JP2023501600A - ガス伝達システム及び方法 - Google Patents

Abstract

本システムは、第１のガスを伝達するためのメインラインと、メインラインを通じて伝達される第１のガス中の前駆体の濃度を測定するためのセンサと、を備えうる。本システムは、第１の処理チャンバ及び第２の処理チャンバのそれぞれへの流体アクセスを提供するための第１のサブライン及び第２のサブラインをさらに含みうる。第１のサブラインが、第１のサブラインを流過する第１のガスを制御するための第１の流量コントローラを含みうる。第２のサブラインが、第２のサブラインを流過する第１のガスを制御するための第２の流量コントローラを含みうる。伝達コントローラが、第１のガスと第２のガスとの第１の混合物、及び第１のガスと第２のガスとの第２の混合物をそれぞれ、第１の半導体処理チャンバ及び第２の半導体処理チャンバに伝達するように、前駆体の測定された濃度に基づいて第１の流量コントローラ及び第２の流量コントローラを制御するよう構成されうる。【選択図】図２

Description

関連出願の相互参照

本出願は、２０１９年１１月１２日に出願された米国特許出願第６２／９３４，３１７号の優先権の利益を主張し、その内容は、全ての目的のためにその全体が参照により本明細書に組み込まれる。

本技術は、半導体プロセス及び装置に関する。より具体的には、本技術は、ガスの検出、制御、及び／又は伝達のための半導体処理システム及び方法に関する。

集積回路は、基板表面上に複雑にパターニングされた材料層を生成するプロセスによって可能となる。次世代デバイスにおいてデバイスの大きさが縮小し続けるにつれて、均一性及び処理条件の正確な制御が重要性を増し続けており、チャンバ設計及びシステムセットアップが、生産されるデバイスの品質において重要な役割を果たしうる。したがって、高品質のデバイス及び構造を作製するために使用することが可能なシステム及び方法が必要とされている。

本技術の実施形態は、前駆体伝達のための方法を含みうる。例示的な方法が、第１の伝達メインラインを通じて第１のガスを流すことを含みうる。第１のガスが、前駆体及び希釈ガスを含みうる。第１の伝達メインラインが、当該第１の伝達メインラインの下流で第１の伝達サブライン及び第２の伝達サブラインと流体的に接続されうる。第１の伝達サブラインは、第１の伝達メインラインから第１の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成されうる。第２の伝達サブラインは、第１の伝達メインラインから第２の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成されうる。本方法は、第１の伝達メインラインを通じて伝達される第１のガスに含有される前駆体の濃度を測定することをさらに含みうる。本方法はまた、前駆体の測定された濃度に少なくとも部分的に基づいて、第１の伝達サブラインを通じて伝達される第１のガスの第１の流量を調節することと、前駆体の測定された濃度に少なくとも部分的に基づいて、第２の伝達サブラインを通じて伝達される第１のガスの第２の流量を調節することと、を含む。本方法は、第１のレシピ設定点に従って、第１の半導体処理チャンバに、第１の伝達サブラインを通じて伝達された第１のガスと、希釈ガスを含みうる第２のガスと、の第１の混合物を伝達することをさらに含みうる。本方法はまた、第２のレシピ設定点に従って、第２の半導体処理チャンバに、第２の伝達サブラインを通じて伝達された第１のガスと、第２のガスと、の第２の混合物を伝達することを含みうる。第１の混合物及び第２の混合物が、それぞれ第１の半導体処理チャンバ及び第２の半導体処理チャンバに同時に伝達されうる。

幾つかの実施形態において、前駆体がジボランを含みうる。幾つかの実施形態において、希釈ガスが水素を含みうる。幾つかの実施形態において、前駆体の濃度が、光吸収センサを使用して測定されうる。幾つかの実施形態において、光吸収センサが、細長い光学セルを含みうる。第１のガスに含有される前駆体の濃度が光吸収センサによって測定されうる間、細長い光学セルは、第１のガスを、細長い光学セルの長手方向軸に沿って細長い光学セルの少なくとも一部分を流過するように方向付けるよう構成されうる。幾つかの実施形態において、光吸収センサが、細長い光学セルの第１の末端を画定する光学フィルタを含みうる。光学フィルタが、以下の波数、即ち、１，６００±１００ｃｍ^－１又は２，５２０±１００ｃｍ^－１のうちの１つ以上を有する赤外放射が透過することを可能とするよう構成されうる。幾つかの実施形態において、光吸収センサが、細長い光学セルの第２の末端を画定する光学窓を含みうる。光学窓を透過して細長い光学セルに入射する光が、約４００ｃｍ^－１と約３，０００ｃｍ^－１との間の波数を有する赤外放射を含みうる。

幾つかの実施形態において、第１のレシピ設定点が、第１のガスと第２のガスとの第１の混合物に含有される前駆体の第１の濃度を定めうる。第２のレシピ設定点が、第１のガスと第２のガスとの第２の混合物に含有される前駆体の第２の濃度を定めうる。幾つかの実施形態において、本方法は、第２の伝達メインラインを通じて第２のガスを流すことをさらに含みうる。第２の伝達メインラインが、当該第２の伝達メインラインの下流で第３の伝達サブライン及び第４の伝達サブラインと流体的に接続されうる。第３の伝達サブラインが、第２の伝達メインラインから第１の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成されうる。第４の伝達サブラインが、第２の伝達メインラインから第２の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成されうる。本方法はまた、前駆体の測定された濃度に少なくとも部分的に基づいて、第３の伝達サブラインを通じて伝達される第２のガスの第１の流量を調節することと、前駆体の測定された濃度に少なくとも部分的に基づいて、第４の伝達サブラインを通じて伝達される第２のガスの第２の流量を調節することと、を含みうる。幾つかの実施形態において、第１の伝達サブラインを通じて伝達された第１のガスと、第２のガスと、の第１の混合物を伝達することが、第１の伝達サブラインを通じて伝達された第１のガスと、第３の伝達サブラインを通じて伝達された第２のガスと、の第１の混合物を伝達することを含みうる。幾つかの実施形態において、第２の伝達サブラインを通じて伝達された第１のガスと、第２のガスと、の第２の混合物を伝達することが、第２の伝達サブラインを通じて伝達された第１のガスと、第４の伝達サブラインを通じて伝達された第２のガスと、の第２の混合物を伝達することを含みうる。

本技術の実施形態は、前駆体伝達のためのシステムを含みうる。例示的な前駆体伝達システムは、第１のガスを伝達するよう構成された第１の伝達メインラインと、第１の伝達メインラインを通じて伝達された第１のガスに含有される前駆体の濃度を測定するよう構成された前駆体センサと、を含みうる。前駆体伝達システムはまた、第１の伝達メインラインと流体的に接続されかつ第１の伝達サブラインの下流にある第１の伝達サブライン及び第２の伝達サブラインを含みうる。第１の伝達サブラインは、第１の伝達メインラインから第１の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成されうる。第２の伝達サブラインは、第１の伝達メインラインから第２の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成されうる。第１の伝達サブラインは、第１の半導体処理チャンバに流入する第１のガスの第１の流量を制御するよう構成された第１の流量コントローラを含みうる。第２の伝達サブラインは、第２の半導体処理チャンバに流入する第１のガスの第２の流量を制御するよう構成された第２の流量コントローラを含みうる。前駆体伝達システムは、前駆体センサ、第１の流量コントローラ、及び第２の流量コントローラと通信可能に接続された前駆体伝達コントローラをさらに含みうる。前駆体伝達コントローラが、第１のレシピ設定点に従って第１の半導体処理チャンバに第１のガスと第２のガスとの第１の混合物を伝達するように、前駆体の測定された濃度に基づいて第１の流量コントローラを制御するよう構成されうる。前駆体伝達コントローラが、第２のレシピ設定点に従って第２の半導体処理チャンバに第１のガスと第２のガスとの第２の混合物を伝達するように、前駆体の測定された濃度に基づいて第２の流量コントローラを制御するようにさらに構成されうる。

幾つかの実施形態において、前駆体伝達システムが同時に、第１の混合物を第１の半導体処理チャンバに伝達し、第２の混合物を第２の半導体処理チャンバに伝達するよう構成されうる。幾つかの実施形態において、前駆体がジボランを含むことができ、第１のガスが水素をさらに含みうる。第２のガスが水素を含みうる。幾つかの実施形態において、前駆体センサが光吸収センサを含みうる。幾つかの実施形態において、光吸収センサが細長い光学セルを含むことができ、第１のガスに含有される前駆体の濃度が光吸収センサによって測定されうる間、細長い光学セルは、第１のガスを、細長い光学セルの長手方向軸に沿って細長い光学セルの少なくとも一部分を流過するように方向付けるよう構成されうる。幾つかの実施形態において、光吸収センサが、細長い光学セルの第１の末端を画定する光学フィルタを含みうる。光学フィルタが、以下の波数、即ち、１，６００±１００ｃｍ^－１又は２，５２０±１００ｃｍ^－１のうちの１つ以上を有する赤外放射が透過することを可能とするよう構成されうる。幾つかの実施形態において、光吸収センサが、細長い光学セルの第２の末端を画定する光学窓を含みうる。光学窓を透過して細長い光学セルに入射する光が、約４００ｃｍ^－１と約３，０００ｃｍ^－１との間の波数を有する赤外放射を含みうる。幾つかの実施形態において、光吸収センサが、細長い光学セルの内部の圧力を測定するよう構成された圧力センサ、又は細長い光学セルの内部の温度を測定するよう構成された温度センサのうちの少なくとも１つをさらに含みうる。

幾つかの実施形態において、前駆体伝達システムが、第２のガスを伝達するよう構成された第２の伝達メインラインをさらに含みうる。前駆体伝達システムはまた、第２の伝達メインラインと流体的に接続されかつ第２の伝達サブラインの下流にある第３の伝達サブライン及び第４の伝達サブラインを含みうる。第３の伝達サブラインが、第２の伝達メインラインから第１の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成されうる。第４の伝達サブラインが、第２の伝達メインラインから第２の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成されうる。第３の伝達サブラインが、第１の半導体処理チャンバに流入する第２のガスの第１の流量を制御するよう構成された第３の流量コントローラを含みうる。第４の伝達サブラインが、第２の半導体処理チャンバに流入する第２のガスの第２の流量を制御するよう構成された第４の流量コントローラを含みうる。前駆体伝達コントローラがさらに、第３の流量コントローラ及び第４の流量コントローラと通信可能に接続されうる。前駆体伝達コントローラは、第１のレシピ設定点に従って第１の半導体処理チャンバに第１の混合物を伝達するように、前駆体の測定された濃度に基づいて第３の流量コントローラを制御するようにさらに構成されうる。前駆体伝達コントローラは、第２のレシピ設定点に従って第２の半導体処理チャンバに第２の混合物を伝達するように、前駆体の測定された濃度に基づいて第４の流量コントローラを制御するようにさらに構成されうる。幾つかの実施形態において、第１のレシピ設定点が、第１のガスと第２のガスとの第１の混合物に含有される前駆体の第１の濃度を定めうる。第２のレシピ設定点が、第１のガスと第２のガスとの第２の混合物に含有される前駆体の第２の濃度を定めうる。

本技術の実施形態が、半導体処理システムを含みうる。例示的な半導体処理システムは、半導体処理システムのタンデム区域に配置された第１の半導体処理チャンバ及び第２の半導体処理チャンバを含みうる。半導体処理システムは、前駆体伝達システムも含みうる。前駆体伝達システムは、第１のガスを伝達するよう構成された第１の伝達メインラインを含みうる。第１の伝達メインラインは、第１の伝達サブライン及び第２の伝達サブラインと流体的に接続されうる。第１の伝達サブラインが、第１の流量コントローラを含むことができ、第１の伝達メインラインから第１の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成されうる。第２の伝達サブラインが、第２の流量コントローラを含むことができ、第１の伝達メインラインから第２の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成されうる。前駆体伝達システムはまた、第１の伝達メインラインに沿って実装された光吸収センサを含みうる。光吸収センサは、第１のガスに含有される前駆体の濃度を測定するよう構成されうる。前駆体伝達システムはまた、第２のガスを伝達するよう構成された第２の伝達メインラインを含みうる。第２の伝達メインラインは、第３の伝達サブライン及び第４の伝達サブラインと流体的に接続されうる。第３の伝達サブラインが、第３の流量コントローラを含むことができ、第２の伝達メインラインから第１の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成されうる。第４の伝達サブラインが、第４の流量コントローラを含むことができ、第２の伝達メインラインから第２の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成されうる。前駆体伝達システムが、光吸収センサ、第１の流量コントローラ、第２の流量コントローラ、第３の流量コントローラ、及び第４の流量コントローラと通信可能に接続された前駆体伝達コントローラをさらに含みうる。前駆体伝達コントローラは、第１のレシピ設定点に従って第１の半導体処理チャンバに第１のガスと第２のガスとの第１の混合物を伝達するように、前駆体の測定された濃度に基づいて第１の流量コントローラ及び第３の流量コントローラを制御するよう構成されうる。前駆体伝達コントローラは、第２のレシピ設定点に従って第２の半導体処理チャンバに第１のガスと第２のガスとの第２の混合物を伝達するように、前駆体の測定された濃度に基づいて第２の流量コントローラ及び第４の流量コントローラを制御するようにさらに構成されうる。前駆体伝達システムは、第１の混合物及び第２の混合物を同時に伝達するよう構成されうる。

本技術により、従来のシステム及び技術に対して数多くの利点がもたらされうる。例えば、本技術は、ガス源から伝達される前駆体の濃度のいかなる変動も補正することによって、１つ以上の処理チャンバ内への正確な前駆体伝達を実現することができる。さらに、本技術は、異なる濃度及び／又は量の前駆体を１つ以上の処理チャンバに伝達ために単一のガス源を利用して、異なるプロセスを同時に実行するのを可能とすることができる。上記の実施形態及び他の実施形態が、多くのその利点及び特徴と共に、以下の明細書の記載及び添付の図面との関連においてより詳細に記載されうる。

開示される技術の性質及び利点は、本明細書の残りの部分及び図面を参照することによりさらに理解を深めることができる。

本技術の実施形態に係る、例示的な処理システムの一実施形態の上面図を示す。 本技術の実施形態に係る前駆物質伝達システムを含む例示的な処理システムの一実施形態を概略的に示す。 本技術の実施形態に係る前駆体センサの例示的な構成を概略的に示す。 本技術の実施形態に係る、図３の前駆体センサを通る流体の流れを概略的に示す。 本技術の実施形態に係る例示的な放射強度測定値を概略的に示す。 本技術の実施形態に係る例示的な放射強度測定値を概略的に示す。 本技術の実施形態に係る前駆体伝達のための方法における例示的な工程を示す。

図のうちの幾つかは概略図として含まれている。図面は例示を目的としており、縮尺どおりであると明記されていない限り、縮尺どおりであるとは見做されないと理解されたい。さらに、図面は概略図として、理解を助けるために提供されており、写実的表現と比べて全ての観点又は情報を含まないことがあり、例示を目的に強調された材料を含むことがある。

添付の図面において、類似した構成要素及び／又は特徴は、同一の参照符号を有しうる。更に、同じ種類の様々な構成要素は、類似した構成要素の間で区別する文字による参照符号に従うことで、区別することができる。本明細書において第１の参照符号のみ使用される場合、その記載は、上記の文字に関係なく、同じ第１の参照符号を有する類似した構成要素のいずれにも適用可能である。

半導体産業における選択性とは、１の材料の、他の材料に対する堆積／エッチング速度を指しうる。半導体処理チャンバ内に伝達される混合ガスは、選択性に影響を与えうる。混合ガスは、時には安定的でありうるが、しばしば不安定でありうる。混合ガスの伝達における不安定性は、混合ガスの化学物質の性質、環境要因、伝達経路構成等に起因しうる。混合ガスの伝達における不安定性又は変動は、処理される膜又は基板の全体的な処理品質にとって有害でありうる。

本明細書に記載の本技術は、ガス源から伝達される第１のガスに含有される前駆体の濃度を測定及び／又は監視するために光吸収センサを利用することによって、これらの問題を克服する。測定された濃度に基づいて、第１のガスを希釈するため及び／又は前駆体の濃度の任意の変動を補正するために利用しうる第１のガス及び第２のガスの流量が、１つ以上の処理チャンバ内への前駆体の正確な伝達を実現するために調節されうる。さらに、１つ以上の処理チャンバに流入する第１のガス及び第２のガスの流量を別々に調整することによって、本技術は、単一のガス源を利用して、異なる濃度及び／又は量の前駆体を１つ以上の処理チャンバに伝達して、異なるプロセスを実行するのを可能とすることができる。残りの開示では、開示された技術を利用した特定の前駆体及び希釈ガスを型どおりに確認するが、システム及び方法が、半導体処理中に利用しうる様々な他のプロセスに対しても同様に適用可能であることが容易に分かるであろう。これに対応して、本技術は、記載されたガスのみを用いる使用に限定されると見做すべきではない。さらに、本明細書では光吸収センサが一例として記載されるが、混合ガスの濃度及び／又は相対比を測定するために使用しうる任意のセンサが、本技術において利用及び／又は実装されうる。

図１は、実施形態に係る、堆積チャンバ、エッチングチャンバ、ベーキングチャンバ、及び硬化チャンバの処理システム１００の一実施形態の上面図を示している。図では、一対の前方開口統一ポッド（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）１０２が、様々なサイズの基板を供給するが、この様々なサイズの基板は、ロボットアーム１０４によって受け取られて、低圧保持領域１０６に配置され、その後、タンデム区域１０９ａ～１０９ｃ内に位置する基板処理チャンバ１０８ａ～１０８ｆのうちの１つの中に配置される。第２のロボットアーム１１０を使用して、基板ウエハを、上記保持領域１０６から基板処理チャンバ１０８ａ～１０８ｆへと、及び逆方向に移送することができる。各基板処理チャンバ１０８ａ～１０８ｆは、周期的層堆積（ＣＬＤ：ｃｙｃｌｉｃａｌ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層堆積（ＡＬＤ：ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、化学気相堆積（ＣＶＤ：ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ：ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、湿式エッチング、予洗浄、ガス抜き、配向、及び他の基板処理に加えて、本明細書に記載される乾式エッチング処理及び選択的堆積を含む幾つかの基板処理工程を実施するために装備されうる。

基板処理チャンバ１０８ａ～１０８ｆは、基板ウエハ上で誘電膜を堆積し、アニールし、硬化し、及び／又はエッチングするための１つ以上のシステム構成要素を含みうる。一構成において、２対の処理チャンバ（例えば、１０８ｃ～１０８ｄ及び１０８ｅ～１０８ｆ）が、基板上に誘電材料又は金属含有材料を堆積させるために使用され、第３の対の処理チャンバ（例えば、１０８ａ～１０８ｂ）が、堆積された誘電体をエッチングするために使用されうる。他の構成において、３対のチャンバ（例えば１０８ａ～１０８ｆ）全てが、基板上の誘電体膜をエッチングするよう構成されうる。記載されるプロセスのうちの１つ以上の任意のものが、様々な実施形態で示される製造システムとは別体のチャンバ内で実施されうる。

幾つかの実施形態において、チャンバが、具体的には、少なくとも１つのエッチングチャンバ、及び少なくとも１つの堆積チャンバを含む。これらのチャンバを組み合わせてファクトリーインタフェースの処理側に含めることで、エッチング及び堆積プロセスの全てが、制御された環境で実施されうる。例えば、真空環境を保持領域１０６の処理側で維持することができ、これにより、全てのチャンバ及び移送が、実施形態において真空下で維持される。また、このことにより、水蒸気及び他の空気成分が、処理される基板と接触することが抑えられうる。誘電体膜のための堆積チャンバ、エッチングチャンバ、アニーリングチャンバ、及び硬化チャンバのさらなる構成が、システム１００により企図されると理解されよう。

図２は、本技術の実施形態に係る例示的な処理システム２００の一実施形態を概略的に示している。処理システム２００は、第１の半導体処理チャンバ２０２及び第２の半導体処理チャンバ２０４を含みうる。幾つかの実施形態において、第１半導体処理チャンバ２０２及び第２半導体処理チャンバ２０４は、図１を参照しながら上述した処理チャンバ１０８の対と同様に、処理システム２００のタンデム区域２０６内に配置されうる。第１の処理チャンバ２０２及び第２の処理チャンバ２０４は、異なるプロセスを同時に実行するよう構成されうる。処理システム２００は、１つ以上の前駆体又は混合ガスを、第１の半導体処理チャンバ２０２及び／又は第２の半導体処理チャンバ２０４に伝達するよう構成された前駆体伝達システム２０８をさらに含みうる。幾つかの実施形態において、前駆体伝達システム２０８が、１つ以上の前駆体又は混合ガスを、第１の処理チャンバ２０２及び／又は第２の処理チャンバ２０４に同時に及び／又は別々に伝達するよう構成されうる。

前駆体伝達システム２０８は、前駆体源といった第１のガス源２１２から第１のガスを伝達するよう構成された第１の伝達メインライン２１０を含みうる。ガスに従って、第１のガス源２１２は、第１の伝達メインライン２１０を通じた伝達のために気化させうる第１のガスを、固体、液体、及び／又は気体の形態により貯蔵するためのシリンダ又は他の容器を含みうる。幾つかの実施形態において、第１の伝達メインライン２１０はまた、窒素といった、パージガス源２１３からのパージガス、又は半導体処理に適した任意の他のガスを伝達するよう構成されうる。図１には２つのガス源が示されているが、第１の伝達メインライン２１０は、１つのガス源又は複数のガス源から、１つのガスのみ又は２より多くのガスを伝達するよう構成されうる。

前駆体伝達システム２０８は、第１の伝達メインライン２１０と流体的に接続された第１の伝達サブライン２１４をさらに含みうる。第１の伝達サブライン２１４は、第１の伝達メインライン２１０から第１の半導体処理チャンバ２０２への流体アクセスを提供するよう構成されうる。幾つかの実施形態において、第１の伝達サブライン２１４が、第１の伝達サブライン２１４を通って第１の処理チャンバ２０２内に伝達される第１のガスの流量を制御するよう構成された流量コントローラ２１６、例えば質量流量コントローラを含みうる。幾つかの実施形態において、前駆体伝達システム２０８が、第１の伝達メインライン２１０と流体的に接続された第２の伝達サブライン２１８をさらに含みうる。第２の伝達サブライン２１８は、第１の伝達メインライン２１０から第２の半導体処理チャンバ２０４への流体アクセスを提供するよう構成されうる。幾つかの実施形態において、第２の伝達サブライン２１８が、第２の伝達サブライン２１８を通って第２の処理チャンバ２０４内に伝達される第１のガスの流量を制御するよう構成された流量コントローラ２２０、例えば質量流量コントローラを含みうる。

幾つかの実施形態において、前駆体伝達システム２０８は、第１の伝達メインライン２１０に沿って、かつ第１の伝達サブライン２１４及び第２の伝達サブライン２１８の上流に実装された前駆体センサ２２４をさらに含みうる。幾つかの実施形態において、前駆体センサ２２４は、光吸収センサを含みうる。前駆体センサ２２４は、以下でより詳細に述べるように、第１の伝達メインライン２１０を通じて伝達される第１のガスに含有される１つ以上の前駆体の濃度を測定するよう構成されうる。

幾つかの実施形態において、前駆体伝達システム２０８が、希釈ガス源といった第２のガス源２２８から、第２のガスを伝達するよう構成された第２の伝達メインライン２２６をさらに含みうる。ガスに従って、第２のガス源２２８は、第２の伝達メインライン２２６を通じた伝達のために気化させうる第２のガスを、固体、液体、及び／又は気体の形態により貯蔵するためのシリンダ又は他の容器を含みうる。

幾つかの実施形態において、前駆体伝達システム２０８は、第２の伝達メインライン２２６と流体的に接続された第３の伝達サブライン２３０をさらに含みうる。第３の伝達サブライン２３０は、第２の伝達メインライン２２６から第１の半導体処理チャンバ２０２への流体アクセスを提供するよう構成されうる。幾つかの実施形態において、第３の伝達サブライン２３０は、第３の伝達サブライン２３０を通って第１の処理チャンバ２０２に流入する第２のガスの流量を制御するよう構成された流量コントローラ２３２、例えば質量流量コントローラを含みうる。幾つかの実施形態において、前駆体伝達システム２０８は、第２の伝達メインライン２２６と流体的に接続された第４の伝達サブライン２３４をさらに含みうる。第４の伝達サブライン２３４は、第２の伝達メインライン２２６から第２の半導体処理チャンバ２０４への流体アクセスを提供するよう構成されうる。幾つかの実施形態において、第４の伝達サブライン２３４は、第４の伝達サブライン２３４を通って第２の処理チャンバ２０４に流入する第２のガスの流量を制御するよう構成された流量コントローラ２３６、例えば質量流量コントローラを含みうる。

第３の伝達サブライン２３０及び第４の伝達サブライン２３４は、図２に示される実施形態では、第２の伝達メインライン２２６と流体的に接続されるものと記載されているが、幾つかの実施形態において、第２の伝達メインライン２２６が省略されてよい。幾つかの実施形態において、第３の伝達サブライン２３０及び第４の伝達サブライン２３４のそれぞれが、希釈ガス源に接続されうる。第３の伝達サブライン２３０及び第４の伝達サブライン２３４に接続される希釈ガス源は、幾つかの実施形態において同じであってよく、又は幾つかの実施形態において異なっていてよい。

第１の伝達メインライン２１０及び／又は第２の伝達メインライン２２６、及び／又は、第１の伝達サブライン２１４、第２の伝達サブライン２１８、第３の伝達サブライン２３０及び／又は第４の伝達サブライン２３４に沿って、１つ以上の弁が、安全のため及び／又は交差汚染を防ぐために設置されうる。幾つかの実施形態において、第１の伝達メインライン２１０に沿って、手動弁及び／又は安全弁２５０が第１のガス源２１２の下流に設置されうる。パージ弁２５２が、パージガス源２１３の下流に設置されうる。上流弁２５４が、第１のガス源２１２及びパージガス源２１３の下流で、かつ前駆体センサ２２４の上流に設置されうる。幾つかの実施形態において、第１の伝達サブライン２１４及び第２の伝達サブライン２１８に沿って、上流弁２５６ａ、２５６ｂが、対応する流量コントローラ２１６、２２０の上流に設置され得、下流弁２５８ａ、２５８ｂが、対応する流量コントローラ２１６、２２０の下流に設置されうる。最終弁２６０ａ、２６０ｂも、弁２５６、２５８の下流で、かつ対応する第１の処理チャンバ２０２及び第２の処理チャンバ２０４の上流に設置されうる。幾つかの実施形態において、第３の伝達サブライン２３０及び第４の伝達サブライン２３４に沿って、手動弁２６２ａ、２６２ｂが、第２のガス源２２８の下流に設置され得、上流弁２６４ａ、２６４ｂが、対応する手動弁２６２ａ、２６２ｂの下流で、かつ対応する流量コントローラ２３２、２３６の上流に設置されうる。さらに、第３の伝達サブライン２３０及び第４の伝達サブライン２３４に沿って、最終弁２６６ａ、２６６ｂも、対応する流量コントローラ２３２、２３６の下流で、かつ対応する第１の処理チャンバ２０２及び第２の処理チャンバ２０４の上流に設置されうる。

幾つかの実施形態において、前駆体伝達システム２０８が、前駆体伝達コントローラ２７０を更に含みうる。前駆体伝達コントローラ２７０は、前駆体センサ２２４と通信可能に接続することができ、前駆体センサ２２４から、第１のガスに含有される１つ以上の前駆体の濃度を示す測定値を受信するよう構成されうる。前駆体伝達コントローラ２７０はまた、流量コントローラ２１６、２２０、２３２、２３６と通信可能に接続することができ、流量コントローラ２１６、２２０、２３２、２３６のそれぞれを別々に制御して、１つ以上の半導体処理レシピに従って混合ガスを伝達するように、第１の処理チャンバ２０２及び／又は第２の処理チャンバ２０４に流入する第１のガス及び／又は第２のガスの対応する流量を調節するよう構成されうる。具体的には、幾つかの実施形態において、前駆体伝達コントローラ２７０はさらに、処理レシピデータストア２７２と通信可能に接続されうる。処理レシピデータストア２７２は、半導体処理レシピを格納するよう構成され得、半導体処理レシピは、１つ以上の前駆体及び／又は希釈ガスの流量、１つ以上の前駆体の濃度、処理圧力、処理温度といった処理設定点を含みうる。前駆体伝達コントローラ２７０は、処理レシピデータストア２７２から、とりわけ、処理レシピ設定点を取り出し又は取得するよう構成されうる。取り出された処理設定点、及び第１のガス中の１つ以上の前駆体の測定された濃度に基づいて、前駆体伝達コントローラ２７０は、流量コントローラ２１６、２２０、２３２、２３６のうちの１つ以上を互いに別々に制御及び／又は調節し、これに応じて、第１の処理チャンバ２０２及び／又は第２の処理チャンバ２０４に混合ガスを伝達することができる。

上述のように、混合ガスは、化学物質の性質、環境要因、伝達経路構成等に因り不安定でありうる。例えば、第１のガスは、ジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）といった前駆体を含むことができ、前駆体は、水素（Ｈ_２）といった希釈ガスで、様々な処理レシピの処理設定点よりも高いとしうる特定の濃度で、例えば約１０％～約３０％で希釈することができる。しかしながら、第１のガス源２１２から伝達される前駆体の濃度が、様々な理由に因り、指定された濃度から外れうる。伝達される前駆体の濃度のこのような逸脱は、そこに収容された半導体基板を処理するための第１の処理チャンバ２０２及び／又は第２の処理チャンバ２０４に伝達される前駆体の量及び／又は濃度の変動に繋がりうる。伝達される前駆体の量及び／又は濃度の変動は、処理される基板の品質にとって、例えば膜の品質にとって有害となりうる。

第１の処理チャンバ２０２及び／又は第２の処理チャンバ２０４に伝達される前駆体の量の変動を制限又は防止するために、第１のガス源２１２から伝達される前駆体の濃度が、前駆体センサ２２４を使用して監視及び／又は測定されうる。前駆体の測定された濃度は、水素（Ｈ_２）としうる第２のガスを使用して、前駆体を含有する第１のガスをさらに希釈するために使用することができ、これにより、処理設定点に従って、正確な量の前駆体が、第１の処理チャンバ２０２及び／又は第２の処理チャンバ２０４に伝達されうる。

具体的には、幾つかの実施形態において、第１のガスに含有される前駆体の測定された濃度に基づいて、前駆体伝達コントローラ２７０が、流量コントローラ２１６及び流量コントローラ２３２を制御して、第１の処理チャンバ２０２に流入する第１のガスの流量及び第２のガスの流量をそれぞれ制御するよう構成されうる。測定された前駆体濃度に基づいて、第１の処理チャンバ２０２に流入する第１のガス及び第２のガスの流量を制御することで、第１のレシピ処理設定点に従って、正確な量の前駆体が第１の処理チャンバ２０２内に伝達されうる。同様に、第１のガスに含有される前駆体の測定された濃度に基づいて、前駆体伝達コントローラ２７０はさらに、流量コントローラ２２０及び流量コントローラ２３６を制御して、第２の処理チャンバ２０４に流入する第１のガスの流量及び第２のガスの流量をそれぞれ制御するよう構成されうる。測定された前駆体濃度に基づいて、第２の処理チャンバ２０４に流入する第１のガス及び第２のガスの流量を制御することで、第２のレシピ処理設定点に従って、正確な量の前駆体が第２の処理チャンバ２０４内に伝達されうる。

上述したように、第１の処理チャンバ２０２と第２の処理チャンバ２０４とは、異なる処理を同時に及び／又は互いに別々に実行するよう構成されうる。例えば、流量コントローラ２１６、２２０、２３２、２３６を互いに別々に制御することで、前駆体の濃度が異なる別々の混合ガスが、第１の処理チャンバ２０２及び／又は第２の処理チャンバ２０４に伝達されうる。例えば、第１のガスと第２のガスとの第１の混合ガスを、第１の処理チャンバ２０２に伝達しうる間に、第１のガスと第２のガスとの第２の混合ガスを、第２の処理チャンバ２０４に伝達することができ、第１の混合ガスと、第２の混合ガスとは、異なる濃度の前駆体を含有しうる。この異なる濃度は、第１の処理チャンバ２０２及び第２の処理チャンバ２０４の対応する処理設定点によって指定されうる。

本明細書に記載の前駆体伝達システム２０８に関連して、幾つかの利点がある。異なる処理チャンバ、例えば、第１の処理チャンバ２０２及び／又は第２の処理チャンバ２０４に伝達される第１のガスの流量及び第２のガスの流量を制御することで、異なる量及び／又は濃度の前駆体が、異なる処理チャンバに伝達されうる。さらに、第１のガスと第２のガスとの混合物が、異なるレシピ及び／又は処理設定点に従って、異なる総流量で伝達されうる。さらに、処理システム２００によって、複数のプロセスを複数のチャンバ内で実行しうるときに複数のガス源を使用する代わりに、単一のガス源、例えば第１のガス源２１２を、異なる処理レシピ設定点に従って、異なる処理チャンバ内に異なるレベル又は濃度の前駆体を伝達して異なるプロセスを実行するために使用することが可能となりうる。さらに、ガス源から伝達される前駆体の濃度を測定することで、伝達される前駆体の量及び／又は濃度の正確な制御を実現することができ、処理チャンバ内に伝達される前駆体の量の不安定性及び／又はドリフトが回避されうる。図２には２つの処理チャンバ２０２、２０４のみが示されているが、処理システム２００は、１つ処理チャンバのみ又は２より多い処理チャンバを含みうることに注意されたい。前駆体伝達システム２０８は、１つのガス源から、異なる量及び／又は濃度の前駆体を、３つ、４つ、５つ、６つなどの異なる処理チャンバ内に、同時に及び／又は互いに別々に伝達するよう構成されうる。

図３は、本技術の実施形態に係る前駆体センサ２２４の例示的な構成を概略的に示している。前駆体センサ２２４は、非分散赤外線センサといった光吸収センサを含みうる。しかしながら、混合ガスの濃度及び／又は相対比を測定するために使用されうるいずれのセンサも、本技術において利用及び／又は実現されうる。幾つかの実施形態において、前駆体センサ２２４は、細長い光学セル３００を含みうる。光学セル３００は、光学セル３００の第１の末端３０４の近傍に配置されうる入口３０２を含みうる。光学セル３００の第１の末端３０４は、以下でより詳細に説明するように、光学フィルタによって画定されうる。入口３０２は、第１のガス源２１２から光学セル３００への流体アクセスを提供することができる。光学セル３００は、光学セル３００の第２の末端３０８の近傍に配置された出口３０６をさらに含みうる。光学セル３００の第２の末端３０８は、以下でより詳細に説明するように、光学窓によって画定されうる。出口３０６は、光学セル３００から、下流の第１の伝達サブライン２１４及び／又は第２の伝達サブライン２１８への流体アクセスを提供しうる。幾つかの実施形態において、光学セル３００が、ステンレス鋼といった金属、陽極酸化といった表面コーティング若しくは表面処理が施された若しくは施されないアルミニウム、酸化アルミニウム、又は窒化アルミニウムで作製されうる。光学セル３００を作製するための他の適切な材料が、光学セル３００を流過する流体の流れ及び様々な他の懸案事項に基づいて選択されうる。

前駆体センサ２２４は、光学セル３００の対向し合う末端に配置された光源３１０及び光検出器３１２をさらに含みうる。光学セル３００の第１の末端３０４を画定する光学フィルタ３１４が、光学セル３００と光検出器３１２との間に配置されうる。光学セル３００の第２の末端３０８を画定する光学窓３１６が、光学セル３００と光源３１０との間に配置されうる。図３に示す実施形態では、光源３１０は、出口３０６の近傍の、光学セル３００の第２の末端３０８に配置することができ、光検出器３１２は、入口３０２の近傍の、光学セル３００の第１の末端３０４に配置することができる。幾つかの実施形態において、光源３１０が、入口３０２の近傍の、光学セル３００の第１の末端３０４に配置されてよく、光検出器３１２が、出口３０６の近傍の、光学セル３００の第２の末端３０８に配置されてよい。図では、入口３０２及び／又は出口３０６が、光学セル３００の側壁に配置され、光学セル３００の長手方向軸に対して或る角度で配向されうることが示されているが、入口３０２及び／又は出口３０６は、光学セル３００の対向し合う末端といった、光学セル３００の任意の適切な位置に配置されてよく、及び／又は、光学セル３００の長手方向軸に平行に配向されてよい。

光源３１０及び光検出器３１２は、それぞれ、光源区分３１８及び光検出器区分３２０内に配置されうる。幾つかの実施形態において、光源区分３１８及び光検出器区分３２０はそれぞれ、光学セル３００として共通の断面を含むことができ、この共通の断面は、円形、楕円形、多角形、例えば三角形、方形、ひし形、矩形、五角形、六角形、又は任意の適切な形状でありうる。したがって、光源区分３１８と、光学セル３００と、光検出器区分３２０とが、前駆体センサ２２４の細長い本体を画定しうる。幾つかの実施形態において、光源区分３１８及び／又は光検出器区分３２０の少なくとも一方が、前駆体センサ２２４のために利用しうる様々な光源３１０及び／又は光検出器３１２を収容するために、光学セル３００とは異なる断面の大きさ及び／又は形状を有しうる。

光学セル３００は、光源３１０から放出される光のための線形光路を画定しうる。光源３１０と、光学窓３１６と、光学セル３００と、光学フィルタ３１４と、光検出器３１２とは、光源３１０から放射された光が光学セル３００を通って進み光検出器３１２によって検出されうるように、光学セル３００の長手方向軸に沿って位置合わせされうる。したがって、第１のガスが光学セル３００を流過しうるときには、第１のガスが、例えば光吸収を利用して解析されうる。例えば、第１のガスに含まれる前駆体のレベル又は濃度、例えば、第１のガスに含有されるジボランのレベル又は濃度が測定されうる。前駆体の測定されたレベル又は濃度をさらに利用して、流量コントローラ２１６、２２０、２３２、２３６を制御し、正確な量及び／又は濃度の前駆体を第１の処理チャンバ２０２及び／又は第２の処理チャンバ２０４に伝達しうることを確実にすることができる。

幾つかの実施形態において、前駆体センサ２２４が、光学セル３００の内部の圧力測定するよう構成された圧力センサ、及び／又は光学セル３００の内部の温度を測定するよう構成された温度センサといった、１つ以上のセンサ３２４をさらに含みうる。図３では、１つ以上のセンサ３２４が一緒に位置しており、光学セル３００のセル壁に配置されているが、幾つかの実施形態において、１つ以上のセンサ３２４は、別々の位置に配置されてよく、例えば、光学セル３００のセル壁の様々な位置に、入口３０２に、出口３０６に、又は、光学セル３００の内部の温度及び／又は圧力を測定するための任意の他の適切な位置に配置されうる。前駆体センサ２２４は、光源３１０、光検出器３１２、及び／又は、１つ以上のセンサ２２４といった他の電子部品又は電気部品を電気的に接続する回路基板３２６をさらに含みうる。幾つかの実施形態において、本明細書に記載される前駆体センサ２２４の様々な構成要素が、センサエンクロージャ内に収容されうる。

図４は、本技術の実施形態に係る、前駆体センサ２２４を流過しており、前駆体センサ２２４によって解析される流体を概略的に示している。流体の流れは、入口３０２を介して第１のガス源２１２から光学セル３００内に流入する第１のガス３２８であってよく又は当該第１のガス３２８を含みうる。第１のガス３２８は、その後、光学セル３００の長手方向軸に沿って、出口３０６に向かって光学セル３００を流過するよう方向付けられうる。光（図４に図示せず）は、光源３１０から放出され、第１のガス３２８が充填された光学セル３００を透過しうる。光の一部が、第１のガス３２８によって吸収され、例えば、第１のガス３２８に含有されるジボランによって吸収されうる。その後、第１のガス３２８に含有されるジボランの濃度が、第１のガス３２８による光の吸収に基づいて、光検出器３１２を使用して解析されうる。

ジボランのレベル又は濃度の測定を容易にするために、光学窓３１６が、ジボランにより吸収されうる光が光源３１０から透過することを可能とするよう構成されうる。例えば、幾つかの実施形態において、光学窓３１６は、赤外放射といった光が透過して光学セル３００に入射することを可能とするよう構成されうる。光学窓３１６を透過する赤外放射は、約４００ｃｍ^－１と約３，０００ｃｍ^－１との間の波数、又は約２μｍと約３０μｍとの間の波長を有しうる。上記の範囲は、ジボランに特有の複数の吸収波長を含むことができ、これらは、以下の波数、即ち、１，６００±１００ｃｍ^－１、２，５２０±１００ｃｍ^－１、及び／又は他の特徴的な波数を有する赤外放射、又は以下の波長、即ち、３，９６８±１００ｎｍ、６，２５０±１００ｎｍ、及び／又は他の特徴的な波長を有する赤外放射を含みうる。

幾つかの実施形態において、光学窓３１６は、ジボランに特有のより高く又はより低い吸収波長を包含しうる放射が透過するのを可能とするよう選択及び／又は構成されうる。幾つかの実施形態において、光学窓３１６は、ジボランに特有の単一の吸収波長のみを包含しうる放射が透過するのを可能とするよう選択及び／又は構成されうる。幾つかの実施形態において、光学窓３１６が、約１，０００ｃｍ^－１と約２，０００ｃｍ^－１との間、約１，２００ｃｍ^－１と約２，８００ｃｍ^－１との間、約２，０００ｃｍ^－１と約３，２００ｃｍ^－１との間の波数、又は任意の他の適切な範囲の赤外放射を透過させるよう構成されうる。光学窓３１６に適しうる例示的な材料は、臭化カリウム、サファイア、フッ化バリウム、ゲルマニウム、又は、ジボランが吸収しうる放射が透過することを可能としうる任意の他の適切な材料を含みうる。光学窓３１６のための材料はまた、耐食性であるよう選択及び／又は構成されうる。半導体処理の間、利用される様々なガス又は前駆体が腐食性でありうる。本明細書に記載の例示的な材料は、ジボランが吸収しうる放射線が透過することを可能とするだけではなく、流過する様々なガスによる腐食に対する耐性もあり、したがって前駆体センサ２２４の稼働寿命を延ばすこともできる。

幾つかの実施形態において、ジボランのレベル又は濃度の測定を容易にするために、光学フィルタ３１４が、ジボランに特有の単一の吸収波長を包含する放射が透過することを可能とするよう選択及び／又は構成されうる。例えば、フィルタ３１４は、以下の波数、即ち、１，６００±１００ｃｍ^－１、２，５２０±１００ｃｍ^－１、及び／又はジボラン吸収に特有の他の波数のいずれかを有する赤外放射、又は、以下の波長、即ち、３，９６８±１００ｎｍ、６，２５０±１００ｎｍ、及び／又はジボラン吸収に特有の他の特徴的な波長のいずれかを有する赤外放射を可能とするよう選択及び／又は構成されうる。幾つかの実施形態において、フィルタ３１４が、ジボランに特有の１より多い吸収波長を包含する放射が透過することを可能とするよう選択及び／又は構成されうる。光学窓３１６と同様に、フィルタ３１４に適しうる様々な材料も、光学セル３００を流過する様々なガスによる腐食に対して耐性がありうる。本明細書に記載されるように、光学窓３１６及び／又はフィルタ３１４は、特にジボランを検出するために選択又は構成されうる。本明細書に記載の光学窓３１６及び／又はフィルタ３１４を特に構成又は選択しないと、半導体処理に適した条件下でのジボランのレベル又は濃度の効果的な検出を実現しえないこともある。

幾つかの実施形態において、光学セル３００を流過する流体が、ジボランの代わりに又はジボランに加えて、１つ以上の前駆体を含みうる。１つ以上の前駆体は、テトラボラン、アルシン、及び／又はホスフィン等を含みうる。光学窓３１６及び／又はフィルタ３１４は、テトラボラン、アルシン、ホスフィン等のうちの１つ以上の、レベル又は濃度の検出を容易にするようさらに構成されうる。例えば、光学窓３１６は、テトラボラン、アルシン、ホスフィン、及び／又は、第１のガスに含まれうる他の前駆体に特有の１つ以上の吸収波長を包含しうる放射を可能とするよう構成されうる。フィルタ３１４は、そのレベル又は濃度を検出するためのテトラボラン、アルシン、ホスフィン、及び／又は他の前駆体に特有の１つ又は複数の吸収波長を包含する放射を可能とするよう構成されうる。

光検出器３１２は、入射光の強度、より具体的には、前駆体吸収に特徴的な波長の入射光の強度の低下を検出して、ジボラン、テトラボラン、アルシン、ホスフィン、及び／又は他の前駆体といった前駆体のレベル又は濃度を決定するよう構成されうる。図５Ａ及び図５Ｂは、本技術の実施形態に係る検出された放射線強度を概略的に示している。図５Ａと図５Ｂの両方における信号５０２は、基準信号５０２を表すことができ、基準信号５０２は、前駆体センサ２２４の通常の稼働中に一定に保たれうる。基準信号５０２は、光源３１０の劣化のために低下しうる。したがって、基準信号５０２は、センサの健全性チェック及び／又は定期的なベースラインチェックを行うために利用されうる。図５Ａ及び図５Ｂの信号５０４は、光学セル３００を流過しうる注目する１つ以上の前駆体のレベル又は濃度を測定するための、光検出器３１２によって検出された放射の強度を表しうる。図５Ａは、流体が光学セル３００を流過しない、又は光学セル３００を流過する流体が、光源３１０から放出されるどの放射も吸収しえない実施形態を概略的に示している。これに対応して、強度信号５０４の低下は検出されない。図５Ｂは、光学セル３００を通過する流体が、光検出器３１２により測定された放射強度の低下５０６で示されるように、放射の少なくとも一部を吸収しうる実施形態を概略的に示している。例えば、光学セル３００を流過する流体は、処理チャンバ１０２から流された第１のガスであってよく又は当該第１のガスを含んでよく、したがって、幾つかの実施形態においてジボランを含有しうる。この場合、ジボランに特有の吸収波長での放射強度の低下５０６が、ジボランの存在に因り検出されうる。低下５０６は、１つの波長において又はその付近でのみ示されているが、複数の波長における又はその付近における低下が、光源３１０及び／又は光検出器３１２の構成に依存して検出されうる。吸収に起因する、検出された放射強度の低下が、第１のガスに含有されるジボランのレベル又は濃度を決定するために利用されうる。幾つかの実施形態において、ジボランのレベル又は濃度が、ジボランの分圧によって表されうる。したがって、放射線強度の測定値に基づいて、第１のガスに含有されるジボランの分圧が決定されうる。

幾つかの実施形態において、光学セル３００を流過している第１のガスの圧力が比較的低くてよく、約１ｍＴｏｒｒと約１０Ｔｏｒｒとの間、例えば、約１ｍＴｏｒｒと約５Ｔｏｒｒとの間、約１ｍＴｏｒｒと約４Ｔｏｒｒとの間、約１ｍＴｏｒｒと約３Ｔｏｒｒとの間、約１ｍＴｏｒｒと約２Ｔｏｒｒとの間、又は約１ｍＴｏｒｒと約１Ｔｏｒｒとの間でありうる。多くの従来のジボラン検出器は、これらの低圧範囲では動作しない可能性がある。対照的に、本明細書に記載の前駆体センサ２２４の構成は、比較的低い圧力範囲にある第１のガスに含有されるジボランを効果的に検出することができる。例えば、本明細書に記載の前駆体センサ２２４は、約１００ｐｐｍ以下、約９０ｐｐｍ以下、約８０ｐｐｍ以下、約７０ｐｐｍ以下、約６０ｐｐｍ以下、約５０ｐｐｍ以下、約４０ｐｐｍ以下、約３０ｐｐｍ以下、約２０ｐｐｍ以下、約１０ｐｐｍ以下、約５ｐｐｍ以下、約３ｐｐｍ以下、約１ｐｐｍ以下、又はそれ以下という低さでありうるジボランの分圧を、効果的に検出することができる。

幾つかの実施形態において、ジボランの検出された分圧が、約１ｐｐｍと約９００，０００ｐｐｍとの間、例えば、約１ｐｐｍと約５００，０００ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約１００，０００ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約５０，０００ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約１０，０００ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約５０００ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約３０００ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約１０００ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約５００ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約４００ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約３００ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約２００ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約１００ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約９０ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約８０ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約７０ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約６０ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約５０ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約４０ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約３０ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約２０ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約１０ｐｐｍとの間、約１ｐｐｍと約５ｐｐｍとの間、又は約１ｐｐｍと約３ｐｐｍとの間でありうる。

本明細書では、光吸収センサが前駆体センサ２２４の一例として記載されているが、幾つかの実施形態において、前駆体センサ２２４は、音響センサであってよく又は音響センサを含んでよい。音響センサは、例えばＭＨｚの範囲にある高周波のスペクトラム拡散音響信号を、当該センサを流過するガスに通して送信することによって、前駆体の濃度を測定することができる。第１の受信された信号とそのエコーとの間の最尤時間遅延が計算されうる。最尤時間遅延に基づいて、センサを流過しているガス中の音速が計算されうる。計算された音速に基づいて、ガスに含有される前駆体の濃度が決定されうる。

上述の処理システムは、例示的な半導体方法を実施する際に使用されうる。図６は、本技術の実施形態に係る前駆体伝達のための方法６００における例示的な工程を示している。伝達される前駆体は、堆積及び／又はエッチングを含む様々な半導体プロセスに使用することができる。工程の幾つか又は全てを、前述のチャンバ及び／又はシステムを使用して実行することができ、又は異なるチャンバ内及び／又はシステム内で実行することができる。

方法６００は、工程６０５において、半導体処理システムの第１伝達メインライン、例えば、先に記載の半導体処理システム２００の第１伝達メインライン２１０を通じて第１ガス源から第１ガスを流すことによって開始されうる。第１のガスが、前駆体及び希釈ガスを含みうる。幾つかの実施形態において、前駆体がジボランを含みうる。幾つかの実施形態において、希釈ガスが水素を含みうる。幾つかの実施形態において、第１の伝達メインラインは、第１の伝達メインラインの下流で第１の伝達サブライン及び第２の伝達サブラインと流体的に接続され、例えば第１の伝達サブライン２１４及び第２の伝達サブライン２１８と流体的に接続されうる。第１の伝達サブラインが、第１の伝達メインラインから第１の半導体処理チャンバへの、例えば、処理システム２００の第１の処理チャンバ２０２への流体アクセスを提供するよう構成されうる。第２の伝達サブラインが、第１の伝達メインラインから第２の半導体処理チャンバへの、例えば、処理システム２００の第２の処理チャンバ２０４への流体アクセスを提供するよう構成されうる。したがって、第１のチャンバと第２のチャンバとは、異なる半導体プロセスを同時に実行するよう構成されうる。

工程６１０において、第１の伝達メインラインを通じて伝達される第１のガスに含有される前駆体の濃度が測定されうる。前駆体の濃度は、図３を参照しながら上述した前駆体センサ２２４といった、光吸収センサを使用して測定することができる。したがって、幾つかの実施形態において、光吸収センサが、上述の光学セル３００といった細長い光学セルを含みうる。第１のガスに含有される前駆体の濃度が測定されうる間、光学セルは、第１のガスを、光学セルの長手方向軸に沿って細長い光学セルの少なくとも一部分を流過するように方向付けるよう構成されうる。幾つかの実施形態において、光吸収センサが、細長い光学セルの第１の末端を画定しうる光学フィルタ、例えば、先に記載の光学フィルタ３１４を含みうる。光吸収センサはまた、光学セルの第１の末端とは反対側の細長い光学セルの第２の末端を画定しうる光学窓、例えば先に記載の光学窓３１６も含みうる。光吸収センサは、光学セルの対向し合う第１の末端及び第２の末端に配置された、光検出器３１２といった光検出器及び光源３１０といった光源をさらに含みうる。ジボランといった前駆体の検出を容易にするために、光学窓は、約４００ｃｍ^－１と約３，０００ｃｍ^－１との間の波数を有する放射が、光学窓を通って光学セルに入射することを可能とするよう構成されうる。光学フィルタは、ジボラン吸収に特有の放射、例えば、１，６００±１００ｃｍ^－１、２，５２０±１００ｃｍ^－１、又は、ジボラン吸収に特有の他の波数のうちの少なくとも１つの波数を有する放射が透過して、光検出器によって検出されるのを可能とするよう構成されうる。

幾つかの実施形態において、工程６１５において、第２のガスが、第２のガス源から第２の伝達メインラインを通じて、例えば、先に記載の処理システム２００の第２の伝達メインライン２２６を通じて流されうる。第２のガスは、水素といった希釈ガスを含みうる。第２の伝達メインラインは、第２の伝達メインラインの下流で第３の伝達サブライン及び第４の伝達サブラインと流体的に接続され、例えば、第３の伝達サブライン２３０及び第４の伝達サブライン２３４と流体的に接続されうる。第３の伝達サブラインが、第２の伝達メインラインから第１の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成されうる。第４の伝達サブラインが、第２の伝達メインラインから第２の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成されうる。

工程６２０において、第１の伝達サブラインを通じて伝達される第１のガスの第１の流量が、前駆体の測定された濃度に少なくとも部分的に基づいて調節されうる。工程６２５において、第２の伝達サブラインを通じて伝達される第１のガスの第２の流量も、前駆体の測定された濃度に少なくとも部分的に基づいて調節されうる。幾つかの実施形態において、本方法は、工程６３０において、前駆体の測定された濃度に少なくとも部分的に基づいて、第３の伝達サブラインを通して伝達される第２のガスの第１の流量を調節することと、工程６３５において、前駆体の測定された濃度に少なくとも部分的に基づいて、第４の伝達サブラインを通して伝達される第２のガスの第２の流量を調節することと、を含みうる。上記の調整は、第１の伝達サブライン、第２の伝達サブライン、第３の伝達サブライン、第４の伝達サブラインのそれぞれに沿って設置された、質量流量コントローラといった流量コントローラ、例えば、先に記載の流量コントローラ２１６、２２０、２３２、２３６を制御することで行うことができる。流量コントローラは、上述の前駆体伝達コントローラ２７０といった前駆体伝達コントローラと通信可能に接続されうる。前駆体伝達コントローラは、処理レシピデータストア２７２といった処理レシピデータストアから、処理レシピ設定点を受け取り、かつ光吸収センサから前駆体の測定された濃度を受け取るよう構成されうる。処理設定点は、様々な半導体プロセスを実施するために、各処理チャンバに伝達される混合ガス中の前駆体の濃度、処理チャンバに流入する１つ以上のガスの流量等を指定することができる。前駆体の測定された濃度、及び処理レシピ設定点に基づいて、前駆体伝達コントローラは、第１のサブライン、第２のサブライン、第３のサブライン、及び／又は第４のサブラインを通じて伝達される第１のガスの流量及び／又は第２のガスの流量を制御することができる。

工程６４０において、第１のレシピ設定点に従って、第１の伝達サブラインを通じて伝達された第１のガスと、第３の伝達サブラインを通じて伝達された第２のガスと、の第１の混合ガスが、第１の半導体処理チャンバに伝達されうる。第１のレシピ設定点は、第１のガスと第２のガスとの第１の混合物に含有される前駆体の第１の濃度を定めうる又は指定しうる。工程６４５において、第２のレシピ設定点に従って、第２の伝達サブラインを通じて伝達された第１のガスと、第４の伝達サブラインを通じて伝達された第２のガスと、の第２の混合物が、第２の半導体処理チャンバに伝達されうる。第２のレシピ設定点は、第１のガスと第２のガスとの第２の混合物に含有される前駆体の第２の濃度を定めうる又は指定しうる。第１のレシピ設定点と第２のレシピ設定点とは、互いに同じであってよく又は異なっていてよい。上述のように、幾つかの実施形態において、第１の処理チャンバと第２の処理チャンバとは、異なる処理レシピを同時に実行するよう構成されうる。したがって、第１の混合ガスと第２の混合ガスとが、それぞれ第１の半導体処理チャンバ及び第２の半導体処理チャンバに同時に伝達されて、異なる量及び／又は濃度の前駆体を利用しうる異なるプロセスを実行することができる。

先の記載では、説明を目的として、本技術の様々な実施形態の理解を促すために、数多くの詳細事項について記載してきた。しかしながら、当業者には、これらの詳細事項のうちのあるものが含まれていなくても、又は更なる詳細が加えられていても、特定の実施形態が実施されうることが明らかであろう。

幾つかの実施形態を開示してきたが、当業者は、上記実施形態の思想から逸脱することなく、様々な変形例、代替構造、及び均等物が使用されうることが分かるであろう。更に、本技術を不必要にあいまいにすることを避けるために、幾つかの周知のプロセス及び要素については説明しなかった。したがって、先の記載が、本技術の範囲を限定するものと見做すべきではない。さらに、方法又は処理は、連続的に又は段階的に記載されうるが、工程は、同時に行われてもよく、又は、列挙されるものと異なる順序で行われうると理解されたい。

値の範囲が与えられている場合に、文脈上そうでないと明示されていない限り、その範囲の上限値と下限値との間に介在する各値が、下限値の最も小さい単位まで具体的に開示されていると理解される。明記された範囲内の任意の明記された値又は明記されていない介在する値と、その明記された範囲内の他の明記された値又は他の介在する値と、の間の任意のより狭い範囲が包含される。これらのより狭い範囲の上限値及び下限値は、個別にその範囲内に含まれることも除外されることもあり、より狭い範囲内に限界値の一方又は両方が含まれる場合、又はどちらも含まれない場合の各範囲も、明記された範囲内の任意の特に除外された限界値に従って、本技術の範囲内に包含される。明記された範囲が、限界値の一方又は両方を含む場合、この含められた限界値の一方又は両方を除いた範囲も含まれる。

本明細書及び添付の特許請求の範囲では、単数形「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、及び「その（ｔｈｅ）」は、文脈上別途明示しない限り複数の指示物を含む。したがって、例えば、「或る前駆体（ａ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）」が言及されている場合、複数のこのような前駆体が含まれ、「その層（ｔｈｅ ｌａｙｅｒ）」が言及されている場合、当業者に周知の１つ以上の層及び均等物への言及が含まれ、他についても同様のことが当てはまる。

また、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ（ｓ））」、「備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含有する（ｃｏｎｔａｉｎ（ｓ））」、「含有している（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ（ｓ））」、及び「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という単語は、本明細書及び特許請求の範囲で使用されている場合、記載された特徴、整数、構成要素、又は工程の存在を特定することを意図しているが、１つ以上の他の特徴、整数、構成要素、工程、作動、又はグループの存在又は追加を排除するものではない。

Claims (20)

1. 方法であって、
   第１の伝達メインラインを通じて、前駆体及び希釈ガスを含む第１のガスを流すことであって、
   前記第１の伝達メインラインが、当該第１の伝達メインラインの下流で第１の伝達サブライン及び第２の伝達サブラインと流体的に接続されており、
   前記第１の伝達サブラインが、前記第１の伝達メインラインから第１の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成され、前記第２の伝達サブラインが、前記第１の伝達メインラインから第２の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成される、第１のガスを流すことと、
   前記第１の伝達メインラインを通じて伝達される前記第１のガスに含有される前記前駆体の濃度を測定することと、
   前記前駆体の測定された前記濃度に少なくとも部分的に基づいて、前記第１の伝達サブラインを通じて伝達される前記第１のガスの第１の流量を調節することと、
   前記前駆体の前記測定された濃度に少なくとも部分的に基づいて、前記第２の伝達サブラインを通じて伝達される前記第１のガスの第２の流量を調節することと、
   第１のレシピ設定点に従って、前記第１の半導体処理チャンバに、前記第１の伝達サブラインを通じて伝達された前記第１のガスと、前記希釈ガスを含む第２のガスと、の第１の混合物を伝達することと、
   第２のレシピ設定点に従って、前記第２の半導体処理チャンバに、前記第２の伝達サブラインを通じて伝達された前記第１のガスと、前記第２のガスと、の第２の混合物を伝達することと、
   を含み、
   前記第１の混合物と前記第２の混合物とが、それぞれ、前記第１の半導体処理チャンバ及び前記第２の半導体処理チャンバに同時に伝達される、方法。
2. 前記前駆体がジボランを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記希釈ガスが水素を含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記前駆体の前記濃度が、光吸収センサを使用して測定される、請求項１に記載の方法。
5. 前記光吸収センサが、細長い光学セルを含み、
   前記第１のガスに含有される前記前駆体の前記濃度が前記光吸収センサによって測定される間、前記細長い光学セルは、前記第１のガスを、前記細長い光学セルの長手方向軸に沿って前記細長い光学セルの少なくとも一部分を流過するように方向付けるよう構成される、請求項４に記載の方法。
6. 前記光吸収センサが、前記細長い光学セルの第１の末端を画定する光学フィルタを含み、
   前記光学フィルタが、以下の波数、即ち、
   １，６００±１００ｃｍ^－１又は２，５２０±１００ｃｍ^－１
   のうちの１つ以上を有する赤外放射が透過することを可能とするよう構成される、請求項５に記載の方法。
7. 前記光吸収センサが、前記細長い光学セルの第２の末端を画定する光学窓を含み、前記光学窓を通って前記細長い光学セルに入射する光が、約４００ｃｍ^－１と約３，０００ｃｍ^－１との間の波数を有する赤外放射を含む、請求項５に記載の方法。
8. 前記第１のレシピ設定点が、前記第１のガスと前記第２のガスとの前記第１の混合物に含有される前記前駆体の第１の濃度を定め、
   前記第２のレシピ設定点が、前記第１のガスと前記第２のガスとの前記第２の混合物に含有される前記前駆体の第２の濃度を定める、請求項１に記載の方法。
9. 第２の伝達メインラインを通じて前記第２のガスを流すことであって、
   前記第２の伝達メインラインが、当該第２の伝達メインラインの下流で第３の伝達サブライン及び第４の伝達サブラインと流体的に接続されており、前記第３の伝達サブラインが、前記第２の伝達メインラインから前記第１の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成され、前記第４の伝達サブラインが、前記第２の伝達メインラインから前記第２の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成される、前記第２のガスを流すことと、
   前記前駆体の前記測定された濃度に少なくとも部分的に基づいて、前記第３の伝達サブラインを通じて伝達される前記第２のガスの第１の流量を調節することと、
   前記前駆体の前記測定された濃度に少なくとも部分的に基づいて、前記第４の伝達サブラインを通じて伝達される前記第２のガスの第２の流量を調節することと、
   を更に含み、
   前記第１の伝達サブラインを通じて伝達された前記第１のガスと、前記第２のガスと、の前記第１の混合物を伝達することが、前記第１の伝達サブラインを通じて伝達された前記第１のガスと、前記第３の伝達サブラインを通じて伝達された前記第２のガスと、の前記第１の混合物を伝達することを含み、
   前記第２の伝達サブラインを通じて伝達された前記第１のガスと、前記第２のガスと、の前記第２の混合物を伝達することが、前記第２の伝達サブラインを通じて伝達された前記第１のガスと、前記第４の伝達サブラインを通じて伝達された前記第２のガスと、の前記第２の混合物を伝達することを含む、請求項１に記載の方法。
10. 前駆体伝達システムであって、
    第１のガスを伝達するよう構成された第１の伝達メインラインと、
    前記第１の伝達メインラインを通じて伝達された前記第１のガスに含有される前駆体の濃度を測定するよう構成された前駆体センサと、
    前記第１の伝達メインラインと流体的に接続され、かつ前記第１の伝達メインラインの下流にある第１の伝達サブライン及び第２の伝達サブラインであって、前記第１の伝達サブラインが、前記第１の伝達メインラインから第１の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成され、前記第２の伝達サブラインが、前記第１の伝達メインラインから第２の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成され、
    前記第１の伝達サブラインが、前記第１の半導体処理チャンバに流入する前記第１のガスの第１の流量を制御するよう構成された第１の流量コントローラを含み、前記第２の伝達サブラインが、前記第２の半導体処理チャンバに流入する前記第１のガスの第２の流量を制御するよう構成された第２の流量コントローラを含む、第１の伝達サブライン及び第２の伝達サブラインと、
    前記前駆体センサ、前記第１の流量コントローラ、及び前記第２の流量コントローラと通信可能に接続された前駆体伝達コントローラであって、
    前記前駆体伝達コントローラが、第１のレシピ設定点に従って前記第１の半導体処理チャンバに前記第１のガスと前記第２のガスとの第１の混合物を伝達するように、前記前駆体の測定された前記濃度に基づいて前記第１の流量コントローラを制御するよう構成され、
    前記前駆体伝達コントローラが、第２のレシピ設定点に従って前記第２の半導体処理チャンバに前記第１のガスと第２のガスとの第２の混合物を伝達するように、前記前駆体の前記測定された濃度に基づいて前記第２の流量コントローラを制御するようさらに構成される、前駆体伝達コントローラと、
    を備えた、前駆体伝達システム。
11. 前記前駆体伝達システムが同時に、前記第１の半導体処理チャンバに前記第１の混合物を伝達し、前記第２の半導体処理チャンバに前記第２の混合物を伝達するよう構成される、請求項１０に記載の前駆体伝達システム。
12. 前記前駆体がジボランを含み、前記第１のガスが水素をさらに含み、前記第２のガスが水素を含む、請求項１０に記載の前駆体伝達システム。
13. 前記前駆体センサが光吸収センサである、請求項１０に記載の前駆体伝達システム。
14. 前記光吸収センサが、細長い光学セルを含み、
    前記第１のガスに含有される前記前駆体の前記濃度が前記光吸収センサによって測定される間、前記細長い光学セルは、前記第１のガスを、前記細長い光学セルの長手方向軸に沿って前記細長い光学セルの少なくとも一部分を流過するように方向付けるよう構成される、請求項１３に記載の前駆体伝達システム。
15. 前記光吸収センサが、前記細長い光学セルの第１の末端を画定する光学フィルタを含み、
    前記光学フィルタが、以下の波数、即ち、
    １，６００±１００ｃｍ^－１又は２，５２０±１００ｃｍ^－１
    のうちの１つ以上を有する赤外放射が透過することを可能とするよう構成される、請求項１４に記載の前駆体伝達システム。
16. 前記光吸収センサが、前記細長い光学セルの第２の末端を画定する光学窓を含み、前記光学窓を通って前記細長い光学セルに入射する光が、約４００ｃｍ^－１と約３，０００ｃｍ^－１との間の波数を有する赤外放射を含む、請求項１４に記載の前駆体伝達システム。
17. 前記光吸収センサは、前記細長い光学セルの内部の圧力を測定するよう構成された圧力センサ、又は前記細長い光学セルの内部の温度を測定するよう構成された温度センサのうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項１４に記載の前駆体伝達システム。
18. 前記前駆体伝達システムが、
    第２のガスを伝達するよう構成された第２の伝達メインラインと、
    前記第２の伝達メインラインと流体的に接続され、かつ前記第２の伝達サブラインの下流にある第３の伝達サブライン及び第４の伝達サブラインであって、前記第３の伝達サブラインが、前記第２の伝達メインラインから前記第１の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成され、前記第４の伝達サブラインが、前記第２の伝達メインラインから前記第２の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成され、
    前記第３の伝達サブラインが、前記第１の半導体処理チャンバに流入する前記第２のガスの第１の流量を制御するよう構成された第３の流量コントローラを含み、前記第４の伝達サブラインが、前記第２の半導体処理チャンバに流入する前記第２のガスの第２の流量を制御するよう構成された第４の流量コントローラを含む、第３の伝達サブライン及び第４の伝達サブラインと、
    を含み、
    前記前駆体伝達コントローラがさらに、前記第３の流量コントローラ及び前記第４の流量コントローラと通信可能に接続され、
    前記前駆体伝達コントローラが、前記第１のレシピ設定点に従って前記第１の半導体処理チャンバに前記第１の混合物を伝達するように、前記前駆体の前記測定された濃度に基づいて前記第３の流量コントローラを制御するようさらに構成され、
    前記前駆体伝達コントローラが、前記第２のレシピ設定点に従って前記第２の半導体処理チャンバに前記第２の混合物を伝達するように、前記前駆体の前記測定された濃度に基づいて前記第４の流量コントローラを制御するようさらに構成される、請求項１０に記載の前駆体伝達システム。
19. 前記第１のレシピ設定点が、前記第１のガスと前記第２のガスとの前記第１の混合物に含有される前記前駆体の第１の濃度を定め、前記第２のレシピ設定点が、前記第１のガスと前記第２のガスとの前記第２の混合物に含有される前記前駆体の第２の濃度を定める、請求項１０に記載の前駆体伝達システム。
20. 半導体処理システムであって、
    前記半導体処理システムのタンデム区域に配置された第１の半導体処理チャンバ及び第２の半導体処理チャンバと、
    前駆体伝達システムと、
    を備え、
    前記前駆体伝達システムが、
    第１のガスを伝達するよう構成された第１の伝達メインラインであって、第１の伝達サブライン及び第２の伝達サブラインと流体的に接続されており、
    前記第１の伝達サブラインが、第１の流量コントローラを含み、前記第１の伝達メインラインから前記第１の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成され、
    前記第２の伝達サブラインが、第２の流量コントローラを含み、前記第１の伝達メインラインから前記第２の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成される、第１の伝達メインラインと、
    前記第１の伝達メインラインに沿って実装された光吸収センサであって、前記第１のガスに含有される前駆体の濃度を測定するよう構成された光吸収センサと、
    第２のガスを伝達するよう構成された第２の伝達メインラインであって、第３の伝達サブライン及び第４の伝達サブラインと流体的に接続されており、
    前記第３の伝達サブラインが、第３の流量コントローラを含み、前記第２の伝達メインラインから前記第１の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成され、
    前記第４の伝達サブラインが、第４の流量コントローラを含み、前記第２の伝達メインラインから前記第２の半導体処理チャンバへの流体アクセスを提供するよう構成される、第２の伝達メインラインと、
    前記光吸収センサ、前記第１の流量コントローラ、前記第２の流量コントローラ、前記第３の流量コントローラ、及び前記第４の流量コントローラと通信可能に接続された前駆体伝達コントローラであって、
    前記前駆体伝達コントローラが、第１のレシピ設定点に従って前記第１の半導体処理チャンバに前記第１のガスと前記第２のガスとの第１の混合物を伝達するように、前記前駆体の測定された前記濃度に基づいて前記第１の流量コントローラ及び前記第３の流量コントローラを制御するよう構成され、
    前記前駆体伝達コントローラが、第２のレシピ設定点に従って前記第２の半導体処理チャンバに前記第１のガスと前記第２のガスとの第２の混合物を伝達するように、前記前駆体の前記測定された濃度に基づいて前記第２の流量コントローラ及び前記第４の流量コントローラを制御するようさらに構成される、前駆体伝達コントローラと、を備え、
    前記前駆体伝達システムが、前記第１の混合物及び前記第２の混合物を同時に伝達するよう構成される、
    半導体処理システム。

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