JPH0521313A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0521313A JPH0521313A JP3201381A JP20138191A JPH0521313A JP H0521313 A JPH0521313 A JP H0521313A JP 3201381 A JP3201381 A JP 3201381A JP 20138191 A JP20138191 A JP 20138191A JP H0521313 A JPH0521313 A JP H0521313A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- patterns
- pattern
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な手段で、各々異なるマスクを使用して
複数の工程で１枚のウエハに露光する際、各工程でその
工程に対応する適確なマスクを設定する。 【構成】 各工程のマスクに対応するマスクアライメン
ト用パターンＡ，Ｂをウエハ１の主面１ａに形成する
際、それぞれの個別パターンＡ１，Ａ２、Ｂ１，Ｂ２の
設定間隔ａ，ｂを異ならせて形成する。自動露光機を使
用して露光する際、ウエハ１がＹ方向へΔＹの変位をも
つて配設されたとしても、元来個別パターンＡ１，Ａ２
を検出しなければならないにもかかわらず、他のパター
ンＢ１，Ｂ２を検出して、別工程のマスクで露光するこ
とはない。
複数の工程で１枚のウエハに露光する際、各工程でその
工程に対応する適確なマスクを設定する。 【構成】 各工程のマスクに対応するマスクアライメン
ト用パターンＡ，Ｂをウエハ１の主面１ａに形成する
際、それぞれの個別パターンＡ１，Ａ２、Ｂ１，Ｂ２の
設定間隔ａ，ｂを異ならせて形成する。自動露光機を使
用して露光する際、ウエハ１がＹ方向へΔＹの変位をも
つて配設されたとしても、元来個別パターンＡ１，Ａ２
を検出しなければならないにもかかわらず、他のパター
ンＢ１，Ｂ２を検出して、別工程のマスクで露光するこ
とはない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、写真食刻法における
パターン転写に使用されるマスクと半導体ウエハとの位
置合わせ（マスクアライメント）を改良した半導体装置
の製造方法に関するものである。
パターン転写に使用されるマスクと半導体ウエハとの位
置合わせ（マスクアライメント）を改良した半導体装置
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩなどの半導体素子の微細化
にともない、高解像度の光学式投影露光機が広く使用さ
れ、この露光機を用いて転写する場合、露光の前に上記
マスクと半導体ウエハとのマスクアライメントをする必
要がある。このマスクアライメントの方法として、投影
光学系とは別の光学系でウエハ上のパターンを検出し、
その位置決めを行なつたのち、上記ウエハを投影光学系
の視野内の所定位置に移動させ、すでに位置決めさせて
いるマスクとの位置合わせを行なう方式と、マスクとウ
エハに予め形成された位置合わせパターンを投影光学系
を通じて検出し、マスクとウエハとを直接位置合わせす
る方式とがある。
にともない、高解像度の光学式投影露光機が広く使用さ
れ、この露光機を用いて転写する場合、露光の前に上記
マスクと半導体ウエハとのマスクアライメントをする必
要がある。このマスクアライメントの方法として、投影
光学系とは別の光学系でウエハ上のパターンを検出し、
その位置決めを行なつたのち、上記ウエハを投影光学系
の視野内の所定位置に移動させ、すでに位置決めさせて
いるマスクとの位置合わせを行なう方式と、マスクとウ
エハに予め形成された位置合わせパターンを投影光学系
を通じて検出し、マスクとウエハとを直接位置合わせす
る方式とがある。
【０００３】ところが、前者の方式によれば、マスクア
ライメントの回数が少ない利点がある反面、位置合わせ
されたウエハを転写位置まで移動させる必要があるた
め、高精度なマスクアライメントが困難であることか
ら、近年、後者の方式が採用される傾向にある。また、
半導体ウエハ１の主面１ａには、たとえば、図６で示す
ようなマスクアライメント用パターンＡおよびＢが形成
されており、これらの各パターンＡ，ＢはそれぞれＸ方
向へΔＸの変位をもち、かつＹ方向へΔＹの変位をもつ
て配設された個別パターンＡ１，Ａ２およびＢ１，Ｂ２
からなる。いま、ある工程において、自動光学式投影露
光機が上記個別パターンＡ１，Ａ２を検出した際、この
パターンに対応するマスクが設定されて露光されるとと
もに、他の工程において、他の個別パターンＢ１，Ｂ２
を検出した際、このパターンに対応する他のマスクが設
定されて露光される。
ライメントの回数が少ない利点がある反面、位置合わせ
されたウエハを転写位置まで移動させる必要があるた
め、高精度なマスクアライメントが困難であることか
ら、近年、後者の方式が採用される傾向にある。また、
半導体ウエハ１の主面１ａには、たとえば、図６で示す
ようなマスクアライメント用パターンＡおよびＢが形成
されており、これらの各パターンＡ，ＢはそれぞれＸ方
向へΔＸの変位をもち、かつＹ方向へΔＹの変位をもつ
て配設された個別パターンＡ１，Ａ２およびＢ１，Ｂ２
からなる。いま、ある工程において、自動光学式投影露
光機が上記個別パターンＡ１，Ａ２を検出した際、この
パターンに対応するマスクが設定されて露光されるとと
もに、他の工程において、他の個別パターンＢ１，Ｂ２
を検出した際、このパターンに対応する他のマスクが設
定されて露光される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような自動光学式投影露光機を使用して露光すると、上
記個別パターンＡ１とＡ２および他の個別パターンＢ１
とＢ２の各設定間隔ａが等しいため、半導体ウエハ１が
Ｙ方向へΔＹの変位をもつて配設された場合、元来個別
パターンＡ１，Ａ２を検出しなければならないにもかか
わらず、他のパターンＢ１，Ｂ２を検出して、別工程の
マスクで露光し、不良品の発生の要因となる。
ような自動光学式投影露光機を使用して露光すると、上
記個別パターンＡ１とＡ２および他の個別パターンＢ１
とＢ２の各設定間隔ａが等しいため、半導体ウエハ１が
Ｙ方向へΔＹの変位をもつて配設された場合、元来個別
パターンＡ１，Ａ２を検出しなければならないにもかか
わらず、他のパターンＢ１，Ｂ２を検出して、別工程の
マスクで露光し、不良品の発生の要因となる。
【０００５】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたもので、簡単な手段で、各工程ごとに適確な露光を
達成して、不良品の発生のおそれのない半導体装置の製
造方法を提供することを目的としている。
れたもので、簡単な手段で、各工程ごとに適確な露光を
達成して、不良品の発生のおそれのない半導体装置の製
造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明による半導体装
置の製造方法は、各工程ごとの複数列のマスクアライメ
ント用パターンをウエハの主面に形成する工程と、対応
する工程のマスクアライメント用パターンを検出する工
程と、この検出されたパターンに対応するマスクと上記
ウエハとの位置合わせを行なう工程とを備え、上記マス
クアライメント用パターンは、各列ごとの個別パターン
の設定間隔を異ならせて形成することを特徴とする。
置の製造方法は、各工程ごとの複数列のマスクアライメ
ント用パターンをウエハの主面に形成する工程と、対応
する工程のマスクアライメント用パターンを検出する工
程と、この検出されたパターンに対応するマスクと上記
ウエハとの位置合わせを行なう工程とを備え、上記マス
クアライメント用パターンは、各列ごとの個別パターン
の設定間隔を異ならせて形成することを特徴とする。
【０００７】
【作用】上記製造方法によれば、各列ごとの個別パター
ンの設定間隔を異ならせたから、光学式投影露光機が対
応する個別パターンを適確に検出して露光することがで
き、簡単な手段で、不良品の発生を有効に防止すること
ができる。
ンの設定間隔を異ならせたから、光学式投影露光機が対
応する個別パターンを適確に検出して露光することがで
き、簡単な手段で、不良品の発生を有効に防止すること
ができる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面にもとづい
て説明する。図１は、この発明による一実施例をウエハ
の主面にマスクアライメント用パターンを形成するまで
の製造方法を説明する断面図である。同図（ａ）で示す
ように、たとえばケイ素Ｓi からなる半導体ウエハ１の
主面１ａにホトレジスト膜（感光性塗膜）２が被着され
たのち、同図（ｂ）で示すように、所望の食刻用パター
ン３が形成されたマスク４を対向配設し、このマスク４
を通して紫外線のような活性化光線１０を上記ホトレジ
スト膜２に照射する。この光線１０の照射で、上記ホト
レジスト膜２における露光された部分２ａと、露光され
ていない部分２ｂとを形成し、上記露光された部分２ａ
を定着するとともに、露光されていない部分２ｂを洗浄
して、同図（ｃ）で示すように、上記ホトレジスト膜２
に所望の食刻用パターンをもつた開口２ｃが形成され
る。
て説明する。図１は、この発明による一実施例をウエハ
の主面にマスクアライメント用パターンを形成するまで
の製造方法を説明する断面図である。同図（ａ）で示す
ように、たとえばケイ素Ｓi からなる半導体ウエハ１の
主面１ａにホトレジスト膜（感光性塗膜）２が被着され
たのち、同図（ｂ）で示すように、所望の食刻用パター
ン３が形成されたマスク４を対向配設し、このマスク４
を通して紫外線のような活性化光線１０を上記ホトレジ
スト膜２に照射する。この光線１０の照射で、上記ホト
レジスト膜２における露光された部分２ａと、露光され
ていない部分２ｂとを形成し、上記露光された部分２ａ
を定着するとともに、露光されていない部分２ｂを洗浄
して、同図（ｃ）で示すように、上記ホトレジスト膜２
に所望の食刻用パターンをもつた開口２ｃが形成され
る。
【０００９】つぎの同図（ｄ）で示す食刻工程におい
て、食刻液を用い、上記ホトレジスト膜２の小孔２ｃに
対応する部分のウエハ１を食刻し、このウエハ１の主面
１ａに凹部Ａ１，Ａ２およびＢ１，Ｂ２が形成される。
その後、上記ホトレジスト膜２は同図（ｅ）で示すよう
に溶剤で除去され、上記凹部Ａ１〜Ｂ２は図２で示すよ
うなマスクアライメント用パターンを形成し、一方の個
別パターンＡ１は他方の個別パターンＢ１に対してＸ方
向へΔＸの変位をもち、かつＹ方向へΔＹの変位をもつ
て配設され、上記１系列の個別パターンＡ１とＡ２の間
隔はａに設定され、他の系列の個別パターンＢ１とＢ２
の間隔はｂに設定されている。
て、食刻液を用い、上記ホトレジスト膜２の小孔２ｃに
対応する部分のウエハ１を食刻し、このウエハ１の主面
１ａに凹部Ａ１，Ａ２およびＢ１，Ｂ２が形成される。
その後、上記ホトレジスト膜２は同図（ｅ）で示すよう
に溶剤で除去され、上記凹部Ａ１〜Ｂ２は図２で示すよ
うなマスクアライメント用パターンを形成し、一方の個
別パターンＡ１は他方の個別パターンＢ１に対してＸ方
向へΔＸの変位をもち、かつＹ方向へΔＹの変位をもつ
て配設され、上記１系列の個別パターンＡ１とＡ２の間
隔はａに設定され、他の系列の個別パターンＢ１とＢ２
の間隔はｂに設定されている。
【００１０】図３は、図１の後工程において上記ウエハ
の主面に成膜して食刻する製造工程の一例を説明する断
面図である。同図（ａ）で示すように、たとえば、ケイ
素Ｓi からなる半導体ウエハ１の主面１ａに、これを酸
化させることによつて、２酸化ケイ素（SiＯ2)からなる
絶縁層５が被着形成される。つぎに、同図（ｂ）で示す
ように、上記絶縁層５の主面にホトレジスト膜２１が被
着されたのち、同図（ｃ）で示すように、所望の食刻用
パターン３１が形成されたマスク４１を対向配設する。
このマスク４１を通して紫外線のような活性化光線１０
を上記ホトレジスト膜２１に照射する。この光線１０の
照射で、上記ホトレジスト膜２１における露光された部
分２１ａと、露光されていない部分２１ｂとを形成し、
上記露光された部分２１ａを定着するとともに、露光さ
れていない部分２１ｂを洗浄して、同図（ｄ）で示すよ
うに、上記ホトレジスト膜２１に所望の食刻用パターン
をもつた開口２１ｃが形成される。
の主面に成膜して食刻する製造工程の一例を説明する断
面図である。同図（ａ）で示すように、たとえば、ケイ
素Ｓi からなる半導体ウエハ１の主面１ａに、これを酸
化させることによつて、２酸化ケイ素（SiＯ2)からなる
絶縁層５が被着形成される。つぎに、同図（ｂ）で示す
ように、上記絶縁層５の主面にホトレジスト膜２１が被
着されたのち、同図（ｃ）で示すように、所望の食刻用
パターン３１が形成されたマスク４１を対向配設する。
このマスク４１を通して紫外線のような活性化光線１０
を上記ホトレジスト膜２１に照射する。この光線１０の
照射で、上記ホトレジスト膜２１における露光された部
分２１ａと、露光されていない部分２１ｂとを形成し、
上記露光された部分２１ａを定着するとともに、露光さ
れていない部分２１ｂを洗浄して、同図（ｄ）で示すよ
うに、上記ホトレジスト膜２１に所望の食刻用パターン
をもつた開口２１ｃが形成される。
【００１１】つぎの同図（ｅ）で示す食刻工程におい
て、上記ホトレジスト膜２１に対して耐食性を有し、か
つ上記絶縁層５を腐蝕させることができる、たとえば、
フツ化水素酸からなる食刻液を用いると、上記ホトレジ
スト膜２１の小孔２１ｃに対応する部分の絶縁層５が食
刻されて、この絶縁層５に小孔５ａが形成される。その
後、上記ホトレジスト膜２１は溶剤で除去され、上記半
導体ウエハ１の表面に小孔５ａを有する絶縁層５が同図
（ｆ）で示すように被着形成される。
て、上記ホトレジスト膜２１に対して耐食性を有し、か
つ上記絶縁層５を腐蝕させることができる、たとえば、
フツ化水素酸からなる食刻液を用いると、上記ホトレジ
スト膜２１の小孔２１ｃに対応する部分の絶縁層５が食
刻されて、この絶縁層５に小孔５ａが形成される。その
後、上記ホトレジスト膜２１は溶剤で除去され、上記半
導体ウエハ１の表面に小孔５ａを有する絶縁層５が同図
（ｆ）で示すように被着形成される。
【００１２】上記絶縁層５の小孔５ａから不純物を添加
して加熱すると、同図（ｇ）で示すように半導体ウエハ
１に半導体層６が形成される。図４は、食刻用マスク４
１を上記ウエハ１の主面１ａのマスクアライメント用パ
ターンＡ１，Ａ２と位置合わせをした状態の要部を示す
平面図である。すなわち、同図で示すように、マスク４
１にはへ字状の個別パターンＭ１，Ｍ２が図５で示すよ
うに形成され、上記両パターンＡ１，Ａ２とＭ１，Ｍ２
との位置合わせを赤外線もしくはレーザ光１１を用いて
達成する。
して加熱すると、同図（ｇ）で示すように半導体ウエハ
１に半導体層６が形成される。図４は、食刻用マスク４
１を上記ウエハ１の主面１ａのマスクアライメント用パ
ターンＡ１，Ａ２と位置合わせをした状態の要部を示す
平面図である。すなわち、同図で示すように、マスク４
１にはへ字状の個別パターンＭ１，Ｍ２が図５で示すよ
うに形成され、上記両パターンＡ１，Ａ２とＭ１，Ｍ２
との位置合わせを赤外線もしくはレーザ光１１を用いて
達成する。
【００１３】その後、上記半導体層６の露出表面および
絶縁層５の表面に、図３（ｈ）で示すように、たとえ
ば、アルミニウム(Al)からなる電極層７が被着されて、
半導体装置が製造される。上記電極層７のパターンの形
成は、上述した半導体層６の形成とほぼ同様の写真蝕刻
技術を用いて達成され、上記電極層７のパターンを形成
するためのマスク（図示せず）は、同図（ａ）〜同図
（ｇ）において説明したものと同様の工程を経て製造さ
れる。その際、ウエハ１の主面ａのマスクアライメント
用パターンＢ１，Ｂ２を用いて他のマスクとの位置合わ
せが達成される。
絶縁層５の表面に、図３（ｈ）で示すように、たとえ
ば、アルミニウム(Al)からなる電極層７が被着されて、
半導体装置が製造される。上記電極層７のパターンの形
成は、上述した半導体層６の形成とほぼ同様の写真蝕刻
技術を用いて達成され、上記電極層７のパターンを形成
するためのマスク（図示せず）は、同図（ａ）〜同図
（ｇ）において説明したものと同様の工程を経て製造さ
れる。その際、ウエハ１の主面ａのマスクアライメント
用パターンＢ１，Ｂ２を用いて他のマスクとの位置合わ
せが達成される。
【００１４】上述から明らかなように、各列ごとの個別
パターンＡ１，Ａ２およびＢ１，Ｂ２の設定間隔ａ，ｂ
を異ならせたから、光学式投影露光機が対応する個別パ
ターンを適確に検出して露光することができ、簡単な手
段で、不良品の発生を有効に防止することができる。な
お、上記実施例において、各列ごとの個別パターンＡ
１，Ａ２およびＢ１，Ｂ２は２列の場合について説明し
たけれども、３以上の複数列であつてもよく、また、こ
れら個別パターンはウエハ１の表面に限らず、裏面に形
成されてもよいことはいうまでもない。
パターンＡ１，Ａ２およびＢ１，Ｂ２の設定間隔ａ，ｂ
を異ならせたから、光学式投影露光機が対応する個別パ
ターンを適確に検出して露光することができ、簡単な手
段で、不良品の発生を有効に防止することができる。な
お、上記実施例において、各列ごとの個別パターンＡ
１，Ａ２およびＢ１，Ｂ２は２列の場合について説明し
たけれども、３以上の複数列であつてもよく、また、こ
れら個別パターンはウエハ１の表面に限らず、裏面に形
成されてもよいことはいうまでもない。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明の製造方法によ
れば、簡単な手段で、不良品の発生を有効に防止できる
マスクアライメントが達成できる。
れば、簡単な手段で、不良品の発生を有効に防止できる
マスクアライメントが達成できる。
【図１】この発明による一実施例をウエハの主面にマス
クアライメント用パターンを形成するまでの製造方法を
説明する断面図である。
クアライメント用パターンを形成するまでの製造方法を
説明する断面図である。
【図２】図１で製造されたマスクアライメント用パター
ンの一例を示すウエハの平面図である。
ンの一例を示すウエハの平面図である。
【図３】図１の後工程において上記ウエハの主面に成膜
して食刻する製造工程の一例を説明する断面図である。
して食刻する製造工程の一例を説明する断面図である。
【図４】図３の工程におけるウエハとマスクとの位置合
わせの一例を説明する要部の平面図である。
わせの一例を説明する要部の平面図である。
【図５】図４のＺーＺ線に沿う断面図である。
【図６】従来におけるウエハの主面に形成されたマスク
アライメント用パターンの一例を示す平面図である。
アライメント用パターンの一例を示す平面図である。
１ ウエハ １ａ 主面 ４１ マスク Ａ，Ｂ マスクアライメント用パターン Ａ１，Ａ２、Ｂ１，Ｂ２ 個別パターン ａ，ｂ 設定間隔
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 各工程ごとの複数列のマスクアライメン
ト用パターンをウエハの主面に形成する工程と、対応す
る工程のマスクアライメント用パターンを検出する工程
と、この検出されたパターンに対応するマスクと上記ウ
エハとの位置合わせを行なう工程とを備え、上記マスク
アライメント用パターンは、各列ごとの個別パターンの
設定間隔を異ならせて形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201381A JPH0521313A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201381A JPH0521313A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521313A true JPH0521313A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16440141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3201381A Pending JPH0521313A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521313A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10065537A1 (de) * | 2000-12-28 | 2002-08-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Identifikation einer auf einen Wafer projizierten Maske nach der Belichtung des Wafers |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3201381A patent/JPH0521313A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10065537A1 (de) * | 2000-12-28 | 2002-08-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Identifikation einer auf einen Wafer projizierten Maske nach der Belichtung des Wafers |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0126621B1 (en) | Alignment marks on semiconductor wafers and method of manufacturing the marks | |
| EP0405585A2 (en) | A method of manufacturing a semiconductor device | |
| JP2001022051A (ja) | レチクル及び半導体装置の製造方法 | |
| KR0158779B1 (ko) | 더미 패턴이 형성된 포토레지스트 마스크를 사용한 패턴 형성방법 | |
| KR970018320A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| US5885756A (en) | Methods of patterning a semiconductor wafer having an active region and a peripheral region, and patterned wafers formed thereby | |
| JPH0521313A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6893806B2 (en) | Multiple purpose reticle layout for selective printing of test circuits | |
| KR100526527B1 (ko) | 포토마스크와 그를 이용한 마스크 패턴 형성 방법 | |
| JP2975871B2 (ja) | 合わせマークの位置ずれ検査方法 | |
| JPH03209711A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR101004513B1 (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR100648995B1 (ko) | 반도체 제조용 베이킹 장치 | |
| KR0147641B1 (ko) | 래티클 및 그를 이용한 얼라인 키 패턴 형성방법 | |
| JP4267298B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0766113A (ja) | レチクル及び位置合わせ用バーニアの形成方法 | |
| KR100198599B1 (ko) | 반도체 소자의 정렬 및 노광방법 | |
| JPS5914550B2 (ja) | 微細加工方法 | |
| JPS63102315A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS623944B2 (ja) | ||
| KR970002430B1 (ko) | 반도체 소자의 감광막패턴 제조방법 | |
| KR100289664B1 (ko) | 노광 마스크의 제조방법 | |
| JPH06295854A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08213302A (ja) | 微細加工方法及びこの加工方法に用いる微細加工用フォトマスク | |
| JPS63103253A (ja) | フオトマスク |