CN1840248A

CN1840248A - 洗涤方法及洗涤装置

Info

Publication number: CN1840248A
Application number: CN 200610073365
Authority: CN
Inventors: 速水直哉; 藤田博
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2005-03-31
Filing date: 2006-03-31
Publication date: 2006-10-04
Also published as: JP2006286665A

Abstract

本发明揭示一种洗涤方法及洗涤装置，洗涤装置具备：提供碱性的洗涤用液体的洗涤用水供给部(50)、提供高压空气的高压空气供给部(40)、以及使所提供的洗涤用水与高压空气混合以使其形成雾状，向半导体晶片(W)喷射的双流体喷嘴(30)。

Description

洗涤方法及洗涤装置

相关申请的交叉参考

本发明是基于并要求保护申请日为2005年3月31日，申请号为No.2005-100330、申请日为2005年3月31日，申请号为No.2005-105071、申请日为2005年3月31日，申请号为No.2005-105072的在先日本专利申请的优先权。该申请的全部内容通过引用在此结合。

技术领域

本发明涉及半导体晶片、显示器用的基板、或电子器件等的被洗物体的洗涤方法及洗涤装置，特别是涉及能够不对器件上的图案等造成损伤地清除颗粒的洗涤方法及洗涤装置。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，包含对半导体晶片的表面反复进行成膜和蚀刻等处理形成细微的图案的工序。为了形成细微的图案，有必要使半导体晶片的两个面、特别是在薄膜形成面保持干净，因此，使用基板洗涤装置对半导体晶片进行洗涤处理。在进行这样的半导体晶片洗涤处理的基板洗涤装置中，采用双流体喷嘴，利用高压空气或高压氮气将纯水雾化使其冲击基板，对颗粒进行清除(参照例如日本专利特开2002-270564号公报)。

与半导体晶片相同，对液晶显示器和PDP基板等被洗物体，也采用相同的洗涤装置进行洗涤。

在上述半导体晶片的洗涤方法中，存在如下所述的问题。即在利用高压空气或高压氮气将纯水雾化以清除颗粒的方法中，颗粒一旦从半导体晶片薄膜上脱离，在半导体晶片上的液膜中被输送、排除的过程中，有再次附着在晶片表面上而不能够充分清除的情况。

又，在为了提高颗粒清除率而提高纯水压力、高压空气或高压氮气的压力的情况下，存在损伤半导体晶片表面上形成的器件图案，不适于实际使用的问题。

又，在也可以不考虑金属杂质的工序中，双流体喷嘴是利用SUS材料制造的，但是在必须控制金属杂质的工序中，采用聚四氟乙烯、PEEK等树脂材料的喷嘴，因此液体雾化时和在气体中输送时会带静电。该静电向基板上或旋转杯等装置的构成材料上转移，带电的基板有可能引入气体中的颗粒，引起颗粒污染。

还有，由于在洗净之后水残留在基板上，利用自旋或氮气流等使其干燥。这时在细微的图案中可能由于水的表面张力使相邻的图案相互靠拢而造成损伤。

发明内容

本发明的目的在于，对半导体晶片、显示器用的基板、或电子器件等的被洗物体的表面不造成损伤地充分清除细微颗粒等。

作为本发明的实施形态的例子，洗涤方法和洗涤装置如下所述构成。

洗涤方法包含下述步骤，即提供碱性洗涤用水的步骤、提供高压气体的步骤、将所提供的所述洗涤用水与所述气体进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射的步骤。

洗涤装置具备：提供碱性的洗涤用水的洗涤用水供给单元、提供高压气体的高压气体供给单元、以及将所提供的所述洗涤用水与所述气体进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射的双流体喷嘴。

洗涤装置具备：提供洗涤用水的洗涤用水供给单元、提供高压气体的高压气体供给单元、以及将所提供的所述洗涤用水与所述气体进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射的双流体喷嘴，所述双流体喷嘴用非导电性树脂中混入碳填料的导电性材料构成。

洗涤装置具备：提供洗涤用水的洗涤用水供给单元、提供高压气体的高压气体供给单元、以及将所提供的所述洗涤用水与所述气体进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射的双流体喷嘴，所述双流体喷嘴由钛、钽、锆以及这些金属的合金中的任一种构成。

洗涤装置具备：提供洗涤用水的洗涤用水供给单元、提供高压气体的高压气体供给单元、以及将所提供的所述洗涤用水与所述气体进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射的双流体喷嘴，所述双流体喷嘴由硅、碳化硅、以及其混合物中的任一种中添加杂质构成的材料构成。

洗涤装置具备：提供洗涤用水的洗涤用水供给单元、提供高压气体的高压气体供给单元、以及将所提供的所述洗涤用水与所述气体进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射的双流体喷嘴，所述双流体喷嘴上设置使通过所述双流体喷嘴的所述洗涤用水或所述气体接地用的接地部位。

洗涤装置具备：提供洗涤用水的洗涤用水供给单元、提供高压气体的高压气体供给单元、将所提供的所述洗涤用水与所述气体进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射的双流体喷嘴，以及为所述被洗物体除电的电离器。

洗涤方法，包括提供洗涤用水，提供高压气体，将所提供的所述洗涤用水与所述气体用双流体喷嘴进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射，对所述被洗物体用电离器除电的步骤。

洗涤方法，包括提供包含有机溶剂的洗涤用液体，提供高压气体，将所提供的所述洗涤用液体与所述气体进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射的步骤。

洗涤装置具备：提供包含有机溶剂的洗涤用液体的洗涤用液体供给单元、提供高压气体的高压气体供给单元、以及将所提供的所述洗涤用液体与所述气体进行混合以使其形成雾状，向被洗物体喷射的双流体喷嘴。

本发明的其他优点将在下面的说明中阐明，部分通过说明变得显而易见，或可以通过本发明的实践得知。本发明的优点可以通过在此特别指出的手段和组合来实现和获得。

附图说明

附图包括在说明书中并构成其部分，与上述简要说明和下面给出的对实施例的详细说明一起展示了本发明的实施例，旨在解释本发明的原理。

图1是本发明第1实施形态的基板洗涤装置的结构说明图。

图2是该第1实施形态的基板洗涤装置中使用碱的水溶液的理由的说明图。

图3是该第1实施形态的基板洗涤装置中使用碱的水溶液的理由的说明图。

图4是该第1实施形态的基板洗涤装置中使用碱的水溶液的理由的说明图。

图5是该第1实施形态的基板洗涤装置中使用碱的水溶液的理由的说明图。

图6是本发明第2实施形态的结构的说明图。

图7是组装在上述洗涤装置中的双流体喷嘴的纵剖面图。

图8是组装在上述洗涤装置中的双流体喷嘴的变形例的纵剖面图。

图9是本发明第3实施形态的基板洗涤装置的结构的说明图。

图10是该第3实施形态的基板洗涤装置的氮气流量与器件图案的损坏数的关系图。

图11是该第3实施形态的基板洗涤装置的氮气流量与器件图案的损坏数的关系图。

具体实施方式

实施形态1

图1是本发明第1实施形态的基板洗涤装置10的结构说明图。图2～图5是在基板洗涤装置10中使用碱的水溶液的理由的说明图。

基板洗涤装置10具备：洗涤部20、高压空气供给部40、洗涤用水供给部50、以及连接这些部进行控制的控制部60。

洗涤部20具备：由控制部60控制的电动机21、安装于该电动机21的旋转轴22上，支持半导体晶片的旋转卡盘23、以及与该旋转卡盘23相对配置的双流体喷嘴30。双流体喷嘴30具备：中心部通高压空气的气体流路31、以及包围该气体流路31进行配置并流通洗涤用水的洗涤用水路32。气体流路31连接在下述空气配管42，洗涤用水路32连接在下述洗涤用水配管52，形成能够分别导入高压空气和洗涤用水的结构。又，双流体喷嘴30利用未图示的升降·移动机构支持，而且形成能够变更半导体晶片面内的洗涤用水的供给位置的结构。

高压空气供给部40具备：高压空气发生部41、从该高压空气发生部41向双流体喷嘴30发送高压空气用的空气配管42、设置在该空气配管42的中途的压力调整部43、用于测定该压力调整部43的空气压力的压力传感器44、以及设置在空气配管42的中途的流量传感器45。还有，压力调整部43根据控制部60来的指示，进行压力调整。又，将压力传感器44以及流量传感器45的输出输入到控制部60。

洗涤用水供给部50具备：纯水供给水箱51、从该纯水供给水箱51将洗涤用水送到双流体喷嘴30用的洗涤用水配管52、设置在该洗涤用水配管52的中途的压力调整部53、测定该压力调整部53的洗涤用水的压力用的压力传感器54、设置在洗涤用水配管52的中途的流量传感器55、以及设置在洗涤用水配管52的中途并在纯水中添加碱的水溶液作为洗涤用水的碱水溶液供给部56。还有，压力调整部53根据控制部60来的指示，进行压力调整。又，将压力传感器54和流量传感器55的输出输入到控制部60。

还有，上述碱水溶液采用氨、四甲氨羟基、胆碱、羟氨等有机碱。也可以采用预先收容碱的水溶液的碱水溶液供给水箱，代替纯水供给水箱51，省去碱水溶液供给部56。

在这样构成的基板洗涤装置10中，如下所述进行半导体晶片W的洗涤。即通过使电动机21旋转，使半导体晶片W旋转。这时的旋转速度为例如500rpm左右。又，从碱水溶液供给部56对纯水供给水箱51提供的纯水，添加碱水溶液。

接着，利用来自控制部60的信号打开压力调整部43、53，对双流体喷嘴30提供空气和洗涤用水时，洗涤用水被高压空气雾化，对半导体晶片W的表面喷雾。以此使颗粒流出。这时从控制部60向各压力调整部43、53发送控制信号，适当调整空气和洗涤用水的压力，以形成规定的压力喷雾。同时将各压力传感器44、54与流量传感器45、55检测出的结果逐次反馈到控制部60。

在这里，对使用碱性的水溶液作为洗涤用水的情况下的作用进行详细说明。也就是说，在洗涤用水中，在滑动面(图2中的S)上发生ζ电位。该ζ电位因材料而异，同时如图3所示因洗涤用水的pH值而变化。半导体晶片W的材料在SiO₂上形成Ni，而且颗粒P是氧化铝。

另一方面，两种物质之间的势能是分子之间的力和静电势能之和，具有图4所示的关系。也就是ζ电位具有相同的符号的情况下成为排斥力，ζ电位具有不同的符号的情况下成为吸引力。从而，在碱性(pH值大于等于8)的情况下，各物质的ζ电位为负值，如图5所示，两种物质之间发生电斥力。

因此，在碱性的洗涤用水中，半导体晶片W的表面电位以及颗粒的表面电位两者都是负值，因此能够抑制颗粒P在半导体晶片W上的再次附着。还有，通过对作为半导体晶片W表面的材料使用的碱性洗涤用水的选择，能够利用半导体晶片W表面的滑动蚀刻(スライトエツチング)增加去除颗粒P的效果。

如上所述，采用本发明的基板洗涤装置10的洗涤方法，能够防止一度脱离半导体晶片W表面的颗粒的再次附着，因此能够高效率地去除颗粒P。从而，不需要以大压力喷射洗涤用水，能够防止损伤器件的图案。

这里对实验例进行说明。用图案检查装置对形成55nm线条/空间图案(spacepattern)的半导体晶片W进行测定，对缺陷数目进行计数。用基板洗涤装置对该半导体晶片以如下所述的“条件1”～“条件3”进行洗涤。

条件1是纯水0.2MPa(100ml/min)、高压空气0.2MPa(60L/min)、晶片转速500rpm。条件2是纯水0.3MPa(200ml/min)、高压空气0.3MPa(80L/min)、晶片转速500rpm。条件3是0.2mmol/l氨水0.2MPa(100ml/min)、高压空气0.2MPa(60L/min)、晶片转速500rpm。

用图案检查装置对如上所述处理之后的半导体晶片W进行测定，对缺陷数目进行计数。又用检查用扫描电子显微镜观察增加的缺陷，确认图案是否有损伤。其结果是，作为缺陷计算的颗粒的去除率在条件1为60％，在条件2为80％，在条件3为85％。又，在条件1和条件3，没有发现图案的损伤，但是在条件2，图案上发现有10处损伤。因此，洗涤用水和高压空气的压力最好是小于等于0.3MPa。而且如果考虑新的效果，最好是洗涤用水和高压空气的压力最好是大于等于0.1MPa。

实施形态2

图6是本发明第2实施形态的基板洗涤装置110的结构的说明图。图7和图8是基板洗涤装置110的氮气流量与器件图案的损坏数的关系图。

基板洗涤装置110具备：洗涤部120、高压氮供给部140、洗涤用水供给部150、以及连接各部进行控制的控制部160。

洗涤部120具备：利用控制部160进行控制的电动机121、安装于高电动机121的旋转轴122上，支持半导体晶片W的旋转卡盘123、以及与该旋转卡盘123相对配置的双流体喷嘴130。

双流体喷嘴30如图7所示具备接地的喷嘴主体131、设置在该喷嘴主体131的中心部，通高压氮气的气体流路132、以及包围该气体流路132配置，流通洗涤用水的洗涤用水路133。还有，图6中的134表示喷嘴口(orifice)。气体流路132连接在下述氮气配管142，洗涤用水路133连接在下述洗涤用水配管152，形成能够分别导入高压氮气和洗涤用水的结构。又，双流体喷嘴130利用未图示的升降·移动机构支持，而且形成能够变更半导体晶片面内的洗涤用水的供给位置的结构。

喷嘴主体131采用例如非导电性树脂(聚酰亚胺、聚醚醚酮、含氟树脂以及它们的混合物等)中混入碳填料的材料。还有，也可以采用钛、钽、锆以及这些金属的合金。还可以采用硅、碳化硅、以及其混合物中的任一种中添加杂质构成的材料。这些导电性材料不容易或完全不发生金属离子，在必须控制金属杂质的半导体晶片W等基板的洗涤工序中使用也没有问题。还有，除了这些材料外，只要是金属离子发生量小或不发生金属离子的导电性材料，气体材料也可以采用。

高压氮气供给部140具备：高压氮气发生部141、从该高压氮气发生部141向双流体喷嘴130发送高压氮气用的氮气配管142、设置在该氮气配管142的中途的压力调整部143、用于测定该压力调整部143的氮气压力的压力传感器144、以及设置在氮气配管142的中途的流量传感器145。还有，压力调整部143根据控制部160来的指示进行压力调整。又，将压力传感器144以及流量传感器145的输出输入到控制部160。

洗涤用水供给部150具备：洗涤用水供给水箱151、从该洗涤用水供给水箱151将洗涤用水送到双流体喷嘴130用的洗涤用水配管152、设置在该洗涤用水配管152的中途的压力调整部153、测定该压力调整部153的洗涤用水的压力用的压力传感器154、以及设置在洗涤用水配管152的中途的流量传感器55。还有，压力调整部153根据控制部160来的指示进行压力调整。又，将压力传感器154和流量传感器155的输出输入到控制部160。

在这样构成的基板洗涤装置110中，如下所述进行半导体晶片W的洗涤。即通过使电动机121旋转，使半导体晶片W旋转。这时的旋转速度为例如500rpm左右。

接着，利用来自控制部60的信号打开压力调整部143、153，对双流体喷嘴130提供氮气和洗涤用水时，洗涤用水被高压氮气雾化，对半导体晶片W的表面喷雾。以此使颗粒流出。这时从控制部160向各压力调整部143、153发送控制信号，适当调整氮气和洗涤用水的压力，以形成规定压力的洗涤用水喷雾。同时将各压力传感器144、154与流量传感器145、155检测出的结果逐次反馈到控制部160。

双流体喷嘴130即使是如上所述被高压氮气和洗涤用水吹打，也几乎不会发生金属离子，因此不会发生金属杂质附着在半导体晶片W上的情况。而且由于整体是导电体并且接地，所以即使是带电的情况下也会被除电。因此半导体晶片W和洗涤部120不会带电，能够防止半导体晶片W吸引气体中的颗粒，防止被颗粒污染。

如上所述，采用本实施形态的基板洗涤装置110，则由于双流体喷嘴130采用导电性材料，能够将洗涤用水雾化时的剥离带电抑制于最低限度。因此，能够抑制双流体喷嘴130以及半导体晶片W等的带电，能够防止半导体晶片W吸引气体中的颗粒，防止被颗粒所污染。因此，能够提高洗涤之后的基板的干净程度。

这里，对实验例进行说明。用图案检查装置对形成55nm线条/空间图案的半导体晶片W进行测定，对缺陷数目进行计数。用基板洗涤装置110对该半导体晶片以如下所述的条件进行洗涤。即纯水0.2MPa(100mL/min)、高压空气0.2MPa(60L/min)、半导体晶片转速500rpm。

还有，双流体喷嘴130的材料采用(1)PTFE、(2)添加碳填料的PTFE、(3)PEEK、(4)添加碳填料的PEEK、(5)钛、(6)(导电性)SiC这6种。PTFE和PEEK是非导电性树脂，由于加入碳填料而具有导电性。

对进行了上述处理之后的半导体晶片W用图案检查装置进行测定，对缺陷数目进行计数，结果表明，缺陷的去除率为(1)51％、(2)65％、(3)55％、(4)69％、(5)80％、(6)74％。根据上述结果，可知在双流体喷嘴130的材料采用导电性材料的情况下能够防止带电引起的再次附着，提高缺陷的去除率。

图8表示本实施形态的双流体喷嘴130的变形例。在双流体喷嘴130的喷嘴整体131用非导电性材料形成的情况下，也可以在喷嘴口134的周围安装钛等金属形成的附件(接地部位)135，通过将该附件135接地，为洗涤用水除电。

还有，除了如上所述利用对双流体喷嘴130进行除电以防止带电的发生以外，也可以使用图6所示的电离器积极地对带电的半导体晶片W和洗涤部120进行除电，还可以将上述多种方法加以组合以提高洗涤的干净程度。

实施形态3

图9是本发明第3实施形态的基板洗涤装置210的结构的说明图。图10和图11是基板洗涤装置210的氮气流量与器件图案的损坏数的关系图。

基板洗涤装置210具备：洗涤部220、高压氮气供给部240、洗涤用液体供给部250、以及连接各部以进行控制的控制部260。

洗涤部220具备：由控制部260控制的电动机221、安装于该电动机221的旋转轴222上，支持半导体晶片W的旋转卡盘223、以及与该旋转卡盘223相对配置的双流体喷嘴230。双流体喷嘴230具备中心部通高压氮气的气体流路231、以及包围该气体流路231进行配置并流通洗涤用液体的洗涤用液体路径232。还有，图9中233表示喷嘴口。气体流路231连接在下述氮气配管242，洗涤用液体路径232连接在下述洗涤用液体配管252上，形成能够分别导入高压氮气和洗涤用液体的结构。又，双流体喷嘴230利用未图示的升降·移动机构支持，而且形成能够变更半导体晶片W面内的洗涤用液体的供给位置的结构。

高压氮气供给部240具备：高压氮气发生部241、从该高压氮气发生部241向双流体喷嘴230发送高压氮气用的氮气配管242、设置在该氮气配管242的中途的压力调整部243、用于测定该压力调整部243的氮气压力的压力传感器244、以及设置在氮气配管242的中途的流量传感器245。还有，压力调整部243根据控制部260来的指示进行压力调整。又，将压力传感器244以及流量传感器245的输出输入到控制部260。

洗涤用液体供给部250具备：洗涤用液体供给水箱251、从该洗涤用液体供给水箱251将洗涤用液体送到双流体喷嘴230用的洗涤用液体配管252、设置在该洗涤用液体配管252的中途的压力调整部253、测定该压力调整部253的洗涤用液体的压力用的压力传感器254、以及设置在洗涤用液体配管252的中途的流量传感器255。还有，压力调整部253根据控制部260来的指示进行压力调整。又，将压力传感器254和流量传感器255的输出输入到控制部260。

在这样构成的基板洗涤装置210中，如下所述进行半导体晶片W的洗涤。即通过使电动机221旋转，使半导体晶片W旋转。这时的旋转速度为例如500rpm左右。

接着，利用来自控制部260的信号打开压力调整部243、253，对双流体喷嘴230提供氮气和洗涤用液体时，洗涤用液体被高压氮气雾化，对半导体晶片W的表面喷雾。以此使颗粒流出。这时从控制部60向各压力调整部243、253发送控制信号，适当调整氮气和洗涤用液体的压力，以规定的压力喷雾。同时将各压力传感器244、254与流量传感器245、255检测出的结果逐次反馈到控制部260。

在这里，对使用含有有机溶剂的水溶液作为洗涤用液体的情况下的作用进行详细说明。也就是说，有机溶剂比纯水表面张力小。因此即使是使器件图案之间残留的水干燥的情况下，相邻的图案之间也不会相互吸引，不会发生损伤。

如上所述，采用本实施形态的洗涤方法，则由于采用比纯水表面张力小的包含有机溶剂的洗涤用的液体，所以即使是使器件图案之间残留的水干燥的情况下，相邻的图案之间也不会相互吸引，不会发生损伤。

在这里，对实验例进行说明。用图案检查装置对形成55nm的孤立线条的半导体晶片W进行测定，对缺陷数目进行计数。用基板洗涤装置210对该半导体晶片以如下所述的“条件1”～“条件3”进行洗涤。

条件1是C₄F₉OCH₃ 0.2MPa(100mL/min)、高压氮气0.2MPa(60L/min)、半导体晶片转速500rpm。条件2是C₄F₉OC₂H₅ 0.2MPa(100mL/min)、高压氮气0.2MPa(60L/min)、半导体晶片转速500rpm。条件3是纯水0.2MPa(100mL/min)、高压氮气0.2MPa(60L/min)、半导体晶片转速500rpm。

用图案检查装置对如上所述处理之后的半导体晶片W进行测定，对缺陷数目进行计数。又用检查用扫描电子显微镜观察增加的缺陷，确认图案是否有损伤。其结果是，缺陷的去除率在条件1为60％，在条件2为70％，在条件3为80％。又，在条件1和条件2，没有发现图案的损伤，但是在条件3，图案上发现有7处损伤。因此，洗涤用液体和高压氮气的压力最好是小于等于0.3MPa。

图10和图11是基板洗涤装置210的氮气流量与器件图案的损坏数的关系曲线图。根据该图可知，氮气的流量最好是小于等于70L/min，即在双流体喷嘴230的喷嘴口33上最好是每平方毫米小于等于0.0055m²。

其他优点和修改将立即可由熟悉技术的人理解。因此，本发明在更广的方面不限于在此展示和描述的特定细节和典型实施例。因此，可以做出各种修改而不偏离由所附权利要求及其等价定义的一般性创新性概念的精神或范围。

Claims

1.一种洗涤方法，其特征在于，

提供碱性洗涤用水，

提供高压气体，

将所提供的所述洗涤用水与所述气体进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射。

2.根据权利要求1所述的洗涤方法，其特征在于，

所述洗涤用水含有氨。

3.根据权利要求1所述的洗涤方法，其特征在于，

所述洗涤用水含有有机碱。

4.根据权利要求1所述的洗涤方法，其特征在于，

所述洗涤用水含有四甲氨羟基、胆碱、羟氨中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的洗涤方法，其特征在于，

所述洗涤用水以及所述气体的压力为大于等于0.1MPa小于等于0.3MPa。

6.一种洗涤装置，其特征在于，具备

提供碱性的洗涤用水的洗涤用水供给单元、

提供高压气体的高压气体供给单元、以及

将所提供的所述洗涤用水与所述气体进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射的双流体喷嘴。

7.一种洗涤装置，其特征在于，具备

提供洗涤用水的洗涤用水供给单元、

提供高压气体的高压气体供给单元、以及

将所提供的所述洗涤用水与所述气体进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射的双流体喷嘴，

所述双流体喷嘴用非导电性树脂中混入碳填料的导电性材料构成。

8.根据权利要求7所述的洗涤装置，其特征在于，

所述非导电性树脂包含聚酰亚胺、聚醚醚酮、含氟树脂以及它们的混合物中的任一种。

9.根据权利要求7所述的洗涤装置，其特征在于，

所述双流体喷嘴接地。

10.一种洗涤装置，其特征在于，具备

提供洗涤用水的洗涤用水供给单元、

提供高压气体的高压气体供给单元、以及

所述双流体喷嘴由钛、钽、锆、以及这些金属的合金中的任一种构成。

11.根据权利要求10所述的洗涤装置，其特征在于，

所述双流体喷嘴接地。

12.一种洗涤装置，其特征在于，具备

提供洗涤用水的洗涤用水供给单元、

提供高压气体的高压气体供给单元、以及

所述双流体喷嘴由硅、碳化硅、以及其混合物中的任一种中添加杂质构成的材料构成。

13.根据权利要求12所述的洗涤装置，其特征在于，

所述双流体喷嘴接地。

14.一种洗涤装置，其特征在于，具备

提供洗涤用水的洗涤用水供给单元、

提供高压气体的高压气体供给单元、以及

在所述双流体喷嘴上，设置使通过所述双流体喷嘴的所述洗涤用水或所述气体接地用的接地部位。

15.一种洗涤装置，其特征在于，具备

提供洗涤用水的洗涤用水供给单元、

提供高压气体的高压气体供给单元、

将所提供的所述洗涤用水与所述气体进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射的双流体喷嘴、以及

对所述被洗物体进行除电的电离器。

16.一种洗涤方法，其特征在于，

提供洗涤用水，

提供高压气体，

将所提供的所述洗涤用水与所述气体用双流体喷嘴进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射，

对所述被洗物体用电离器进行除电。

17.一种洗涤方法，其特征在于，

提供含有有机溶剂的洗涤用液体，

提供高压气体，

将所提供的所述洗涤用液体与所述气体进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射。

18.根据权利要求17所述的洗涤方法，其特征在于，

所述有机溶剂至少包含酒精、氢氟代醚中的任一种。

19.根据权利要求17所述的洗涤方法，其特征在于，

所述有机溶剂至少包含乙醇、异丙醇、C₄F₉OCH₃、C₄F₉OC₂H₅中的任一种。

20.根据权利要求17所述的洗涤方法，其特征在于，

所述洗涤用液体以及所述气体的压力为小于等于0.3MPa。

21.根据权利要求17所述的洗涤方法，其特征在于，

所述气体的流量在所述双流体喷嘴口上为每平方毫米小于等于0.0055平方米。

22.一种洗涤装置，其特征在于，具备

提供含有有机溶剂的洗涤用液体的洗涤用液体供给单元、

提供高压气体的高压气体供给单元、以及

将所提供的所述洗涤用液体与所述气体进行混合使其形成雾状，向被洗物体喷射的双流体喷嘴。