况下，热从台12的聚焦环16侧绕到晶圆W侧，使晶圆W的面内均匀性恶化，使等离子体处理的均匀性下降。
例如，如图4的(a)所示那样，为施加于台12的电源系统只有一个系统的第一电力供给装置20、且台12的晶圆W侧与聚焦环16侧通过电极113而至少一部分不分离的构造，对电连接的情况下的热的交换进行说明。在冷却线为两个系统的情况下，控制部101当将在聚焦环16侧的制冷剂流路18d中流动的制冷剂的温度控制得比在晶圆W侧的制冷剂流路18a中流动的制冷剂的温度高时，从聚焦环16侧向晶圆W侧，从电极113的电连接的部分产生热的交换。也就是说，聚焦环16侧的高温度的热流向更低温度的台12的晶圆W侧。由此，晶圆W的最外周侧比晶圆W的中央侧的温度高，晶圆W表面的温度分布的均匀性变差，等离子体处理的均匀性下降。
因此，在本发明的一个实施方式的变形例所涉及的等离子体处理装置1中，如图4的(b)所示那样，设为利用多接点构件100维持电连接的状态而使台12的晶圆W侧和聚焦环16侧不直接接触的构造，并且台12的材料采用热导率低的电介质材料。由此，设为将台12的晶圆W侧与聚焦环16侧热隔离的构造。由此，提高晶圆W表面的温度分布的均匀性，使等离子体处理的均匀性提高。
具体地说，将第一电极13与第二电极14分离，将台12的晶圆W侧与聚焦环16侧设为非接触，由此在晶圆W侧与聚焦环16侧的台12难以产生热的交换。在该情况下，将台12的晶圆W侧与聚焦环16侧隔离的槽117既可以为真空空间，也可以如图4的(b)所示那样由隔热件125覆盖真空空间的槽117。隔热件125也可以由树脂、硅、特氟隆(注册商标)、聚酰亚胺等高分子系片材形成。另外，也可以在槽117中埋入陶瓷等电介质材料。在任一构造中，均能够使台12的晶圆W侧与聚焦环16侧之间难以产生热的交换。
另外，为了用热导率低的材料构成台12，第二电极14例如也可以由热导率比铝的热导率低的钛、钢、不锈钢等形成。另外，第二电极14也可以由热导率比第一电极13的热导率低的材料形成。作为一例举出第一电极13由铝形成，第二电极14由上述钛等形成的情况。由此，能够使从台12的聚焦环16侧向晶圆W侧的热的移动更难以产生。
并且，也可以在第二电极14的内部形成真空空间120。由此，在第二电极14的内部减小热传递的截面，能够提高隔热效果。在真空空间120也可以埋入陶瓷等电介质材料。另外，为了提高隔热效果，优选的是，真空空间120设置于易于产生热的交换的多接点构件100的上方，且形成径向尽可能广的空间。
另外，也可以在第二电极14与基台12a之间铺设隔热件110。由此，也可以减小第二电极14与基台12a之间的接触面积，进一步抑制热的传递。隔热件110也可以由树脂、硅、特氟隆(注册商标)、聚酰亚胺等高分子系片材形成。
多接点构件100为了维持台12的晶圆W侧与聚焦环16侧的电连接，以连接第一电极13和第二电极14的方式嵌入到基台12a。在图5中示出多接点构件100的一例。
多接点构件100也可以由金属形成，为由电线等金属构件100c连接外周侧的环板100a和内周侧的环板100b的构造。在图4的(b)中示出多接点构件100的一部分的截面。图4的(b)的多接点构件100的底部的A-A部与图5的A-A部对应。多接点构件100在被嵌入到基台12a的状态下金属构件100c在周向上均等地配置。由此，能够使等离子体的生成难以产生失衡。
如以上所说明的那样，根据本实施方式的变形例所涉及的等离子体处理装置1，将台12的晶圆W侧与聚焦环16侧分离，且将台12的材料设为热导率低的电介质材料。由此，通过设为将台12的晶圆W侧与聚焦环16侧热隔离的构造，能够使台12的晶圆W侧与聚焦环16侧之间的热的交换难以产生。
除了所述结构以外，通过独立地对台12的晶圆W侧和聚焦环16侧的冷却线进行控制，能够准确地对台12的晶圆W侧与聚焦环16侧之间的温度差进行控制。由此，能够提高晶圆W的温度分布的面内均匀性，能够使等离子体处理的均匀性提高。
此外，在本实施方式的变形例所涉及的等离子体处理装置1中，利用多接点构件100确保台12的晶圆W侧与聚焦环16侧之间的电连接。由此，能够从一个系统的电源系统向台12的晶圆W侧和聚焦环16侧供给高频电力。
但是，也可以为如参照图1所说明的本实施方式所涉及的等离子体处理装置1那样设电源系统为两个系统而不设置多接点构件100的结构。在该情况下，能够设为在台12的晶圆W侧与聚焦环16侧之间更难以产生热的交换的构造。
此外，在参照图1所说明的本实施方式所涉及的等离子体处理装置1中，也可以如本实施方式的变形例所涉及的等离子体处理装置1那样将冷却线设为两个系统且能够独立地控制制冷剂流路18a和制冷剂流路18d的结构。
根据本实施方式的变形例所涉及的等离子体处理装置1，具有：台12，其以第一电极13与第二电极14分离的方式形成，该第一电极13在上部载置基板，该第二电极14在上部设置聚焦环16且该第二电极14设置于第一电极13的周围；第一高频电源21，其向第一电极13和第二电极14施加主要用于吸引等离子体中的离子的第一高频电力LF；以及两个系统的冷却线，所述两个系统的冷却线设置于第一电极13和第二电极14，且为分别独立的制冷剂流路18a、18d。
另外，本实施方式的变形例所涉及的等离子体处理装置1能够设为如下的结构：由导体的多接点构件100形成电介质的基台12a的一部分，向第一电极13施加来自第一高频电源21的第一高频电力LF，由此向第二电极14也施加第一高频电力LF。
并且，也可以是，本实施方式的变形例所涉及的等离子体处理装置1具有上部电极(气体喷头40)，向上部电极、第一电极13和第二电极14、或第一电极13中的任一方施加主要用于生成等离子体的来自第三高频电源22的高频电力HF。
也可以是，第二电极14由热导率比第一电极13的热导率低的材料构成。
也可以是，在第二电极14的内部设置真空空间120。
也可以是，在第二电极14与电介质的基台12a之间设置隔热件110。
以上利用上述实施方式对等离子体处理装置进行了说明，但本发明所涉及的等离子体处理装置并不限定于上述实施方式，在本发明的范围内能够进行各种变形和改良。上述多个实施方式中所记载的事项在不矛盾的范围内能够进行组合。
例如，本发明所涉及的台12的构造不仅适用于图1的平行平板型两个频率施加装置，也能够适用于其它等离子体处理装置。作为其它等离子体处理装置，也可以为电容耦合型等离子体(CCP：Capacitively Coupled Plasma)装置、感应耦合型等离子体(ICP：Inductively Coupled Plasma)处理装置、利用径向线缝隙天线的等离子体处理装置、螺旋波激发型等离子体(HWP：Helicon Wave Plasma)装置、电子回旋共振等离子体(ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma)装置、表面波等离子体处理装置等。
在本说明书中，作为处理对象的基板，对半导体晶圆W进行了说明，但不限于此，也可以为用于LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等的各种基板、光掩模、CD基板、印刷基板等。

Claims (7)

1.一种等离子体处理装置，利用用于生成等离子体的高频电力来使供给到腔室内的气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置具有：
台，其以第一电极与第二电极分离的方式形成，其中，该第一电极在上部载置基板，该第二电极在上部设置聚焦环且该第二电极设置于所述第一电极的周围；
第一高频电源，其向所述第一电极施加主要用于吸引等离子体中的离子的第一高频电力；以及
第二高频电源，其与所述第一高频电源独立地设置，向所述第二电极施加主要用于吸引等离子体中的离子的第二高频电力。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
具有控制部，该控制部独立地控制所述第一高频电源和所述第二高频电源。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述第一高频电力的频率和所述第二高频电力的频率为20MHz以下，
所述控制部在等离子体处理时根据所述聚焦环的消耗量来将所述第二高频电力控制得比所述第一高频电力高。
4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述控制部在清洗处理时根据所述聚焦环的消耗量来将所述第二高频电力控制得比所述第一高频电力低。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，具有：
第三高频电源，其向所述第一电极施加频率大于20MHz的用于生成等离子体的第三高频电力；以及
第四高频电源，其与所述第三高频电源独立地设置，向所述第二电极施加频率大于20MHz的用于生成等离子体的第四高频电力，
所述控制部独立地控制所述第三高频电源和所述第四高频电源中的至少任一个。
6.根据权利要求2至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述控制部控制为向所述第一电极施加频率大于20MHz的用于生成所述等离子体的高频电力、或者向所述第一电极和所述第二电极施加频率大于20MHz的用于生成所述等离子体的高频电力、或者向与所述台相向地设置的上部电极施加频率大于20MHz的用于生成所述等离子体的高频电力。
7.根据权利要求2至6中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，具有：
第一直流电源，其向所述第一电极施加第一直流电流；以及
第二直流电源，其向所述第二电极施加第二直流电流，
所述控制部独立地控制所述第一直流电源和所述第二直流电源中的至少任一个。
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