JP4567216B2 - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4567216B2
JP4567216B2 JP2001044071A JP2001044071A JP4567216B2 JP 4567216 B2 JP4567216 B2 JP 4567216B2 JP 2001044071 A JP2001044071 A JP 2001044071A JP 2001044071 A JP2001044071 A JP 2001044071A JP 4567216 B2 JP4567216 B2 JP 4567216B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
foreign matter
semiconductor
semiconductor manufacturing
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001044071A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002246300A (ja
Inventor
隆 藤村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP2001044071A priority Critical patent/JP4567216B2/ja
Publication of JP2002246300A publication Critical patent/JP2002246300A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4567216B2 publication Critical patent/JP4567216B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の製造工程において半導体ウエハー表面にパターニングを行う際に用いられる露光装置に関するものであり、半導体ウエハーの裏面に付着した異物に起因するフォーカスずれによるパターン形成不良の発生を有効に防止する露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハー上に特定のパターンを形成する為には、半導体ウエハー表面にフォトレジストを塗布し露光装置中のステージに搬送し、マスクパターンをフォトレジストに転写する事により行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
レジスト塗布の以前の工程やレジスト塗布装置において半導体ウエハー裏面に異物が付着した場合、露光装置のステージと半導体ウエハーの間に異物が介在し、半導体ウエハー表面が盛り上がり局部的なフォーカスずれを起こしてしまいレジストパターンのパターニング不良を引き起こしてしまう。
【０００４】
本発明では、上記従来問題を解決するもので半導体ウエハー裏面に異物が付着していた場合、即座にその異物を検出し、露光装置のステージに半導体ウエハーが保持された時、異物の部分が盛り上がらない様にステージ状の半導体ウエハー支持部分を変形させる事により、フォーカスずれを防止し、ウエハー表面が平坦になる様にする。この事により、レジストパターン不良を未然に防ぐ事の出来る露光装置を提供する事を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明では、上記目的を達成させる為に、半導体ウエハー裏面に異物が付着していた場合、即座にその異物を検出する事を特徴とする。
そして、半導体ウエハーに異物が検出された場合には、露光装置のステージに半導体ウエハーが保持された時、異物の部分が盛り上がらない様にステージ状の半導体ウエハー支持部分を変形させる事により、フォーカスずれを防止し、ウエハー表面が平坦になる様にする。この事により，レジストパターン不良を未然に防ぐ事が可能となる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明は、半導体ウエハーに露光装置により露光される前に半導体ウエハー裏面に異物を検出する機能を持たせたものであり、半導体ウエハーに異物が検出された場合には、露光装置のステージに半導体ウエハーが保持された時、異物の部分が盛り上がらない様にステージ状の半導体ウエハー支持部分を変形させる事により、フォーカスずれを防止し、レジストパターン不良を未然に防ぐ事が可能となる。
【０００７】
図１を用いて本発明について説明する。
【０００８】
図１は本発明の半導体製造装置の構成を示した概略図である。
フォトレジスト塗布装置１でレジスト塗布された半導体ウエハー２は、異物検査装置４により半導体ウエハー裏面の異物が付着しているかどうかを検査する。半導体ウエハー２裏面に異物３が検出された時は、半導体露光機のステージ６の半導体ウエハー支持部分を凹部７に変形させる事により露光時のフォーカスずれを防止し、レジストパターン不良を未然に防ぐ事が可能となる。
半導体露光機のステージ６は、複数のブロック８に分かれており、半導体ウエハー２裏面の異物３に対応する部分のブロックが下がる事により、異物部分に合わせた凹部分７を形成させる。
また、異物が検出された場合は、その半導体ウエハーの処理を中断し、必要な処理を行えるようにしてもよい。
また、半導体ウエハー裏面異物検出装置は、露光装置あるいは、レジスト塗布装置に持たせてもよい。
【０００９】
【発明の効果】
本発明では、露光装置により露光する前に半導体ウエハー裏面の異物を検出し、露光装置のステージの半導体ウエハー支持部分を変形させる。この事により、フォーカスずれを防止する事により、レジストパターン不良を未然に防ぎ、この結果、得られる半導体デバイスの歩留りや信頼性を向上させる事が出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体製造装置の構成の概略を示した概念図。
【図２】従来の半導体製造装置の構成の概略を示した概念図。
【符号の説明】
1 フォトレジスト塗布装置
2 半導体ウエハー
3 異物
4 異物検査装置
5 半導体ウエハー
6 半導体露光機ステージ
7 異物位置に合わせて凹部となった部分
8 上下に移動可能なウエハー支持ブロック

Claims (2)

  1. フォトレジストが塗布された半導体ウエハーを露光する半導体製造装置であって、
    前記半導体ウエハーの裏面の異物を検出するための異物検査装置と、
    下降動作可能な、分割された複数のブロックから構成された前記半導体ウエハーを載置するための露光ステージと、を有し、
    前記露光ステージは、前記半導体ウエハーが載置される場合に、前記異物検査装置によって検出された異物が存在する部分を含む前記ブロックを下げて凹部とし、前記半導体ウエハーの表面を平坦とする機能を有することを特徴とする半導体製造装置。
  2. 前記凹部は異物部分に対応した大きさであることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
JP2001044071A 2001-02-20 2001-02-20 半導体製造装置 Expired - Fee Related JP4567216B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001044071A JP4567216B2 (ja) 2001-02-20 2001-02-20 半導体製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001044071A JP4567216B2 (ja) 2001-02-20 2001-02-20 半導体製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002246300A JP2002246300A (ja) 2002-08-30
JP4567216B2 true JP4567216B2 (ja) 2010-10-20

Family

ID=18906126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001044071A Expired - Fee Related JP4567216B2 (ja) 2001-02-20 2001-02-20 半導体製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4567216B2 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60111038U (ja) * 1983-12-29 1985-07-27 富士通株式会社 真空チヤツク
JPH05304069A (ja) * 1992-04-24 1993-11-16 Sony Corp 露光装置
JPH0750246A (ja) * 1993-08-06 1995-02-21 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JPH0837150A (ja) * 1994-05-18 1996-02-06 Nikon Corp 走査露光方法
JPH09266157A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Nec Corp 縮小投影露光方法およびその装置
JPH11238678A (ja) * 1998-02-24 1999-08-31 Matsushita Electron Corp 半導体製造装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60111038U (ja) * 1983-12-29 1985-07-27 富士通株式会社 真空チヤツク
JPH05304069A (ja) * 1992-04-24 1993-11-16 Sony Corp 露光装置
JPH0750246A (ja) * 1993-08-06 1995-02-21 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JPH0837150A (ja) * 1994-05-18 1996-02-06 Nikon Corp 走査露光方法
JPH09266157A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Nec Corp 縮小投影露光方法およびその装置
JPH11238678A (ja) * 1998-02-24 1999-08-31 Matsushita Electron Corp 半導体製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002246300A (ja) 2002-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4583317B2 (ja) フォトレジストの欠陥を検査および修復する方法、並びにプリント回路基板の製造プロセス
JP4567216B2 (ja) 半導体製造装置
KR19990026444A (ko) 반도체소자의 디펙트 모니터링 방법
JP2001118781A (ja) ビデオセンサ利用のレジストコーティング状況検査方法及び装置
JP4011371B2 (ja) 半導体露光装置
JP2005217062A (ja) フォトリソプロセス装置および欠陥検査方法
KR101170759B1 (ko) 기판 처리 방법
KR970006418Y1 (ko) 디포커스 감지를 위한 척
JPH11238678A (ja) 半導体製造装置
JPH10246951A (ja) レチクルの欠陥検査方法及びその装置
JPH07142309A (ja) ウエハの露光方法
US6316277B1 (en) Tuning substrate/resist contrast to maximize defect inspection sensitivity for ultra-thin resist in DUV lithography
JP4080617B2 (ja) レジストパタン検査方法およびレジストパタン検査用ウェハ
KR100545222B1 (ko) 웨이퍼 이송장치 및 이 장치를 이용한 리소그라피 공정진행 방법
KR0168353B1 (ko) 넌패턴 웨이퍼의 검사방법
JPH01181519A (ja) 縮小投影露光装置
JP2766098B2 (ja) レチクルマスクの欠陥検出方法
CN117348353A (zh) 边缘去除工艺的曝光检测方法
KR20030094677A (ko) 반도체 제조에 사용되는 노광 장치
JPH0214749B2 (ja)
JPH10208640A (ja) シャドウマスクの検査方法
KR20000009899A (ko) 사진공정의 포커스 불량 판별방법
KR200231853Y1 (ko) 스테퍼장비의이물질검출장치
KR100204413B1 (ko) 마스크 결함 체크용 웨이퍼 및 그 제조방법
JPH09137286A (ja) シャドウマスクの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20040303

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071115

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20091104

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20091113

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20091117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100415

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100420

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100617

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100803

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100805

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4567216

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees