JP2021172876A - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents

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泰雄 鈴木
Yasuo Suzuki
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【課題】耐摩耗性があり、しかも着色も少ない抗菌膜を成膜する。【解決手段】基材Zを収容するとともに、フッ素含有ガスが供給される真空チャンバXと、真空チャンバX内にプラズマを発生させるための高周波アンテナ1と、基材Zを真空チャンバX内に搬入し、プラズマ処理された基材Zを真空チャンバX内から搬出する搬送機構2と、基材Zの周囲に設けられ、イオンが通過可能なイオン通過孔hを有する導電性部材4と、導電性部材4に負の電圧を印加する電源5とを備え、電源5から導電性部材4に負の電圧を印加して、イオン通過孔hにプラズマ中のフッ素イオンを通過させて基材Zに注入することで、基材Zに抗菌膜を成膜するように構成した。【選択図】図1

Description

本発明は、基材に抗菌膜や抗ウィルス膜などの抗感染媒体膜(以下、本願ではこれらの膜を全て含む概念として単に「抗菌膜」と記載する)を成膜する成膜装置及び成膜方法に関するものである。
近時、ウィルスの感染を防ぐための様々な対策が行われており、その1つとして、例えばマスク、フェースガード、人が手に触れる携帯電話、携帯電話のカバーケース、或いは手すり等に抗菌膜を施すものが挙げられる。
抗菌膜としては、特許文献1に示すように、フッ素コートが知られており、これはフッ素の撥水性により水分をはじき、菌が付着しないようにするものである。
しかしながら、フッ素コートは表面にコーティングされてなるものであり、摩耗により剥がれて抗菌作用が低減していく。また、例えば透明な樹脂にフッ素コーティングをすると、樹脂が着色してしまい生地本来の特性を損なうといった問題もある。
特開2018−009282号公報
そこで本発明は、上述した問題を解決すべくなされたものであり、耐摩耗性を有し長時間の使用においても効果を維持することができ、しかも着色も少なく生地本来の特性を損ない難い抗菌膜を成膜することその主たる課題とするものである。
すなわち、本発明に係る成膜装置は、基材を収容するとともに、フッ素含有ガスが供給される真空チャンバと、前記真空チャンバ内にプラズマを発生させるための高周波アンテナと、前記基材を前記真空チャンバ内に搬入し、プラズマ処理された前記基材を前記真空チャンバ内から搬出する搬送機構と、前記基材の周囲に設けられ、イオンが通過可能なイオン通過孔を有する導電性部材と、前記導電性部材に負の電圧を印加する電源とを備え、前記電源から前記導電性部材に負の電圧を印加して、前記イオン通過孔にプラズマ中のフッ素イオンを通過させて前記基材に注入することで、前記基材に抗菌膜を成膜することを特徴とするものである。
このように構成された成膜装置によれば、基材にフッ素イオンを注入して抗菌膜を成膜しているので、フッ素イオンを基材の表面から深い部分に到るまで存在させることができる。これにより、基材が摩耗しても、その表面にはフッ素イオンが残存し続けるため、耐摩耗性を有し長時間の使用においても効果を維持する抗菌膜を成膜することができる。なお、詳細なデーは後述する。
さらに、このように成膜された抗菌膜は、フッ素コートに比べて着色を抑えることができ、生地本来の特性を損ない難くすることができる。
前記導電性部材の具体的な態様としては、メッシュ状のメッシュ電極であることが好ましい。
前記アンテアが、前記基材の両面側それぞれに設けられており、前記導電性部材が、前記各アンテナと前記基材との間それぞれに設けられていることが好ましい。
このような構成であれば、基材の表面及び裏面のそれぞれに一挙に抗菌膜を成膜することができる。
また、本発明に係る成膜方法は、基材に抗菌膜を成膜する成膜方法であって、前記基材を収容する真空チャンバ内にフッ素含有ガスを供給するとともに、当該真空チャンバ内にプラズマを発生させ、前記基材又は前記基材の周囲に設けられた高電圧パルス印加用電極にパルス電圧を印加することで、前記基材にフッ素イオンを注入して抗菌膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
このような成膜方法によれば、基材にフッ素イオンを注入して抗菌膜を成膜しているので、上述した成膜装置による作用効果で述べた通り、フッ素イオンを基材の表面から深い部分に到るまで存在させることで、耐摩耗性のある抗菌膜を成膜することができ、しかも基材への着色を抑えることができる。
耐摩耗性を十分に発揮させるためには、前記抗菌膜に含まれるフッ素イオンが、表面から少なくとも深さ100nmまで存在していることが好ましい。
基材にフッ素イオンを注入するための具体的な実施態様としては、前記パルス電圧が、−5kV以上−1kV以下であることが好ましい。
基材のより深い部分にまでフッ素イオンを注入するためには、前記フッ素イオンの注入エネルギーが、3keV以上であることが好ましい。
前記基材がシート状のものであり、前記基材を送り出しローラから前記真空チャンバに送り出し、前記抗菌膜が成膜された前記基材を巻き取りローラにより巻き取ることが好ましい。
このような方法であれば、シート状の基材に抗菌膜を連続的に成膜することができ、製造効率や製造速度の向上を図れる。
このように構成した本発明によれば、耐摩耗性を有し長時間の使用においても効果を維持することができ、しかも着色も少なく生地本来の特性を損ない難い抗菌膜を成膜することができる。
本実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す模式図。 本実施形態における抗菌膜の成膜方法を示すフローチャート。 本実施形態における抗菌膜のフッ素注入分布を分析した結果を示すグラフ。 その他の実施形態における処理装置の構成を示す模式図。
以下に本発明に係る成膜方法の一実施形態について図面を参照して説明する。
本実施形態の成膜方法は、例えばコロナウィルス等の種々のウィルスに対する抗菌膜を成膜するものであり、例えばフェースガード、携帯電話、携帯電話用カバー、ディスプレイ用保護フィルム、或いは、階段、エレベータ・スカレータ等の手すり、抗菌手術室、病室の壁面、取手、ノブなどに貼られる抗菌フィルム、或いは、マスク、布団、ソファー、ウエア、帽子、靴等に用いられる不織布、腕時計などの装飾品等に用いられるゴムなどに抗菌機能を発揮させるための抗菌膜を成膜する方法である。
<装置構成>
まず始めに、この抗菌膜を基材に成膜するために用いられるプラズマ処理装置の構成について説明する。なお、基材としては、例えばPET、PP、PC、アクリ等の有機材料からなるシート状基材を取り上げて説明する。
本実施形態のプラズマ処理装置100は、図1に示すように、誘導結合プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)を用いて基材をプラズマ処理するものである。
具体的にこのプラズマ処理装置100は、基材Zを収容する真空チャンバXと、真空チャンバX内にプラズマを生成するための高周波アンテナ1と、基材Zを真空チャンバX内に搬入し、プラズマ処理された基材Zを真空チャンバXから搬出する搬送機構2と、高周波アンテナ1に高周波電力を印加する高周波電源3とを具備する。
本実施形態のプラズマ処理装置100は、所謂ロール・ツー・ロール方式のものであり、搬送機構2が、シート状の基材Zを真空チャンバX内に送り出す送り出しローラ21と、プラズマ処理された基材Zを巻き取りローラ22とを備えている。
また、ここでのプラズマ処理装置は100、基材Zを鉛直方向に沿って搬送するように構成されているが、基材Zを水平方向に沿って搬送するものであっても良い。
然して、本実施形態のプラズマ処理装置100は、図1に示すように、基材Zの周囲に設けられ、イオンが通過可能なイオン通過孔hを有する導電性部材4と、導電性部材4に負の電圧を印加する電源5とをさらに備えている。
より具体的に説明すると、導電性部材4は、例えばSUS等の金属からなるメッシュ状のメッシュ電極であり、多数の網目がイオン通過孔hとして形成された例えば平板状のものである。
本実施形態では、図1に示すように、基材Zの表面側及び裏面側のそれぞれに高周波アンテナ1が設けられており、それぞれの高周波アンテナ1と基材Zとの間に導電性部材4が設けられている。これら一対の導電性部材4は、互いに電気的に接続されており、共通の電源5から負の電圧が印加されるものである。
電源5は、導電性部材4にプラズマ中の正のイオンを加速させるための負の電圧を印加するものであり、この負の電圧が加速電圧として作用することにより、プラズマ中の正のイオンを導電性部材4に引き寄せながら加速させるものである。具体的にこの電源4は、−5kV以上−1kV以下の負のパルス電圧を発生させる高圧パルス電源である。
なお、本実施形態では、上述した高周波電源3と電源5とを制御する図示しない制御部が設けられている。具体的にこの制御部は、高周波電源3から高周波アンテナ1に印加する高周波電流を停止した後、所定時間経過後に、電源5から導電性部材4に負の電圧を印加するように高周波電源3及び電源5を制御する。
かかる構成により、真空チャンバ2にCFやArFガスなどのフッ素含有ガスを原料ガスとして供給し、高周波電源3から高周波アンテナ1に高周波電流が印加されると、導電性部材4の周囲にプラズマが発生する。ここでいうプラズマとは、正のフッ素イオンと電子とが同時に存在している状態を指す。
そこへ、電源5から導電性部材4に上述した負の高電圧パルスを印加すると、プラズマ中の電子は、導電性部材4から追いやられ、導電性部材4の周囲には正のフッ素イオンが取り残される。このように、電子が導電性部材4から追いやられることで、プラズマは、導電性部材4から徐々に遠ざかるように変化し、このプラズマと正のイオンが取り残された領域との境界をシースという。
このシースと導電性部材4との間に取り残されたフッ素イオンは、導電性部材4に印加されている負のパルス電圧、つまり加速電圧によって導電性部材4に向かって加速しながら引き寄せられ、一部のイオンが導電性部材4に形成されたイオン通過孔h(本実施形態では、メッシュ電極に形成された網目)を通り抜けて高エネルギーな状態で基材Zに注入される。
これにより、正のフッ素イオンは、基材Zの表面から内部に深く侵入して基材Zと結合するので、このフッ素イオンの注入により成膜された抗菌膜を、例えばCVD(化学気相堆積:Chemical Vapor Deposition)法を用いて形成したものに比べて、剥がれにくいものにすることができる。
<製造方法>
次に、上述したプラズマ処理装置100を用いて基材Zの表面に抗菌膜を成膜する成膜方法について、図2のフローチャートを参照しながら説明する。
まず、真空チャンバXに例えばCFやArFガスなどのフッ素含有ガスを原料ガスとして供給し、真空チャンバX内を例えば0.3Pa以上10Pa以下に保持する(S1)。
次に、送り出しローラ21により基材Zを真空チャンバXに送り出すとともに、高周波アンテナ2に図示しない整合器を介して高周波電源3からの高周波電力を印加することで、真空チャンバXにフッ素イオンを含む放電プラズマを発生させる(S2)。
続いて、導電性部材4に電源5から例えば−5kV以上−1kV以下の負のパルス電圧を印加することで、上述したように、プラズマ中の電子が導電性部材4から追いやられるとともに、導電性部材4の周囲には正のフッ素イオンが取り残される。
そして、この導電性部材4の周囲に取り残されたフッ素イオンが、導電性部材4に印加されている負のパルス電圧によって導電性部材4に向かって加速しながら引き寄せられ、一部のイオンが導電性部材4に形成されたイオン通過孔hを通り抜けて3keV以上の注入イオンエネルギーで基材Zに注入される(S3)。
このフッ素イオンの注入により、基材Zの表面にはフッ素による撥水性を発揮させることができ、これによる抗菌膜が成膜される。
ここで、図3には、上述したフッ素イオンの注入により抗菌膜を成膜した基材を二次イオン質量分析(SIMS)した結果を示しており、この分析結果から、本成膜方法により成膜された抗菌膜は、基材Zの表面から少なくとも深さ400nmまで存在していることが分かる。より詳細には、この抗菌膜は、基材Zとしてアクリル板を用いており、表面からの深さが400nmにおいて1E+03(1000)以上の原子数二次イオン強度(CPS:Counts Per Second)を有する。
ここで、この抗菌膜の摩耗性を評価した結果について述べる。
この摩耗性評価試験では、上述したようにアクリル板に5Kevの注入イオンエネルギーでフッ素イオン注入して抗菌膜を成膜した試料を作成し、この試料に歯ブラシによるブラシング摩耗試験を行った。具体的には、歯ブラシに500gの荷重を加えた状態で40mm/秒の速さで約4kmにわたって試料をこすった。
この摩耗正評価試験の結果、図4に示すように、4kmの摩耗後も基材Zの表層にはフッ素イオンが残存していることが確認された。
このような成膜方法によれば、基材Zにフッ素イオンを注入して抗菌膜を成膜しているので、フッ素イオンを基材Zの表面から深い部分に到るまで存在させることができる。これにより、基材Zが摩耗しても、その表面にはフッ素イオンが残存し続けるため、耐摩耗性のある抗菌膜を成膜することができる。
しかも、このように成膜された抗菌膜は、フッ素コートに比べて着色を抑えることができ、デザイン性を損なうといった問題も解消し得るものである。
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
例えば、前記実施形態ではアクリル板に成膜した抗菌膜について説明したが、例えばゴムなどの他の基材に抗菌膜を成膜しても良い。
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
100・・・プラズマ処理装置
X ・・・真空チャンバ
Z ・・・基材
1 ・・・高周波アンテナ
2 ・・・搬送機構
3 ・・・高周波電源
4 ・・・導電性部材
5 ・・・電源

Claims (8)

  1. 基材を収容するとともに、フッ素含有ガスが供給される真空チャンバと、
    前記真空チャンバ内にプラズマを発生させるための高周波アンテナと、
    前記基材を前記真空チャンバ内に搬入し、プラズマ処理された前記基材を前記真空チャンバ内から搬出する搬送機構と、
    前記基材の周囲に設けられ、イオンが通過可能なイオン通過孔を有する導電性部材と、
    前記導電性部材に負の電圧を印加する電源とを備え、
    前記電源から前記導電性部材に負の電圧を印加して、前記イオン通過孔にプラズマ中のフッ素イオンを通過させて前記基材に注入することで、前記基材に抗菌膜を成膜することを特徴とする成膜装置。
  2. 前記導電性部材が、メッシュ状のメッシュ電極である請求項1記載の成膜装置。
  3. 前記アンテアが、前記基材の両面側それぞれに設けられており、
    前記導電性部材が、前記各アンテナと前記基材との間それぞれに設けられている請求項1又は2記載の成膜装置。
  4. 基材に抗菌膜を成膜する成膜方法であって、
    前記基材を収容する真空チャンバ内にフッ素含有ガスを供給するとともに、当該真空チャンバ内にプラズマを発生させ、
    前記基材又は前記基材の周囲に設けられた高電圧パルス印加用電極にパルス電圧を印加することで、前記基材にフッ素イオンを注入して抗菌膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
  5. 前記抗菌膜に含まれるフッ素イオンが、表面から少なくとも深さ100nmまで存在している請求項4記載の成膜方法。
  6. 前記パルス電圧が、−5kV以上−1kV以下であることを特徴とする請求項4又は5記載の成膜方法。
  7. 前記フッ素イオンの注入エネルギーが、3keV以上である請求項4乃至6のうち何れか一項に記載の成膜方法。
  8. 前記基材がシート状のものであり、
    前記基材を送り出しローラから前記真空チャンバに送り出し、前記抗菌膜が成膜された前記基材を巻き取りローラにより巻き取ることを特徴とする請求項4乃至7のうち何れか一項に記載の成膜方法。
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