JPS5935674A - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JPS5935674A JPS5935674A JP14736882A JP14736882A JPS5935674A JP S5935674 A JPS5935674 A JP S5935674A JP 14736882 A JP14736882 A JP 14736882A JP 14736882 A JP14736882 A JP 14736882A JP S5935674 A JPS5935674 A JP S5935674A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- plasma
- vapor deposition
- vessel
- objects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
本発明は工業的な量産可能なプラズマＣＶＤ装置に関す
るものである。ＣＶＤ法は熱的な活性により反応を起し
暴利に特定化合物を被覆する方法であり、プリズマＣＶ
Ｄもその１つの方法である。
るものである。ＣＶＤ法は熱的な活性により反応を起し
暴利に特定化合物を被覆する方法であり、プリズマＣＶ
Ｄもその１つの方法である。
（ロ）技術の背景
化学的蒸着法（ＣＶＤ法）は現在、半導体工業、光ファ
イバー、切削用工具にて広く利用されている技術である
。このＣＶＤ法は比較的高温を要するためその処理温度
をできるだけ下げる努力が種々の方法で試みられている
。その１つは有機化合物を供給源として用いて低温での
分解を利用することである。他の方法はプラズマ放電を
利用して反応を促進する方法である。後者は既にアモル
ファスＳｉヤ５ｉｓＮａパッシベーション膜の製造に用
いられているものであり、第１図はその装置の１例を示
す。真空容器６の中に加熱ヒータ２を内蔵する被処理物
１の載せ台があり、容器内は排気孔５を通じて真空ポン
プにより排気一定減圧に保たれるようになっており、加
熱ヒータにより一定温度に加熱された状態でガス導入孔
４・から導入された反応ガスが電極８と被処理物載せ合
間に電源７により放電したプラズマ中を通過してイオン
化して被処理物１の表面を被覆するものである。
イバー、切削用工具にて広く利用されている技術である
。このＣＶＤ法は比較的高温を要するためその処理温度
をできるだけ下げる努力が種々の方法で試みられている
。その１つは有機化合物を供給源として用いて低温での
分解を利用することである。他の方法はプラズマ放電を
利用して反応を促進する方法である。後者は既にアモル
ファスＳｉヤ５ｉｓＮａパッシベーション膜の製造に用
いられているものであり、第１図はその装置の１例を示
す。真空容器６の中に加熱ヒータ２を内蔵する被処理物
１の載せ台があり、容器内は排気孔５を通じて真空ポン
プにより排気一定減圧に保たれるようになっており、加
熱ヒータにより一定温度に加熱された状態でガス導入孔
４・から導入された反応ガスが電極８と被処理物載せ合
間に電源７により放電したプラズマ中を通過してイオン
化して被処理物１の表面を被覆するものである。
従来のこの装置は平面基板の一面のみへの被覆を目的に
して設計されており、製造装置もこれに合った形で５０
０°Ｃ以下の温度での処理を１指している。
して設計されており、製造装置もこれに合った形で５０
０°Ｃ以下の温度での処理を１指している。
一方、ＣＶＤ法を多く採用している切削工具用被覆超硬
合金の場合は３次元的にすべての面を被覆する必要があ
り、従って従来の設備ては量産」−使用不可能である。
合金の場合は３次元的にすべての面を被覆する必要があ
り、従って従来の設備ては量産」−使用不可能である。
また、平面上に被覆する場合においても温度分布、最高
温度等の問題があり」二連の従来の装置の改良が望まれ
ている。
温度等の問題があり」二連の従来の装置の改良が望まれ
ている。
（ハ）発明の開示
発明者らはプラズマＣＶＤ法の特徴を最大限に引き出し
得る多量生産装置につぎ検討した結果本発明に至ったも
のであり、温度分布、最高温度の問題を解決し、３次元
的被覆を均一に行うことの出来る装置を開発したもので
ある。
得る多量生産装置につぎ検討した結果本発明に至ったも
のであり、温度分布、最高温度の問題を解決し、３次元
的被覆を均一に行うことの出来る装置を開発したもので
ある。
第２図は本発明の蒸着装置の概要を示す断面図を示す。
本発明の要件は、真空容器６内に同一中心軸を有し直径
の異る円筒状の電極９（（ホ）及び（１０） ｆｌ ｉ
ｌを配置し、この間にプラズマを発生させ、この中に被
処理物ｌを設置し、加熱は容器外に設けられたヒータ２
によって行うことにあり、これによって温度分布を均一
にすることが出来、プラズマの発生を全く別個に制御す
ることができるものである。又、処理温度は１０００°
Ｃあるいはそれ以上に上昇させることが可能となった。
の異る円筒状の電極９（（ホ）及び（１０） ｆｌ ｉ
ｌを配置し、この間にプラズマを発生させ、この中に被
処理物ｌを設置し、加熱は容器外に設けられたヒータ２
によって行うことにあり、これによって温度分布を均一
にすることが出来、プラズマの発生を全く別個に制御す
ることができるものである。又、処理温度は１０００°
Ｃあるいはそれ以上に上昇させることが可能となった。
電極９、】Ｏの形状を円筒状とするのは放電が均一に起
ることを目的とするためである。また通常外熱式真空容
器は円筒形が強度上好ましいので反応容器として最大限
の体積を利用しようとするならば容器そのものが電極と
なっても良い。
ることを目的とするためである。また通常外熱式真空容
器は円筒形が強度上好ましいので反応容器として最大限
の体積を利用しようとするならば容器そのものが電極と
なっても良い。
内部電極９と外部電極１０とは好ましくはその中心軸が
一致すべきであり、これはプラズマ発生状態を均一にす
るために重要である。
一致すべきであり、これはプラズマ発生状態を均一にす
るために重要である。
被処理物は内外電極間に設置されるが、両電極が絶縁さ
れても良いし、あるいは片側電極にとりつけられてもよ
い。又被処理物自体に何らかのバイアスを印加すること
も公知の手段であり本発明の効果に変りはない。
れても良いし、あるいは片側電極にとりつけられてもよ
い。又被処理物自体に何らかのバイアスを印加すること
も公知の手段であり本発明の効果に変りはない。
プラズマの発生は直流電界でも高周波電界でも可能であ
るが直流の場合は被処理物の極性は目的によって吟味す
る必要がある。
るが直流の場合は被処理物の極性は目的によって吟味す
る必要がある。
に）発明を実施するための最良の形態
実施例１
材質が５ＵＳ３１６で】２０φ×５００ｍｍＨの真空容
器の内部に、５ＵＳ３１６の板材で１００φ關の外部電
極と５０φ朋の内部電極を同一中心軸にして設置した。
器の内部に、５ＵＳ３１６の板材で１００φ關の外部電
極と５０φ朋の内部電極を同一中心軸にして設置した。
容器の外側にはニクロムの抵抗加熱炉を設けた。一方、
内外電極間に電気的に中性な冶具を入れこれに１１００
ＸＩ５Ｘ１扉の５ＵＳ３０４の板材をボルト締めし、こ
れを基板として蒸着を行った。
内外電極間に電気的に中性な冶具を入れこれに１１００
ＸＩ５Ｘ１扉の５ＵＳ３０４の板材をボルト締めし、こ
れを基板として蒸着を行った。
この場合、導入ガス組成はＡｔＣＬ ＊、 ＣＯ−、Ｈ
−てあり、圧力Ｉ Ｔｏｒｒで内外の電極間にＤＣ７５
０Ｖ 。
−てあり、圧力Ｉ Ｔｏｒｒで内外の電極間にＤＣ７５
０Ｖ 。
２Ａの放電を起し、５００°Ｃ，２時間の処理によって
２．５μのＡムＯｓ膜を得た。断面を光学顕微鏡で観察
すると基板の表裏全域にわたり２．３〜２．７μの範囲
内の均一なＡムＯ８膜が観察された。
２．５μのＡムＯｓ膜を得た。断面を光学顕微鏡で観察
すると基板の表裏全域にわたり２．３〜２．７μの範囲
内の均一なＡムＯ８膜が観察された。
実施例２
材質５ＵＳ３１６で寸法８５０φ龍Ｘ７００ｍポの真空
容器の内部に、３００φｍｍの外部電極と１２０φｍｍ
の内部電極とを設置した。真空容器の外側にはカンクル
線の抵抗加熱炉を設置した。内部電極に取り付けた治具
によりＩＳＯＰ２Ｏの超硬合金（形状５ＮＧＡ４３２）
を取り付け、これを基材にしてＴｉｃの蒸着を行った。
容器の内部に、３００φｍｍの外部電極と１２０φｍｍ
の内部電極とを設置した。真空容器の外側にはカンクル
線の抵抗加熱炉を設置した。内部電極に取り付けた治具
によりＩＳＯＰ２Ｏの超硬合金（形状５ＮＧＡ４３２）
を取り付け、これを基材にしてＴｉｃの蒸着を行った。
この場合の導入ガス組成は、ＴｉＣ１％ 。
ＣＨ，、Ｈ，よりなり、内外電極間には１３．５６ＭＨ
２の高周波電力（５００Ｗ）によって放電を発生させた
。
２の高周波電力（５００Ｗ）によって放電を発生させた
。
圧力２ Ｔｏｒｒ、温度７５０°Ｃで１時間処理するこ
とにより重量変化で３μ厚のＴｉＣ膜を得た。本容器中
に］８００ケの上述超硬合金を設置したが、そのばらつ
きは３μ±０．３μと極めて均一な被覆が行われた。
とにより重量変化で３μ厚のＴｉＣ膜を得た。本容器中
に］８００ケの上述超硬合金を設置したが、そのばらつ
きは３μ±０．３μと極めて均一な被覆が行われた。
第１図は従来の蒸着装置の概要を示す断面図であり、第
２図は本発明の装置の１例を示す断面図である。。 １：基材、２．２’：加熱ヒータ、３：加熱電源、４：
ガス導入孔、５：真空排気孔、６：真空容器、７：放電
電源、８：電極、９．９’：内部電極、１０．１０’
：外部電極。 代理人 弁理士 」二 代 哲 司の ノ１１暑、ｊ（］“］：） ■ −ｃＪ ４０７−
２図は本発明の装置の１例を示す断面図である。。 １：基材、２．２’：加熱ヒータ、３：加熱電源、４：
ガス導入孔、５：真空排気孔、６：真空容器、７：放電
電源、８：電極、９．９’：内部電極、１０．１０’
：外部電極。 代理人 弁理士 」二 代 哲 司の ノ１１暑、ｊ（］“］：） ■ −ｃＪ ４０７−
Claims (1)
- （１）真空容器内に同一中心をもつ直径の異なる２つの
円筒状の電極を有し、この電極に接続する電源により直
流もしくは交流によってプラズマを内側と外側の電極間
に発生させ、ここに被処理物を設置する支持装置があり
、真空容器の１部に反応ガス導入孔及び他端に真空排気
孔を有し、反応ガスはプラズマ発生部に導入され、真空
容器の外側から被処理物及び反応ガスを加熱する加熱装
置からなることを特徴とする蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14736882A JPS5935674A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14736882A JPS5935674A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5935674A true JPS5935674A (ja) | 1984-02-27 |
| JPS6358226B2 JPS6358226B2 (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=15428638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14736882A Granted JPS5935674A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935674A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2589168A1 (fr) * | 1985-10-25 | 1987-04-30 | Solems Sa | Appareil et son procede d'utilisation pour la formation de films minces assistee par plasma |
| JPS6328871A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-06 | Toshiba Corp | プラズマｃｖｄ処理装置 |
| JPS644244A (en) * | 1987-06-24 | 1989-01-09 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | High temperature reaction treatment device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5391663A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-11 | Hitachi Ltd | Plasma cvd device |
| JPS5456366A (en) * | 1977-10-14 | 1979-05-07 | Hitachi Ltd | Plasma film forming apparatus |
| JPS565972A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-22 | Canon Inc | Film forming method |
-
1982
- 1982-08-24 JP JP14736882A patent/JPS5935674A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5391663A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-11 | Hitachi Ltd | Plasma cvd device |
| JPS5456366A (en) * | 1977-10-14 | 1979-05-07 | Hitachi Ltd | Plasma film forming apparatus |
| JPS565972A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-22 | Canon Inc | Film forming method |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2589168A1 (fr) * | 1985-10-25 | 1987-04-30 | Solems Sa | Appareil et son procede d'utilisation pour la formation de films minces assistee par plasma |
| US4798739A (en) * | 1985-10-25 | 1989-01-17 | Solems | Plasma-assisted method for thin film fabrication |
| JPS6328871A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-06 | Toshiba Corp | プラズマｃｖｄ処理装置 |
| JPS644244A (en) * | 1987-06-24 | 1989-01-09 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | High temperature reaction treatment device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6358226B2 (ja) | 1988-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3070037B2 (ja) | 三次元物品にバリヤーフィルムを付着させる方法 | |
| US20070148368A1 (en) | Apparatus for plasma treatment of dielectric bodies | |
| US4810526A (en) | Method of coating a recrystallized silicon carbide body with a compact silicon carbide coating | |
| JPH0791654B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2009249741A (ja) | プラズマビームによる基体の被覆及び表面処理のための方法及び装置 | |
| JPH10503747A (ja) | 炭素含有材料の急熱・急冷によるダイヤモンド材の形成 | |
| JPS61201769A (ja) | 酸化物、窒化物、酸化窒化物および炭化物からなる層の反応的蒸着法 | |
| EP3377668A1 (en) | Method and device for promoting adhesion of metallic surfaces | |
| JPH0377655B2 (ja) | ||
| JPS5935674A (ja) | 蒸着装置 | |
| JPH03146489A (ja) | 複合材用被覆フィラメント | |
| JP2002523331A (ja) | グラファイト上への改良されたホウ素被覆の製造方法および該方法で得られる物品 | |
| JPH04180566A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH04228566A (ja) | スパッターイオンめっきによる導電性繊維被覆方法および装置 | |
| JPS6320300B2 (ja) | ||
| JPS6242030B2 (ja) | ||
| JPH0527707B2 (ja) | ||
| JPS6260873A (ja) | 成膜用電気絶縁部材およびそれを用いた成膜方法 | |
| JPS61253368A (ja) | 表面被覆法 | |
| JPH0461336A (ja) | 薄膜の形成方法および薄膜の形成装置 | |
| JPH0411628B2 (ja) | ||
| JPH01247574A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| KR100712391B1 (ko) | 반도체 및 ｌｃｄ 제조장비의 세라믹 용사코팅을 이용한다중코팅 발열 장치 | |
| JPS63190172A (ja) | 耐熱材料の被覆方法 | |
| JPS58136763A (ja) | プラズマ化学気相生成装置 |