KR101512793B1 - 플라즈마 발생장치 및 기판의 플라즈마 처리방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 안정된 글로우 방전을 유도할 수 있고, 플라즈마가 아크로 전이되는 현상을 억제하여 대기압 근처에서도 안정적으로 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있는 플라즈마 발생장치 및 기판의 플라즈마 처리방법을 위하여, 기판을 안착시키기 위한 제1전극 및 상기 제1전극 상에 이격되게 배치되고, 상기 제1전극과 대향하는 면에 형성되어 그 사이에 캐비티를 한정하는 몸체를 포함하는 복수의 캐필러리부들 및 상기 캐비티의 저면부 상의 다공성 도전층을 포함하는 제2전극을 포함하는, 플라즈마 발생장치를 제공한다.

Description

플라즈마 발생장치 및 기판의 플라즈마 처리방법{Plasma generating apparatus and method of plasma processing of substrate}
본 발명은 플라즈마 발생 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 플라즈마 발생 전극 및 이를 이용한 기판 처리방법에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마는 전기가 통하는 중성의 전리가스, 즉 대량의 전리가 일어나지 않는 기체 중에 이온이나 전자가 희박하게 존재하는 거의 중성에 가까운 기체상태로 그 온도에 따라 고온 및 저온 플라즈마로 나누어지며 화학적 또는 물리적으로 반응성이 대단히 강하다. 플라즈마를 이용한 기판 처리 기술은 근래 여러 산업 분야, 예컨대 반도체 소자, 태양전지, 디스플레이 등의 분야에 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 저온 플라즈마는 금속, 반도체, 폴리머, 나일론, 플라스틱, 종이, 섬유 및 오존 등의 각종 물질 또는 재료를 합성하거나 표면특성을 변화시켜 접합강도를 높이고 염색, 인쇄능을 비롯한 각종 특성을 향상시키는 분야 및 반도체, 금속 및 세라믹 박막합성, 세정 등 다양한 분양에 널리 사용되고 있다.
하지만, 저온 플라즈마는 통상 낮은 압력의 진공 용기 내에서 발생되기 때문에, 진공유지를 위한 고가의 장치가 필요하여 대구경의 처리대상물을 처리하기 위해 이용되는 데 제약이 있다. 이를 극복하기 위해서 대기압 근처에서 플라즈마를 발생시키기 위한 노력이 있다. 하지만, 대기압 근처에서 플라즈마를 발생시키기 위한 장치에는 플라즈마가 아크로 전이되는 현상이 발생하며, 대기압 플라즈마를 정밀하고 선택적으로 발생시킬 수 없어서 처리대상물 상에 증착 및/또는 식각 공정을 진행할 경우 추가적인 후속공정이 필요하며, 처리물의 크기가 클 경우 처리가 곤란하다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 대기압 부근에서 사용될 수 있는 고밀도 플라즈마 발생장치 및 이를 이용한 기판의 플라즈마 처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판을 안착시키기 위한 제1전극 및 상기 제1전극 상에 이격되게 배치되고, 상기 제1전극과 대향하는 면에 형성되어 그 사이에 캐비티를 한정하는 몸체를 포함하는 복수의 캐필러리부들 및 상기 캐비티의 저면부 상의 다공성 도전층을 포함하는 제2전극을 포함하는, 플라즈마 발생장치가 제공된다.
상기 다공성 도전층은 상기 캐비티 내로 기체의 유입을 허용하도록 서로 연결된 복수개의 미세 기공들을 포함할 수 있다.
상기 미세 기공들의 크기는 ASTM No 5 내지 400일 수 있다.
상기 복수의 캐필러리부들의 몸체는 절연체일 수 있다.
상기 절연체는 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC), 질화규소(Si3N4), 석영(SiO2), 산화마그네슘(MgO) 및 테프론(PTFE) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 복수의 캐필러리부들의 몸체는 도전체이고, 상기 제2전극은 상기 몸체의 측면부 및 상면부를 차폐시키는 절연층을 더 포함할 수 있다.
상기 다공성 도전층을 통해 방전가스가 상기 캐비티 내로 공급되도록 상기 다공성 도전층 상에 배치된 유로부(流路部)를 더 포함할 수 있다.
상기 제1전극과 상기 기판 사이에 개재되는 유전체를 더 포함할 수 있다.
상기 제1전극은 판상형의 전극이고, 상기 제2전극은 상기 제1전극과 대향하는 판상형의 전극일 수 있다.
상기 다공성 도전층은 도전성의 금속, 합금, 도전성 세라믹, 도전성 탄소체 및 도전성 폴리머 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 캐비티는 일정한 간격을 두고 규칙적으로 배열될 수 있다.
상기 캐비티의 폭은 100㎛ 내지 10mm이고, 그 종횡비는 1 내지 200일 수 있다.
상기 판상형 제1전극 및 상기 제2전극이 내부에 안치되는 챔버를 포함하고,
상기 챔버는 방전가스의 공급구 및 방전가스의 배출구를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 제1전극, 및 상기 제1전극 상에 이격되게 배치되고, 상기 제1전극과 대향하는 면에 형성되어 그 사이에 캐비티를 한정하는 몸체를 포함하는 복수의 캐필러리부들 및 상기 캐비티의 저면부 상의 다공성 도전층을 포함하는 제2전극을 포함하는 플라즈마 발생장치를 준비하는 단계; 상기 제1전극 상에 기판을 안착시키는 단계, 상기 다공성 도전층을 통하여 방전가스를 상기 복수의 캐필러리부들의 상기 캐비티 내로 유입하는 단계 및 상기 복수의 캐필러리부들의 상기 캐비티의 저면부와 상기 제1전극 상의 기판 사이에서 플라즈마를 발생시키는 단계를 포함하는, 기판의 플라즈마 처리방법이 제공된다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일실시예에 따르면, 안정된 글로우 방전을 유도할 수 있고, 플라즈마가 아크로 전이되는 현상을 억제하여 대기압 근처에서도 안정적으로 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(100)를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(101)를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(106)를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면에서 묘사되는 방향에 추가하여 구조체의 다른 방향들을 포함하는 것으로 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 구조체의 상하가 뒤집어 진다면, 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(100)를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(100)는 반응 공간을 한정하기 위한 챔버(110)가 제공되고, 챔버 내에 제1전극(120), 제1전극(120) 상에 기판(130), 기판(130) 상에 소정의 거리(d)만큼 이격되어 배치되고, 상기 제1전극(120)과 대향하는 면에 형성되어 그 사이에 캐비티(cavity, 141)를 한정하는 몸체(142)를 포함하는 복수의 캐필러리부들(143) 및 캐비티(141)의 저면부(141a) 상의 다공성 도전층(145)과 방전가스 유로부(170)를 포함하는 제2전극(140)을 포함할 수 있다.
나아가 공급구(160), 배출구(165) 및 제1전극(120)과 제2전극(140)에 전기적으로 각각 연결되며 대기압 플라즈마(150)를 발생시키는 전원부(미도시)를 포함할 수 있다. 전원부(미도시)는 직류 또는 교류 전원 장치일 수 있으며, 예를 들어, 50Hz 내지 10GHz 범위의 주파수 대역을 가지는 교류 전원을 공급할 수 있다.
챔버(110)의 일측에는 챔버(110) 내로 방전가스를 유입하기 위한 공급구(160)가 배치되고, 타측에는 챔버 내의 방전가스를 외부로 배출하기 위한 배출구(165)가 배치될 수 있다. 챔버(110)의 형상은 예시적으로 도시되었고, 이 실시예의 범위를 제한하지 않는다. 예를 들어, 챔버(110)는 도 1에서 도시된 바와 같이 다각 형상으로 제공되거나, 원형 또는 돔 형상으로 제공될 수 있다.
공급구(160)는 방전가스 공급기(미도시)에 연결되고, 공급구(160)와 방전가스 공급기 사이에는 유량을 조절하기 위한 기체 유량계가 연결될 수 있다. 선택적으로, 배출구(165)는 방전가스 또는 챔버(110) 내의 여타 공기를 배출을 용이하게 하기 위하여 펌프(미도시)와 연결될 수 있다. 다만, 챔버(110)가 대기압으로 동작하는 경우, 이러한 펌프가 생략될 수도 있다. 공급 밸브(160) 및 배출구(165)의 형상 및 배치는 적절하게 조절될 수 있고, 이 실시예의 범위를 제한하지 않는다.
챔버(110) 내에는 기판(130)을 안착시키기 위한 제1전극(120)이 배치된다. 제1전극(120)은 판상형일 수 있으며, 기판(130)을 가열하기 위한 히터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 판상형 하부전극(120)은 히터가 내장된 핫 플레이트로 제공될 수 있다. 제1전극 상에는 기판(130)이 안치될 수 있으며, 기판(130)과 제1전극(120) 사이에는 유전체(122)가 개재될 수 있다. 기판(130)은 다양하게 제공될 수 있다. 예를 들어, 기판(130)은 반도체 소자의 제조를 위해서 실리콘과 같은 반도체 웨이퍼로 제공되거나, 디스플레이 소자 또는 태양전지의 제조를 위해서 유리 기판 또는 플라스틱 기판으로 제공될 수 있다.
한편, 제1전극(120)을 장착할 수 있는 스테이지(미도시)를 더 구비할 수 있으며, 스테이지는 제1전극(120)을 ±y 축 방향으로 이동할 수 있어 제2전극(140)보다 큰 기판(130) 상에도 대기압 플라즈마(150) 처리를 수행할 수 있다. 나아가 ±z 방향으로 이동할 수 있으므로 기판(130)과 제2전극(140) 사이의 이격 거리(d)를 적절하게 조절하여 대기압 플라즈마 발생에 필요한 절연 파괴(breakdown) 현상을 유도할 수 있다. 다른 예로, 제1전극(120)이 고정되고, 제2전극(140)이 ±y축 방향으로 이동될 수도 있다.
기판(130) 상에는 소정의 거리(d)만큼 이격되어 배치된 제2전극(140)을 포함할 수 있다. 이때 제2전극(140)은 제1전극(120)과 대향하여 배치될 수 있으며, 판상형으로, 캐비티(141)를 한정하는 몸체(142)를 포함하는 복수의 캐필러리부(143)들 및 상기 캐비티의 저면부(141a) 상의 다공성 도전층(145)을 포함할 수 있다. 캐비티의 저면부(141a)는 저면부(141a)의 반대편인 다공성의 도전층(145)의 일면의 일부에 대응될 수 있고, 몸체(142)는 다양한 절연성의 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC), 질화규소(Si3N4), 석영(SiO2), 산화마그네슘(MgO) 및 테프론(PTFE) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
캐비티(141)는 하나의 몸체(142)와 그 주위에 이격되어 형성된 또 다른 몸체(142)에 의해 한정되고, 저면부(141a) 및 측면부(141b)로 정의되는 공간을 가지는데, 이러한 공간은 트렌치(trench) 형상을 가질 수 있으며, 캐필러리 캐비티로 불릴 수 있다. 상기 공간의 구체적인 형상은 예시적으로 도시되었고, 이 실시예의 범위를 제한하지 않는다. 예를 들어, 저면부(141a) 및 측면부(141b)로 정의되는 공간은 모세관 형태의 가늘고 긴 형상일 수 있으며, 다른 예로, 캐비티 저면부(141a)에 평행한 횡단면은 원형, 타원형 또는 다각형의 형상을 가지는 오목 패턴일 수도 있다.
몸체에 의해 한정되는 캐필러리 캐비티(141)는 일정한 간격을 두고 규칙적으로 배열될 수 있다. 캐비티 저면부(141a)의 폭(w)은 소정의 간격 예컨대, 100㎛ 내지 10mm일 수 있고, 복수의 캐필러리부들의 종횡비는 1 내지 200 사이의 값을 가질 수 있다. 이러한 복수의 캐필러리부들의 종횡비는 측면부(141b)의 높이 대 저면부(141a)의 폭의 비를 나타낸다.
방전가스 공급구(160)와 방전가스 유로부(170)를 순차적으로 거쳐 유입되는 방전가스가 다공성의 도전층(145)을 통해 상기 캐비티(141) 내로 직접 공급될 수 있도록, 다공성의 도전층(145)은 캐비티의 저면부(141a)의 반대편인 일면에서 상기 캐비티의 저면부(141a)까지 연결된 복수개의 미세 기공들(미도시)을 포함할 수 있다. 여기에서 언급된 캐비티의 저면부(141a)의 반대편인 상기 일면은 방전가스 유로부(170)에 노출되는 다공성의 도전층(145)의 표면이다. 상기 복수개의 미세 기공들의 크기는 ASTM No 5 내지 400 크기에 해당할 수 있다. 나아가, 다공성의 도전층(145)은 다양한 도전성 물질로 구성될 수 있다. 예컨대 도전성의 금속, 합금, 도전성 세라믹, 도전성 탄소체 및 도전성 폴리머 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
이러한 구조에 따르면, 캐비티의 저면부(141a)를 제외한 다른 부분들은 절연성의 몸체(142)가 막고 있기 때문에, 전위 집중에 의해서 대기압 플라즈마(150)의 발생이 캐필러리부들(143)을 포함하는 제2전극(140)으로부터 방사되는 형태로 발생될 수 있다. 즉, 제2전극(140)에 전기장이 가해지는 경우 전기장이 캐비티의 저면부(141a)에 집중되어 전기장의 세기가 커지고 캐필러리 방전(capillary discharge)의 효과를 얻게 될 수 있다.
나아가, 캐비티의 저면부(141a)로부터 상기 저면부(141a)의 반대편인 상기 다공성의 도전층(145)의 일면까지 연결된 복수개의 미세 기공들을 포함하는 다공성의 도전층(145)을 통해 직접 방전가스가 공급되기 때문에, 안정된 글로우 방전(glow discharge)을 유도할 수 있고, 고밀도의 대기압 플라즈마(150)를 얻을 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(101)를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 복수의 캐필러리부들을 포함하는 몸체(144)는 도전체이고, 캐필러리부들의 측면부(141b) 및 상면부(141c) 상에 몸체(144)를 차폐시키는 절연층(146)을 더 형성할 수 있다. 도 2에 도시된 몸체(144) 및 절연층(146) 이외의 나머지 구성요소들은 도 1에 도시된 구성요소들과 동일하므로, 이에 대한 중복된 설명은 생략한다.
제2전극(140)은 다공성의 도전층(145)과 도전체로 형성된 몸체(144)를 구비할 수 있다. 다만, 캐필러리부들을 포함하는 몸체(144)가 도전체로 형성될 경우 캐비티의 저면부(141a)로부터 전위 집중이 발생하기 어렵기 때문에, 제2전극에 전기장이 가해지는 경우 전기장이 캐비티의 저면부(141a)에 집중될 수 있도록 캐필러리부의 측면부(141b) 및 상면부(141c) 부분을 차폐시키는 절연층(146)을 더 형성할 수 있다.
이러한 절연층(146)은 다양한 절연성의 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC), 질화규소(Si3N4), 석영(SiO2), 산화마그네슘(MgO) 및 테프론(PTFE) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
절연층(146)의 두께는 예를 들어, 10㎛ 내지 10mm 범위에 있을 수 있다. 절연층(146)의 두께가 10㎛이하인 경우 충분한 방전 효과를 얻지 못하여 아크가 발생하기 쉽고, 10mm이상인 경우에는 방전 효과는 좋으나 방전개시 및 유지전압이 커질 우려가 있다.
한편, 방전가스는 캐비티의 저면부(141a)를 통해서만 유입되면 되므로, 이 실시예에서 몸체(144)는 다공성의 도전층(145)과 같이 미세 기공을 포함할 필요가 없으며, 도전성의 금속, 합금, 도전성 폴리머 등 다양한 재료를 포함할 수 있다. 물론 저면부(141a)를 제외한 캐필러리부들(143)의 바깥쪽 부분인 측면부(141b) 및 상면부(141c)를 절연층이 감싸고 있으므로, 방전가스 공급구(160)로부터 유입된 방전가스가 캐필러리부들의 측면부(141b) 및 상면부(141c)로 유출되지 않기 때문에 제조 공정의 단순화를 위해 몸체(144)를 제작할 때 다공성의 도전층(145)과 같은 재료를 써도 무관할 수 있다.
이러한 구조에 따르면, 다공성의 도전층(145)을 통해 직접 방전가스가 공급되기 때문에 대기압에서도 안정된 글로우 방전(glow discharge)을 유도할 수 있다. 나아가, 아크 방전으로의 전이를 방지할 수 있으며, 캐비티의 저면부(141a)에서만 전위 집중이 발생하여 고밀도의 대기압 플라즈마(150)를 얻을 수 있다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(106)를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 방전가스 공급구(160)로부터 다공성의 도전층(145)까지 방전가스를 공급하는 방전가스 유로부(171)는 복수의 캐비티의 저면부(141a)에 직접 대응되도록 배치된 복수의 미세 유로부를 포함한다. 도 1 및 도 2에서 개시된 방전가스 유로부(170)는 다공성의 도전층(145)의 일면 전체와 연결되는 것에 반하여, 도 3에서 개시된 방전가스 유로부(171)는 복수의 미세 유로부에 의하여 복수의 캐비티의 저면부(141a)에 대응되는 다공성의 도전층(145)의 일면의 부분에만 직접 연결될 수 있다.
따라서, 제2전극(140)은 제1전극(120)과 대향하는 면에 형성되어 그 사이에 캐비티(cavity, 141)를 한정하는 몸체(142)를 포함하는 복수의 캐필러리부들(143) 및 캐비티(141)의 저면부(141a) 상의 다공성 도전층(145)과 방전가스 유로부(171)를 포함한다.
도 3에 도시된 방전가스 유로부(171) 이외의 나머지 구성요소들은 도 1에 도시된 구성요소들과 동일하므로 여기에서는 생략한다.
본 실시예에 따르면 방전가스 유로부(171)는 방전가스 공급구(160)로부터 캐비티의 저면부(141a)로 직접 방전가스를 공급할 수 있게 해주어 안정적으로 대기압 플라즈마(150)를 발생시킬 수 있다. 더욱이, 유입된 방전가스는 다공성의 도전층(145)을 통해 캐비티의 저면부(141a)를 통해서만 기판(130)이 안착되어 있는 챔버(110)내로 배출되기 때문에, 플라즈마의 분사량을 증가시킬 수 있고, 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
전술한 실시예들을 이용하여 기판(130)에 대한 플라즈마 처리를 수행할 수 있다. 먼저, 제1전극(120) 상에 기판(130)을 안착시킬 수 있다. 이어서, 챔버(110) 내에 다공성의 도전층(145)을 통해 복수의 캐필러리부들(143)의 캐비티(141) 내로 방전가스를 유입하여, 기판(130) 상에 방전가스를 공급할 수 있다. 방전가스가 공급되고 나면 제1전극(120) 및 제2전극(140) 사이에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 전술한 플라즈마 발생장치들에 의하면 플라즈마 발생을 제어하여, 대기압 근처에서도 안정적으로 플라즈마를 유지할 수 있다. 이러한 플라즈마는 기판(130) 상에 박막을 증착하거나 에칭하는 데 이용될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100, 101, 106: 플라즈마 발생장치 120: 제1전극
122: 유전체 130: 기판
140: 제2전극 141: 캐비티
141a: 저면부 141b: 측면부
141c: 상면부 142, 144: 몸체
143: 캐필러리부 146: 절연층
150: 대기압 플라즈마 160: 방전가스 공급구
165: 방전가스 배출구 170, 171: 방전가스 유로부

Claims (14)

  1. 기판을 안착시키기 위한 제1전극; 및
    상기 제1전극 상에 이격되게 배치되고, 상기 제1전극과 대향하는 면에 형성되어 그 사이에 캐비티를 한정하는 몸체를 포함하는 복수의 캐필러리부들 및 상기 캐비티의 저면부 상의 다공성 도전층을 포함하는 제2전극을 포함하고,
    상기 복수의 캐필러리부들은, 내부에 위치하고 상기 다공성 도전층과 접촉하는 도전체 및 상기 도전체가 노출되지 않게 상기 도전체의 측면부 및 상면부를 차폐시키는 절연층을 더 포함하고,
    상기 다공성 도전층은 상기 캐비티 내로 방전가스의 유입을 허용하도록 서로 연결된 복수개의 미세 기공들을 포함하고,
    상기 캐필러리부들 사이에서 노출된 상기 다공성 도전층을 통하여 상기 방전가스가 상기 캐비티 내로 유입되고, 상기 캐비티 내에서 캐필리러 방전이 발생되는, 플라즈마 발생장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 미세 기공들의 크기는 ASTM No 5 내지 400인, 플라즈마 발생장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC), 질화규소(Si3N4), 석영(SiO2), 산화마그네슘(MgO) 및 테프론(PTFE) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 플라즈마 발생장치.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 다공성 도전층을 통해 상기 방전가스가 상기 캐비티 내로 공급되도록 상기 다공성 도전층 상에 배치된 유로부(流路部)를 더 포함하는, 플라즈마 발생장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극과 상기 기판 사이에 개재되는 유전체를 더 포함하는, 플라즈마 발생장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극은 판상형의 전극이고, 상기 제2전극은 상기 제1전극과 대향하는 판상형의 전극인, 플라즈마 발생장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 다공성 도전층은 도전성의 금속, 합금, 도전성 세라믹, 도전성 탄소체 및 도전성 폴리머 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 플라즈마 발생장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 캐비티는 일정한 간격을 두고 규칙적으로 배열된, 플라즈마 발생장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 캐비티의 폭은 100㎛ 내지 10mm이고, 그 종횡비는 1 내지 200인, 플라즈마 발생장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극 및 상기 제2전극이 내부에 안치되는 챔버를 포함하고,
    상기 챔버는 방전가스의 공급구 및 방전가스의 배출구를 포함하는, 플라즈마 발생장치.
  14. 제1전극, 및 상기 제1전극 상에 이격되게 배치되고, 상기 제1전극과 대향하는 면에 형성되어 그 사이에 캐비티를 한정하는 몸체를 포함하는 복수의 캐필러리부들 및 상기 캐비티의 저면부 상의 다공성 도전층을 포함하는 제2전극을 포함하는 플라즈마 발생장치를 준비하는 단계;
    상기 제1전극 상에 기판을 안착시키는 단계;
    상기 다공성 도전층을 통하여 방전가스를 상기 복수의 캐필러리부들의 상기 캐비티 내로 유입하는 단계; 및
    상기 복수의 캐필러리부들의 상기 캐비티의 저면부와 상기 제1전극 상의 기판 사이에서 플라즈마를 발생시키는 단계;
    를 포함하고,
    상기 복수의 캐필러리부들은, 내부에 위치하고 상기 다공성 도전층과 접촉하는 도전체 및 상기 도전체가 노출되지 않게 상기 도전체의 측면부 및 상면부를 차폐시키는 절연층을 더 포함하고,
    상기 다공성 도전층은 상기 캐비티 내로 방전가스의 유입을 허용하도록 서로 연결된 복수개의 미세 기공들을 포함하고,
    상기 캐필러리부들 사이에서 노출된 상기 다공성 도전층을 통하여 상기 방전가스가 상기 캐비티 내로 유입되고, 상기 캐비티 내에서 캐필리러 방전이 발생되는, 기판의 플라즈마 처리방법.
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