JP2017228395A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
また矩形の被処理基板のプラズマ処理にあたっては、被処理基板の頂点周辺の角(かど)部とこれらの角部の間の辺部とを含む外周側の領域へ向けて、プラズマ化された処理ガスを均一に供給することが求められている。
特許文献1に記載のプラズマ処理装置は、アノード電極として構成された上部電極の上面側の横方向に互いに離れた部位に、複数のインピーダンス調整部を設けてインピーダンス調整を行うことにより、アノード電極と処理容器の壁部との間の容量結合に伴う不要なプラズマの発生を抑えることができる。
しかしながら、これらの特許文献1、2のいずれにも、矩形の被処理基板のプラズマ処理を行うにあたって、前記角部や辺部に対して、均一にプラズマ化された処理ガスを供給する技術は開示されていない。
前記処理容器内に当該処理容器とは絶縁された状態で配置され、整合回路を介して高周波電源に接続されると共に、矩形の被処理基板が載置されるカソード電極と、
前記カソード電極と対向するように前記処理容器とは絶縁された状態で配置され、前記被処理基板に対応した矩形の平面形状を有するアノード電極部と、を備え、
前記アノード電極部は、
当該アノード電極部の中央側から外周側へ向かう方向を径方向としたとき、前記径方向に向けて複数の径方向分割電極に分割され、これら径方向分割電極は、各々、互いに絶縁された状態で接地端に接続されていることと、
前記複数の径方向分割電極のうち、外周側に位置する径方向分割電極は、周方向に向けて、前記アノード電極部の角部側に位置する複数の角部分割電極と、辺部側に位置する複数の辺部分割電極とに分割され、これら角部分割電極及び辺部分割電極は、各々、互いに絶縁された状態で接地端に接続されていることと、
前記角部分割電極と辺部分割電極との少なくとも一方の接地端側には、前記カソード電極から、プラズマを介して各角部分割電極または辺部分割電極の接地端に至る回路のインピーダンスを調整するためのインピーダンス調整部が設けられていることと、を特徴とする。
第1の高周波電源152からは、例えば10〜30MHzの範囲内の周波数の高周波電力が供給される。第1の高周波電源152から供給される電力は、載置台13とアノード電極部3との間に高密度の容量結合プラズマPを形成する役割を果たす。
さらに、載置台13内には、基板Gの温度を制御するために、セラミックヒータなどの加熱手段と冷媒流路とからなる温度制御機構、温度センサー、基板Gの裏面に熱伝達用のHeガスを供給するためのガス流路が設けられている(いずれも図示せず)。
3つに分割された径方向分割電極のうち、図2中、砂状のハッチングが付されている内側分割電極34は、アノード電極部3の中央部側に配置されている。例えば内側分割電極34は、長方形の平面形状を有する。
図2に示すように、内側分割電極34と中間分割電極33との間、中間分割電極33と外周分割電極32との間には絶縁部材31が設けられ、これら内側分割電極34、中間分割電極33、外周分割電極32は互いに絶縁されている。
初めに、ゲートバルブ102を開き、搬送機構により、隣接する真空搬送室から搬入出口101を介して処理空間100内に基板Gを搬入する(搬送機構及び真空搬送室は不図示)。次いで、載置台13上に基板Gを載置して、不図示の静電チャックにより基板Gを固定する一方、処理空間100から搬送機構を退避させてゲートバルブ102を閉じる。
図6に示す3つの径方向分割電極(内側分割電極34、中間分割電極33、外周分割電極32)を備えたアノード電極部3dに対し、インピーダンス調整部53、54を用いたインピーダンス調整を行いながら電流値の測定などを行った。なお、図6に示すアノード電極部3dにおいて、外周分割電極32の接地端104への接続の記載は省略してある。
A.実験条件
(参考例1−1) 図6に示すアノード電極部3dを備えるプラズマ処理装置1を用い、内側分割電極34と接地端104との間、及び中間分割電極33と接地端104との間にインピーダンス調整部53、54を設け、内側分割電極34側のインピーダンス調整部53に設けられている可変容量コンデンサ502のキャパシタンスを変化させ、各回路を流れる電流を電流計503、504により測定した。この操作期間中、中間分割電極33側の可変容量コンデンサ502のキャパシタンスは固定した。また、第1の高周波電源152側の整合器151に設けられている不図示の電圧計により、載置台13(カソード電極)側の電圧の変化を測定した。処理ガス供給部42からはCF4とO2との混合ガスを1000sccm(標準状態:25℃、1気圧基準)で供給し、処理空間100の圧力は1.33Pa(10mTorr)に調整した。また、第1の高周波電源152、第2の高周波電源162からは、各々22kWの高周波電力を供給した。
(参考例1−2) 参考例1−1と同様の条件下で、中間分割電極33側のインピーダンス調整部54に設けられている可変容量コンデンサ502の容量を変化させ、各回路を流れる電流及び載置台13側の電圧を測定した。この操作期間中、内側分割電極34側の可変容量コンデンサ502のキャパシタンスは固定した。
参考例1−1の結果を図7に示し、参考例1−2の結果を図8に示す。図7、図8の横軸は可変容量コンデンサ502のダイアル値を示す。当該ダイアル値の値が小さいほど、可変容量コンデンサ502のキャパシタンスが大きく、ダイアル値を大きくするに連れてキャパシタンスは小さくなる。図7、図8の左側の縦軸は各分割電極34、33の電流値を示し、右側の縦軸は載置台13側の電圧値を示している。各図中、内側分割電極34側の電流値の変化を一点鎖線で示し、中間分割電極33側の電流値の変化を実線で示す。また、載置台13側の電圧値の変化を破線で示してある。
一方で上述のダイアル操作の期間中、中間分割電極33側の電流値は低い状態のまま殆ど変化しなかった。
即ち、インピーダンス調整部54内に設けられている可変容量コンデンサ502のダイアル値を次第に大きくしていくと、中間分割電極33側の電流値が増大し、ダイアル値が2〜4程度の範囲にてピークを示した後、さらにダイアル値を大きくするに連れ、中間分割電極33側の電流値は次第に減少した。
一方で上述のダイアル操作の期間中、内側分割電極34側の電流値は低い状態のまま殆ど変化しなかった。
この結果は、図2に示す角部分割電極32b、辺部分割電極32aの間でインピーダンス調整部52、51のインピーダンス値を調整した場合にも同様に成り立つといえる。
A.実験条件
(参考例2−1) 載置台13側にて測定した電圧値の直流成分(Vdc)が最小となる位置に各インピーダンス調整部53、54内の可変容量コンデンサ502のダイアル値を設定し、参考例1−1と同様の条件にて基板Gのエッチング処理を行った。内側分割電極34側のインピーダンス調整部53における可変容量コンデンサ502のダイアル値は4.5であり、図7における内側分割電極34側の電流値のピークに対応する位置である。また中間分割電極33側の可変容量コンデンサ502のダイアル値は3.0であり、図8における中間分割電極33側の電流値のピークに対応する位置である。
(参考例2−2) 載置台13側にて測定した電圧値の直流成分(Vdc)が最大となる位置に各インピーダンス調整部53、54内の可変容量コンデンサ502のダイアル値を設定し、参考例1−1と同様の条件にて基板Gのエッチング処理を行った。内側分割電極34側のインピーダンス調整部53における可変容量コンデンサ502のダイアル値は8.0であり、図7における内側分割電極34側の電流値が最も小さくなる位置である。また中間分割電極33側の可変容量コンデンサ502のダイアル値は8.0であり、図8における中間分割電極33側の電流値が最も小さくなる位置である。
(比較例2) 内側分割電極34と接地端104との間、中間分割電極33と接地端104との間にインピーダンス調整部53、54を設けずに基板Gのエッチング処理を行った。
参考例2−1、2−2、比較例2の結果を図9に示す。図9の横軸は、載置台13側にて測定した電圧値の直流成分を示している。また、図9の左側の縦軸は単位時間あたりのエッチング速度を示し、右側の縦軸は基板Gの面内におけるエッチング速度のユニフォーミティ({(標準偏差σ)/(平均値Ave)}×100[%])を示している。
図9中、白抜きの丸のプロットは内側分割電極34の下方側の領域、黒塗りの丸のプロットは中間分割電極33の下方側領域における基板Gのエッチング速度の平均値を示している。また白抜きの横棒のプロットは、外周分割電極32の下方側領域におけるエッチング速度の最大値、黒塗りの横棒のプロットは、外周分割電極32の下方側領域におけるエッチング速度の最小値を示している。さらに黒塗りのひし形のプロットは基板Gの面内におけるエッチング速度の平均値を示し、バツ印のプロットは、エッチング速度のユニフォーミティを示している。
この結果についても、図2に示す角部分割電極32b、辺部分割電極32aの間でインピーダンス調整部52、51のインピーダンス値を調整した場合にも同様に成り立つといえる。
A.実験条件
(参考例3−1) 内側分割電極34の下面にアルミニウムチップからなる試験片を貼付し、参考例1−1と同様の操作を行い、内側分割電極34側の回路を流れる電流値を変化させながら所定時間だけプラズマPを発生させ、前記試験片の消耗量を測定した。
(参考例3−2) 中間分割電極33の前記試験片を貼付し、参考例1−2と同様の操作を行い、参考例3−1と同様の実験を行った。
参考例3−1、3−2の結果を各々図10、図11に示す。これらの図の横軸は、各分割電極34、33を流れる電流値を示し、縦軸は試験片のスパッタリング量を示している。各電流値におけるスパッタリング量を黒塗りのひし形のプロットで示してある。また各図には、インピーダンス調整部53、54を設けない場合における試験片のスパッタリング量を破線で示してある。
この結果は、図2に示す角部分割電極32b、辺部分割電極32aにおいても同様に成り立つといえる。
P、P’ プラズマ
1 プラズマ処理装置
13 載置台
151 整合器
152 第1の高周波電源
161 整合器
162 第2の高周波電源
3、3a〜3d
アノード電極部
32 外周分割電極
32a 辺部分割電極
32b 角部分割電極
33 中間分割電極
34 内側分割電極
503、504
電流計
51〜54 インピーダンス調整部
6 制御部
Claims (6)
- 真空排気された処理容器内の矩形の被処理基板に対し、プラズマ化された処理ガスによるプラズマ処理を実行するプラズマ処理装置において、
前記処理容器内に当該処理容器とは絶縁された状態で配置され、整合回路を介して高周波電源に接続されると共に、矩形の被処理基板が載置されるカソード電極と、
前記カソード電極と対向するように前記処理容器とは絶縁された状態で配置され、前記被処理基板に対応した矩形の平面形状を有するアノード電極部と、を備え、
前記アノード電極部は、
当該アノード電極部の中央側から外周側へ向かう方向を径方向としたとき、前記径方向に向けて複数の径方向分割電極に分割され、これら径方向分割電極は、各々、互いに絶縁された状態で接地端に接続されていることと、
前記複数の径方向分割電極のうち、外周側に位置する径方向分割電極は、周方向に向けて、前記アノード電極部の角部側に位置する複数の角部分割電極と、辺部側に位置する複数の辺部分割電極とに分割され、これら角部分割電極及び辺部分割電極は、各々、互いに絶縁された状態で接地端に接続されていることと、
前記角部分割電極と辺部分割電極との少なくとも一方の接地端側には、前記カソード電極から、プラズマを介して各角部分割電極または辺部分割電極の接地端に至る回路のインピーダンスを調整するためのインピーダンス調整部が設けられていることと、を特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記角部分割電極と辺部分割電極とに分割された径方向分割電極は、前記複数の径方向分割電極のうち、最も外周側に位置するものであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記角部分割電極と辺部分割電極との少なくとも一方に設けられたインピーダンス調整部は、前記複数の角部分割電極に対して、または前記複数の辺部分割電極に対して共通化されていることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記角部分割電極と辺部分割電極とに分割された径方向分割電極以外の径方向分割電極の少なくとも1つには、前記カソード電極から、プラズマを介して各径方向分割電極の接地端に至る回路のインピーダンスを調整するためのインピーダンス調整部が設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記カソード電極には、互いに周波数の異なる複数の高周波電源が接続され、前記インピーダンス調整部が設けられた分割電極の接地端側には、前記複数の高周波電源の各周波数に対応した複数のインピーダンス調整部が並列に設けられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記インピーダンス調整部は、インピーダンス値を変更できるように構成されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
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