CN107393846A - 基板清洗装置 - Google Patents

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Abstract

基板清洗装置包括：基板保持机构(70)，所述基板保持机构(70)对基板(W)进行保持；基板旋转机构(72)，所述基板旋转机构(72)使保持于基板保持机构(70)的基板(W)旋转；以及双流体喷嘴(46)，所述双流体喷嘴(46)使双流体喷流向旋转着的所述基板(W)的表面喷出。双流体喷嘴(46)由导电性材料构成。由此，能够对从双流体喷嘴(46)作为双流体喷流而喷出的液滴的带电量进行抑制。

Description

基板清洗装置
相关申请的相互参照
本申请基于在2014年4月16日提交的日本专利申请JP2016-093756以及JP2016-093755，在此，上述两个申请的全部内容作为参照而被引入本申请。
技术领域
本发明涉及使用双流体喷流来清洗基板表面的基板清洗装置。
背景技术
一直以来，作为用非接触的方式对基板表面进行清洗的清洗方法，已知有使用了双流体喷流(2FJ)的清洗方法。在该2FJ清洗中，使载于高速气体(例如二氧化碳气体)的微小液滴(例如纯水的雾气)从双流体喷嘴向基板表面喷出并发生冲撞，能够利用因该微小液滴对基板表面的冲撞而产生的冲击波对基板表面的粒子等进行去除(清洗)(例如参照日本专利特开2005-294819号公报)。
在高速的2FJ清洗中，气体的流量高，流速也快(200米/秒以上，优选为250米/秒以上)。因此，通过喷出时的气体和纯水的接触，或者通过喷出时的液滴和喷嘴内壁的接触，使供给到基板表面的液滴(和通常的2F清洗相比)容易携带电荷。因此，在高速的2FJ清洗中，清洗时的基板表面的带电量倾向于变大。
一直以来，在通常的2FJ清洗中，通过将二氧化碳气体预先混入向2FJ喷嘴供给的纯水而使碳酸溶液离子化，使电荷(电子)容易流动，从而实现液滴的带电量的抑制。然而，在高速的2FJ清洗中，不能通过上述现有的方法充分地抑制液滴的带电量，存在因带电的影响而使粒子易于附着的问题。
发明内容
本发明鉴于上述技术问题而形成，其目的在于提供一种基板清洗装置，所述基板清洗装置即使在高速的2FJ清洗中，也能对清洗对象即基板的表面带电进行抑制。
一实施方式的基板清洗装置包括：基板保持机构，所述基板保持机构对基板进行保持；基板旋转机构，所述基板旋转机构使保持于所述基板保持机构的所述基板旋转；以及双流体喷嘴，所述双流体喷嘴使双流体喷流向旋转着的所述基板的表面喷出，所述双流体喷嘴由导电性材料构成。
另一方式的基板清洗装置包括：基板保持机构，所述基板保持机构对基板进行保持；基板旋转机构，所述基板旋转机构使保持于所述基板保持机构的所述基板旋转；双流体喷嘴，所述双流体喷嘴使双流体喷流向旋转着的所述基板的表面喷出；以及电阻率调整机构，所述电阻率调整机构对向所述双流体喷嘴供给的清洗液的电阻率值进行调整。
附图说明
图1是表示包括本发明的第一实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)在内的基板处理装置的整体结构的俯视图。
图2是表示本发明的第一实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的结构的立体图。
图3是表示本发明的第一实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的结构的俯视图。
图4是表示本发明的第一实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的结构的侧视图。
图5是本发明的第一实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的带电抑制效果的说明图。
图6是表示本发明的第二实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的结构的侧视图。
图7是本发明的第二实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的带电抑制效果的说明图。
图8是表示本发明的第三实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的结构的侧视图。
图9是本发明的第三实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的带电抑制效果的说明图。
图10是本发明的第三实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的带电抑制效果的说明图。
图11是本发明的第三实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的带电抑制效果的说明图。
图12是表示本发明的第四实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的结构的侧视图。
具体实施方式
下面，对实施方式的基板干燥装置进行说明。另外，下面说明的实施方式表示实施本发明时的一个例子，并不是将本发明限定于下面说明的具体结构。在实施本发明时，也可以适当地采用按照实施方式的具体的结构。
一实施方式的基板清洗装置包括：基板保持机构，所述基板保持机构对基板进行保持；基板旋转机构，所述基板旋转机构使保持于所述基板保持机构的所述基板旋转；双流体喷嘴，所述双流体喷嘴使双流体喷流向旋转着的所述基板的表面喷出，所述双流体喷嘴由导电性材料构成。
根据该结构，由于双流体喷嘴由导电性材料构成，因此能够对从双流体喷嘴作为双流体喷流而喷出的液滴的带电量进行抑制。由此，即使是高速的2FJ清洗，也能够对清洗对象即基板的表面带电进行抑制，从而能够对带电的粒子附着于基板进行抑制。
另外，在上述基板清洗装置中，所述双流体喷嘴也可以是：喷嘴整体由导电性材料构成。
根据此结构，若双流体喷嘴的喷嘴整体由导电性材料构成，则清洗对象即基板表面因从双流体喷嘴喷出的液滴(带电抑制后的液滴、略微带电的液滴)而带负电。根据基板的种类或清洗条件，有时优选基板带负电。在那种情况下，能够进行控制以使液滴带负电。
另外，在上述基板清洗装置中，所述双流体喷嘴也可以是：喷嘴顶端部由导电性材料构成，喷嘴根端部由非导电性材料构成。
根据该结构，若双流体喷嘴的喷嘴顶端部由导电性材料构成，并且喷嘴根端部由非导电性材料构成，则清洗对象即基板表面因从双流体喷嘴喷出的液滴(带电抑制后的液滴、略微带电的液滴)而带正电。这样，通过喷嘴材质的组合，能够进行控制以使液滴带正电。
另外，在上述基板清洗装置中，所述导电性材料可以是导电性碳PEEK或者导电性碳PTFE。
根据这个结构，通过使用导电性碳PEEK或者导电性碳PTFE，能够由导电性材料构成双流体喷嘴，从而能够实现对从双流体喷嘴喷出的液滴的带电量进行抑制。
另外，在上述基板清洗装置中，所述双流体喷流的喷出速度是200米/秒以上，优选的可以是250米/秒以上。
根据该结构，通过高速的2FJ清洗(作为双流体喷流而喷出的液滴的速度是200米/秒以上，优选的是250米/秒以上的2FJ清洗)，能够对清洗对象即基板的表面带电进行抑制。
另一实施方式的基板清洗装置包括：基板保持机构，所述基板保持机构对基板进行保持；基板旋转机构，所述基板旋转机构使保持于所述基板保持机构的所述基板旋转；双流体喷嘴，所述双流体喷嘴使双流体喷流向旋转着的所述基板的表面喷出；以及电阻率调整机构，所述电阻率调整机构对向所述双流体喷嘴供给的清洗液的电阻率进行调整。
根据该结构，通过使用电阻率调整机构，能够对向双流体喷嘴供给的清洗液(例如碳酸溶液)的电阻率值进行调整。向双流体喷嘴供给的清洗液的电阻率值越小，就越能够对从双流体喷嘴喷出的液滴的带电量进行抑制。由此，即使是高速的2FJ清洗，也能够对清洗对象即基板的表面带电进行抑制，从而能够对带电的粒子附着于基板进行抑制。
另外，在上述基板清洗装置中，也可以包括流量调整机构，所述流量调整机构对向所述双流体喷嘴供给的清洗液的流量进行调整。
根据该结构，通过使用流量调整机构，能够对向双流体喷嘴供给的清洗液的流量进行调整。向双流体喷嘴供给的清洗液的流量越大，就越能够对从双流体喷嘴喷出的液滴的带电量进行抑制。由此，即使是高速的2FJ清洗，也能够对清洗对象即基板的表面带电进行抑制，从而能够对带电的粒子附着于基板进行抑制。
另外，在上述基板清洗装置中，也可以是：包括冲洗液供给喷嘴，所述冲洗液供给喷嘴将冲洗液向所述基板的表面供给，所述冲洗液供给喷嘴能够将所述清洗液供给到所述基板的表面。
根据该结构，不仅清洗液从双流体喷嘴被供给到基板的表面，还从冲洗液供给喷嘴将清洗液供给到基板的表面，因此，能够使向基板的表面供给的清洗液的流量增大。向基板的表面供给的清洗液的流量越大，就越能够对基板的表面的带电量进行抑制。由此，即使是高速的2FJ清洗，也能够对清洗对象即基板的表面带电进行抑制，从而能够对带电的粒子附着于基板进行抑制。
另外，在上述基板清洗装置中，也可以是：包括药液供给喷嘴，所述药液供给喷嘴将具有导电性的药液向所述基板的表面供给。
根据该结构，由于具有导电性的药液从药液供给喷嘴被供给到基板的表面，因此，能够对基板的表面的带电量进行抑制。由此，即使是高速的2FJ清洗，也能够对清洗对象即基板的表面带电进行抑制，从而能够对带电的粒子附着于基板进行抑制。
另外，在上述基板清洗装置中，所述双流体喷流的喷出速度可以是200米/秒以上，优选的是250米/秒以上。
根据该结构，通过高速的2FJ清洗(作为双流体喷流而喷出的液滴的速度是200米/秒以上，优选的是250米/秒以上的2FJ清洗)，能够对清洗对象即基板的表面带电进行抑制。
下面，利用附图对本发明的实施方式的基板清洗装置进行说明。在本实施方式中，对用于半导体晶片的清洗等的基板清洗装置的情况进行例示。
(第一实施方式)
参照附图对本发明的第一实施方式的基板清洗装置的结构进行说明。图1是表示基板处理装置的整体结构的俯视图，所述基板处理装置包括本实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)。如图1所示，基板处理装置包括：大致矩形的壳体10；以及装载口12，所述装载口12供基板盒载置，所述基板盒对多个半导体晶片等基板进行储存。装载口12和壳体10邻接而配置。在装载口12处，能够搭载开放式盒、SMIF(Standard ManufacturingInterface：标准制造接口)箱、或者FOUP(Front Opening Unified Pod：正面开口标准箱)。SMIF、FOUP是密闭容器，该密闭容器通过将基板盒收纳于内部，并用隔壁覆盖，从而能够保持和外部空间独立的环境。
在壳体10的内部，收容有：多个(图1的例子中为四个)研磨单元14a～14d；第一清洗单元16以及第二清洗单元18，所述第一清洗单元16以及第二清洗单元18对研磨后的基板进行清洗；以及干燥单元20，所述干燥单元20使清洗后的基板干燥。研磨单元14a～14d沿着基板处理装置的长度方向排列，清洗单元16、18及干燥单元20也沿着基板处理装置的长度方向排列。本发明的基板清洗装置适用于第二清洗单元18。
如图1所示，在由装载口12、位于该装载口12侧的研磨单元14a以及干燥单元20所包围的区域配置有第一基板搬运机器人22。另外，和研磨单元14a～14d平行地配置有基板搬运单元24。第一基板搬运机器人22从装载口12接收研磨前的基板，将该研磨前的基板转移到基板搬运单元24，并从干燥单元20接收干燥后的基板，将该干燥后的基板送回到装载口12。基板搬运单元24对从第一基板搬运机器人22接收到的基板进行搬运，并在各研磨单元14a～14d之间进行基板的转移。
在第一清洗单元16和第二清洗单元18之间配置有第二搬运机器人26，所述第二基板搬运机器人26在上述第一清洗单元16和第二清洗单元18之间进行基板的转移。另外，在第二清洗单元18和干燥单元20之间配置有第三基板搬运机器人28，所述第三基板搬运机器人28在上述第二清洗单元18和干燥单元20之间进行基板的转移。
并且，在壳体10的内部配置有控制部30，所述控制部30对基板处理装置的各设备的动作进行控制。该控制部30也包括对第二清洗单元(基板清洗装置)18的动作进行控制的功能。
本实施方式中，作为第一清洗单元16，使用滚筒清洗单元，所述滚筒清洗单元在清洗液存在的情况下，将呈滚筒状延伸的滚筒清洗部件擦磨于基板的正反两面，从而对基板进行清洗。该第一清洗单元(滚筒清洗单元)16并用兆频超声波清洗，该兆频超声波清洗对清洗液施加1MHz左右的超声波，并使由清洗液的振动加速度产生的作用力作用于附着在基板表面的微粒。
另外，作为第二清洗单元18，使用本发明的基板清洗装置。另外，作为干燥单元20，使用自旋干燥单元，所述自旋干燥单元对基板进行保持，并从移动的喷嘴喷出IPA蒸汽来使基板干燥，此外还使基板高速旋转，以利用离心力来使基板干燥。此外，清洗部可以是将清洗单元16、18配置成上下二段的上下二段结构。在该情况下，清洗部具有上下二段的基板处理单元。
图2是本实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的立体图，图3是本实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的俯视图。
如图2以及图3所示，本实施方式的基板清洗装置(第二清洗单元)18包括：清洗槽40，所述清洗槽40围绕基板W的周围；支承轴42，所述支承轴42竖直地设于该处理槽40的侧方，并旋转自如；以及揺动臂44，所述揺动臂44将基部连结于该支承轴42的上端，并在水平方向上延伸。在清洗槽40处，基板W由卡盘等保持，并通过卡盘等的旋转而旋转。在揺动臂44的自由端(顶端)以上下运动自如的方式安装有双流体喷嘴46。
在双流体喷嘴46处，连接有运载气体供给线50和清洗液供给线52，其中，所述运载气体供给线50供给氮气等运载气体，所述清洗液供给线52供给纯水或者二氧化碳气体溶解水等清洗液。通过使供给到双流体喷嘴46的内部的氮气等运载气体和纯水或者二氧化碳气体溶解水等清洗液从双流体喷嘴46高速喷出，从而生成双流体喷流，在该双流体喷流中，清洗液作为微小液滴(雾气)存在于运载气体中。通过使在该双流体喷嘴46中生成的双流体喷流向旋转中的基板W的表面喷出并发生冲撞，能够利用因微小液滴朝基板表面的冲撞而产生的冲击波对基板表面的粒子等进行去除(清洗)。
支承轴42和作为驱动机构的电动机54连结，所述电动机54通过使支承轴42旋转，从而使摇动臂44以该支承轴42为中心进行摇动。
在该例中，在摇动臂44的前端，例如安装有由PVA海绵形成的铅笔型清洗具60，所述铅笔型清洗具60上下移动自如且旋转自如。并且，还配置有将冲洗液供给到旋转中的基板W的表面的冲洗液供给喷嘴62、以及将药液供给到旋转中的基板W的表面的药液供给喷嘴64，所述冲洗液供给喷嘴62和药液供给喷嘴64均位于清洗槽40的侧上方，并由卡盘等保持。一边使铅笔型清洗具60的下端以规定的按压力和旋转中的基板W的表面接触，一边通过摇动臂44的摇动使铅笔型清洗具60移动，并同时将冲洗液或者药液供给到基板W的表面，从而进行基板W的表面的接触清洗。另外，上述基板W的表面的接触清洗是根据需要而进行的处理，而非一定必要的。
如图3所示，双流体喷嘴46通过伴随着摇动臂44的摇动而沿着圆弧状的移动轨迹从偏离位置A经由基板W的中心O的上方位置以及和该中心O分离了规定间隔的变位点B的上方位置移动到基板W的外周部外方的清洗结束位置C，从而对基板W的表面进行清洗。在该清洗时，使双流体喷流从双流体喷嘴46向旋转中的基板W的表面喷出，在所述双流体喷流中，清洗液作为微小液滴(雾气)存在于运载气体中。另外，图3表示双流体喷嘴46位于变位点B的上方位置的状态。
这里，参照附图对基板清洗装置(基板清洗单元)的结构进行更详细的说明。图4是用于对本实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的结构进行说明的侧视图。
如图4所示，基板清洗装置包括：基板保持机构70，所述基板保持机构70对基板W水平地进行保持；电动机(旋转机构)72，所述电动机72经由基板保持机构70而使基板W绕着基板保持机构70的中心轴旋转；以及双流体喷嘴46，所述双流体喷嘴46使双流体喷流向旋转着的基板W的表面喷出。本实施方式的双流体喷嘴46是一体型的，喷嘴整体由导电性材料构成。作为导电性材料，可以用导电性碳PEEK或导电性碳PTFE。双流体喷嘴46接地。也可以是例如由导电性材料构成摇动臂44，然后通过摇动臂44来接地。在该情况下，双流体喷流的喷出速度是200米/秒以上，优选的是250米/秒以上。即，该基板清洗装置是高速的2FJ清洗用基板清洗装置。
图5是本实施方式的基板清洗装置的带电抑制效果的说明图。在图5中，由导电性材料(导电性PEEK)构成喷嘴整体的例子作为“实施例1”并用实线表示，由非导电性材料(非导电性PTFE)构成喷嘴整体的例子作为“比较例”并用虚线表示。
根据这种第一实施方式的基板清洗装置，如图5所示，通过用导电性材料构成双流体喷嘴46，能够对从双流体喷嘴46作为双流体喷流喷出的液滴的带电量进行抑制。由此，即使是高速的2FJ清洗，也能够对清洗对象即基板W的表面带电进行抑制，从而能够对带电的粒子附着于基板W进行抑制。
在本实施方式中，由于双流体喷嘴46的喷嘴整体由导电性材料构成，因此，如图5所示，清洗对象即基板W的表面因从双流体喷嘴46喷出的液滴(带电抑制后的液滴、略微带电的液滴)而带负电。根据基板W的种类或清洗条件，有时优选基板W带负电。在那种情况下，能够进行控制以使液滴带负电。
另外，在本实施方式中，通过使用导电性碳PEEK或者导电性碳PTFE，能够由导电性材料构成双流体喷嘴46，从而能够实现对从双流体喷嘴46喷出的液滴的带电量进行抑制。
另外，在本实施方式中，通过高速的2FJ清洗(作为双流体喷流而喷出的液滴的速度是200米/秒以上，优选的是250米/秒以上的2FJ清洗)，能够对清洗对象即基板W的表面带电进行抑制。
(第二实施方式)
接着，对本发明的第二实施方式的基板清洗装置进行说明。此处，以第二实施方式的基板清洗装置和第一实施方式的不同点为中心进行说明。此处，若未特别提及，则本实施方式的结构以及动作和第一实施方式相同。
图6是用于对本实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的结构进行说明的侧视图。如图6所示，本实施方式的双流体喷嘴46是被分割成喷嘴顶端部46a和喷嘴根端部46b的分割型。而且，喷嘴顶端部46a由导电性材料构成，喷嘴根端部46b由非导电性材料构成。作为导电性材料，例如用导电性碳PEEK或导电性碳PTFE。在该情况下，双流体喷流的喷出速度是200米/秒以上，优选的是250米/秒以上。即，该基板清洗装置也是高速的2FJ清洗用基板清洗装置。
图7是本实施方式的基板清洗装置的带电抑制效果的说明图。在图7中，由导电性材料(导电性PEEK)构成喷嘴顶端部46a且由非导电性材料(非导电性PTFE)构成喷嘴根端部46b的例子作为“实施例2”并用实线表示，由非导电性材料(非导电性PTFE)构成喷嘴整体的例子作为“比较例”并用虚线表示。
根据这种第二实施方式的基板清洗装置，也起到了和第一实施方式相同的作用效果。即，如图7所示，通过由导电性材料构成双流体喷嘴46，从而能够对从双流体喷嘴46作为双流体喷流喷出的液滴的带电量进行抑制。由此，即使是高速的2FJ清洗，也能够对清洗对象即基板W的表面带电进行抑制，从而能够对带电的粒子附着于基板W进行抑制。
在本实施方式中，由于双流体喷嘴46的喷嘴顶端部46a由导电性材料构成，且喷嘴根端部46b由非导电性材料构成，因此，如图7所示，清洗对象即基板W的表面因从双流体喷嘴46喷出的液滴(带电抑制后的液滴、略微带电的液滴)而带正电。这样，通过喷嘴材质的组合，能够进行控制以使液滴带正电。
(第三实施方式)
接着，对本发明的第三实施方式的基板清洗装置进行说明。此处，以第三实施方式的基板清洗装置和第一实施方式的不同点为中心进行说明。此处，若未特别提及，则本实施方式的结构以及动作和第一实施方式相同。
图8是用于对本实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的结构进行说明的侧视图。如图8所示，基板清洗装置包括：基板保持机构70，所述基板保持机构70对基板W水平地进行保持；电动机(旋转机构)72，所述电动机72经由基板保持机构70而使基板W绕着基板保持机构70的中心轴旋转；双流体喷嘴46，所述双流体喷嘴46使双流体喷流向旋转着的基板W的表面喷出；以及电阻率调整机构74，所述电阻率调整机构74对向双流体喷嘴46供给的清洗液的电阻率值进行调整。作为清洗液，例如使用将二氧化碳气体预先混入纯水而离子化后的碳酸溶液。电阻率调整机构74例如能够在0.1MΩcm～18MΩcm的范围内对碳酸溶液的电阻率值进行调整。另外，电阻率调整机构74能够利用众所周知的东西。在该情况下，双流体喷流的喷出速度是200米/秒以上，优选的是250米/秒以上。即，该基板清洗装置是高速的2FJ清洗用的基板清洗装置。
另外，如图8所示，该基板清洗装置包括：冲洗液供给喷嘴62，所述冲洗液供给喷嘴62向基板W的表面供给冲洗液；以及药液供给喷嘴64，所述药液供给喷嘴64向基板的表面供给药液。该冲洗液供给喷嘴62能够将清洗液(碳酸溶液)供给到基板的表面。另外，作为从药液供给喷嘴64供给来的药液，使用具有导电性的药液。
此处，对使用基板清洗装置来清洗基板W时的处理的流程进行说明。在该基板清洗装置中，当先将基板W搬入时，从药液供给喷嘴64朝基板W的表面供给具有导电性的药液，然后，使双流体喷流从双流体喷嘴46喷出，从而进行基板W的双流体清洗。此时所使用的清洗液(碳酸溶液)的电阻率被电阻率调整机构74调整为较小。在进行双流体清洗的期间，优选的是持续从药液供给喷嘴64供给具有导电性的药液。然后，在双流体清洗结束后，将冲洗液和清洗液(碳酸溶液)从冲洗液供给喷嘴62供给到基板W的表面，从而冲洗药液。
图9～图11是本实施方式的基板清洗装置的带电抑制效果的说明图。在图9中，用虚线表示将清洗液(碳酸溶液)的电阻率设定为较大的例子(例如设定为18MΩcm的例子)，用实线表示将清洗液(碳酸溶液)的电阻率设定为较小的例子(例如设定为0.1MΩcm的例子)。另外，在图10中，用虚线表示将供给到基板W的表面的清洗液的流量设定为较小的例子(不从冲洗液供给喷嘴62供给清洗液(碳酸溶液)的例子)，用实线表示将供给到基板W的表面的清洗液的流量设定为较大的例子(从冲洗液供给喷嘴62供给清洗液(碳酸溶液)的例子)。另外，在图11中，用虚线表示具有导电性的药液未被供给到基板W的表面的例子，用实线表示具有导电性的药液被供给到基板W的表面的例子。
根据这种第三实施方式的基板清洗装置，通过使用电阻率调整机构74，能够对向双流体喷嘴46供给的清洗液(例如碳酸溶液)的电阻率值进行调整。向双流体喷嘴46供给的清洗液的电阻率值越小，就越能够对从双流体喷嘴46喷出的液滴的带电量进行抑制。由此，即使是高速的2FJ清洗，也能够对清洗对象即基板的表面带电进行抑制，从而能够对带电的粒子附着于基板进行抑制。
在本实施方式中，并不仅仅将清洗液从双流体喷嘴46供给到基板的表面，也将清洗液从冲洗液供给喷嘴62供给到基板的表面，因此，能够使供给到基板的表面的清洗液的流量增大。供给到基板的表面的清洗液的流量越大，就越能够对基板的表面的带电量进行抑制。由此，即使是高速的2FJ清洗，也能够对清洗对象即基板的表面带电进行抑制，从而能够对带电的粒子附着于基板进行抑制。
另外，在本实施方式中，具有导电性的药液被从药液供给喷嘴64供给到基板的表面，因此能够对基板的表面的带电量进行抑制。由此，即使是高速的2FJ清洗，也能够对清洗对象即基板的表面带电进行抑制，从而能够对带电的粒子附着于基板进行抑制。
另外，在本实施方式中，通过高速的2FJ清洗(作为双流体喷流而喷出的液滴的速度是200米/秒以上，优选的是250米/秒以上的2FJ清洗)，能够对清洗对象即基板W的表面带电进行抑制。
(第四实施方式)
接着，对本发明的第四实施方式的基板清洗装置进行说明。此处，以第四实施方式的基板清洗装置和第三实施方式的不同点为中心进行说明。此处，若未特别提及，则本实施方式的结构以及动作和第三实施方式相同。
图12是用于对本实施方式的基板清洗装置(基板清洗单元)的结构进行说明的侧视图。如图12所示，本实施方式的基板清洗装置包括流量调整机构76，所述流量调整机构76对向双流体喷嘴46供给的清洗液的流量进行调整。流量调整机构76能够利用众所周知的装置，例如由流量阀等构成。在该情况下，双流体喷流的喷出速度也是200米/秒以上，优选的是250米/秒以上。即，该基板清洗装置也是高速的2FJ清洗用基板清洗装置。
根据上述第四实施方式的基板清洗装置，也起到了和第三实施方式相同的作用效果。即，如图9～图11所示，通过由导电性材料构成双流体喷嘴46，从而能够对从双流体喷嘴46作为双流体喷流喷出的液滴的带电量进行抑制。由此，即使是高速的2FJ清洗，也能够对清洗对象即基板W的表面带电进行抑制，从而能够对带电的粒子附着于基板W进行抑制。
在本实施方式中，通过使用流量调整机构76，能够对向双流体喷嘴46供给的清洗液的流量进行调整。向双流体喷嘴46供给的清洗液的流量越大，就越能够对从双流体喷嘴46喷出的液滴的带电量进行抑制。由此，即使是高速的2FJ清洗，也能够对清洗对象即基板的表面带电进行抑制，从而能够对带电的粒子附着于基板进行抑制。
上面，通过例示对本发明的实施方式进行了说明，但本发明的范围并不限定于此，而是能够在权利要求书所记载的范围内按照目的进行变更或变形。

Claims (10)

1.一种基板清洗装置，其特征在于，包括：
基板保持机构，所述基板保持机构对基板进行保持；
基板旋转机构，所述基板旋转机构使保持于所述基板保持机构的所述基板旋转；以及
双流体喷嘴，所述双流体喷嘴使双流体喷流向旋转着的所述基板的表面喷出，
所述双流体喷嘴由导电性材料构成。
2.如权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述双流体喷嘴的喷嘴整体由导电性材料构成。
3.如权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述双流体喷嘴的喷嘴顶端部由导电性材料构成，喷嘴根端部由非导电性材料构成。
4.如权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述导电性材料是导电性碳PEEK或者导电性碳PTFE。
5.如权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述双流体喷流的喷出速度是200米/秒以上，优选的是250米/秒以上。
6.一种基板清洗装置，其特征在于，包括：
基板保持机构，所述基板保持机构对基板进行保持；
基板旋转机构，所述基板旋转机构使保持于所述基板保持机构的所述基板旋转；
双流体喷嘴，所述双流体喷嘴使双流体喷流向旋转着的所述基板的表面喷出；以及
电阻率调整机构，所述电阻率调整机构对向所述双流体喷嘴供给的清洗液的电阻率值进行调整。
7.如权利要求6所述的基板清洗装置，其特征在于，
包括流量调整机构，所述流量调整机构对向所述双流体喷嘴供给的清洗液的流量进行调整。
8.如权利要求6所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述基板清洗装置包括冲洗液供给喷嘴，所述冲洗液供给喷嘴将冲洗液向所述基板的表面供给，
所述冲洗液供给喷嘴能够将所述清洗液供给到所述基板的表面。
9.如权利要求6所述的基板清洗装置，其特征在于，
包括药液供给喷嘴，所述药液供给喷嘴向所述基板的表面供给具有导电性的药液。
10.如权利要求6所述的基板清洗装置，其特征在于，
所述双流体喷流的喷出速度是200米/秒以上，优选的是250米/秒以上。
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