JPS58125820A - 電子サイクロトロン共鳴型放電装置 - Google Patents
電子サイクロトロン共鳴型放電装置Info
- Publication number
- JPS58125820A JPS58125820A JP57007525A JP752582A JPS58125820A JP S58125820 A JPS58125820 A JP S58125820A JP 57007525 A JP57007525 A JP 57007525A JP 752582 A JP752582 A JP 752582A JP S58125820 A JPS58125820 A JP S58125820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- discharge
- magnetic field
- gauss
- resonance type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、エツチングや膜の堆積等に用いられる電子ザ
イクロトロン共鳴型放電装置に関する。
イクロトロン共鳴型放電装置に関する。
１〜１０’Ｔｏｒｒの圧力下で、為電圧や高周波愈ど０
１力を印加して生じるグロー放電は、ガス温間が５０〜
５００℃ と低いが、電子温雇が１０４ＰＫと高い非平
衡プラズマを生じることけよ〈知ら引ている。この応用
は例えば、＋１１ｃＦ４などの反応性ガスの導入によっ
てＣＦ４から生じるＦと８ｉの反応で８ｉＦ４ を生成
しすなわちエツチングする。（２）ｔた８ｉＨ４などの
ガスのグロー放電からは加熱した基盤上Ｋａ−８ｉが堆
積されるなどの技術に生かされ低温プラズマ応用技術は
今後共底い分野に展開されようとしている。このグロー
放電上述したようＫＩＷ”Ｔｏｒｒの比較的高圧下で生
じるが、そのため、水やｅｘなどの残留ガスの影響で、
エツチング４ＰＪｉｌｌＩ積にとって、特に後者にとっ
て、膜内圧不飼物ガスー４！取り込まれ、膜質特性を賛
くする。しかしＩＣｒ”Ｔｏｒｒ以下の低圧下で放電で
生じさせることは従来のバレル型や平行平板型で単Ｋｗ
界が加えられることＫよって電子がエネルギーを得て分
子、原子と衝突する放電方法では困難である。
１力を印加して生じるグロー放電は、ガス温間が５０〜
５００℃ と低いが、電子温雇が１０４ＰＫと高い非平
衡プラズマを生じることけよ〈知ら引ている。この応用
は例えば、＋１１ｃＦ４などの反応性ガスの導入によっ
てＣＦ４から生じるＦと８ｉの反応で８ｉＦ４ を生成
しすなわちエツチングする。（２）ｔた８ｉＨ４などの
ガスのグロー放電からは加熱した基盤上Ｋａ−８ｉが堆
積されるなどの技術に生かされ低温プラズマ応用技術は
今後共底い分野に展開されようとしている。このグロー
放電上述したようＫＩＷ”Ｔｏｒｒの比較的高圧下で生
じるが、そのため、水やｅｘなどの残留ガスの影響で、
エツチング４ＰＪｉｌｌＩ積にとって、特に後者にとっ
て、膜内圧不飼物ガスー４！取り込まれ、膜質特性を賛
くする。しかしＩＣｒ”Ｔｏｒｒ以下の低圧下で放電で
生じさせることは従来のバレル型や平行平板型で単Ｋｗ
界が加えられることＫよって電子がエネルギーを得て分
子、原子と衝突する放電方法では困難である。
その目的のためのひとつの提案として、第１図に示すＥ
ＣＲ（電子サイクロトロ・ン共鳴）型が、ある（松尾、
第４１回状期応用物理学会講演予稿集ｐ６８８．１９８
０年）。
ＣＲ（電子サイクロトロ・ン共鳴）型が、ある（松尾、
第４１回状期応用物理学会講演予稿集ｐ６８８．１９８
０年）。
形導波管（４）を通して導入される。一方、一般に電子
のサイクロトロン周波数、 ｆｃｅは次のように表わ
される（文献、鈴木、１−半導体プラズマプロセス技術
」営野阜雄−１産業図誉、 ｐ１４０（１９８０））Ｂ ｆｃｅ＝ − ２にｍ ここでｍ：電子の質量、ｅ：電子の１［荷、 ｔ３：踪
ｗ、＠度、それ故に、電子は磁場中では、上述の関係で
サイクロトロン運動を起こすが、この周波数とマイクロ
波の周波数が一致すると共鳴現象を生じ、導入マイクロ
波電力に応じ、電子が導入ガス（５）と衝突し７、これ
を放電せしめ、プラダＶを生じる。このＥＣＲ放電の利
点は、１〜０． Ｉ Ｔｏｒｒの高圧下はもとより１０
’Ｔｏｒｒ台の低圧下でも容易に放電を生じることにあ
る。第１図ではこの放電の応用をイオン源に用いている
が、このようにして生じ九プラズマ（６＋から正イオン
を高圧が印加される電極（７）とアース電位の電極（８
）から引き出して試料金員の試料（１１）に衝突せしめ
、例えばこれをエラＥＣＲを生じる磁場は８７５ガウス
が必要であるが、そのための１１蝉コイルは相当大規模
になり、それと共にその電源も大きな容器の本のとなる
。
のサイクロトロン周波数、 ｆｃｅは次のように表わ
される（文献、鈴木、１−半導体プラズマプロセス技術
」営野阜雄−１産業図誉、 ｐ１４０（１９８０））Ｂ ｆｃｅ＝ − ２にｍ ここでｍ：電子の質量、ｅ：電子の１［荷、 ｔ３：踪
ｗ、＠度、それ故に、電子は磁場中では、上述の関係で
サイクロトロン運動を起こすが、この周波数とマイクロ
波の周波数が一致すると共鳴現象を生じ、導入マイクロ
波電力に応じ、電子が導入ガス（５）と衝突し７、これ
を放電せしめ、プラダＶを生じる。このＥＣＲ放電の利
点は、１〜０． Ｉ Ｔｏｒｒの高圧下はもとより１０
’Ｔｏｒｒ台の低圧下でも容易に放電を生じることにあ
る。第１図ではこの放電の応用をイオン源に用いている
が、このようにして生じ九プラズマ（６＋から正イオン
を高圧が印加される電極（７）とアース電位の電極（８
）から引き出して試料金員の試料（１１）に衝突せしめ
、例えばこれをエラＥＣＲを生じる磁場は８７５ガウス
が必要であるが、そのための１１蝉コイルは相当大規模
になり、それと共にその電源も大きな容器の本のとなる
。
その結果ＥＣＲ放電装ｗは必然的に大きくなる。
また長時間の使用で、コイルからの熱発生でコイルの抵
抗が変り、磁場が変動し安定してエツチングや堆積が行
なえないという問題があった。
抗が変り、磁場が変動し安定してエツチングや堆積が行
なえないという問題があった。
本発明は上記の欠点に鑑みてなされたもので。
小型かつ安定した電子サイクロトロン共鳴型放電装置を
得ることを目的とする。
得ることを目的とする。
すなわち、真空容器にマイクロ波電力が導入される手段
と、永久磁石により、収容器内に８７５ガウスの磁場が
発生する手段とからなることを特徴とすゐＥＣＲＩＩ放
電装置を提供するものである。
と、永久磁石により、収容器内に８７５ガウスの磁場が
発生する手段とからなることを特徴とすゐＥＣＲＩＩ放
電装置を提供するものである。
本発明によれば、永久磁石を用いているので、装置の小
部化及び安定化等を図ることができる。
部化及び安定化等を図ることができる。
以下、図を参照に本発明の詳細な説明する。
在する空間に一部でも電子のサイクロトロン周数放電を
生じる。その後、そのＮＯＲ放電部分から生じえ電子は
空間に拡散して行き、マイクロ波電力によって加速され
て、原子１分子とＩｉ集してそれを放電解離する。
生じる。その後、そのＮＯＲ放電部分から生じえ電子は
空間に拡散して行き、マイクロ波電力によって加速され
て、原子１分子とＩｉ集してそれを放電解離する。
すなわち、放電が空間内に拡大して行く結果となぁか、
見方を変えるへＮＯＲ放電部分は放電を最初に起こす電
子の源と考えることがで自る。そこで第２図に示すよう
にマイクロ波（２）が導波管（２）から、円筒導波管−
にテーパ導波管−を経て導入され為、その際、真空を保
ち、マイクロ波は損失な（導入される九めの石英板（２
）が設けられている。
見方を変えるへＮＯＲ放電部分は放電を最初に起こす電
子の源と考えることがで自る。そこで第２図に示すよう
にマイクロ波（２）が導波管（２）から、円筒導波管−
にテーパ導波管−を経て導入され為、その際、真空を保
ち、マイクロ波は損失な（導入される九めの石英板（２
）が設けられている。
そしてこの円筒導波管の外部には輪状のコバルトナマリ
ウム（８ｍ−Ｃｏ）マグネット曽が複数個が配置されて
いる。そのギャップ間で導波管、すなわち真空内１１８
７５ガウスの磁場を生じる所（２）が存在するとそこが
ＥＣＲ放電条件を満足して、そζからの電子が（財）内
の一様な放電四を促進する。
ウム（８ｍ−Ｃｏ）マグネット曽が複数個が配置されて
いる。そのギャップ間で導波管、すなわち真空内１１８
７５ガウスの磁場を生じる所（２）が存在するとそこが
ＥＣＲ放電条件を満足して、そζからの電子が（財）内
の一様な放電四を促進する。
ζＯ篇２図Ｏ実施例ではＥＣａイオン源の構造を示し１
円筒導波管−自身が正電位にバイアスされてい為と、そ
れと直結し九メツ７ユ状電極とアース電位Ｏ電極−との
間で、プラズマ輪中の正イオン−が引き出され試料台−
の試料ｅｋ４に衝撃してこむの場合の磁場発生は円筒の
内側に輪状に発生し従ってイオンの収率の最もよい（至
）と−の電極付近にプラズマを発生させることを目的と
しているが第１ａａｏ実施例は（ｂ）に示すようにマグ
ネット−が円筒−力Ｏ軸に平行に複数個配置され交互の
マグネット間に磁場を生じ働の所に８７５ガウスの磁場
を生じる。この場合は放電の最初は円筒軸に港って軸状
に生じる。この方法でもイオン源に用いることができる
が、この方法のより良い実施例はａ−８ｉを堆積させる
ことに用いた例である。６υから１００ ％ Ｖう７
（８ｉＨ，）カ導入すレテＩ５′ａカラ排気され０．４
Ｔｏｒｒ ４度の圧力に保たれる。そして石英板−を
通してマイクロ波電力（ロ）がテーパ導波管（ト）１円
筒導波管（至）を経て導入される。輪の外部に配置され
た８ｍ−Ｃｏ磁石６７）によってＥＣＲ放電を生じ、ガ
スプラズマを生じる。その中に回転機構も値から回転が
導入された支持台−の上に減光用ドラム６υを設ける。
円筒導波管−自身が正電位にバイアスされてい為と、そ
れと直結し九メツ７ユ状電極とアース電位Ｏ電極−との
間で、プラズマ輪中の正イオン−が引き出され試料台−
の試料ｅｋ４に衝撃してこむの場合の磁場発生は円筒の
内側に輪状に発生し従ってイオンの収率の最もよい（至
）と−の電極付近にプラズマを発生させることを目的と
しているが第１ａａｏ実施例は（ｂ）に示すようにマグ
ネット−が円筒−力Ｏ軸に平行に複数個配置され交互の
マグネット間に磁場を生じ働の所に８７５ガウスの磁場
を生じる。この場合は放電の最初は円筒軸に港って軸状
に生じる。この方法でもイオン源に用いることができる
が、この方法のより良い実施例はａ−８ｉを堆積させる
ことに用いた例である。６υから１００ ％ Ｖう７
（８ｉＨ，）カ導入すレテＩ５′ａカラ排気され０．４
Ｔｏｒｒ ４度の圧力に保たれる。そして石英板−を
通してマイクロ波電力（ロ）がテーパ導波管（ト）１円
筒導波管（至）を経て導入される。輪の外部に配置され
た８ｍ−Ｃｏ磁石６７）によってＥＣＲ放電を生じ、ガ
スプラズマを生じる。その中に回転機構も値から回転が
導入された支持台−の上に減光用ドラム６υを設ける。
１ｍ）の上下に均−性保償のためにダミーの円筒婦が設
けられている。一般Ｋｍ−８ｉの組成は８ｉ−Ｈ結合が
５ｉ−Ｈ，結合より割合において多い、、ｊＪヵ１暗、
流導、率ルと晃電流導電率４しとの差が多い。またＥＣ
ａ放電では電子と８１Ｈ４との衝突頻度が増加しｈ ８
ｉ−Ｈｄｉ！を合から５Ｉ−Ｈ結合に移行しやすいので
、特にａ−８ｉｌｌ！に：とってはＥＣＲ放電が有効で
ある。一実施例ではマイクロａ−８ｉ１［が得られた。
けられている。一般Ｋｍ−８ｉの組成は８ｉ−Ｈ結合が
５ｉ−Ｈ，結合より割合において多い、、ｊＪヵ１暗、
流導、率ルと晃電流導電率４しとの差が多い。またＥＣ
ａ放電では電子と８１Ｈ４との衝突頻度が増加しｈ ８
ｉ−Ｈｄｉ！を合から５Ｉ−Ｈ結合に移行しやすいので
、特にａ−８ｉｌｌ！に：とってはＥＣＲ放電が有効で
ある。一実施例ではマイクロａ−８ｉ１［が得られた。
シリコン化合物ガスとして８１Ｆ４を用いフッ化アモル
ファスシリコンを堆積させることもできる。
ファスシリコンを堆積させることもできる。
上述のようにＥＣル放電の基本である空間の−１１に８
７５ガウスを生じる構造であればどんな磁石構造で４よ
く、極端な場合、導波管内に設ける構造でもＥＣ１（放
電は充分満足に生じる。
７５ガウスを生じる構造であればどんな磁石構造で４よ
く、極端な場合、導波管内に設ける構造でもＥＣ１（放
電は充分満足に生じる。
第１図は従来のコイル磁界全生型ＥＣＲイオン１の断面
−１第２図は本発明の永久６石型ＥＣＲ暑−引ドラム堆
積に応じた図を示す断面図である。 図に於いて、 ′ （１）＠・・・真空容器 （２）・・・電磁コイル
（３１，６１ａ、６４） ・−マイクＯ波（２，４５Ｇ
ＨＹ） ［７１ｆ４）、＠、ｅ２４．ｆｉ、（ｉｆ）、
ａ９，６ｆ９ ”’ 導ｔｌｌ’１ｌ（５）、（至）、
６１Ｊ・・・ガス導入口 （６１、ｅｌ 、（至）・・
・プラズマｍ 、 ＋８） 、 ｍ 、 ６１） −・
・電極 （ＩＩ 、 ｅｌｌ −・・試料台（ｌυ、
ｔＨ・・・試料台 ＠、（至）・・・石英板翰１
輪、６η・・・ ８ｍ−Ｃｏ磁石 （至）、（４ａ・・・ ８７５ガウス磁場（９）・・・
イオン リＪ 、 ＃ 、 ｔｎ 、−°
・−・排気日動１）・・・減光用ドラム −・Ｔ・
・ダミー円筒１５１・・・回転機＃ｌ＃４・・・・支持
台代理人 弁理士 則 近 鳩 佑 （他１名）第１図 第 ２ 図 万 第８図 （ｂ）
−１第２図は本発明の永久６石型ＥＣＲ暑−引ドラム堆
積に応じた図を示す断面図である。 図に於いて、 ′ （１）＠・・・真空容器 （２）・・・電磁コイル
（３１，６１ａ、６４） ・−マイクＯ波（２，４５Ｇ
ＨＹ） ［７１ｆ４）、＠、ｅ２４．ｆｉ、（ｉｆ）、
ａ９，６ｆ９ ”’ 導ｔｌｌ’１ｌ（５）、（至）、
６１Ｊ・・・ガス導入口 （６１、ｅｌ 、（至）・・
・プラズマｍ 、 ＋８） 、 ｍ 、 ６１） −・
・電極 （ＩＩ 、 ｅｌｌ −・・試料台（ｌυ、
ｔＨ・・・試料台 ＠、（至）・・・石英板翰１
輪、６η・・・ ８ｍ−Ｃｏ磁石 （至）、（４ａ・・・ ８７５ガウス磁場（９）・・・
イオン リＪ 、 ＃ 、 ｔｎ 、−°
・−・排気日動１）・・・減光用ドラム −・Ｔ・
・ダミー円筒１５１・・・回転機＃ｌ＃４・・・・支持
台代理人 弁理士 則 近 鳩 佑 （他１名）第１図 第 ２ 図 万 第８図 （ｂ）
Claims (2)
- （１）円筒状真空容器と、該真空容器に２．４５Ｈｚの
マイクロ波を導入する手段と前記真空容器内に磁場を発
生する手段とを備え前記手段は円筒の軸に平行、又は円
筒に対して輪状に配置された複数の永久磁石から成り各
々の磁石の間に８７５ガウス以上の磁場を真空容器内圧
発生させることを！Ｖｉｌｌｋとする電子サイクロトロ
ン共鳴型放電装置。 - （２）真空容器内に基板が置かれ、アモルファスシリコ
ンが堆積される前記特許請求の範囲第１項記載の電子サ
イクロトロン共鳴型放電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007525A JPS58125820A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電子サイクロトロン共鳴型放電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007525A JPS58125820A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電子サイクロトロン共鳴型放電装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125820A true JPS58125820A (ja) | 1983-07-27 |
Family
ID=11668190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57007525A Pending JPS58125820A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電子サイクロトロン共鳴型放電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125820A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593018A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-09 | Hitachi Ltd | プラズマデポジシヨンによるシリコン系膜の製造方法 |
| JPS60186849A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-24 | エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | 堆積膜形成方法および装置 |
| JPS6166869A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-05 | Toshiba Corp | Ｒｆ型イオン・エンジン |
| JPS6221211A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ装置 |
| JPS6231999A (ja) * | 1985-06-07 | 1987-02-10 | エタ・フランセ、レプレザント・パ・ル・ミニステ−ル・デ・ペ・テ・テ、セントル・ナシヨナル・デチユ−ド・デ・テレコミユニ カシオン−セ・エン・エ・テ | プラズマ励起装置および方法ならびにプラズマ発生装置 |
| JPS6355896A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | 理化学研究所 | プラズマ閉じ込め用磁場発生装置 |
| JPS63142636A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Anelva Corp | 真空装置 |
| JPS63152116A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | シリコン系アモルフアス合金膜の形成方法 |
| JPS63156535A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS63213345A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| EP0284436A2 (en) * | 1987-03-27 | 1988-09-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate-treating apparatus |
| JPS63250822A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | プラズマ装置 |
| JPS6450574A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of hetero-junction element |
| JPS6467908A (en) * | 1987-09-08 | 1989-03-14 | Sumitomo Metal Ind | Plasma processing device |
| US5433788A (en) * | 1987-01-19 | 1995-07-18 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for plasma treatment using electron cyclotron resonance |
| JPH07220672A (ja) * | 1994-12-26 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | イオンビーム装置 |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57007525A patent/JPS58125820A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593018A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-09 | Hitachi Ltd | プラズマデポジシヨンによるシリコン系膜の製造方法 |
| JPH0524510B2 (ja) * | 1984-02-14 | 1993-04-08 | Enaajii Konbaajon Debaisesu Inc | |
| JPS60186849A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-24 | エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | 堆積膜形成方法および装置 |
| JPS6166869A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-05 | Toshiba Corp | Ｒｆ型イオン・エンジン |
| JPS6231999A (ja) * | 1985-06-07 | 1987-02-10 | エタ・フランセ、レプレザント・パ・ル・ミニステ−ル・デ・ペ・テ・テ、セントル・ナシヨナル・デチユ−ド・デ・テレコミユニ カシオン−セ・エン・エ・テ | プラズマ励起装置および方法ならびにプラズマ発生装置 |
| JPS6221211A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ装置 |
| JPS6355896A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | 理化学研究所 | プラズマ閉じ込め用磁場発生装置 |
| JPS63142636A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Anelva Corp | 真空装置 |
| JPS63152116A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | シリコン系アモルフアス合金膜の形成方法 |
| JPS63156535A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5433788A (en) * | 1987-01-19 | 1995-07-18 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for plasma treatment using electron cyclotron resonance |
| JPS63213345A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| EP0284436A2 (en) * | 1987-03-27 | 1988-09-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate-treating apparatus |
| JPS63250822A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | プラズマ装置 |
| JPS6450574A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of hetero-junction element |
| JPS6467908A (en) * | 1987-09-08 | 1989-03-14 | Sumitomo Metal Ind | Plasma processing device |
| JP2625756B2 (ja) * | 1987-09-08 | 1997-07-02 | 住友金属工業株式会社 | プラズマプロセス装置 |
| JPH07220672A (ja) * | 1994-12-26 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | イオンビーム装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58125820A (ja) | 電子サイクロトロン共鳴型放電装置 | |
| EP0300447B1 (en) | Method and apparatus for treating material by using plasma | |
| ATE179831T1 (de) | Durch elektronenzylotron hervorgebrachte resonanzplasmaquelle und arbeitsweise | |
| JPH07307200A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH10251849A (ja) | スパッタリング装置 | |
| US5366586A (en) | Plasma formation using electron cyclotron resonance and method for processing substrate by using the same | |
| JPS61213377A (ja) | プラズマデポジシヨン法及びその装置 | |
| JPH0314907B2 (ja) | ||
| JPS6338585A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH0420984B2 (ja) | ||
| JPH0687440B2 (ja) | マイクロ波プラズマ発生方法 | |
| JPS62254419A (ja) | プラズマ付着装置 | |
| JPS62103370A (ja) | 電子写真感光体作製装置 | |
| JP2623827B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH10172793A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPS6254083A (ja) | 膜の形成方法 | |
| JPS6267822A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6417869A (en) | Microwave plasma chemical vapor deposition device | |
| JPH0530500B2 (ja) | ||
| JP3045619B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPS61222533A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6333575A (ja) | 電子サイクロトロンプラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2732294B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS6380523A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH01298174A (ja) | イオンサイクロトロン共鳴を用いた薄膜形成方法および該方法に用いる装置 |