JP3220445B1 - 立体高分子材料の表面処理方法 - Google Patents
立体高分子材料の表面処理方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 23
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 32
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000004113 cell culture Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/48—Ion implantation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
- B29K2995/0003—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B29K2995/0005—Conductive
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Abstract
【要約】
【課題】 伝導性をもった金属グリッドを試料台上に設
置して立体高分子試料の表面にプラズマイオン注入が行
われるようにすることで、高分子表面改質を成し、これ
により高分子表面の電気伝導度を向上させる方法及びそ
の装置を提供すること。 【解決手段】 本発明は（ａ）真空槽内の試料台上に立
体高分子材料を位置させる工程と、（ｂ）真空槽内の前
記材料表面から一定距離離れた箇所にグリッドを位置さ
せる工程と、（ｃ）真空槽内の前記材料表面に抵抗度を
低める黒鉛層を形成するために気体プラズマイオンを形
成する工程と、（ｄ）前記グリッドに陰電圧パルスを加
えて気体プラズマイオンを前記材料の表面に注入させる
工程とを含むグリッドを用いた立体高分子のプラズマイ
オン注入による立体高分子材料の表面処理方法である。
置して立体高分子試料の表面にプラズマイオン注入が行
われるようにすることで、高分子表面改質を成し、これ
により高分子表面の電気伝導度を向上させる方法及びそ
の装置を提供すること。 【解決手段】 本発明は（ａ）真空槽内の試料台上に立
体高分子材料を位置させる工程と、（ｂ）真空槽内の前
記材料表面から一定距離離れた箇所にグリッドを位置さ
せる工程と、（ｃ）真空槽内の前記材料表面に抵抗度を
低める黒鉛層を形成するために気体プラズマイオンを形
成する工程と、（ｄ）前記グリッドに陰電圧パルスを加
えて気体プラズマイオンを前記材料の表面に注入させる
工程とを含むグリッドを用いた立体高分子のプラズマイ
オン注入による立体高分子材料の表面処理方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は３次元立体高分子素
材及び製品の表面特性と表面の電気伝導度を向上させる
ためにプラズマイオン注入技術を用いる表面改質方法及
びその装置に関する。
材及び製品の表面特性と表面の電気伝導度を向上させる
ためにプラズマイオン注入技術を用いる表面改質方法及
びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高分子素材の表面電気伝導度を向上させ
るために用いられた従来の方法には、高分子表面に金属
導電層を蒸着する方法、伝導性高分子素材を用いる方法
「韓国特許第０１９０２６９号」或いはカーボンブラッ
クなどの伝導性フィラーを高分子製造の際に添加する方
法「H.Tang,Z.Y.Liu,J.H.Pial,X.F.Chen,Y.X.Lou and
S.H.Li,Journal of Applied Polymer Science、第５１
巻、１１５９頁、１９９４年発行」等が用いられてき
た。しかし、このような従来の方法はいずれもいろいろ
な問題点を抱えており、特には、高分子と金属薄膜との
弱い接着力、限られた伝導性高分子素材及び工程の複雑
性などを挙げることができる。一方、最近利用され始め
た方法としては電子ビームやイオンビームなどの高エネ
ルギー粒子ビームを用いる方法があり「G.Marletta,C.O
liveri,G.Ferla and S.Pignataro,Surface Interface A
nalysis、１２巻、４４７頁、１９８８年発行」、この
ような粒子ビームを用いる場合は高分子表面の電気伝導
度を増加させることができるが、高価な加速器を利用し
なければならなく、特に３次元立体試料の表面を均一に
処理し難いという短所がある。
るために用いられた従来の方法には、高分子表面に金属
導電層を蒸着する方法、伝導性高分子素材を用いる方法
「韓国特許第０１９０２６９号」或いはカーボンブラッ
クなどの伝導性フィラーを高分子製造の際に添加する方
法「H.Tang,Z.Y.Liu,J.H.Pial,X.F.Chen,Y.X.Lou and
S.H.Li,Journal of Applied Polymer Science、第５１
巻、１１５９頁、１９９４年発行」等が用いられてき
た。しかし、このような従来の方法はいずれもいろいろ
な問題点を抱えており、特には、高分子と金属薄膜との
弱い接着力、限られた伝導性高分子素材及び工程の複雑
性などを挙げることができる。一方、最近利用され始め
た方法としては電子ビームやイオンビームなどの高エネ
ルギー粒子ビームを用いる方法があり「G.Marletta,C.O
liveri,G.Ferla and S.Pignataro,Surface Interface A
nalysis、１２巻、４４７頁、１９８８年発行」、この
ような粒子ビームを用いる場合は高分子表面の電気伝導
度を増加させることができるが、高価な加速器を利用し
なければならなく、特に３次元立体試料の表面を均一に
処理し難いという短所がある。
【０００３】プラズマと高電圧パルスを用いるプラズマ
イオン注入技術「米国特許第４，７６４，３９４号、韓
国特許第１３７，７０４号、韓国特許第２１７，５３８
号」は、大面積の３次元立体試料の表面に均一にイオン
を注入して表面改質を成し得る技術であり、金属試料の
表面改質や半導体の不純物ドーピングに非常に効果的で
あり、且つ高分子素材の親水性及び疎水性表面改質に非
常に適した技術である。
イオン注入技術「米国特許第４，７６４，３９４号、韓
国特許第１３７，７０４号、韓国特許第２１７，５３８
号」は、大面積の３次元立体試料の表面に均一にイオン
を注入して表面改質を成し得る技術であり、金属試料の
表面改質や半導体の不純物ドーピングに非常に効果的で
あり、且つ高分子素材の親水性及び疎水性表面改質に非
常に適した技術である。
【０００４】一般に、導電体の金属や半導体へのプラズ
マイオン注入時、高電圧パルスを試料の載置された試料
台に印加すると、高電圧による電場によってプラズマか
らイオンが加速されて試料の表面に均一にイオンが注入
される。しかし、立体高分子素材の場合は電気が通じな
い不導体なので、単に試料が載置された試料台に高電圧
を印加する方法ではイオン注入が効率よく行われなくな
る。
マイオン注入時、高電圧パルスを試料の載置された試料
台に印加すると、高電圧による電場によってプラズマか
らイオンが加速されて試料の表面に均一にイオンが注入
される。しかし、立体高分子素材の場合は電気が通じな
い不導体なので、単に試料が載置された試料台に高電圧
を印加する方法ではイオン注入が効率よく行われなくな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、伝導性をもった金属グリッドを試料台上に設置して
立体高分子試料の表面にプラズマイオン注入が行われる
ようにすることで、高分子表面改質を成し、これにより
高分子表面の電気伝導度を向上させる方法及びその装置
を提供することにある。
は、伝導性をもった金属グリッドを試料台上に設置して
立体高分子試料の表面にプラズマイオン注入が行われる
ようにすることで、高分子表面改質を成し、これにより
高分子表面の電気伝導度を向上させる方法及びその装置
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る３次元立体
高分子表面へのイオン注入の原理は次の通りである。即
ち、高分子試料周囲の金属製グリッドに陰の高電圧パル
スが加わると、プラズマからイオンが抽出されてグリッ
ドに向かって加速される。しかし、大部分のイオンはグ
リッドに衝突せず、グリッドを通過して高エネルギーで
高分子試料の表面に衝突することになる。従って、試料
台に直接高電圧パルスを印加する方法ではイオン注入が
難しかった立体高分子の表面に均一にイオン注入が行わ
れ、このように高エネルギーで注入されたイオンは高分
子の表面を改質して電気伝導度を効率よく向上させるこ
とができる。
高分子表面へのイオン注入の原理は次の通りである。即
ち、高分子試料周囲の金属製グリッドに陰の高電圧パル
スが加わると、プラズマからイオンが抽出されてグリッ
ドに向かって加速される。しかし、大部分のイオンはグ
リッドに衝突せず、グリッドを通過して高エネルギーで
高分子試料の表面に衝突することになる。従って、試料
台に直接高電圧パルスを印加する方法ではイオン注入が
難しかった立体高分子の表面に均一にイオン注入が行わ
れ、このように高エネルギーで注入されたイオンは高分
子の表面を改質して電気伝導度を効率よく向上させるこ
とができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明について添付の図面
及び実施例に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に
係るプラズマイオン注入装置の概略図を示している。前
記プラズマイオン注入装置は、これに限定されるのでは
ないが、電気接地１５に接地された真空槽１及び真空ポ
ンプ２、真空槽内に使用ガスを導入させるためのガス導
入装置１３、導入されたガスを用いてプラズマ７を発生
させるためのアンテナ６及び電源装置４，５、高分子試
料８を支持するための試料台９、プラズマからイオンを
加速させてイオン注入を行うために陰の高電圧パルスが
印加される金属グリッド１０、これに必要な高電圧パル
スを発生させる高電圧パルス発生装置１１及びその他の
測定装置１２とからなる。
及び実施例に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に
係るプラズマイオン注入装置の概略図を示している。前
記プラズマイオン注入装置は、これに限定されるのでは
ないが、電気接地１５に接地された真空槽１及び真空ポ
ンプ２、真空槽内に使用ガスを導入させるためのガス導
入装置１３、導入されたガスを用いてプラズマ７を発生
させるためのアンテナ６及び電源装置４，５、高分子試
料８を支持するための試料台９、プラズマからイオンを
加速させてイオン注入を行うために陰の高電圧パルスが
印加される金属グリッド１０、これに必要な高電圧パル
スを発生させる高電圧パルス発生装置１１及びその他の
測定装置１２とからなる。
【０００８】本発明に係る高分子素材表面の電気伝導度
の向上のために用いられるプラズマ源ガス１４として
は、これに限定されるのではないが、アルゴン、ネオ
ン、ヘリウム、クリプトン、キセノン、窒素、酸素、水
素、一酸化炭素、二酸化炭素、アンモニア、メタン、Ｃ
Ｆ4ガス及びこれらの混合ガスを利用することができ
る。
の向上のために用いられるプラズマ源ガス１４として
は、これに限定されるのではないが、アルゴン、ネオ
ン、ヘリウム、クリプトン、キセノン、窒素、酸素、水
素、一酸化炭素、二酸化炭素、アンモニア、メタン、Ｃ
Ｆ4ガス及びこれらの混合ガスを利用することができ
る。
【０００９】また、導入されたガスのプラズマは、これ
に限定されるのではないが、真空槽内のアンテナ６、マ
ッチングネットワーク５及びＲＦ電力供給装置４によっ
て発生させることができる。しかし、この方法だけでな
く、フィラメント放電を用いるか、マイクロ波を用いて
プラズマを発生させることができ、金属グリッドに加え
られる高電圧パルスによる強い電場を用いて直接プラズ
マを発生させると同時にイオン注入を行うこともでき
る。
に限定されるのではないが、真空槽内のアンテナ６、マ
ッチングネットワーク５及びＲＦ電力供給装置４によっ
て発生させることができる。しかし、この方法だけでな
く、フィラメント放電を用いるか、マイクロ波を用いて
プラズマを発生させることができ、金属グリッドに加え
られる高電圧パルスによる強い電場を用いて直接プラズ
マを発生させると同時にイオン注入を行うこともでき
る。
【００１０】試料の周囲に位置して高電圧パルスが印加
される金属グリッド１０は、主にステンレススチール等
を利用するが、他の金属を利用してもよい。
される金属グリッド１０は、主にステンレススチール等
を利用するが、他の金属を利用してもよい。
【００１１】真空槽内のプラズマはラングミュアプロー
ブ(Langmuir probe)１２を用いて測定してイオン注入に
必要なプラズマの密度を保つ。また、プラズマの密度及
び均一度を向上させるために、永久磁石３を真空槽の周
囲に配置することにより、磁場を用いてプラズマの損失
を減らすことができる。
ブ(Langmuir probe)１２を用いて測定してイオン注入に
必要なプラズマの密度を保つ。また、プラズマの密度及
び均一度を向上させるために、永久磁石３を真空槽の周
囲に配置することにより、磁場を用いてプラズマの損失
を減らすことができる。
【００１２】本発明によって金属グリッドに加えられる
高電圧パルスは、パルス電圧−１ｋＶ〜−１００ｋＶ、
パルスオフ時の電圧０Ｖ〜−１ｋＶ、パルス幅１μｓｅ
ｃ〜５０μｓｅｃ、パルス周波数１０Ｈｚ〜１０ｋＨｚ
の値を利用する。
高電圧パルスは、パルス電圧−１ｋＶ〜−１００ｋＶ、
パルスオフ時の電圧０Ｖ〜−１ｋＶ、パルス幅１μｓｅ
ｃ〜５０μｓｅｃ、パルス周波数１０Ｈｚ〜１０ｋＨｚ
の値を利用する。
【００１３】（実施例１）厚さ４ｍｍのポリカーボネー
ト板（５０ｍｍ×８０ｍｍ）を真空槽内の真空度が１０
−５ｔｏｒｒのプラズマイオン注入装置内の試料台上に
位置させた後、アルゴン、酸素または窒素ガスを３乃至
５ｓｃｃｍの流量で装置内に供給した。周波数１３.５
６ＭＨｚ、出力１００ＷのＲＦ波を用いて真空槽内にプ
ラズマを発生させた。イオンパルス条件としてはパルス
電圧−３０ｋＶ、パルスオフ時の電圧−８０Ｖ、パルス
幅２０μｓ、パルス周波数１００Ｈｚのパルスを使用
し、試料台から３０ｍｍ離れた箇所にグリッドを設置す
るために、直径３ｍｍ、長さ３０ｍｍのステンレススチ
ール支持台を利用した。それぞれの気体プラズマを発生
させた後２分間処理した。このように表面処理した試料
を一定期間空気中に露出させた後、表面抵抗度を測定し
た結果を図２に示す。図２から、表面を処理しない高分
子表面に比べてプラズマイオン注入を行った試料の場合
は表面抵抗度が１０4以上減少することが分かる。特
に、ポリカーボネート試料にアルゴンプラズマイオンを
注入した試料がさらに効率よく表面処理された。
ト板（５０ｍｍ×８０ｍｍ）を真空槽内の真空度が１０
−５ｔｏｒｒのプラズマイオン注入装置内の試料台上に
位置させた後、アルゴン、酸素または窒素ガスを３乃至
５ｓｃｃｍの流量で装置内に供給した。周波数１３.５
６ＭＨｚ、出力１００ＷのＲＦ波を用いて真空槽内にプ
ラズマを発生させた。イオンパルス条件としてはパルス
電圧−３０ｋＶ、パルスオフ時の電圧−８０Ｖ、パルス
幅２０μｓ、パルス周波数１００Ｈｚのパルスを使用
し、試料台から３０ｍｍ離れた箇所にグリッドを設置す
るために、直径３ｍｍ、長さ３０ｍｍのステンレススチ
ール支持台を利用した。それぞれの気体プラズマを発生
させた後２分間処理した。このように表面処理した試料
を一定期間空気中に露出させた後、表面抵抗度を測定し
た結果を図２に示す。図２から、表面を処理しない高分
子表面に比べてプラズマイオン注入を行った試料の場合
は表面抵抗度が１０4以上減少することが分かる。特
に、ポリカーボネート試料にアルゴンプラズマイオンを
注入した試料がさらに効率よく表面処理された。
【００１４】（実施例２）グリッドの位置を試料台から
２０ｍｍ離れた箇所に設置した後、厚さ１０μｍのポリ
イミドフィルム（直径７０ｍｍ）をアルゴンガスを用い
て実施例１と同一の条件下でプラズマイオン注入で処理
した。処理時間を１０分、２０分、３０分として表面処
理した試料を一定期間空気中に露出させた後、表面抵抗
度を測定した結果を図３に示す。図３から、処理時間が
長ければ長いほど試料の表面処理程度が大きくなって表
面抵抗度が減少することが分かる。
２０ｍｍ離れた箇所に設置した後、厚さ１０μｍのポリ
イミドフィルム（直径７０ｍｍ）をアルゴンガスを用い
て実施例１と同一の条件下でプラズマイオン注入で処理
した。処理時間を１０分、２０分、３０分として表面処
理した試料を一定期間空気中に露出させた後、表面抵抗
度を測定した結果を図３に示す。図３から、処理時間が
長ければ長いほど試料の表面処理程度が大きくなって表
面抵抗度が減少することが分かる。
【００１５】（実施例３）立体模様の高分子に対する表
面処理効果を調べるために、細胞培養皿に使用する厚さ
１ｍｍのポリスチレン板（直径３５ｍｍ、高さ１０ｍ
ｍ）をアルゴン気体を用いてプラズマイオン注入処理を
行った。実施例１と同一の条件で行った。グリッドは試
料台から４０ｍｍ離れた箇所に位置させた。ポリスチレ
ン培養皿を一枚、二枚、三枚とそれぞれ積み上げて表面
処理を行った結果を図４に示す。グラス模様の培養皿を
表面処理した場合、培養皿の内側底面だけでなく、内側
側面と外側側面が共に処理されて低い表面抵抗値を示し
た。これから立体模様の高分子試料が均一に処理される
ことが分かる。また、試料を１個、２個、３個と積み上
げるほどグリッドとの距離が近くなって表面処理が効果
的である。
面処理効果を調べるために、細胞培養皿に使用する厚さ
１ｍｍのポリスチレン板（直径３５ｍｍ、高さ１０ｍ
ｍ）をアルゴン気体を用いてプラズマイオン注入処理を
行った。実施例１と同一の条件で行った。グリッドは試
料台から４０ｍｍ離れた箇所に位置させた。ポリスチレ
ン培養皿を一枚、二枚、三枚とそれぞれ積み上げて表面
処理を行った結果を図４に示す。グラス模様の培養皿を
表面処理した場合、培養皿の内側底面だけでなく、内側
側面と外側側面が共に処理されて低い表面抵抗値を示し
た。これから立体模様の高分子試料が均一に処理される
ことが分かる。また、試料を１個、２個、３個と積み上
げるほどグリッドとの距離が近くなって表面処理が効果
的である。
【００１６】（実施例４）厚さ３ｍｍと５．５ｍｍの２
種のＭＰＰＯ高分子板（５０ｍｍ×８０ｍｍ）を１０-3
ｔｏｒｒのアルゴン気体を注入した真空槽で出力１００
ＷのＲＦプラズマを作って２０μｓ、１００Ｈｚのパル
ス幅と周波数で−３０ｋＶと−５０ｋＶの高電圧を試料
表面から３０ｍｍ離れたグリッドに印加してそれぞれ２
分、５分、１０分間のプラズマイオン注入処理を行った
後、表面抵抗度を測定して比較したグラフを図５に示
す。処理時間が増加すればするほど、そして注入エネル
ギーが大きければ大きいほど低い抵抗度を示し、厚いＭ
ＰＰＯの場合はグリッドとの距離が近くなってさらに効
率よく処理された。
種のＭＰＰＯ高分子板（５０ｍｍ×８０ｍｍ）を１０-3
ｔｏｒｒのアルゴン気体を注入した真空槽で出力１００
ＷのＲＦプラズマを作って２０μｓ、１００Ｈｚのパル
ス幅と周波数で−３０ｋＶと−５０ｋＶの高電圧を試料
表面から３０ｍｍ離れたグリッドに印加してそれぞれ２
分、５分、１０分間のプラズマイオン注入処理を行った
後、表面抵抗度を測定して比較したグラフを図５に示
す。処理時間が増加すればするほど、そして注入エネル
ギーが大きければ大きいほど低い抵抗度を示し、厚いＭ
ＰＰＯの場合はグリッドとの距離が近くなってさらに効
率よく処理された。
【００１７】
【発明の効果】本発明の方法によって金属グリッドを用
いて立体高分子材料の表面を処理すると、高分子試料が
絶縁物質であっても気体のプラズマイオンがグリッドに
よって加速され、立体高分子材料の表面に注入されて多
数のラジカルが形成され、このラジカルによって高分子
鎖が二重結合または架橋反応をして鎖と鎖との結合を形
成することにより、高分子表面を黒鉛構造と類似してい
る構造を作って電子の移動可能な通路を作り、結果とし
て表面抵抗度を大きく減らす効果を奏する。
いて立体高分子材料の表面を処理すると、高分子試料が
絶縁物質であっても気体のプラズマイオンがグリッドに
よって加速され、立体高分子材料の表面に注入されて多
数のラジカルが形成され、このラジカルによって高分子
鎖が二重結合または架橋反応をして鎖と鎖との結合を形
成することにより、高分子表面を黒鉛構造と類似してい
る構造を作って電子の移動可能な通路を作り、結果とし
て表面抵抗度を大きく減らす効果を奏する。
【図１】本発明に係る３次元立体高分子素材の表面改質
のためのプラズマイオン注入装置の構造図である。
のためのプラズマイオン注入装置の構造図である。
【図２】本発明の実施例１において気体プラズマの種類
と表面抵抗度との関係を示す図である。
と表面抵抗度との関係を示す図である。
【図３】本発明の実施例２においてプラズマイオン注入
処理時間と表面抵抗度との関係を示すグラフである。
処理時間と表面抵抗度との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例３において積み上げた試料の個
数と表面抵抗度との関係を示すグラフである。
数と表面抵抗度との関係を示すグラフである。
【図５】本発明の実施例４において試料の厚さ及びイオ
ン注入エネルギーと表面抵抗度との関係を示すグラフで
ある。
ン注入エネルギーと表面抵抗度との関係を示すグラフで
ある。
１ 真空槽 ２ 真空ポンプ ３ 永久磁石 ４ ＲＦ電力装置 ５ マッチングネットワーク ６ アンテナ ７ プラズマ ８ 高分子試料 ９ 試料支持台 １０ 金属グリッド １１ 高電圧パルス発生装置 １２ プラズマ測定装置 １３ ガス調節装置 １４ 使用ガス １５ 真空槽接地
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−9315（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08J 7/00 306
Claims (6)
- 【請求項１】 （ａ）真空槽内の試料台上に立体高分子
材料を位置させる工程と、 （ｂ）真空槽内の前記材料表面から一定距離離れた箇所
にグリッドを位置させる工程と、 （ｃ）真空槽内の前記材料表面に抵抗度を低める黒鉛層
を形成するために気体プラズマイオンを形成する工程
と、 （ｄ）前記グリッドに陰電圧パルスを加えて気体プラズ
マイオンを前記材料の表面に注入させる工程とを含むグ
リッドを用いた立体高分子のプラズマイオン注入による
立体高分子材料の表面処理方法。 - 【請求項２】 グリッドが試料表面上から真空層の上壁
までの間の高さに位置することを特徴とする請求項１記
載の高分子表面処理方法。 - 【請求項３】 グリッドの行と行との間隔が１〜２０ｍ
ｍの値をとることを特徴とする請求項１記載の高分子表
面処理方法。 - 【請求項４】 グリッドに加える高電圧パルスは、パル
ス電圧−１ｋＶ〜−１００ｋＶ、パルスオフ時の電圧０
Ｖ〜−１ｋＶ、パルス幅１μｓｅｃ〜５０μｓｅｃ、パ
ルス周波数１０Ｈｚ〜１０ｋＨｚの値をとることを特徴
とする請求項１記載の高分子表面処理方法。 - 【請求項５】 立体高分子素材表面の電気伝導度の向上
にアルゴン、ネオン、ヘリウム、クリプトン、キセノ
ン、窒素、酸素、水素、一酸化炭素、二酸化炭素、アン
モニア、メタン、或いはＣＦ4ガスを使用することを特
徴とする請求項１記載の高分子表面処理方法。 - 【請求項６】 真空槽内のプラズマをグリッドに加えら
れる高電圧パルスを用いてアンテナ無しで直接発生させ
ることを特徴とする請求項１記載の高分子表面処理方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2000-52812 | 2000-09-06 | ||
| KR1020000052812A KR100351516B1 (ko) | 2000-09-06 | 2000-09-06 | 입체 고분자 재료의 표면처리방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3220445B1 true JP3220445B1 (ja) | 2001-10-22 |
| JP2002088179A JP2002088179A (ja) | 2002-03-27 |
Family
ID=19687770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000334520A Expired - Fee Related JP3220445B1 (ja) | 2000-09-06 | 2000-11-01 | 立体高分子材料の表面処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6403167B1 (ja) |
| JP (1) | JP3220445B1 (ja) |
| KR (1) | KR100351516B1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442309B1 (ko) * | 2003-07-22 | 2004-07-30 | 주식회사 에폰 | 필름상 중합체의 연속 표면처리장치 및 연속 표면처리방법 |
| KR100439942B1 (ko) * | 2003-07-22 | 2004-07-12 | 주식회사 에폰 | 입체상 중합체의 연속 표면처리장치 및 연속 표면처리방법 |
| US20070268089A1 (en) * | 2003-10-31 | 2007-11-22 | Mckenzie David R | Plasma Immersion Ion Implantation Using Conductive Mesh |
| JP5391178B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2014-01-15 | リンテック株式会社 | 高分子成形体の製造方法、高分子成形体およびその製造装置 |
| CN1965391A (zh) * | 2004-05-14 | 2007-05-16 | 松下电器产业株式会社 | 制造半导体器件的方法和设备 |
| KR100649665B1 (ko) * | 2005-01-03 | 2006-11-27 | 테스콤 주식회사 | 입체성형물 중합체의 처리 장치 |
| KR100649668B1 (ko) * | 2005-01-03 | 2006-11-27 | 테스콤 주식회사 | 필름상 중합체 처리장치 및 그 처리방법 |
| JP2006230639A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Institute Of Physical & Chemical Research | 生体接触部分を改質したカテーテル |
| KR100674532B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2007-01-29 | 한국과학기술연구원 | 고분자 위에 접착력이 강한 금속 박막을 형성하기 위한 방법 및 장치 |
| US7597924B2 (en) * | 2005-08-18 | 2009-10-06 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Surface modification of ePTFE and implants using the same |
| WO2008154267A2 (en) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Indiana University Research And Technology Corporation | Dose profile measurement system for clinical proton fields |
| KR101058253B1 (ko) | 2010-06-07 | 2011-08-22 | 한국생산기술연구원 | 표면처리 및 코팅이 동시 처리 가능한 장비 및 이를 이용한 표면 처리 방법 |
| KR101314160B1 (ko) | 2011-07-06 | 2013-10-04 | 주식회사 다원시스 | 대전 방지 처리된 고분자 필름의 제조방법 및 제조장치 |
| CN107523798B (zh) * | 2017-09-21 | 2018-07-13 | 北京大学 | 一种等离子体浸没离子注入掺杂装置及其应用 |
| JP2021172876A (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-01 | 株式会社プラズマイオンアシスト | 成膜装置及び成膜方法 |
-
2000
- 2000-09-06 KR KR1020000052812A patent/KR100351516B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-11-01 US US09/702,612 patent/US6403167B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6403167B1 (en) | 2002-06-11 |
| JP2002088179A (ja) | 2002-03-27 |
| KR100351516B1 (ko) | 2002-09-05 |
| KR20020020010A (ko) | 2002-03-14 |
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