KR101659683B1 - 초순수 워터막과 드라이아이스를 이용한 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

웨이퍼 표면에 존재하는 이물을 제거하기 위한 웨이퍼 표면 세정 장치가 개시된다. 이 웨이퍼 표면 세정 장치는 초순수 워터막과 고체 CO₂ 드라이아이스를 이용하여 웨이퍼 표면의 이물을 제거하는 것으로서, 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지대와, 초순수(DI Water)를 공급하는 초순수 공급부 및 상기 초순수 공급부로부터 제공되는 초순수를 상기 웨이퍼 표면에 분사하기 위한 초순수 분사노즐을 포함하여, 상기 웨이퍼 표면에 워터막을 형성하는, 워터막 형성 유닛과, 세정 노즐 또는 상기 세정 노즐 부근에서, 액체 CO₂의 단열 팽창을 통해 고체 CO2 드라이아이스를 만들어, 상기 세정 노즐을 통해, 상기 고체 CO₂ 드라이아이스를 상기 워터막 형성 유닛에 의해 형성된 워터막 표면에 분사하는 CO₂ 드라이아이스 분사유닛 - 상기 CO₂ 드라이아이스 분사유닛은 상기 세정 노즐로 액체 CO₂를 공급하는 액체 CO₂ 공급부와, 상기 CO₂ 드라이아이스 입자를 가속시키기 위해 상기 세정 노즐로 클린 에어를 공급하는 클린 에어 공급부를 포함함 - 을 포함한다.

Description

초순수 워터막과 드라이아이스를 이용한 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING OF WAFER SURFACE USING DI WATER FILM AND DRY ICE}

본 발명은 웨이퍼를 이용한 집적 소자를 제조하는 반도체 제조 공정에 있어서 수율에 지대한 영향을 미치는 웨이퍼 표면상의 미세 이물을 효과적으로 제거하기 위한 세정 기술에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 웨이퍼 표면에 워터막을 형성하고 형성된 워터막 표면에 고체 CO₂ 드라이아이스를 공급하여 웨이퍼 표면에 존재하는 다양한 미세 이물을 환경 친화적으로 제거하는 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치에 관한 것이다.

집적 소자 제조에 사용되는 웨이퍼 상에 존재하는 다양한 미세 이물을 제거하기 위해 가장 널리 사용되는 방법은 화학적 습식(chemical wet) 세정 방식이다. 화학적 습식 세정 방식은 웨이퍼를 진공척 혹은 그립 형태의 지지대에 고정시키고 회전장치를 이용해 웨이퍼를 회전시키며, 불순물이 없는 초순수(DI water)와 화학 약품을 노즐을 통해 웨이퍼 표면상에 분사한다. 이때 사용되는 화학 약품은 황산(H₂SO₄), 염산(HCl), 암모니아(NH₄OH), 과산화수소(H₂O₂), 불산(HF) 등이 있으며, 이들 화학 약품은 물과 혼합되어 사용되고, 제거되는 이물의 종류에 따라 특정 약품과 비율을 선택 조정하여 사용한다. 또한 이물의 세정력을 높이기 위해 물리적 힘을 가하기도 하는데 가장 널리 사용되는 방식이 초음파(ultrasonic) 혹은 메가소닉(megasonic) 진동자를 설치하여 진동자의 힘이 물을 통해 웨이퍼 표면으로 전달 시켜 세정을 수행하기도 한다.

하지만, 이러한 화학적 습식 세정 방법은 매우 인체에 유독한 화학 약품을 다량으로 사용하고 있어 작업자의 안전상 문제가 크게 발생하고, 화학 약품의 분리 및 수거를 위한 특수한 처리 장치가 필요하며, 수거된 약품의 처리에 따른 환경 오염 문제 및 막대한 비용 문제가 발생한다. 또한 초음파, 메가소닉과 같은 진동자를 이용한 물리적 세정 방법은 진동자가 웨이퍼 표면에 매우 근접하게 위치하고 있고, 물을 통해 전달되는 진동의 힘이 매우 커 웨이퍼 표면상에 존재하는 미세 패턴에 물리적 손상을 쉽게 일으킨다는 단점이 있다.

따라서, 상기 문제점들을 해결하기 위한 방안이 당해 기술 분야에서 요구되고 있다.

대한민국 특허공개번호 제10-2014-0077087호(공개일자 2014년06월23일)

본 발명은, 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서,

지지대에 고정된 웨이퍼를 회전시키며, 웨이퍼 표면에 초순수를 공급하며 웨이퍼 표면상에 충분한 워터막을 형성시킨 후, 워터막 표면에 고체 CO2 드라이아이스를 공급하여 웨이퍼 표면에 존재하는 다양한 미세 이물을 환경 친화적으로 제거하는 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 상기 목적 및 그 밖의 여러 가지 장점은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자들에 의해 첨부된 도면들을 참조하여 이하에서 기술되는 바람직한 실시예들로부터 더욱 명확해 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 일 양상에 따른 웨이퍼 표면에 존재하는 이물을 제거하기 위한 웨이퍼 표면 세정 장치는, 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지대와, 초순수(DI Water)를 공급하는 초순수 공급부 및 상기 초순수 공급부로부터 제공되는 초순수를 상기 웨이퍼 표면에 분사하기 위한 초순수 분사노즐을 포함하여, 상기 웨이퍼 표면에 워터막을 형성하는, 워터막 형성 유닛과, 세정 노즐 또는 상기 세정 노즐 부근에서, 액체 CO2의 단열 팽창을 통해 고체 CO₂ 드라이아이스를 만들어, 상기 세정 노즐을 통해, 상기 고체 CO₂ 드라이아이스를 상기 워터막 형성 유닛에 의해 형성된 워터막 표면에 분사하는 CO₂ 드라이아이스 분사유닛 - 상기 CO₂ 드라이아이스 분사유닛은 상기 세정 노즐로 액체 CO₂를 공급하는 액체 CO₂ 공급부와, 상기 CO₂ 드라이아이스 입자를 가속시키기 위해 상기 세정 노즐로 클린 에어를 공급하는 클린 에어 공급부를 포함함 - 을 포함한다.

일 실시예에 따라, 상기 웨이퍼 지지대는 상기 웨이퍼를 고정한 상태로 회전시킨다.

일 실시예에 따라, 상기 고체 CO₂ 드라이아이스의 입자 크기는 500 이하이며, 상기 고체 CO₂ 드라이아이스를 가속하는 클린 에어의 분사 압력은 5 bar 이하이다.

일 실시예에 따라, 상기 웨이퍼 표면 세정 장치는, 상기 웨이퍼의 전면적 세정을 위해, 상기 웨이퍼를 가로질러 상기 세정 노즐을 스윙 운동시키는 스윙 회전 구동유닛을 더 포함한다.

일 실시예에 따라, 상기 웨이퍼 표면에 균일한 워터막을 형성하기 위해 상기 초순수 분사 노즐의 위치는 상기 웨이퍼의 중앙의 상부이다.

일 실시예에 따라, 상기 액체 CO₂ 공급부, 상기 클린 에어 공급부, 상기 초순수 공급부, 웨이퍼 회전을 위한 구동부를 통합 제어하기 위한 통합 제어부(50)를 더 포함한다.

본 발명의 일 양상에 따른 웨이퍼 표면에 존재하는 이물을 제거하기 위한 웨이퍼 표면 세정 방법은, 웨이퍼 지지대에 웨이퍼를 지지하고, 초순수 분사노즐을 통해 상기 웨이퍼의 표면에 초순수 워터막을 형성하고, 상기 초순수 워터막이 상기 웨이퍼의 표면에 형성된 상태에서 상기 웨이퍼 지지대를 회전시키면서 상기 초순수 워터막 표면에, 액체 CO₂를 단열 팽창하여 만든 고체 CO₂ 드라이아이스를 세정 노즐을 통해 분사하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의한 CO₂ 드라이아이스를 이용한 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치를 사용하는 경우, 기존의 화학적 습식 세정 방식에서 사용하는 유독한 화학 약품의 사용을 원천적으로 피할 수 있어 작업자에게 안전한 환경을 제공하고, 약품 사용 비용 및 후처리 비용을 획기적으로 절감할 수 있다. 또한 세정 공정이 매우 간단하여 빠르게 세정 공정을 수행할 수 있으며, 장비의 크기(Footprint)도 크게 줄일 수 있는 이점이 있다. 또한, 기존의 초음파를 이용한 물리적 세정 방법과 비교해서 이물 세정 성능도 크게 높일 수 있는 효과를 갖는다.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 표면 세정 장치를 도시한 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 원리의 개략도이다.
도 3는 본 발명에 따른 세정 방법을 설명하기 위한 개략도로서, 도 1의 웨이퍼 표면 세정 장치의 세정 노즐을 스윙 운동시키면서 웨이퍼의 표면을 세정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 첨부된 도면들 및 이에 관한 설명은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자들에게 본 발명에 관한 이해를 쉽게 하려는 의도로 예시된 것이다. 따라서 첨부된 도면들 및 이에 관한 설명이 본 발명의 사상 및 범위를 한정하는 것으로 해석되어서는 아니될 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 표면 세정 장치를 도시한 구성도이고, 도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 원리의 개략도이며, 도 3는 본 발명에 따른 세정 방법을 설명하기 위한 개략도로서, 도 1의 웨이퍼 표면 세정 장치의 세정 노즐을 스윙 운동시키면서 웨이퍼의 표면을 세정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.

먼저 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따라 웨이퍼(W) 표면에 존재하는 이물을 제거하기 위한 웨이퍼 표면 세정 장치는, 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼 지지대(10)와, 초순수(DI Water)를 공급하는 초순수 공급부(21) 및 상기 초순수 공급부(21)로부터 제공되는 초순수를 상기 웨이퍼(W) 표면에 분사하기 위한 초순수 분사노즐(22)을 포함하여, 상기 웨이퍼(W) 표면에 워터막(35)을 형성하는, 워터막 형성 유닛(20)과, 세정 노즐(31) 또는 상기 세정 노즐(31) 부근에서, 액체 CO₂의 단열 팽창을 통해 고체 CO₂ 드라이아이스를 만들어, 상기 세정 노즐(31)을 통해, 상기 고체 CO₂ 드라이아이스를 상기 워터막 형성 유닛(20)에 의해 형성된 워터막(35) 표면에 분사하는 CO₂ 드라이아이스 분사유닛(30)을 포함한다. 여기서, 상기 CO₂ 드라이아이스 분사유닛(30)은 상기 세정 노즐(31)로 액체 CO₂를 공급하는 액체 CO₂ 공급부(33)와, 상기 CO₂ 드라이아이스 입자를 가속시키기 위해 상기 세정 노즐(31)로 클린 에어를 공급하는 클린 에어 공급부(33)를 포함한다.

웨이퍼 지지대(10)는 웨이퍼를 고정시킨 상태로 회전할 수 있도록 구성되는데, 통상적으로 진공척이나 웨이퍼 에지(edge) 그립(grip) 방식을 사용하여 세정 작업 도중에 웨이퍼(W)가 흔들리지 않도록 단단히 고정시키는 역할을 한다. 이렇게 고정된 웨이퍼(W)는 모터와 같은 구동부(42)를 이용하여 회전축(41)을 통해 회전시킨다. 웨이퍼(W)의 회전과 동시에 초순수 공급부(21)로부터 초순수분사노즐(22)을 통해 웨이퍼(W) 표면에 초순수가 분사 형태로 공급된다. 이때 초순수가 웨이퍼(W)의 중앙에서 회전에 의한 원심력으로 인해 웨이퍼(W) 표면 전면에 골고루 퍼져나가도록 하기 위해 초순수 분사노즐(22)의 위치는 대체로 웨이퍼(W)의 중앙의 상부에 위치하는 것이 바람직하다. 웨이퍼(W)의 중앙의 상부에서 초순수 분사노즐(22)에 의해 초순수가 분사되면서 웨이퍼(W)가 회전하여 웨이퍼 표면 전면에 일정 두께의 워터막(35)이 형성된다.

다음으로, CO₂ 드라이아이스 분사유닛(30)에 의해, 워터막 표면에 고체 CO₂ 드라이아이스가 분사되게 되는데, 이는 웨이퍼의 표면에 존재하는 미세 이물을 제거하기 위한 것으로서, CO₂ 드라이아이스 분사유닛(30)은 상기 세정 노즐(31)로 액체 CO₂를 공급하는 액체 CO₂ 공급부(33)와, 상기 CO₂ 드라이아이스 입자를 가속시키기 위해 상기 세정 노즐(31)로 클린 에어를 공급하는 클린 에어 공급부(33)를 포함하며, 액체 CO₂ 공급부(33)에서 세정 노즐(31) 측으로의 CO₂ 공급은 CO₂ 액체 공급라인을 통해 이루어지고, 클린 에어 공급부(33)에서 세정 노즐(31) 측으로의 클린 에어 공급은 클린 에어 공급라인을 통해 이루어진다. 이러한 구성을 통해, 세정 노즐(31) 또는 그 부근에서 순간적인 압력 감소에 의해 단열 팽창에 의해 고체 CO₂ 드라이아이스(dry ice)(25)가 생성된다. 이렇게 생성된 고체 CO₂ 드라이아이스는 클린에어 공급라인을 통해 세정 노즐(31) 측으로 인입되는 클린에어에 의해 가속되어 세정 노즐(31)의 출구를 통해 웨이퍼(W) 상에 형성된 워터막 표면에 분사된다.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 표면 세정 장치는 워터막 형성 유닛(20)과 CO₂ 드라이아이스 분사유닛(30)을 통합제어하기 위한 통합제어부(50)를 더 포함한다.

다음으로 도 2를 참조하여 본 발명의 초순수 워터막과 고체 CO₂ 드라이아이스를 이용하여 웨이퍼 표면을 세정하는 원리를 설명하도록 한다.

첫째, 웨이퍼(W) 워터막(35) 표면으로 분사된 고체 CO₂ 드라이아이스 입자는 웨이퍼 표면에 먼저 형성되어 있는 워터막(35) 표면과 충돌하게 된다. 이러한 순간적인 충돌에 의해 워터막 내부에서 충격파(shock wave)(251)가 발생되어, 웨이퍼(W) 표면 방향으로 전파하게 되며, 그 결과 웨이퍼 표면에 부착되어 있는 이물질과 충돌하게 된다. 이 때 충격파의 세기(shock force)가 이물의 접촉력(adhesion force)보다 큰 경우 이물질이 탈착되어 세정이 이루어지게 된다.

둘째, 워터막(35)과 충돌한 고체 CO₂ 드라이아이스는 밀도가 초순수보다 높으므로 가라?莫? 된다. 이와 같이 워터막(35) 내부 및 웨이퍼(W) 표면으로 가라앉은 드라이아이스는 승화(sublimation) 작용에 의해 상당한 양의 CO₂ 버블(bubble)을 워터막(35) 내부에서 발생시킨다. 이렇게 형성된 버블은 팽창하며, 임계 크기를 넘어서는 경우, 워터막(35) 내부에서 터지게 되는데, 이 때 강력한 충격파(shock wave)가 발생한다. 이러한 버블의 팽창과 급격한 수축 현상은 캐비테이션(cavitation) 효과로 일컬어지며, 초음파 세정 원리와도 유사하다. 비교하자면, 초음파는 음파의 힘으로 물속에서 존재하고 있는 수증기 기체를 만들어 내는 것임에 비해 CO₂ 드라이아이스는 그 자체의 승화 특성으로 인해 자체 버블 생성원으로 작용함으로써 보다 많은 양의 버블을 단시간에 생성해 낼 수 있어 초음파와 비교해 볼 때 매우 강력한 힘을 얻을 수 있다. 이러한 CO₂ 캐비테이션에 의한 충격파의 힘이 웨이퍼 표면에 존재하는 이물의 접촉력보다 크게 되면 세정이 이루어지게 된다.

셋째, 워터막 내부에서 100% 승화되지 않고 고체 형태로 존재하고 있는 CO₂ 드라이아이스 입자는 웨이퍼 표면에 가라앉아 있게 되며, 이는 웨이퍼의 회전에 의한 원심력으로 외곽으로 펴져나가는 물과 함께 웨이퍼 밖으로 운동하게 된다. 이렇게 운동하는 미세 드라이아이스 입자가 웨이퍼 표면에 붙어 있는 이물과 충돌하는 경우가 발생하며, 이때 드라이아이스 입자가 가진 모멘텀(momentum)이 이물 입자에 전달되게 된다. 이러한 드라이아이스 입자와 이물 입자와의 모멘텀 전달(momentum transfer)에 의해 이물은 웨이퍼 표면으로부터 튀어 나가게 되며 세정이 이루어진다.

넷째, CO₂ 드라이아이스 입자가 워터막 내부에서 승화 현상에 의해 많은 CO₂ 기체를 만들어 내게 되는데, 이렇게 발생한 CO₂ 기체는 물속에서 물과 반응하여 탄산(H2CO3)을 형성시킨다. 이렇게 형성된 탄산은 산성의 특성을 띄어 유기 오염물질을 분해 할 수 있는 성질을 가지고 있다. 따라서 웨이퍼 표면에 존재하는 미세한 유기성 이물을 세정 할 수 있다. 또한 물속에 존재하는 탄산 이온은 웨이퍼 표면에 존재하는 정전기를 중화시키는 특성을 가지고 있어 정전기에 아주 취약한 미세 패턴 웨이퍼의 세정에 효과적이다.

상기 4 가지의 세정 메커니즘 이외에 다른 메커니즘이 작동할 수도 있다. 실제 웨이퍼를 이용하여 1um 이하의 미세 오염 입자 제거력을 테스트 해 본 결과, 본 발명에 의한 세정 방식은 기존의 메가소닉 진동자를 이용한 초음파 세정과 비교하여 200% 이상의 입자 제거력 향상을 보였다.

웨이퍼 세정을 위해 워터막 표면에 조사되는 CO₂ 드라이아이스 입자의 크기가 클 경우 너무 큰 물리적 힘이 발생하여 웨이퍼 표면의 손상을 유발할 수 있으므로 보통 500um 직경 이하의 드라이아이스 입자를 분사하는 것이 바람직하다. 또한 드라이아이스를 너무 빠른 속도로 가속 분사해도 너무 큰 물리적 힘이 발생하여 웨이퍼 표면 손상을 유발할 수 있으므로, 세정 노즐에서의 에어 분사 압력은 5 bar 이하가 바람직하다.

또한, 앞서 언급한 바와 같이, 액체 CO₂ 공급부(32), 클린 에어 공급부(33), 초순수 공급부(21), 웨이퍼 회전을 위한 구동부(42)를 통합 제어하기 위한 통합 제어부(50)를 통해, 각각의 공급량과 공급 시간을 개별적으로 정밀하게 제어할 수 있다.

다음으로 도 3을 참조하여 본 발명에 따른 세정 방법을 설명한다.

도 3을 참조하면, 웨이퍼(W) 표면 전면에 대해 효과적으로 세정하기 위해 웨이퍼(W)를 회전을 시키며 스윙 회전 구동유닛(300)를 이용해 세정 노즐(31)을 좌우로 스윙함으로써 웨이퍼 전면적으로 세정할 수 있다. 이때 스윙 회전 구동유닛(300)은 Z 축 방향으로 이동할 수 있도록 하여 세정 노즐(31)의 높이 조정도 가능할 수 있도록 함으로써 세정력 및 세정 영역을 쉽게 조절할 수도 있다. 더 나아가, 스윙 회전 구동유닛(300) 측에는 도시된 세정 노즐(31) 이외에도 초순수 분사 노즐(22), 웨이퍼 건조용 핫에어(Hot air) 분사 노즐(미도시)도 함께 부착시킬 수도 있다.

이와 같이, 본 발명에 따라 초순수 워터막 및 CO₂ 드라이아이스를 이용한 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치를 사용하는 경우, 기존의 화학적 습식 세정 방식에서 사용하는 유독한 화학 약품의 사용을 원천적으로 피할 수 있어 작업자에게 안전한 환경을 제공하고, 약품 사용 비용 및 후처리 비용을 획기적으로 절감할 할 수 있으며, 기존의 초음파를 이용한 물리적 세정 방법과 비교해서 이물 세정 성능도 크게 높일 수 있는 효과를 갖는다.

이상에서, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 설명하였으나, 이는 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자들에게 이해를 돕기 위한 의도로 예시된 것이지, 본 발명의 모든 실시예들을 총망라한 것은 아님에 유의하여야 할 것이다. 또한 본 발명의 사상 및 범위는 이하의 청구항들의 해석에 의해 정해지는 것임에 유의하여야 할 것이다.

10 : 웨이퍼 지지대
20 : 워터막 형성 유닛
30 : CO₂ 드라이아이스 분사유닛
50 : 통합 제어부
300 : 스윙 회전 구동 유닛

Claims (7)

1. 웨이퍼 표면에 존재하는 이물을 제거하기 위한 웨이퍼 표면 세정 장치로서,
   웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지대;
   초순수(DI Water)를 공급하는 초순수 공급부 및 상기 초순수 공급부로부터 제공되는 초순수를 상기 웨이퍼 표면에 분사하기 위한 초순수 분사노즐을 포함하여, 상기 웨이퍼 표면에 워터막을 형성하는, 워터막 형성 유닛; 및
   세정 노즐 또는 상기 세정 노즐 부근에서, 액체 CO₂의 단열 팽창을 통해 고체 CO2 드라이아이스를 만들어, 상기 세정 노즐을 통해, 상기 고체 CO₂ 드라이아이스를 상기 워터막 형성 유닛에 의해 형성된 워터막 표면에 분사하는 CO₂ 드라이아이스 분사유닛 - 상기 CO₂ 드라이아이스 분사유닛은 상기 세정 노즐로 액체 CO₂를 공급하는 액체 CO₂ 공급부와, 상기 CO₂ 드라이아이스 입자를 가속시키기 위해 상기 세정 노즐로 클린 에어를 공급하는 클린 에어 공급부를 포함함 - 을 포함하며,
   상기 웨이퍼 지지대는 상기 웨이퍼를 고정한 상태로 상기 워터막을 형성시키는 원심력을 발생시키는 속도로 상기 웨이퍼를 회전시키며,
   상기 고체 CO₂ 드라이아이스가 상기 웨이퍼 표면에 직접 충돌하는 것으로 인한 상기 웨이퍼의 표면 손상을 막도록, 상기 고체 CO₂ 드라이아이스의 입자 크기는 500um 이하로 정해지고, 상기 고체 CO₂ 드라이아이스를 가속하는 클린 에어의 분사 압력은 5 bar 이하로 정해지며,
   상기 웨이퍼 표면 세정 장치는, 상기 웨이퍼의 전면적 세정을 위해, 상기 웨이퍼를 가로질러 상기 세정 노즐을 스윙 운동시키는 스윙 회전 구동유닛을 더 포함하며,
   상기 웨이퍼 표면에 균일한 워터막을 형성하기 위해 상기 초순수 분사 노즐의 위치는 상기 웨이퍼의 중앙의 상부에 위치하여 상기 웨이퍼의 표면 중앙에 초순수를 분사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 세정 장치.
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 청구항 1에 있어서,
   상기 액체 CO₂ 공급부, 상기 클린 에어 공급부, 상기 초순수 공급부, 웨이퍼 회전을 위한 구동부를 통합 제어하기 위한 통합 제어부(50)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 세정 장치.
7. 삭제

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