CN102891094A - 基板处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基板处理装置,确保容易产生气雾的处理室的维护性,并提高室内的排气效率和排气能力的均一性。在吹洗室(R2)的室内排气机构(112)中,第一分隔板(114)配置于比上部双流体喷嘴(104U)高且比排气口(106、108)低的位置,将吹洗室(R2)的室内空间纵向分隔成上部空间(UR2)和下部空间(LR2)。此处,第一分隔板(114)与上游侧隔壁(86)之间形成沿着腔室宽度方向(Y)成一列延伸的两个狭缝开口(116、118)。另外,第二分隔板(124)将在第一分隔板(114)上扩散的上部空间(UR2)横向分隔成:在第一开口(116)与第一排气口(106)之间延伸的第一排气空间(120)、和在第二开口(118)与第二排气口(108)之间延伸的第二排气空间(122)。
Description
技术领域
本发明涉及一种向被处理基板喷洒处理液并进行规定的处理的基板处理装置,特别是平流方式的基板处理装置。
背景技术
最近几年,在平板显示器(FPD)制造中的抗蚀剂涂敷显影处理系统中,作为能够很好地适应被处理基板(例如玻璃基板)的大型化的清洗方法,多采用一种所谓的平流方式,在沿着水平方向铺设搬运辊(滚子)和搬运带而成的搬运路径上搬运基板,并进行清洗处理。这种平流方式与使基板旋转运动的旋涂方式相比,具有基板的处理和搬运系统和驱动系统的结构简单等优点。
平流方式的清洗处理装置典型地来讲,沿着平流搬运路径,配置擦洗(scrubbing)用的辊刷、吹洗用的高压喷嘴、冲洗用的冲洗喷嘴、除液干燥用的气刀等清洗工具。清洗液和冲洗液等的气雾笼罩在这些清洗工具的周围,因此,在各处设置排气口的密闭度高的腔室内进行这些一系列的清洗处理和除液干燥处理。在此情况下,在腔室中设置基板能够平流地通过的入口和出口,外部的空气通过这些开口(入口/出口)被吸到腔室中。在腔室内产生的气雾与从外面进入的空气一同从排气口被送往腔室外的排气系统。
专利文献1:日本特开2008-159663
专利文献2:日本特开2007-300129
发明内容
发明要解决的课题
目前,在这种清洗处理装置中,要解决的课题是在腔室内产生的气雾不希望地扩散并再次附着于基板。特别是在清洗工具中,吹洗用的高压喷嘴(或者是高压喷雾嘴)产生最多的气雾,从此处沿着平流 搬运路径扩散的气雾容易再次附着在基板上。因此,利用隔壁分隔腔室内的处理空间,按照各个工艺(刷洗、吹洗、冲洗、除液干燥)形成各个处理室。
在此情况下,如果在处理室的顶部设置排气口,那么,在各个清洗工具的周围产生的气雾就会迅速地被吸入顶部的排气口,所以,能够防止或抑制沿着平流搬运路径的气雾的不希望的扩散。但是,在处理室的顶部设置排气口的结构将会明显地破坏清洗工具的维护性,因此,难以在实际中采用。即,由于清洗工具需要频繁维修,所以,优选采用能够任意开闭处理室的顶板的结构。然而,如果在处理室的顶部设置排气口,那么,由于排气系统的配管和闸等被安装在顶板上,因此,无法任意地开闭顶板。
根据以上的情况,通常在处理室的背面设置排气口。在此情况下,在各个清洗工具的周围产生的气雾被吸入处理室背面的排气口。但是,在这种背面排气方式中,气雾的排气在处理室内大幅不均是一个问题。即,在处理室内,靠近排气口的腔室背面侧的区域的排气力(压力差)大,气雾不会滞留而是被排出。但是,远离排气口的处理室正面侧的区域的排气力(压力差)小,气雾容易滞留。滞留的气雾通过隔壁的基板出入口进入相邻的处理室中,再次附着于基板。特别是,在吹洗室内产生的气雾进入下游侧的冲洗处理室和除液干燥室内容易附着于基板,由此,对基板的表面产生不利影响,成为成品率下降的原因。因此,也要进一步提高设置于吹洗室中的排气口的排气能力,但是尽管伴随排气系统的大型化、高输出化,气雾排气能力或者排气效率并没有太大改善是其现状。
本发明就是为了解决上述的现有技术的问题点,提供一种基板处理装置,确保容易产生气雾的处理室的维护性并且提高室内的排气效率和排气能力的均一性。
用于解决课题的方法
本发明的基板处理装置包括:平流搬运路径,其用来在水平的第一方向平流地搬运被处理基板;第一处理室,其容纳所述平流搬运路径的第一区间,且具有在所述平流搬运路径上搬运的所述基板能够通过的入口和出口;一个或多个第一喷嘴,其在所述第一处理室内,向 所述平流搬运路径上的所述基板喷洒处理液;第一分隔板,其比所述第一喷嘴更位于上方,将所述第一处理室的室内空间纵向分隔成上部空间与下部空间;第一开口和第二开口,所述第一开口形成于所述第一分隔板与所述第一处理室的壁之间,所述第二开口形成于所述第一分隔板中;第二分隔板,其将所述第一处理室的上部空间横向分隔成:与所述第一开口连接的第一排气空间和与所述第二开口连接的第二排气空间;和排气部,其与所述第一排气空间和所述第二排气空间连接。
在上述装置结构中,在处理室内利用第一喷嘴向平流搬运路径上的基板喷洒处理液,于是,气雾笼罩在第一喷嘴的周围。此处,来自排气部的负压吸引力从第一和第二排气空间经由第一和第二开口到达处理室内,由此,在第一喷嘴的周围产生的气雾与从处理室的入口和出口进入的空气一同流向上方并通过第一和第二开口。通过第一开口的包含气雾的排气流通过第一排气空间被送往排气部。另一方面,通过第二开口的包含气雾的排气流通过第二排气空间被送往排气部。
在本发明中,利用第二分隔板沿着横向分隔处理室的上部空间形成第一和第二排气空间,因此,第一和第二排气空间均可通过设置于处理室的壁而不是设置于处理室的顶板的排气口与排气部连接。由此,即便以自由开闭的方式构成处理室的顶板,也能避免与排气系统的干扰。另外,第一和第二排气空间彼此独立,且能够独立或分别地调整各自的排气流量,所以,能够使从处理室的下部空间通过第一和第二开口被吸入上部空间的排气流的流量变得均一。由此,能够防止气雾滞留在处理室内,和防止气雾通过基板出入口(入口或出口)漏到处理室的外面。
发明效果
根据本发明的基板处理装置,根据上述的结构和作用,能够确保容易发生气雾的处理室的维护性,并且能够提高室内的排气效率和排气能力的均一性。
附图说明
图1是表示能够应用本发明的基板处理装置的涂敷显影处理系统的平面图。
图2是表示包含在上述涂敷显影处理系统中的一个实施方式的清洗单元的整体结构的概略截面图。
图3是表示配备于上述清洗单元的排气部的结构的块图。
图4是表示上述清洗单元的清洗腔室内的主要部分的结构的立体图。
图5是表示设置于吹洗室的室内排气机构的结构的立体图。
图6是表示从其它的角度观察到的上述室内排气机构的结构的立体图。
图7是表示上述室内排气机构的作用的纵向气流速度分布图。
图8是表示上述室内排气机构的作用的横向气流速度分布图
图9是表示一个变形例的室内排气机构的结构的平面图。
图10是图9的A-A线的截面图。
图11是表示其它的变形例的室内排气机构的结构的平面图。
图12是表示其它的变形例的室内排气机构的结构的平面图
具体实施方式
下面,参照附图说明本发明的最佳实施方式。
图1表示能够应用本发明的基板处理装置的一个结构例的涂敷显影处理系统。该涂敷显影处理系统10设置于洁净室内,例如将玻璃基板作为被处理基板,在LCD制造工艺中,进行光蚀刻工序中的清洗、涂敷抗蚀剂、预烘烤、显影和后烘烤等一系列的处理。曝光处理在与该系统邻接设置的外部的曝光装置12中进行。
该涂敷显影处理系统10在中心部配置横长的处理站(P/S)16,在其纵向(X方向)两端部配置盒站(C/S)14与界面站(I/F)18。
盒站(C/S)14是系统10的盒搬入搬出端口,包括:能够将多层地层积基板G而能够收纳多块的盒C在水平的一个方向(Y方向)排列载置四个盒的盒站20;和将基板G从该站20上的盒C取出和放入的搬运机构22。搬运机构22具有能够按照一块单位来保持基板G的搬运臂22a,能够在X、Y、Z、θ的四个轴操作,并且能够与相邻的处理站(P/S)16侧进行基板G的交接。
处理站(P/S)16在沿着水平的系统纵向(X方向)延伸的平行且 方向相反的一对线A、B,按照工艺或工序的顺序配置各个处理部。
更详细地来讲,在从盒站(C/S)14侧向界面站(I/F)18侧的上游部的工艺线A,搬入单元(IN PASS)24、清洗工艺部26、第一热处理部28、涂敷工艺部30和第二热处理部32沿着第一基板搬运线34,从上游侧按照该顺序成一列配置。
更详细地来讲,搬入单元(IN PASS)24从盒站(C/S)14的搬运机构22接收未处理的基板G,在规定的通道投入第一基板搬运线34。清洗工艺部26沿着第一基板搬运线34从上游侧依次设置准分子UV照射单元(E-UV)36和清洗单元(SCR)38。第一热处理部28从上游侧依次设置粘接单元(AD)40和冷却单元(COL)42。涂敷工艺部30从上游侧依次设置抗蚀剂涂敷单元(COT)44和减压干燥单元(VD)46。第二热处理部32从上游侧依次设置预烘烤单元(PRE-BAKE)48和冷却单元(COL)50。在位于与第二热处理部32的下游侧相邻位置的第一基板搬运线34的终点设置通过单元(PASS)52。在第一基板搬运线34上平流地被搬运的基板G从该终点的通过单元(PASS)52被交接至界面站(I/F)18。
另一方面,在界面站(I/F)18侧向盒站(C/S)14侧的下游部的工艺线B,显影单元(DEV)54、后烘烤单元(POST-BAKE)56、冷却单元(COL)58、检查单元(AP)60和搬出单元(OUT-PASS)62沿着第二基板搬运线64从上游侧按照此顺序成一列配置。此处,后烘烤单元(POST-BAKE)56和冷却单元(COL)58构成第三热处理部66。搬出单元(OUT PASS)62从第二基板搬运线64逐块接收处理完毕的基板G,并交给盒站(C/S)14的搬运机构22。
在两个工艺线A、B之间设置有辅助搬运空间68,能够按照一块单位水平地载置基板G的往复移送装置(shuttle)70利用未图示的驱动机构,能够在工艺线方向(X方向)上双方向移动。
界面站(I/F)18具有搬运装置72,用来进行上述第一和第二基板搬运线34、64和邻接的曝光装置12与基板G的交换,在该搬运装置72的周围配置旋转台(R/S)74和周边装置76。旋转台(R/S)74是在水平面内使基板G旋转的台,用于在与曝光装置12交接时变换长方形基板G的方向。周边装置76例如将打码机(TITLER)和周边曝光 装置(EE)等与第二基板搬运线64连接。
此处,说明对于该涂敷显影处理系统中的一块基板G的全部工序的处理步骤。首先,在盒站(C/S)14中,搬运机构22从台20上的任一个盒C中取出一块基板G,将该取出的基板G搬入处理站(P/S)16的工艺线A侧的搬入单元(IN PASS)24。基板G从搬入单元(IN PASS)24被移载或投入第一基板搬运线34上。
被投入第一基板搬运线34的基板G首先在清洗工艺部26中,利用准分子UV照射单元(E-UV)36和清洗单元(SCR)38依次实施干式清洗和湿式清洗处理。准分子UV照射单元(E-UV)36在基板G上照射紫外线,主要除去基板表面的有机物。清洗单元(SCR)38对在平流搬运路34上水平移动的基板G实施刷洗和吹洗,由此从基板表面除去粒子状的污垢。然后实施冲洗处理,最后使用气刀(air knife)等使基板G干燥。如果清洗单元(SCR)38中的一系列的清洗处理结束,则基板G以该状态下了第一基板搬运线34并通过第一热处理部28。
在第一热处理部28中,基板G首先在粘接单元(AD)40中实施使用蒸汽状的HMDS的粘接处理,使被处理面疏水化。该粘接处理结束后,基板G在冷却单元(COL)42中被冷却至规定的基板温度。然后,基板G下了第一基板搬运线34并被搬入涂敷工艺部30中。
在涂敷工艺部30,基板G首先在抗蚀剂涂敷单元(COT)44中保持平流状态采用使用狭缝喷嘴的旋涂法在基板上表面(被处理面)涂敷抗蚀剂液,之后,在下游侧附近的减压干燥单元(VD)46接受减压干燥处理。
从涂敷工艺部30出来的基板G下了第一基板搬运线34并通过第二热处理部32。在第二热处理部32,作为抗蚀剂涂敷后的热处理或曝光前的热处理,基板G首先在预烘烤(PRE-BAKE)48中接受预烘烤。通过该预烘烤,残留在基板G上的抗蚀剂膜中的溶剂蒸发被除去,抗蚀剂膜与基板的紧贴性得到加强。接着,基板G在冷却单元(COL)50中被冷却至规定的基板温度。然而,基板G从第一基板搬运线34的终点的通过单元(PASS)52被界面站(I/F)18的搬运装置72获取。
在界面站(I/F)18,基板G在旋转台74例如接受90度的方向变换后被搬入周边装置76的周边曝光装置(EE),在此处接受用来在显 影时除去附着在基板G的周边部的抗蚀剂的曝光后,被送往相邻的曝光装置12。
在曝光装置12,在基板G上的抗蚀剂规定的电路图形被曝光。结束图形曝光后的基板G,从曝光装置12返回界面站(I/F)18,首先,被搬入周边装置76的打码机(TITLER),在此处在基板上的规定部位记录规定的信息。然后,基板G被搬运装置72搬入铺设于处理站(P/S)16的工艺线B侧的第二基板搬运线64的显影单元(DEV)54的起点。
于是,基板G这次在第二基板搬运线64上被搬向工艺线B的下游侧。在最初的显影单元(DEV)54中,基板G在被平流搬运的期间实施显影、冲洗、干燥的一系列的显影处理。
在显影单元(DEV)54,结束了一系列的显影处理的基板G以该状态载入第二基板搬运线64,依次通过第三热处理部66和检查单元(AP)60。在第三热处理部66,作为显影处理后的热处理,基板G首先在后烘烤(POST-BAKE)56接受后烘烤。通过该后烘烤,残留在基板G上的抗蚀剂膜的显影液和清洗液蒸发并被除去,抗蚀剂图形与基板的紧贴性得到加强。接着,基板G在冷却单元(COL)58被冷却至规定的基板温度。在检查单元(AP)60,对于基板G上的抗蚀剂图形,进行非接触的线宽检查和膜质、膜厚检查等。
搬出单元(OUT PASS)62从第二基板搬运线64接收结束了全部工序的处理的基板G,交给盒站(C/S)14的搬运机构22。在盒站(C/S)14一侧,将搬运机构22从搬出单元(OUT PASS)62接收的处理完毕的基板G收纳在任一个(通常是原来的)盒C中。
在该涂敷显影处理系统10中,能够在平流方式的清洗单元(SCR)38应用本发明。以下,说明本发明的一个实施方式的清洗单元(SCR)38的结构和作用。
在图2中表示清洗单元(SCR)38的整体结构。该清洗单元(SCR)38在工艺线A(图1)上并列配置两个腔室80、82。纵断(纵跨)两个腔室80、82中的滚子搬运路径84构成第一基板搬运线34(图1)的一个区间。
上游侧的清洗腔室80被设置于内部的两个隔壁86、88被分隔成三个处理室、即刷洗室R1、吹洗室R2和冲洗室R3。在与搬运方向(X 方向)相对的腔室80的外壁80a、80b和两个隔壁86、88,分别形成在滚子搬运路径84上移动的基板G能够通过的狭缝状的开口(基板搬入搬出口)90、92、94、96。此处,开口90是刷洗室R1的入口。开口92是刷洗室R1的出口,且吹洗室R2的入口。开口94是吹洗室R2的出口,且冲洗室R3的入口。开口96是冲洗室R3的出口。
在刷洗室R1中,沿着滚子搬运路径84在其上下两侧配置预湿用的喷嘴98U/98L、辊刷100U/100L和冲洗用的喷雾喷嘴102U/102L。预湿用的喷雾喷嘴98U/98L是在宽度方向(Y方向)上从一端到另一端覆盖基板G的长尺型,将被药液供给部(未图示)送来的药液成喷雾状喷洒。辊刷100U/100L具有在宽度方向上从一端至另一端覆盖基板G的长度,被电机等的刷驱动部(未图示)旋转驱动。冲洗用的喷雾喷嘴102U/102L是在宽度方向上从一端至另一端覆盖基板G的长尺型,将从冲洗液供给部(未图示)送来的冲洗液成喷雾状喷洒。
在刷洗室R1中,在腔室背面侧的壁(图1的辅助搬运空间68侧的壁)103的上部设置多个例如两个排气口104、105,在底部设置排水(drain)口106。排气口104、105与后述的排气部150(图3)连接。排水口106与排水槽(drain tank)(未图示)连通。
在吹洗室R2内,在滚子搬运路径84的上下两侧配置高压的双流体喷嘴104U/104L。该双流体喷嘴104U/104L是覆盖基板G的宽度尺寸的长尺型,将从清洗液供给部(未图示)送来的清洗液与从高压气体供给部(未图示)送来的高压气体混合,成喷洒流或者喷雾状喷洒粒状的液滴。
在吹洗室R2中,在腔室背面侧的壁103的上部也设置多个例如两个排气口106、108,在底部设置排水口110。排气口106、108是本实施方式中的第一和第二排气口,与排气部150(图3)连接。排水口110与排水槽(未图示)连通。
在吹洗室R2内,设置作为本实施方式的特征的室内排气机构112。该室内排气机构112具有:板面沿着横向延伸的第一分隔板114、和板面沿着纵向延伸的第二分隔板124。第一分隔板114配置于比上部双流体喷嘴104U高且比排气口106、108低的位置,将吹洗室R2的室内空间沿着纵向分隔成上部空间UR2与下部空间LR2。此处,在第一分 隔板114与上游侧隔壁86之间,形成沿着腔室宽度方向(Y方向)成一列延伸的两个狭缝开口116、118。第二分隔板124将在第一分隔板114上扩大的上部空间UR2沿着横向分隔成:在第一开口116与第一排气口106之间延伸的第一排气空间120、和在第二开口118与第二排气口108之间延伸的第二排气空间122。将在后面说明室内排气机构112的详细结构和作用。
在冲洗室R3内,在滚子搬运路径84的上下两侧按照适当的间隔配置多个冲洗喷嘴126U/126L。这些冲洗喷嘴126U/126L是覆盖基板G的宽度尺寸的长尺型,将从清洗液供给部(未图示)送来的冲洗液成喷雾状喷洒。
在冲洗室R3中,在腔室背面侧的壁103的上部设置一个(或者多个)排气口128,在底部设置排水口130。排气口128与排气部150(图3)连接。排水口130与排水槽(未图示)连通。
下游侧的腔室82是专用的除液干燥室R4。在与搬运方向(X方向)相对的腔室82的外壁82a、82b上,分别形成在滚子搬运路径84上移动的基板G能够通过的狭缝状的开口132、134。此处,开口132是入口,开口134是出口。
在除液干燥室R4内,夹着滚子搬运路径84向着搬运方向(X方向)倾斜配置上部和下部气刀136U、136L。两个气刀136U、136L具有覆盖基板G的宽度尺寸的长度,将从干燥气体供给部(未图示)送来的除液干燥用的高压气体(通常是空气,必要时是氮气)以锋利刀状的气流喷洒。
在除液干燥室R4中,在腔室的上部设置一个(或者多个)排气口138,在下部也设置多个(或者一个)排气口140。这些排气口138、140与排气部150(图3)连接。
在滚子搬运路径84中,覆盖基板G的宽度尺寸的长度的搬运辊或滚子85在搬运方向(X方向)上按照一定间隔铺设。在本实施方式中,滚子85收纳于腔室80、82中,利用配置于腔室80、82外的搬运驱动源,通过传动机构旋转驱动。
腔室80、82的上表面例如在搬运方向(X方向)上在每个处理室中,或者被按照固定尺寸排列的多个开闭罩(顶板)气密地覆盖。操 作员为了修理或更换零件而进入其中的清洗工具中时,打开各个维修位置的开闭罩。
图3表示在该清洗单元(SCR)38中配备的排气部150的结构。该排气部150作为负压发生源例如具有排气鼓风机152,该排气鼓风机152的进入侧通过主排气管154和分支排气管156与清洗单元(SCR)38内的各个排气口(在图3中,仅表示吹洗室R2的排气口106、108)连接。在主排气管154的中途设置从排气气体中分离气雾的气液分离器158,在各个分支排气管156的中途设置用来调节排气流量的排气闸160。排气鼓风机152的出口侧与工厂排气管道162连接。
排气部150设置于清洗单元(SCR)38的背面侧(后背)。在清洗单元(SCR)38的正面侧(正面面板)上,虽然省略了图示,设置操作盘和监视器(未图示)。
在该清洗单元(SCR)38中,在处理室R1~R4中的吹洗室R2内产生最多的(且污染度最高)气雾。因此,完全防止气雾从吹洗室R2进入其它的处理室、特别是下游侧的冲洗室R3和除液干燥室R4并扩散,在清洗工艺的品质管理方面是最重要的一个条件。在本实施方式中,在吹洗室R2内设置后述的室内排气机构112,清除该条件。在本实施方式的排气系统中,排气口的排气能力或排气流量基本上在各个处理室R1~R4中任意或独立地设定即可,但是在切实防止气雾从吹洗室R2中泄漏的方面,优选将设置于吹洗室R2中的排气口106、108的排气流量相对较大地设定,将设置于其下游侧的冲洗室R32和除液干燥室R4中的排气口128、138、140的排气流量相对较小地设定。
此处,说明该清洗单元(SCR)38中的整体的操作和作用。如上所述,从盒站(C/S)14被投入清洗工艺部26(图1)中的基板G首先在准分子UV照射单元(E-UV)36(图1)中接受紫外线照射处理以除去基板表面的有机污染物,接着,在滚子搬运路径84上平流地移动,从入口90搬入清洗单元(SCR)38的刷洗室R1中。
在刷洗室R1中,基板G首先被预湿用的上部和下部喷雾喷嘴98U、98L向整个基板上喷洒例如酸或碱类的药液。接着,基板G一边擦过上部和下部辊刷100U、100L的下面一边通过。两个辊刷100U、100L利用刷驱动部的旋转驱动力向与搬运方向相对的方向旋转,擦掉基板 表面的异物(尘埃、碎片、污染物等)。之后,冲洗用的上部和下部喷雾喷嘴102U、102L向基板G喷洒冲洗液例如纯净水,冲洗掉在基板上浮游的异物。在刷洗室R1内从基板G落入底部的液体(药液、冲洗液等)从排水口106排出。
在刷洗室R1内产生的气雾的大部分与从入口90进入的空气一同被吸入排气口104、105并被送往排气部150(图3)。另一方面,在此处产生的气雾的一部分从出口92进入相邻的吹洗室R2中,最终经由吹洗室R2的第一和第二排气口106、108被排出。
基板G在穿过冲洗用的喷雾喷嘴102U、102L之后,通过隔壁86的基板出入口92进入吹洗室R2。在吹洗室R2中,上部和下部双流体喷嘴104U、104L在喷嘴内将清洗液(例如纯净水)与高压的气体(例如空气)混合而生成粒状的液滴,所生成的液滴向基板G的表面(上表面)和背面(下表面),以高压的喷洒流或者喷雾状喷洒。于是,粒状的液滴撞击基板G的表面,由此,残存在基板表面上的异物被完全除去。在吹洗室R2内,从基板G落入底部的液体(清洗液等)从排水口110被排出。
在吹洗室R2内,更准确地来讲,在下部空间LR2中,双流体喷嘴104U、104L的周围产生大量的气雾。根据本实施方式,在吹洗室R2的下部空间LR2中产生的气雾的全部或者大部分不会滞留在下部空间LR2内,且不会从入口92或出口94向相邻室了扩散,而是通过顶部的狭缝开口116、118被导入上部空间UR2即排气空间120、122,穿过这些排气空间120、122,从腔室背面侧的第一和第二排气口106、108被送往排气部150(图3)。
吹洗室R2中的下一个基板G通过冲洗室R3。在冲洗室R3中,上部和下部冲洗喷嘴126U、126L向滚子搬运路径84上的基板G喷洒冲洗液例如纯净水。由此,从吹洗室R2带入的基板G上的液体(异物浮游的液体)被置换成冲洗液。在冲洗室R3内,从基板G落入底部的液体(清洗液、冲洗液等)从排水口130排出。
与吹洗室R2相比格外少,但在冲洗室R3内也产生一定程度量的气雾,其大部分被吸入冲洗室R3的排气口128中。最通常的情况下,该排气口128的排气能力(真空力)被设定为比吹洗室R2的第一和第 二排气口106、108的排气能力(真空力)弱。由此,在冲洗室R3内产生的气雾的一部分通过隔壁88的开口94逆流回相邻的吹洗室R2中,最终经由第一和第二排气口106、108被送往排气部150(图3)。
基板G在从冲洗室R3中出来的同时进入相邻的除液干燥室R4中。在除液干燥室R4中,上部和下部气刀136U、136L使刀状的锋利的高压气流例如空气流沿着搬运方向的斜向相反的方向向滚子搬运路径84上的基板G撞击。由此,附着在基板G上的液体利用空气的风力落下,与从出口134进入的空气一同被吸入排气口138、140,并送往排气部150(图3)。此外,在除液干燥室R4中也能将落入底部的液体从排水口(未图示)排出。
从除液干燥室R4的出口134出来的基板G以该状态在滚子搬运路径84平流地移动,进入第一热处理部28(图1)。
在本实施方式的清洗单元(SCR)38中,如上所述,在清洗处理中产生气雾最多的吹洗室R2设置室内排气机构112,由此,确保吹洗室R2的清洗工具即双流体喷嘴104U、104L的维修性,且有效地防止气雾从吹洗室R2向相邻的刷洗室R1和冲洗室R3以及除液干燥室R4扩散。由此,防止气雾在冲洗室R3和除液干燥室R4内的再附着,提高清洗工艺的成品率。
下面,根据图4~图8,详细地说明吹洗室R2内的室内排气机构112的结构和作用。
图4表示清洗腔室80内的主要部分的结构,图5和图6表示室内排气机构112的主要部分的结构。室内排气机构112的第一分隔板114如上所述,将吹洗室R2内的室内空间纵向分隔成上部空间UR2与下部空间LR2。该分隔板114具有与吹洗室R2的横截面对应的形状(图示的例子是矩形条状或矩形形状)和尺寸。关于其尺寸,在腔室宽度方向(Y方向),与吹洗室R2相同,在搬运方向(X方向)上比吹洗室R2略小。由此,如图4所示,该分隔板114在安装于吹洗室R2内的状态下,其两侧的短边边缘分别接触吹洗室R2的腔室正面侧的壁142和腔室背面侧的壁103,并且其中一个(下游侧)长边边缘114r与下游侧隔壁88接触,另一个(上游侧)长边边缘114f远离上游侧隔壁86,形成间隙即狭缝开口(116、118)。形成该狭缝开口(116、118) 的上游侧长边边缘114f的边缘部成R形状(圆弧状)地向上翘曲。
室内排气机构112的第二分隔板124如上所述,将第一分隔板114的上方的上部空间UR2横向分隔成:与一个(腔室背面侧)的狭缝开口116连接的第一排气空间120、和与另一个(腔室正面侧)的狭缝开口118连接的第二排气空间122。该分隔板124具有与上部空间UR2的纵截面对应的形状(图示的例子是矩形条状)和尺寸。关于其尺寸,在纵向(Z方向)上与上部空间UR2相同,在腔室宽度方向(Y方向)上是第一分隔板114的一半程度。
该分隔板124在纵向(Z方向)上从第一分隔板114延伸至吹洗室R2的顶板144,在横向上从腔室背面侧的壁103向与其相对的腔室正面侧的壁142延伸,在中央的规定位置PM形成终端。优选在横向上,该分隔板124从腔室背面侧的壁103向腔室正面侧的壁142直至中央附近的规定位置PM,在第一分隔板114的上方与第一分隔板114平行地笔直地延伸,在该规定位置PM向与搬运方向(X方向)相反的方向折曲,从第一分隔板114的上游侧长边边缘114f突出,其折曲部124a的前端124e与上游侧隔壁86抵接或者接近。
于是,在第一分隔板114的上游侧长边边缘114f与上游侧隔壁86之间形成的间隙被分隔成:从第二分隔板124的折曲部124a向腔室背面侧的壁103延伸的第一狭缝开口116、和从第二分隔板124的曲折部124a向腔室正面侧的壁142延伸的第二狭缝开口118。此外,第一分隔板114上的室内空间UR2被第二分隔板124分隔成:将设置于腔室背面侧的壁103的上游侧隔壁86附近的第一排气口106与第一狭缝开口116连接的第一排气空间120;和设置于腔室背面侧的壁103的下游侧隔壁88附近的第二排气口108与第二狭缝开口118连接的第二排气空间122。
第一和第二分隔板114、124优选由耐药性好的树脂形成,分别采用一块板制作,或者多块板对接而成,彼此一体地结合,打开吹洗室R2的顶板144,以能够装卸的方式安装在室内。在本实施方式中,如图5和图6所示,在腔室宽度方向(Y方向)上,隔着一定的间隔在第一分隔板114的下表面固定有在搬运方向(X方向)延伸的多根梁164。各个梁164的突出的端部被载放在设置于上游侧隔壁86的突起 状支承部件(未图示)。另外,各个梁164的另一个端部被载放在设置于下游侧隔壁88的突起状支承部件(未图示)而被支承。
如图4和图5所示,在第一分隔板114上,在与排气口106、108相对的腔室正面侧的端部,以阻挡(遮盖)第二排气空间122的角落部的方式,斜着安装第三分隔板166。该分隔板166可用作气流引导板,使通过第二狭缝开口118的腔室正面侧的端部进入第二排气空间122的含有气雾的气流不滞留在其附近,而是顺利地向第二排气口108引导。
同样,第二分隔板124的折曲部124a也用作气流引导板,使通过第一狭缝开口116的腔室中央部侧的端部进入第一排气空间120的含有气雾的气流不滞留在其附近,而是顺利地向第一排气口106引导。
另外,形成于第一分隔板114的上游侧长边边缘114f侧的朝上R形状的边缘部也用作气流引导部,将从下部空间LR2集中在第一和第二狭缝开口116、118的气流顺利地向上部空间UR2(第一和第二排气空间120、122)引导。此外,该朝上R形状的边缘部也具有天沟的功能:使在上部空间UR2(排气空间120、122)内气雾液化附着在第一分隔板114的上表面的液体不会落入狭缝开口116、118的下面而是将其保持。与此相关,例如也可以在腔室背面侧的壁103,形成与第一分隔板114的朝上R形状边缘部连接的排水口(未图示)。
接着,说明吹洗室R2内的室内排气机构112的作用。图7和图8表示通过模拟得到的吹洗室R2内的排气流量分布。在该模拟中,为了容易地解析,在搬运方向(X方向)上,在吹洗室R2的中心部配置一个上部双流体喷嘴104U,省略了下部双流体喷嘴104L(图2)。图中的矢量表示各个位置的排气流的速度的方向和大小。
由纵向的排气流速度分布(图7)和横向的排气流速度分布(图8)可知,从上部双流体喷嘴104U的周围向上方(特别是狭缝开口116、118)的排气流在喷嘴长度方向、即腔室宽度方向(Y方向)上大致均一。另外,从下部空间LR2穿过第一狭缝开口116进入上部空间UR2的排气流通过第一排气空间120,从第一排气口106被送往排气部150,从下部空间LR2穿过第二狭缝开口118进入上部空间UR2的排气流通过第二排气空间122,从第二排气口108被送往排气部150。此外,与 第一排气空间120中相比,第二排气空间122中的整个排气流的流量大。对于这一点,通过排气闸160对第一和第二排气口106、108的排气能力(排气流量)进行单独调整,由此,能够任意地调整两个排气空间120、122内的排气流量的平衡。
更详细地讲,在第一(腔室背面侧)狭缝开口116中,越接近第一排气口106,其排气流的流量越大,离第一排气口106越远,其排气流的流量逐渐缩小,但是其差别并不明显,在开口116的端部(腔室中心部附近)也有相当流量的排气流流过。在第二(腔室正面侧)狭缝开口118中也同样,越接近第二排气口108,其排气流的流量越大,离第二排气口108越远,其排气流的流量逐渐缩小,但是其差别并不明显,在开口118的端部(腔室正面侧的壁142附近)也有相当量的排气流流过。
重要的一点是,在腔室宽度方向(Y方向)上,第一排气空间120和第一狭缝开口116中的排气流的流量离腔室背面侧的第一排气口106越远而逐渐减少,但是,第二排气空间122和第二狭缝开口118使排气流的流量恢复,由此,能够实现在腔室宽度方向(Y方向)上的排气流速度分布的均一化。
像这样,在本实施方式中,根据上述的室内排气机构112的结构和作用,采用在腔室背面侧的壁103设置排气口106、108的背面排气方式,但是,能够将在清洗处理中在吹洗室R2内大量产生的气雾,有效地而且在室内的腔室背面侧的区域与腔室正面侧的区域中不形成大的压力差而是大体均等地经由狭缝开口116、118吸入顶部里的排气空间120、122中,并且以该状态送往排气口106、108甚至排气部150。由此,能够有效地防止气雾从吹洗室R2通过隔壁86、88的基板出入口92、94,向相邻的刷洗室R1和冲洗室R3扩散。由此,能够防止气雾在冲洗室R3和除液干燥室R4内的再附着,提高清洗工艺的成品率。
(其它的实施方式或变形例)
以上,说明了本发明的一个最佳实施方式,但是本发明并非限定于上述实施方式,在其技术思想的范畴内能够有各种变形。
例如,在上述实施方式中,在吹洗室R2的室内排气机构112中,作为上游侧隔壁86与第一分隔板114的上游侧边缘114f之间的间隙, 形成第一和第二狭缝开口116、118。像这样,根据将狭缝开口116、118配置于上游侧的结构,在吹洗室R2的下部空间LR2内,甚至在下游侧隔壁88的基板出入口94附近,能够形成向与搬运方向(X方向)相反的方向流动的排气流。由此,能够进一步提高防止气雾从吹洗室R2向下游侧相邻的冲洗室R3泄漏的效果。
作为一个变形例,省略了图示,但是在吹洗室R2的室内排气机构112中,也能采用作为下游侧隔壁88与第一分隔板114的下游侧边缘114r之间的间隙,形成第一和第二狭缝开口116、118的结构。在此情况下,在吹洗室R2的下部空间LR2内,在上游侧隔壁86的基板出入口92附近,能够形成向与搬运方向(X方向)相同的方向流动的排气流,能够更加充分地防止气雾从吹洗室R2向上游侧相邻的刷洗室R1泄漏。
另外,作为其它的变形例,如图9和图10所示,也能将第一和第二狭缝开口116、118在第一分隔板114中穿孔。在图示的例子中,在搬运方向(X方向)上在分隔板114的中心部形成狭缝开口116、118,在腔室宽度方向(Y方向)上成一列(也可以是多列)排列配置。在此情况下,第二分隔板124从腔室背面侧的壁103向腔室正面侧的壁142直至中央附近的规定位置PM,通过第一狭缝开口116的旁边,在该规定位置PM向搬运方向(X方向)或相反的方向折曲,其折曲部124a的前端124e与下游侧隔壁88或上游侧隔壁86抵接或接近。
在该变形例中,如图10所示,在搬运方向(X方向)上,第一分隔板114从周边部向中心部成锥状变高,下部空间LR2内的气雾很容易沿着分隔板114的锥面114t被吸入中心部的狭缝开口116、118中。
图11表示室内排气机构112的其它的变形例。该结构例使用两个第二分隔板124、124’,将第一分隔板114上的上部室内空间UR2分隔成三个排气空间120、121、122,并且将上游侧隔壁86与第一分隔板114的上游侧边缘114f之间的间隙分隔成三个狭缝开口116、117、118。在此情况下,在腔室背面侧的壁103,三个排气口106、107、108按照此顺序在搬运方向(X方向)排列设置。
此处,一个第二分隔板124在横向上,从腔室背面侧的壁103(排气口106、107之间)向腔室正面侧的壁142从中心部至面前的规定位 置PM,在第一分隔板114的上方与第一分隔板114成直角地笔直延伸,在该规定位置PM向与搬运方向(X方向)相反的方向折曲,从第一分隔板114的上游侧长边边缘114f突出,其折曲部124a的前端124e与上游侧隔壁86抵接或接近。另一个第二分隔板124’在横向上,从腔室背面侧的壁103(排气口107、108之间)向腔室正面侧的壁142直至越过中心部的规定位置PM’,在第一分隔板114的上方与第一分隔板114成直角地笔直延伸,在该规定位置PM’向与搬运方向(X方向)相反的方向折曲,从第一分隔板114的上游侧长边边缘114f突出,其折曲部124a’的前端124e’与上游侧隔壁86抵接或者接近。
第一(腔室背面侧)狭缝开口116经由排气空间120与上游侧的排气口106连接。第二(腔室正面侧)狭缝开口118经由排气空间122与下游侧的排气口108连接。第三(腔室中央部)狭缝开口117经由排气空间121与中间的排气口107连接。像这样,在室内排气机构112中,也能采用将三个以上的狭缝开口(116、117、118)在腔室宽度方向(Y方向)上成一列(或者多列)地设置的结构。
图12表示室内排气机构112的其它的变形例。该结构例在搬运方向(X方向)上在第一分隔板114的两侧设置狭缝开口(116A、118A)、(116B、118B)。更详细地讲,在上游侧隔壁86与第一分隔板114的上游侧边缘114f之间形成间隙,并且在下游侧隔壁88与第一分隔板114的下游侧边缘114r之间形成间隙。利用两个第二分隔板124、124’,将第一分隔板114上的上部空间UR2分隔成三个排气空间120A、120B、122。在此情况下,在腔室背面侧的壁103,三个排气口106A、108、106B按照此顺序在搬运方向(X方向)上并列设置。
此处,其中一个第二分隔板124在横向上,从腔室背面侧的壁103(排气口106A、108之间)向腔室正面侧的壁142直至中央附近的规定位置PM,在第一分隔板114的上方与第一分隔板114成直角地笔直延伸,在该规定位置PM向与搬运方向(X方向)相反的方向折曲,从第一分隔板114的上游侧长边边缘114f突出,其折曲部124a的前端124e与上游侧隔壁86抵接或接近。另一个第二分隔板124’在横向上,从腔室背面侧的壁103(排气口108、106B之间)向腔室正面侧的壁142直至越过中心部的规定位置PM’,在第一分隔板114的上方与第一 分隔板114成直角地笔直延伸,在该规定位置PM’向与搬运方向(X方向)相同的方向折曲,从第一分隔板114的下游侧长边边缘114r突出,其折曲部124a’的前端124e’与下游侧隔壁88抵接或接近。
第一(上游侧且腔室背面侧)狭缝开口116A经由排气空间120A与上游侧的排气口106连接。第二(上游侧且腔室正面侧)狭缝开口118A经由排气空间122与中间的排气口108连接。第三(下游侧且腔室背面侧)狭缝开口116B经由排气空间120B与下游侧的排气口106B连接。第四(下游侧且腔室正面侧)狭缝开口118B经由排气空间122与中间的排气口108连接。像这样,对于在第一分隔板114的两侧设置狭缝开口(116A、118A)、(116B、118B)的结构,在搬运方向(X方向)上吹洗室R2的尺寸相当大的情况下有利。
在本发明中,除了室内排气机构112外,也能够进行各种各样的变形。例如,也可以取代滚子搬运路径84,使用带式输送机等其它的平流搬运路径。在本发明的平流搬运中,基板能够采用任意的姿势,既可以是水平姿势的平流搬运,也可是倾斜姿势的平流搬运。上述实施方式的清洗单元(SCR)38中的清洗工具的形式和配置结构是一个例子,根据清洗工艺的方法,能够将任意的清洗工具配置在任意的场所。
另外,本发明特别适合用于产生大量气雾的吹洗室或吹洗装置中,但是,也能应用在产生气雾的其它基板处理装置中。例如,在上述抗蚀剂涂敷显影处理装置中,在刷洗室R1和冲洗室R4中也能够设置与室内排气机构112同样的室内排气机构,或者在显影单元(DEV)的冲洗室中设置同样的室内排气机构。此外,本发明能够应用在,在平视方式中需要从处理室中除去气雾,或者需要提高处理室内的排气效率任意的基板处理装置中。
符号说明
38 清洗单元
80 清洗腔室
82 除液干燥腔室
84 滚子搬运路径
86、88 隔壁
92、96 基板出入口(入口/出口)
105 腔室背面侧的壁
106、106A、106B、107、108 排气口
112 室内排气机构
114 第一分隔板
116 第一狭缝开口
118 第二狭缝开口路
120 第一排气空间
122 第二排气空间
124 第二分隔板
142 腔室正面侧的壁
144 顶板
150 排气部
152 排气鼓风机
160 排气阀
R1 刷洗室
R2 吹洗室
R3 冲洗室
R4 除液干燥室。
Claims (24)
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
平流搬运路径,其用来在水平的第一方向平流地搬运被处理基板;
第一处理室,其容纳所述平流搬运路径的第一区间,且具有在所述平流搬运路径上搬运的所述基板能够通过的入口和出口;
一个或多个第一喷嘴,其在所述第一处理室内,向所述平流搬运路径上的所述基板喷洒处理液;
第一分隔板,其比所述第一喷嘴更位于上方,将所述第一处理室的室内空间纵向分隔成上部空间与下部空间;
第一开口和第二开口,所述第一开口形成于所述第一分隔板与所述第一处理室的壁之间,所述第二开口形成于所述第一分隔板中;
第二分隔板,其将所述第一处理室的上部空间横向分隔成:与所述第一开口连接的第一排气空间和与所述第二开口连接的第二排气空间;和
排气部,其与所述第一排气空间和所述第二排气空间连接。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一开口和所述第二开口在与所述第一方向交叉的第二方向上排列成一列或多列地配置。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一开口和所述第二开口的至少一个具有在所述第二方向上长长地延伸的一个或多个狭缝开口。
4.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一开口和所述第二开口作为所述第一处理室的设置有所述入口的第一壁或设置有所述出口的第二壁与所述第一分隔板的一个侧面之间的间隙而形成。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于:
夹着所述第一壁或者第二壁与所述间隙相对的所述第一分隔板的边缘部向上翘曲。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一分隔板的边缘部成圆弧状地向上翘曲。
7.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一开口和所述第二开口的至少一个在所述第一分隔板穿孔。
8.如权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一开口和所述第二开口在所述第一方向上形成于所述第一分隔板的中心部。
9.如权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于:
在所述第一方向上,所述第一分隔板的中心部与周边部相比成锥状地增高。
10.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
在所述第一处理室的与所述平流搬运路径平行地相对的第三壁设置有第一排气口和第二排气口,用来将所述第一排气空间和第二排气空间分别与所述排气部单独连接。
11.如权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第二分隔板在纵向从所述第一分隔板延伸至所述第一处理室的顶板,在横向从所述第三壁向与其相对的第四壁延伸并在中间的规定位置终止。
12.如权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第二分隔板,在横向上从所述第三壁向所述第四壁直至所述中间的规定位置附近,在所述第一分隔板的上方与所述第一分隔板平行地笔直地延伸,在所述中间的规定位置附近,向与所述第一方向相同的方向或者相反的方向折曲,其折曲部的前端与所述第一处理室的设置有所述入口的第一壁或者设置有所述出口的第二壁抵接或者接近。
13.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述排气部具有流量控制部,该流量控制部用来单独地调节所述第一排气空间和所述第二排气空间中的排气流量。
14.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一方向上的所述第一开口和所述第二开口的尺寸为所述第一处理室的入口至出口的距离的1/3以下。
15.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一分隔板与所述第二分隔板一体地结合,以能够装卸的方式安装于所述第一处理室。
16.如权利要求15所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一处理室的顶板以能够开闭的方式构成。
17.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述排气部包括:发生负压吸引力的负压发生源;和在所述第一排气空间和所述第二排气空间与所述负压发生源之间将气体与液滴分离的气液分离部。
18.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一喷嘴为将处理液与高压的气体混合并喷洒的双流体喷嘴。
19.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一喷嘴配置于所述平流搬运路径的上方,用来在所述第一处理室内对所述基板的表面喷洒处理液。
20.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一喷嘴配置于所述平流搬运路径的下方,用来在所述第一处理室内向所述基板的表面与背面喷洒处理液。
21.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述处理液为清洗液。
22.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
第二处理室,其配置于所述第一处理室的下游侧邻近,容纳所述平流搬运路径的第二区间,且具有在所述平流搬运路径上搬运的所述基板能够通过的入口和出口;和
一个或多个第二喷嘴,其沿着所述平流搬运路径配置,用来在所述第二处理室内对所述基板喷洒冲洗液。
23.如权利要求22所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一处理室与所述第二处理室隔着隔壁设置于同一腔室内。
24.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
第三处理室,其配置于所述第二处理室的下游侧邻近,容纳所述平流搬运路径的第三区间,且具有在所述平流搬运路径上搬运的所述基板能够通过的入口和出口;和
气刀,其配置于所述平流搬运路径的上下两侧,用来在所述第三处理室内对所述基板喷洒除液干燥用的气体。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103887211A (zh) * | 2014-03-06 | 2014-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种干燥区间排气门的控制方法和装置及干燥区间设备 |
CN106842832A (zh) * | 2017-02-16 | 2017-06-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于显影设备的排气箱及黄光制程显影设备 |
CN108787672A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-11-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | 基板清洗装置、显影机及基板清洗方法 |
CN109890194A (zh) * | 2017-12-06 | 2019-06-14 | 松下知识产权经营株式会社 | 部件安装系统、部件装配装置以及基板搬运方法 |
CN110441990A (zh) * | 2018-05-03 | 2019-11-12 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的装置和方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101635550B1 (ko) * | 2016-01-20 | 2016-07-01 | 엠에스티코리아(주) | 기판 처리 장치 |
KR101879323B1 (ko) * | 2016-12-23 | 2018-07-19 | 주식회사 나래나노텍 | 개선된 인라인 미세 채널 타입 상압 저온 미스트 cvd 장치 |
KR102179851B1 (ko) * | 2019-04-09 | 2020-11-17 | 주식회사 디엠에스 | 기판처리장치 및 이를 이용한 인라인 기판처리시스템 |
JP7429216B2 (ja) | 2020-12-28 | 2024-02-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353093A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Sharp Corp | レジスト剥離洗浄装置 |
JP2003083675A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板乾燥装置 |
CN1470337A (zh) * | 2002-06-28 | 2004-01-28 | 大日本屏影象制造株式会社 | 基板处理装置及基板清洗方法 |
CN1676231A (zh) * | 2004-03-29 | 2005-10-05 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板的处理装置以及处理方法 |
CN1753150A (zh) * | 2004-09-22 | 2006-03-29 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板的处理装置 |
CN1840248A (zh) * | 2005-03-31 | 2006-10-04 | 株式会社东芝 | 洗涤方法及洗涤装置 |
JP2007059417A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
CN1930666A (zh) * | 2004-03-09 | 2007-03-14 | 东京毅力科创株式会社 | 基板清洗用双流体喷嘴以及基板清洗装置 |
CN1938830A (zh) * | 2004-04-02 | 2007-03-28 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理方法、记录介质以及软件 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11334870A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2996236B1 (ja) * | 1998-09-09 | 1999-12-27 | 日本電気株式会社 | 基板処理装置 |
WO2003071594A1 (fr) * | 2002-02-25 | 2003-08-28 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd | Dispositif de traitement de substrats de type support |
JP2008159663A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP5129042B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2013-01-23 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板の処理装置 |
-
2011
- 2011-07-22 JP JP2011160689A patent/JP2013026490A/ja active Pending
-
2012
- 2012-06-29 CN CN201210224073XA patent/CN102891094A/zh active Pending
- 2012-07-11 KR KR1020120075646A patent/KR20130011927A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-07-20 TW TW101126291A patent/TW201310568A/zh unknown
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353093A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Sharp Corp | レジスト剥離洗浄装置 |
JP2003083675A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板乾燥装置 |
CN1470337A (zh) * | 2002-06-28 | 2004-01-28 | 大日本屏影象制造株式会社 | 基板处理装置及基板清洗方法 |
CN1930666A (zh) * | 2004-03-09 | 2007-03-14 | 东京毅力科创株式会社 | 基板清洗用双流体喷嘴以及基板清洗装置 |
CN1676231A (zh) * | 2004-03-29 | 2005-10-05 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板的处理装置以及处理方法 |
CN1938830A (zh) * | 2004-04-02 | 2007-03-28 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理方法、记录介质以及软件 |
CN1753150A (zh) * | 2004-09-22 | 2006-03-29 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板的处理装置 |
CN1840248A (zh) * | 2005-03-31 | 2006-10-04 | 株式会社东芝 | 洗涤方法及洗涤装置 |
JP2007059417A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103887211A (zh) * | 2014-03-06 | 2014-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种干燥区间排气门的控制方法和装置及干燥区间设备 |
CN103887211B (zh) * | 2014-03-06 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种干燥区间排气门的控制方法和装置及干燥区间设备 |
CN106842832A (zh) * | 2017-02-16 | 2017-06-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于显影设备的排气箱及黄光制程显影设备 |
CN106842832B (zh) * | 2017-02-16 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于显影设备的排气箱及黄光制程显影设备 |
CN109890194A (zh) * | 2017-12-06 | 2019-06-14 | 松下知识产权经营株式会社 | 部件安装系统、部件装配装置以及基板搬运方法 |
CN110441990A (zh) * | 2018-05-03 | 2019-11-12 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的装置和方法 |
CN108787672A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-11-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | 基板清洗装置、显影机及基板清洗方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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