JP2014063874A - 大気圧プラズマ成膜装置 - Google Patents
大気圧プラズマ成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014063874A JP2014063874A JP2012208015A JP2012208015A JP2014063874A JP 2014063874 A JP2014063874 A JP 2014063874A JP 2012208015 A JP2012208015 A JP 2012208015A JP 2012208015 A JP2012208015 A JP 2012208015A JP 2014063874 A JP2014063874 A JP 2014063874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- reaction gas
- solid target
- gas
- flow path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】電源が接続され、固体ターゲット13を有する電力印加電極12と、電力印加電極12に対向配置され接地される接地電極ステージ2と、の電極間間隙に100Pa以上大気圧以下の水素を含有する反応ガスの圧力の下で生成されるプラズマを接地電極ステージ2の電力印加電極12側の面に載置する被処理部材に照射して被処理部材上に成膜する大気圧プラズマ成膜装置であって、反応ガスを導入する貫通孔21を固体ターゲット13の面内に備える。
【選択図】図1
Description
図1は、実施の形態1による大気圧プラズマ成膜装置の概略構成の一例を模式的に示す断面図である。図1において、真空容器となる反応容器1は、導電性部材を有底円筒状に形成したものであり、電気的に接地されている。反応容器1の底部には、電気的に接地された平板状の接地電極ステージ2が配置され、また、ガス排出口4も設けられている。接地電極ステージ2の上面には固体誘電体5を介して被処理部材である基板6が配置されている。接地電極ステージ2は、ヒータ7を内蔵し、固体誘電体5を介して基板6を加熱できるようになっている。なお、図1では、接地電極ステージ2は、反応容器1の底部のほぼ中央に(図示例では、円筒中心の位置に)固定された所定高さの支柱8の端部に、底部面と並行して支持されている。
実施の形態1では真空容器となる反応容器を備えた大気圧プラズマ成膜装置を説明した。しかし、大気圧プラズマ成膜装置として、プラズマ放電エリアの周囲に、反応ガスよりも大きい供給量で不活性ガスをカーテンガスとして供給するとともに、周辺雰囲気をパージガスで覆い、基板に向けて吹き出されたカーテンガスおよびパージガスを排気ダクトから吸引して排出することで、プラズマ生成領域に真空容器となる反応容器と同等の環境を形成することができる。この実施の形態2では、この反応容器を有さない大気圧プラズマ成膜装置について説明する。
Si+xH→SiHx (x=0,1,2,・・・) ・・・(1)
SiHx→Si+xH (x=0,1,2,・・・) ・・・(2)
Claims (5)
- 電源が接続され、固体ターゲットを有する第1電極と、前記第1電極に対向配置され接地される第2電極と、の電極間間隙に100Pa以上大気圧以下の水素を含有する反応ガスの圧力の下で生成されるプラズマを前記第2電極の前記第1電極側の面に載置する被処理部材に照射して前記被処理部材上に成膜する大気圧プラズマ成膜装置であって、
前記反応ガスを導入する貫通孔を前記固体ターゲットの面内に備えることを特徴とする大気圧プラズマ成膜装置。 - 被処理部材を保持する第1電極と、
前記第1電極に対向して配置される第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間の領域に反応ガスを供給する反応ガス流路、前記反応ガス流路の外側に配置され、前記第1電極に向かってカーテンガスを噴き付けるカーテンガス流路、および前記反応ガス流路の外側で前記カーテンガス流路の内側に配置され、前記反応ガスと前記カーテンガスを含むガスを排気する排気流路を有する流路構成部材と、を含むプラズマ処理ヘッドと、
前記第1電極と前記第2電極との間に高周波電力を印加して前記反応ガスをプラズマ化する高周波電力印加手段と、
前記第2電極の前記第1電極と対向する面の前記排気流路で囲まれる領域よりも内側に配置され、前記プラズマ化された反応ガスとの間で反応する固体ターゲットと、
前記第1電極と前記第2電極を相対的に移動させる移動手段と、
を備え、
前記反応ガス流路は、前記流路構成部材の前記排気流路で囲まれる領域の中心付近に、前記流路構成部材の厚さ方向に貫通するように設けられ、
前記固体ターゲットは、前記反応ガス流路と接続される貫通孔を前記固体ターゲットの面内に備えることを特徴とする大気圧プラズマ成膜装置。 - 前記貫通孔は、前記固体ターゲットに複数設けられることを特徴とする請求項1または2に記載の大気圧プラズマ成膜装置。
- 前記固体ターゲットの前記反応ガスが供給される側の面には、前記複数の貫通孔間を結ぶ溝が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の大気圧プラズマ成膜装置。
- 前記固体ターゲットの前記反応ガスが供給される側の面に、前記複数の貫通孔間を結ぶガイドが形成されたスペーサ部材をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の大気圧プラズマ成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012208015A JP5943789B2 (ja) | 2012-09-21 | 2012-09-21 | 大気圧プラズマ成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012208015A JP5943789B2 (ja) | 2012-09-21 | 2012-09-21 | 大気圧プラズマ成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014063874A true JP2014063874A (ja) | 2014-04-10 |
JP5943789B2 JP5943789B2 (ja) | 2016-07-05 |
Family
ID=50618848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012208015A Expired - Fee Related JP5943789B2 (ja) | 2012-09-21 | 2012-09-21 | 大気圧プラズマ成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5943789B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112831772A (zh) * | 2021-03-02 | 2021-05-25 | 黄剑鸣 | 双面等离子体增强化学气相沉积结构与沉积装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04154116A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-27 | Fujitsu Ltd | 減圧cvd用ガス導入装置および該装置の形成方法 |
JPH0521349A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Hitachi Ltd | スパツタリング方法および装置 |
JPH05109655A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Applied Materials Japan Kk | Cvd−スパツタ装置 |
WO2007049402A1 (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置 |
JP2011508460A (ja) * | 2008-01-14 | 2011-03-10 | 北京北方微▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司 | プラズマ処理装置及びガス分配器 |
JP2011204995A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 大気圧プラズマ成膜装置及び方法 |
WO2012101891A1 (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-02 | 三菱電機株式会社 | 大気圧プラズマ処理装置および大気圧プラズマ処理方法 |
-
2012
- 2012-09-21 JP JP2012208015A patent/JP5943789B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04154116A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-27 | Fujitsu Ltd | 減圧cvd用ガス導入装置および該装置の形成方法 |
JPH0521349A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Hitachi Ltd | スパツタリング方法および装置 |
JPH05109655A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Applied Materials Japan Kk | Cvd−スパツタ装置 |
WO2007049402A1 (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置 |
JP2011508460A (ja) * | 2008-01-14 | 2011-03-10 | 北京北方微▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司 | プラズマ処理装置及びガス分配器 |
JP2011204995A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 大気圧プラズマ成膜装置及び方法 |
WO2012101891A1 (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-02 | 三菱電機株式会社 | 大気圧プラズマ処理装置および大気圧プラズマ処理方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112831772A (zh) * | 2021-03-02 | 2021-05-25 | 黄剑鸣 | 双面等离子体增强化学气相沉积结构与沉积装置 |
CN112831772B (zh) * | 2021-03-02 | 2023-02-14 | 黄剑鸣 | 双面等离子体增强化学气相沉积结构与沉积装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5943789B2 (ja) | 2016-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI751637B (zh) | 用於循環與選擇性材料移除與蝕刻的處理腔室 | |
KR101124924B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 기억 매체 | |
KR101529578B1 (ko) | 플라즈마 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP5263266B2 (ja) | プラズマドーピング方法及び装置 | |
JP2748886B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US9885115B2 (en) | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method | |
TWI448215B (zh) | 電漿處理裝置 | |
WO2015019765A1 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP5607760B2 (ja) | Cvd装置及びcvd方法 | |
JP2010103455A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2014053136A (ja) | 大気圧プラズマ処理装置 | |
US11309167B2 (en) | Active gas generation apparatus and deposition processing apparatus | |
JP2006236772A (ja) | 中性粒子ビーム源および中性粒子ビーム処理装置 | |
JP2004353066A (ja) | プラズマ源およびプラズマ処理装置 | |
JP5943789B2 (ja) | 大気圧プラズマ成膜装置 | |
JP2011204995A (ja) | 大気圧プラズマ成膜装置及び方法 | |
JP2015111543A (ja) | プラズマ処理装置及び方法、並びに電子デバイスの製造方法 | |
JP2001189308A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR101241951B1 (ko) | 플라즈마 발생장치 및 기판의 플라즈마 처리방법 | |
JP3865841B2 (ja) | 電子ビーム蒸着装置 | |
WO2014045565A1 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2010192262A (ja) | プラズマ表面処理装置 | |
KR101512793B1 (ko) | 플라즈마 발생장치 및 기판의 플라즈마 처리방법 | |
JP4554712B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2010272551A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141002 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150721 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160315 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160426 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160524 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5943789 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |