JPS6231999A - プラズマ励起装置および方法ならびにプラズマ発生装置 - Google Patents

プラズマ励起装置および方法ならびにプラズマ発生装置

Info

Publication number
JPS6231999A
JPS6231999A JP61130429A JP13042986A JPS6231999A JP S6231999 A JPS6231999 A JP S6231999A JP 61130429 A JP61130429 A JP 61130429A JP 13042986 A JP13042986 A JP 13042986A JP S6231999 A JPS6231999 A JP S6231999A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
antenna
cyclotron resonance
electron cyclotron
magnetic field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61130429A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0732072B2 (ja
Inventor
ミシエール・ピコー
ジヤツク・ペレテイエ
イヴ・アーナル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Original Assignee
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Centre National de la Recherche Scientifique CNRS filed Critical Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Publication of JPS6231999A publication Critical patent/JPS6231999A/ja
Publication of JPH0732072B2 publication Critical patent/JPH0732072B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H01J37/32688—Multi-cusp fields
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/02—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
    • H05H1/10—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied magnetic fields only, e.g. Q-machines, Yin-Yang, base-ball
    • H05H1/11—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied magnetic fields only, e.g. Q-machines, Yin-Yang, base-ball using cusp configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/02—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
    • H05H1/16—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied electric and magnetic fields
    • H05H1/18—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied electric and magnetic fields wherein the fields oscillate at very high frequency, e.g. in the microwave range, e.g. using cyclotron resonance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプラズマ励起装置および方法に関し、より詳細
には、電子サイクロトロン共鳴においてマイクロ波を使
用するプラズマ励起装置および方法、さらには多量かつ
高密度の同質プラズマ発生装置に関するものである。
プラズマの発生は表面処理またはイオンビームの発生の
ごとく多数の用途において使用されることができる。
研究所においてかつ工業用に適用される殆んどのプラズ
マ励起技術は連続放電またはその結合が一般に容量的で
ある無線周波放電を使用している。
種々の励起装置が極めて特定のマイクロ波領域について
知られている。
第１の型の励起装置はマイクロ波キャビティ内にカップ
リングを使用し、これは比較的高い圧力（１０′″１な
いし１０”Ｐａ）でかつ小さな寸法の体積内に閉じ込め
られたプラズマを発生する。
第２の型の励起装置において、カップリングは表面波（
サーファトロン、サーファガイド）によって行なわれる
。この場合に、利用できる圧力範囲は広い（１０’−１
ないし約１０５Ｐ　ａ　）。この場合一般に、小径のプ
ラズマ円柱が得られる。
プラズマの励起はまた電子サイクロトロン共鳴周波数に
おいて磁界内のカップリングにより得られることができ
る。この場合に、共鳴は関係、２πｍ （１）　　ｓ　＝　−ｘ　ｔ によって関連づけられた磁界Ｂおよび励起周波数ｆにつ
いて得られる。ここでｍおよびｅは電子の質量および電
荷である。例として、２，４５（）Ｈｚの周波数につい
ては、共鳴を得るために８７５ガウスの磁界全使用する
ことを要する。
この特定の型の励起によれば、プラズマは非常に低圧、
約１Ｏ−２Ｐａで得られることができる。
プラズマの励起はまた「リジタノ」型アンテナにより達
成された。プラズマはアンテナが電子サイクロトロン共
鳴を得るのに十分大きい一様な磁界内に入れられるなら
ば点火されることができる。
上述した種々の励起装置はすべて、広い圧力範囲におけ
る高密度の多量の同質プラズマを有する必要があるとき
、幾つかの用についての適合に幾つかの問題がある。こ
のような要求はとくに蒸着、蝕刻または励起作業のため
冶金ならびにマイクロエレクトロニクスにおけるプラズ
マによる表面処理について存する。
例えば、フランス特許出願第８３−１（１１１６号には
、良好な同質性を有するプラズマを得るために多極磁気
閉じ込めを行ないかつ集中マイクロ波源を使用すること
が提案されている。しかしながら、このような装置はイ
オンの平均自由通路がプラズマより大きさが太きくない
ならばほぼ等しいことを必要とする。これは約１０　　
ないし１０　　　Ｐａの低圧で作業しなければならない
ことを強要する。
それゆえ、電子サイクロトロン共鳴はこの場合にそのよ
うなプラズマを励起するのに使用される。
しかし、このような装置によって得ることができるプラ
ズマの密度には１つの重要な制限がある。
実際に、プラズマ密度の増加はマイクロ波源の表面の増
加またはマイクロ波源の数の増加を意味する。
しかしながら、これら２つの解決はコイルを使　！用す
ることにより多量の磁界を発生する問題に直面する。電
源のコストの他に、コイルから離れた高標遊磁界の存在
がプラズマを異方性にするために制限がある。さらに、
石英ま−ｆｃはアルミナのごとく誘電体材料の窓を通し
て真空中でマイクロ波電圧を導入する必要があり、これ
は幾つかの用途において技術的な問題を生起する。最後
に、プラズマ中の残留マイクロ波電力の存在は樹脂マス
クによる蝕刻のごとき幾つかの技術について問題である
ことを証明することができる。
マイクロ波周波数を増大することにより電源の密度を増
大することもできない。実際に、この場合、共鳴に必要
な磁界はまた非常に増大され、これは上述した問題を増
大する。加えて、主モードの高周波数において、利得は
、導波管の横断面であるので、減じられる。
本発明の目的は、上述した欠点を克服しかつマイクロ波
励起により、プラズマが多量、低圧か高密度の同質の等
方性プラズマ、すなわち間欠的な電磁界のないプラズマ
でありかつ前記プラズマが該プラズマの発生パラメータ
と処理されるべき基板との相互作用のパラメータとの間
の独立を有するという条件において、プラズマの発生を
許容することを目的とするものである。
それゆえ１本発明の目的は磁界およびマイクロ波エネル
ギのない゛主要量のプラズマを発生することにある。
このため、本発明は、電子サイクロトロン共鳴に対応す
る一定磁界および強度の表面を形成する少なくとも１つ
の永久磁石、およびマイクロ波領域においてエネルギを
印加するため同軸構造に接続された少なくとも１つのア
ンテナからなり、前記構造が電子サイクロトロン共鳴に
対応する一定磁界および強度の前記表面に位置決めされ
る電子サイクロトロン共鳴においてマイクロ波によりプ
ラズマを励起するための装置を提案する。
好都合には、永久磁石は磁化されたバーによって構成さ
れかつアンテナは電子サイクロトロン共鳴に対応する一
定磁界および強度を有する前記表面と前記バーの正中面
の交点に位置決めされる。
同軸構造は同軸ケーブルによって構成されても良い。
励起装置はさらに、アンテナに沿って冷却流体の流れを
生ずるための手段からなることもできる。
イオン化ガスの導入用流入手段Ｕ４たアンテナに近接し
て設けられることができ、前記手段はすべてアンテナに
沿って穿孔されている。
本発明はとぐに、その内部に予め定めた圧力を保持する
ためにポンピング回路およびガス媒体を導入するための
回路に接続された密閉エンクロージャ、多極磁気閉じ込
め構造、および電子サイクロトロン共鳴においてマイク
ロ波によってガス媒体を励起するための装置からなり、
前記マイクロ波励起装置が前記多極閉じ込め構造内にマ
イクロ波エネルギを導入するための少なくとも１つの同
軸構造および前記マイクロ波エネルギの局部的導入のた
め前記同軸構造に結合された少なくとも１つのアンテナ
からなり、前記多極磁気閉じ込め構造が一定磁界を有し
かつ電子サイクロトロン共鳴に対応する強度を局部的に
呈する表面からなる網を形成する１組の永久磁石からな
り、そして前記アンテナが電子サイクロトロン共鳴に対
応する強度区域内の一定磁界の表面からなる４＋１記網
上に位置決めされる高密度かつ多量の極めて同質のプラ
ズマを発生するための装置に関する。
この場合に、多極永久型の磁界はプラズマを閉じ込めか
つ発生するのに使用される。
本発明の特別な実施例によれば、多極磁気閉じ込め構造
は永久磁石型の複数のバーにより形成された多極ケージ
によって形成され、前記バーが平行に延びかつ前記閉じ
込め構造によって画成された体積の方向に、連続して異
なる極性の面全備えそして前記アンテナが電子サイクロ
トロン共鳴に対応する強度の一定磁界の表面と磁気バー
の正中面の交点において前記磁気バーに平行に置かれる
。
マイクロ波励起装置は多極磁気閉じ込め構造に沿って分
布された複数のアンテナからなることができる。
ケージを形成する多極磁気閉じ込め構造は前記ケージの
外部で磁気回路の閉止を保証する構造に１作動的に結合
され、前記閉止構造は永久磁石または高透磁性材料を備
えることもできる。このような構造は密閉エンクロージ
ャの内部または外部に部分的にまたは全体的に置かれる
ことができる。
本発明の特別な実施例によれば、イオン化されるべきガ
スを導入するための少なくとも１本の管が各アンテナに
近接してかつそれに平行に配置され、そして６管がその
長さにわたって分布されかつ前記管の直径に比して小径
を有する１組の孔を備えている。
本発明のさらに他の目的は、多極磁気構造によって、電
子サイクロトロン共鳴に十分な強度の磁界を局部的に発
生し、そして電子サイクロトロン共鳴を許容する磁界の
領域において、アンテナを介して、局部的な方法でマイ
クロ波エネルギを導入してなる、多量かつ高密度の同質
かつ等方性のプラズマを発生するために、電子サイクロ
トロン共鳴においてマイクロ波を使用するプラズマ励起
方法を提案することにある。
以下に、本発明をより理解し易くするために添付図面に
基づいて説明する。
第１図、第４図および第５図はケージを形成しかつ中心
区域内にプラズマを閉じ込める永久磁石から構成される
多極磁気構造１００を示す。前記多極磁気構造１００は
磁界が電子サイクロトロン共鳴を局部的に得るのに十分
に大きい強度からなるように設計される。例えば％　２
．４５０ＨＺの励起周波数について、磁界の強度に３５
００ガウスでなければならない。マイクロ波エネルギは
体積全体にではなく局部的な方法で、閉じ込め表面２に
近接して配置された少なくとも１つのアンテナ５によっ
て、共鳴を許容する磁界区域内に多極ケージ１００に導
入される。
例として、第１図、第４図および第５図は閉止磁気表面
を構成するために、第１図に示すごとくプラズマに交番
極性を連続的に呈する平行バー１によって構成される永
久磁石からなる多極閉じ込め構造１００を示す。プラズ
マはかくして、第１図および第４図に略示される磁界２
の花綱ラインの内部の区域８に閉じ込められる。このよ
うな構造１００はさらにそれらの間で電子サイクロトロ
ン共鳴に対応する強度の表面３を有する一定磁界の表面
からなる網によって特徴づけられる。前記表面６は第１
図に、ならびに第３ａおよび６ｂ図に点線で示したよう
に、各々磁化された壁を被覆する。
電子サイクロトロン共鳴は磁極から適宜な距離、すなわ
ち約数ｍｌＩ＋において十分な磁界強度を供給する永久
磁石１の使用を要する。例えばバリウムフェライト（Ｓ
００ｍ　６　Ｆ　ｅ　２０３）またはストロンチウムフ
ェライトの磁石、まタハサマリウムコバルト（８ｍ　Ｃ
ｏ　５）の磁石を使用することができる。
前に示したごとぐ、マイクロ波エネルギ（パワー）は多
極ケージ１００内に導入されねばならずそして関連のエ
ネルギは共鳴区域に近接して集中されねばならない。こ
のため、同軸ケーブルまたは他の同等な同軸構造、また
は同様に導波管が使用され、この内部にマイクロ波パワ
ーが伝達される。加えて、このパワーは導波管に直接結
合されることができるか！たは第２図に略示したように
同軸ケーブル４の中心コア４１から延びるアンテナ５に
よって共鳴区域に注入される。前記アンテナ５はバー１
に対して考え得る配置において表面３に少なくとも近接
して配置されるべく位置される。前記アンテナはまた垂
直に配置されても良い。
第２，６ａおよび６ｂ図に示されるとぐに有効な位置は
電子サイクロトロン共鳴に対応する一定磁界および強度
の表面５と磁化されたバーの正中面の交点において、前
記バー１に沿ってアンテナ５を配置することからなる。
かかる実施例によればアンテナと質量平面との間の電磁
エネルギの閉じ込めは改善され、かくして区域８中の間
欠的な電磁界の存在を回避する。
本発明による実施例は変更することができる。
例えば、多極ケージ１００は第４図に示すような平行六
面体かまたは、第１図および第５図に示すような円筒状
かまたは、長円形かまたは球形にしても良く、また同様
に他の幾何学的形状を有しても良い。また、１またはそ
れ以上のアンテナ５を使用することもできる。１以上の
アンテナが使用；されるならば、これらのアンテナ５は
閉じ込め表面２上に規則的に分布されるかまたは非対称
的に分布されることができ、それらの数は達成されるべ
きプラズマの最大密度に適合される。
幾つかの場合において、体積によるマイクロ波パワーの
レベルは、一旦プラズマが励起されてしまうと、提案さ
れた用途に依存する問題を残す。
その場合、第１図に示したように、プラズマ励起の外方
区域７と使用の中心区域８との間に、ファラデイのケー
ジとして作用する金属スクリーン９を挿入することがで
きる。前記スクリーン９の電□位は変動を避けるために
プリセットされるべきである。スクリーンメツシュがハ
イパー周波数波の長さに比して小さくかっプラズマのデ
バイ長さに比して大きいならば、プラズマの拡散は困難
なく達成されるが、ハイパー周波数放射は励起区域に閉
じ込められたままである。
永久磁石１によって供給された磁界はまたケージ１００
外部の磁気回路が閉止されるならば、永久磁石または他
に真空エンクロージャ（第１図および第４図参照）の構
造に一体にされても良い軟鉄のごとき窩透磁性材料１０
によって増加されることができる。この特別な予防措置
は各磁石バーの反対極性の相反する作用を除去しかぐし
て使用区域８に対向して配置された作動極の表面に近接
した磁界を増加する。
永久磁石１は温度の作用に非常に感応することができる
。磁石１によるマイクロ波の直接吸収を阻止するために
、磁石を冷却しないならば、金属、好ましくは非磁性材
料により、アンテナ５およびプラズマに向い合う表面側
で、磁石を少なくとも被接するのが有用である。同様に
、絶縁によってアンテナ５を、ならびにガス流入口およ
びプラズマと直接接触する多極構造１００の部分を絶縁
することができる。
さらに、流体の流れを使用することにより、多極ケージ
１００へのエネルギの導入およびその表面上のその分布
を許容するアンテナ５および同軸ケーブル４の中心コア
を冷却するのが有利である。
これは、冷却が伝導によってのみかまたは放射への露出
によって達成されることができる部分真空下でなおさら
必要である。使用されるアンテナの直径に依存して、前
記冷却はアンテナ内の簡単な流れによって、またはアン
テナ５に対して内部の同軸構造を使用する２重の流れに
よって行なわれることがで餘る。この冷却の利点は注入
されるマイクロ波パワーか如何なる危険もなく増加され
、その結果プラズマ密度を増大するということである。
本発明の他の特徴はアンテナ５の実際のレベルにおいて
イオン化ガスを導入する可能性に存する。
アンテナが冷却さねないならば、それは前記アンテナ内
部に次いで流れるガスを分配するため直接役立つ。一般
的な場合であるアンテナが冷却される場合、ガス分配は
アンテナに適宜に結合さする（第６ａ図）かまたはその
近傍に配置される（第６ｂ図）ことができる他の管６を
介して行なわれることができる。ガスの規則的な分布を
得るために、ガス流入管６は肢管６の内径に比してより
小径の多数の孔がその長さにわたって穿たれる。この型
のガス分配によれば、ガス圧は励起レベルにおいて最大
でありかつプラズマの中心体積内で最小である。
第４図は本発明による方法を使用するプラズマ発生装置
を示す断面図である。前記装置は密閉磁気または非磁気
エンクロージャ１０、ポンピング装置１１およびイオン
化されるべきガスの圧力が所望の値、例えば約１０−３
〜１Ｏ−１ＰａＫ保持されることができるガス導入装置
１２からなる。多極磁気閉じ込め構造１ｏｏｉｌｔ、該
構造に近接して上水のごとく、電子サイクロトロン共鳴
を得るのに十分である磁界を付与する永久磁石１から形
成される。発生器１６によって供給されるマイクロ波パ
ワーはエンクロージャ１０内に、次いで多極ケージ１０
０内に、導波管によって置き換えられる同軸ケーブル４
を介して導入される。同調は例えばｒＴＪハイブリッド
によって構成されても良いインピーダンスアダプタ１４
′ｆｔ介して達成される。プラズマ励起は、磁気閉じ込
め表面の少なくとも一部分にわたって分布さｈ−るアン
テナ５にょ　グリ、共鳴区域において達成される。結果
として生じるプラズマはラングミュア探針１５のごとき
装置によって特徴づけられる。プラズマは、使用区域８
において、表面処理を許容する。サンプル１６は図示し
てない導入室を経て、サンプルキャリヤ１７上に置かれ
かつ５発生器１８により、プラズマの電位に対して分極
される。前記分極は全体的にプラズマの発生および閉じ
込めのパラメータと独立している。
例えば、２−４５ＧＨｚの周波数で１０　　／ｄおよび
１０．１：１ＧＨ２の周波数で１０／ｃｌＩｆ　　の密
度を得ることができた。
また、例えば、簡単な１５ｃＩｒＬの長さのアンテナに
より、バリウムフェライト永久磁石および２．４５ＧＨ
ｚでの励起を使用する１５リッタ使える体積の多極反応
炉において、注入されたマイクロ波パワー１００ワツト
で圧力１０　　Ｐａ、密度ｎ　＝　５×１０ｃｄのアル
ゴンプラズマを得ることができた。この場合に、電子温
度は約１８，０ＯＯＫ　（１，６電子ボルト）である。
表面にわたって分布された６つのアンテナにより、得ら
れる密度は１０ｃＦｊに近い。
２１一 本発明の顕著な利点のうちには、マイクロ波源の表面、
すなわちアンテナの長さを簡単に増加することにより多
極閉じ込め構造内部のプラズマの密度を増加する可能性
である。プラズマ密度はマイクロ波周波数、それゆえ臨
界密度を単に増加することにより増大されることができ
る。
他の利点は常に高価でかつ面倒でそして電源および冷却
装置を包含するコイルのごとき他の特別・な磁気構造が
ないことである。また電磁コイルのないことは区域８内
に強い残留磁界の存在の必要を除去する。
マイクロ波パワーおよびガス分配の電子サイクロトロン
共鳴区域の同時集中化を使用する場合に閉じ込め体積の
途中で、１０Ｐａと同じ位の非常に低−圧力でプラズマ
を得ることができる。
アンテナが閉じ込め表面にわたって分布されるならば、
プラズマの同質性は、衝突がもはや監視されることがで
きない約１０　　　Ｐａの高圧力においても同様に改善
される。
同軸ケーブルが使用される場合において、マイクロ波エ
ネルギの搬送は安価でかつ機械に容易に統合し得る。ま
たそれは完全に閉止された閉じ込め構造の発生を許容す
る。
留意されるべき他の事実は本発明による装置の構造が種
々の用途を許容するということである。
プラズマがない場合に５反応炉に導入されたマイクロ波
パワーは、フッ素化させられたプラズマおよび塩素化さ
れたプラズマによる特別な問題である蒸気の痕跡の除去
をとくに助けるエンクロージャ１０内の極めて有効な脱
気を許容することができる。
第１図、第４図および第５図に示した場合は閉止した多
極構造内でのプラズマの発生およびその閉じ込めの場合
である。閉じ込めおよびプラズマ均質性条件が厳しくな
い幾つかの用途において、プラズマを発生するためだけ
の、第２図、第６＆および３ｂ図に示したようなバーお
よびアンテナに例えば関連づけられた本発明による励起
装置を使用することができる。種々の磁石はまたすべて
の条件がプラズマの導入に関連づけられかつその閉じ込
めに関連づけられない非閉止構造上に配置されても良い
。この場合に、磁石の位置についての条件は厳しくない
そして例えば磁極の非交番が許容される。このような装
置は、例えばプラズマトンネルのごとき大型プラズマ源
の形成およびイオンの発生に十分適合される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるプラズマ発生装置の半径方向平面
に沿う概略断面図。 第２図は本発明による基本的な励起装置を示す概略側面
図、 第３ａ図および第６ｂ図は第２図の基本的な装置の２つ
の変形実施例を示す半径方向平面に沿う断面図、 第４図は本発明によるプラズマ発生装置構体を示す半径
方向概略断面図。 第５図は多極磁気閉じ込めケージおよび局部的なマイク
ロ波励起アンテナからなるプラズマ励起装置を示す一部
分解斜視図である。 図中、符号１は永久磁石（平行パー）、２は磁界（閉じ
込め表面）、４は同軸構造（同軸ケーブル）、５はアン
テナ、６はガス流入管、１０は密閉エンクロージャ、１
１はポンピング回路、１２はガス導入装置、１００ｆｌ
多極磁気閉じ込め構造（多極ケージ）である。 代理人　弁理士　佐　々　木　清　隆 （外２名）

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）電子サイクロトロン共鳴においてマイクロ波を使
    用することによりプラズマを励起するプラズマ励起装置
    において、電子サイクロトロン共鳴に対応する一定磁界
    および強度の表面を形成する少なくとも１つの永久磁石
    、およびマイクロ波領域においてエネルギを印加するた
    め同軸構造に接続されかつ電子サイクロトロン共鳴に対
    応する一定磁界および強度の前記表面に位置決めされる
    少なくとも１つのアンテナからなることを特徴とするプ
    ラズマ励起装置。
  2. （２）前記永久磁石は磁化されたバーによつて構成され
    かつ前記アンテナは電子サイクロトロン共鳴に対応する
    一定磁界および強度を有する前記表面と前記バーの正中
    面の交点に位置決めされることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項に記載のプラズマ励起装置。
  3. （３）前記アンテナに沿つて冷却流体の流れを引き起す
    ための手段が設けられることを特徴とする特許請求の範
    囲第１項に記載のプラズマ励起装置。
  4. （４）イオン化されるべきガスを許容するための手段が
    設けられ、該手段は前記アンテナに近接して置かれかつ
    前記アンテナに沿つて分布された孔が穿たれていること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のプラズマ励
    起装置。
  5. （５）前記同軸構造は同軸ケーブルによつて構成される
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のプラズ
    マ励起装置。
  6. （６）その内部に予め定めた圧力を保持するためにポン
    ピング回路およびガス媒体を導入するための回路に接続
    された密閉エンクロージヤ、多極磁気閉じ込め構造、お
    よび電子サイクロトロン共鳴においてマイクロ波によつ
    てガス媒体を励起するための装置からなる型の多量かつ
    高密度の同質、等方性かつ磁場のないプラズマを発生す
    るためのプラズマ発生装置において、前記マイクロ波励
    起装置は前記多極閉じ込め構造内にマイクロ波エネルギ
    を導入するための少なくとも１つの同軸構造および前記
    マイクロ波エネルギの局部的導入のため前記構造に結合
    された少なくとも１つのアンテナからなり、前記多極磁
    気閉じ込め構造は一定磁界を有しかつ電子サイクロトロ
    ン共鳴に対応する強度を局部的に呈する表面からなる網
    を形成する１組の永久磁石からなり、そして前記アンテ
    ナは電子サイクロトロン共鳴に対応する強度区域内の一
    定磁界の表面からなる前記網上に位置決めされることを
    特徴とするプラズマ発生装置。
  7. （７）前記多極磁気閉じ込め構造は永久磁石型の複数の
    バーにより形成された多極ケージによつて形成され、前
    記バーは平行に延びかつ前記閉じ込め構造によつて画成
    された体積の方向に、連続して異なる極性の面を備えそ
    して前記アンテナは電子サイクロトロン共鳴に対応する
    強度の一定磁界の表面と磁気バーの正中面の交点におい
    て前記磁気バーに平行に置かれることを特徴とする特許
    請求の範囲第６項に記載のプラズマ発生装置。
  8. （８）前記マイクロ波励起装置は前記多極磁気閉じ込め
    構造に沿つて分布された複数のアンテナからなることを
    特徴とする特許請求の範囲第６項に記載のプラズマ発生
    装置。
  9. （９）前記多極磁気閉じ込め構造は前記密閉エンクロー
    ジヤ内に配置されることを特徴とする特許請求の範囲第
    ６項に記載のプラズマ発生装置。
  10. （１０）ケージを形成する前記多極磁気閉じ込め構造は
    前記ケージの外部で磁気回路の閉止を保証する構造に作
    動的に結合され、前記閉止構造は永久磁石または高透磁
    性材料を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第
    ６項に記載のプラズマ発生装置。
  11. （１１）高透磁性材料から作られる前記閉止構造は前記
    密閉エンクロージヤに一体にされることを特徴とする特
    許請求の範囲第１０項に記載のプラズマ発生装置。
  12. （１２）イオン化されるべきガスを導入するための少な
    くとも１本の管が各アンテナに近接してかつそれに平行
    に配置され、そして各管はその長さにわたつて分布され
    かつ前記管の直径に比して小径を有する１組の孔を備え
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の
    プラズマ発生装置。
  13. （１３）冷却流体またはイオン化されるべきガスの流れ
    を前記アンテナ内に引き起すための手段が設けられるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第６項に記載のプラズマ
    発生装置。
  14. （１４）多量かつ高密度の同質かつ等方性のプラズマを
    発生するために、電子サイクロトロン共鳴においてマイ
    クロ波を使用するプラズマ励起方法において、多極磁気
    構造によつて、電子サイクロトロン共鳴に十分な強度の
    磁界を局部的に発生し、そして電子サイクロトロン共鳴
    を許容する磁界の領域において、アンテナを介して、局
    部的な方法でマイクロ波エネルギを導入してなることを
    特徴とするプラズマ励起方法。
JP61130429A 1985-06-07 1986-06-06 プラズマ励起装置および方法ならびにプラズマ発生装置 Expired - Fee Related JPH0732072B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8508836 1985-06-07
FR8508836A FR2583250B1 (fr) 1985-06-07 1985-06-07 Procede et dispositif d'excitation d'un plasma par micro-ondes a la resonance cyclotronique electronique

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6231999A true JPS6231999A (ja) 1987-02-10
JPH0732072B2 JPH0732072B2 (ja) 1995-04-10

Family

ID=9320122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61130429A Expired - Fee Related JPH0732072B2 (ja) 1985-06-07 1986-06-06 プラズマ励起装置および方法ならびにプラズマ発生装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4745337A (ja)
EP (1) EP0209469B1 (ja)
JP (1) JPH0732072B2 (ja)
DE (1) DE3675092D1 (ja)
FR (1) FR2583250B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02199824A (ja) * 1989-01-30 1990-08-08 Hitachi Ltd 基板への不純物の導入方法
US5015813A (en) * 1988-12-14 1991-05-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power feeding port arrangement for a microwave heating apparatus
JP2015534214A (ja) * 2012-09-11 2015-11-26 アッシュ・ウー・エフ 電子サイクロトロン共鳴（ｅｃｒ）による気体媒体からの軸方向に高域であるプラズマを生成させるための装置

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5215619A (en) * 1986-12-19 1993-06-01 Applied Materials, Inc. Magnetic field-enhanced plasma etch reactor
KR880013424A (ko) * 1987-04-08 1988-11-30 미타 가츠시게 플라즈머 장치
JPH0672306B2 (ja) * 1987-04-27 1994-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US4973883A (en) * 1987-05-01 1990-11-27 Semiconductor Energy Laborator Co., Ltd. Plasma processing apparatus with a lisitano coil
KR920002864B1 (ko) * 1987-07-20 1992-04-06 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마 처리방법 및 그 장치
JPH0668152B2 (ja) * 1988-01-27 1994-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜形成装置
DE3803355A1 (de) * 1988-02-05 1989-08-17 Leybold Ag Teilchenquelle fuer eine reaktive ionenstrahlaetz- oder plasmadepositionsanlage
EP0334184B1 (en) * 1988-03-16 1996-08-14 Hitachi, Ltd. Microwave ion source
KR910002310A (ko) * 1988-06-29 1991-01-31 미다 가쓰시게 플라즈마 처리장치
DE3923390A1 (de) * 1988-07-14 1990-01-25 Canon Kk Vorrichtung zur bildung eines grossflaechigen aufgedampften films unter verwendung von wenigstens zwei getrennt gebildeten aktivierten gasen
DE3834984A1 (de) * 1988-10-14 1990-04-19 Leybold Ag Einrichtung zur erzeugung von elektrisch geladenen und/oder ungeladenen teilchen
US5202095A (en) * 1988-12-27 1993-04-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Microwave plasma processor
US5133826A (en) * 1989-03-09 1992-07-28 Applied Microwave Plasma Concepts, Inc. Electron cyclotron resonance plasma source
US5370765A (en) * 1989-03-09 1994-12-06 Applied Microwave Plasma Concepts, Inc. Electron cyclotron resonance plasma source and method of operation
US5203960A (en) * 1989-03-09 1993-04-20 Applied Microwave Plasma Concepts, Inc. Method of operation of electron cyclotron resonance plasma source
US5032205A (en) * 1989-05-05 1991-07-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Plasma etching apparatus with surface magnetic fields
FR2648002B1 (fr) * 1989-06-05 1991-09-20 Centre Nat Rech Scient Dispositif de couplage et de distribution d'une energie micro-onde sur un excitateur pour la production d'un plasma
US5227695A (en) * 1989-06-05 1993-07-13 Centre National De La Recherche Scientifique Device for coupling microwave energy with an exciter and for distributing it therealong for the purpose of producing a plasma
US5061838A (en) * 1989-06-23 1991-10-29 Massachusetts Institute Of Technology Toroidal electron cyclotron resonance reactor
GB2234655A (en) * 1989-07-07 1991-02-06 Charles * Carter Arthur Heating by gas ionization
US5234560A (en) * 1989-08-14 1993-08-10 Hauzer Holdings Bv Method and device for sputtering of films
US5196670A (en) * 1989-10-03 1993-03-23 University Of Cincinnati Magnetic plasma producing device with adjustable resonance plane
US5032202A (en) * 1989-10-03 1991-07-16 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Plasma generating apparatus for large area plasma processing
US5081398A (en) * 1989-10-20 1992-01-14 Board Of Trustees Operating Michigan State University Resonant radio frequency wave coupler apparatus using higher modes
US5179264A (en) * 1989-12-13 1993-01-12 International Business Machines Corporation Solid state microwave powered material and plasma processing systems
DE4003904A1 (de) * 1990-02-09 1991-08-14 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zum behandeln von substraten in einem durch mikrowellen erzeugten, gasgestuetzten plasma
DE4009151A1 (de) * 1990-03-22 1991-09-26 Leybold Ag Vorrichtung zum beschichten von substraten durch katodenzerstaeubung
US5208512A (en) * 1990-10-16 1993-05-04 International Business Machines Corporation Scanned electron cyclotron resonance plasma source
FR2668171B1 (fr) * 1990-10-18 1992-12-04 Cit Alcatel Machine de depot par pulverisation cathodique.
DE4037091C2 (de) * 1990-11-22 1996-06-20 Leybold Ag Vorrichtung für die Erzeugung eines homogenen Mikrowellenfeldes
FR2671931A1 (fr) * 1991-01-22 1992-07-24 Metal Process Dispositif de repartition d'une energie micro-onde pour l'excitation d'un plasma.
DE9102438U1 (de) * 1991-03-01 1992-06-25 Röhm GmbH, 6100 Darmstadt Niederdruck-Plasmagenerator
JP2700280B2 (ja) * 1991-03-28 1998-01-19 理化学研究所 イオンビーム発生装置および成膜装置および成膜方法
US5189446A (en) * 1991-05-17 1993-02-23 International Business Machines Corporation Plasma wafer processing tool having closed electron cyclotron resonance
DK0585229T3 (da) * 1991-05-21 1995-12-27 Materials Research Corp Blødætsningsmodul til clusterværktøj og tilhørende ECR-plasmagenerator
US6074512A (en) * 1991-06-27 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners
JPH0562940A (ja) * 1991-09-03 1993-03-12 Sony Corp 矩形基板のドライエツチング装置
EP0537950B1 (en) * 1991-10-17 1997-04-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor
DE4136297A1 (de) * 1991-11-04 1993-05-06 Plasma Electronic Gmbh, 7024 Filderstadt, De Vorrichtung zur lokalen erzeugung eines plasmas in einer behandlungskammer mittels mikrowellenanregung
US5490910A (en) * 1992-03-09 1996-02-13 Tulip Memory Systems, Inc. Circularly symmetric sputtering apparatus with hollow-cathode plasma devices
US5232569A (en) * 1992-03-09 1993-08-03 Tulip Memory Systems, Inc. Circularly symmetric, large-area, high-deposition-rate sputtering apparatus for the coating of disk substrates
US5225740A (en) * 1992-03-26 1993-07-06 General Atomics Method and apparatus for producing high density plasma using whistler mode excitation
US5361016A (en) * 1992-03-26 1994-11-01 General Atomics High density plasma formation using whistler mode excitation in a reduced cross-sectional area formation tube
FR2689143B1 (fr) * 1992-03-31 1994-05-13 Commissariat A Energie Atomique Dispositif de pulverisation cathodique utilisant un plasma engendre par des micro-ondes.
US5306985A (en) * 1992-07-17 1994-04-26 Sematech, Inc. ECR apparatus with magnetic coil for plasma refractive index control
US5658440A (en) * 1992-09-18 1997-08-19 Advanced Micro Devices Incorporated Surface image transfer etching
DE4235914A1 (de) * 1992-10-23 1994-04-28 Juergen Prof Dr Engemann Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen
FR2702119B1 (fr) * 1993-02-25 1995-07-13 Metal Process Dispositif d'excitation d'un plasma à la résonance cyclotronique électronique par l'intermédiaire d'un applicateur filaire d'un champ micro-onde et d'un champ magnétique statique.
US6007878A (en) * 1993-05-27 1999-12-28 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing an optical recording medium having a protective layer formed using a plasma processing device
US5457298A (en) * 1993-07-27 1995-10-10 Tulip Memory Systems, Inc. Coldwall hollow-cathode plasma device for support of gas discharges
FR2714789B1 (fr) * 1993-12-30 1996-03-22 Plasmion Dispositif pour former un plasma par application de micro-ondes.
US5451259A (en) * 1994-02-17 1995-09-19 Krogh; Ole D. ECR plasma source for remote processing
US5506475A (en) * 1994-03-22 1996-04-09 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Microwave electron cyclotron electron resonance (ECR) ion source with a large, uniformly distributed, axially symmetric, ECR plasma volume
FR2726729B1 (fr) * 1994-11-04 1997-01-31 Metal Process Dispositif de production d'un plasma permettant une dissociation entre les zones de propagation et d'absorption des micro-ondes
US5793013A (en) * 1995-06-07 1998-08-11 Physical Sciences, Inc. Microwave-driven plasma spraying apparatus and method for spraying
US5653811A (en) 1995-07-19 1997-08-05 Chan; Chung System for the plasma treatment of large area substrates
US5686796A (en) * 1995-12-20 1997-11-11 International Business Machines Corporation Ion implantation helicon plasma source with magnetic dipoles
US5767628A (en) * 1995-12-20 1998-06-16 International Business Machines Corporation Helicon plasma processing tool utilizing a ferromagnetic induction coil with an internal cooling channel
FR2746249B1 (fr) * 1996-03-13 1998-06-12 Dispositif d'excitation d'un plasma par energie micro-ondes repartie, procede de fabrication, et application au depot de revetements minces
US6116185A (en) * 1996-05-01 2000-09-12 Rietzel; James G. Gas injector for plasma enhanced chemical vapor deposition
US5707452A (en) * 1996-07-08 1998-01-13 Applied Microwave Plasma Concepts, Inc. Coaxial microwave applicator for an electron cyclotron resonance plasma source
FR2762748B1 (fr) * 1997-04-25 1999-06-11 Air Liquide Dispositif d'excitation d'un gaz par plasma d'onde de surface
US6274459B1 (en) 1998-02-17 2001-08-14 Silicon Genesis Corporation Method for non mass selected ion implant profile control
AU1745700A (en) * 1998-12-01 2000-06-19 Silicon Genesis Corporation Enhanced plasma mode, method, and system for plasma immersion ion implantation
US6300227B1 (en) 1998-12-01 2001-10-09 Silicon Genesis Corporation Enhanced plasma mode and system for plasma immersion ion implantation
US6458723B1 (en) 1999-06-24 2002-10-01 Silicon Genesis Corporation High temperature implant apparatus
DE10018143C5 (de) * 2000-04-12 2012-09-06 Oerlikon Trading Ag, Trübbach DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems
US6873113B2 (en) * 2000-04-13 2005-03-29 Tokyo Electron Limited Stand alone plasma vacuum pump
WO2002070142A1 (en) * 2000-12-06 2002-09-12 Angstron Systems, Inc. Method and apparatus for improved temperature control in atomic layer deposition
US6878402B2 (en) * 2000-12-06 2005-04-12 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for improved temperature control in atomic layer deposition
US6428859B1 (en) 2000-12-06 2002-08-06 Angstron Systems, Inc. Sequential method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
US6416822B1 (en) 2000-12-06 2002-07-09 Angstrom Systems, Inc. Continuous method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
US7348042B2 (en) 2001-03-19 2008-03-25 Novellus Systems, Inc. Continuous method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
US6729850B2 (en) 2001-10-31 2004-05-04 Tokyo Electron Limited Applied plasma duct system
FR2833452B1 (fr) 2001-12-07 2004-03-12 Centre Nat Rech Scient Source d'electrons
FR2838020B1 (fr) * 2002-03-28 2004-07-02 Centre Nat Rech Scient Dispositif de confinement de plasma
US6905773B2 (en) * 2002-10-22 2005-06-14 Schlage Lock Company Corrosion-resistant coatings and methods of manufacturing the same
US7255062B1 (en) * 2004-05-07 2007-08-14 Higman Kumiko I Pseudo surface microwave produced plasma shielding system
FR2880236B1 (fr) * 2004-12-23 2007-03-30 Air Liquide Excitateurs de plasmas micro-ondes
DE102005043278B4 (de) * 2005-09-09 2011-02-03 Leibniz-Institut für Plasmaforschung und Technologie e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines sich ausdehnenden, diffusen Mikrowellenplasmas
US8232728B2 (en) 2005-09-09 2012-07-31 Inp Institut Fuer Niedertemperatur-Plasmaphysik E.V. Method and device for igniting and generating an expanding diffuse microwave plasma and method and device for plasma treating surfaces and substances by using this plasma
CN100352793C (zh) * 2006-01-20 2007-12-05 杨鸿生 用于以天然气制乙烯的槽波导微波化学反应设备及制备方法
FR2936506A1 (fr) * 2008-09-30 2010-04-02 Commissariat Energie Atomique Dispositif de production d'hydrogene a partir d'un plasma a la resonance cyclotron electronique
FR2936505B1 (fr) * 2008-09-30 2011-05-20 Commissariat Energie Atomique Dispositif de production d'hydrogene par plasma a la resonance cyclotron electronique
US7994724B2 (en) * 2009-03-27 2011-08-09 Ecole Polytechnique Inductive plasma applicator
FR2955618B1 (fr) 2010-01-26 2016-02-19 Motorisations Aeronautiques Culasse de moteur a combustion interne comportant un circuit de refroidissement
PL223814B1 (pl) * 2011-10-13 2016-11-30 Inst Optyki Stosowanej Układ chłodzenia elektrod w wieloelektrodowym źródle wzbudzenia plazmy mikrofalowej
FR2993428B1 (fr) * 2012-07-11 2014-08-08 Centre Nat Rech Scient Applicateur d'onde de surface pour la production de plasma
US10249479B2 (en) * 2015-01-30 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Magnet configurations for radial uniformity tuning of ICP plasmas
US10490425B2 (en) 2015-07-29 2019-11-26 Infineon Technologies Ag Plasma systems and methods of processing using thereof
US11037765B2 (en) * 2018-07-03 2021-06-15 Tokyo Electron Limited Resonant structure for electron cyclotron resonant (ECR) plasma ionization
FR3103075B1 (fr) 2019-11-13 2023-04-21 Phoxene Générateur de flashs lumineux
CN111526653B (zh) * 2020-06-03 2024-04-26 吉林大学 具备电磁能量双重激发功能的微波耦合等离子体发生装置
CN116133224B (zh) * 2023-04-13 2023-07-04 安徽曦融兆波科技有限公司 一种用于激发高功率螺旋波等离子体的共振型天线装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58125820A (ja) * 1982-01-22 1983-07-27 Toshiba Corp 電子サイクロトロン共鳴型放電装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6026200B2 (ja) * 1978-04-28 1985-06-22 株式会社日立製作所 核融合装置
DE2944467A1 (de) * 1979-11-03 1981-05-14 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Plasma- und ionenquelle
JPH06105597B2 (ja) * 1982-08-30 1994-12-21 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ源
US4534842A (en) * 1983-06-15 1985-08-13 Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) Process and device for producing a homogeneous large-volume plasma of high density and of low electronic temperature
FR2551302B1 (fr) * 1983-08-30 1986-03-14 Commissariat Energie Atomique Structure ferromagnetique d'une source d'ions creee par des aimants permanents et des solenoides

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58125820A (ja) * 1982-01-22 1983-07-27 Toshiba Corp 電子サイクロトロン共鳴型放電装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5015813A (en) * 1988-12-14 1991-05-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power feeding port arrangement for a microwave heating apparatus
JPH02199824A (ja) * 1989-01-30 1990-08-08 Hitachi Ltd 基板への不純物の導入方法
JP2015534214A (ja) * 2012-09-11 2015-11-26 アッシュ・ウー・エフ 電子サイクロトロン共鳴（ｅｃｒ）による気体媒体からの軸方向に高域であるプラズマを生成させるための装置

Also Published As

Publication number Publication date
FR2583250A1 (fr) 1986-12-12
JPH0732072B2 (ja) 1995-04-10
EP0209469B1 (fr) 1990-10-24
FR2583250B1 (fr) 1989-06-30
DE3675092D1 (de) 1990-11-29
US4745337A (en) 1988-05-17
EP0209469A1 (fr) 1987-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6231999A (ja) プラズマ励起装置および方法ならびにプラズマ発生装置
US5216329A (en) Device for distributing a microwave energy for exciting a plasma
TW400577B (en) Plasma generating apparatus
US5430355A (en) RF induction plasma source for plasma processing
US5173641A (en) Plasma generating apparatus
KR101349195B1 (ko) 코어 커버를 구비한 유도 결합 플라즈마 반응기
JPS63184233A (ja) 誘導励起式イオン源
JP4671313B2 (ja) 同軸マイクロ波アプリケータを備えた電子サイクロトロン共振プラズマ源およびプラズマ生成方法
US4780642A (en) Electron cyclotron resonance ion source with coaxial injection of electromagnetic waves
JPH04503589A (ja) 改良された共鳴無線周波数波結合器装置
JPH0341934B2 (ja)
KR940010868A (ko) 음극 스퍼터링을 이용한 플라즈마 발생 장치
WO1994006263A1 (en) High pressure magnetically assisted inductively coupled plasma
JPH08279400A (ja) マイクロ波分配装置およびプラズマ発生装置
US6812647B2 (en) Plasma generator useful for ion beam generation
JPH06290898A (ja) 静磁場とマイクロ波場とのアプリケータによってプラズマを電子サイクロトロン共鳴状態に励起させる装置
WO2000015867A1 (en) A method and apparatus for launching microwave energy into a plasma processing chamber
US6194836B1 (en) Magnetic system, particularly for ECR sources, for producing closed surfaces of equimodule B of form dimensions
KR970008650B1 (ko) 여기원자선원
JP3889906B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP3010059B2 (ja) イオン源
JPH0578849A (ja) 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置
JPH07335162A (ja) 高周波プラズマ源用アンテナ
JP2644203B2 (ja) マイクロ波給電装置並びにこれを使用したプラズマ発生装置
JPH04361529A (ja) マイクロ波プラズマ装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees