KR101097792B1 - 액정표시소자의 배향막 형성방법 및 배향막 검사방법 - Google Patents

Abstract

본 발명에서는 배향막 자체를 원자력간 현미경이나 FT-IR(Fourier Transformation Infrared Spectroscopy)에 의해 공정조건을 변경하면서 검사하여 배향막의 불량여부를 검출함고 아울러 최적의 공정조건을 도출함으로서 배향막의 형성시 최적의 공정조건을 적용함으로써 배향막의 불량을 최소화할 수 있게 된다.

배향막, 검사, 건조, 소성, 세정

Description

액정표시소자의 배향막 형성방법 및 배향막 검사방법{METHOD OF FABRICATING ALIGNMENT LAYER OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND TESTING THEREOF}

본 발명은 배향막 검사방법 및 배향막 형성방법에 관한 것으로, 신속한 배향막의 검사가 가능하고 최적으로 조건에 의해 배향막을 형성할 수 있는 배향막 검사방법 및 배향막 형성방법에 관한 것이다.

일반적으로 액정표시소자는 액정분자의 굴절률이방성을 이용하여 액정층을 투과하는 광의 투과율을 조절하여 화상을 표시하는 표시장치이다. 이러한 액정표시소자에서는 균일한 밝기와 높은 콘트라스트비(contrast ratio)를 얻기 위해서는 액정분자를 일정한 방향으로 배열시키는 배향이 필요하게 되는데, 현재에는 배향막을 러빙하여 배향막에 배향규제력을 인가함으로써 액정분자를 배향하게 된다.

이러한 배향막으로는 주로 폴리이미드(polyimide)계 물질을 사용한다. 일반적으로 폴리이미드계 고분자는 디아민화합물과 무수물을 용매 속에서 반응시켜서 폴리아믹산을 합성한다. 이 폴리아믹산용액을 도포 후, 건조 및 가열경화하여 탈수 등의 작용으로 폴리이미드박막이 형성된다. 통상적으로 도포된 폴리아믹산 용역을 건조 및 경화시킬 때 배향막에는 폴리아믹산 성분이 남아 있게 되는데, 그 이유는 폴리아믹산 용액을 완전 건조시키려면 장시간 동안 배향막을 가열해야만 하지만 이러한 장시간의 배향막의 가열은 배향막이 파손되는 원인이 된다. 따라서, 실질적으로 배향막은 폴리아믹산층 및 폴리이미층으로 이루어진다.

통상적으로 상기 폴리이미드층은 전압유지율(voltage holding ratio)가 높은 반면에 폴리아믹산층은 전압유지율이 낮다. 그러나, 상기 폴리아믹산층은 직류전류의 잔류가 발생하지 않고 하부막과의 계면특성이 좋다. 따라서, 배향막을 폴리아믹산층과 폴리이미드층으로 형성함으로써 배향막의 배향특성을 향상시키면서도 직류전류의 잔류를 방지할 수 있을 뿐만 아니라 하바막과의 접착특성이 향상된다.

한편, 상기와 같은 배향막에 대한 검사는 통상적으로 액정패널의 제작후에 이루어진다. 즉, 액정패널을 검사하는 MPS(Mass Product System)검사공정을 통해 배향막의 검사가 이루어지는 것이다. 상기 MPS검사공정은 액정패널에 발생하는 선불량(line defect)이나 점불량(point defect)을 검출하기 위한 것으로, 액정패널의 각 게이트패드와 데이터패드를 게이트쇼팅바와 데이터쇼팅바에 연결하여, 액정패널의 게이트라인과 연결된 게이트쇼팅바와 데이터라인에 연결된 데이터쇼팅바를 통해 화소에 테스트신호를 인가하여 측정되는 값을 이용하여 기판의 불량여부를 판단한다.

액정패널에 불량이 발생하는 경우, 그 불량의 원인은 여러가지 있을 수 있다. 예를 들어, 기판에 형성된 박막트랜지스터의 불량이나 금속패턴의 단선, 배향막의 불량 등과 같은 다양한 원인이 있을 수 있다. 따라서, 기판에 불량이 발생하는 경우, 그 원인을 파악하기 위해서는 불량이 발생한 액정패널의 불량형태를 관찰 하거나, 액정패널의 액정층을 박리하여 배향막을 CCD카메라 등에 의해 촬영하여 이를 분석하거나, 상기 배향막을 박리한 후 박막트랜지스터나 금속패턴을 CCD카메라 등으로 촬영하고 촬영된 화상을 분석함으로써 불량을 검출할 수 있게 된다.

이러한 종래 배향막의 검사에는 다음과 같은 문제가 있다.

첫째, 종래에는 배향막 자체에 대한 검사가 없기 때문에, 액정패널을 완전히 제작한 후 테스트신호를 입력하여 배향막의 불량을 검사해야만 하기 때문에, 배향막의 검사에 한계가 있었으며, 신속한 배향막의 검사가 불가능했다.

둘째, 종래의 배향막 검사는 배향막 자체에 대한 검사가 아니기 때문에, 배향막의 대한 다양한 검사, 예를 들면 배향막의 건조조건이나 세정조건 등에 대한 검사가 불가능하였다.

셋째, 종래의 배향막 검사에서는 배향막에 대한 다양한 검사가 불가능하므로, 배향막 형성공정시 배향막 검사에 의한 최적 공정조건을 도출하기가 불가능하였다.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 배향막 자체의 불량을 검사함으로써 신속한 배향막의 검사가 가능한 배향막 검사방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 다른 목적은 배향막 검사에 의해 도출된 공정조건에 의해 배향막을 형성함으로써 배향막에 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 배향막 형성방법을 제공하는 것이다.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 배향막 검사방법은 배향물질이 폴리아믹산이 도포된 기판을 제공하는 단계와, 상기 배향물질을 건조한 후 원자간력 현미경으로 건조된 배향물질을 촬영하여 관찰하는 단계와, 상기 건조된 배향물질을 소성한 후 FT-IR(Fourier Transformation Infrared Spectroscopy)로 배향물질의 물성을 측정하는 단계와, 소성된 배향막을 세정한 후 원자간력 현미경으로 세정된 배향물질을 촬영하여 관찰하는 단계로 구성된다.

또한, 본 발명에 따른 배향막 형성방법은 기판상에 배향물질을을 도포하는 단계와, 상기 배향물질을 60∼70℃의 기판실측온도에서 80∼100초 동안 건조하는 단계와, 상기 건조된 배향물질을 230℃ 또는 235℃의 온도에서 1000초 이상 소성하는 단계와, 상기 소성된 배향물질을 세정하는 단계로 구성된다.

본 발명에서는 액정표시소자를 완성한 후 액정표시소자를 검사하여 배향막의 불량을 검출하는 종래와는 배향막 자체를 검사하므로 배향막의 신속한 검사가 가능하게 된다. 또한, 배향막 자체를 검사하므로, 다양한 조건하에서 검사가 가능하게 되므로, 배향막 형성에 대한 최적의 조건을 도출할 수 있으며 이 도출된 조건에 의해 배향막을 형성하기 때문에 배향막의 불량을 최소화할 수 있게 된다.

이하, 첨부한 도면을 첨부하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.

도 1은 일반적인 액정표시소자를 나타내는 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 액정표시소자(1)는 제1기판(3)과 제2기판(5) 및 상기 제1기판(3)과 제2기판(5) 사이에 형성된 액정층(7)으로 구성되어 있다. 제1기판(3)은 구동소자 어레이(Array)기판이다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제1기판(3)에는 복수의 화소가 형성되어 있으며, 각각의 화소에는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)와 같은 구동소자가 형성되어 있다. 제2기판(5)은 컬러필터(Color Filter)기판으로서, 실제 컬러를 구현하기 위한 컬러필터층이 형성되어 있다. 또한, 상기 제1기판(3) 및 제2기판(5)에는 각각 화소전극 및 공통전극이 형성되어 있으며 액정층(7)의 액정분자를 배향하기 위한 배향막이 도포되어 있다.

상기 제1기판(3) 및 제2기판(5)은 실링재(Sealing Material)(9)에 의해 합착되어 있으며, 그 사이에 액정층(7)이 형성되어 상기 제1기판(3)에 형성된 구동소자에 의해 액정분자를 구동하여 액정층을 투과하는 광량을 제어함으로써 정보를 표시하게 된다.

액정표시소자의 제조공정은 크게 제1기판(3)에 구동소자를 형성하는 구동소자 어레이기판공정과 제2기판(5)에 컬러필터를 형성하는 컬러필터기판공정 및 셀(Cell)공정으로 구분될 수 있는데, 이러한 액정표시소자의 공정을 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

우선, 구동소자 어레이공정에 의해 제1기판(3)상에 배열되어 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인(Gate Line) 및 데이터라인(Data Line)을 형성하고 상기 화소영역 각각에 상기 게이트라인과 데이터라인에 접속되는 구동소자인 박막트랜지스터를 형성한다(S101). 또한, 상기 구동소자 어레이공정을 통해 상기 박막트랜지스터에 접속되어 박막트랜지스터를 통해 신호가 인가됨에 따라 액정층을 구동하는 화소전극을 형성한다.

또한, 제2기판(5)에는 컬러필터공정에 의해 컬러를 구현하는 R,G,B의 컬러필터층과 공통전극을 형성한다(S104).

이어서, 상기 제1기판(3) 및 제2기판(5)에 각각 배향막을 도포한 후 제1기판(3)과 제2기판(5) 사이에 형성되는 액정층의 액정분자에 배향규제력 또는 표면고정력(즉, 프리틸트각(Pretilt Angle)과 배향방향)을 제공하기 위해 상기 배향막을 러빙(Rubbing)한다(S102,S105).

이후, 제1기판(3)에 셀갭(Cell Gap)을 일정하게 유지하기 위한 스페이서(Spacer)를 산포하고 제2기판(5)의 외곽부에 실링재(9)를 도포한 후 상기 제1기판(3)과 제2기판(5)에 압력을 가하여 합착한다(S103,S106,S107).

한편, 상기 제1기판(3)과 제2기판(5)은 대면적의 유리기판으로 이루어져 있 다. 다시 말해서, 대면적의 유리기판에 복수의 패널(Panel)영역이 형성되고, 상기 패널영역 각각에 구동소자인 TFT 및 컬러필터층이 형성되기 때문에 낱개의 액정패널을 제작하기 위해서는 상기 유리기판을 절단, 가공해야만 한다(S108). 이후, 상기와 같이 가공된 개개의 액정패널에 액정주입구를 통해 액정을 주입하고 상기 액정주입구를 봉지하여 액정층을 형성한 후 각 액정패널을 검사함으로써 액정패널을 제작하게 된다(S109,S110).

상기와 같이, 액정표시소자에서는 제1기판(3) 및 제2기판(5)에 배향막을 형성하여 상기 제1기판(3) 및 제2기판(5) 사이에 형성된 액정층(7)의 액정분자에 배향규제력을 제공하는데, 상기 배향막의 형성방법을 설명하면 다음과 같다.

도 3a∼도 3d는 본 발명에 따른 배향막 형성방법을 나타내는 도면이다.

우선, 도 3a에 도시된 바와 같이, ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 금속산물이 형성된 투명한 기판(3) 상에 폴리아믹산 용액을 도포하여 폴리아믹산층(20a)을 형성한다. 이때, 상기 기판(3)은 구동소자 어레이기판일 수도 있고 컬러필터기판일 수도 있을 것이다. 상기 폴리아믹산 용액은 디아민화합물과 무수물을 용매속에서 반응시켜서 형성한다. 이어서, 상기 기판(3)에 도포된 폴리아믹산층(20a)을 일정 온도에서 일정시간 동안 가열하여 상기 폴리아믹산층(20a)을 건조(soft baking)한다.

도 3b에 도시된 바와 같이, 폴리아믹산층(20a)이 건조됨에 따라 폴리아믹산층(20a)의 일부가 폴리이미드층(20b)으로 변환된다.

이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 폴리아믹산(20a)과 폴리이미드 층(20b)을 일정 온도 및 일정 시간 동안 소성(post baking)한다.

상기 소성에 의해 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 폴리아믹산층(20a)이 모두 폴리이드로 변환되어 상기 기판(3) 상에는 폴리이미드로 이루어진 배향막(20)이 형성된다. 이후, 형성된 배향막(20)을 이소프로필 수용액에 의해 세정함으로써 배향막(20)을 완성하게 된다.

한편, 본 발명에서는 배향막을 폴리아믹산층(20a)과 폴리이미드층(20b)으로 이루어진 하이브리드(hybrid)층으로 형성할 수도 있는 것이다. 폴리아믹산의 경우, 최단 표면층의 폴리이미드화에 의한 막분리현상이 나타나지만, 하이브리드층의 경우에는 이러한 막분리현상이 발생하지 않는다.

물론, 이러한 하이브리드층의 경우에도 폴리이미드층과 동일한 공정조건에 의해 형성되고 동일한 검사방법에 의해 검사될 것이다. 따라서, 이후의 설명에서 특별히 하이브리드층을 지칭하지 않는 경우에도 각각의 공정이나 검사가 하이브리드층에도 적용될 수 있을 것이다.

배향막(20)의 품질은 배향막(20)의 표면상태와 배향막(20)의 이미드화(imidization) 정도에 따라 달라진다. 배향막(20)의 표면에는 폴리미이드(23)만이 형성되는 것이 바람직하다. 액정표시소자에서 이온확산 등에 의해 폴리아믹산 이온이 배향막(20)의 표면으로 확산되면, 극성을 가진 폴리아믹산 이온에 의해 액정층내의 불순물이 상기 극성을 가진 배향막(즉, 폴리아믹산 이온)에 흡착된다. 이러한 불순물의 흡착은 해당 영역에서의 액정분자의 배열을 방해하므로, 액정표시소자를 제작했을 때 화질이 저하되는 원인이 된다. 따라서, 배향막(20)을 형성할 때 건조조건을 조절함으로써 배향막(20)의 표면에는 폴리이미드 만이 존재하고 폴리아믹산 이온이 상기 배향막(20)의 표면으로 확산되는 것을 방지해야만 한다.

배향막(20)의 이미드화는 배향막의 러빙성, 배향제어능력, 화학적 안정성에 영향을 미친다. 즉, 배향막(20)의 이미드화 정도에 따라 배향막의 특성이 결정되는 것이다.

본 발명에서는 배향막 형성방법을 제공한다. 또한, 본 발명에서는 단순한 배향막 형성방법을 제공하는 것 아니라, 배향막(20) 표면의 상태를 관찰하고 배향막(20)의 이미드화를 검사하여 배향막(20)의 품질을 검사하는 방법을 제공한다. 종래에는 이러한 배향막(20) 자체에 대한 검사가 없기 때문에, 배향막(20)의 품질을 별도로 검사하는 방법이 없었다. 따라서, 신속하고 다양한 조건에 대한 검사가 불가능했지만, 본 발명에서는 배향막(20) 자체를 검사하기 때문에, 조건을 다양하게 설정하여 배향막을 검사할 수 있게 되며, 그 결과 다양한 조건에서 형성된 배향막의 품질을 미리 파악할 수 있게 된다. 본 발명에서는 이와 같이 배향막을 검사하여 품질이 좋은 배향막을 형성하기 위한 조건을 도출하기 때문에, 단순한 배향막의 형성방법이 아니라 품질이 좋은 배향막을 형성하기 위한 조건을 포함하는 배향막 형성방법을 제공한다.

본 발명에서 상기 배향막(20)의 표면검사는 원자간력 현미경(Atomic Force Microscope)에 의해 이루어지며, 배향막(20)의 이미드화는 FT-IR(Fourier Transformation Infrared Spectroscopy)에 의해 이루어진다. 상기와 같은 기기를 이용하여 배향막(20)을 검사하는 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.

배향막의 표면검사

배향막은 폴리아믹산 용액을 도포한 후 건조(pre baking)함으로써 폴리이미드로 변환된다. 이러한 폴리이미드의 변환은 특히 도포된 폴리아믹산 용액의 건조온도 및 건조시간에 따라 결정되므로, 본 발명에서는 배향막의 건조조건에 따라 형성된 배향막의 표면을 검사하여 최적의 건조조건을 검사하였다.

우선, 액정표시소자와 동일한 환경을 만들기 위해, 투명한 유리기판상에 ITO와 같은 금속산화물을 적층한 후, 그 위에 폴리아믹산 용액을 도포한다. 이어서, 폴리아믹산 용액이 도포된 기판을 120℃, 145℃, 165℃ 및 185℃의 온도의 분위기에서 각각 60초, 80초, 100초 동안 노출하어 상기 폴리아믹산 용액을 건조하였다. 이때, 상기 120℃, 145℃, 165℃ 및 185℃의 온도의 분위기에 의해 실제 유리기판은 약 53℃, 60℃, 65℃ 및 70℃의 실측온도로 건조된다. 상기 폴리아믹산 용액의 건조에 의해 금속산화물층 위에는 폴리이미드층이 형성된다.

상기와 같이 건조된 배향막을 AFM을 이용하여 표면을 촬영한 후 이를 관찰하였다. 표 1은 상기 조건에 따라 건조된 배향막의 표면을 관찰한 결과이다.

	53℃	60℃	65℃	70℃
60초	×	×	△	△
80초	×	○	○	○
100초	△	○	○	○

여기서, ×는 폴리아믹산 이온이 배향막의 표면에 관찰되는 상태이고 △는 폴리아믹산 이온이 배향막의 표면에 부분적으로 관찰되는 상태이며, ○는 폴리아믹산 이온이 배향막의 표면에 관찰되지 않는 상태를 나타낸다.

표 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 표면검사에 따르면 폴리아믹산 용액을 기판에 도포한 후 약 60∼70℃의 유리기판 실측온도(즉, 145∼185℃의 분위기 온도에 대응하는)로 약 80∼100초의 시간 동안 폴리아믹산 용액을 가열하여 건조하는 경우 배향막의 표면에 폴리아믹산 이온이 환산되지 않는 것을 알 수 있었다.

세정된 배향막의 표면검사

통상적으로 배향막은 도포 및 소성후 세정된다. 상기 배향막의 세정은 통상적으로 이소프로필 수용액에 의해 이루어진다. 그런데, 이소프로필 수용액은 그 농도에 따라 세정효과가 다를 뿐만 아니라 과도한 농도의 이소프로필 수용액은 배향막을 파손시키는 원인되므로, 적절한 농도의 이소프로필 수용액의 선택 및 세정시간이 중요하게 된다. 본 발명에서는 배향막의 세정조건에 따라 배향막의 표면을 검사하여 최적의 세정조건을 검출하였다.

우선, 기판상에 형성된 배향막을 소성한 후 소정된 배향막을 이소프로필 수용액이 충진된 세정수조에 침전시켜 세정하였다. 이때, 배향막은 0% 이소프로필 수용액, 30% 이소프로필 수용액, 60% 이소프로필 수용액, 90% 이소프로필 수용액 및 180% 이소프로필 수용액에 각각 10초, 30초, 60초, 90초 및 180초 동안 침전시켰다.

그 후, 상기 이소프로필 수용액에 침전된 기판을 건조한 후 AFM으로 표면을 촬영한 후 배향막의 세정여부를 하였다. 표 2은 상기 조건에 따라 세정된 배향막의 표면을 관찰한 결과이다.

	0% 이소프로필 수용액	20%	30%	40%	60%
10초	×	△	△	×	×
30초	△	○	○	△	×
60초	△	○	○	△	×
90초	△	○	○	△	×
180초	×	×	×	×	×

여기서, ×는 배향막의 표면이 세정되지 않았거나 배향막에 파손이 관찰되는 상태이고 △는 배향막의 표면이 부분적으로 세정되지 않았거나 배향막에 부분적인 파손이 관찰되는 상태이며, ○는 배향막이 세정된 상태를 나타낸다.

표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 세정검사에 따르면 20∼30% 이소프로필 수용액에 기판을 약 30∼90초 침전하는 경우 배향막이 완전하게 세정될 뿐만 아니라 배향막에 이소프로필 수용액에 의한 파손이 발생하지 않음을 알 수 있었다. 10% 이하의 이소프로필 수용액에 배향막을 세정하는 경우 배향막이 완전하게 세정되지 않고 40% 이상의 이소프로필 수용액에 배향막을 세정하는 경우 배향막에 이소프로필이 달라붙어 배향막이 파손되는 것을 관찰할 수 있었다.

배향막의 이미드화 검사

배향막의 이미드화는 러빙성, 배향제어능력, 화학적 안정성 등과 같은 배향막의 특성을 결정하는 중요한 요소이다. 배향막의 이미드화는 배향막을 소성함으로써 이루어진다. 품질이 좋은 배향막을 얻기 위해서는 배향막 전체를 이미드화해야만 하지만, 이럴 경우 소성하는데 너무 많은 시간이 소모되기 때문에, 공정이 지연되는 문제가 있다. 따라서, 본 발명에서는 배향막의 소성조건에 따라 배향막의 물성을 검사하여 최적의 소성조건(즉, 신속하게 최대의 이미드화를 달성하는 조건)을 검출하였다.

우선, NaCl과 같은 결정기판상에 약 0.5mm의 폴리아믹산 용액을 도포하고 건조시킨 후, 약 230℃ 및 240℃의 온도에서 300∼2000초 동안 소성하였다. 그 후, 상기 소성된 배향막을 FT-IR을 이용하여 배향막의 물성을 측정하였다. 상기 NaCl기판을 사용하는 것은 FT-IR을 측정할 때, 상대적으로 간단한 분자구조를 사용함으로써 적외선이 기판에 흡수되어 IR을 측정하는 경우 상기 기판에 의한 영향을 최소화하기 위한 것이다.

도 4에 상기 FT-IR의 측정그래프가 도시되어 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 약 230℃ 및 240℃의 온도로 소성할 때, 약 500초 이상의 소성시간에서 배향막의 이미드화율이 급격하게 상승하여 약 1000초의 소성시간에서 배향막의 약 90%가 이미드화되었음을 알 수 있었다.

물론, 소성시간을 더욱 증가시킴에 따라 배향막의 이미드화율이 더욱 증가하지만, 이후의 이미드화율은 매우 소폭으로 증가하게 된다. 실질적으로 90% 이상으로 이미드화된 배향막은 러빙성, 배향제어능력, 화학적 안정성이 매우 훌륭하므로, 이 상태의 배향막을 액정표시소자에 사용하는 경우 배향막에 불량이 발생하지 않는다. 즉, 본 발명에서는 약 230℃ 및 240℃의 온도에서 약 1000초 이상 배향막을 소성하는 경우 배향막이 훌륭하게 이미드화됨을 알 수 있었다.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 배향막의 표면상태, 세정상태 및 이미드화율을 검사함으로써 신속하고 정확한 배향막의 불량여부를 판별할 수 있을 뿐만 아니라 각 검사공정에서 도출된 배향막의 형성조건에 따라 배향막을 형성함으로써 품질이 좋은 배향막을 형성할 수 있게 된다.

상기와 같이 배향막 검사에 의해 도출된 액정표시소자의 제조방법을 간략하게 설명하면 다음과 같다.

도 5는 본 발명에 따른 배향막 형성방법을 나타내는 플로우챠트이다. 실질적으로 이 배향막 형성방법은 도 3a∼도 3d에 도시된 방법과 동일이지만, 도 4에 도시된 방법은 도 3a∼도 3d에 도시된 방법에서 공정조건을 구체화한 것이다. 따라서, 실질적으로 본 발명에 따른 배향막은 도 3a∼도 3d에 도시된 방법과 도 5에 도시된 방법(즉, 공정조건)에 의해 형성될 것이다.

도 5에 도시된 바와 같이, 우선 ITO나 IZO와 같은 금속산물이 형성된 기판 상에 폴리아믹산 용액을 도포하여 폴리아믹산층을 형성한다(S201). 이어서, 상기 기판에 도포된 폴리아믹산층을 약 60∼70℃의 기판의 실측온도(즉, 145∼185℃의 분위기온도)에서 약 80∼100초 동안 상기 폴리아믹산층을 건조시킨다(S202). 상기 건조에 의해 폴리아믹산층이 폴리이미드층으로 변환된다.

그 후, 건조된 폴리아믹산층을 약 230℃ 또는 235℃의 온도에서 약 1000초 이상 가열하여 상기 폴리아믹산층을 소성한다(S203). 상기 소성에 의해 폴리아믹산층의 90% 이상이 이미드화되어 기판상에는 이미드화된 배향막이 형성된다. 이어서, 소성된 배향막을 약 20∼30% 이소프로필 수용액에 약 30-90초 침전하여 상기 배향막을 세정하여 배향막을 완성한다(S204).

상기에서 설명된 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 기초로 한 하나의 예를 개시한 것에 불과한 것으로서, 이러한 실시예에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것이 아니다. 본 발명의 사상을 응용하여 본 발명이 속하는 기술분야에 종사하는 사람이라면 누구나 용이하게 창안할 수 있는 다른 실시예나 변형례도 본 발명의 권리범위에 포함될 것이다.

도 1은 일반적인 액정표시소자의 구조를 간략하게 나타내는 단면도.

도 2는 일반적인 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 플로우챠트.

도 3a∼도 3d는 본 발명에 따른 배향막 형성방법을 나타내는 도면.

도 4는 소성된 배향막의 소성시간대 이미드화율을 나타내는 그래프.

도 5는 본 발명에 따른 배향막 형성방법을 나타내는 플로우챠트.

Claims (11)

1. 기판상에 폴리아믹산을 도포하는 단계;

   상기 폴리아믹산을 60∼70℃의 기판실측온도에서 80∼100초 동안 건조하는 단계;

   상기 건조된 폴리아믹산을 230℃ 또는 235℃의 온도에서 1000초 이상 소성하여 폴리아믹산의 일부를 폴리이미드화하여 하부막과 접촉하는 폴리아믹산층 및 그 상부의 폴리이미드층으로 이루어진 하이브리드층의 배향막을 형성하는 단계; 및

   상기 소성된 배향막을 20∼30% 이소프로필 수용액에 30∼90초 침전하여 세정하는 단계로 구성된 배향막 형성방법.
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5. 제1항에 있어서, 60∼70℃의 기판실측온도는 145∼185℃의 분위기 온도에 대 응하는 것을 특징으로 하는 배향막 형성방법.
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