JPS63213345A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPS63213345A JPS63213345A JP62047109A JP4710987A JPS63213345A JP S63213345 A JPS63213345 A JP S63213345A JP 62047109 A JP62047109 A JP 62047109A JP 4710987 A JP4710987 A JP 4710987A JP S63213345 A JPS63213345 A JP S63213345A
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体工業における半導体素子製造等に用い
るプラズマ処理装置に関するものであり、特に大面積の
半導体素子や半導体薄膜等への不純物注入、大面積の半
導体薄膜形成やエツチング等に用いるプラズマ処理装置
に関するものである。
るプラズマ処理装置に関するものであり、特に大面積の
半導体素子や半導体薄膜等への不純物注入、大面積の半
導体薄膜形成やエツチング等に用いるプラズマ処理装置
に関するものである。
従来の技術
半導体薄膜等への不純物のイオンドーピング或はエツチ
ングの方法としては、（１）：イオン源として直流グロ
ー放電を用い、質量分離部を有さすイオン加速部を経て
イオンを半導体基板等に注入する簡易型イオン注入装置
〔第３図、 １．、Ｃ，Ｍｕｌｌｅｒ。
ングの方法としては、（１）：イオン源として直流グロ
ー放電を用い、質量分離部を有さすイオン加速部を経て
イオンを半導体基板等に注入する簡易型イオン注入装置
〔第３図、 １．、Ｃ，Ｍｕｌｌｅｒ。
ｅｔ ａｌ、：Ｐｒｏｃ、Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｐｈｏｔ
ｏｖｏｌｔａｉｃ ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｆ
＋（プロシーディング ヨーロピアン フォトポルテ
ィック ソーラー エナジーコ７７ｙしｙ ス） （Ｌ
ｅｘｅｍｂｅｒｇ）Ｓｅｐｔ 、１９７７ 。
ｏｖｏｌｔａｉｃ ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｆ
＋（プロシーディング ヨーロピアン フォトポルテ
ィック ソーラー エナジーコ７７ｙしｙ ス） （Ｌ
ｅｘｅｍｂｅｒｇ）Ｓｅｐｔ 、１９７７ 。
ｐ８９７−９０９］を用いる方法や、（２）二基板室内
に容量結合型高周波電極をもうけて高周波グロー放電に
よる化学的気相反応を起こすプラズマＣＶＤ装置の高周
波電極に直流電圧を印加させる方法〔第４図〕などがあ
る。第３，４図において、１は放電室、２は直流グロー
放電用アノード電極、３は放電用直流電源、４は加速用
電極、５は加速用直流電源、６はガス導入管、７は絶縁
体、８はガス排出管、９は基板台、２２は真空容器、２
３は高周波電極、２４はマツチングボックス、２６は高
周波発振器、２６は直流電源、２７は導入管、２８はガ
ス排出管、２９は基板台、３ｏは絶縁体である。
に容量結合型高周波電極をもうけて高周波グロー放電に
よる化学的気相反応を起こすプラズマＣＶＤ装置の高周
波電極に直流電圧を印加させる方法〔第４図〕などがあ
る。第３，４図において、１は放電室、２は直流グロー
放電用アノード電極、３は放電用直流電源、４は加速用
電極、５は加速用直流電源、６はガス導入管、７は絶縁
体、８はガス排出管、９は基板台、２２は真空容器、２
３は高周波電極、２４はマツチングボックス、２６は高
周波発振器、２６は直流電源、２７は導入管、２８はガ
ス排出管、２９は基板台、３ｏは絶縁体である。
発明が解決しようとする問題点
イオンを用い半導体薄膜を処理する従来の技術において
、（１）のイオン源として直流グロー放電を −用
い、質量分離部を有さすイオン加速部を経てイオンを半
導体基板等に輸送する第３図の簡易型イオン処理装置は
、直流グロー放電が起こりイオン源として機能する圧力
（１〜０．０１ ｔｏｒｒ）にイオン源の圧力を保ちさ
らに基板室をイオンの平均自由行程がイオン源から基板
までの距離以上になる圧力（〜１０ ｔｏｒｒ以下）
に保つため差動排気等を用いねばならず、また大面積の
試料へのイオン処理のために放電電極を大きくすると電
極の沿面放電等による放電の不均一性や不安定性、さら
に放電電極がイオン源の内部にイオンに対し直接さらさ
れて設けていることからプラズマのセルフバイアスによ
り加速されたイオンによって電極がスパッタリングされ
て発生する不純物による試料の汚染等の問題があった。
、（１）のイオン源として直流グロー放電を −用
い、質量分離部を有さすイオン加速部を経てイオンを半
導体基板等に輸送する第３図の簡易型イオン処理装置は
、直流グロー放電が起こりイオン源として機能する圧力
（１〜０．０１ ｔｏｒｒ）にイオン源の圧力を保ちさ
らに基板室をイオンの平均自由行程がイオン源から基板
までの距離以上になる圧力（〜１０ ｔｏｒｒ以下）
に保つため差動排気等を用いねばならず、また大面積の
試料へのイオン処理のために放電電極を大きくすると電
極の沿面放電等による放電の不均一性や不安定性、さら
に放電電極がイオン源の内部にイオンに対し直接さらさ
れて設けていることからプラズマのセルフバイアスによ
り加速されたイオンによって電極がスパッタリングされ
て発生する不純物による試料の汚染等の問題があった。
（２）の基板室内に容量結合型高周波電極をもうけて高
周波グロー放電による化学的気相反応を起こすプラズマ
ＣＶＤ装置の高周波電極に直流電圧を印加させる第４図
の装置を用いる方法は、基板室の圧力が直流グロー放電
が起こりイオン源として機能する圧力（１〜０．０１
ｔｏｒｒ）に保たれていることや印加出来る電圧が１０
０〜１ ｏｏｏｖと低くいことから所望のイオン以外の
中性粒子等の試料表面への堆積が起こり、不純物の濃度
を規定したドーピング等の高精度制御が困難であった。
周波グロー放電による化学的気相反応を起こすプラズマ
ＣＶＤ装置の高周波電極に直流電圧を印加させる第４図
の装置を用いる方法は、基板室の圧力が直流グロー放電
が起こりイオン源として機能する圧力（１〜０．０１
ｔｏｒｒ）に保たれていることや印加出来る電圧が１０
０〜１ ｏｏｏｖと低くいことから所望のイオン以外の
中性粒子等の試料表面への堆積が起こり、不純物の濃度
を規定したドーピング等の高精度制御が困難であった。
さらに放電電極と加速電極の一致による放電の不安定さ
のため、大面積の試料に極めて一様な不純物のドーピン
グ或はプラズマ処理等を行うことが困難であり、さらに
放電電極がイオン源の内部にイオンに対し直接さらされ
て設けていることからプラズマのセルフバイアスにより
加速されたイオンによって電極がスパッタリングされて
発生する不純物による試料の汚染７等の問題があった。
のため、大面積の試料に極めて一様な不純物のドーピン
グ或はプラズマ処理等を行うことが困難であり、さらに
放電電極がイオン源の内部にイオンに対し直接さらされ
て設けていることからプラズマのセルフバイアスにより
加速されたイオンによって電極がスパッタリングされて
発生する不純物による試料の汚染７等の問題があった。
問題点を解決するための手段
以上の問題点を解決するために本発明が用いる手段とし
ては、イオン源として真空槽内にガスを導入し、ガスを
はさんで対向した電極に高周波信号を印加してプラズマ
を発生させ、このプラズマ中に磁場を形成するための磁
場発生源を所定の位置に配置し、この磁場強度を電子サ
イクロトロン共鳴周波数を与える磁場強度の１．５倍以
上とするものである。
ては、イオン源として真空槽内にガスを導入し、ガスを
はさんで対向した電極に高周波信号を印加してプラズマ
を発生させ、このプラズマ中に磁場を形成するための磁
場発生源を所定の位置に配置し、この磁場強度を電子サ
イクロトロン共鳴周波数を与える磁場強度の１．５倍以
上とするものである。
作 用
真空槽内でプラズマを発生させ、これをイオン源として
使用する上記のような手段において磁場発生源を配する
ことで放電室内に印加された磁場による電子の閉じ込め
及び旋回運動（サイクロトロン運動）の励起を行い、高
周波によって供給されるエネルギーを有効に用いて例え
ば１０〜１０”ｔｏｒｒの気体圧力でも放電が可能とな
る。
使用する上記のような手段において磁場発生源を配する
ことで放電室内に印加された磁場による電子の閉じ込め
及び旋回運動（サイクロトロン運動）の励起を行い、高
周波によって供給されるエネルギーを有効に用いて例え
ば１０〜１０”ｔｏｒｒの気体圧力でも放電が可能とな
る。
この場合、例えば１３．５８％Ｉｈの工業用周波数で電
子をサイクロトロン運動させるために必要な磁束密度は
ほぼ４．８ガウスとなり、地磁気による磁束密度と同程
度となるので磁場の制御が困難であり実用的ではなかっ
たが、発明者らは、４．８ガウス以上の磁束密度よりも
大きい値において、サイクロトロン運動の効率が上がる
ことを見いだした。
子をサイクロトロン運動させるために必要な磁束密度は
ほぼ４．８ガウスとなり、地磁気による磁束密度と同程
度となるので磁場の制御が困難であり実用的ではなかっ
たが、発明者らは、４．８ガウス以上の磁束密度よりも
大きい値において、サイクロトロン運動の効率が上がる
ことを見いだした。
基本的には４．８ガウスの整数倍においても電子のサイ
クロトロン共鳴が生じると考えられ、発明者らは１３．
５６’％ｔｋＯ高周波を窒素ガスに印加してプラズマを
発生させ、プラズマ中のイオンを引き出してイオン電流
を測定することによりこれを確認した。第２図は磁束密
度に対するイオン電流の変化を示しておシ、この場合、
イオン電流の磁場印加による増加はサイクロトロン共鳴
させるための磁場強度の１６倍程度から観測された。又
６００ガウス以上の磁束密度においてはその効果が小さ
くなることも観測した。このようにサイクロトロン運動
の効率を磁束密度を最適化することにより改善しプラズ
マ放電を安定にし、イオンの発生を効率よく行なわせる
ことが可能となる。
クロトロン共鳴が生じると考えられ、発明者らは１３．
５６’％ｔｋＯ高周波を窒素ガスに印加してプラズマを
発生させ、プラズマ中のイオンを引き出してイオン電流
を測定することによりこれを確認した。第２図は磁束密
度に対するイオン電流の変化を示しておシ、この場合、
イオン電流の磁場印加による増加はサイクロトロン共鳴
させるための磁場強度の１６倍程度から観測された。又
６００ガウス以上の磁束密度においてはその効果が小さ
くなることも観測した。このようにサイクロトロン運動
の効率を磁束密度を最適化することにより改善しプラズ
マ放電を安定にし、イオンの発生を効率よく行なわせる
ことが可能となる。
実施例
以下図面に基づいて本発明についてさらに詳しく説明す
る。
る。
第１図は本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施例の
概略構成図を示したものである。
概略構成図を示したものである。
放電室Ｃの真空槽３１はセラミックスや石英ガラス等を
用い、容量結合型高周波グロー放電用電極３２には導電
性の良い銅・ニッケル等の金属を用い真空槽３１の外部
に設ける。容量結合型高周波グロー放電用電極３２の一
方はマツチングボックス３３を介して高周波発振器３４
と接続し、他方を接地して真空槽３１内に高周波電力の
供給を行う。さらに容量結合型高周波グロー放電用電極
３２の外部に配した電磁石３５により電子のサイクロト
ロン共鳴に必要な磁束密度の１．５倍以上の磁場を印加
することによって電子の励起効率を上げ閉じ込め効果を
大きくすることにより、比較的低い圧力（１０〜１０
ｔｏｒｒ）で高周波電力を有効に放電のために用いる
ことを可能とし真空槽３１内にプラズマを安定に発生さ
せる。この磁場の強度は真空槽３１内に於てＳＯＯガウ
ス程度で良く、磁場発生源として永久磁石等を用いても
良い。又、この磁場の強度を実現するために複数の磁場
を用いることにより設計の裕度が増す。導電性のステン
レス・アルミニウム・銅等で作られ開口部３６を有する
第１の導電性バイアス部３７−ａは、セラミックス・石
英ガラス塩化ビニル等で作られた絶縁フランジ３８を介
して放電室Ｃと基板室りの間に設ける。放電室Ｃへの材
料ガスの導入はガス導入管３９を経て、真空槽３１内の
第１の導電性バイアス部３７−ａと対向した位置に設け
られた第２の導電性バイアス部３７−ｂのガス導入口４
ｏより行う。第１の導電性バイアス部３７−ａ及び第２
の導電性バイアス部３７−ｂは各々直流高電圧電源４１
−ａ及び４１−ｂに接続され、所望の電圧を印加するこ
とにより、放電室Ｃ内の荷電粒子を基板室りへ押し出し
加速を行う。
用い、容量結合型高周波グロー放電用電極３２には導電
性の良い銅・ニッケル等の金属を用い真空槽３１の外部
に設ける。容量結合型高周波グロー放電用電極３２の一
方はマツチングボックス３３を介して高周波発振器３４
と接続し、他方を接地して真空槽３１内に高周波電力の
供給を行う。さらに容量結合型高周波グロー放電用電極
３２の外部に配した電磁石３５により電子のサイクロト
ロン共鳴に必要な磁束密度の１．５倍以上の磁場を印加
することによって電子の励起効率を上げ閉じ込め効果を
大きくすることにより、比較的低い圧力（１０〜１０
ｔｏｒｒ）で高周波電力を有効に放電のために用いる
ことを可能とし真空槽３１内にプラズマを安定に発生さ
せる。この磁場の強度は真空槽３１内に於てＳＯＯガウ
ス程度で良く、磁場発生源として永久磁石等を用いても
良い。又、この磁場の強度を実現するために複数の磁場
を用いることにより設計の裕度が増す。導電性のステン
レス・アルミニウム・銅等で作られ開口部３６を有する
第１の導電性バイアス部３７−ａは、セラミックス・石
英ガラス塩化ビニル等で作られた絶縁フランジ３８を介
して放電室Ｃと基板室りの間に設ける。放電室Ｃへの材
料ガスの導入はガス導入管３９を経て、真空槽３１内の
第１の導電性バイアス部３７−ａと対向した位置に設け
られた第２の導電性バイアス部３７−ｂのガス導入口４
ｏより行う。第１の導電性バイアス部３７−ａ及び第２
の導電性バイアス部３７−ｂは各々直流高電圧電源４１
−ａ及び４１−ｂに接続され、所望の電圧を印加するこ
とにより、放電室Ｃ内の荷電粒子を基板室りへ押し出し
加速を行う。
基板室りはガス排出管４２に接続され、１０〜１０−６
ｔｏｒｒの圧力に保たれる。基板室り内には導電性のス
テンレス・アルミニウム・銅等で作られた基板台４３を
設け、基板台４３上に半導体基板等の試料４４を置く。
ｔｏｒｒの圧力に保たれる。基板室り内には導電性のス
テンレス・アルミニウム・銅等で作られた基板台４３を
設け、基板台４３上に半導体基板等の試料４４を置く。
試料４４はヒーター４６により加熱を行い、不純物のド
ーピング或はプラズマ処理の効率を上げる。真空槽３１
内の容量結合型高周波グロー放電用電極３２に高周波を
印加して生じるプラズマより引き出され、第１の導電性
バイアス部３７−ａと基板台４３との電位差に応じた運
動エネルギーを得た荷電粒子ビーム４６は、基板台４３
上の半導体基板等の試料４４に輸送され、所望の量の不
純物のドーピング或はプラズマ処理等が試料４４に対し
て行われる。
ーピング或はプラズマ処理の効率を上げる。真空槽３１
内の容量結合型高周波グロー放電用電極３２に高周波を
印加して生じるプラズマより引き出され、第１の導電性
バイアス部３７−ａと基板台４３との電位差に応じた運
動エネルギーを得た荷電粒子ビーム４６は、基板台４３
上の半導体基板等の試料４４に輸送され、所望の量の不
純物のドーピング或はプラズマ処理等が試料４４に対し
て行われる。
発明の効果
本発明は真空槽内のガスに高周波を印加し、電子のサイ
クロトロン共鳴を生じさせる磁束密度の１６倍以上の磁
束密度を印加することにより１ｏ−３〜１０ ｔｏｒ
ｒ と比較的低い圧力下で一様なイオン化の効率の高
い安定なプラズマを発生させることが可能となる。これ
より均一で制御性の良いドーピング及びプラズマ処理等
を行なうことが可能となる。本発明の実施例は、印加す
る高周波の周波数を１３．５６１１にとした場合につい
て説明したが、他に、例えば２．４５ ＧＨｚのような
マイクロ波周波数帯の信号を印加した場合についても同
様なことが言える。この場合にはサイクロトロン共鳴を
得るための磁束密度は８７５ガウスであるが、この値の
２倍の磁束密度を印加した場合にもイオン化効率のよい
プラズマが得られ良好な安定性が得られる。
クロトロン共鳴を生じさせる磁束密度の１６倍以上の磁
束密度を印加することにより１ｏ−３〜１０ ｔｏｒ
ｒ と比較的低い圧力下で一様なイオン化の効率の高
い安定なプラズマを発生させることが可能となる。これ
より均一で制御性の良いドーピング及びプラズマ処理等
を行なうことが可能となる。本発明の実施例は、印加す
る高周波の周波数を１３．５６１１にとした場合につい
て説明したが、他に、例えば２．４５ ＧＨｚのような
マイクロ波周波数帯の信号を印加した場合についても同
様なことが言える。この場合にはサイクロトロン共鳴を
得るための磁束密度は８７５ガウスであるが、この値の
２倍の磁束密度を印加した場合にもイオン化効率のよい
プラズマが得られ良好な安定性が得られる。
第１図は本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施例の
概略構成図、第２図は本発明に係るプラズマ処理装置に
おける印加磁場強度とプラズマ放電のイオン化の効率の
関係を示す図、第３図は従来の技術のうちイオン源とし
て直流グロー放電を用い、質量分離部を有さすイオン加
速部を経てイオン半導体基板等に注入する簡易型イオン
注入装置の概略構成図、第４図は従来の技術のうち基板
室内に容量結合型高周波電極をもうけて高周波グロー放
電による化学的気相反応を起こすプラズマＣＶＤ装置の
高周波電極に直流電圧を印加させる方法の概略構成図で
ある。 Ｃ・・・・・・放電室、Ｄ・・・・・・基板室、３１・
・・・・・真空槽、３２・・・・・・容量結合型高周波
グロー放電用電極、３３・・・・・・マツチングボック
ス、３４・・・・・・高周波発振器、３５・・・・・・
電磁石、３６・・・・・・開口部、３７−ａ・・・・・
・第１の導電性バイアス部、３７−ｂ・・・・・・第２
の導電性バイアス部、３８・・・・・・絶縁フランジ、
３９・・・・・・ガス導入管、４０・・・・・・ガス導
入口、４１−ａ・・・・・・直流高電圧電源、４１−ｂ
・・・・・・直流高電圧電源、４２・・・・・・ガス排
出管、４３・・・・・・基板台、４４・・・・・・試料
、４５・・・・・・ヒーター。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名３ト
ー具生糟 ｊ２−−−．１周長（孤 ３３−−マツテソグボ１り入 ３４−；ｆｉ贋トφ町讐トｕ）呑、 ３５−４ｔ＃ｉ石 （ＴＴＩｌｌｌ） ４５＝＝＝ヨ！−
ｍ＝ 第２図
概略構成図、第２図は本発明に係るプラズマ処理装置に
おける印加磁場強度とプラズマ放電のイオン化の効率の
関係を示す図、第３図は従来の技術のうちイオン源とし
て直流グロー放電を用い、質量分離部を有さすイオン加
速部を経てイオン半導体基板等に注入する簡易型イオン
注入装置の概略構成図、第４図は従来の技術のうち基板
室内に容量結合型高周波電極をもうけて高周波グロー放
電による化学的気相反応を起こすプラズマＣＶＤ装置の
高周波電極に直流電圧を印加させる方法の概略構成図で
ある。 Ｃ・・・・・・放電室、Ｄ・・・・・・基板室、３１・
・・・・・真空槽、３２・・・・・・容量結合型高周波
グロー放電用電極、３３・・・・・・マツチングボック
ス、３４・・・・・・高周波発振器、３５・・・・・・
電磁石、３６・・・・・・開口部、３７−ａ・・・・・
・第１の導電性バイアス部、３７−ｂ・・・・・・第２
の導電性バイアス部、３８・・・・・・絶縁フランジ、
３９・・・・・・ガス導入管、４０・・・・・・ガス導
入口、４１−ａ・・・・・・直流高電圧電源、４１−ｂ
・・・・・・直流高電圧電源、４２・・・・・・ガス排
出管、４３・・・・・・基板台、４４・・・・・・試料
、４５・・・・・・ヒーター。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名３ト
ー具生糟 ｊ２−−−．１周長（孤 ３３−−マツテソグボ１り入 ３４−；ｆｉ贋トφ町讐トｕ）呑、 ３５−４ｔ＃ｉ石 （ＴＴＩｌｌｌ） ４５＝＝＝ヨ！−
ｍ＝ 第２図
Claims (7)
- （１）真空槽内に導入したガスに周波数ｆの高周波信号
を印加して放電あせるための放電室と排気口を有し、試
料台を備えて前記放電室と接続された基板室により構成
されるプラズマ処理装置において、前記真空槽内部に磁
場を形成するための磁場発生源を所定の位置に配置し、
この磁場強度を電子サイクロトロン共鳴周波数を与える
磁場強度の１．５倍以上としたことを特徴とするプラズ
マ処理装置。 - （２）放電室と基板室の間に、絶縁を保って第１の導電
性バイアス部と、前記第１の導電性バイアス部と対向す
る位置に前記放電により生じるプラズマをはさんで第２
の導電性バイアス部を設けたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のプラズマ処理装置。 - （３）磁場発生源を複数配置したことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置。 - （４）高周波信号の周波数ｆを１００ＭＨｚ以下とした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ
処理装置。 - （５）高周波信号の周波数ｆを１３．５６ＭＨｚの工業
用周波数とし、磁場強度を５００ガウス以下としたこと
を特徴とした特許請求の範囲第３項記載のプズマ処理装
置。 - （６）複数の磁場により発生させられる磁束密度の合計
が電子サイクロトロン共鳴周波数を与える磁場強度の１
．５倍以上としたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のプラズマ処理装置。 - （７）高周波信号の周波数ｆを２．４５ＧＨｚの工業用
周波数とし、磁場強度を電子サイクロトロン共鳴を与え
る磁場強度の２倍である１７５０ガウス程度としたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62047109A JPH0824115B2 (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | プラズマ処理装置 |
| US07/100,148 US4859908A (en) | 1986-09-24 | 1987-09-23 | Plasma processing apparatus for large area ion irradiation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62047109A JPH0824115B2 (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63213345A true JPS63213345A (ja) | 1988-09-06 |
| JPH0824115B2 JPH0824115B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=12766012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62047109A Expired - Lifetime JPH0824115B2 (ja) | 1986-09-24 | 1987-03-02 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0824115B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140048198A (ko) * | 2011-06-09 | 2014-04-23 | 이옹 빔 세르비스 | 저압형 플라즈마 투입 방식 이온주입기 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125820A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Toshiba Corp | 電子サイクロトロン共鳴型放電装置 |
| JPS59161035A (ja) * | 1984-01-18 | 1984-09-11 | Hitachi Ltd | プラズマ発生装置 |
-
1987
- 1987-03-02 JP JP62047109A patent/JPH0824115B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125820A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Toshiba Corp | 電子サイクロトロン共鳴型放電装置 |
| JPS59161035A (ja) * | 1984-01-18 | 1984-09-11 | Hitachi Ltd | プラズマ発生装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140048198A (ko) * | 2011-06-09 | 2014-04-23 | 이옹 빔 세르비스 | 저압형 플라즈마 투입 방식 이온주입기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0824115B2 (ja) | 1996-03-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |