JPS63190172A - 耐熱材料の被覆方法 - Google Patents
耐熱材料の被覆方法Info
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- JPS63190172A JPS63190172A JP2150587A JP2150587A JPS63190172A JP S63190172 A JPS63190172 A JP S63190172A JP 2150587 A JP2150587 A JP 2150587A JP 2150587 A JP2150587 A JP 2150587A JP S63190172 A JPS63190172 A JP S63190172A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、Ｓｉ３Ｎ４などの耐熱材料を、基材表面に被
覆する方法に関するものである。
覆する方法に関するものである。
（従来技術）
Ｓｔ、Ｎ、 、 ＳｉＣなどの耐熱材料を基材表面に被
覆する方法としては、１４００〜１６００℃というきわ
めて高温で、反応ガスを反応させて基材表面に被覆する
化学蒸着法（以下ＣＶＤ法と称す）が知られている。
覆する方法としては、１４００〜１６００℃というきわ
めて高温で、反応ガスを反応させて基材表面に被覆する
化学蒸着法（以下ＣＶＤ法と称す）が知られている。
又、低温で被覆する方法として、イオンブレーティング
、スパッタリングなどの物理蒸着法〔以下ＰＶＤ法と称
す〕も知られている。
、スパッタリングなどの物理蒸着法〔以下ＰＶＤ法と称
す〕も知られている。
最近では、ＣＶＤ法の利点であるつきまわりのよさをい
かし、かつ、処理温度の低温化を図る方法として、反応
ガスに、外部より電界を印加し、放電させることによっ
て、該反応ガスを励起することによって、低温の基材に
耐熱材料を被覆するプラズマＣＶＤ法が知られている。
かし、かつ、処理温度の低温化を図る方法として、反応
ガスに、外部より電界を印加し、放電させることによっ
て、該反応ガスを励起することによって、低温の基材に
耐熱材料を被覆するプラズマＣＶＤ法が知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし乍ら、ＣＶＤ法は、処理温度が高温すぎるため基
材材料は著しく制限をうけ、工業的にその応用範囲は自
ずと限られたものであった。
材材料は著しく制限をうけ、工業的にその応用範囲は自
ずと限られたものであった。
ＰＶＤ法はその点基材材料を自由に選べられるものの、
高真空による被覆法であるため、本質的につきまわり性
に欠点をもっことから基材の形状に著しく制限をうけ、
これも工業的に応用範囲は限られたものであった。
高真空による被覆法であるため、本質的につきまわり性
に欠点をもっことから基材の形状に著しく制限をうけ、
これも工業的に応用範囲は限られたものであった。
両者の特徴をかねそなえたプラズマＣＶＤ法では、これ
らの問題を解決しているものの、このプロセスも反応室
内の放電現象を利用しているため、基材の形状によって
膜厚の分布はかなり左右されること、さらにはプラズマ
プロセス特有の、プラズマ中のイオンの照射による被覆
物質の劣化という大きな間粗をかかえている。
らの問題を解決しているものの、このプロセスも反応室
内の放電現象を利用しているため、基材の形状によって
膜厚の分布はかなり左右されること、さらにはプラズマ
プロセス特有の、プラズマ中のイオンの照射による被覆
物質の劣化という大きな間粗をかかえている。
上記に鑑み、本発明はこのような問題点を解決するため
開発されたものである。
開発されたものである。
（問題点を解決するための手段）
即ち本発ＦＩＡは、耐熱材料を基材表面に被覆するため
に、反応ガスを、基材表面直上に設置した発熱体で予熱
することによって、該反応ガスを励起し、発熱体に比べ
低温に保持されている基材表面上に耐熱材料を析出させ
被覆することを特徴とする耐熱材料の被覆方法である。
に、反応ガスを、基材表面直上に設置した発熱体で予熱
することによって、該反応ガスを励起し、発熱体に比べ
低温に保持されている基材表面上に耐熱材料を析出させ
被覆することを特徴とする耐熱材料の被覆方法である。
以下に詳細に本発明を説明する。
第１図は本発明の具体例であって、基材（４）の直上に
１発熱体（５）を設置し、高温に加熱する。反応ガスは
反応ガス導入孔（３）より反応容器（１）に導入され、
反応ガス排出孔（２）によって排気される。
１発熱体（５）を設置し、高温に加熱する。反応ガスは
反応ガス導入孔（３）より反応容器（１）に導入され、
反応ガス排出孔（２）によって排気される。
基材（４）は発熱体（５）の輻射によって加熱されてい
る（発熱体より低温に）。なお基材（４）は必要に応じ
外部より補助的に加熱又は冷却しうる。これは基材の表
面温度が、被覆膜と基材との接着強度を支配するため、
必要に応じ、基材の表面温度を調整するためである。
る（発熱体より低温に）。なお基材（４）は必要に応じ
外部より補助的に加熱又は冷却しうる。これは基材の表
面温度が、被覆膜と基材との接着強度を支配するため、
必要に応じ、基材の表面温度を調整するためである。
（作用）
上記のように構成された耐熱材料の被覆方法においては
、反応ガスは、発熱体によって通常のＣＶＤ法による被
覆条件以上の高温にまで予熱励起される。そのためその
直下においた基材には工業的に十分な速度で耐熱材料を
堆積被覆しうる。
、反応ガスは、発熱体によって通常のＣＶＤ法による被
覆条件以上の高温にまで予熱励起される。そのためその
直下においた基材には工業的に十分な速度で耐熱材料を
堆積被覆しうる。
この方法では、プラズマのようないわゆる放電現象を利
用していないため、いわゆるイオン照射による被覆物質
の劣化は一切生じないことはいうまでもない。
用していないため、いわゆるイオン照射による被覆物質
の劣化は一切生じないことはいうまでもない。
又、ＰＶＤ法とはことなり、特に高真空を必要としない
ため、つきまわり性は本質的にＰＶＤ法にまさることも
自明である。
ため、つきまわり性は本質的にＰＶＤ法にまさることも
自明である。
なお被覆する耐熱材料は、特に制限はないが、通常のＣ
ＶＤ法で、１２００℃以上の温度を要するＳｉ、Ｈ４、
ＳｉＣ、Ｂ、Ｃ＋ ＢＮ 、 ＡＪＮなどが、本発明に
適した材料であることはいうまでもない。
ＶＤ法で、１２００℃以上の温度を要するＳｉ、Ｈ４、
ＳｉＣ、Ｂ、Ｃ＋ ＢＮ 、 ＡＪＮなどが、本発明に
適した材料であることはいうまでもない。
又発熱体の材料としてＦｉＷ ＋ Ｔａ ｔグラファイ
トなどが好ましい。そしてその温度としては、一般には
１５００℃以上、好ましくは２０００℃以上が適する。
トなどが好ましい。そしてその温度としては、一般には
１５００℃以上、好ましくは２０００℃以上が適する。
基材の表面温度は、発熱体の温度、発熱体と基材との幾
何学的配置、外部からの熱の授受によって、左右される
が一般的に（ｄ１０００℃〜７００℃である。
何学的配置、外部からの熱の授受によって、左右される
が一般的に（ｄ１０００℃〜７００℃である。
（実施例）
以下に本発明の実施例を述べる。
実施例１：
第１図の設備において、基材（４）としてＭＯ製ＩＱｍ
Ｘ１０ｗＸ２鴫の板を用い、Ｗフィラメント（５）を２
２００℃に加熱、基材（４）は水冷することＫよって、
表面温度を９２０℃に保った。反応ガス導入孔（３）よ
りＳｉＣ／４０．０２／／ｍｉｎ 、 ＣＨ４０，０２
／／ｍｉｎ 、 Ｈ２０，９６／／１ｎｉｎを導入し、
真空排気速度をコントロールすることによって反応容器
（１）内を１５０Ｔｏｒｒに保った。
Ｘ１０ｗＸ２鴫の板を用い、Ｗフィラメント（５）を２
２００℃に加熱、基材（４）は水冷することＫよって、
表面温度を９２０℃に保った。反応ガス導入孔（３）よ
りＳｉＣ／４０．０２／／ｍｉｎ 、 ＣＨ４０，０２
／／ｍｉｎ 、 Ｈ２０，９６／／１ｎｉｎを導入し、
真空排気速度をコントロールすることによって反応容器
（１）内を１５０Ｔｏｒｒに保った。
この状態で５時間、処理を行なった。得られた資料をＸ
−ｒａｙ回析で調べたところ、ＳｉＣが検出され、試
料を切断し、走査型電子顕微鏡でしらべたところ、密な
ＳｉＣが３５μ被覆されていた。
−ｒａｙ回析で調べたところ、ＳｉＣが検出され、試
料を切断し、走査型電子顕微鏡でしらべたところ、密な
ＳｉＣが３５μ被覆されていた。
実施例２：
第１図とほぼ同様の設備を用い、種々の条件にて、種々
の物質の被覆を５時間行なった。結果を！ｉ表に記す。
の物質の被覆を５時間行なった。結果を！ｉ表に記す。
ちナミニ、ＣＶＤ法テＳｉ３ Ｈ４、ＳｉＣを被覆する
には１４００℃以上が必要であり、プラズマＣＶＤ法で
は、たしかに８００℃以下で被覆が可能なものの、１５
μ以上被覆すると、イオンによる照射によって被覆膜中
に圧縮の応力が生じ、膜が基材から剥離してしまった。
には１４００℃以上が必要であり、プラズマＣＶＤ法で
は、たしかに８００℃以下で被覆が可能なものの、１５
μ以上被覆すると、イオンによる照射によって被覆膜中
に圧縮の応力が生じ、膜が基材から剥離してしまった。
（発明の効果）
以上説明してきたように、本発明は、放電現象を利用し
ていないため、イオン照射による被覆膜の劣化が生じず
、かつ通常のＣＶＤ法に比べ著しく低温で耐熱材料の被
覆が可能となる。
ていないため、イオン照射による被覆膜の劣化が生じず
、かつ通常のＣＶＤ法に比べ著しく低温で耐熱材料の被
覆が可能となる。
第１図は本発明の耐熱材料の被覆方法を実施する装置の
説明図を例示している。
説明図を例示している。
Claims (2)
- （１）耐熱材料を基材表面に被覆するために、反応ガス
を、基材表面直上に設置した発熱体で予熱することによ
つて、該反応ガスを励起し、発熱体に比べ低温に保持さ
れている基材表面上に耐熱材料を析出させ被覆すること
を特徴とする耐熱材料の被覆方法。 - （２）被覆する耐熱材料が、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、ＳｉＣ、
Ｂ＿４Ｃ、ＢＮ、ＡｌＮからなる群より選んだ１種以上
である特許請求の範囲第（１）項記載の耐熱材料の被覆
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150587A JPS63190172A (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 耐熱材料の被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150587A JPS63190172A (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 耐熱材料の被覆方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63190172A true JPS63190172A (ja) | 1988-08-05 |
Family
ID=12056825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2150587A Pending JPS63190172A (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 耐熱材料の被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63190172A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05225523A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-09-03 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-01-31 JP JP2150587A patent/JPS63190172A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05225523A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-09-03 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
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