JPH04254489A - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
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- JPH04254489A JPH04254489A JP3370991A JP3370991A JPH04254489A JP H04254489 A JPH04254489 A JP H04254489A JP 3370991 A JP3370991 A JP 3370991A JP 3370991 A JP3370991 A JP 3370991A JP H04254489 A JPH04254489 A JP H04254489A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハー等の表面にタ
ングステン膜やシリコン膜を成膜する減圧ＣＶＤ装置に
関し、とくに加熱源としてランプを使用する急速加熱型
ＣＶＤ装置に関する。
ングステン膜やシリコン膜を成膜する減圧ＣＶＤ装置に
関し、とくに加熱源としてランプを使用する急速加熱型
ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、ランプを加熱源とした急速加熱型Ｃ
ＶＤ装置として、減圧チャンバー内に配置されたリング
状ホルダーに被加熱物を支持し、この被加熱物に対向さ
せて加熱用ランプのランプユニットを配置し、このラン
プユニットから照射した熱線を被加熱物に作用させるこ
とにより被加熱物を６００〜１０００℃に加熱するよう
に構成し、減圧チャンバー内に処理ガスを供給して被加
熱物の表面に金属薄膜を成膜するように構成したものが
提供されている。そして、この装置では、減圧チャンバ
ーとランプユニットとの間にクオーツウインドウが配置
してあった。
ＶＤ装置として、減圧チャンバー内に配置されたリング
状ホルダーに被加熱物を支持し、この被加熱物に対向さ
せて加熱用ランプのランプユニットを配置し、このラン
プユニットから照射した熱線を被加熱物に作用させるこ
とにより被加熱物を６００〜１０００℃に加熱するよう
に構成し、減圧チャンバー内に処理ガスを供給して被加
熱物の表面に金属薄膜を成膜するように構成したものが
提供されている。そして、この装置では、減圧チャンバ
ーとランプユニットとの間にクオーツウインドウが配置
してあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の急速
加熱型ＣＶＤ装置では、減圧チャンバーを１室で形成し
ていたことから、減圧チャンバー内に供給した処理ガス
が高温化したクオーツウインドウのチャンバーへの露出
面に接触して、クオーツウインドウと化学反応してしま
い、クオーツウインドを曇らせることがあった。そして
、クオーツウインドウが曇ると、ランプユニットからの
熱供給量が低下して被加熱物を十分に加熱することがで
きず、成膜性能が低下するという問題があった。本発明
は、このような点に着目してなされたもので、クオーツ
ウインドウを曇らせない急速加熱型ＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。
加熱型ＣＶＤ装置では、減圧チャンバーを１室で形成し
ていたことから、減圧チャンバー内に供給した処理ガス
が高温化したクオーツウインドウのチャンバーへの露出
面に接触して、クオーツウインドウと化学反応してしま
い、クオーツウインドを曇らせることがあった。そして
、クオーツウインドウが曇ると、ランプユニットからの
熱供給量が低下して被加熱物を十分に加熱することがで
きず、成膜性能が低下するという問題があった。本発明
は、このような点に着目してなされたもので、クオーツ
ウインドウを曇らせない急速加熱型ＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、減圧チャンバー内に隔壁を形成し、こ
の隔壁に開設した開口部にリング状ホルダーを設置し、
リング状ホルダーに装着した被加熱物と隔壁とで減圧チ
ャンバー内を区画することにより反応室と加熱室とを形
成し、加熱室の内圧が反応室の内圧よりもわずかに高く
なるように両室の内圧を設定し、反応室に処理ガス供給
路の先端部を開口し、被加熱物と対向する加熱室の壁面
にクオーツウインドウを形成し、このクオーツウインド
ウに臨ませてランプユニットを配置したことを特徴とし
、また、減圧チャンバーとランプユニットとの間に配置
したクオーツウインドウを微小間隔へだてて積層した複
数枚の石英ガラスで構成し、石英ガラス同士間の微小間
隙に冷却液を高速で流通させるように構成したことを特
徴としている。
めに、本発明は、減圧チャンバー内に隔壁を形成し、こ
の隔壁に開設した開口部にリング状ホルダーを設置し、
リング状ホルダーに装着した被加熱物と隔壁とで減圧チ
ャンバー内を区画することにより反応室と加熱室とを形
成し、加熱室の内圧が反応室の内圧よりもわずかに高く
なるように両室の内圧を設定し、反応室に処理ガス供給
路の先端部を開口し、被加熱物と対向する加熱室の壁面
にクオーツウインドウを形成し、このクオーツウインド
ウに臨ませてランプユニットを配置したことを特徴とし
、また、減圧チャンバーとランプユニットとの間に配置
したクオーツウインドウを微小間隔へだてて積層した複
数枚の石英ガラスで構成し、石英ガラス同士間の微小間
隙に冷却液を高速で流通させるように構成したことを特
徴としている。
【０００５】
【作用】本発明では、減圧チャンバー内に隔壁を形成し
、この隔壁に開設した開口部にリング状ホルダーを嵌着
固定し、リング状ホルダーに装着した被加熱物と隔壁と
で減圧チャンバー内を区画することにより反応室と加熱
室とを形成し、加熱室の内圧が反応室の内圧よりもわず
かに高くなるように両室の内圧を設定し、反応室に処理
ガス供給路の先端部を開口し、被加熱物と対向する加熱
室の壁面にクオーツウインドウを形成し、このクオーツ
ウインドウに臨ませてランプユニットを配置しているの
で、反応室に供給した処理ガスは加熱室側に流れ込むこ
とがなくなる。これにより、クオーツウインドウが高温
になっても、処理ガスとの化学反応が生じることがなく
なり、クオーツウインドウを曇らせることがない。
、この隔壁に開設した開口部にリング状ホルダーを嵌着
固定し、リング状ホルダーに装着した被加熱物と隔壁と
で減圧チャンバー内を区画することにより反応室と加熱
室とを形成し、加熱室の内圧が反応室の内圧よりもわず
かに高くなるように両室の内圧を設定し、反応室に処理
ガス供給路の先端部を開口し、被加熱物と対向する加熱
室の壁面にクオーツウインドウを形成し、このクオーツ
ウインドウに臨ませてランプユニットを配置しているの
で、反応室に供給した処理ガスは加熱室側に流れ込むこ
とがなくなる。これにより、クオーツウインドウが高温
になっても、処理ガスとの化学反応が生じることがなく
なり、クオーツウインドウを曇らせることがない。
【０００６】また、減圧チャンバーとランプユニットと
の間に配置したクオーツウインドウを微小間隔へだてて
積層した複数枚の石英ガラスで構成し、石英ガラス同士
間の微小間隙に冷却液を高速で流通させるように構成し
ているので、クオーツウインドウが冷却されて高温化す
ることがなく、処理ガスとの化学反応を抑制することが
できる。これにより、クオーツウインドウが曇ることは
なくなる。
の間に配置したクオーツウインドウを微小間隔へだてて
積層した複数枚の石英ガラスで構成し、石英ガラス同士
間の微小間隙に冷却液を高速で流通させるように構成し
ているので、クオーツウインドウが冷却されて高温化す
ることがなく、処理ガスとの化学反応を抑制することが
できる。これにより、クオーツウインドウが曇ることは
なくなる。
【０００７】
【実施例】図面は本発明の実施例を示し、図１は要部の
取出し拡大図、図２はＣＶＤ装置のチャンバー部断面図
である。
取出し拡大図、図２はＣＶＤ装置のチャンバー部断面図
である。
【０００８】このＣＶＤ装置は、減圧チャンバー（１）
の上方にランプユニット（２）を配置し、このランプユ
ニット（２）から熱線を減圧チャンバー（１）内に表面
を下向きにした状態で支持させたウエハー基板等の被加
熱物（３）に照射することにより被加熱物（３）を裏面
側から加熱するように構成し、減圧チャンバー（１）内
にシランガス等の処理ガスを下側から噴出供給して、被
加熱物（３）の表面に薄膜を成膜するに構成した急速加
熱型ＣＶＤ装置である。
の上方にランプユニット（２）を配置し、このランプユ
ニット（２）から熱線を減圧チャンバー（１）内に表面
を下向きにした状態で支持させたウエハー基板等の被加
熱物（３）に照射することにより被加熱物（３）を裏面
側から加熱するように構成し、減圧チャンバー（１）内
にシランガス等の処理ガスを下側から噴出供給して、被
加熱物（３）の表面に薄膜を成膜するに構成した急速加
熱型ＣＶＤ装置である。
【０００９】減圧チャンバー（１）内は伏椀状に形成し
た石英製の隔壁（４）で上下二室に区画してあり、この
隔壁（４）に頂部に開口部（５）が開設してある。そし
て、この開口部（５）に被加熱物（３）を支持するリン
グ状ホルダー（６）が安定に設置してある。このリング
状ホルダー（６）は石英等の耐熱材料で形成してあり、
被加熱物（３）を表面（処理面）を下向きにした状態で
装着することにより、リング状ホルダー（６）に支持さ
れた被加熱物（３）の表面が隔壁（４）で区画された下
側の部屋に露出するように構成してある。
た石英製の隔壁（４）で上下二室に区画してあり、この
隔壁（４）に頂部に開口部（５）が開設してある。そし
て、この開口部（５）に被加熱物（３）を支持するリン
グ状ホルダー（６）が安定に設置してある。このリング
状ホルダー（６）は石英等の耐熱材料で形成してあり、
被加熱物（３）を表面（処理面）を下向きにした状態で
装着することにより、リング状ホルダー（６）に支持さ
れた被加熱物（３）の表面が隔壁（４）で区画された下
側の部屋に露出するように構成してある。
【００１０】そして、減圧チャンバー（１）内での隔壁
（４）の上側に位置する部屋（７）でのチャンバー周側
壁に被加熱物（３）を給排する開口部（８）を開設し、
この開口部（８）を被加熱物（３）の搬送装置（９）が
出退移動するようにしてある。また、この隔壁（４）よ
りも上側に位置する部屋（７）に窒素や水素等のパージ
用ガスを導入する導入路（１０）と室内気体を外部に排
出するための排気路とが連通させてある。
（４）の上側に位置する部屋（７）でのチャンバー周側
壁に被加熱物（３）を給排する開口部（８）を開設し、
この開口部（８）を被加熱物（３）の搬送装置（９）が
出退移動するようにしてある。また、この隔壁（４）よ
りも上側に位置する部屋（７）に窒素や水素等のパージ
用ガスを導入する導入路（１０）と室内気体を外部に排
出するための排気路とが連通させてある。
【００１１】一方、減圧チャンバー（１）内での隔壁（
４）よりも下側に位置する部屋（１１）でのチャンバー
周側壁に被加熱物（３）をリング状ホルダー（６）に案
内装着するための被加熱物装着具（１２）の差し込み口
（１３）が開口しており、この差し込み口（１３）に被
加熱物装着具（１２）が装着してある。この被加熱物装
着具（１２）はロッドの先端部をリング部分（１４）に
形成し、このリング部分（１４）に周方向適当間隔おき
にピン（１５）を立設形成してあり、このピン（１５）
の上端部分はリング状ホルダー（６）の被加熱物支持台
（１７）部分に形成した孔に進退昇降可能に装着してあ
る。 また、被加熱物装着具（１２）は昇降機構（１６）の作
動で上下に移動して、上側室（７）に被加熱物搬送装置
（９）で搬入された被加熱物（３）をリング状ホルダー
（６）に位置決め装着、或いはリング状ホルダー（６）
から被加熱物搬送装置（９）に受け渡すように構成して
ある。また、この隔壁（７）よりも下側に位置する部屋
（１１）にシランガス等の処理ガスの供給路（１８）と
排気路が連通させてあり、反応用ガス導入路（１８）の
先端部はリング状ホルダー（６）よりも下側部分で、噴
出させた反応用ガスが被加熱物（３）の表面に接触でき
る適当な個所に位置して開口している。
４）よりも下側に位置する部屋（１１）でのチャンバー
周側壁に被加熱物（３）をリング状ホルダー（６）に案
内装着するための被加熱物装着具（１２）の差し込み口
（１３）が開口しており、この差し込み口（１３）に被
加熱物装着具（１２）が装着してある。この被加熱物装
着具（１２）はロッドの先端部をリング部分（１４）に
形成し、このリング部分（１４）に周方向適当間隔おき
にピン（１５）を立設形成してあり、このピン（１５）
の上端部分はリング状ホルダー（６）の被加熱物支持台
（１７）部分に形成した孔に進退昇降可能に装着してあ
る。 また、被加熱物装着具（１２）は昇降機構（１６）の作
動で上下に移動して、上側室（７）に被加熱物搬送装置
（９）で搬入された被加熱物（３）をリング状ホルダー
（６）に位置決め装着、或いはリング状ホルダー（６）
から被加熱物搬送装置（９）に受け渡すように構成して
ある。また、この隔壁（７）よりも下側に位置する部屋
（１１）にシランガス等の処理ガスの供給路（１８）と
排気路が連通させてあり、反応用ガス導入路（１８）の
先端部はリング状ホルダー（６）よりも下側部分で、噴
出させた反応用ガスが被加熱物（３）の表面に接触でき
る適当な個所に位置して開口している。
【００１２】したがって、本実施例の減圧チャンバー（
１）では隔壁（４）の下側に位置する部屋（１１）が反
応室となり、隔壁（４）の上側に位置する部屋（７）が
加熱室となる。そして、成膜作業時には、加熱室（７）
側の内圧を１．０〜数十Ｔｏｒｒ程度になるように減圧
するとともに、反応室（１１）側での内圧を０．１〜１
０Ｔｏｒｒ程度になるように減圧して、加熱室（７）と
反応室（１１）とで内圧差を持たせる。このように両室
（７）（１１）の内圧に圧力差を持たせることにより、
反応室（１１）内の処理ガスが加熱室（７）側に流れ込
むことがなくなる。
１）では隔壁（４）の下側に位置する部屋（１１）が反
応室となり、隔壁（４）の上側に位置する部屋（７）が
加熱室となる。そして、成膜作業時には、加熱室（７）
側の内圧を１．０〜数十Ｔｏｒｒ程度になるように減圧
するとともに、反応室（１１）側での内圧を０．１〜１
０Ｔｏｒｒ程度になるように減圧して、加熱室（７）と
反応室（１１）とで内圧差を持たせる。このように両室
（７）（１１）の内圧に圧力差を持たせることにより、
反応室（１１）内の処理ガスが加熱室（７）側に流れ込
むことがなくなる。
【００１３】また、加熱室（７）の被加熱物（３）と対
向する上壁にクオーツウインドウ（１９）が形成してあ
り、このクオーツウインドウ（１９）に臨む状態で前述
のランプユニット（２）が配置してある。このクオーツ
ウインドウ（１９）は、微小間隔へだてて積層した２枚
の石英ガラス（２０）（２０）と、この石英ガラス（２
０）（２０）の外周部分に形成した冷却液チャンバー（
２１）とで構成してあり、石英ガラス（２０）（２０）
同士間の微小間隙（２２）に冷却液を高速で流通させる
ように構成してある。
向する上壁にクオーツウインドウ（１９）が形成してあ
り、このクオーツウインドウ（１９）に臨む状態で前述
のランプユニット（２）が配置してある。このクオーツ
ウインドウ（１９）は、微小間隔へだてて積層した２枚
の石英ガラス（２０）（２０）と、この石英ガラス（２
０）（２０）の外周部分に形成した冷却液チャンバー（
２１）とで構成してあり、石英ガラス（２０）（２０）
同士間の微小間隙（２２）に冷却液を高速で流通させる
ように構成してある。
【００１４】上述の構成からなるＣＶＤ装置では、減圧
チャンバー（１）内を隔壁（４）で反応室（１１）と加
熱室（７）とに区画しているうえ、加熱室（７）側の内
圧を反応室（１１）側の内圧よりも高く設定しているこ
とから、処理ガスが加熱室（７）側に流入することがな
くなり、クオーツウインドウ（１９）に嵌め込んだ石英
ガラス（２０）が高熱化しても、石英ガラス（２０）に
処理ガスが作用することがなくなって石英ガラス（２０
）と処理ガスが反応して石英ガラス（２０）を曇らせる
ことがなくなる。これにより、ランプユニット（２）か
らの熱線が確実に被加熱物（３）に到達することになる
から、加熱効率が向上するうえ、石英ガラス（２０）の
曇りを取るための作業を省略することができる。
チャンバー（１）内を隔壁（４）で反応室（１１）と加
熱室（７）とに区画しているうえ、加熱室（７）側の内
圧を反応室（１１）側の内圧よりも高く設定しているこ
とから、処理ガスが加熱室（７）側に流入することがな
くなり、クオーツウインドウ（１９）に嵌め込んだ石英
ガラス（２０）が高熱化しても、石英ガラス（２０）に
処理ガスが作用することがなくなって石英ガラス（２０
）と処理ガスが反応して石英ガラス（２０）を曇らせる
ことがなくなる。これにより、ランプユニット（２）か
らの熱線が確実に被加熱物（３）に到達することになる
から、加熱効率が向上するうえ、石英ガラス（２０）の
曇りを取るための作業を省略することができる。
【００１５】さらに、加熱室（７）とランプユニット（
２）との間に配置したクオーツウインドウ（１９）を２
重ガラスで構成し、このガラス同士の間隙に冷却水を高
速で流通させるようにしてあるから、クオーツウインド
ウ（１９）のガラス自体が高温化しにくくなり、仮に処
理ガスが加熱室（７）側に漏れることがあっても、ガラ
ス表面温度が低くなることから、処理ガスとの反応が起
こりにくくなってガラスの曇りを抑制することができる
。
２）との間に配置したクオーツウインドウ（１９）を２
重ガラスで構成し、このガラス同士の間隙に冷却水を高
速で流通させるようにしてあるから、クオーツウインド
ウ（１９）のガラス自体が高温化しにくくなり、仮に処
理ガスが加熱室（７）側に漏れることがあっても、ガラ
ス表面温度が低くなることから、処理ガスとの反応が起
こりにくくなってガラスの曇りを抑制することができる
。
【００１６】図３は、光ＣＶＤ装置に適用した例を示し
、これは減圧チャンバー（１）内を隔壁（４）で加熱室
（７）と反応室（１１）に区画し、隔壁（４）にリング
状ホルダー（６）を介してウエハー等の被加熱物（３）
を支持させ、反応室（１１）に反応用ガスを供給するよ
うに構成し、反応室（１１）の下側に紫外線発生装置（
２３）を配置し、この紫外線発生装置（２３）から反応
室（１１）内に照射した紫外線で被加熱物（３）の表面
に薄膜を成膜するようにしたものである。そして、紫外
線発生装置（２３）と反応室（１１）との間に形成した
ガラス窓（２４）に嵌め込んだ窓ガラス（２５）は２重
窓に形成してあり、この窓ガラス（２５）間にパージ用
の水素ガスや窒素ガスを流通させるように構成してある
。
、これは減圧チャンバー（１）内を隔壁（４）で加熱室
（７）と反応室（１１）に区画し、隔壁（４）にリング
状ホルダー（６）を介してウエハー等の被加熱物（３）
を支持させ、反応室（１１）に反応用ガスを供給するよ
うに構成し、反応室（１１）の下側に紫外線発生装置（
２３）を配置し、この紫外線発生装置（２３）から反応
室（１１）内に照射した紫外線で被加熱物（３）の表面
に薄膜を成膜するようにしたものである。そして、紫外
線発生装置（２３）と反応室（１１）との間に形成した
ガラス窓（２４）に嵌め込んだ窓ガラス（２５）は２重
窓に形成してあり、この窓ガラス（２５）間にパージ用
の水素ガスや窒素ガスを流通させるように構成してある
。
【００１７】
【発明の効果】本発明では、減圧チャンバー内に隔壁を
形成し、この隔壁に開設した開口部にリング状ホルダー
を設置し、リング状ホルダーに装着した被加熱物と隔壁
とで減圧チャンバー内を区画することにより反応室と加
熱室とを形成し、加熱室の内圧が反応室の内圧よりもわ
ずかに高くなるように両室の内圧を設定し、反応室に処
理ガス供給路の先端部を開口し、被加熱物と対向する加
熱室の壁面にクオーツウインドウを形成し、このクオー
ツウインドウに臨ませてランプユニットを配置している
ので、反応室に供給した処理ガスは加熱室側に流れ込む
ことがなくなる。これにより、クオーツウインドウが高
温になっても、処理ガスとの化学反応が生じることがな
くなり、クオーツウインドウを曇らせることがなく、ラ
ンプユニットでの長時間にわたって加熱効率を高く維持
することができる。
形成し、この隔壁に開設した開口部にリング状ホルダー
を設置し、リング状ホルダーに装着した被加熱物と隔壁
とで減圧チャンバー内を区画することにより反応室と加
熱室とを形成し、加熱室の内圧が反応室の内圧よりもわ
ずかに高くなるように両室の内圧を設定し、反応室に処
理ガス供給路の先端部を開口し、被加熱物と対向する加
熱室の壁面にクオーツウインドウを形成し、このクオー
ツウインドウに臨ませてランプユニットを配置している
ので、反応室に供給した処理ガスは加熱室側に流れ込む
ことがなくなる。これにより、クオーツウインドウが高
温になっても、処理ガスとの化学反応が生じることがな
くなり、クオーツウインドウを曇らせることがなく、ラ
ンプユニットでの長時間にわたって加熱効率を高く維持
することができる。
【００１８】また、減圧チャンバーとランプユニットと
の間に配置したクオーツウインドウを微小間隔へだてて
積層した複数枚の石英ガラスで構成し、石英ガラス同士
間の微小間隙に冷却液を高速で流通させるように構成し
ているので、クオーツウインドウが冷却されることにな
り、クオーツウインドウの加熱室側表面が高温化するこ
とはなくなり、処理ガスとの化学反応を抑制することが
できる。これにより、クオーツウインドウが曇ることは
なく、ランプユニットでの加熱効率を長時間にわたって
高く維持することができる。
の間に配置したクオーツウインドウを微小間隔へだてて
積層した複数枚の石英ガラスで構成し、石英ガラス同士
間の微小間隙に冷却液を高速で流通させるように構成し
ているので、クオーツウインドウが冷却されることにな
り、クオーツウインドウの加熱室側表面が高温化するこ
とはなくなり、処理ガスとの化学反応を抑制することが
できる。これにより、クオーツウインドウが曇ることは
なく、ランプユニットでの加熱効率を長時間にわたって
高く維持することができる。
【００１９】さらに、本発明では、クオーツウインドウ
の曇りを防止できるから、ウインドウガラスの取り替え
や、ガラスの磨き作業を省略することができ、成膜作業
の作業効率を向上させることができる。
の曇りを防止できるから、ウインドウガラスの取り替え
や、ガラスの磨き作業を省略することができ、成膜作業
の作業効率を向上させることができる。
【図１】要部の取出し拡大図である。
【図２】ＣＶＤ装置のチャンバー部断面図である。
【図３】光ＣＶＤ装置のチャンバー部断面図である。
１…減圧チャンバー、
２…ランプユニット、３…被加熱物、４…隔壁、
５…開口部、
６…リング状ホルダー、７…加熱室、
１１…反応室、１８…処理ガス供給路
１９…クオーツウインドウ、
２０…石英ガラス、
２２…微小間隙。
２…ランプユニット、３…被加熱物、４…隔壁、
５…開口部、
６…リング状ホルダー、７…加熱室、
１１…反応室、１８…処理ガス供給路
１９…クオーツウインドウ、
２０…石英ガラス、
２２…微小間隙。
Claims (3)
- 【請求項１】 減圧チャンバー（１）内に配置された
リング状ホルダー（６）に被加熱物（３）を安定支持し
、この被加熱物（３）にランプユニット（２）からの熱
線を照射することにより加熱するとともに、減圧チャン
バー（１）内に処理ガスを供給して、被加熱物（３）の
表面に薄膜を成膜するように構成した減圧ＣＶＤ装置に
おいて、減圧チャンバー（１）内に隔壁（４）を形成し
、この隔壁（４）に開設した開口部（５）にリング状ホ
ルダー（６）を設置し、リング状ホルダー（６）に装着
した被加熱物（３）と隔壁（４）とで減圧チャンバー（
１）内を区画することにより反応室（１１）と加熱室（
７）とを形成し、加熱室（７）側の内圧が反応室（１１
）側の内圧よりもわずかに高くなるように両室（７）（
１１）の内圧を設定し、反応室（１１）に処理ガス供給
路（１８）の先端部を開口し、被加熱物（３）と対向す
る加熱室（７）の壁面にクオーツウインドウ（１９）を
形成し、このクオーツウインドウ（１９）に臨ませてラ
ンプユニット（２）を配置したことを特徴とする減圧Ｃ
ＶＤ装置。 - 【請求項２】 減圧チャンバー（１）とランプユニッ
ト（２）との間に配置したクオーツウインドウ（１９）
を微小間隔へだてて積層した複数枚の石英ガラス（２０
）で構成し、石英ガラス（２０）同士間の微小間隙（２
２）に冷却液を高速で流通させるように構成したことを
特徴とする減圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 減圧チャンバー（１）内に配置された
リング状ホルダー（６）に被加熱物（３）を支持し、こ
の被加熱物（３）にランプユニット（２）からの熱線を
照射することにより加熱し、減圧チャンバー（１）内に
処理ガスを供給するとともに減圧チャンバー内に紫外線
を照射して、被加熱物（３）の表面に薄膜を成膜するよ
うに構成した減圧ＣＶＤ装置において、減圧チャンバー
（１）内に隔壁（４）を形成し、この隔壁（４）に開設
した開口部（５）にリング状ホルダー（６）を設置し、
リング状ホルダー（６）に装着した被加熱物（３）と隔
壁（４）とで減圧チャンバー（１）内を区画することに
より反応室（１１）と加熱室（７）とを形成し、加熱室
（７）側の内圧が反応室（１１）側の内圧よりもわずか
に高くなるように両室（７）（１１）の内圧を設定し、
反応室（１１）に処理ガス供給路（１８）の先端部を開
口したことを配置したことを特徴とする減圧ＣＶＤ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3033709A JPH07108836B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3033709A JPH07108836B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254489A true JPH04254489A (ja) | 1992-09-09 |
| JPH07108836B2 JPH07108836B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=12393942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3033709A Expired - Lifetime JPH07108836B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07108836B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0743377A1 (fr) * | 1995-05-19 | 1996-11-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif de traitement chimique superficiel d'un échantillon plat au moyen d'un gaz actif |
| WO2005017980A1 (en) * | 2003-08-15 | 2005-02-24 | Infineon Technologies Ag | Methods and apparatus for processing semiconductor devices by gas annealing |
| JP2009534541A (ja) * | 2006-04-25 | 2009-09-24 | メシエ−ブガッティ | プロセス用炉又は同様のもの |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106767U (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 |
-
1991
- 1991-02-01 JP JP3033709A patent/JPH07108836B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106767U (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0743377A1 (fr) * | 1995-05-19 | 1996-11-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif de traitement chimique superficiel d'un échantillon plat au moyen d'un gaz actif |
| FR2734284A1 (fr) * | 1995-05-19 | 1996-11-22 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de traitement chimique superficiel d'un echantillon plat au moyen d'un gaz actif |
| WO2005017980A1 (en) * | 2003-08-15 | 2005-02-24 | Infineon Technologies Ag | Methods and apparatus for processing semiconductor devices by gas annealing |
| JP2009534541A (ja) * | 2006-04-25 | 2009-09-24 | メシエ−ブガッティ | プロセス用炉又は同様のもの |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07108836B2 (ja) | 1995-11-22 |
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