KR970006418Y1 - 디포커스 감지를 위한 척 - Google Patents

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현대전자산업 주식회사
김주용
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Abstract

요약없슴

Description

디포커스 감지를 위한 척
제 1 도는 종래에 의한 척의 구성을 나타낸 개략도
제 2 도는 종래에 의한 척에 웨이퍼가 놓여진 상태를 나타낸 측단면도
제 3 도는 본 고안에 의한 디포커스 감지를 위한 척의 일실시예 구성을 나타낸 평면도.
제 4 도는 본 고안에 의한 디포커스 감지를 위한 척의 일실시예 구성을 나타낸 측단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1,21 : 척2,22 : 진공홈
3 : 센서23 : 웨이퍼
24 : 불순물
본 고안은 반도체 제조공정중 감광막 도포후에 포토마스크에 노광 장치인 노광기에 적용되는 척에 관한 것으로 특히, 웨이퍼 패턴 형성시 척의 스태이지 상에 존재하는 불순물을 감지하여 디포커스를 제거하는 디포커스 감지를 위한 척에 관한 것이다.
그러면 제1도 및 제2도의 도면을 참조하여 종래 척의 구성을 간략히 살펴본다.
제1도는 종래에 의한 척의 구성을 나타낸 개략도이고, 제2도는 종래에 의한 척에 웨이퍼가 놓여진 상태를 나타낸 측단면도를 각각 나타낸다.
도면에서 21은 척, 22는 진공홈, 23은 웨이퍼, 24는 불순물을 각각 나타낸다.
도면에서 도시한 바와 같이, 웨이퍼(23)가 놓여지는 척(21)은 그의 스태이지상에 다수의 동심원을 갖는 진공홈(22)이 형성되어 진공펌프(도면에 도시하지 않음)에 의하여 상기 웨이퍼(23)가 스태이지상에 밀착되도록 구성된다.
상기 구성에 의한 척(21)에 놓여지는 웨이퍼(23)는 도핑장치인 코터척에 웨이퍼(23)가 장착되어 그의 표면에 감광막이 도포된다. 그리고, 도포된 상기 웨이퍼(23)는 포터마스크에 의한 노광공정을 수행하기 위하여 노광기에 구비된 스탭퍼척으로 이송된 후 그의 스태이지상에 놓여져 진공펌프에 의해 밀착되며, 마스크의 패턴을 식각하기 위하여 노광을 실시하여 소정의 패턴을 형성하게 된다.
상기 공정수행과정에서 기계적인 방법에 의해 척의 스태이지상에 놓여지는 웨이퍼는 제2도에 도시된 바와 같이, 그 접촉면에서 불균일한 오염물질이 발생하게 되어 노광시 디포커스가 발생하여 패턴불량을 초래하므로서 반도체 소자의 수율저하 및 신뢰성저하에 영향을 미치는 문제점이 발생하였다. 따라서, 본 고안은 상기의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 웨이퍼의 패턴공정중 척의 스태이지상에 놓여지는 웨이퍼의 접촉면에서 발생되는 불순물의 오염여부를 감지하여 디포커스를 제거하도록 하는 디포커스 감지를 위한 척을 제공함에 그 목적이 있다. 상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안은, 노광기에 포함되어 웨이퍼의 패턴형성을 위한 공정을 수행하는 척에 있어서, 그 상면에 다수의 동심원을 갖는 소정크기의 진공홈이 형성되며, 상기 각각의 진공홈 사이에 소정의 센서가 구비된 디포커스 감지를 위한 척을 제공한다. 이하, 제3도 제4도의 도면을 참조하여 본 고안의 실시예를 상세히 설명한다.
제3도는 본 고안에 의한 디포커스 감지를 위한 척의 일실시예 구성을 나타낸 평면도이고, 제4도는 본 고안에 의한 디포커스 감지를 위한 척의 일실시예 구성을 나타낸 측단면도를 각각 나타낸다. 도면에서 1은 척, 2는 진공홈, 3은 센서를 각각 나타낸 것이다.
도면에 도시한 바와 같이, 본 고안에 의한 디포커스 방지를 위한 척(1)은 그의 스태이지 상면에 동심원을 갖는 진공홈(2)이 형성되고, 상기 각각의 진공홈(2) 사이에는 일련번호가 부여된 소정크기의 센서(3)가 분리가 가능하도록 하여 일정간격으로 장착되도록 구성한다.
상기와 같이 구성되는 본 고안은 노광기의 노광공정수행시 즉, 상기 웨이퍼(23)가 척(1)의 스태이지상에서 공정수행시 또는 공정수행되지 않는 상태에서의 센서(3)에 불순물에 의한 오염된 상태를 모니터 상에 나타나게 한다.
이때, 패턴형성공정시 웨이퍼(23)에 접촉되는 면에 존재하는 불순물에 의해 오염된 부위를 일련번호가 부여된 상기 센서(3)가 감지하여 모니터(도면에 도시하지 않음) 상에 출력하므로서 그 오염부위를 확인하여 오염된 해당센서(3) 만을 스태이지로부터 분리하여 불순물을 제거한다.
상기와 같이 구성되어 작용하는 본 고안은 노광기의 스태이지상에 존재하는 불순물에 의한 오염을 센서에 의해 검출되므로서 패턴 형성에 따른 디포커스를 제거하여 반도체 소자의 수율향상의 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 노광기에 포함되어 웨이퍼(23)의 패턴형성을 위한 공정을 수행하는 척(1)에 있어서,
    그 상면에 다수의 동심원을 갖는 소정크기의 진공홈(2)이 형성되며, 상기 각각의 진공홈(2) 사이에 소정의 센서(3)가 구비된 척인 것을 특징으로 하는 디포커스 감지를 위한 척.
KR2019940005582U 1994-03-18 1994-03-18 디포커스 감지를 위한 척 KR970006418Y1 (ko)

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