JP5158367B2 - プラズマcvd装置のシャワー電極の製作方法 - Google Patents
プラズマcvd装置のシャワー電極の製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5158367B2 JP5158367B2 JP2008308557A JP2008308557A JP5158367B2 JP 5158367 B2 JP5158367 B2 JP 5158367B2 JP 2008308557 A JP2008308557 A JP 2008308557A JP 2008308557 A JP2008308557 A JP 2008308557A JP 5158367 B2 JP5158367 B2 JP 5158367B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole diameter
- shower
- film
- hole
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
に関する。
Claims (3)
- 平行平板型プラズマCVD装置が備えるシャワー穴が形成されたシャワー電極を作成する方法であって、
前記シャワー穴の目標とする目標穴径、シャワー電極用の電極材に物理的な除去加工で形成する加工穴径、および電極材の溶射による成膜の膜厚の各寸法を、溶射膜の厚さ方向と面方向との成長量の関係に基づいて定める第1の工程と、
物理的な除去加工によって、シャワー電極用の電極材に目標穴径よりも大きな加工穴径の開口部を形成する第2の工程と、
前記第1の工程によって開口部が形成された電極材に対して、当該電極材の少なくとも一方の表面に金属を溶射し、当該溶射によって電極材の前記一方の表面上および前記開口部の内縁部から穴の中心に向かって溶射膜を形成する第3の工程とを備え、
前記第3の工程において、前記第1の工程で定めた膜厚分の溶射膜を形成することによって、前記開口部の内縁部から穴の中心に向かって溶射膜を形成し、前記第2の工程で形成した開口部の穴径を加工穴径から目標穴径に縮小することを特徴とする、プラズマCVD装置のシャワー電極の製作方法。 - 前記第1の工程は、
溶射膜の膜厚を設定する工程と、
前記目標穴径を設定する工程と、
前記溶射膜の厚さ方向と面方向との成長量の関係に基づいて、前記膜厚に対する穴径の縮小寸法を求める工程と、
前記目標穴径に前記縮小寸法を加算して加工穴径を算出する工程とを備えることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマCVD装置のシャワー電極の製作方法。 - 前記第1の工程は、
前記加工穴径を設定する工程と、
前記目標穴径を設定する工程と、
前記加工穴径から前記目標穴径を減算して縮小寸法を求める工程と、
前記溶射による成膜の膜厚と径方向の成長量との関係に基づいて、縮小寸法に対する膜厚を求める工程とを備えることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマCVD装置のシャワー電極の製作方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008308557A JP5158367B2 (ja) | 2008-12-03 | 2008-12-03 | プラズマcvd装置のシャワー電極の製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008308557A JP5158367B2 (ja) | 2008-12-03 | 2008-12-03 | プラズマcvd装置のシャワー電極の製作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010132950A JP2010132950A (ja) | 2010-06-17 |
JP5158367B2 true JP5158367B2 (ja) | 2013-03-06 |
Family
ID=42344501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008308557A Expired - Fee Related JP5158367B2 (ja) | 2008-12-03 | 2008-12-03 | プラズマcvd装置のシャワー電極の製作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5158367B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101241049B1 (ko) | 2011-08-01 | 2013-03-15 | 주식회사 플라즈마트 | 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법 |
KR101246191B1 (ko) | 2011-10-13 | 2013-03-21 | 주식회사 윈텔 | 플라즈마 장치 및 기판 처리 장치 |
KR101427732B1 (ko) * | 2012-01-20 | 2014-08-07 | 한국과학기술원 | 플라즈마 발생 장치 및 기판 처리 장치 |
KR101332337B1 (ko) | 2012-06-29 | 2013-11-22 | 태원전기산업 (주) | 초고주파 발광 램프 장치 |
JP6281276B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2018-02-21 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用電極板の製造方法 |
TWI659449B (zh) * | 2014-12-26 | 2019-05-11 | 日商A Sat股份有限公司 | 電漿蝕刻裝置用電極的再生方法及再生電極 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08144060A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-04 | Ulvac Japan Ltd | プラズマcvd装置 |
JP3378126B2 (ja) * | 1995-09-01 | 2003-02-17 | 三菱電機株式会社 | 真空処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP4077704B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2008-04-23 | 積水化学工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4045592B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2008-02-13 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
JP4045591B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2008-02-13 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマエッチング用電極板 |
JP4517363B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2010-08-04 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
-
2008
- 2008-12-03 JP JP2008308557A patent/JP5158367B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010132950A (ja) | 2010-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5158367B2 (ja) | プラズマcvd装置のシャワー電極の製作方法 | |
JP2018098239A (ja) | 載置台及びプラズマ処理装置 | |
JP2016149526A (ja) | 半導体製造装置 | |
TW201405633A (zh) | 用於改良之電漿成形及控制的波狀外形噴淋頭 | |
KR20050050660A (ko) | 플라즈마 프로세스 챔버에서의 에지링 마모 보상용 장치 및방법 | |
US9207689B2 (en) | Substrate temperature control method and plasma processing apparatus | |
JP6203476B2 (ja) | 基板温度制御方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2010153680A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US10818481B2 (en) | Smart device fabrication via precision patterning | |
WO2017138185A1 (ja) | 基板処理装置、基板保持具及び載置具 | |
KR20140108141A (ko) | 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 | |
KR101321677B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP6872453B2 (ja) | 窒化バナジウム膜、窒化バナジウム膜の被覆部材およびその製造方法 | |
JP2018104723A (ja) | プラズマ窒化装置 | |
JP2020096156A (ja) | プラズマ処理装置、算出方法および算出プログラム | |
US7737048B2 (en) | Method for controlling thickness distribution of a film | |
JP2004289003A (ja) | 石英リング、プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2023507091A (ja) | 端部/中央部の不均一性を軽減するためにウエハの外周近傍に凹部を備えた半導体処理チャック | |
JP5196493B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5182136B2 (ja) | プラズマ処理装置用電極板構成体及びプラズマ処理装置 | |
JP2007165410A (ja) | 放電電極、薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法 | |
JP2013243184A (ja) | ドライエッチング装置 | |
JP2019026873A (ja) | 浸窒処理方法 | |
JP7392524B2 (ja) | プラズマ処理装置用内壁部材及びプラズマ処理装置 | |
JP2010123812A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110208 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120614 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120703 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120802 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121127 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5158367 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |