JPH05343328A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH05343328A JPH05343328A JP12439591A JP12439591A JPH05343328A JP H05343328 A JPH05343328 A JP H05343328A JP 12439591 A JP12439591 A JP 12439591A JP 12439591 A JP12439591 A JP 12439591A JP H05343328 A JPH05343328 A JP H05343328A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flange
- tubular member
- gas
- high frequency
- flanges
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】大型向きに構成することができ、また試料に均
一にガスを流すことができ、試料表面に均一な膜を形成
することのできるＣＶＤ装置を提供する。 【構成】耐熱性と熱透過性を有する材料で構成し、垂直
に立てて配置した筒状部材と、同筒状部材１１の開口部
両端に配置してなるフランジと、同筒状部材１１の側面
を覆ってなる加熱機構１７と、フランジに支持してなる
高周波印加電極１８と、高周波印加電極１８に高周波電
力を供給する装置とを有し、前記フランジの少なくとも
一方は開閉自在に構成し、また一方のフランジにガス導
入口１３を設け、他方のフランジにガス排気口１５を設
けて構成する。また筒状部材１１を回転自在に構成す
る。
一にガスを流すことができ、試料表面に均一な膜を形成
することのできるＣＶＤ装置を提供する。 【構成】耐熱性と熱透過性を有する材料で構成し、垂直
に立てて配置した筒状部材と、同筒状部材１１の開口部
両端に配置してなるフランジと、同筒状部材１１の側面
を覆ってなる加熱機構１７と、フランジに支持してなる
高周波印加電極１８と、高周波印加電極１８に高周波電
力を供給する装置とを有し、前記フランジの少なくとも
一方は開閉自在に構成し、また一方のフランジにガス導
入口１３を設け、他方のフランジにガス排気口１５を設
けて構成する。また筒状部材１１を回転自在に構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＶＤ装置の改良に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、照明用ハロゲン電球と組み合わせ
て用いるコールドミラー等の表面の光学薄膜の形成には
一般に真空蒸着法、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法
が用いられている。ＣＶＤ法に用いる成膜装置としては
例えば図３に示すように、石英ガラスで上方部を吊鐘状
の幅狭に構成してなる筒状部材１と、例えば金属材料か
らなるフランジ２とによって反応室３を構成し、また筒
状部材１の内部に試料台４を設け、また同筒状部材１の
側面外周に加熱機構５を設けて構成してある。原料ガス
はガス導入口６より導入し、またフランジ２に設けたガ
ス排気口７よりガスを排気するように構成してある。
て用いるコールドミラー等の表面の光学薄膜の形成には
一般に真空蒸着法、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法
が用いられている。ＣＶＤ法に用いる成膜装置としては
例えば図３に示すように、石英ガラスで上方部を吊鐘状
の幅狭に構成してなる筒状部材１と、例えば金属材料か
らなるフランジ２とによって反応室３を構成し、また筒
状部材１の内部に試料台４を設け、また同筒状部材１の
側面外周に加熱機構５を設けて構成してある。原料ガス
はガス導入口６より導入し、またフランジ２に設けたガ
ス排気口７よりガスを排気するように構成してある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記のＣＶＤ
装置によると、筒状部材１は石英ガラスで上部を幅狭に
構成するので、その加工作業に高度の技術と手数を要
し、また石英ガラスで上部を幅狭に構成するので、例え
ば高さ３ｍ以上外径５０ｃｍ以上の大形の装置に不向き
となる欠点がある。さらに上部を幅狭に構成してあるの
で、筒状部材１の上部より原料ガスを送り込むと、ガス
の流れが反応室３の内部で片寄りを生じる傾向があり、
反応室本体の内部に装着した試料表面に均一にガスが流
れず、従って試料表面に対し膜が一様に形成されない欠
点がある。
装置によると、筒状部材１は石英ガラスで上部を幅狭に
構成するので、その加工作業に高度の技術と手数を要
し、また石英ガラスで上部を幅狭に構成するので、例え
ば高さ３ｍ以上外径５０ｃｍ以上の大形の装置に不向き
となる欠点がある。さらに上部を幅狭に構成してあるの
で、筒状部材１の上部より原料ガスを送り込むと、ガス
の流れが反応室３の内部で片寄りを生じる傾向があり、
反応室本体の内部に装着した試料表面に均一にガスが流
れず、従って試料表面に対し膜が一様に形成されない欠
点がある。
【０００４】本発明は上記の点に鑑み発明したものであ
って、装置を簡単に大形向きに構成することができ、ま
た試料に均一にガスを流すことができ、試料表面に均一
な膜を形成することのできるＣＶＤ装置を提供すること
を目的とする。
って、装置を簡単に大形向きに構成することができ、ま
た試料に均一にガスを流すことができ、試料表面に均一
な膜を形成することのできるＣＶＤ装置を提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためにＣＶＤ装置を次の構成とする。つまり請求項
１では、反応室は耐熱性と熱透過性を有する材料で構成
してなり垂直に立てて配置した筒状部材と、同筒状部材
の開口部両端に配置してなるフランジとによって構成
し、また同筒状部材の側面を覆ってなる加熱機構と、フ
ランジに支持して構成してなる高周波印加電極とを有し
て構成する。そして前記フランジの少なくとも一方は開
閉自在に構成し、また一方のフランジにガス導入口を設
け、他方のフランジにガス排気口を設けて構成する。
するためにＣＶＤ装置を次の構成とする。つまり請求項
１では、反応室は耐熱性と熱透過性を有する材料で構成
してなり垂直に立てて配置した筒状部材と、同筒状部材
の開口部両端に配置してなるフランジとによって構成
し、また同筒状部材の側面を覆ってなる加熱機構と、フ
ランジに支持して構成してなる高周波印加電極とを有し
て構成する。そして前記フランジの少なくとも一方は開
閉自在に構成し、また一方のフランジにガス導入口を設
け、他方のフランジにガス排気口を設けて構成する。
【０００６】請求項２では請求項１における筒状部材の
内部に装着して構成してなる試料台を回転自在に構成す
る。
内部に装着して構成してなる試料台を回転自在に構成す
る。
【０００７】
【作用】上記した構造のＣＶＤ装置によると、 装置を
簡単に大形向きに構成することができ、また試料に均一
にガスが流れ、試料の表面に均一な膜を形成することの
できる。
簡単に大形向きに構成することができ、また試料に均一
にガスが流れ、試料の表面に均一な膜を形成することの
できる。
【０００８】
【実施例】以下本発明を第１図および第２図について説
明する。図において、１１は耐熱性と熱透過性を有する
材料で構成した筒状部材であって、垂直に立てて構成し
てある。また耐熱性と熱透過性を有する材料としては例
えば石英ガラスあるいはパイレックスを用いて構成す
る。１２は筒状部材１１の上部開口部に配置してなるフ
ランジであって、ガス導入口１３を有し例えばステンレ
ス等の金属で構成してある。１４は筒状部材１１の下部
開口部に配置してなるフランジであって、ガス排気口１
５を有し例えばステンレス等の金属で構成してある。そ
して、筒状部材１１と上下２つのフランジ１２と１４と
によって、ＣＶＤ成膜反応を行なわせる反応室１６を構
成する。１７は筒状部材１１の側面を覆ってなる加熱機
構であって、例えばタングステンヒータを用いて構成す
る。また筒状部材１１の内部の温度は例えば４５０℃程
度に上昇させる。１８は上部のフランジ１２に支持して
なる高周波印加電極、１９は高周波印加電極１８に接続
してなる高周波電源である。２０は筒状部材１１の内部
に配置してなり接地電極を兼ねる試料台、２１は試料台
２０に支持してなる試料支持機構、２２は試料支持機構
２１に支持してなる試料であって、例えば電球と組み合
わせて用いるコールドミラー等である。なお、上記した
構造のＣＶＤ装置では、ガス導入口と、ガス排気口の上
下関係を逆にして、反応室内のガスの流れを逆転させる
ことも可能である。
明する。図において、１１は耐熱性と熱透過性を有する
材料で構成した筒状部材であって、垂直に立てて構成し
てある。また耐熱性と熱透過性を有する材料としては例
えば石英ガラスあるいはパイレックスを用いて構成す
る。１２は筒状部材１１の上部開口部に配置してなるフ
ランジであって、ガス導入口１３を有し例えばステンレ
ス等の金属で構成してある。１４は筒状部材１１の下部
開口部に配置してなるフランジであって、ガス排気口１
５を有し例えばステンレス等の金属で構成してある。そ
して、筒状部材１１と上下２つのフランジ１２と１４と
によって、ＣＶＤ成膜反応を行なわせる反応室１６を構
成する。１７は筒状部材１１の側面を覆ってなる加熱機
構であって、例えばタングステンヒータを用いて構成す
る。また筒状部材１１の内部の温度は例えば４５０℃程
度に上昇させる。１８は上部のフランジ１２に支持して
なる高周波印加電極、１９は高周波印加電極１８に接続
してなる高周波電源である。２０は筒状部材１１の内部
に配置してなり接地電極を兼ねる試料台、２１は試料台
２０に支持してなる試料支持機構、２２は試料支持機構
２１に支持してなる試料であって、例えば電球と組み合
わせて用いるコールドミラー等である。なお、上記した
構造のＣＶＤ装置では、ガス導入口と、ガス排気口の上
下関係を逆にして、反応室内のガスの流れを逆転させる
ことも可能である。
【０００９】請求項２の発明の実施例としては図２に示
すように、試料台２０を回転機構２３により自在に回転
するように構成してある。回転機構としては、例えば小
形モータによりチエーンを介してギアを回転するように
構成する。
すように、試料台２０を回転機構２３により自在に回転
するように構成してある。回転機構としては、例えば小
形モータによりチエーンを介してギアを回転するように
構成する。
【００１０】
【発明の効果】本発明のＣＶＤ装置は上記したように、
垂直に立てて配置した筒状部材と、筒状部材の開口部両
端に配置してなるフランジとにより反応室を構成してな
り、両端のフランジにそれぞれ支持してなるガス導入口
と、ガス排気口とを有して構成してあるので、従来の装
置に較べ、ガスの流れに変流がなく試料の表面に均一に
ガスが流れ、試料の表面に均一な膜を形成することがで
きる特有な効果を有する。 また反応室を筒状に構成し
てあるので、反応室を容易に大形に構成することがで
き、安価でしかも大量生産に適する装置に構成すること
ができる。またフランジの少なくとも一方は開閉自在に
構成してあるので、反応室内部のメンテナンス、試料の
出し入れを容易に行なうことができる。また請求項２で
は、試料台を回転自在に構成してあるので、個々の試料
表面を均一なガス雰囲気にさらすことができ、試料の表
面に均一な膜を形成することができる効果を有する。
垂直に立てて配置した筒状部材と、筒状部材の開口部両
端に配置してなるフランジとにより反応室を構成してな
り、両端のフランジにそれぞれ支持してなるガス導入口
と、ガス排気口とを有して構成してあるので、従来の装
置に較べ、ガスの流れに変流がなく試料の表面に均一に
ガスが流れ、試料の表面に均一な膜を形成することがで
きる特有な効果を有する。 また反応室を筒状に構成し
てあるので、反応室を容易に大形に構成することがで
き、安価でしかも大量生産に適する装置に構成すること
ができる。またフランジの少なくとも一方は開閉自在に
構成してあるので、反応室内部のメンテナンス、試料の
出し入れを容易に行なうことができる。また請求項２で
は、試料台を回転自在に構成してあるので、個々の試料
表面を均一なガス雰囲気にさらすことができ、試料の表
面に均一な膜を形成することができる効果を有する。
【図１】図１は本発明のＣＶＤ装置の概略断面図。
【図２】図２は本発明の他のＣＶＤ装置の概略断面図。
【図３】図３は従来のＣＶＤ装置の概略断面図。
１１ 筒状部材 １２ フランジ １３ ガス導入口 １４ フランジ １５ ガス排気口 １６ 反応室 １７ 加熱機構 １８ 高周波印加電極 １９ 高周波電源 ２０ 試料台 ２１ 試料支持機構 ２２ 試料 ２３ 回転機構
フロントページの続き (72)発明者 芹田 功 埼玉県川越市芳野台２丁目８番36号 株式 会社幸和クリエイター内
Claims (2)
- 【請求項１】耐熱性と熱透過性材を有する材料で構成し
てなり垂直に立てて配置した筒状部材と、同筒状部材の
開口部両端に配置してなるフランジと、同筒状部材の側
面を覆ってなる加熱機構と、フランジに支持して構成し
てなる高周波印加電極と、高周波印加電極に高周波電力
を供給する装置とを有し、 前記フランジの少なくとも一方は開閉自在に構成し、ま
た一方のフランジにガス導入口を設け、他方のフランジ
にガス排気口を設けて構成したことを特徴とするＣＶＤ
装置。 - 【請求項２】筒状部材の内部に配置してなる試料台を回
転自在に構成したことを特徴とする請求項１のＣＶＤ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12439591A JPH05343328A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12439591A JPH05343328A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343328A true JPH05343328A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=14884371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12439591A Pending JPH05343328A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343328A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009536267A (ja) * | 2006-05-05 | 2009-10-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 誘電膜の原子層堆積のための化学物質の光励起のための方法および装置 |
| JP2010103544A (ja) * | 2001-01-11 | 2010-05-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 成膜装置および成膜方法 |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP12439591A patent/JPH05343328A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010103544A (ja) * | 2001-01-11 | 2010-05-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2009536267A (ja) * | 2006-05-05 | 2009-10-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 誘電膜の原子層堆積のための化学物質の光励起のための方法および装置 |
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