TWI767294B - 等離子體處理設備 - Google Patents

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TWI767294B
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徐朝陽
廉曉芳
范光偉
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大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司
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Abstract

本發明揭露一種等離子體處理設備，其包括：真空反應腔；位於所述真空反應腔內的底部的下電極組件，所述下電極組件包括承載面，所述承載面用於承載待處理基片；位於所述真空反應腔的頂部的氣體分散板，所述氣體分散板的側壁具有第一卸荷槽；位於所述氣體分散板的下方的氣體噴淋頭，所述氣體噴淋頭朝向承載面。其中，所述等離子體處理設備中氣體分散板與氣體噴淋頭之間的熱傳導能力較強。

Description

等離子體處理設備
本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種等離子體處理設備。
在半導體製程中，對半導體材料進行刻蝕的製程通常包括乾法刻蝕製程或濕法刻蝕製程，其中，由於利用等離子體進行刻蝕的乾法刻蝕製程能有效地控制刻蝕開口的尺寸而成為目前最主流的刻蝕製程。習知的製程通常利用輝光放電、射頻訊號、電暈放電等形成等離子體。其中，利用射頻訊號形成等離子體時，可以通過調控處理氣體成分、射頻功率的頻率、射頻功率的耦合模式、氣壓、溫度等參數，控制形成的等離子體的密度和能量，從而優化等離子體處理效果。因此，在現有的半導體刻蝕裝置中，通常採用射頻訊號形成等離子體，且利用射頻訊號在待處理基片上形成偏壓，使得所述等離子體轟擊待處理基片，對所述待處理基片進行刻蝕製程。
習知的採用射頻訊號形成等離子體的刻蝕裝置主要包括電感耦合等離子體(ICP)刻蝕裝置、電容耦合等離子體(CCP)刻蝕裝置和電子迴旋加速振盪(ECR)刻蝕裝置等，其中，電感耦合等離子體(ICP)刻蝕裝置和電容耦合等離子體(CCP)刻蝕裝置由於結構簡單，較為便宜，廣泛地運用到乾法刻蝕領域。目前的電容耦合等離子體刻蝕裝置通常包括射頻功率源和偏置功率源，且所述電容耦合等離子體刻蝕裝置具有上電極 和下電極，所述射頻功率源連接於上電極或下電極，對應的下電極或上電極接地，所述射頻功率源產生的射頻訊號通過上電極和下電極形成的電容將反應氣體等離子體化。所述偏置功率源連接於所述下電極，在所述下電極上的待處理基片上形成偏壓。其中，所述上電極包括氣體分散板和位於氣體分散板上的氣體噴淋頭，所述氣體噴淋頭朝向下電極。所述氣體分散板的材料包括鋁合金，所述氣體噴淋頭的材料包括矽，而所述鋁合金的熱膨脹係數遠遠大於矽，因此，在高溫環境下，所述氣體分散板的變形遠遠大於氣體噴淋頭的變形，使得氣體分散板與氣體噴淋頭之間的接觸面積較小，則所述氣體分散板與氣體噴淋頭之間的熱傳導能力較差。
本發明解決的技術問題是提供一種等離子體處理設備，以提高氣體分散板與氣體噴淋頭之間的熱傳導能力。
為解決上述技術問題，本發明提供一種等離子體處理設備，包括：真空反應腔；位於所述真空反應腔內的底部的下電極組件，所述下電極組件包括承載面，所述承載面用於承載待處理基片；位於所述真空反應腔的頂部的氣體分散板，所述氣體分散板的側壁具有第一卸荷槽；位於所述氣體分散板的下方的氣體噴淋頭，所述氣體噴淋頭朝向承載面。
較佳的，還包括：由氣體分散板的邊緣向上延伸的側壁環；由所述側壁環向外延伸的控溫環。
較佳的，所述氣體分散板還包括相對的第一面和第二面，所述氣體噴淋頭位於所述第一面；所述第二面還具有第二卸荷槽。
較佳的，所述側壁環的側壁還具有第三卸荷槽。
較佳的，還包括：位於所述氣體分散板與氣體噴淋頭之間的導熱環。
較佳的，所述導熱環的材料為石墨；或者，所述導熱環的材料為鋁片以及塗覆於所述鋁片的上下表面的石墨。
較佳的，還包括：強壓環，所述強壓環用於使氣體分散板與氣體噴淋頭壓合。
較佳的，所述強壓環的材料與氣體分散板的材料相同，或者兩者的熱膨脹係數之差小於10%。
較佳的，所述氣體分散板和所述強壓環的材料相同，且所述氣體分散板和所述強壓環的材料包括：鋁合金。
較佳的，所述強壓環包括複數個強壓單元，各個所述強壓單元能夠沿強壓環的徑向移動，且移動後所述強壓環仍能用於使氣體分散板與氣體噴淋頭壓合。
較佳的，還包括：位於所述控溫環內的冷卻槽，所述冷卻槽用於容納冷卻液。
較佳的，還包括：加熱器，所述加熱器用於對氣體分散板進行加熱。
較佳的，還包括：位於所述氣體分散板與氣體噴淋頭之間的密封裝置；所述密封裝置包括：密封槽和位於密封槽內的密封圈。
與習知技術相比，本發明實施例的技術方案具有以下有益效果： 本發明技術方案提供的等離子體處理設備中，儘管所述氣體分散板與氣體噴淋頭的熱膨脹係數差異較大，但是，由於所述氣體分散板的側壁具有第一卸荷槽，所述第一卸荷槽能夠釋放所述氣體分散板在高溫環境下產生的部分熱應力，使得所述氣體分散板朝向氣體噴淋頭的表面變形較小，則有利於提高所述氣體分散板與氣體噴淋頭的接觸面積，使得所述氣體分散板與氣體噴淋頭之間的熱傳導能力較強，因此，有利於氣體分散板更好的控制氣體噴淋頭的溫度，以滿足製程要求。
進一步，在所述氣體分散板與氣體噴淋頭之間設置導熱環，所述導熱環的材料包括：鋁片以及塗覆於所述鋁片表面的石墨。由於導熱環的材料具有彈性，使得所述氣體分散板與導熱環、以及導熱環與氣體噴淋頭之間的接觸面積較大，而導熱環還具有良好的導熱效果，使得所述氣體分散板與導熱環、以及導熱環與氣體噴淋頭之間能夠進行較好的熱傳遞，因此，有利於進一步提高氣體分散板與氣體噴淋頭之間的熱傳導能力。
進一步，還包括：強壓環，所述強壓環用於使所述氣體分散板與氣體噴淋頭壓合，使得所述氣體分散板與氣體噴淋頭之間的接觸面積更大，有利於進一步提高所述氣體分散板與氣體噴淋頭之間的接觸面積，有利於進一步提高氣體分散板與氣體噴淋頭之間的熱傳導能力。
進一步，所述氣體分散板還包括相對的第一面和第二面，所述氣體噴淋頭位於所述第一面；還包括：位於所述第二面上的第二卸荷槽，所述第二卸荷槽用於進一步釋放所述氣體分散板的熱應力，使得所述氣體分散板朝向氣體噴淋頭的變形進一步減小。
進一步，所述側壁環的側壁具有所述第三卸荷槽，所述第三卸荷槽用於進一步釋放所述底部平板的熱應力，減小對側壁環的拉扯。
進一步，由於所述第一卸荷槽能夠釋放所述氣體分散板在高溫環境下產生的部分熱應力，使得所述氣體分散板朝向氣體噴淋頭的表面變形較小，則所述密封裝置對氣體分散板和氣體噴淋頭的密封效果較好，使得進入氣體噴淋頭不同區域的氣體不易發生串擾，有利於提高氣體噴淋頭各個區域氣體的可控性。
1,21,31:第一面
100,200,300:真空反應腔
101,201,301:下電極組件
101a:基座
101b:靜電夾盤
102,202,302:安裝基板
102a,202a,302a:氣體分散板
102b,202b,302b:側壁環
102c,202c,302c:控溫槽
103,203,303:氣體噴淋頭
104,204,304:第一卸荷槽
106:加熱器
11,111:反應氣體
110:冷卻槽
140,240,340:第二卸荷槽
150,250,350:第三卸荷槽
160,260:密封裝置
2,22,32:第二面
270,370:導熱環
380:強壓環
380a:強壓單元
380b:裝卸槽
A,B,C:承載面
圖1是本發明提供的一種等離子體處理設備的結構示意圖；圖2是本發明提供的另一種等離子體處理設備的結構示意圖；圖3是本發明提供的又一種等離子體處理設備的結構示意圖；圖4是圖3等離子體處理設備中一種強壓環的結構示意圖。
正如先前技術中所述，習知的等離子體處理設備中氣體分散板與氣體噴淋頭之間的熱傳導能力較差。為了解決上述技術問題，本發明技術方案提供一種等離子體處理設備，所述等離子體處理設備中的所述氣體分散板的側壁具有第一卸荷槽，所述第一卸荷槽能夠釋放氣體分散板在高溫環境下的部分熱應力，使得氣體分散板朝向氣體噴淋頭的表面變形較小，則有利於提高氣體分散板與氣體噴淋頭之間的接觸面積，提高氣體分散板與氣體噴淋頭之間的熱傳導能力。
為使本發明的上述目的、特徵和有益效果能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施例做詳細的說明。
圖1是本發明一種等離子體處理設備的結構示意圖。
請參閱圖1，真空反應腔100；位於所述真空反應腔100內的底部的下電極組件101；位於所述真空反應腔100的頂部的氣體分散板102a，所述氣體分散板102a的側壁具有第一卸荷槽104；位於所述氣體分散板102a下方的氣體噴淋頭103，所述氣體噴淋頭103朝向承載面A。
在本實施例中，所述等離子體處理設備為電容耦合等離子體處理設備(CCP)。
所述真空反應腔100內用於對待處理基片進行等離子體處理。
所述下電極組件101包括：位於所述真空反應腔100內的基座101a和位於所述基座101a上的靜電夾盤101b，所述承載面A為所述靜電夾盤101b的頂部表面。
所述基座101a用於支撐所述靜電夾盤101b，所述靜電夾盤101b用於承載並吸附所述待處理基片。
在本實施例中，還包括：由所述氣體分散板102a的周邊向上延伸的側壁環102b；由所述側壁環102b的頂部向外延伸的控溫環102c；所述氣體分散板102a、側壁環102b和控溫環102c構成安裝基板102。
在本實施例中，所述氣體分散板102a包括相對的第一面1和第二面2，所述氣體噴淋頭103位於所述第一面1。
在本實施例中，所述氣體分散板102a的材料包括：鋁合金，所述氣體噴淋頭103的材料包括：單晶矽、多晶矽或者碳化矽。由於鋁合金材料的熱膨脹係數較大，使得所述氣體分散板102a在高溫環境下因熱應力 較大而發生變形較嚴重。而所述氣體分散板102a的體積較大，使得安裝基板102因熱應力產生的變形主要集中於氣體分散板102a。由於所述氣體分散板102a在高溫下受熱應力的影響，氣體分散板102a的第一面1呈向下凸起的形狀，在所述氣體分散板102的側壁設置第一卸荷槽104，所述第一卸荷槽104能夠釋放氣體分散板102a部分的熱應力，使所述氣體分散板102a朝向氣體噴淋頭103的表面變形較小，使得所述氣體分散板102a與氣體噴淋頭103之間的接觸面積較大，有利於提高所述氣體分散板102a與氣體噴淋頭103之間的熱傳導能力，使所述氣體噴淋頭103的溫度能夠滿足製程要求。
所述安裝基板102在高溫環境產生的熱應力不僅集中於氣體分散板102a的側壁，還集中於第二面2和側壁環102b。因此，在本實施例中，還在所述氣體分散板102a的第二面2設置第二卸荷載槽140；在所述側壁環102b的側壁設置第三卸荷槽150。第二卸荷載槽140能夠進一步釋放氣體分散板102a的熱應力，使所述氣體分散板102a朝向氣體噴淋頭103的表面變形進一步減少，則所述氣體分散板102a與氣體噴淋頭103的接觸面積較大，有利於提高所述氣體分散板102a與氣體噴淋頭103之間的熱傳導能力；所述第三卸荷槽150也用於釋放氣體分散板102a的熱應力，減小對側壁環102b的拉扯。
在本實施例中，所述氣體分散板102a內具有氣體通道(圖中未示出)，所述氣體通道用於向氣體噴淋頭103輸送反應氣體11。所述氣體噴淋頭103內具有複數個貫穿所述氣體噴淋頭103的出氣口，所述出氣口與氣體通道連通，使得所述反應氣體11從出氣口出去後進入真空反應腔 100內。所述等離子體處理設備包括：施加於所述基座101a上的射頻功率源(圖中未示出)，所述射頻功率源用於使進入真空反應腔100內的反應氣體11解離為等離子體，提供一對待處理基片進行處理的等離子體環境。
所述控溫環內還設置有冷卻槽110，所述冷卻槽110內用於容納冷卻液。當所述射頻功率源開啟後，所述反應氣體11被離子化為等離子體。由於所述等離子體的溫度較高，所述氣體噴淋頭103被等離子體加熱，所述氣體噴淋頭103與氣體分散板102a接觸，則所述氣體噴淋頭103易將熱量傳遞給所述氣體分散板102a。所述氣體分散板102a內具有冷卻槽110，所述冷卻槽110內的冷卻液用於防止氣體噴淋頭103的溫度過高。
還包括：加熱器106，所述加熱器106用於對氣體分散板102a加熱。當所述射頻功率源關閉後，開啟所述加熱器106，所述加熱器106用於對氣體分散板102a進行加熱。由於所述氣體分散板102a與氣體噴淋頭103接觸，使得所述氣體噴淋頭103的溫度不至於過低。
在本實施例中，所述氣體分散板102a與氣體噴淋頭103之間還設置有密封裝置160，所述密封裝置160包括密封槽(圖中未示出)和位於所述密封槽內的密封圈。所述密封裝置160將氣體噴淋頭103劃分為不同的區域，由於所述氣體分散板102a與氣體噴淋頭103之間的接觸面積較大，使得所述密封裝置160對氣體分散板102a與氣體噴淋頭103的密封效果較好，使得反應氣體11不易漏到相鄰的區域，因此，有利於提高氣體噴淋頭103各個區域氣體的可控性。
圖2是本發明提供的另一種等離子體處理設備的結構示意圖。
請參閱圖2，等離子體處理設備包括：真空反應腔200；位於所述真空反應腔200內底部的下電極組件201，所述下電極組件201包括承載面B，所述承載面B用於承載待處理基片；位於所述真空反應腔200頂部的氣體分散板202a，所述氣體分散板202a的側壁具有第一卸荷槽204；位於所述氣體分散板202a下方的氣體噴淋頭203，所述氣體噴淋頭203朝向承載面B。
由於所述氣體分散板202的側壁具有第一卸荷槽204，所述第一卸荷槽204有利於釋放氣體分散板202a內的熱應力，使得氣體分散板202a朝向氣體噴淋頭203的表面變形較小，則所述氣體分散板202a與氣體噴淋頭203之間的接觸面積較大，有利於提高氣體分散板202a與氣體噴淋頭203之間的熱傳導能力較強。
還包括：由所述氣體分散板202a周邊向上延伸的側壁環202b；由所述側壁環202b的頂部向外延伸的控溫環202c；所述氣體分散板202a、側壁環202b和控溫環202c構成安裝基板202。
在本實施例中，所述氣體分散板202a包括相對的第一面21和第二面22，所述氣體噴淋頭203位於所述第一面21，所述第二面22還設置第二卸荷槽240，所述側壁環202b的側壁還設置有第三卸荷槽250，第二卸荷槽240和第三卸荷槽250的位置和作用與上述實施例相同，在此不作贅述。
為了進一步提高所述氣體分散板202a與氣體噴淋頭203之間的熱傳導能力，在所述氣體分散板202a與氣體噴淋頭203之間設置導熱環270。所述導熱環270能夠進一步提高所述氣體分散板202a與氣體噴淋頭 203之間的熱傳導能力的原因包括：所述導熱環270的材料為石墨，或者，所述導熱環270的材料為鋁片以及塗覆於所述鋁片的上下表面的石墨。由於所述導熱環270具有良好的彈性，使得氣體分散板202a與氣體噴淋頭203之間，因熱膨脹係數不同產生微小縫隙時，導熱環270能夠填充所述縫隙，使得導熱環270與氣體分散板202a、以及導熱環270與氣體噴淋頭203之間的接觸面積較大。而導熱環270具有良好的導熱效果，使得所述氣體分散板202a與氣體噴淋頭203之間具有良好的熱傳導性能。
在本實施例中，所述氣體分散板202a與氣體噴淋頭203之間還設置有密封裝置260，所述密封裝置260包括密封槽(圖中未示出)和位於所述密封槽內的密封圈。所述密封裝置260將氣體噴淋頭203劃分為不同的區域，由於所述氣體分散板202a與氣體噴淋頭203之間的接觸面積較大，使得所述密封裝置260對氣體分散板202a與氣體噴淋頭203的密封效果較好，使得反應氣體111不易漏到相鄰的區域，因此，有利於提高氣體噴淋頭203各個區域氣體的可控性。
圖3是本發明提供的又一種等離子體處理設備的結構示意圖。
請參閱圖3，等離子體處理設備包括：真空反應腔300；位於所述真空反應腔300內底部的下電極組件301，所述下電極組件301包括承載面C，所述承載面C用於承載待處理基片；位於所述真空反應腔300頂部的氣體分散板302a，所述氣體分散板302a的側壁具有第一卸荷槽304；位於所述氣體分散板302a的下方的氣體噴淋頭303，所述氣體噴淋頭303朝向承載面C。
由於所述氣體分散板302a的側壁具有第一卸荷槽304，所述第一卸荷槽304能夠釋放氣體分散板302a內部分的熱應力，使得所述氣體分散板302a與氣體噴淋頭303的接觸面積較大，有利於提高所述氣體分散板302a與氣體噴淋頭303之間的熱傳導能力。
還包括：由所述氣體分散板302a周邊向上延伸的側壁環302b；由所述側壁環302b的頂部向外延伸的控溫環302c；所述氣體分散板302a、側壁環302b和控溫環302c構成安裝基板302。
所述氣體分散板302包括相對的第一面31和第二面32，所述氣體噴淋頭303位於所述第一面31，所述第二面32還設置有第二卸荷槽340，所述側壁環302b的側壁具有第三卸荷槽350，所述第二卸荷槽340和第三卸荷槽350的位置與作用與圖1所述實施例的位置和作用相同，在此不作贅述。
並且，所述氣體分散板302a與氣體噴淋頭303之間還具有導熱環370，所述導熱環370用於使得所述氣體分散板302a與氣體噴淋頭303之間的接觸面積進一步增大，有利於進一步提高所述氣體分散板302a與氣體噴淋頭303之間的熱傳導能力。
在本實施例中，還包括：強壓環380，所述強壓環380用於使氣體分散板302a與氣體噴淋頭303壓合，則所述氣體分散板302a與氣體噴淋頭303之間的接觸面積更大，使得所述氣體分散板302a與氣體噴淋頭303之間的熱傳導能力更強。
在本實施例中，所述強壓環380的材料與氣體分散板302a的材料相同，具體的，所述強壓環380的材料和氣體分散板302a的材料均為 鋁合金。選擇所述強壓環380與氣體分散板302a的材料相同的意義在於：由於所述強壓環380與氣體分散板302a的材料相同，則所述強壓環380與氣體分散板302a的熱膨脹係數相同，使得所述強壓環380與氣體分散板302a在高溫環境下的膨脹能力相同，則所述強壓環380與氣體分散板302a之間的結合力較牢固，使得所述強壓環380不易發生鬆動，則所述強壓環380使所述氣體分散板302a與氣體噴淋頭303之間的接觸面積較大，有利於提高氣體分散板302a與氣體噴淋頭303之間的熱傳導，有利於使所述氣體噴淋頭303的溫度滿足製程要求。
在其他實施例中，所述強壓環380的材料與氣體分散板302a的材料的熱膨脹係數之差小於10%。
以下對所述強壓環380進行詳細說明：圖4是圖3等離子體處理設備中一種強壓環的結構示意圖。
在本實施例中，所述強壓環380包括複數個強壓單元380a。
在其他實施例中，所述強壓環380沿其周向為連續的整體。
在本實施例中，以所述強壓環380包括四個強壓單元380a進行說明。在其他實施例中，所述強壓單元380a的個數可以為其它數值。
在本實施例中，各個所述強壓單元380a能夠沿強壓環380的徑向發生移動，意義在於：在高溫環境下，所述氣體噴淋頭303(見圖3)也會發生膨脹，所述強壓單元380a沿強壓環380的徑向能夠移動，有利於減少強壓環380在高溫環境下對氣體噴淋頭303造成擠壓。
在本實施例中，還包括：位於各個強壓單元380a內的裝卸槽380b，所述裝卸槽380b貫穿所述強壓單元380a。利用所述裝卸槽380b和螺釘實現強壓單元380a與氣體分散板302a(見圖3)之間的固定連接。
在本實施例中，以各個所述強壓單元380a內包括8個裝卸槽380b為例進行說明。在其他實施例中，各個所述強壓單元380a內裝卸槽380b的個數還可以為其他值。
雖然本發明披露如上，但本發明並非限定於此。任何本領域的通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護範圍應當以申請專利範圍所限定的範圍為準。
380:強壓環
380a:強壓單元
380b:裝卸槽

Claims (13)

  1. 一種等離子體處理設備，其中，包括：一真空反應腔；位於該真空反應腔內的底部的一下電極組件，該下電極組件包括一承載面，該承載面用於承載一待處理基片；位於該真空反應腔的頂部的一氣體分散板，該氣體分散板的側壁具有一沿橫向延伸的第一卸荷槽；位於該氣體分散板的下方的一氣體噴淋頭，該氣體噴淋頭朝向該承載面。
  2. 如請求項1所述的等離子體處理設備，其中，還包括：由該氣體分散板的邊緣向上延伸的一側壁環；由該側壁環的頂部向外延伸的一控溫環。
  3. 如請求項2所述的等離子體處理設備，其中，該氣體分散板還包括相對的一第一面和一第二面，該氣體噴淋頭位於該第一面；該第二面還具有一第二卸荷槽。
  4. 如請求項3所述的等離子體處理設備，其中，該側壁環的側壁還具有一第三卸荷槽。
  5. 如請求項1所述的等離子體處理設備，其中，還包括：位於該氣體分散板與該氣體噴淋頭之間的一導熱環。
  6. 如請求項5所述的等離子體處理設備，其中，該導熱環的材料為石墨；或者，該導熱環的材料為鋁片以及塗覆於所述鋁片的上下表面的石墨。
  7. 如請求項1所述的等離子體處理設備，其中，還包括：一強壓環，該強壓環用於使該氣體分散板與該氣體噴淋頭壓合。
  8. 如請求項7所述的等離子體處理設備，其中，該強壓環的材料與該氣體分散板的材料相同，或者該強壓環與該氣體分散板的熱膨脹係數之差小於10%。
  9. 如請求項8所述的等離子體處理設備，其中，該氣體分散板和該強壓環的材料相同，且該氣體分散板和該強壓環的材料為：鋁合金。
  10. 如請求項7所述的等離子體處理設備，其中，該強壓環包括複數個強壓單元，各該強壓單元能夠沿著該強壓環的徑向移動，且移動後該強壓環仍能用於使該氣體分散板與該氣體噴淋頭壓合。
  11. 如請求項2所述的等離子體處理設備，其中，還包括：位於該控溫環內的一冷卻槽，該冷卻槽用於容納冷卻液。
  12. 如請求項1所述的等離子體處理設備，其中，還包括：一加熱器，該加熱器用於對該氣體分散板進行加熱。
  13. 如請求項1所述的等離子體處理設備，其中，還包括：位於該氣體分散板與該氣體噴淋頭之間的一密封裝置；該密封裝置包括：一密封槽和位於該密封槽內的一密封圈。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101151702A (zh) * 2005-04-05 2008-03-26 松下电器产业株式会社 多孔陶瓷制成的喷头盘中的应力缓释剪切部分
JP2010225644A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Sharp Corp カバープレートユニット、及びそれを備えた気相成長装置
TW201251518A (en) * 2010-10-19 2012-12-16 Applied Materials Inc Chamber lid heater ring assembly
CN103266310A (zh) * 2013-05-24 2013-08-28 上海和辉光电有限公司 分散板及具有该分散板的镀膜装置
CN103794457A (zh) * 2012-10-29 2014-05-14 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置
JP2017103356A (ja) * 2015-12-02 2017-06-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
CN106922071A (zh) * 2015-12-25 2017-07-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于等离子反应装置的喷淋头加热冷却装置及方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200819555A (en) * 2000-09-08 2008-05-01 Tokyo Electron Ltd Shower head structure, device and method for film formation, and method for cleaning
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
US7743730B2 (en) * 2005-12-21 2010-06-29 Lam Research Corporation Apparatus for an optimized plasma chamber grounded electrode assembly
JP5008478B2 (ja) * 2007-06-27 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびシャワーヘッド
US8418649B2 (en) * 2007-12-19 2013-04-16 Lam Research Corporation Composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus
JP2010171244A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Fuji Electric Holdings Co Ltd プラズマ処理装置
JP5212275B2 (ja) * 2009-07-02 2013-06-19 三菱マテリアル株式会社 プラズマ処理装置用電極板
US9184028B2 (en) * 2010-08-04 2015-11-10 Lam Research Corporation Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control
US9273393B2 (en) * 2014-01-25 2016-03-01 Yuri Glukhoy Torch system for depositing protective coatings on interior walls and recesses present on the flat surface of an object
JP6285411B2 (ja) * 2015-12-25 2018-02-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
CN108431930A (zh) * 2016-01-07 2018-08-21 应用材料公司 具有远程等离子体源和dc电极的原子层蚀刻系统

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101151702A (zh) * 2005-04-05 2008-03-26 松下电器产业株式会社 多孔陶瓷制成的喷头盘中的应力缓释剪切部分
JP2010225644A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Sharp Corp カバープレートユニット、及びそれを備えた気相成長装置
TW201251518A (en) * 2010-10-19 2012-12-16 Applied Materials Inc Chamber lid heater ring assembly
CN103794457A (zh) * 2012-10-29 2014-05-14 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置
CN103266310A (zh) * 2013-05-24 2013-08-28 上海和辉光电有限公司 分散板及具有该分散板的镀膜装置
JP2017103356A (ja) * 2015-12-02 2017-06-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
CN106922071A (zh) * 2015-12-25 2017-07-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于等离子反应装置的喷淋头加热冷却装置及方法

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