JPH04124272A - 立方晶窒化ホウ素被覆部材及びその製造方法 - Google Patents
立方晶窒化ホウ素被覆部材及びその製造方法Info
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- JPH04124272A JPH04124272A JP24385890A JP24385890A JPH04124272A JP H04124272 A JPH04124272 A JP H04124272A JP 24385890 A JP24385890 A JP 24385890A JP 24385890 A JP24385890 A JP 24385890A JP H04124272 A JPH04124272 A JP H04124272A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、耐摩耗性、耐熱性、化学安定性に優れた工具
、摺動部品等に使用される高硬度立方晶窒化ホウ素(以
下、cBNと呼ぶ)被覆部材及びその製造方法に関する
ものである。
、摺動部品等に使用される高硬度立方晶窒化ホウ素(以
下、cBNと呼ぶ)被覆部材及びその製造方法に関する
ものである。
cBNは自然界には存在せず、ダイヤモンドと同様に超
高圧高温下で、いわゆる高圧自戒される。
高圧高温下で、いわゆる高圧自戒される。
cBNはダイヤモンドに次ぐ高硬度、高熱伝導度を有し
、しかも、ダイヤモンドの欠点である、耐熱性、耐化学
安定性(特に鉄との反応)が極めて優れた材料である。
、しかも、ダイヤモンドの欠点である、耐熱性、耐化学
安定性(特に鉄との反応)が極めて優れた材料である。
従って、鉄系材料に使用される工具、ローラー等の材料
として有望である。しかし、高圧合成法ではその製造方
法の為、出来上がる製品形状に制限がある。そこで、気
相からのcBN膜合成が検討されている。
として有望である。しかし、高圧合成法ではその製造方
法の為、出来上がる製品形状に制限がある。そこで、気
相からのcBN膜合成が検討されている。
cBNを気相から合成する方法としては、例えば次の三
つの公知技術がある。
つの公知技術がある。
■ 特公昭60−181626号公報に記載される、ホ
ウ素を含有する蒸発源から基体上にホウ素を蒸着させる
と共に、少なくとも窒素を含むイオン種を発生するイオ
ン発生源から基体上に該含有イオン種を照射して、該基
体上に窒化ホウ素を生成させる立方晶窒化ホウ素膜の製
造方法。
ウ素を含有する蒸発源から基体上にホウ素を蒸着させる
と共に、少なくとも窒素を含むイオン種を発生するイオ
ン発生源から基体上に該含有イオン種を照射して、該基
体上に窒化ホウ素を生成させる立方晶窒化ホウ素膜の製
造方法。
■ Ill + N寓プラズマによるボロンの化学輸送
を行なうことによって、基体上に立方晶窒化ホウ素を生
成する方法〔文献1:コマツ外、ジャーナルオン マテ
リアルズ サイエンス レターズ、Journal o
f Materials 5cience Le[te
rs、 4 (1985)p、51〜54〕。
を行なうことによって、基体上に立方晶窒化ホウ素を生
成する方法〔文献1:コマツ外、ジャーナルオン マテ
リアルズ サイエンス レターズ、Journal o
f Materials 5cience Le[te
rs、 4 (1985)p、51〜54〕。
■ HCD (Hollow Cathode Dis
chargeホロウカソード陰極放電)ガンにてボロン
を蒸発させながら、ホロー電極からN、をイオン化して
基板を照射し、基板には高周波を印加してセルフバイア
ス効果を持たせ、該基板上に窒化ホウ素を生成する方法
〔文献2:イナガワ外、プロシーデインゲス オン 9
ス シンポジウム オン イオンアシステツド チクノ
ロシイ、 Proceedings of9th S
ymposium on Ion As5fs[
edTechnolory、8 5 。
chargeホロウカソード陰極放電)ガンにてボロン
を蒸発させながら、ホロー電極からN、をイオン化して
基板を照射し、基板には高周波を印加してセルフバイア
ス効果を持たせ、該基板上に窒化ホウ素を生成する方法
〔文献2:イナガワ外、プロシーデインゲス オン 9
ス シンポジウム オン イオンアシステツド チクノ
ロシイ、 Proceedings of9th S
ymposium on Ion As5fs[
edTechnolory、8 5 。
東京、9.299〜302 (1985))。
しかしながら、前記■〜■のような製法で合成される窒
化ホウ素膜は、cBN以外に六方晶窒化ホウ素(hBN
と略す)やアモルファスBN等の比較的硬度の低い、低
熱伝導なりN成分を含んでおり、l、、1わゆる高圧合
成で得られるcBNの特長を発揮できないという問題が
あった。また、窒化ホウ素膜を基体上に形成する場合、
窒化ホウ素膜と基体との密着性に大きな問題点があった
。極端な場合は、窒化ホウ素膜形成後、成膜室から基体
を出して大気に曝すだけで剥離が起こることもある。
化ホウ素膜は、cBN以外に六方晶窒化ホウ素(hBN
と略す)やアモルファスBN等の比較的硬度の低い、低
熱伝導なりN成分を含んでおり、l、、1わゆる高圧合
成で得られるcBNの特長を発揮できないという問題が
あった。また、窒化ホウ素膜を基体上に形成する場合、
窒化ホウ素膜と基体との密着性に大きな問題点があった
。極端な場合は、窒化ホウ素膜形成後、成膜室から基体
を出して大気に曝すだけで剥離が起こることもある。
本発明はこのような問題点を解消し、高硬度で高熱伝導
な立方晶窒化ホウ素薄膜を、基板表面に密着性良く形成
した新規な立方晶窒化ホウ素被覆部材およびその製造方
法を提供することを目的とするものである。
な立方晶窒化ホウ素薄膜を、基板表面に密着性良く形成
した新規な立方晶窒化ホウ素被覆部材およびその製造方
法を提供することを目的とするものである。
上記課題を解決する手段として、本発明は基体上に、η
、AJ、Tl化合物およびM化合物のうちから選ばれる
少なくとも1種を含む立方晶窒化ホウ素膜を被覆されて
なる立方晶窒化ホウ素被覆部材、並びに、基体上に、T
I、 M、 TI化合物およびM化合物のうちから選ば
れる少なくとも1種を含ませて立方晶窒化ホウ素膜を気
相合成法により被覆することを特徴とする立方晶窒化ホ
ウ素被覆部材の製造方法を提供する。
、AJ、Tl化合物およびM化合物のうちから選ばれる
少なくとも1種を含む立方晶窒化ホウ素膜を被覆されて
なる立方晶窒化ホウ素被覆部材、並びに、基体上に、T
I、 M、 TI化合物およびM化合物のうちから選ば
れる少なくとも1種を含ませて立方晶窒化ホウ素膜を気
相合成法により被覆することを特徴とする立方晶窒化ホ
ウ素被覆部材の製造方法を提供する。
cBN膜を基体上に気相合成する際、同時にTIおよび
Ti Cy、 TIN)c、 Ti CN 1−y 、
Tig、、 TI OX等のη化合物並びにMおよび
AJ N 、 /V B 、 /V tO!等のM化合
物のうちから選ばれる少なくとも1種をeBN膜中に含
ませることにより、cBN以外のhBNやアモルファス
BN等の成長を抑えてcBNを優先的に成長させること
ができるので、比較的硬度の低い、低熱伝導なりN成分
の少ないcBN膜を得ることができる。さらに、η、
TI化合物。
Ti Cy、 TIN)c、 Ti CN 1−y 、
Tig、、 TI OX等のη化合物並びにMおよび
AJ N 、 /V B 、 /V tO!等のM化合
物のうちから選ばれる少なくとも1種をeBN膜中に含
ませることにより、cBN以外のhBNやアモルファス
BN等の成長を抑えてcBNを優先的に成長させること
ができるので、比較的硬度の低い、低熱伝導なりN成分
の少ないcBN膜を得ることができる。さらに、η、
TI化合物。
M、M化合物等をcBN膜中に含ませることにより、基
体との密着性の向上も図れることが判明した。
体との密着性の向上も図れることが判明した。
本発明において、cBN膜を気相合成する方法としては
、CVD法あるいはPVD法で可能である。
、CVD法あるいはPVD法で可能である。
例えば、CVD法ニオイテハ、DC,RF、?イクロ波
励起により、BIH@、B C1s等のB(ホウ素)を
含むガス、N諺+ Nus等のN(チッ素)を含むガス
に’n Cl<等のηを含むガスおよび/またはM C
zs等のMを含むガスからなる混合ガスを分解するプラ
ズマCVD法を用いることができる。
励起により、BIH@、B C1s等のB(ホウ素)を
含むガス、N諺+ Nus等のN(チッ素)を含むガス
に’n Cl<等のηを含むガスおよび/またはM C
zs等のMを含むガスからなる混合ガスを分解するプラ
ズマCVD法を用いることができる。
また、PVD法においては、イオンブレーティング、イ
オンベイバーデポジション、スパッタリング等が可能で
ある。
オンベイバーデポジション、スパッタリング等が可能で
ある。
本発明において、膜中のcBN以外の構成物質が0.1
重量%未満では添加効果が得られず、60重量%を超え
るとcBNの高硬度、耐摩耗性、高熱伝導度という特性
を低下せしめるので、逆効果となる。従って、cBN中
のM、M化合物、TI。
重量%未満では添加効果が得られず、60重量%を超え
るとcBNの高硬度、耐摩耗性、高熱伝導度という特性
を低下せしめるので、逆効果となる。従って、cBN中
のM、M化合物、TI。
TI化合物の存在量は、全量中0.1〜60Ir量%の
範囲内とすることが好ましい。
範囲内とすることが好ましい。
また、本発明の被覆工具部材において、膜厚が0、1μ
m未満では工具として使用しても被覆を形成した効果が
得られず、30μmを超えるとチッピングを起こしてし
まった。従って、本発明における膜厚は0.1〜30μ
mの範囲内が適当である。
m未満では工具として使用しても被覆を形成した効果が
得られず、30μmを超えるとチッピングを起こしてし
まった。従って、本発明における膜厚は0.1〜30μ
mの範囲内が適当である。
本発明の基体としては特に限定されるところはなく、そ
の目的に応じて適宜選択できるが、例えばWC−Co等
の超硬合金、高速度鋼等鉄系材料、S+sN+等のセラ
ミックス、TIC基焼結体等のサーメット等を用いるこ
とができる。
の目的に応じて適宜選択できるが、例えばWC−Co等
の超硬合金、高速度鋼等鉄系材料、S+sN+等のセラ
ミックス、TIC基焼結体等のサーメット等を用いるこ
とができる。
以下に本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
実施例1及び比較例1
第1図に示す並行平板高周波プラズマCVD装置に法よ
り本発明のcBN被覆部材を製造した。
り本発明のcBN被覆部材を製造した。
基体支持台6に基体5を設置した後、排気口3に接続さ
れた真空排気装置(図示せず)の動作により、チャンバ
ー1内を排気し、基体をヒーター7により加熱する。し
かる後、ガス供給口2から下記に示す原料ガスを導入し
、排気口3に設けたバルブ(図示せず)によりチャンバ
ー1内の圧力を調整し、次いでRF電極4に接続した高
周波(RF)電源発振器8を動作させ電圧を印加する(
実施例1)。
れた真空排気装置(図示せず)の動作により、チャンバ
ー1内を排気し、基体をヒーター7により加熱する。し
かる後、ガス供給口2から下記に示す原料ガスを導入し
、排気口3に設けたバルブ(図示せず)によりチャンバ
ー1内の圧力を調整し、次いでRF電極4に接続した高
周波(RF)電源発振器8を動作させ電圧を印加する(
実施例1)。
また、比較のために原料ガスを下記の組成とした以外は
実施例1と同様にして従来品のcBN被覆部材を製造し
た(比較例1)。
実施例1と同様にして従来品のcBN被覆部材を製造し
た(比較例1)。
cBN気相合成条件は下記の通り(原料ガス以外の条件
は実施例、比較例とも同じ) 原料ガス(実施例! ) : BsHg 1
secmNB、1secai H,I OOsccm Ti C140,l sec+a M ClsO,l 5ecll (比較例1 ) : Ba1m 15ecl
NH1lscca ti、 100scca RF: 13.56MHz、300W RF電極:並行平板型 圧力+ 50 torr 基体:WC−Co系超硬合金 基体温度:550℃ 膜厚:3μm 以上で得られたcBN膜の組成、被覆の状態等は以下の
通りであった。
は実施例、比較例とも同じ) 原料ガス(実施例! ) : BsHg 1
secmNB、1secai H,I OOsccm Ti C140,l sec+a M ClsO,l 5ecll (比較例1 ) : Ba1m 15ecl
NH1lscca ti、 100scca RF: 13.56MHz、300W RF電極:並行平板型 圧力+ 50 torr 基体:WC−Co系超硬合金 基体温度:550℃ 膜厚:3μm 以上で得られたcBN膜の組成、被覆の状態等は以下の
通りであった。
(実施例1)・X線回折により、cBN、TINTic
、 TlCN、 TjBg、 MN、 A/B
が確認された。
、 TlCN、 TjBg、 MN、 A/B
が確認された。
・膜中のη化合物量 33重量%
M化合物量 5重量%
(比較例1)−X線回折により、cBN、hBNが確認
された。
された。
・成膜後、チャンバーから試料を
取りだした際、部分的な剥離あ
り。
特性:密着性の評価は、AE(アコースティック エミ
ッシヨン)法により、スクラッチテストをして、膜の剥
離を生じるときの荷重を測定することによる。
ッシヨン)法により、スクラッチテストをして、膜の剥
離を生じるときの荷重を測定することによる。
(実施例1)・ビッカース硬度(Hv)4100 kg
/am’ ・密着性 57N (比較例1)・ビッカース硬度(Hv)3200 k+
r/am” ・密着性 部分的な剥離発生 実施例2および比較例2 第2図に示す有磁場マイクロ波プラズマCVD装置によ
り本発明のcBN被覆部材を製造した。
/am’ ・密着性 57N (比較例1)・ビッカース硬度(Hv)3200 k+
r/am” ・密着性 部分的な剥離発生 実施例2および比較例2 第2図に示す有磁場マイクロ波プラズマCVD装置によ
り本発明のcBN被覆部材を製造した。
基体支持台25に基体24を設置した後、排気口23に
接続さた真空排気装置I(図示せず)によりチャンバー
21内を排気し、基体24をヒータ26により加熱する
。しかる後、ガス供給口22から下記に示す原料ガスを
導入し、排気口23に設けたバルブ(図示せず)により
チャンバー21内の圧力を調整し、マグネット27によ
り磁場を印加させる。次いで、μ波(マイクロ波)電源
28を動作させ、導波管29を経てチャンバー21の上
部より供給したマイクロ波によってプラズマ放電を発生
させ、基体24上にcBN等を被覆させる。
接続さた真空排気装置I(図示せず)によりチャンバー
21内を排気し、基体24をヒータ26により加熱する
。しかる後、ガス供給口22から下記に示す原料ガスを
導入し、排気口23に設けたバルブ(図示せず)により
チャンバー21内の圧力を調整し、マグネット27によ
り磁場を印加させる。次いで、μ波(マイクロ波)電源
28を動作させ、導波管29を経てチャンバー21の上
部より供給したマイクロ波によってプラズマ放電を発生
させ、基体24上にcBN等を被覆させる。
また、比較のために原料ガスを下記の組成とした以外は
実施例2と同様にして従来品のcBN被覆部材を製造し
た(比較例2)。
実施例2と同様にして従来品のcBN被覆部材を製造し
た(比較例2)。
cBN気相合成条件は下記の通り。
原料ガス(実施例2 ) : BsHg 1
secsNl l 5CCtnH!2
0SCC1)1 fit C1,0,25cca+ (比較例2 ) : BmHm l sec+
aNl 1.seem H,205cca+ マイクロ波; 2.45GH2、400W圧力=50鋤
Torr 基体:高速度鋼 基体温度:450℃ 膜厚: 5μm 以上で得られたcBN膜の組成、被覆の状態等は以下の
通りであった。
secsNl l 5CCtnH!2
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aNl 1.seem H,205cca+ マイクロ波; 2.45GH2、400W圧力=50鋤
Torr 基体:高速度鋼 基体温度:450℃ 膜厚: 5μm 以上で得られたcBN膜の組成、被覆の状態等は以下の
通りであった。
(実施例2)・X線回折により、cBN、MN。
MBが確認された。
・膜中のM化合物量 5重量%
(比較例2)・X線回折により、cBN、hBN、アモ
ルファスBNが確認さ れた。
ルファスBNが確認さ れた。
特性:
(実施例2)
(比較例2)
・ビッカース硬度(Hv )
40501g/sa+”
・密着性 51N
・ビッカース硬度(Hv)
3000 kg/ 1)1m’
・密着性 23N
実施例3および比較例3
第3図に示すイオンブレーティング装置により本発明の
cBN被覆部材を製造した。基体支持台34に基体36
を設置した後、排気口33に接続した真空排気装置(図
示せず)によりチャンバー31内を排気し、基体34を
ヒータ35により加熱する。しかる後、ガス供給口32
から下記に示す原料ガスを導入し、排気口33に設けた
バルブ(図示せず)によりチャンバー31内の圧力を調
整する。また3つの蒸発源39〜41に固体原料を設置
し、電子ビームにより蒸発させる。このときRF電源3
7によりチャンバー31内にプラズマを発生させ、固体
原料蒸気と原料ガスをイオン化もしくは励起させる。基
体36には第2のRF電源42によりセルフバイアスが
印加され、基体36上にcBN等を被覆させる。なお、
38はRFコイルを示す(実施例3) また、比較のために原料ガスを下記の組成とした以外は
実施例3と同様にして従来品のeBN被覆部材を製造し
た(比較例3)。
cBN被覆部材を製造した。基体支持台34に基体36
を設置した後、排気口33に接続した真空排気装置(図
示せず)によりチャンバー31内を排気し、基体34を
ヒータ35により加熱する。しかる後、ガス供給口32
から下記に示す原料ガスを導入し、排気口33に設けた
バルブ(図示せず)によりチャンバー31内の圧力を調
整する。また3つの蒸発源39〜41に固体原料を設置
し、電子ビームにより蒸発させる。このときRF電源3
7によりチャンバー31内にプラズマを発生させ、固体
原料蒸気と原料ガスをイオン化もしくは励起させる。基
体36には第2のRF電源42によりセルフバイアスが
印加され、基体36上にcBN等を被覆させる。なお、
38はRFコイルを示す(実施例3) また、比較のために原料ガスを下記の組成とした以外は
実施例3と同様にして従来品のeBN被覆部材を製造し
た(比較例3)。
cBN気相合成条件は下記の通り。
原料:下記表に示すとおりで、試料bt〜6が本発明品
(実施例3)、Nα7は従来品(比較例3)である。
(実施例3)、Nα7は従来品(比較例3)である。
基体:5ISN4
原料:B金属、Ti金属1M金属1Mハs、 N*ガス
、CH4ガスなど ガス圧カニ 5 X I O−’Torr 〜9 x
I O−3Torr基体温度=100〜700℃ 膜厚: 0.05〜50μm 以上で得られたcBN膜の組成、被覆の状態、硬度、密
着性等を表1に併せて示す。
、CH4ガスなど ガス圧カニ 5 X I O−’Torr 〜9 x
I O−3Torr基体温度=100〜700℃ 膜厚: 0.05〜50μm 以上で得られたcBN膜の組成、被覆の状態、硬度、密
着性等を表1に併せて示す。
以上の各実施例では基体表面に単層を被覆する例を示し
たが、本発明においては、更に膜の密着性を向上させる
ために、基体とcBN膜との間にTIN、TIC,Si
N、SiCなどの層、あるいはそれらの組成を膜厚方向
に分布を持たせたグレーデツド層からなる中間層を設け
てもよい。
たが、本発明においては、更に膜の密着性を向上させる
ために、基体とcBN膜との間にTIN、TIC,Si
N、SiCなどの層、あるいはそれらの組成を膜厚方向
に分布を持たせたグレーデツド層からなる中間層を設け
てもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は基体とcBN膜との密着
性の良いcBN被覆部材であり、本発明の製法によれば
、cBNの特長である高硬度、高耐摩耗性、高熱伝導な
被覆膜が得られる。
性の良いcBN被覆部材であり、本発明の製法によれば
、cBNの特長である高硬度、高耐摩耗性、高熱伝導な
被覆膜が得られる。
第1図ないし第3図は本発明の実施態様を説明する概略
断面図であり、第1図はRFプラズマCVD法、第2図
は有磁場マイクロ波CVD法、第3図はイオンブレーテ
ィング法による場合をそれぞれ示す。
断面図であり、第1図はRFプラズマCVD法、第2図
は有磁場マイクロ波CVD法、第3図はイオンブレーテ
ィング法による場合をそれぞれ示す。
Claims (2)
- (1)基体上に、Ti、Al、Ti化合物およびAl化
合物のうちから選ばれる少なくとも1種を含む立方晶窒
化ホウ素膜を被覆されてなる立方晶窒化ホウ素被覆部材
。 - (2)基体上に、Ti、Al、Ti化合物およびAl化
合物のうちから選ばれる少なくとも1種を含ませて立方
晶窒化ホウ素膜を気相合成法により被覆することを特徴
とする立方晶窒化ホウ素被覆部材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24385890A JPH04124272A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 立方晶窒化ホウ素被覆部材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24385890A JPH04124272A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 立方晶窒化ホウ素被覆部材及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04124272A true JPH04124272A (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17110014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24385890A Pending JPH04124272A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 立方晶窒化ホウ素被覆部材及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04124272A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5948541A (en) * | 1996-04-04 | 1999-09-07 | Kennametal Inc. | Boron and nitrogen containing coating and method for making |
US5976716A (en) * | 1996-04-04 | 1999-11-02 | Kennametal Inc. | Substrate with a superhard coating containing boron and nitrogen and method of making the same |
US6593015B1 (en) | 1999-11-18 | 2003-07-15 | Kennametal Pc Inc. | Tool with a hard coating containing an aluminum-nitrogen compound and a boron-nitrogen compound and method of making the same |
WO2017090540A1 (ja) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 三菱日立ツール株式会社 | 窒化チタンアルミニウム硬質皮膜、硬質皮膜被覆工具、及びそれらの製造方法 |
-
1990
- 1990-09-17 JP JP24385890A patent/JPH04124272A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6054185A (en) * | 1996-04-04 | 2000-04-25 | Kennametal Inc. | Substrate with superhard coating containing boron and nitrogen and method of making the same |
US6086959A (en) * | 1996-04-04 | 2000-07-11 | Kennametal Inc. | Boron and nitrogen containing coating and method for making |
US6096436A (en) * | 1996-04-04 | 2000-08-01 | Kennametal Inc. | Boron and nitrogen containing coating and method for making |
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US6593015B1 (en) | 1999-11-18 | 2003-07-15 | Kennametal Pc Inc. | Tool with a hard coating containing an aluminum-nitrogen compound and a boron-nitrogen compound and method of making the same |
WO2017090540A1 (ja) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 三菱日立ツール株式会社 | 窒化チタンアルミニウム硬質皮膜、硬質皮膜被覆工具、及びそれらの製造方法 |
CN108291300A (zh) * | 2015-11-25 | 2018-07-17 | 三菱日立工具株式会社 | 氮化钛铝硬质皮膜、硬质皮膜包覆工具及它们的制造方法 |
JPWO2017090540A1 (ja) * | 2015-11-25 | 2018-09-06 | 三菱日立ツール株式会社 | 窒化チタンアルミニウム硬質皮膜、硬質皮膜被覆工具、及びそれらの製造方法 |
CN108291300B (zh) * | 2015-11-25 | 2020-09-08 | 三菱日立工具株式会社 | 氮化钛铝硬质皮膜、硬质皮膜包覆工具及它们的制造方法 |
US10767258B2 (en) | 2015-11-25 | 2020-09-08 | Mitsubishi Hitachi Tool Engineering, Ltd. | Hard titanium aluminum nitride coating, hard-coated tool, and their production methods |
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