JP2000049081A - 荷電粒子線投影露光装置 - Google Patents
荷電粒子線投影露光装置Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理能力を低下させることなく、常に微粒子
等で汚染されていないレチクルを使用可能である荷電粒
子線投影露光装置を提供する。 【解決手段】 レチクル１００Ａはレチクルローダ１３
１からレチクル搬送装置１２０、１２１によって露光時
の位置に配置される前に、必ずレチクル洗浄装置１３２
に送られる。そして、レチクル洗浄装置１３２で付着微
粒子等を除去された後、露光時の位置に配置される。露
光に使われたレチクル１００Ａは、ある時間間隔をおい
て同じパターン形状をもったレチクル１００Ｂと交換さ
れる。新たに露光時の位置に配置されるレチクル１００
Ｂは、レチクル１００Ａが露光に使用されている間にレ
チクルローダー１３１から洗浄装置１３２に送られて洗
浄を終えている。このようにして、投影露光に問題とな
る微粒子等が付着するまでの時間に比べて十分短い時間
間隔でレチクル１００Ａと１００Ｂを交互に使用する。
等で汚染されていないレチクルを使用可能である荷電粒
子線投影露光装置を提供する。 【解決手段】 レチクル１００Ａはレチクルローダ１３
１からレチクル搬送装置１２０、１２１によって露光時
の位置に配置される前に、必ずレチクル洗浄装置１３２
に送られる。そして、レチクル洗浄装置１３２で付着微
粒子等を除去された後、露光時の位置に配置される。露
光に使われたレチクル１００Ａは、ある時間間隔をおい
て同じパターン形状をもったレチクル１００Ｂと交換さ
れる。新たに露光時の位置に配置されるレチクル１００
Ｂは、レチクル１００Ａが露光に使用されている間にレ
チクルローダー１３１から洗浄装置１３２に送られて洗
浄を終えている。このようにして、投影露光に問題とな
る微粒子等が付着するまでの時間に比べて十分短い時間
間隔でレチクル１００Ａと１００Ｂを交互に使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レチクル上に構成
されたパターンを荷電粒子線によって目的物表面に投影
する荷電粒子線投影露光装置に関するものであり、さら
に詳しくは、常に微粒子等で汚染されていないレチクル
を使用可能とした荷電粒子線投影露光装置に関するもの
である。
されたパターンを荷電粒子線によって目的物表面に投影
する荷電粒子線投影露光装置に関するものであり、さら
に詳しくは、常に微粒子等で汚染されていないレチクル
を使用可能とした荷電粒子線投影露光装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】現在、微細な半導体回路の作製法として
広く用いられている光縮小投影露光装置においては、投
影に使われる光に対して透明なペリクルと呼ばれる膜を
マスクの上下に配置することによって、汚染微粒子がマ
スクに直接付着することを防いでいる。ペリクル上に付
着した汚染微粒子の像は結像面上（ウエハ上）では像を
結ばずにぼやけてしまうため、マスクパターンの結像に
は影響を与えない。これによって光縮小露光装置はマス
クの微粒子汚染による歩留まりの低下、ひいては装置の
処理能力の低下を防いでいる。
広く用いられている光縮小投影露光装置においては、投
影に使われる光に対して透明なペリクルと呼ばれる膜を
マスクの上下に配置することによって、汚染微粒子がマ
スクに直接付着することを防いでいる。ペリクル上に付
着した汚染微粒子の像は結像面上（ウエハ上）では像を
結ばずにぼやけてしまうため、マスクパターンの結像に
は影響を与えない。これによって光縮小露光装置はマス
クの微粒子汚染による歩留まりの低下、ひいては装置の
処理能力の低下を防いでいる。
【０００３】半導体回路の最小加工線幅は、半導体の高
集積化により年々微細化しているが、光（紫外光）を用
いた投影露光では回折限界によって最小加工線幅が原理
的に制限されている。そのため、より一層微細な加工を
行うために、Ｘ線や電子線を用いる方法が提案されてい
る。その中のｌつである電子線投影露光では、レチクル
と呼ぱれる薄い膜の上に形成されたパターンを電子線光
学系によって投影する。電子は光（紫外光）よりも小さ
な領域に絞り込むことができるので、光（紫外光）では
不可能な微細な加工が可能となり、しかも一度に広い領
域の露光が可能であるため、装置として高い処理能力が
得られる。
集積化により年々微細化しているが、光（紫外光）を用
いた投影露光では回折限界によって最小加工線幅が原理
的に制限されている。そのため、より一層微細な加工を
行うために、Ｘ線や電子線を用いる方法が提案されてい
る。その中のｌつである電子線投影露光では、レチクル
と呼ぱれる薄い膜の上に形成されたパターンを電子線光
学系によって投影する。電子は光（紫外光）よりも小さ
な領域に絞り込むことができるので、光（紫外光）では
不可能な微細な加工が可能となり、しかも一度に広い領
域の露光が可能であるため、装置として高い処理能力が
得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、電子はすべて
の物質によって大きく吸収されて透明な物質が存在しな
いため、この手法で用いるレチクルは、ペリクルのよう
な膜で微粒子から保護することはできない。そのため、
電子線投影露光に用いられるレチクルでは、表面に微粒
子が堆積・付着することを防止すること、あるいは付着
した微粒子を検出・除去することが不可欠である。この
ような事情は、電子線以外の荷電粒子線を用いる場合で
も同様である。
の物質によって大きく吸収されて透明な物質が存在しな
いため、この手法で用いるレチクルは、ペリクルのよう
な膜で微粒子から保護することはできない。そのため、
電子線投影露光に用いられるレチクルでは、表面に微粒
子が堆積・付着することを防止すること、あるいは付着
した微粒子を検出・除去することが不可欠である。この
ような事情は、電子線以外の荷電粒子線を用いる場合で
も同様である。
【０００５】又、レチクルに付着する微粒子などを除去
するにあたって、問題となる微粒子を検出する必要があ
るが、問題となる微粒子の最小径は0.05μｍ程度と非常
に小さい。このような微粒子を一つ残らず確実に、しか
もレチクル全面にわたって検出するには容易なことでは
なく、長い時間が必要となる。また、レチクルの微粒子
による汚染を露光時の配置のまま検出することはさらに
困難である。
するにあたって、問題となる微粒子を検出する必要があ
るが、問題となる微粒子の最小径は0.05μｍ程度と非常
に小さい。このような微粒子を一つ残らず確実に、しか
もレチクル全面にわたって検出するには容易なことでは
なく、長い時間が必要となる。また、レチクルの微粒子
による汚染を露光時の配置のまま検出することはさらに
困難である。
【０００６】この微粒子検出に費やされる時間、及び微
粒子が検出された場合に行われる洗浄の時間、レチクル
をこれらの装置間に移動させるためにかかる時問は、装
置の処理能力を低下させることになる。
粒子が検出された場合に行われる洗浄の時間、レチクル
をこれらの装置間に移動させるためにかかる時問は、装
置の処理能力を低下させることになる。
【０００７】本発明はこのような問題点を解決するため
になされたもので、処理能力を低下させることなく、常
に微粒子等で汚染されていないレチクルを使用可能であ
る荷電粒子線投影露光装置を提供することを課題とす
る。
になされたもので、処理能力を低下させることなく、常
に微粒子等で汚染されていないレチクルを使用可能であ
る荷電粒子線投影露光装置を提供することを課題とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第１の手段は、レチクル上に構成されたパターンを荷
電粒子線によって目的物表面に投影する荷電粒子線投影
露光装置において、同じパターンを有するレチクルを２
つ以上使用し、露光装置内の露光位置に配置するレチク
ルを時間間隔をおいて同じパターンを有する他のレチク
ルと交換し、露光位置に配置されていないレチクルに対
して、表面の微粒子等を除去する操作を行うようにした
ことを特徴とする荷電粒子線露光装置（請求項１）であ
る。
の第１の手段は、レチクル上に構成されたパターンを荷
電粒子線によって目的物表面に投影する荷電粒子線投影
露光装置において、同じパターンを有するレチクルを２
つ以上使用し、露光装置内の露光位置に配置するレチク
ルを時間間隔をおいて同じパターンを有する他のレチク
ルと交換し、露光位置に配置されていないレチクルに対
して、表面の微粒子等を除去する操作を行うようにした
ことを特徴とする荷電粒子線露光装置（請求項１）であ
る。
【０００９】本手段においては、同じパターンを有する
複数枚のレチクルを組にして使用し、ひとつのレチクル
を露光位置に配置して投影露光に使用している間に、他
のレチクルの表面に付着した微粒子等を洗浄等により除
去する。そして、ひとつのレチクルをある時間投影露光
に使用したら、当該レチクルを露光位置から取り出し、
微粒子等が除去された別のレチクルを投影露光位置に配
置する。露光位置から取り出したレチクルに対しては、
洗浄等を行い、表面に付着した微粒子等を除去する。こ
のようにして、複数のレチクルを、表面に付着した微粒
子を取り除きながら順次投影露光に使用することによ
り、常に微粒子等で汚染されていないレチクルを投影露
光に使用することが可能となる。洗浄等の作業は、投影
露光と並行して行われるため、洗浄等により装置のスル
ープットが低下することはない。
複数枚のレチクルを組にして使用し、ひとつのレチクル
を露光位置に配置して投影露光に使用している間に、他
のレチクルの表面に付着した微粒子等を洗浄等により除
去する。そして、ひとつのレチクルをある時間投影露光
に使用したら、当該レチクルを露光位置から取り出し、
微粒子等が除去された別のレチクルを投影露光位置に配
置する。露光位置から取り出したレチクルに対しては、
洗浄等を行い、表面に付着した微粒子等を除去する。こ
のようにして、複数のレチクルを、表面に付着した微粒
子を取り除きながら順次投影露光に使用することによ
り、常に微粒子等で汚染されていないレチクルを投影露
光に使用することが可能となる。洗浄等の作業は、投影
露光と並行して行われるため、洗浄等により装置のスル
ープットが低下することはない。
【００１０】すなわち、レチクルの微粒子汚染に対し
て、同種・複数のレチクルを頻繁に交換し、交換にあた
っては装置の非稼働時間を最小限にとどめるようにし、
使用していないレチクルについて微粒子の除去を十分に
行うことによって、装置としての処理能力を下げること
なく、露光に使用しているレチクルの微粒子付着の危険
を低下させることができる。
て、同種・複数のレチクルを頻繁に交換し、交換にあた
っては装置の非稼働時間を最小限にとどめるようにし、
使用していないレチクルについて微粒子の除去を十分に
行うことによって、装置としての処理能力を下げること
なく、露光に使用しているレチクルの微粒子付着の危険
を低下させることができる。
【００１１】前記課題を解決するための第２の手段は、
前記第１の手段であって、レチクルの表面の微粒子等を
除去する操作を、当該レチクルを露光位置に配置する直
前に行うようにしたことを特徴とするもの(請求項２）
である。
前記第１の手段であって、レチクルの表面の微粒子等を
除去する操作を、当該レチクルを露光位置に配置する直
前に行うようにしたことを特徴とするもの(請求項２）
である。
【００１２】本手段によれば、微粒子等が除去された直
後のレチクルを、新たに投影露光用として使用すること
ができ、洗浄等を行った後の待機中に、新たに微粒子等
が付着して問題を起こす可能性を無くすることができ
る。
後のレチクルを、新たに投影露光用として使用すること
ができ、洗浄等を行った後の待機中に、新たに微粒子等
が付着して問題を起こす可能性を無くすることができ
る。
【００１３】前記課題を解決するための第３の手段は、
前記第１の手段又は第２の手段であって、レチクル表面
への微粒子の付着やレチクルパターンの破壊の有無を検
査するレチクル検査装置を、露光位置とは別の場所に設
けたことを特徴とするものである。
前記第１の手段又は第２の手段であって、レチクル表面
への微粒子の付着やレチクルパターンの破壊の有無を検
査するレチクル検査装置を、露光位置とは別の場所に設
けたことを特徴とするものである。
【００１４】本手段によれば、露光位置から取り出した
レチクルをレチクル検査装置で検査し、微粒子等の付着
やレチクルパターンの破壊が検出されなければ、そのま
ま次に露光位置に戻して再度使用することができる。微
粒子等の付着が検出されれば、洗浄等により微粒子等を
除去した後、次に露光位置に戻して再度使用する。レチ
クルパターンの破壊が検出され、投影露光に使用するこ
とが不適当と判断された場合には、当該レチクルは予備
のレチクルと交換され、この新しいレチクルが、次に露
光位置に配置される。レチクルの検査は、投影露光と平
行して行われるため、レチクルの検査によりスループッ
トが低下することがない。
レチクルをレチクル検査装置で検査し、微粒子等の付着
やレチクルパターンの破壊が検出されなければ、そのま
ま次に露光位置に戻して再度使用することができる。微
粒子等の付着が検出されれば、洗浄等により微粒子等を
除去した後、次に露光位置に戻して再度使用する。レチ
クルパターンの破壊が検出され、投影露光に使用するこ
とが不適当と判断された場合には、当該レチクルは予備
のレチクルと交換され、この新しいレチクルが、次に露
光位置に配置される。レチクルの検査は、投影露光と平
行して行われるため、レチクルの検査によりスループッ
トが低下することがない。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例を
図を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態の１
例である電子線投影露光装置の要部を示す図である。図
１において、１００Ａ、１００Ｂはレチクル、１０１は
レチクルステージ、１１１は照明電子光学系、１１２は
投影電子光学系、１２０、１２１はレチクル搬送装置、
１３１はレチクルローダ、１３２はレチクル洗浄装置で
ある。
図を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態の１
例である電子線投影露光装置の要部を示す図である。図
１において、１００Ａ、１００Ｂはレチクル、１０１は
レチクルステージ、１１１は照明電子光学系、１１２は
投影電子光学系、１２０、１２１はレチクル搬送装置、
１３１はレチクルローダ、１３２はレチクル洗浄装置で
ある。
【００１６】レチクルステージ１０１上に電子線投影露
光用のレチクル１００Ａが配置されている。このレチク
ル１００Ａには、照明電子光学系１１１を通った電子線
が照射される。レチクル１００Ａの像は、縮小投影電子
光学系１１２によって縮小され、レジストを塗布したウ
エハ（図示せず）上に投影される。
光用のレチクル１００Ａが配置されている。このレチク
ル１００Ａには、照明電子光学系１１１を通った電子線
が照射される。レチクル１００Ａの像は、縮小投影電子
光学系１１２によって縮小され、レジストを塗布したウ
エハ（図示せず）上に投影される。
【００１７】この電子線投影露光装置では、レチクル１
００Ａはレチクルローダ１３１からレチクル搬送装置１
２０、１２１によって露光時の位置に配置される前に、
必ずレチクル洗浄装置１３２に送られる。そして、レチ
クル洗浄装置１３２で付着微粒子等を除去された後、露
光時の位置に配置される。露光に使われたレチクル１０
０Ａは、ある時間間隔をおいて同じパターン形状をもっ
たレチクル１００Ｂと交換される。新たに露光時の位置
に配置されるレチクル１００Ｂは、レチクル１００Ａが
露光に使用されている間にレチクルローダー１３１から
洗浄装置１３２に送られて洗浄を終えている。
００Ａはレチクルローダ１３１からレチクル搬送装置１
２０、１２１によって露光時の位置に配置される前に、
必ずレチクル洗浄装置１３２に送られる。そして、レチ
クル洗浄装置１３２で付着微粒子等を除去された後、露
光時の位置に配置される。露光に使われたレチクル１０
０Ａは、ある時間間隔をおいて同じパターン形状をもっ
たレチクル１００Ｂと交換される。新たに露光時の位置
に配置されるレチクル１００Ｂは、レチクル１００Ａが
露光に使用されている間にレチクルローダー１３１から
洗浄装置１３２に送られて洗浄を終えている。
【００１８】レチクルを交換する際には、レチクル１０
０Ａがレチクル交換装置１２１によって露光位置から取
り出された後、レチクル１００Ｂがレチクル交換装置１
２０によって迅速に露光位置に配置され、位置決めを行
った後、速やかに露光が開始される。レチクル１００Ａ
はレチクルローダ１３１に格納され、ある時間間隔をお
いて、再びレチクル１００Ｂと交換されて露光位置に配
置される。この交換の際にも、レチクル１００Ｂを用い
た露光が行われている間にレチクル１００Ａの洗浄が行
われ、迅速な交換と速やかな露光の再開がなされる。
０Ａがレチクル交換装置１２１によって露光位置から取
り出された後、レチクル１００Ｂがレチクル交換装置１
２０によって迅速に露光位置に配置され、位置決めを行
った後、速やかに露光が開始される。レチクル１００Ａ
はレチクルローダ１３１に格納され、ある時間間隔をお
いて、再びレチクル１００Ｂと交換されて露光位置に配
置される。この交換の際にも、レチクル１００Ｂを用い
た露光が行われている間にレチクル１００Ａの洗浄が行
われ、迅速な交換と速やかな露光の再開がなされる。
【００１９】この装置では、露光に用いられているレチ
クルが、露光中に微粒子などによる汚染をどの程度受け
るかについてはあらかじめ測定が行われている。そし
て、その結果を基に、間題になる程度の汚染が起こるの
にかかる平均的な時間間隔よりも十分に短い時間間隔で
交換を行っている。レチクル交換の時間間隔は、一定時
間とするのが最も簡単であるが、間題になる程度の汚染
が起こるのにかかる平均的な時間間隔よりも十分に短い
時間間隔であれば、ある程度のばらつきがあっても差し
支えない。
クルが、露光中に微粒子などによる汚染をどの程度受け
るかについてはあらかじめ測定が行われている。そし
て、その結果を基に、間題になる程度の汚染が起こるの
にかかる平均的な時間間隔よりも十分に短い時間間隔で
交換を行っている。レチクル交換の時間間隔は、一定時
間とするのが最も簡単であるが、間題になる程度の汚染
が起こるのにかかる平均的な時間間隔よりも十分に短い
時間間隔であれば、ある程度のばらつきがあっても差し
支えない。
【００２０】また、洗浄法についてもあらかじめ実験を
行い、平均的な汚染に対して十分な効果を有する程度の
洗浄が施される。このような電子線投影露光装置によれ
ぱ、装置の処理能力を低下させることなく、レチクルへ
の微粒子などの付着を抑制することができる。
行い、平均的な汚染に対して十分な効果を有する程度の
洗浄が施される。このような電子線投影露光装置によれ
ぱ、装置の処理能力を低下させることなく、レチクルへ
の微粒子などの付着を抑制することができる。
【００２１】図２は、本発明の実施の形態の他の例であ
る電子線投影露光装置の要部を示す図である。図２にお
いて、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃはレチクル、２０
１はレチクルステージ、２１０は電子源、２１１は照明
電子光学系、２１２は投影電子光学系、２１３はウェハ
ステージ、２１４はウェハ、２２０、２２１はレチクル
搬送装置、２３１はレチクルローダ、２３２はレチクル
洗浄装置、２３３はレチクル検査装置、２４０は真空容
器である。
る電子線投影露光装置の要部を示す図である。図２にお
いて、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃはレチクル、２０
１はレチクルステージ、２１０は電子源、２１１は照明
電子光学系、２１２は投影電子光学系、２１３はウェハ
ステージ、２１４はウェハ、２２０、２２１はレチクル
搬送装置、２３１はレチクルローダ、２３２はレチクル
洗浄装置、２３３はレチクル検査装置、２４０は真空容
器である。
【００２２】真空容器２４０内は、電子が散乱すること
を防ぐため、１０-4Ｐａ以下の圧力になるように排気装
置（図示せず）によって排気されている。真空容器２４
０内には電子源２１０、照明電子光学系２１１、レチク
ルステージ２０１、投影電子光学系２１２、ウエハステ
ージ２１３が配置され、電子線によってレチクル２００
Ａ上のパターンがウエハ２１４上に投影・転写される。
を防ぐため、１０-4Ｐａ以下の圧力になるように排気装
置（図示せず）によって排気されている。真空容器２４
０内には電子源２１０、照明電子光学系２１１、レチク
ルステージ２０１、投影電子光学系２１２、ウエハステ
ージ２１３が配置され、電子線によってレチクル２００
Ａ上のパターンがウエハ２１４上に投影・転写される。
【００２３】本電子線投影露光装置は、同じパターンを
有する２枚のレチクル２００Ａ、２００Ｂを有してい
る。この２枚のレチクルは、ある時間間隔を置いて交換
される。交換の時間間隔△ｔは、露光時に問題となる微
粒子がレチクル上に付着する時間の平均をｔ、標準偏差
をσとしたときに、△ｔ＝ｔ−３σとなるように設定さ
れている。すなわち、露光時に問題となる微粒子がレチ
クル上に付着する確率が、約0.3％以下となるようにさ
れている。
有する２枚のレチクル２００Ａ、２００Ｂを有してい
る。この２枚のレチクルは、ある時間間隔を置いて交換
される。交換の時間間隔△ｔは、露光時に問題となる微
粒子がレチクル上に付着する時間の平均をｔ、標準偏差
をσとしたときに、△ｔ＝ｔ−３σとなるように設定さ
れている。すなわち、露光時に問題となる微粒子がレチ
クル上に付着する確率が、約0.3％以下となるようにさ
れている。
【００２４】最初、レチクル２００Ａは、レチクル搬送
装置２２０によってレチクルローダ２３１からレチクル
洗浄装置２３２へ搬送され、レチクル洗浄装置２３２に
より微粒子が除去される。その後、レチクル搬送装置２
２０によってレチクルステージ２０１に運ぱれ、アライ
メントの後、露光が行われる。レチクルの交換時期が近
づくと、レチクル２００Ｂがレチクル搬送装置２２０に
よってレチクルローダ２３１からレチクル洗浄装置２３
２へ搬送されて、レチクル洗浄装置２３２により微粒子
が除去され、その後、レチクルの迅速な交換に適した位
置で待機する。
装置２２０によってレチクルローダ２３１からレチクル
洗浄装置２３２へ搬送され、レチクル洗浄装置２３２に
より微粒子が除去される。その後、レチクル搬送装置２
２０によってレチクルステージ２０１に運ぱれ、アライ
メントの後、露光が行われる。レチクルの交換時期が近
づくと、レチクル２００Ｂがレチクル搬送装置２２０に
よってレチクルローダ２３１からレチクル洗浄装置２３
２へ搬送されて、レチクル洗浄装置２３２により微粒子
が除去され、その後、レチクルの迅速な交換に適した位
置で待機する。
【００２５】レチクル洗浄装置２３２はレーザー照射に
よって付着微粒子を除去するレーザークリーニング装置
であり、真空中でレチクルの洗浄が行えるため、微粒子
を巻き上げて微粒子汚染の原因となるおそれのある真空
のリーク・排気の必要がない。
よって付着微粒子を除去するレーザークリーニング装置
であり、真空中でレチクルの洗浄が行えるため、微粒子
を巻き上げて微粒子汚染の原因となるおそれのある真空
のリーク・排気の必要がない。
【００２６】レチクルの交換時には、レチクル２００Ａ
がレチクル搬送装置２２１によってレチクルステージ２
０１から取り外されると、待機していたレチクル２００
Ｂがレチクル搬送装置２２０によって迅速にレチクルス
テージ２０１に運ぱれる。すると直ちにレチクル２００
Ｂのアライメントが始まり、露光が再開される。
がレチクル搬送装置２２１によってレチクルステージ２
０１から取り外されると、待機していたレチクル２００
Ｂがレチクル搬送装置２２０によって迅速にレチクルス
テージ２０１に運ぱれる。すると直ちにレチクル２００
Ｂのアライメントが始まり、露光が再開される。
【００２７】この間にレチクル２００Ａはレチクル検査
装置２３３に運ばれ、微粒子等の付着やパターンの破壊
などが見られないか検査がなされる。微粒子等の付着や
パターンの破壊が見られない場合には、レチクル２００
Ａは、そのまま次交換時から投影露光用レチクルとして
使用される。微粒子等の付着が見られた場合には、レチ
クル２００Ａはレチクル洗浄装置３２に送られ、洗浄を
行った後、次の交換時から投影露光用レチクルとして使
用される。
装置２３３に運ばれ、微粒子等の付着やパターンの破壊
などが見られないか検査がなされる。微粒子等の付着や
パターンの破壊が見られない場合には、レチクル２００
Ａは、そのまま次交換時から投影露光用レチクルとして
使用される。微粒子等の付着が見られた場合には、レチ
クル２００Ａはレチクル洗浄装置３２に送られ、洗浄を
行った後、次の交換時から投影露光用レチクルとして使
用される。
【００２８】パターンに破壊が見られ、露光に使用する
ことが困難な場合にはレチクルローダー２３１中の予備
レチクル２００Ｃが次の交換時から使用される。このよ
うに、電子線投影露光装置に同じ形状のレチクルを複数
用意し、それらをある時間間隔をおいて交換し、露光に
使用していないレチクルについて洗浄や形状検査を行う
ことによって、装置としての処理能力を低下させること
なくレチクルへの微粒子の付着の可能性を低減すること
ができる。
ことが困難な場合にはレチクルローダー２３１中の予備
レチクル２００Ｃが次の交換時から使用される。このよ
うに、電子線投影露光装置に同じ形状のレチクルを複数
用意し、それらをある時間間隔をおいて交換し、露光に
使用していないレチクルについて洗浄や形状検査を行う
ことによって、装置としての処理能力を低下させること
なくレチクルへの微粒子の付着の可能性を低減すること
ができる。
【００２９】本実施の形態では、レチクル交換の時間間
隔を△ｔ＝ｔ−３σとしたが、間題になる程度の汚染が
起こるのにかかる平均的な時間間隔よりも十分に短い時
間間隔であればよく、これに限るものではない。又、本
実施の形態では、基本的には２枚のレチクルを交換して
使用しているが、この枚数に限るものではなく、３枚以
上のレチクルを順次使用するようにしてもよい。
隔を△ｔ＝ｔ−３σとしたが、間題になる程度の汚染が
起こるのにかかる平均的な時間間隔よりも十分に短い時
間間隔であればよく、これに限るものではない。又、本
実施の形態では、基本的には２枚のレチクルを交換して
使用しているが、この枚数に限るものではなく、３枚以
上のレチクルを順次使用するようにしてもよい。
【００３０】さらに、本実施の形態では、レチクル洗浄
装置としてレーザークリーニング装置を用いているが、
レチクルの十分な洗浄が行えれぱこれに限るものではな
く、又、真空のリーク・排気時の微粒子汚染に対して十
分な対策を講じれぱ、大気圧下で洗浄を行ってもよい。
装置としてレーザークリーニング装置を用いているが、
レチクルの十分な洗浄が行えれぱこれに限るものではな
く、又、真空のリーク・排気時の微粒子汚染に対して十
分な対策を講じれぱ、大気圧下で洗浄を行ってもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、同じパターンを有する複数枚のレチクルを組にして
使用し、ひとつのレチクルを露光位置に配置して投影露
光に使用している間に、他のレチクルの表面に付着した
微粒子等を洗浄等により除去し、順次レチクルを交換し
て投影露光に使用しているので、微粒子による汚染の可
能性の低いレチクルが常に露光に使用されることにな
り、製品歩留まりを高くすることができる。又、投影露
光と洗浄等が並行して行われるため、高いスループット
を達成することができる。
は、同じパターンを有する複数枚のレチクルを組にして
使用し、ひとつのレチクルを露光位置に配置して投影露
光に使用している間に、他のレチクルの表面に付着した
微粒子等を洗浄等により除去し、順次レチクルを交換し
て投影露光に使用しているので、微粒子による汚染の可
能性の低いレチクルが常に露光に使用されることにな
り、製品歩留まりを高くすることができる。又、投影露
光と洗浄等が並行して行われるため、高いスループット
を達成することができる。
【図１】本発明の実施の形態の１例である電子線投影露
光装置の要部を示す図である。
光装置の要部を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態の他の例である電子線投影
露光装置の要部を示す図である。
露光装置の要部を示す図である。
１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ…
レチクル １０１，２０１…レチクルステージ ２１０…電子源 １１１，２１１…照明電子光学系 １１２，２１２…投影電子光学系 ２１３…ウエハステージ ２１４…ウエハ １２０，１２１，２２０，２２１…レチクル搬送装置 １３１，２３１…レチクルローダ １３２，２３２…レチクル洗浄装置 ２３３…レチクル検査装置 ２４０…真空容器
レチクル １０１，２０１…レチクルステージ ２１０…電子源 １１１，２１１…照明電子光学系 １１２，２１２…投影電子光学系 ２１３…ウエハステージ ２１４…ウエハ １２０，１２１，２２０，２２１…レチクル搬送装置 １３１，２３１…レチクルローダ １３２，２３２…レチクル洗浄装置 ２３３…レチクル検査装置 ２４０…真空容器
Claims (3)
- 【請求項１】 レチクル上に構成されたパターンを荷電
粒子線によって目的物表面に投影する荷電粒子線投影露
光装置において、同じパターンを有するレチクルを２つ
以上使用し、露光装置内の露光位置に配置するレチクル
を、時間間隔をおいて同じパターンを有する他のレチク
ルと交換し、露光位置に配置されていないレチクルに対
して、表面の微粒子等を除去する操作を行うようにした
ことを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項２】 レチクルの表面の微粒子等を除去する操
作を、当該レチクルを露光位置に配置する直前に行うよ
うにしたことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線
露光装置。 - 【請求項３】 レチクル表面への微粒子の付着やレチク
ルパターンの破壊の有無を検査するレチクル検査装置
を、露光位置とは別の場所に設けたことを特徴とする請
求項１又は請求項２に記載の荷電粒子線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10216803A JP2000049081A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 荷電粒子線投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10216803A JP2000049081A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 荷電粒子線投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049081A true JP2000049081A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16694143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10216803A Pending JP2000049081A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 荷電粒子線投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000049081A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002041375A1 (fr) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Nikon Corporation | Procedes et dispositfs de transfert et d'exposition et procede servant a fabriquer un composant |
| WO2004003664A1 (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Sony Corporation | マスクおよびその検査方法並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2004064079A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Asml Holding Nv | リソグラフィツール |
| JP2006250988A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Toppan Printing Co Ltd | レチクル |
-
1998
- 1998-07-31 JP JP10216803A patent/JP2000049081A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002041375A1 (fr) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Nikon Corporation | Procedes et dispositfs de transfert et d'exposition et procede servant a fabriquer un composant |
| WO2004003664A1 (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Sony Corporation | マスクおよびその検査方法並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2004064079A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Asml Holding Nv | リソグラフィツール |
| KR100880196B1 (ko) * | 2002-07-29 | 2009-01-28 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 진공 챔버에 연결된 진공 레티클 라이브러리를 갖는리소그래피 도구 |
| JP4485155B2 (ja) * | 2002-07-29 | 2010-06-16 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | リソグラフィツール |
| JP2006250988A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Toppan Printing Co Ltd | レチクル |
| JP4529736B2 (ja) * | 2005-03-08 | 2010-08-25 | 凸版印刷株式会社 | レチクル |
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