JP2002093717A - 縦型熱処理装置 - Google Patents

縦型熱処理装置

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JP2002093717A
JP2002093717A JP2000277429A JP2000277429A JP2002093717A JP 2002093717 A JP2002093717 A JP 2002093717A JP 2000277429 A JP2000277429 A JP 2000277429A JP 2000277429 A JP2000277429 A JP 2000277429A JP 2002093717 A JP2002093717 A JP 2002093717A
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heat treatment
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Toshiyuki Makitani
敏幸 牧谷
Takanori Saito
孝規 斉藤
Choei Osanai
長栄 長内
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 筒状ヒータの各ゾーンに対応する位置の温度
および面状ヒータに対応する位置の温度を検出可能と
し、これら両ヒータの温度制御を可能とする。 【解決手段】 多数枚の被処理体wを高さ方向に所定間
隔で配列して処理容器2内に収容し、該処理容器2の周
囲に設けた高さ方向のゾーン制御が可能な筒状ヒータ1
0および処理容器2の上方に設けた面状ヒータ12によ
り被処理体wを加熱して所定の熱処理を施す縦型熱処理
装置1であって、前記ヒータ10,12の温度を制御す
べく前記処理容器2内に温度検出器20を設け、該温度
検出器20は処理容器2内を高さ方向に立上がり且つそ
の上端から処理容器2内の中心に向って横方向に延出し
た保護管21と、該保護管21内に前記面状ヒータ12
と対応する位置および筒状ヒータ10の各ゾーンZ1〜
Z4と対応する位置に配置された熱電対22…とを有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、縦型熱処理装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理体例えば半導体ウエハに、酸化、拡散、CVD(Chem
ical Vapor Deposition)などの処理を施すために、
各種の熱処理装置が用いられている。そして、その一つ
として、一度に多数枚の被処理体の熱処理が可能なバッ
チ式の縦型熱処理装置が知られている。この縦型熱処理
装置は、多数枚の被処理体を高さ方向に所定間隔で配列
して処理容器内に収容し、この処理容器の周囲に設けた
筒状ヒータにより加熱して所定の熱処理を施すようにな
っている。
【0003】前記筒状ヒータは、高さ方向に複数のゾー
ンに分けて温度制御可能になっている。前記ヒータによ
る処理温度を制御するために、処理容器内には該処理容
器内の温度を検出する温度検出器が設けられている。こ
の温度検出器は、処理容器内を高さ方向に立上がった直
管状の例えば石英ガラス製の保護管を有し、この保護管
内における前記ヒータの各ゾーンに対応する位置に熱電
対を配置した構成がとられ、処理容器内の高さ方向の温
度分布が検出できるようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記縦型熱
処理装置においては、処理容器の上方からの放熱を防止
すると共に被処理体を面内均一に加熱するために処理容
器の上方に面状ヒータを設置することが提案されてい
る。しかしながら、処理容器の上方に面状ヒータを設置
した場合、前記温度検出器では処理容器内における前記
面状ヒータに対応する位置の温度を検出することができ
ず、したがって、面状ヒータの温度を制御することが困
難であった。
【0005】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、筒状ヒータの各ゾーンに対応する位置の温度およ
び面状ヒータに対応する位置の温度を検出することがで
き、これら両ヒータの温度制御が可能な縦型熱処理装置
を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項1
の発明は、多数枚の被処理体を高さ方向に所定間隔で配
列して処理容器内に収容し、該処理容器の周囲に設けた
高さ方向のゾーン制御が可能な筒状ヒータおよび処理容
器の上方に設けた面状ヒータにより被処理体を加熱して
所定の熱処理を施す縦型熱処理装置であって、前記ヒー
タの温度を制御すべく前記処理容器内に温度検出器を設
け、該温度検出器は処理容器内を高さ方向に立上がり且
つその上端から処理容器内の中心に向って横方向に延出
した保護管と、該保護管内に前記面状ヒータに対応する
位置および筒状ヒータの各ゾーンに対応する位置に配置
された熱電対とを有することを特徴とする。
【0007】請求項2の発明は、請求項1に記載の縦型
熱処理装置において、前記面状ヒータが横方向のゾーン
制御が可能に構成されると共に、前記温度検出器の保護
管内には面状ヒータの各ゾーンに対応する位置に熱電対
が配置されていることを特徴とする。
【0008】請求項3の発明は、多数枚の被処理体を高
さ方向に所定間隔で配列して処理容器内に収容し、該処
理容器の周囲に設けた高さ方向のゾーン制御が可能な筒
状ヒータおよび処理容器の上方に設けた面状ヒータによ
り被処理体を加熱して所定の熱処理を施す縦型熱処理装
置であって、前記ヒータの温度を制御すべく、処理容器
内に前記筒状ヒータのゾーンに対応する温度を検出する
第1の温度検出器を設けると共に、処理容器の上部の外
側から処理容器内の中心に向って横方向に挿入され面状
ヒータに対応する温度を検出する第2の温度検出器を設
けたことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図1は本発明の第1の実施の
形態を示す縦型熱処理装置の縦断面図、図2は同縦型熱
処理装置における温度検出器の一例を示す断面図であ
る。
【0010】図1において、1は縦型熱処理装置で、こ
の縦型熱処理装置1は多数枚の被処理体例えば半導体ウ
エハwを高さ方向に所定間隔で配列した状態で下方から
収容して所定の熱処理例えばCVD処理を施す熱処理炉
を構成する処理容器(プロセスチューブ)2を備えてい
る。この処理容器2は、耐熱性および耐食性を有する材
料例えば石英ガラスにより形成されている。
【0011】処理容器2は、本実施の形態では、内管2
aと外管2bの二重管構造になっている。内管2aは上
端および下端が開放されている。外管2bは、上端が閉
塞され、下端が開放されている。なお、処理容器2は、
外管2bのみからなっていてもよい。
【0012】処理容器2の下部には、本実施の形態で
は、処理容器2内に処理ガスや不活性ガスを導入するガ
ス導入部3と、処理容器2内を排気する排気部4とを有
する短円筒状のマニホールド5が設けられている。この
マニホールド5は、耐熱性および耐食性を有する材料例
えばステンレス鋼により形成されている。
【0013】ガス導入部3には、ガス源に通じるガス供
給系の配管が接続される。排気部4には、真空ポンプお
よび圧力制御機構を有する排気系が接続され、処理容器
2内を所定の処理圧力に制御し得るようになっている。
この処理圧力に制御された状態で、ガス導入部3から導
入された処理ガスが処理容器2の内管2a内を上昇して
ウエハwの所定の熱処理に供された後、内管2aと外管
2bとの間の環状通路を下降して排気部4から排気され
るようになっている。
【0014】前記マニホールド5の上端には、フランジ
部5fが形成されており、この上端フランジ部5fの上
面には、外管2bの下端フランジ部2fが載置され、フ
ランジ押え7により接合固定されている。マニホールド
5の上端フランジ部5fと外管2bの下端フランジ部2
fとの間には、図示しないシール手段例えばOリングが
介設されている。マニホールド5の内側には、内管2a
を支持するための内管支持部8が設けられている。
【0015】前記マニホールド5は、ベースプレート9
の下部に取付けられており、このベースプレート9の上
部には、処理容器2の周囲を取り囲み処理容器2内のウ
エハwを所定の熱処理温度に加熱昇温するための筒状ヒ
ータ10が設置されている。この筒状ヒータ10は、例
えば処理容器2の周囲を取囲む図示しない筒状(円筒
状)の断熱材を備え、この筒状断熱材の内周に線状の抵
抗発熱体11が螺旋状または蛇行状に配設されている。
前記筒状ヒータ10は、高さ方向に複数のゾーン(領
域)Z1〜Z4に分けて温度制御が可能すなわちゾーン
制御が可能に構成されている。
【0016】筒状ヒータ10の筒状断熱材の上部には、
図示しない円板状の板状断熱材が被せられ(載置され)
ている。前記ヒータ10の筒状断熱材の外側および板状
断熱材の上方は、金属板からなる覆いであるアウターシ
ェルにより覆われており、アウターシェルには水冷ジャ
ケットが設けられている(図示省略)。なお、筒状ヒー
タ10は、内側を強制的に空冷する強制空冷式であって
もよく、強制空冷を行わない自然空冷式であってもよ
い。
【0017】前記処理容器2の上方には、上方からの放
熱を防止しウエハwを面内均一に加熱するために、水平
に面状ヒータ12が設けられている。この面状ヒータ1
2は、抵抗発熱体を平面状に配線して構成されている。
面状ヒータ12は、例えば前記板状断熱材の下に設けら
れている。なお、前記筒状ヒータ10は、例えばカーボ
ンヒータのような棒状の抵抗発熱体を垂直状態で処理容
器2の周囲を取囲むように配設して構成されていてもよ
く、また、急速昇降温を可能とするために断熱材を使用
しないで直接冷却ジャケットの内側に取付けられていて
もよい。この場合、前記面状ヒータ12は、冷却ジャケ
ットの天井に懸垂状態で取付けられる。
【0018】処理容器2内に多数枚例えば150枚程度
の半導体ウエハwを高さ方向に所定間隔で搭載保持する
ために、ウエハwは保持具である例えば石英ガラス製の
ボート13に保持され、このボート13はマニホールド
5の下端開口部(炉口)を密閉する例えばステンレス鋼
製の蓋体14の上部にボートサポート15を介して載置
されている。
【0019】このボートサポート15は、ボート13を
処理容器2内の熱処理領域に保持すべく蓋体14の上部
中央より起立した回転支柱16を有し、蓋体14の下部
には回転支柱16を回転駆動する駆動部17が設けられ
ている。また、蓋体14の上部には炉口断熱保温手段で
ある保温筒18が設置され、この保温筒18の軸心に前
記ボートサポート15の回転支柱16が回転可能に貫通
されている。前記処理容器2の下方には、蓋体14を昇
降させて蓋体14の開閉および処理容器2に対するボー
ト13の搬入搬出を行うための昇降機構が設けられてい
ると共にその作業領域であるローディングエリア19が
設けられている。マニホールド5の下端(開口端)と蓋
体14との接合部には、シール手段である例えばOリン
グが設けられている(図示省略)。
【0020】そして、前記ヒータ10,12の温度を制
御するために、前記処理容器2内には温度検出器20が
設けられている。この温度検出器20は、図2にも示す
ように、処理容器2内を高さ方向に立上がり且つその上
端から処理容器内の中心に向って横方向に延出した例え
ば透明石英ガラス製の保護管21と、この保護管21内
に前記面状ヒータ12に対応する位置(中心位置)およ
び筒状ヒータ10の各ゾーンZ1〜Z4に対応する位置
に配置された熱電対22…とを有している。
【0021】前記保護管20は、L字状の保護管本体部
21aと、この保護管本体部21aの上端から処理容器
2内の中心に向って横方向に分岐された分岐管部21b
とからなり、分岐管部21bの先端は閉じている。保護
管21の基端部21cは、処理容器2の下側壁を貫通す
る状態に取付けられるために、横方向に折り曲げられて
いる。各熱電対22…は、各熱電対の素線を通す例えば
アルミナセラミック製の絶縁管23の先端部に配置され
ている。
【0022】絶縁管23は、保護管21の屈曲部で屈曲
可能なように長手方向に複数に分割されている。先端に
熱電対を配置した各絶縁管23は、保護管21の基端部
21cの開口端から保護管21内に挿入される。なお、
保護管21の屈曲部における絶縁管23の挿通作業が困
難である場合には、直管状に形成した保護管21内に、
先端に熱電対22を有する絶縁管23を挿入した後、保
護管21を曲げ加工するようにしてもよい。
【0023】熱電対22の素線は、絶縁管23と共に保
護管21の基端部21cの開口端から引き出され、補償
導線を介してヒータ10,12の温度を制御する制御部
30の入力端子に接続されている。保護管21内には、
熱電対22…の酸化を防止すべく不活性ガスが充填さ
れ、保護管21の基端部21cの開口端は、封止剤24
を充填することで封止されている。前記制御部30は、
前記温度検出器20により処理容器2内の温度を検出し
つつ、ヒータ10,12の供給電力を調節して処理容器
2内を予めプログラムされた処理温度にすべくプロセス
制御するように構成されている。
【0024】次に、以上の構成からなる縦型熱処理装置
の作用を述べる。先ず、ウエハwの移載が終了したボー
ト13は、ローディングエリア19において、蓋体14
上のボートサポート15上に載置される。次に、昇降機
構による蓋体14の上昇によってボート13を処理容器
2内にその下端開口(マニホールド5の下端開口部)か
ら搬入し、その開口を蓋体14で気密に閉塞する。そし
て、処理容器2内を、排気部4からの排気系による減圧
排気により所定の圧力ないし真空度に制御すると共にヒ
ータ10,12に電力を供給して所定の処理温度に制御
し、ボートサポート部15によりボート13を回転させ
ながらガス導入部3より処理ガスを処理容器2内に導入
してウエハwに所定の熱処理例えばCVD処理を開始す
る。
【0025】所定の熱処理が終了したなら、先ず、ヒー
タ10,12の電力を落とし、場合によってはヒータ1
0内を強制空冷し、処理ガスの導入を停止して不活性ガ
スの導入により処理容器2内をパージする。次に、ボー
トサポート15の回転を停止し、蓋体14を下降させて
処理容器2内を開放すると共にボート13をローディン
グエリア19に搬出すればよい。
【0026】このように前記縦型熱処理装置1によれ
ば、多数枚のウエハwを高さ方向に所定間隔で配列して
処理容器2内に収容し、この処理容器2の周囲に設けた
高さ方向のゾーン制御が可能な筒状ヒータ10および処
理容器2の上方に設けた面状ヒータ12によりウエハw
を加熱して所定の熱処理を施す縦型熱処理装置1であっ
て、前記ヒータ10,12の温度を制御すべく前記処理
容器2内に温度検出器20を設け、この温度検出器20
は処理容器2内を高さ方向に立上がり且つその上端から
処理容器2内の中心に向って横方向に延出した保護管2
1と、この保護管21内に前記面状ヒータ12に対応す
る位置および筒状ヒータ10の各ゾーンZ1〜Z4に対
応する位置に配置された熱電対22…とを有するため、
一本の温度検出器20で筒状ヒータ10の各ゾーンZ1
〜Z4に対応する位置の温度および面状ヒータ12に対
応する位置の温度を検出することが可能となり、これら
両ヒータ10,12の温度制御が可能となる。
【0027】図3は本発明の第2の実施の形態を示す要
部斜視図である。図3の実施の形態では、前記面状ヒー
タ12が同心円状の複数のゾーンZa〜Zcに分けて温
度制御が可能すなわちゾーン制御が可能に構成されてい
る。そして、温度検出器20にあっては、保護管21内
に面状ヒータ12の各ゾーンZa〜Zcに対応する位置
に熱電対22…が配置されて構成されている。具体的に
は、保護管21の分岐管部21b内に、面状ヒータ12
の各ゾーンZa〜Zcに対応する位置に熱電対22…が
配置されている。したがって、図3の実施の形態によれ
ば、前記面状ヒータ12が同心円状のゾーン制御が可能
に構成されると共に、前記温度検出器20の保護管21
内には面状ヒータ12の各ゾーンZa〜Zcに対応する
位置に熱電対22…が配置されているため、面状ヒータ
12の各ゾーンZa〜Zcに対応する位置の温度を検出
することが可能となり、すなわち、ウエハ面内方向の温
度分布を検出することが可能となり、ウエハwを面内均
一に加熱すべく面状ヒータ12のゾーン制御が可能とな
る。
【0028】図4は本発明の第3の実施の形態を示す縦
型熱処理装置の概略的縦断面図である。図4の実施の形
態において、図1の実施の形態と同一部分は、同一参照
符号を付して説明を省略する。図4の実施の形態におい
ては、ヒータ10,12の温度を制御するために、処理
容器2内に筒状ヒータ10の各ゾーンZ1〜Z4に対応
する温度を検出可能な第1の温度検出器20Aが設けら
れると共に、処理容器2の上部の外側から処理容器2内
の中心に向って横方向に挿入され面状ヒータ12に対応
する温度を検出する第2の温度検出器20Bが設けられ
ている。
【0029】第1の温度検出器20Aは、従来の温度検
出器と同様、処理容器2内を高さ方向に立上がる直管か
らなる保護管21と、この保護管21内に筒状ヒータ1
0の各ゾーンZ1〜Z4に対応する位置に配置された熱
電対22…とを有する構造になっている。一方、第2の
温度検出器20Bは、処理容器2と筒状ヒータ10との
間を下方から上方すなわち高さ方向に立上がり且つその
上端から処理容器2内の中心に向って横方向に延出した
保護管21と、この保護管21内に前記面状ヒータ12
に対応する位置に配置された熱電対22とを有する構造
になっている。
【0030】具体的には、保護管21は、処理容器2と
筒状ヒータ10との間を高さ方向に起立して設けられる
直管状の保護管本体部21aと、この保護管本体21a
部の上端から処理容器2内の中心に向って横方向に分岐
された分岐管部21bとからなり、この分岐管部21b
内のみに熱電対22が設けられている。処理容器2の上
側壁には、前記保護管21の先端部(分岐管部21b)
を挿入するためおよび処理容器2の気密性を確保するた
めに鞘状の挿入部25が形成されていることが好まし
い。なお、前記面状ヒータ12が同心円状のゾーン制御
が可能に構成されている場合には、前記保護管21の分
岐管部21b内には、面状ヒータ12の各ゾーンに対応
する位置に熱電対22…が配置されていることが好まし
い。
【0031】図4の実施の形態によれば、多数枚のウエ
ハwを高さ方向に所定間隔で配列して処理容器2内に収
容し、この処理容器2の周囲に設けた高さ方向のゾーン
制御が可能な筒状ヒータ10および処理容器2の上方に
設けた面状ヒータ12によりウエハwを加熱して所定の
熱処理を施す縦型熱処理装置1であって、前記ヒータ1
0,12の温度を制御すべく、処理容器2内に前記筒状
ヒータ10のゾーンZ1〜Z4に対応する温度を検出す
る第1の温度検出器20Aを設けると共に、処理容器2
の上部の外側から処理容器2内の中心に向って横方向に
挿入され面状ヒータ12に対応する温度を検出する第2
の温度検出器20Bを設けているため、筒状ヒータ10
の各ゾーンZ1〜Z4に対応する位置の温度および面状
ヒータ12に対応する位置(中心位置)の温度をそれぞ
れ検出することができ、これら両ヒータ10,12の温
度制御が可能となる。
【0032】図5は図4の実施の形態の変形例を示す縦
型熱処理装置の概略的縦断面図である。図5の実施の形
態において、図4の実施の形態と同一部分は、同一参照
符号を付して説明を省略する。図5の実施の形態におい
ては、第2の温度検出器20Bが、処理容器2の上部に
半径方向外方から処理容器2内の中心に向って挿入され
る水平方向に直管状の保護管21を有しており、この保
護管21の閉じられた先端側が筒状ヒータ13を側方か
ら貫通して、処理容器2の上側壁に形成された鞘状の挿
入部25に挿入されている。
【0033】また、処理容器2の上方に設けられた面状
ヒータ12は、同心円状にゾーン制御が可能に構成され
ており、前記第2の温度検出器20Bの保護管21内に
は面状ヒータ12の各ゾーンZa〜Zcに対応する位置
に熱電対22…が配置されている。図5の実施の形態に
おいても、図4の実施の形態と同様の効果を奏すること
ができる。
【0034】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、前記実施の形態で
は、熱処理の一例としてCVD処理が例示されている
が、本発明の縦型熱処理装置は、CVD処理以外に、例
えば拡散処理、酸化処理、アニール処理等を行うことが
可能である。また、前記実施の形態では、処理容器にマ
ニホールドを備えた縦型熱処理装置が例示されている
が、本発明の縦型熱処理装置は、処理容器にマニホール
ドを備えていなくてもよい。また、被処理体としては、
半導体ウエハ以外に、例えばLCD基板やガラス基板等
であってもよい。
【0035】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。
【0036】(1)請求項1の発明によれば、多数枚の
被処理体を高さ方向に所定間隔で配列して処理容器内に
収容し、該処理容器の周囲に設けた高さ方向のゾーン制
御が可能な筒状ヒータおよび処理容器の上方に設けた面
状ヒータにより被処理体を加熱して所定の熱処理を施す
縦型熱処理装置であって、前記ヒータの温度を制御すべ
く前記処理容器内に温度検出器を設け、該温度検出器は
処理容器内を高さ方向に立上がり且つその上端から処理
容器内の中心に向って横方向に延出した保護管と、該保
護管内に前記面状ヒータに対応する位置および筒状ヒー
タの各ゾーンに対応する位置に配置された熱電対とを有
するため、一本の温度検出器で筒状ヒータの各ゾーンに
対応する位置の温度および面状ヒータに対応する位置の
温度を検出することができ、これら両ヒータの温度制御
が可能となる。
【0037】(2)請求項2の発明によれば、請求項1
に記載の縦型熱処理装置において、前記面状ヒータが同
心円状のゾーン制御が可能に構成されると共に、前記温
度検出器の保護管内には面状ヒータの各ゾーンに対応す
る位置に熱電対が配置されているため、面状ヒータの各
ゾーンに対応する位置の温度を検出することができ、面
状ヒータのゾーン制御が可能となる。
【0038】(3)請求項3の発明によれば、多数枚の
被処理体を高さ方向に所定間隔で配列して処理容器内に
収容し、該処理容器の周囲に設けた高さ方向のゾーン制
御が可能な筒状ヒータおよび処理容器の上方に設けた面
状ヒータにより被処理体を加熱して所定の熱処理を施す
縦型熱処理装置であって、前記ヒータの温度を制御すべ
く、処理容器内に前記筒状ヒータのゾーンに対応する温
度を検出する第1の温度検出器を設けると共に、処理容
器の上部の外側から処理容器内の中心に向って横方向に
挿入され面状ヒータに対応する温度を検出する第2の温
度検出器を設けているため、筒状ヒータの各ゾーンに対
応する位置の温度および面状ヒータに対応する位置の温
度をそれぞれ検出することができ、これら両ヒータの温
度制御が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す縦型熱処理装
置の縦断面図である。
【図2】同縦型熱処理装置における温度検出器の一例を
示す断面図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態を示す要部斜視図で
ある。
【図4】本発明の第3の実施の形態を示す縦型熱処理装
置の概略的縦断面図である。
【図5】図4の実施の形態の変形例を示す縦型熱処理装
置の概略的縦断面図である。
【符号の説明】
w 半導体ウエハ(被処理体) 1 縦型熱処理装置 2 処理容器 10 筒状ヒータ 12 面状ヒータ 20 温度検出器 20A 第1の温度検出器 20B 第2の温度検出器 21 保護管 22 熱電対
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長内 長栄 神奈川県津久井郡城山町町屋1丁目2番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 Fターム(参考) 4K030 CA04 CA12 FA10 HA13 KA04 KA24 KA39 KA41 5F045 AA03 AA20 DP19 DQ05 EK06 GB05

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 多数枚の被処理体を高さ方向に所定間隔
    で配列して処理容器内に収容し、該処理容器の周囲に設
    けた高さ方向のゾーン制御が可能な筒状ヒータおよび処
    理容器の上方に設けた面状ヒータにより被処理体を加熱
    して所定の熱処理を施す縦型熱処理装置であって、前記
    ヒータの温度を制御すべく前記処理容器内に温度検出器
    を設け、該温度検出器は処理容器内を高さ方向に立上が
    り且つその上端から処理容器内の中心に向って横方向に
    延出した保護管と、該保護管内に前記面状ヒータに対応
    する位置および筒状ヒータの各ゾーンに対応する位置に
    配置された熱電対とを有することを特徴とする縦型熱処
    理装置。
  2. 【請求項2】 前記面状ヒータが横方向のゾーン制御が
    可能に構成されると共に、前記温度検出器の保護管内に
    は面状ヒータの各ゾーンに対応する位置に熱電対が配置
    されていることを特徴とする請求項1に記載の縦型熱処
    理装置。
  3. 【請求項3】 多数枚の被処理体を高さ方向に所定間隔
    で配列して処理容器内に収容し、該処理容器の周囲に設
    けた高さ方向のゾーン制御が可能な筒状ヒータおよび処
    理容器の上方に設けた面状ヒータにより被処理体を加熱
    して所定の熱処理を施す縦型熱処理装置であって、前記
    ヒータの温度を制御すべく、処理容器内に前記筒状ヒー
    タの各ゾーンに対応する温度を検出可能な第1の温度検
    出器を設けると共に、処理容器の上部の外側から処理容
    器内の中心に向って横方向に挿入され面状ヒータに対応
    する温度を検出する第2の温度検出器を設けたことを特
    徴とする縦型熱処理装置。
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