JPS63155546A - イオンドーピング装置 - Google Patents
イオンドーピング装置Info
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- JPS63155546A JPS63155546A JP61304196A JP30419686A JPS63155546A JP S63155546 A JPS63155546 A JP S63155546A JP 61304196 A JP61304196 A JP 61304196A JP 30419686 A JP30419686 A JP 30419686A JP S63155546 A JPS63155546 A JP S63155546A
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体工業における半導体素子製造等に用い
るプラズマ処理装置に関するものであり、特に大面積の
半導体素子や半導体薄膜等への不純物注入、大面積の半
導体薄膜形成やエツチング等に用いるプラズマ処理装置
に関するものである。
るプラズマ処理装置に関するものであり、特に大面積の
半導体素子や半導体薄膜等への不純物注入、大面積の半
導体薄膜形成やエツチング等に用いるプラズマ処理装置
に関するものである。
従来の技術
半導体薄膜等に不純物をイオンの形で所望の量及び深さ
に注入してドーピングを行う方法或は薄膜形成或はエツ
チングの方法としては、（１）、イオン源として直流グ
ロー放電を用い、質量分離部を有さずイオン加速部を経
てイオンを半導体基板等に注入する簡易型イオン注入装
置［第２図、ｊ。
に注入してドーピングを行う方法或は薄膜形成或はエツ
チングの方法としては、（１）、イオン源として直流グ
ロー放電を用い、質量分離部を有さずイオン加速部を経
てイオンを半導体基板等に注入する簡易型イオン注入装
置［第２図、ｊ。
Ｃ，Ｍｕｌｌｅｒ、 ｅｔ ａｌ、： Ｐｒｏｃ、 Ｅ
ｕｒｏｐｅａｎ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ５ｏｌａ
ｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｆ、 （プロシーディング
ヨーロピアン フォトポルティック ソーラー エナジ
ーコンファレンス） （Ｌｅｘｅｍｂｅｒｇ） ５ｅｐ
ｔ、 １９７７゜ρ８９７−９０９ ］を用いる方法や
、（２）ニイオン源として絶縁性筒状管内に高周波と静
磁場を重畳させて発生するプラズマを用い、質量分離部
を有さずイオンを注入、ドーピングを行うイオンドープ
装置［第３図］、（３）二基板室内に容量結合型高周波
電極をもうけて高周波グａ−放電による化学的気相反応
を起こすプラズマＣＶＤ装置の高周波電極に直流電圧を
印加させる方法［第４図］などがある。第２．３．４図
において、１は放電室、２は直流グロー放電用アノード
電極、３は放電用直流電源、４は加速用電極、５は加速
用直流電源、６はガス導入管、７は絶縁体、８はガス排
出管、９は基板台、Ａは放電室、Ｂは基板室、１１は絶
縁性筒状管、１２は高周波電極、１３は電磁石、１４は
マツチングボックス、１５は高周波発振器、１６−ａは
第１の導電性バイアス部、１６−ｂは第２の導電性バイ
アス部、１７−ａは第１の直流電源、１７−ｂは第２の
直流電源、１８はガス導入管、１９はガス排出管、２０
は基板台、２１は試料、２２は真空容器、２３は高周波
電極、２４はマツチングボックス、２５は高周波発振器
、２６は直流電源、２７はガス導入管、２８はガス排出
管、２９は試料である。
ｕｒｏｐｅａｎ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ５ｏｌａ
ｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｆ、 （プロシーディング
ヨーロピアン フォトポルティック ソーラー エナジ
ーコンファレンス） （Ｌｅｘｅｍｂｅｒｇ） ５ｅｐ
ｔ、 １９７７゜ρ８９７−９０９ ］を用いる方法や
、（２）ニイオン源として絶縁性筒状管内に高周波と静
磁場を重畳させて発生するプラズマを用い、質量分離部
を有さずイオンを注入、ドーピングを行うイオンドープ
装置［第３図］、（３）二基板室内に容量結合型高周波
電極をもうけて高周波グａ−放電による化学的気相反応
を起こすプラズマＣＶＤ装置の高周波電極に直流電圧を
印加させる方法［第４図］などがある。第２．３．４図
において、１は放電室、２は直流グロー放電用アノード
電極、３は放電用直流電源、４は加速用電極、５は加速
用直流電源、６はガス導入管、７は絶縁体、８はガス排
出管、９は基板台、Ａは放電室、Ｂは基板室、１１は絶
縁性筒状管、１２は高周波電極、１３は電磁石、１４は
マツチングボックス、１５は高周波発振器、１６−ａは
第１の導電性バイアス部、１６−ｂは第２の導電性バイ
アス部、１７−ａは第１の直流電源、１７−ｂは第２の
直流電源、１８はガス導入管、１９はガス排出管、２０
は基板台、２１は試料、２２は真空容器、２３は高周波
電極、２４はマツチングボックス、２５は高周波発振器
、２６は直流電源、２７はガス導入管、２８はガス排出
管、２９は試料である。
発明が解決しようとする問題点
不純物をイオンの形で半導体薄膜等に注入しドーピング
を行う従来の技術において、（１）のイオン源として直
流グロー放電を用い、質量分離部を有さずイオン加速部
を経てイオンを半導体基板等に注入する第２図の簡易型
イオン注入装置は、直流グロー放電が起こカイオン源と
して機能する圧力（１〜０．０１ｔｏｒｒ）にイオン源
の圧力を保ちさらに基板室をイオンの平均自由行程がイ
オン源から基板までの距離以上になる圧力（〜１Ｏ−３
ｔｏｒｒ以下）に保つため差動排気等を用いねばならず
、また大面積の試料への不純物の注入のために放電電極
を大きくすると電極の沿面放電等による放電の不均一性
や不安定性等の問題があった。
を行う従来の技術において、（１）のイオン源として直
流グロー放電を用い、質量分離部を有さずイオン加速部
を経てイオンを半導体基板等に注入する第２図の簡易型
イオン注入装置は、直流グロー放電が起こカイオン源と
して機能する圧力（１〜０．０１ｔｏｒｒ）にイオン源
の圧力を保ちさらに基板室をイオンの平均自由行程がイ
オン源から基板までの距離以上になる圧力（〜１Ｏ−３
ｔｏｒｒ以下）に保つため差動排気等を用いねばならず
、また大面積の試料への不純物の注入のために放電電極
を大きくすると電極の沿面放電等による放電の不均一性
や不安定性等の問題があった。
（２）のイオン源として絶縁性筒状管内に高周波と静磁
場を重畳させて発生ずるプラズマを用い、質量分離部を
有さすイオンを注入、ドーピングを行うイオンドープ装
置による第３図の方法は、比較的大口径の筒状管内で安
定に放電が行え、かつ放電時の圧力が１０−３〜１０−
’ｔｏｒｒと低いことがら差動排気等を要せずに簡素な
構造でドーピングを行うことができるが、例えば口径１
３０ＩｌｌｌＩＩのｅ 縁管を用い、３インチの単結晶
シリコンウェハーにリンを注入した場合、９００℃・３
０分の熱処理後のウェハー内のシート抵抗（注入された
リンの量に関係する）のばらつきσ（Ｒｓ）／Ｒｓ（Ｒ
ｓ：シート抵抗の平均値、σ（Ｒ５）ニシート抵抗の標
準偏差）が２０％程度であるため大面積の試料に対して
一様に不純物を注入することが困１であった。（３）の
基板室内に容量結合型高周波電極をもうけて高周波グロ
ー放電による化学的気相反応を起こすプラズマＣＶＤ装
置の高周波電極に直流電圧を印加させる第４図の方法は
、基板室の圧力が直流グロー放電が起こりイオン源とし
て機能する圧力（１〜Ｏ，Ｏｌ ｔｏｒｒ ）に保たれ
ていることや印加出来る電圧が１００〜１０００．Ｖと
低いことから所望のイオン以外の中性粒子等の試料表面
への堆櫃が起こり、不純物の濃度を規定した高精度の不
純物のドーピングが困難であった。さらに放電電極と加
速電極の一致による放電の不安定さのため、大面積の試
料に極めて一様な不純物のドーピング或はプラズマ処理
等を行うことが困難であった。
場を重畳させて発生ずるプラズマを用い、質量分離部を
有さすイオンを注入、ドーピングを行うイオンドープ装
置による第３図の方法は、比較的大口径の筒状管内で安
定に放電が行え、かつ放電時の圧力が１０−３〜１０−
’ｔｏｒｒと低いことがら差動排気等を要せずに簡素な
構造でドーピングを行うことができるが、例えば口径１
３０ＩｌｌｌＩＩのｅ 縁管を用い、３インチの単結晶
シリコンウェハーにリンを注入した場合、９００℃・３
０分の熱処理後のウェハー内のシート抵抗（注入された
リンの量に関係する）のばらつきσ（Ｒｓ）／Ｒｓ（Ｒ
ｓ：シート抵抗の平均値、σ（Ｒ５）ニシート抵抗の標
準偏差）が２０％程度であるため大面積の試料に対して
一様に不純物を注入することが困１であった。（３）の
基板室内に容量結合型高周波電極をもうけて高周波グロ
ー放電による化学的気相反応を起こすプラズマＣＶＤ装
置の高周波電極に直流電圧を印加させる第４図の方法は
、基板室の圧力が直流グロー放電が起こりイオン源とし
て機能する圧力（１〜Ｏ，Ｏｌ ｔｏｒｒ ）に保たれ
ていることや印加出来る電圧が１００〜１０００．Ｖと
低いことから所望のイオン以外の中性粒子等の試料表面
への堆櫃が起こり、不純物の濃度を規定した高精度の不
純物のドーピングが困難であった。さらに放電電極と加
速電極の一致による放電の不安定さのため、大面積の試
料に極めて一様な不純物のドーピング或はプラズマ処理
等を行うことが困難であった。
問題点を解決するための手段
以上の問題点を解決するために本発明に係るプラズマ処
理装置は、ガス導入管及びガス排出管に接続された真空
槽内に、高周波電極、第１の導電性多孔板或は導電性網
、第２の導電性多孔板或は導電性網、基板台を平行に設
け、前記真空槽の外側に前記高周波電極の印加する電場
に対して直交する成分をもつ磁場を発生させる磁場発生
源を設けてなるものである。すなわち本発明は、真空槽
内に、容量結合型の平行平板高周波電極として高周波電
極及び第１の導電性多孔板或は導電性網を用い、高周波
電極及び第１の導電性多孔板或は導電性網と平行に荷電
粒子引き出し用の第２の導電性多孔板或は導電性網を設
け、基板台を高周波電極、第１の導電性多孔板或は導電
性網、第２の導電性多孔板或は導電性網と平行に備え、
さらに前記真空槽の外側に高周波電極の印加する電場に
対して直交する成分をもつ磁場を発生させる磁場発生源
を設けるというものである。
理装置は、ガス導入管及びガス排出管に接続された真空
槽内に、高周波電極、第１の導電性多孔板或は導電性網
、第２の導電性多孔板或は導電性網、基板台を平行に設
け、前記真空槽の外側に前記高周波電極の印加する電場
に対して直交する成分をもつ磁場を発生させる磁場発生
源を設けてなるものである。すなわち本発明は、真空槽
内に、容量結合型の平行平板高周波電極として高周波電
極及び第１の導電性多孔板或は導電性網を用い、高周波
電極及び第１の導電性多孔板或は導電性網と平行に荷電
粒子引き出し用の第２の導電性多孔板或は導電性網を設
け、基板台を高周波電極、第１の導電性多孔板或は導電
性網、第２の導電性多孔板或は導電性網と平行に備え、
さらに前記真空槽の外側に高周波電極の印加する電場に
対して直交する成分をもつ磁場を発生させる磁場発生源
を設けるというものである。
作用
磁場発生源を配することで放電室内に印加された磁場に
よる電子の閉じ込め及び高周波電極の印加する電場に対
して直交する成分をもつ磁場による旋回運動（サイクロ
トロン運動）の励起を行い、高周波によって供給される
エネルギーを有効に用いて例えば１０−３〜１０−’ｔ
ｏｒｒの気体圧力でも安定かつ一様に放電させる。高周
波の電力は高周波電極と第１の導電性多孔板或は導電性
網の間に供給され、この間の容量とマツチングボックス
の容量を等しくさせることにより高周波の電力を最も効
率よく放電によって生じるプラズマに伝達することによ
り放電を維持する。またこの１０−３〜１０””ｔｏｒ
ｒの気体圧力下でイオンの平均自由行程はイオン種によ
って異なるが、放電室から基板台までの距離（杓１０ｃ
ｍ）と同程度あるいはそれ以上となるために真空槽に配
した第１の導電性多孔板或は導電性網、第２の導電性多
孔板或は導電性網という簡素な構造で荷電粒子の押し出
し及び加速を行い、基板台上の半導体等の試料まで荷電
粒子を輸送し、前Ｊ己試料に照射する。さらに装置内の
圧力が１０−３〜１０−’ｔｏｒｒ以下であること及び
放電用の高周波電極と加速用の導電性多孔板或は導電性
網を分離していることから、圧力が高いことや電圧が高
いことによろ沿面放電やなだれ放電等の異常な放電を起
こすことなく、かつ放電電極と加速電極の一致による放
電の不安定さを引き起こすニセなく１ｋｅＶ以上に荷電
粒子を加速する。また基板室の圧力が１０″３〜１０−
’ｔｏｒｒ以下に保たれていることから所望のイオン以
外の中性粒子等の試料表面への堆債が起こらず、不純物
の濃度を規定した高精度の不純物のドーピングを行う。
よる電子の閉じ込め及び高周波電極の印加する電場に対
して直交する成分をもつ磁場による旋回運動（サイクロ
トロン運動）の励起を行い、高周波によって供給される
エネルギーを有効に用いて例えば１０−３〜１０−’ｔ
ｏｒｒの気体圧力でも安定かつ一様に放電させる。高周
波の電力は高周波電極と第１の導電性多孔板或は導電性
網の間に供給され、この間の容量とマツチングボックス
の容量を等しくさせることにより高周波の電力を最も効
率よく放電によって生じるプラズマに伝達することによ
り放電を維持する。またこの１０−３〜１０””ｔｏｒ
ｒの気体圧力下でイオンの平均自由行程はイオン種によ
って異なるが、放電室から基板台までの距離（杓１０ｃ
ｍ）と同程度あるいはそれ以上となるために真空槽に配
した第１の導電性多孔板或は導電性網、第２の導電性多
孔板或は導電性網という簡素な構造で荷電粒子の押し出
し及び加速を行い、基板台上の半導体等の試料まで荷電
粒子を輸送し、前Ｊ己試料に照射する。さらに装置内の
圧力が１０−３〜１０−’ｔｏｒｒ以下であること及び
放電用の高周波電極と加速用の導電性多孔板或は導電性
網を分離していることから、圧力が高いことや電圧が高
いことによろ沿面放電やなだれ放電等の異常な放電を起
こすことなく、かつ放電電極と加速電極の一致による放
電の不安定さを引き起こすニセなく１ｋｅＶ以上に荷電
粒子を加速する。また基板室の圧力が１０″３〜１０−
’ｔｏｒｒ以下に保たれていることから所望のイオン以
外の中性粒子等の試料表面への堆債が起こらず、不純物
の濃度を規定した高精度の不純物のドーピングを行う。
また、導電性多孔板或は導電性網により、放電の全面に
渡って均一に電圧が印加され、極めて一様に荷電粒子ビ
ームを基板台に対して照射し、その結果大面積に渡る均
一な不純物のドーピングを行う。加えてプラズマ処理の
圧力を適当に選ぶことにより大面積に渡る均一かつ高精
度のエツチングや薄膜形成等のプラズマ処理を行う。
渡って均一に電圧が印加され、極めて一様に荷電粒子ビ
ームを基板台に対して照射し、その結果大面積に渡る均
一な不純物のドーピングを行う。加えてプラズマ処理の
圧力を適当に選ぶことにより大面積に渡る均一かつ高精
度のエツチングや薄膜形成等のプラズマ処理を行う。
実施例
以下図面に基づいて本発明についてさらにみＹしく説明
する。
する。
第１図は本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施例の
概略構成図を示したものである。真空槽Ｃの内部の容量
結合型高周波グロー放電用ＴＬ極３１には導電性の良い
銅ニッケル等の金属を用い、容量結合型高周波グロー放
電用電極３１の一方はマツチングボックス３２を介して
高周波発振器３３と接続し、他方の第１の導電性網３４
は接地して真空ＷｊＣ内に高周波電力の供給を行う。さ
らに真空ＷＩＣの外部に配した電磁石３５により印加さ
れる磁場によって電子の旋回運動（サイクロトロン運動
）の励起と閉じ込めを行うことにより、比較的低い圧力
（１０−３〜１０−’ｔｏｒｒ ）で高周波電力を有効
に放電のために用いることによって真空槽Ｃ内にプラズ
マを安定に発生させる。この磁場の強度は真空槽Ｃに於
て５０〜２００ガウス程度で良く、磁場発生源として永
久磁石等を用いても良い。導電性のステンレス・アルミ
ニウム・銅等で作られた第２の導電性網３６は、絶縁を
保って第１の導電性網３４と導電性のステンレス・アル
ミニウム・銅等で作られた基板台３７の間に設ける。真
空槽Ｃへの材料ガスの導入はガス導入管３８を経て、ガ
ス導入口３つより行う。前記第２の導電性網３６は直流
高電圧電源４０に電気的に接続され、所望の電圧を印加
することにより、放電により生じた真空槽Ｃ内の荷電粒
子を半導体基板等の試料４１の置かれた基板台３７へ押
し出し加速を行う。真空槽Ｃはガス排出管４２に接続さ
れ、１０−３〜１０−’ｔｏｒｒの圧力に保たれる。試
料４１はヒーター４３により加熱を行い、不純物のドー
ピング或はプラズマ処理の効率を上げる。容量結合型高
周波グロー放電用電極３１と第１の導電性網３４との間
に一様に生じるプラズマより引き出され、前記第２の導
電性網３６と基板台３７との電位差に応じた運動エネル
ギーを得た荷電粒子ビーム４４は、基板台３７上の半導
体基板等の試料４１に照射し、試料４１に対して極めて
一様な不純物のドーピング或はプラズマ処理等を行う。
概略構成図を示したものである。真空槽Ｃの内部の容量
結合型高周波グロー放電用ＴＬ極３１には導電性の良い
銅ニッケル等の金属を用い、容量結合型高周波グロー放
電用電極３１の一方はマツチングボックス３２を介して
高周波発振器３３と接続し、他方の第１の導電性網３４
は接地して真空ＷｊＣ内に高周波電力の供給を行う。さ
らに真空ＷＩＣの外部に配した電磁石３５により印加さ
れる磁場によって電子の旋回運動（サイクロトロン運動
）の励起と閉じ込めを行うことにより、比較的低い圧力
（１０−３〜１０−’ｔｏｒｒ ）で高周波電力を有効
に放電のために用いることによって真空槽Ｃ内にプラズ
マを安定に発生させる。この磁場の強度は真空槽Ｃに於
て５０〜２００ガウス程度で良く、磁場発生源として永
久磁石等を用いても良い。導電性のステンレス・アルミ
ニウム・銅等で作られた第２の導電性網３６は、絶縁を
保って第１の導電性網３４と導電性のステンレス・アル
ミニウム・銅等で作られた基板台３７の間に設ける。真
空槽Ｃへの材料ガスの導入はガス導入管３８を経て、ガ
ス導入口３つより行う。前記第２の導電性網３６は直流
高電圧電源４０に電気的に接続され、所望の電圧を印加
することにより、放電により生じた真空槽Ｃ内の荷電粒
子を半導体基板等の試料４１の置かれた基板台３７へ押
し出し加速を行う。真空槽Ｃはガス排出管４２に接続さ
れ、１０−３〜１０−’ｔｏｒｒの圧力に保たれる。試
料４１はヒーター４３により加熱を行い、不純物のドー
ピング或はプラズマ処理の効率を上げる。容量結合型高
周波グロー放電用電極３１と第１の導電性網３４との間
に一様に生じるプラズマより引き出され、前記第２の導
電性網３６と基板台３７との電位差に応じた運動エネル
ギーを得た荷電粒子ビーム４４は、基板台３７上の半導
体基板等の試料４１に照射し、試料４１に対して極めて
一様な不純物のドーピング或はプラズマ処理等を行う。
発明の効果
本発明は高周波と静磁場を重畳させることにより、１０
−３〜１０−’ｔｏｒｒと比較的低い圧力下で一様なプ
ラズマを安定に発生させることが可能となる。また第２
の導電性多孔板或は導電性網を設けることにより放電の
全面に渡って均一に電圧が印加され、一様なプラズマか
ら極めて一様な荷電粒子ビームを半導体基板等の試料に
対して照射することが可能となる。これにより大面積の
試料に極めて一様な不純物のドーピング或はプラズマ処
理等を簡素な構造で行うことが可能となる。さらに所望
のイオン以外の中性粒子等の試料表面への堆積が起こら
ず、不純物の濃度を規定した高精度の大面積に渡る均一
な不純物のドーピング或はプラズマ処理を行うことが可
能となる。以上の効果は、基板台に直流電圧を印加する
、第２の導電性多孔板或は導電性網を基板台と平行を保
ち基板台と平行な方向に往復運動させるこ七、基板台を
第２の導電性多孔板或は導電性網と平行を保ち第２の導
電性多孔板或は導電性網と平行な方向に往復運動させる
こと、基板台を加熱する加熱源を設けること、高周波電
極の放電により生じる荷電粒子にさらされる側に絶縁性
の表面被覆を設けること、第１の導電性多孔板或は導電
性網、第２の導電性多孔板或は導電性・網に絶縁性の表
面被覆を設けること、真空槽をゲートバルブを介して第
２の真空槽或は第２のプラズマ処理装置と接続して基板
台を真空槽と第２の真空槽或は第２のプラズマ処理装置
間を搬送させることによっても同様に得られる。本発明
によるプラズマ処理装置は、例えば大口径の単結晶シリ
コン基板上等に作成される半導体素子製造における不純
物のドーピング或はプラズマ処理等を簡素な構造で極め
て均一に一括して行うことが可能となるという点て極め
て有用性の高いものである。
−３〜１０−’ｔｏｒｒと比較的低い圧力下で一様なプ
ラズマを安定に発生させることが可能となる。また第２
の導電性多孔板或は導電性網を設けることにより放電の
全面に渡って均一に電圧が印加され、一様なプラズマか
ら極めて一様な荷電粒子ビームを半導体基板等の試料に
対して照射することが可能となる。これにより大面積の
試料に極めて一様な不純物のドーピング或はプラズマ処
理等を簡素な構造で行うことが可能となる。さらに所望
のイオン以外の中性粒子等の試料表面への堆積が起こら
ず、不純物の濃度を規定した高精度の大面積に渡る均一
な不純物のドーピング或はプラズマ処理を行うことが可
能となる。以上の効果は、基板台に直流電圧を印加する
、第２の導電性多孔板或は導電性網を基板台と平行を保
ち基板台と平行な方向に往復運動させるこ七、基板台を
第２の導電性多孔板或は導電性網と平行を保ち第２の導
電性多孔板或は導電性網と平行な方向に往復運動させる
こと、基板台を加熱する加熱源を設けること、高周波電
極の放電により生じる荷電粒子にさらされる側に絶縁性
の表面被覆を設けること、第１の導電性多孔板或は導電
性網、第２の導電性多孔板或は導電性・網に絶縁性の表
面被覆を設けること、真空槽をゲートバルブを介して第
２の真空槽或は第２のプラズマ処理装置と接続して基板
台を真空槽と第２の真空槽或は第２のプラズマ処理装置
間を搬送させることによっても同様に得られる。本発明
によるプラズマ処理装置は、例えば大口径の単結晶シリ
コン基板上等に作成される半導体素子製造における不純
物のドーピング或はプラズマ処理等を簡素な構造で極め
て均一に一括して行うことが可能となるという点て極め
て有用性の高いものである。
第１図は本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施例の
概略構成図、第２図は従来の技術のうちイオン源として
直流グロー放電を用い、質量分離部を有さずイオンＤＯ
速部を経てイオンを半導体基板等に注入する簡易型イオ
ン注入装置の（ｌツ略構成図、第３図は従来の技術のう
ちイオン源として絶縁性筒状管内に高周波と静磁場を重
畳させて発生するプラズマを用い、質量分離部を有さず
イオンを注入、ドーピングを行うイオンドープ装置の概
略構成図、第４図は従来の技術のうち基板室内に客足結
合型窩周波電極をもうけて高周波グロー放電による化学
的気相反応を起こすプラズマＣＶＤ装置の高周波電極に
直流電圧を印加させる方法の概略構成図である。 Ｃ・・・放電室、３１・・・容量結合型平行平板高周波
グロー放電用電極、３２・・・マツチングボックス、３
３・・・周波発振器、３４・・第１の導電性網、３５・
・・電磁石、３６・・第２の導電性網、３７・・・基板
台、３８・・・ガス導入管、３９・・・ガス導入口、４
０・・・直流高電圧電源、４１・・・試料、４２・・・
ガス排出管、４３・・・ヒーター、４４・・・荷電粒子
ビーム。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第２図 第３図
概略構成図、第２図は従来の技術のうちイオン源として
直流グロー放電を用い、質量分離部を有さずイオンＤＯ
速部を経てイオンを半導体基板等に注入する簡易型イオ
ン注入装置の（ｌツ略構成図、第３図は従来の技術のう
ちイオン源として絶縁性筒状管内に高周波と静磁場を重
畳させて発生するプラズマを用い、質量分離部を有さず
イオンを注入、ドーピングを行うイオンドープ装置の概
略構成図、第４図は従来の技術のうち基板室内に客足結
合型窩周波電極をもうけて高周波グロー放電による化学
的気相反応を起こすプラズマＣＶＤ装置の高周波電極に
直流電圧を印加させる方法の概略構成図である。 Ｃ・・・放電室、３１・・・容量結合型平行平板高周波
グロー放電用電極、３２・・・マツチングボックス、３
３・・・周波発振器、３４・・第１の導電性網、３５・
・・電磁石、３６・・第２の導電性網、３７・・・基板
台、３８・・・ガス導入管、３９・・・ガス導入口、４
０・・・直流高電圧電源、４１・・・試料、４２・・・
ガス排出管、４３・・・ヒーター、４４・・・荷電粒子
ビーム。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第２図 第３図
Claims (9)
- （１）ガス導入管及びガス排出管に接続された真空槽内
に、高周波電極、第１の導電性多孔板或は導電性網、第
２の導電性多孔板或は導電性網、基板台を平行に設け、
前記真空槽の外側に前記高周波電極の印加する電場に対
して直交する成分をもつ磁場を発生させる磁場発生源を
設けてなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - （２）第１の導電性多孔板或は導電性網を接地電位にし
、前記第２の導電性多孔板或は導電性網に直流電圧を印
加することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプ
ラズマ処理装置。 - （３）前記基板台に直流電圧を印加することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載のプラズマ処理
装置。 - （４）第２の導電性多孔板或は導電性網を基板台と平行
を保ち前記基板台と平行な方向に往復運動させることを
特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項
記載のプラズマ処理装置。 - （５）基板台を前記第２の導電性多孔板或は導電性網と
平行を保ち前記第２の導電性多孔板或は導電性網と平行
な方向に往復運動させることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項又は第３項又は第４項記載のプラズ
マ処理装置。 - （６）基板台を加熱する加熱源を設けてなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項又は
第４項又は第５項記載のプラズマ処理装置。 - （７）高周波電極の放電により生じる荷電粒子にさらさ
れる側に、絶縁性の表面被覆を設けることを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項又は第４項
又は第５項又は第６項記載のプラズマ処理装置。 - （８）第１の導電性多孔板或は導電性網、第２の導電性
多孔板或は導電性網に絶縁性の表面被覆を設けることを
特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項
又は第４項又は第５項又は第６項又は第７項記載のプラ
ズマ処理装置。 - （９）真空槽をゲートバルブを介して第２の真空槽或は
第２のプラズマ処理装置と接続し、基板台を前記真空槽
と第２の真空槽或は第２のプラズマ処理装置間を搬送さ
せることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
又は第３項又は第４項又は第５項又は第６項又は第７項
又は第８項記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61304196A JP2689419B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | イオンドーピング装置 |
| US07/100,148 US4859908A (en) | 1986-09-24 | 1987-09-23 | Plasma processing apparatus for large area ion irradiation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61304196A JP2689419B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | イオンドーピング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155546A true JPS63155546A (ja) | 1988-06-28 |
| JP2689419B2 JP2689419B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=17930175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61304196A Expired - Lifetime JP2689419B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-12-19 | イオンドーピング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2689419B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02101744A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ反応方法 |
| JPH02101745A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ反応装置 |
| JPH0625874A (ja) * | 1988-11-16 | 1994-02-01 | Haruhisa Kinoshita | ドライプロセス装置 |
| US7713593B2 (en) | 2005-06-20 | 2010-05-11 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment method, manufacturing method of color filter substrate, and manufacturing method of electro-optical device |
| JP2013171637A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100430A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-15 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS59139629A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Hitachi Ltd | プラズマドライ処理装置 |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP61304196A patent/JP2689419B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100430A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-15 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS59139629A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Hitachi Ltd | プラズマドライ処理装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02101744A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ反応方法 |
| JPH02101745A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ反応装置 |
| JPH0625874A (ja) * | 1988-11-16 | 1994-02-01 | Haruhisa Kinoshita | ドライプロセス装置 |
| US7713593B2 (en) | 2005-06-20 | 2010-05-11 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment method, manufacturing method of color filter substrate, and manufacturing method of electro-optical device |
| JP2013171637A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2689419B2 (ja) | 1997-12-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |