TWI646213B - 檢查一真空腔室中之一氣體分離通道之一氣體分離品質的方法，以及真空處理設備 - Google Patents

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Abstract

根據本揭露之一方面，一種檢查在一真空腔室(2)中之一第一真空處理區域(10)及至少一第二真空處理區域(12)之間延伸之一氣體分離通道(20)之一氣體分離品質的方法係提供，其中氣體分離通道(20)裝配成在減少從第一真空處理區域(10)至此至少一第二真空處理區域(12)中之一氣流時用於一基板之一通路。此方法包括：導引一測試氣體(31)至第一真空處理區域(10)中；以及測量此至少一第二真空處理區域(12)中之一背景氣體中之測試氣體的一第一成份(33)。根據第二方面，用於執行此方法之一種真空處理設備(1)及一種真空沈積設備(100,500)係提供。

Description

檢查一真空腔室中之一氣體分離通道之一氣體分離 品質的方法，以及真空處理設備
本揭露之數個實施例是有關於數種薄膜處理設備，特別是有關於數種沈積系統，且更特別是有關於數種卷對卷(roll-to-roll，R2R)沈積系統及用於操作其之方法。本揭露之數個實施例特別是有關於在數種卷對卷沈積系統中之氣體分離，特別是數種檢查一真空處理設備中之二或多個真空處理區域之間的一氣體分離品質之方法，在此真空處理設備中舉例為在一卷對卷沈積系統中。特別是，此處所揭露之數個實施例係有關於數種檢查在一真空腔室中之一第一真空處理區域及一第二真空處理區域之間延伸之一氣體分離通道之一氣體分離品質的方法，以及數種真空沈積設備，具有改善之氣體分離特性之此些真空沈積設備用於一基板之處理。
軟性基板之處理在封裝產業、半導體產業及其他產業中係有高度的需求，軟性基板例如是塑膠膜或箔。處理可包括利用所需之材料對軟性基板進行塗佈，所需之材料例如是金屬。執行此工作之系統一般係包括處理鼓，處理鼓舉例為圓柱滾軸，耦接於用以傳送基板之處理系統，及至少一部份之基板係於處理鼓上進行處理。卷對卷塗佈系統可提供高產量系統。
一般來說，例如是熱蒸發製程之蒸發製程可利用來沈積金屬薄層，金屬薄層可金屬化至軟性基板上。然而，卷對卷沈積系統在顯示產業及光電(photovoltaic，PV)產業中之需求也強烈增加。舉例而言，特別是以具有低製造成本來說，觸控面板元件、可彎曲顯示器、及可彎曲PV模組係致使在卷對卷塗佈機中沈積適當之數層的需求增加。此種裝置一般具有數種層，此些層可利用化學氣相沈積(CVD)製程及特別是利用電漿輔助化學氣相沈積(PECVD)製程製造。
在真空腔室中，以不同混合氣體及/或不同工作壓力一起作用之數種CVD、PECVD及/或物理氣相沈積(PVD)源之結合係面臨良好之處理氣體分離的需求，以避免在後續處理中之交叉污染效應且確保長期之製程穩定性。舉例來說，第一處理氣體可於第一真空處理區域中使用，且第二處理氣體可於第二、相鄰真空處理區域中使用。在第一及第二真空處理區域之間的良好之氣體分離因子可不但在避免基板上的第二材料層被第一材料粒子 污染有益處，且可亦在避免第一及第二材料之間不需要之化學作用有益處。
在一些卷對卷塗佈系統中，真空處理區域舉例為濺射隔室，可由依循塗佈鼓之曲率的狹縫分離。氣體分離係強烈決定於塗佈鼓與氣體分離單元之間的氣體分離通道之幾何配置。當氣體分離通道包括具有小狹縫寬度之狹縫，且小狹縫寬度仍提供基板傳送通過狹縫時，可達成良好之氣體分離因子。狹縫寬度可決定於氣體分離單元之調整、基板之厚度及塗佈鼓之溫度。
因此，經常檢查氣體分離通道可為合理的，以確保處理氣體流動通過氣體分離通道係少的，但基板係仍通過氣體分離通道。氣體分離通道之傳統幾何測量可能係不足夠的。
有鑑於上述，提供一種檢查在真空腔室中之數個真空處理區域之間延伸的氣體分離通道之氣體分離品質的可靠方法係有需求的，使得氣體分離通道可適當地調整。
有鑑於上述，提供一種檢查在一真空腔室中之一氣體分離通道之一氣體分離品質之方法。再者，一種真空處理設備、一種真空沈積設備、及數個操作一真空沈積設備之方法係提供。
根據本揭露之一方面，一種檢查在一真空腔室中之一第一真空處理區域及至少一第二真空處理區域之間延伸之一氣體分離通道之一氣體分離品質的方法係提供，其中氣體分離通道裝配成在減少此些真空處理區域之間的一氣流時用於一基板之一 通路。此方法包括導引一測試氣體至第一真空處理區域中；以及測量此至少一第二真空處理區域中之一背景氣體中之測試氣體的一第一成份。
根據一其他方面，一種真空處理設備係提供，特別是用於執行此處所揭露之方法。真空處理設備包括：一真空腔室；一第一真空處理區域、至少一第二真空處理區域、及延伸於第一真空處理區域及此至少一第二真空處理區域之間的一氣體分離通道，其中氣體分離通道係裝配成在減少從第一真空處理區域至此至少一第二真空處理區域中之一氣流時用於一基板之一通路；一第一氣體入口，用以導引一測試氣體至第一真空處理區域中；以及一測試氣體感測器，裝配以測量此至少一第二真空處理區域中之一背景氣體中之測試氣體的一第一成份。
根據再另一方面，一種真空處理設備係提供，特別是用於執行此處所揭露之方法。真空沈積設備包括：一真空腔室；以及一第一真空處理區域及至少一第二真空處理區域，第一真空處理區域及此至少一第二真空處理區域配置於真空腔室中；一第一沈積源，設置於第一真空處理區域中且裝配以用於沈積一第一材料之一薄層於基板上，及第二沈積源設置於此至少一第二真空處理區域中且裝配以用於沈積一第二材料之一薄層於基板上；一基板支撐件，具有一基板支撐表面，用以沿著一氣體分離通道從第一真空處理區域導引基板至此至少一第二真空處理區域，或反之亦然；一第一氣體入口，用以導引一測試氣體至第一真空處理 區域中；以及一測試氣體感測器，裝配以測量此至少一第二真空處理區域中之一背景氣體中之測試氣體的一第一成份。
於一些實施例中，真空沈積設備係為一卷對卷沈積系統，特別是包括至少一CVD沈積源之卷對卷沈積系統。
根據再另一方面，一種操作一真空沈積設備之方法係提供，此方法包括檢查配置在一真空腔室中之一第一真空處理區域及至少一第二真空處理區域之間之一氣體分離通道之一氣體分離品質，其中氣體分離通道裝配成在減少從第一真空處理區域至此至少一第二真空處理區域中的一氣流時用於一基板之一通路，其中一測試氣體係導引至第一真空處理區域，以及測量存在於此至少一第二真空處理區域中之一背景氣體中之測試氣體的一第一成份係測量；此方法更包括：根據已測量之成份調整氣體分離通道；沿著氣體分離通道從第一真空處理區域導引一基板至此至少一第二真空處理區域；以及於第一真空處理區域中沈積一第一材料膜於基板上，且於此至少一第二真空處理區域中沈積一第二材料膜於基板上。
本揭露之其他方面、優點、及特徵係透過附屬申請專利範圍、說明、及所附之圖式更為清楚。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
1、5‧‧‧真空處理設備
2、101、501‧‧‧真空腔室
3、503‧‧‧主空間
10‧‧‧第一真空處理區域
12‧‧‧第二真空處理區域
20、121‧‧‧氣體分離通道
21‧‧‧狹縫
22‧‧‧氣體分離牆
25‧‧‧中央區段
30‧‧‧第一氣體入口
31‧‧‧測試氣體
32‧‧‧背景氣體
35‧‧‧第二背景氣體
33‧‧‧第一成份
34‧‧‧第二成份
36‧‧‧第二氣體入口
41‧‧‧排氣接線
42‧‧‧第二區域真空泵
43‧‧‧第一區域真空泵
50‧‧‧測試氣體感測器
51‧‧‧第二測試氣體感測器
52‧‧‧主腔室測試氣體感測器
60‧‧‧分離氣體
61‧‧‧分離氣體入口
70‧‧‧主泵送出口
71‧‧‧主腔室真空泵
80‧‧‧基板支撐件
100、500‧‧‧真空沈積設備
104‧‧‧滾軸
106‧‧‧基板
110‧‧‧塗佈鼓
111‧‧‧鼓軸
120‧‧‧氣體分離單元
122‧‧‧牆
130、510‧‧‧第一沈積源
131、520‧‧‧第二沈積源
523‧‧‧預處理電漿源
524‧‧‧氣閘
525、527‧‧‧間隔件滾軸
526‧‧‧第二滾軸
528‧‧‧第一滾軸
529‧‧‧預熱單元
530‧‧‧第三沈積源
710、720、810、811、812、820、830‧‧‧方塊
X、Y‧‧‧箭頭
為了使本揭露的上述特徵可詳細地瞭解，簡要摘錄於上之本揭露更特有之說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於本揭露之數個實施例且係說明於下文中。典型之實施例係繪示於圖式中且詳細說明於下方說明中。
第1圖繪示根據此處所述實施例之用於基板之處理的真空處理設備之剖面圖，真空處理設備可根據此處所述之方法操作以用於檢查氣體分離通道之氣體分離品質；第2圖繪示根據此處所述實施例之用於基板之處理的真空處理設備之剖面圖，真空處理設備可根據此處所述之方法操作以用於檢查氣體分離通道之氣體分離品質；第3圖繪示根據此處所述實施例之卷對卷沈積設備之示意圖，卷對卷沈積設備可根據此處所述之方法操作以用於檢查氣體分離通道之氣體分離品質；第4圖繪示根據此處所述實施例之卷對卷沈積設備之示意圖，卷對卷沈積設備可根據此處所述之方法操作以用於檢查氣體分離通道之氣體分離品質；第5圖繪示根據此處所述方法操作時於真空處理設備中之各種氣體流動之示意圖；第6圖繪示用以根據此處所述方法操作之卷對卷熱燈絲化學氣相沈積(CVD)設備(HWCVD系統)之剖面圖；第7圖繪示根據此處所述實施例之檢查氣體分離通道之氣體分離品質之方法的流程圖；以及 第8圖繪示根據此處所述實施例之用以沈積薄膜於基板上之操作真空沈積設備之方法的流程圖。
詳細的參照將以數種實施例來達成，數種實施例之一或多個例子係繪示於各圖式中。各例子係藉由說明的方式提供且不意味為一限制。舉例來說，所說明或敘述而作為一實施例之部份的特徵可用於任何其他實施例或與任何其他實施例結合，以取得再其他實施例。此意指本揭露包括此些調整及變化。
在圖式之下方說明中，相同參考編號係意指相同或類似之元件。一般來說，僅有有關於個別實施例之相異處係進行說明。除非另有說明，在一實施例中之一部份或方面之說明係亦應用於另一實施例中之一對應部份或方面。
第1圖繪示根據此處所述實施例之用於基板之處理的真空處理設備1之示意圖，基板舉例為軟性基板，軟性基板例如是網格(web)。真空處理設備1包括真空腔室2、第一真空處理區域10及第二真空處理區域12，第一真空處理區域10位於真空腔室2中，第二真空處理區域12位於真空腔室2中。真空腔室2係提供，使得真空可於真空腔室2中產生，真空也就是低於大氣壓力之壓力，舉例為低於10mbar或低於1mbar之壓力。特別是真空沈積技術之各種真空處理技術可使用以處理基板，舉例為沈積薄膜於基板。
此處所使用之「用於基板之通路」可意指為一通道，例如是在兩個真空處理區域之間的一開孔或一狹縫，具有適用於從第一真空處理區域導引基板至第二真空處理區域之尺寸，及/或反之亦然。基板可為薄基板，舉例為具有少於1mm或少於0.5mm之厚度的薄膜或網格。因此，通路於基板之厚度方向上之尺寸可為小的，舉例為2mm或更少、1mm或更少、或0.5mm或更少。通路可形成於基板支撐件與真空處理區域之牆部件之間，基板支撐件用以導引基板。在一些實施例中，通路之橫向尺寸可本質上對應於基板之橫向尺寸。舉例來說，通路之橫向尺寸可為30cm或更多，或者1m或更多。
在此些真空處理區域之其中一者中的「背景氣體」可定義為存在於個別之真空處理區域中之氣體。背景氣體可例如是由分離氣體(舉例為惰性氣體)、處理氣體、測試氣體、淨化氣體及/或其他殘留氣體成份所組成。當執行此處所述之方法時，背景氣體可主要地包括分離氣體。
此處所使用之「真空處理區域」可意指為在真空腔室之主空間內可用以處理基板之一區域，其中處理可包括致使基板之表面接觸處理氣體。真空處理區域可藉由牆區段與真空腔室之主空間分離，但仍可經由氣體分離通道與主空間連通。真空處理區域可至少部份地由配置於真空腔室中之沈積源的源殼體定義。
真空處理技術可包括導引第一處理氣體至第一真空處理區域10中，使得第一處理氣體可與基板化學或物理反應。再者，真空處理技術可包括導引第二處理氣體至第二真空處理區域12中，使得第二處理氣體可與基板化學或物理反應。第二處理氣體可不同於第一處理氣體。於許多情況中，應考慮在第一及第二真空處理區域之間的氣體分離，以避免在不同處理氣體之間的不需要的化學反應，及/或以避免基板上的第一材料層被第二材料成份污染，或反之亦然。
處理氣體可包括前驅氣體、反應氣體、惰性氣體、蝕刻氣體、藉由化學氣相沈積(CVD)、物理氣相沈積(PVD)、電漿輔助化學氣相沈積(PECVD)、濺射、HWCVD或類似之沈積技術之至少一者以用於沈積薄膜於基板上之氣體、用以蝕刻沈積層之氣體、及用以摻雜沈積層的氣體之至少一者或多者。
第1圖繪示由一或多個分離牆分離之第一真空處理區域10及第二真空處理區域12之示意圖。氣體分離通道20係設置於第一真空處理區域10及第二真空處理區域12之間，氣體分離通道20係裝配成用於基板之通路。因此，基板可首先在第一真空處理區域10中處理、沿著氣體分離通道傳送至第二真空處理區域12、及接著在第二真空處理區域12中處理。然而，氣體分離通道20可讓氣體流動於此些真空處理區域之間。因此，氣體分離通道20可裝配，使得於此些真空處理區域之間之氣體流動減少，且同時仍允許基板於此些真空處理區域之間傳送。舉例來說，繪示於 第1圖中之氣體分離通道20之狹縫21的寬度可為5mm或更少，特別是2mm或更少。
舉例為在CVD卷對卷網格塗佈系統中來說，當在真空處理區域中利用具有高氣體裝載之處理技術時，氣體分離係扮演主要的角色。在此些真空處理區域之至少一者中之操作壓力可為在mbar範圍中，舉例為在0.1及5mbar之間，特別是約1mbar。
氣體分離可藉由使用分離氣體流動來改善，而避免個別處理氣體之不需要的部份流動(擴散)通過氣體分離通道進入相鄰之真空處理區域。然而，分離氣體更增加在個別之真空處理區域中之背景壓力。
為了保證沈積膜之良好特性，在兩個或多個真空處理區域之間的氣體分離之品質可經常核查或檢查。當導引氣體進入第一真空處理區域中時，藉由測量在第二真空處理區域中增加之(總)壓力，在低背景壓力檢查個別之氣體分離因子可為可行的，或反之亦然，低背景壓力舉例為低於10-3mbar之背景壓力。然而，當數個數量級之氣體分離因子係在背景壓力為舉例為>0.1mbar之mbar範圍中被量測時，總壓力測量可能係困難的。
根據此處所述之檢查氣體分離通道20之氣體分離品質之方法，測試氣體31係導引至第一真空處理區域10中，且存在於此至少一第二真空處理區域12中之背景氣體32中之測試氣體的第一成份33係進行測量。於一些實施例中，舉例為經由可操作於真空條件下之測試氣體感測器，測量係在真空腔室之內側執 行。於一些實施例中，舉例為經由可操作於大氣條件下之測試氣體感測器，測量係在真空腔室之外側執行，例如是在真空泵之排氣接線中，真空泵之排氣接線係裝配以用於泵送氣體離開個別之真空處理區域。也就是說，在背景氣體32中之測試氣體之成份並非必須在第二真空處理區域之內側測量，但背景氣體32可導引至可執行測試氣體成份之量測的真空腔室外。
其中，第一真空處理區域及第二真空處理區域係可交換的。也就是說，所述之方法可取代地或額外地包括導引測試氣體31至第二真空處理區域12中，及測量存在於第一真空處理區域10中之測試氣體的成份。
測量測試氣體之第一成份33可包括測量取自第二真空處理區域12之背景氣體32中之測試氣體之第一成份(舉例以百萬分率(in parts per million，ppm)表示)。舉例來說，背景氣體32係泵送出第二真空處理區域12，因此在背景氣體中之測試氣體的第一成份33係進行測量。在真空泵之排氣接線中的已測量之成份可對應於在第二真空處理區域12之內側的成份(舉例為以ppm表示)。
於一些實施例中，測量測試氣體之第一成份33包括測量在第二真空處理區域12中之背景氣體32中之測試氣體的濃度、分壓、分子密度(分子/體積)、及莫耳分數之至少一者。於一些實施例中，第二真空處理區域中之(絕對)壓力也進行測量。基於在第二真空處理區域中之(絕對)壓力及在背景氣體32中之測試 氣體之第一成份33，可決定出第二真空處理區域12中之測試氣體之分壓及/或濃度。
如果在第二真空處理區域中之測試氣體之已決定的第一成份33(舉例為相對於背景氣體32以ppm表示)係高於預定之閥值，氣體分離通道之氣體分離品質可定義為不足夠的。在此情況中，舉例為藉由調整氣體分離通道之狹縫寬度、調整在氣體分離通道中之分離氣體之流動、調整連接於真空腔室或真空處理區域之一或多個真空泵之真空泵送率之至少一者，氣體分離通道可調整。
測試氣體之第一成份33可藉由測試氣體感測器50測量，測試氣體感測器50也就是特別裝配以用於測量測試氣體之感測器。此係因為舉例為藉由殘留氣體分析儀(RGA)在高於0.1mbar之高背景壓力下同時分析可能存在於第二真空處理區域12中之背景氣體32中之各種氣體來說，可能不夠靈敏或可能送出不實際之數值。特別是，在高背景壓力下操作殘留氣體分析儀可能係困難的。另一方面，特別裝配以用於測量測試氣體之特定之測試氣體感測器50可為高靈敏的且可在高背景壓力下可操作的，舉例為在0.1mbar或更多、或1mbar或更多之背景壓力下。
如果測試氣體之已測量之第一成份33係低於預定之閥值，氣體分離品質可定義為足夠的，且真空處理系統可使用以用於處理基板。
根據此處所述之方法，特別是藉由使用特定之測試氣體感測器，在背景壓力之特定之測試氣體之非常小的成份(舉例以百萬分率表示)或非常小之分壓可進行測量，背景壓力可達到高於5個數量級。
於此處所述之一些實施例中，使用用於特定之測試氣體之具有非常高靈敏度的感測器。舉例來說，於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，可使用光學或光譜測試氣體感測器。
舉例來說，測試氣體感測器可包括光源及光偵測器，且測試氣體之光譜特性係進行測量，測試氣體之光譜特性舉例為在測試氣體之特徵波長之吸收。特別是，測試氣體感測器可具有紅外線源、測量腔室、干涉濾光器(interference filter)、及紅外線偵測器。包括測試氣體之將檢查之氣體可通過測量腔室，且由氣體吸收之光可進行量測。濾光器可位於光偵測器之前方且可裝配以避免特定之測試氣體以外之波長通過偵測器。光強度可由偵測器偵測且轉換成測試氣體成份值，舉例為測試氣體濃度值。舉例來說，可測量測試氣體之體積濃度。
於一些實施例中，測試氣體感測器可為紅外線氣體感測器。裝配以用於測量測試氣體之第一成份的化學氣體感測器或其他氣體感測器可取代地或額外地使用。
測試氣體31可經由第一氣體入口30導入第一真空處理區域10中，第一氣體入口30可為第一真空處理區域10之處理氣 體入口。因此，在檢查氣體分離品質時，操作條件可仿造，而可取得可靠的測試結果。特別是，測試氣體可以預定之測試氣體流動速率導入第一真空處理區域10中，預定之測試氣體流動速率可為固定之流動速率。測試氣體可導引數秒之時間區段，舉例為10秒或更多，且更特別是數分鐘，特別是5分鐘或更多，直到此些真空處理區域之間的真空腔室中及/或排氣線路中的本質上固定之氣體流動速率可建立。特別是，在沈積期間之操作條件可實質上與關閉之設備中之條件有所差異，特別是在高氣體裝載於操作期間在此些CVD真空處理區域之間使用時。由於操作條件可仿造，此處所述方法係提供分離品質之可靠測量。
藉由使用具有類似於在操作期間將使用之處理氣體之特性的特性之測試氣體，操作條件可進一步仿造，操作期間舉例為薄膜沈積期間。舉例來說，在真空處理設備之操作期間，測試氣體之分子量可類似於將使用之處理氣體之分子量。測試氣體之揮發性可選擇性地或額外地類似於將使用之處理氣體之揮發性。於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，測試氣體具有5g/mol或更多及500g/mol或更少之分子質量，特別是20g/mol或更多及100g/mol或更少之分子質量。更特別是，測試氣體之分子量可在40及50g/mol之間。
舉例來說，在一些情況中，氦氣可能太具揮發性而無法提供可靠的結果。特別是，利用氦作為測試氣體可能為原則 性工作(principle work)，但可能因氦之小分子尺寸及/或重量而傳送出太保守之數值。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，測試氣體係CO2氣體。再者，測試氣體之第一成份33可經由CO2感測器測量，特別是經由光學或光譜CO2感測器。
利用CO2氣體作為測試氣體31可提供下述之優點：用以測量CO2之具有3ppm或更佳之高靈敏度的感測器係為市售的。在典型之真空處理設備中之CO2背景壓力係低的，使得測量結果不會被先前存在之CO2分子負面地影響。CO2係無毒的且普遍使用的。CO2對光學測量系統來說係起作用，而用於其他氣體之感測器僅可在氧氣存在下進行操作。再者，CO2氣體之特性可類似於典型使用之處理氣體之特性。CO2測試氣體係致使非常準確之測量結果，使得氣體分離通道之分離品質可以非常準確之方式決定。
於一些實施例中，CO2以外之其他氣體可利用來做為測試氣體，特別是市售且一般不大量存在真空處理腔室中之無毒氣體。
測試氣體之第一成份33可於真空泵42之排氣接線41中測量，真空泵42之排氣接線41係連接於此至少一第二真空處理區域。舉例來說，測試氣體感測器可擺置於真空泵42之排氣接線41中或相鄰於真空泵42之排氣接線41，真空泵42之排氣接線41係裝配以用於泵送第二真空處理區域12之內部空間。此 係因為通過排氣接線41所泵送之排氣氣體之成份可準確地或本質上對應於存在於第二真空處理區域12中之氣體之成份。舉例來說，第二真空處理區域12可包括泵送出口，連接於真空泵42，使得第二真空處理區域12可直接地泵送。
在真空處理設備之常態處理期間，舉例為惰性氣體之淨化氣體可提供於真空泵中，以避免反應處理氣體之不需要的化學反應，反應處理氣體可能同時地潛在流經真空泵。當測試氣體之第一成份33係在根據此處所述之方法之真空泵之排氣接線41中測量時，淨化氣體供應器可關閉。此係因為在真空泵中之淨化氣體可能負面地影響測量準確性。
測量排氣接線41中之測試氣體之第一成份33可具有測試氣體感測器50之靈敏度可決定於絕對氣體壓力之進一步的優點。因此，配置測試氣體感測器50於大氣壓力可為有利的。
如第1圖中所示，測試氣體31可經由第一氣體入口30進入第一真空處理區域10，經由第一氣體入口30舉例為經由處理氣體入口。第一真空處理區域10可由第一區域真空泵43泵取，第一區域真空泵43連接於第一真空處理區域10之內部空間。在第一真空處理區域10中之測試氣體31之主部份可由第一區域真空泵43泵取，且只有測試氣體之小部份可能沿著氣體分離通道20擴散到第二真空處理區域12中。
如第1圖中更進一步所示，氣體分離通道20可至少部份地配置成在氣體分離牆22及基板支撐件80之間的狹縫21， 基板支撐件80係配置以用於支撐基板。於一些實施例中，狹縫21之寬度可為可調整的，舉例為根據基板支撐件80之溫度及/或根據將沿著氣體分離通道20傳送之基板的厚度。於一些實施例中，狹縫21之寬度可在數毫米之範圍中，舉例為5mm、2mm、1mm或更少。
進入第二真空處理區域12之部份的測試氣體可由真空泵42泵取，真空泵42係連接於第二真空處理區域12之內部空間。第二真空處理區域12之背景氣體32中的測試氣體之第一成份33可由測試氣體感測器50測量，測試氣體感測器50配置於真空泵42之排氣接線41中。
第2圖繪示根據此處所述實施例之真空處理設備5之示意圖。真空處理設備5大體上類似於繪示於第1圖中之真空處理設備1，以可參照上述之說明且上述之說明不於此重複。
如第2圖中所示之真空處理設備5包括真空腔室2，其中第一真空處理區域10及第二真空處理區域12係配置於真空腔室2中。用以減少在此些真空處理區域之間之氣流的氣體分離單元係提供。基板可沿著氣體分離通道20傳送於第一真空處理區域10及第二真空處理區域12之間。氣體分離通道可至少部份地提供而作為在基板支撐件80及氣體分離單元之間的狹縫，氣體分離單元包括氣體分離牆22。氣體分離單元之不同配置及氣體分離通道20之不同配置係可行的。
於一些實施例中，第一真空處理區域10係由第一區 域真空泵43所泵取，且第二真空處理區域12係由第二區域真空泵42所泵取。測試氣體感測器50係提供而用以測量第二真空處理區域12之背景氣體中之測試氣體之第一成份33，且第二測試氣體感測器51係提供而用以測量第一真空處理區域10之第二背景氣體35中之測試氣體之第二成份34。測試氣體之第二成份34之量測可包括測量取自或泵取自第一真空處理區域10之第二背景氣體35中之測試氣體之第二成份。參照係透過上方之說明達成，上方之說明有關於測量存在於第二真空處理區域12中之背景氣體32中之測試氣體之第一成份33。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，測試氣體感測器50係設置於第二區域真空泵42之排氣接線41中或相鄰於第二區域真空泵42之排氣接線41，第二區域真空泵42之排氣接線41係用以測量泵取自第二真空處理區域之排氣氣體中之測試氣體成份。第二測試氣體感測器51可提供在第一區域真空泵43之排氣接線中或相鄰於第一區域真空泵43之排氣接線，第一區域真空泵43之排氣接線係用以測量泵取自第一真空處理區域之排氣氣體中之測試氣體成份。在排氣氣體中流經個別排氣線路的測試氣體之成份可測量。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，測試氣體31係舉例為在固定流動速率下導引至第一真空處理區域10中。接著，舉例為在等待5分鐘或更長的時間之後，第一成份33係藉由測試氣體感測器50測量，且第二成份34係藉由第 二測試氣體感測器51測量。第一成份33可與第二成份34相較。舉例來說，例如是藉由計算在第一及第二真空處理區域中之測試氣體之個別之分壓或成份(以百萬分率表示)之間的比，第二成份34及第一成份33之間的比可計算出來。
第二成份34及第一成份33之間較大的比可表示良好之氣體分離品質，較大的比舉例為大於10,000之比，特別試大於100,000之比。也就是說，多於10,000或多於100,000之高分離因子係有利的。於一些實施例中，當比係小於10,000或小於100,000時，氣體分離通道可進行調整。於一些實施例中，舉例為當第一及第二真空處理區域中之背景氣體壓力係大略地相等時，對於存在於第一真空處理區域中之測試氣體之每100,000分子來說，不會有多於測試氣體之1分子應該存在於第二真空處理區域中。否則，氣體分離通道可重新調整。
以類似之方式來說，氣體分離品質可以相反方向進行測量，也就是從第二真空處理區域12至第一真空處理區域10中。在此情況中，測試氣體可舉例為經由第二氣體入口36導引至第二真空處理區域12中，第二氣體入口36可為第二真空處理區域12之處理氣體入口。在此情況中，存在於第一真空處理區域中之測試氣體之第二成份34係可經由第二測試氣體感測器51進行測量。
於一些實施例中，多於兩個真空處理區域可配置於真空腔室2中，舉例為可沿著基板之傳送方向相鄰於彼此配置之 三個、四個或多個真空處理區域。真空處理區域可經由氣體分離通道連接，類似於參照第1圖說明之氣體分離通道20。多於兩個，特別是全部之真空處理區域可設置而具有測試氣體感測器，用以測量在個別之真空處理區域中之測試氣體。接著，在相鄰之真空處理區域之間的個別之氣體分離通道之氣體分離品質可以類似方式檢查。在適當的情況下，全部之真空處理設備之氣體分離品質可監控且可進行修正。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，主腔室測試氣體感測器52係設置而用以測量在真空腔室2之主空間3之背景氣體中之測試氣體的成份。舉例來說，主腔室測試氣體感測器52可配置於主腔室真空泵之排氣接線中。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，分離氣體60係導引至第一真空處理區域10及第二真空處理區域12之間的氣體分離通道20中。用以導引分離氣體至氣體分離通道20之一或多個分離氣體入口61可配置，使得在氣體分離通道20之至少一部份中之分離氣體60之第一主流方向係相反於測試氣體之第二主流方向。當操作真空處理設備5時，此些真空處理區域之間的分離品質可由導入分離氣體改善。
如上方已經指出，當執行根據此處所述實施例之方法時，操作條件可仿造，以達成氣體分離品質之可靠指示。因此，當分離氣體60係導引至氣體分離通道20中時，測量測試氣體之第一成份33可為有利的。可使用典型之分離氣體，特別是惰性氣 體，舉例為N2。於一些實施例中，在氣體分離通道中之分離氣體之流動速率可對應於在操作條件下之典型之流動速率。分離氣體流動速率可舉例為高於測試氣體流動速率10、100或更多倍。
分離氣體60可於多於一個的分離氣體入口61進行導引。舉例來說，第一分離氣體入口可設置於第一真空處理區域10之側壁中，且第二分離氣體入口可設置於第二真空處理區域12之側壁中。
如第2圖中所示，於一些實施例中，氣體分離通道20可在第一真空處理區域10及第二真空處理區域12之間的至少一區段中對真空腔室2之主空間3開放，舉例為在兩個狹縫區段之間的中央區段25中。
分離品質可藉由從連接於真空腔室2之主空間3的主泵送出口70泵取來進一步改善。由於氣體分離通道20係至少部份地對主空間3開放，沿著氣體分離通道20流動之測試氣體之主部份將由主腔室真空泵71泵取，主腔室真空泵71連接於主泵送出口70。只有小部份之測試氣體將進入第二真空處理區域12。
當執行根據此處所述實施例之方法時，第一真空處理區域10及/或第二真空處理區域12中之第一壓力可維持在0.1mbar及2mbar之間的範圍中，特別是在約1mbar。藉由調整測試氣體流動速率、調整分離氣體流動速率、及/或調整真空泵取速率，此背景壓力可調整。再者，分離氣體通道之幾何設置可調整，舉例為狹縫21之寬度。在真空處理設備之操作期間，舉例為薄膜 沈積期間，特別是在CVD系統中，0.1mbar或更多之壓力可對應於在此些真空處理區域中之壓力。
於一些實施例中，藉由維持第一壓力在較高於真空腔室2之主空間3中之第二壓力之程度，分離品質可進一步改善。在此情況中，流經氣體分離通道20之氣體易於進入真空腔室之主空間3，氣體係在真空腔室之主空間3由主腔室真空泵71泵取離開。
如第2圖中進一步所示，氣體分離通道20可包括第一狹縫、中央區段25、及第二狹縫，第一狹縫係分離第一真空處理區域10及真空腔室2之主空間3，中央區域25係對真空腔室2之主空間3開放，第二狹縫係分離主空間3及第二真空處理區域12。於一些實施例中，主泵送出口70係提供以用於泵取真空腔室2之主空間3。
第3圖繪示卷對卷沈積系統之剖面圖，上述方法可在此卷對卷沈積系統執行。卷對卷沈積系統係裝配成真空沈積設備100，用以在至少第一真空處理區域10及第二真空處理區域12中沈積薄膜於基板106上。
類似於上述實施例，此些真空處理區域係藉由至少一氣體分離單元彼此分離，其中裝配以作為用於基板106之通路之氣體分離通道20係設置於此些真空處理區域之間。氣體分離通道20及此些真空處理區域之設置可對應於上述實施例中之設置，以可參照上述之說明，而上述之說明係不於此重複。
在於此處揭露之真空沈積設備100中處理之基板106可為軟性基板，舉例為網格基板。軟性基板或網格分類成可彎曲的。舉例來說，如此處所述實施例中之網格可為箔或另一軟性基板。然而，如下方更詳細地說明，此處所述實施例之優點可亦提供給其他串連沈積系統之非彎曲之基板或載體。因此，可使用彎曲或凸的基板支撐件，或平面之基板支撐件80，彎曲或凸的基板支撐件舉例為如第3圖中所示之可旋轉之塗佈鼓110，平面之基板支撐件80舉例為如第2圖中所示之平面輸送器。再者，基板支撐件係不必須為可移動的，且基板可藉由其他裝置可移動於此些真空處理區域之間。
如第3圖中所示之真空沈積設備100包括真空腔室101。各種真空沈積技術可使用，以處理基板106或沈積薄膜於基板上。如第3圖中所示且參照此處，真空沈積設備100可為卷對卷沈積設備，支承受到導引且處理之軟性基板106。然而，根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此處所述之氣體分離之方面、細節、及特徵可亦應用於其他沈積設備，其中玻璃基板、晶圓、或可亦為不可彎曲的、或可提供在不可彎曲的載體中之另一基板係進行處理。
在第3圖中之軟性基板106係如箭頭X所示導引至真空腔室101中。舉例來說，軟性基板106可從退捲站導引至真空腔室101中。軟性基板係由滾軸104導引至塗佈鼓110，塗佈鼓110裝配以用於在處理及/或沈積期間支撐基板。如第3圖中所 示，特別是針對卷對卷沈積設備來說，基板支撐件可為塗佈鼓，塗佈鼓係繞著鼓軸111可旋轉。基板106係從塗佈鼓導引至其他滾軸104，且離開真空腔室101，如第二個箭頭X所示。
繪示於第3圖中之實施例包括第一沈積源130及第二沈積源131，第一沈積源130設置於第一真空處理區域10中，第二沈積源131設置於第二真空處理區域12中。在此些真空處理區域中，基板106係在處理時由塗佈鼓所支撐。然而，值得理解的是，根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，可設置多於兩個沈積源。舉例來說，可設置四個、五個、六個、或甚至更多個沈積源。真空處理區域係由氣體分離單元120與相鄰之真空處理區域分分離以及與真空腔室101之主空間分隔。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中，第一真空處理區域10係在第一角位置徑向地排列於塗佈鼓110外，及第二真空處理區域12係在第二角位置徑向地排列於塗佈鼓110外。
根據此處所述之一些實施例，氣體分離單元120係裝配以具有可變的位置，如箭頭Y所示。氣體分離單元120一般包括牆122，牆122避免於一真空處理區域中之氣體進入相鄰之區域，例如是相鄰之真空處理區域。再者，氣體分離通道20可至少部份地裝配成狹縫21，位於塗佈鼓110及狹縫牆124之間。
類似於上述之真空處理設備，此些真空處理區域之至少一者包括氣體入口，用以導引測試氣體31進入真空處理區域 中，測試氣體31舉例為CO2。測試氣體感測器50係與此其他真空處理區域有關，其中測試氣體感測器50係裝配以用以測量在此其他真空處理區域中之測試氣體之第一成份，也就是從個別之真空處理區域取出之背景氣體中的測試氣體之第一成份。
測試氣體感測器50可連接於真空泵之排氣接線，真空泵之排氣接線係設置以對此其他真空處理區域排氣。
再者，氣體分離通道121係配置於個別之真空處理區域之相對側上。特別是，軟性基板106可分別沿著第一氣體分離通道進入真空處理區域，且沿著第二氣體分離通道離開真空處理區域。
特別是分離氣體之氣體流動、分離氣體入口、氣體分離通道之細節及其他特徵係未繪示於第3圖中，以清楚地說明。就此方面而言，參照係透過上述之實施例達成。
於一些實施例中，二或多個真空處理區域之各者係設置有氣體入口，用以導引測試氣體，且二或多個處理區域之各者包括相關之測試氣體感測器，用以測量存在於個別之真空處理區域中之測試氣體之成份。因此，在任一對真空處理區域之間的真空分離品質可檢查，且未對準之分離氣體通道可簡易地定位且修正。
第4圖繪示其他卷對卷沈積系統之剖面圖，用以施行根據此處所述實施例之方法。卷對卷沈積系統係裝配成真空沈積設備500，用以在第一真空處理區域10及第二真空處理區域 12中沈積薄膜於基板106上。
真空沈積設備500包括真空腔室501，真空腔室501具有主空間503，其中具有第一沈積源510之第一源殼體及具有第二沈積源520之第二源殼體係經由固定裝置以氣體緊密方式直接或間接地貼附於真空腔室501，以此方式係使得源殼體至少部份地朝向基板支撐件突出於真空腔室501之主空間503。基板支撐件係為塗佈鼓110，繞著鼓軸111可旋轉。於一些實施例中，主腔室真空泵71係連接於泵送出口，泵送出口係設置而用於直接對主空間503排氣。
塗佈鼓110可設置有基板導引表面，用以移動軟性基板106通過包含連續之沈積源之源殼體的開放前側。第一沈積源510之源殼體可包括第一氣體入口30及排氣出口，第一氣體入口30用以導引處理氣體或測試氣體31進入第一真空處理區域10，排氣出口用以從第一真空處理區域10移除處理氣體或測試氣體。類似地，第二沈積源520之源殼體可包括第二氣體入口及排氣出口，第二氣體入口用以導引處理氣體或測試氣體至第二真空處理區域12中，排氣出口具有真空泵42連接於其，用以從第二真空處理區域12移除處理氣體或測試氣體。
測試氣體感測器50係設置而用以測量存在於第二真空處理區域12中之測試氣體之第一成份。
於一些實施例中，在移動通過沈積源之前，預處理電漿源523可利用電漿處理基板106，預處理電漿源523舉例為 射頻(RF)電漿源。真空沈積設備500可選擇地或額外地包括預熱單元529，以加熱軟性基板106。舉例來說，可提供輻射加熱器、電子束加熱器、或任何其他元件，以在基板處理前加熱基板。
能夠確保在真空腔室501之數個部件之間真空分離之氣閘524可額外地設置。基板106可從第一滾軸528收捲且可於數個間隔件滾軸525上傳送至基板106進行塗佈之塗佈鼓110。接著，基板可於其他間隔件滾軸525上傳送至第二滾軸526。此外，可提供間隔件滾軸527。
沈積源可設置成CVD沈積源，特別是熱燈絲CVD沈積源。第一氣體入口30可包括噴頭，裝配以於第一真空處理區域中平均地分佈處理氣體或測試氣體。
在一或多個分離器體入口位置處，用以導引分離氣體至氣體分離通道20之分離氣體引道(未繪示)可設置於源殼體之側壁中，分離氣體舉例為惰性氣體，例如是N2。特別是，裝配以用於導引分離氣體至氣體分離通道20之狹縫的二或多個分離氣體入口可沿著氣體分離通道設置。氣體分離通道20可更包括中央區段，中央區段係對真空腔室501之主空間503開放。氣體分離通道20之氣體分離品質可改善。
第5圖繪示在執行此處所述之方法時之氣體分離通道20中之各種氣流的示意圖，氣體分離通道20延伸於第一真空處理區域10及第二真空處理區域12之間。
第一區域真空泵43係連接於第一真空處理區域10， 第二區域真空泵42係連接於第二真空處理區域12，且主腔室真空泵71係連接於真空腔室之主空間。
分離氣體60可導引至氣體分離通道20之第一狹縫區段中及第二狹縫區段中，其中氣體分離通道20之中央區段可對主空間3開放。
測試氣體31可導引至第一真空處理區域10中。存在於第二真空處理區域12中之測試氣體之成份可經由測試氣體感測器50測量。於一些實施例中，測試氣體感測器係配置於第二區域真空泵42之排氣接線中。
第6圖繪示可裝配成熱燈絲CVD沈積系統之卷對卷沈積系統之部份的示意圖。沈積系統包括三個、四個、或更多個沈積源，舉例為第一沈積源510、第二沈積源520及第三沈積源530，其中源殼體包括真空處理區域，舉例為第一真空處理區域10及第二真空處理區域12。具有用以支撐及導引軟性基板106之基板支撐表面之塗佈鼓110係提供。
包括真空處理區域之源殼體係在個別之角位置徑向地配置於塗佈鼓外，以提供在源殼體之前牆與塗佈鼓之間的狹縫。狹縫係為此些真空處理區域之間之氣體分離通道20之部份。
根據此處所述之方法，測試氣體31係導引至第一真空處理區域中，且取自另一真空處理區域之背景氣體中的測試氣體之第一成份係進行測量。根據已測量之成份，氣體分離通道是否應該調整係可決定。根據此處所述之一些實施例，取自第一真 空處理區域之背景氣體中的測試氣體之第二成份係進行測量，且第一成份係與第二成份相較。
測試氣體可為CO2氣體，且測試氣體感測器可為特定之氣體感測器，特別是光學CO2感測器。
第7圖繪示根據此處所述實施例之檢查氣體分離通道之氣體分離品質之方法的流程圖。
在方塊710中，測試氣體係導引至第一真空處理區域中，且在方塊720中，在第二真空處理區域中之背景氣體之測試氣體的第一成份係測量。如果已測量之成份係高於預設之閥值，氣體分離品質可為不足的，且氣體分離通道可調整。
第8圖繪示根據此處所述實施例之操作用以沈積薄膜於基板上之真空沈積設備之方法的流程圖。
在方塊810中，配置在第一真空處理區域及第二真空處理區域之間的氣體分離通道之氣體分離品質係進行檢查。在方塊811中，測試氣體係導引至第一真空處理區域中，且在方塊812中，在第二真空處理區域中之背景氣體中之測試氣體的第一成份係測量。舉例來說，測試氣體之第一成份係於泵取自第二真空處理區域之背景氣體中測量，其中氣體感測器可配置於真空泵之排氣接線中。
導引測試氣體至第一真空處理區域中可包括提供連續之測試氣體流至第一真空處理區域中，特別是以固定之測試氣體之流動速率。測試氣體流動速率可類似於或可對應於利用來沈 積薄膜於基板上之典型之處理氣體流動速率。
於方塊820中，氣體分離通道係根據測試氣體之已測量之成份調整。舉例來說，藉由調整氣體分離通道之狹縫的寬度、調整分離氣體流動速率、調整泵取率及/或調整基板支撐件及/或沈積源之冷卻或加熱溫度，氣體分離通道可調整。
於方塊830中，當在第一真空處理區域中沈積第一材料膜於基板上且在第二真空處理區域中沈積第二材料膜於基板上時，基板係從第一真空處理區域沿著氣體分離通道導引至第二真空處理區域。沈積第一材料膜可包括導引第一CVD處理氣體至第一真空處理區域中，且沈積第二材料膜可包括導引第二CVD處理氣體至第二真空處理區域中。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (17)

  1. 一種檢查在一真空腔室(2)中之一第一真空處理區域(10)及至少一第二真空處理區域(12)之間延伸之一氣體分離通道(20)之一氣體分離品質的方法，其中該氣體分離通道(20)係裝配成在減少從該第一真空處理區域(10)至該至少一第二真空處理區域(12)中之一氣流時用於一基板之一通路，該方法包括：導引一測試氣體(31)至該第一真空處理區域(10)中；以及測量該至少一第二真空處理區域(12)中之一背景氣體(32)中之該測試氣體的一第一成份(33)，其中該測試氣體之該第一成份(33)係經由裝配以用於測量該測試氣體之一光學、一光譜或一化學氣體感測器測量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該測試氣體係為一CO2氣體，且該測試體體之該第一成份(33)係由一CO2感測器測量。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該CO2感測器係為一光學或一光譜CO2感測器。
  4. 如申請專利範圍第1至3項之任一項所述之方法，其中該測試氣體之複數個分子具有5g/mol或更多及500g/mol或更少之一分子質量。
  5. 如申請專利範圍第1至3項之任一項所述之方法，更包括： 測量該第一真空處理區域(10)中之另一背景氣體(35)中之該測試氣體的一第二成份(34)；以及比較該測試氣體之該第一成份(33)及該測試氣體之該第二成份(34)。
  6. 如申請專利範圍第1至3項之任一項所述之方法，更包括：導引一分離氣體(60)至該第一真空處理區域(10)及該至少一第二真空處理區域(12)之間的該氣體分離通道(20)中，其中在該氣體分離通道(20)之至少一部份中的該分離氣體(60)之一第一主流方向係相反於該測試氣體之一第二主流方向。
  7. 如申請專利範圍第1至3項之任一項所述之方法，其中該氣體分離通道(20)係在該第一真空處理區域(10)及該至少一第二真空處理區域(12)之間的一區段中對該真空腔室(2)之一主空間(3)開放，該方法更包括：從連接於該主空間(3)之一主泵送出口(70)真空泵送。
  8. 如申請專利範圍第1至3項之任一項所述之方法，其中在該第一真空處理區域(10)及該至少一第二真空處理區域(12)之至少一者中之一第一壓力係維持在0.1mbar及2mbar之間的一範圍中。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該第一壓力係維持在一較高於該真空腔室之一主空間(3)中的一第二壓力之程度。
  10. 一種用於一基板之處理的真空處理設備(1)，包括：一真空腔室(2)；一第一真空處理區域(10)、至少一第二真空處理區域(12)、及延伸於該第一真空處理區域(10)及該至少一第二真空處理區域(12)之間的一氣體分離通道(20)，其中該氣體分離通道(20)係裝配成在減少從該第一真空處理區域(10)至該至少一第二真空處理區域(12)中之一氣流時用於該基板之一通路；一第一氣體入口(30)，用以導引一測試氣體(31)至該第一真空處理區域(10)中；以及一測試氣體感測器(50)，裝配以用於測量該至少一第二真空處理區域(12)中之一背景氣體(32)中之該測試氣體的一第一成份(33)，其中該測試氣體感測器(50)係為一光學、一光譜或一化學氣體感測器，裝配以用於測量該測試氣體。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之真空處理設備，其中該測試氣體感測器(50)配置於一真空泵(42)之一排氣接線(41)中或相鄰於該真空泵(42)之該排氣接線(41)，該真空泵(42)之該排氣接線(41)係連接於該至少一第二真空處理區域(12)。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之真空處理設備，其中該測試氣體感測器係為一光譜CO2感測器。
  13. 如申請專利範圍第10至12項之任一項所述之真空處理設備，其中該氣體分離通道(20)係至少部份地裝配成一狹縫 (21)，位於一氣體分離牆(22)及一基板支撐件(80)之間，該基板支撐件(80)用以支撐該基板。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之真空處理設備，其中該基板支撐件(80)係為一塗佈鼓(110)，裝配以繞著一鼓軸(111)旋轉，其中該第一真空處理區域(10)係在一第一角位置徑向地配置於該塗佈鼓(110)之外側，及該至少一第二真空處理區域(12)係在一第二角位置徑向地配置於該塗佈鼓之外側。
  15. 如申請專利範圍第10至12項之任一項所述之真空處理設備，更包括一、二、或更多個分離氣體入口(61)，裝配以用於導引一分離氣體至該分離氣體通道(20)中。
  16. 如申請專利範圍第10至12項之任一項所述之真空處理設備，其中該氣體分離通道(20)包括一第一狹縫、一中央區段(25)及一第二狹縫，該第一狹縫分離該第一真空處理區域(10)與該真空腔室(2)之一主空間(3)，該中央區段(25)對該真空腔室(2)之該主空間(3)開放，該第二狹縫係分離該主空間(3)與該至少一第二真空處理區域(12)，其中一主泵送出口(70)係提供以用於泵送該真空腔室(2)之該主空間(3)。
  17. 一種用以沈積一薄膜於一基板(106)上之真空沈積設備(100)，包括：一真空腔室(2)、一第一真空處理區域(10)、及至少一第二真空處理區域(12)，該第一真空處理區域(10)及該至少一第二真空處理區域(12)配置於該真空腔室(2)中； 一第一沈積源(130,510)及一第二沈積源(131,520)，該第一沈積源(130,510)設置於該第一真空處理區域(10)中且裝配以用於沈積一第一材料之一薄層於該基板(106)上，該第二沈積源(131,520)設置於該至少一第二真空處理區域(12)中且裝配以用於沈積一第二材料之一薄層於該基板(106)上；一基板支撐件(80)，具有一基板支撐表面，用以沿著一氣體分離通道(20)從該第一真空處理區域(10)導引該基板至該至少一第二真空處理區域(12)，或反之亦然；一第一氣體入口(30)，用以導引一測試氣體(31)至該第一真空處理區域(10)中；以及一測試氣體感測器(50)，裝配以用於測量該至少一第二真空處理區域(12)中之一背景氣體(32)中之該測試氣體的一第一成份(33)，其中該測試氣體感測器(50)係為一光學、一光譜或一化學氣體感測器，裝配以用於測量該測試氣體。
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