CN105742155A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，该基板处理装置包括：基板保持单元，其水平地保持基板；二流体喷嘴，其将有机溶剂与气体混合生成有机溶剂的液滴，将生成的有机溶剂液滴向基板上表面排出；第一有机溶剂供给单元，其向二流体喷嘴供给有机溶剂；气体供给单元，其向二流体喷嘴供给气体；第二有机溶剂供给单元，其向基板上表面供给有机溶剂；控制单元，其控制第一及第二有机溶剂供给单元和气体供给单元。控制单元执行：液滴排出工序，其从二流体喷嘴向基板上表面内的规定排出区域排出有机溶剂液滴；液膜形成工序，其在液滴排出工序之前执行，向基板上表面供给有机溶剂，形成覆盖排出区域的有机溶剂的液膜。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及使用有机溶剂处理基板的基板处理装置及基板处理方法。成为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示用基板、场致发射显示器(FED：FieldEmissionDisplay)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置或液晶显示装置的制造工序中，向半导体晶片或液晶显示面板用玻璃基板等基板的主面供给清洗液，进行用处理液清洗这些基板的主面的清洗处理。例如，逐张地处理基板的单张式基板处理装置具有：旋转卡盘，其用多个卡盘销一边使基板保持大致水平一边使该基板旋转；以及喷嘴，其用于向由该旋转卡盘进行旋转的基板的主面供给清洗液。
在专利文献1中，作为喷嘴，并非使用排出连续流的直喷嘴(ストレートノズル)，而是使用喷出清洗液的微小液滴的喷射喷嘴。此外，作为清洗液，使用异丙醇(IPA：isopropylalcohol)。即，在专利文献1中，将从喷射喷嘴喷出的IPA的微小液滴向基板的主面供给，由此清洗该主面。
然而，在开始排出有机溶剂(IPA)液滴时，从二流体喷嘴(喷射喷嘴)排出的有机溶剂液滴的粒径分布处于不稳定的状态。因此，若从二流体喷嘴开始向基板的上表面(主面)排出有机溶剂液滴，则处于粒径分布不稳定的状态的有机溶剂液滴直接碰撞处于干燥状态的基板的上表面，由于该原因，存在在基板的上表面产生颗粒的风险。
专利文献1：US2003/178047A1
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种能够抑制颗粒的产生，并且能够利用来自二流体喷嘴的有机溶剂液滴良好地处理基板的基板处理装置及基板处理方法。
本发明提供一种基板处理装置，其特征在于，包括：
基板保持单元，将基板水平地保持；二流体喷嘴，将有机溶剂与气体混合来生成所述有机溶剂的液滴，并将生成的所述有机溶剂的所述液滴向所述基板的上表面排出；有机溶剂供给单元，用于向所述二流体喷嘴供给所述有机溶剂；气体供给单元，用于向所述二流体喷嘴供给所述气体；控制单元，控制所述有机溶剂供给单元及所述气体供给单元；所述控制单元执行液滴排出工序和液膜形成工序，在所述液滴排出工序中，从所述二流体喷嘴向所述基板的上表面内的规定排出区域排出所述有机溶剂的所述液滴；所述液膜形成工序在所述液滴排出工序之前执行，在所述液膜形成工序中，向所述二流体喷嘴不供给所述气体而供给所述有机溶剂，从而从该二流体喷嘴以连续流的方式排出所述有机溶剂，以在所述基板的上表面形成覆盖所述排出区域的所述有机溶剂的液膜。
通过该结构，从二流体喷嘴向基板的上表面内的排出区域排出有机溶剂的液滴。通过有机溶剂的液滴对基板的上表面进行碰撞，物理除去附着在排出区域的异物(颗粒等)。由此，能够良好地处理基板的上表面。
此外，在排出有机溶剂的液滴之前，在基板的上表面形成覆盖排出区域的有机溶剂的液膜。因此，从二流体喷嘴排出的有机溶剂液滴与覆盖排出区域的有机溶剂的液膜发生碰撞。因此，在排出的有机溶剂的液滴的粒径分布不稳定的液滴开始排出时，能够避免有机溶剂的液滴与处于干燥状态的基板的上表面直接碰撞。因此，能够抑制伴随着液滴排出工序的执行而产生颗粒。
此外，通过将向二流体喷嘴的气体供给从停止状态切换为供给状态，能够将从二流体喷嘴排出的有机溶剂从连续流的方式切换为液滴的方式。因为从共同的喷嘴排出在液滴排出工序中使用的有机溶剂与在液膜形成工序中使用的有机溶剂，所以能够在液膜形成工序中的有机溶剂的供给停止后无延迟地开始液滴排出工序。即，能够不间断地向基板的上表面供给有机溶剂。由此，能够在从液膜形成工序向液滴排出工序过渡时，抑制基板的上表面干燥；因此，能够有效地抑制从液膜形成工序向液滴排出工序过渡时的颗粒的产生。
通过上述内容，能够抑制颗粒的产生，并且使用来自二流体喷嘴的有机溶剂的液滴良好地处理基板。
此外，所述基板处理装置也可以进一步包括：基板旋转单元，用于使所述基板绕铅直的旋转轴线旋转。在该情况下，所述控制单元也可以包括控制所述基板旋转单元的单元。所述控制单元与所述液滴排出工序并行地还可以执行使所述基板绕所述旋转轴线旋转的第一旋转工序。
通过该结构，在液滴排出工序中，在基板的上表面形成有机溶剂的液膜。因为与液滴排出工序并行地使基板旋转，所以能够将在基板的上表面形成的液膜薄膜化。因此，因为能够使有机溶剂的液滴到达基板的上表面，所以能够良好地除去附着在基板的上表面的异物。
此外，所述基板处理装置还可以包括第三有机溶剂供给单元，用于向所述基板的上表面供给所述有机溶剂。在该情况下，所述控制单元还可以包括控制所述第三有机溶剂供给单元的单元。所述控制单元可以在所述液滴排出工序之后执行向所述基板的上表面供给所述有机溶剂的后供给工序。
通过该结构，在液滴排出工序之后进行的后供给工序中，向基板的上表面供给有机溶剂。因此，能够用有机溶剂冲洗掉通过液滴排出工序中的物理清洗从基板上表面除去的异物。由此，能够抑制或者防止异物对基板的上表面的再次附着。
此外，所述控制单元与所述后供给工序并行地还可以执行使所述基板以比所述第一旋转工序时高的速度绕所述旋转轴线旋转的第二旋转工序。
通过该结构，因为后供给工序中的基板的旋转速度是与第一旋转工序时相比更高的速度，所以供给到基板的上表面的有机溶剂受到较大的离心力的作用。由此，能够将通过物理清洗从基板上表面除去的异物与有机溶剂一起从基板的侧方甩出。因此，能够抑制或者防止异物残留在基板的上表面。
此外，所述第三有机溶剂供给单元还可以包括所述第一有机溶剂供给单元。在该情况下，所述控制单元还可以向所述二流体喷嘴不供给所述气体而供给所述有机溶剂，从而从该二流体喷嘴以连续流的方式排出所述有机溶剂，来执行所述后供给工序。
通过该结构，通过将向二流体喷嘴的气体供给从供给状态切换为停止状态，能够将从二流体喷嘴排出的有机溶剂从液滴的方式切换为连续流的方式。因为从共同的喷嘴排出在液滴排出工序中使用的有机溶剂与在后供给工序中适用的有机溶剂，所以能够在液滴排出工序中的有机溶剂的供给停止后无延迟地开始后供给工序。即，能够不间断地向基板的上表面供给有机溶剂。由此，能够在从液滴排出工序后向供给工序过渡时，抑制基板的上表面干燥；因此，能够有效地抑制从液滴排出工序后向供给工序过渡时的颗粒的产生。
此外，所述基板处理装置还可以包括：第一保护构件及第二保护构件，包围所述基板保持单元的周围，设置为各自能够独立升降；以及保护构件升降单元，用于使所述第一保护构件及所述第二保护构件单独地升降。在该情况下，所述控制单元还可以包括控制所述升降单元的单元。所述控制单元与所述液滴排出工序并行地还可以使第一保护构件与所述基板的周端面相向；所述控制单元还可以执行干燥工序和相向保护构件变更工序，在所述干燥工序中，向所述基板的上表面不供给所述有机溶剂而使所述基板绕所述旋转轴线旋转，由此使所述基板的上表面干燥，所述相向保护构件变更工序在所述液滴排出工序结束后并且在所述干燥工序执行之前，将与所述基板的周端面相向的保护构件从所述第一保护构件变更为所述第二保护构件。
通过该结构，在通过有机溶剂的液滴物理清洗基板的上表面的液滴排出工序中，存在从基板排出的有机溶剂包括从基板除去的异物的情况。因为在液滴排出工序时第一保护构件与基板的周端面相向，所以存在第一保护构件处附着有包括异物的有机溶剂的可能性。
然而，在执行干燥工序时，并非使存在附着有包括异物的有机溶剂的可能性的第一保护构件，而是使第二保护构件与基板的周端面相向。因此，在执行干燥工序时，能够有效地抑制清洗处理后的基板被在与基板的周端面相向的保护构件上附着的有机溶剂(包括异物的有机溶剂)污染。
此外，所述基板处理装置还可以包括：有机溶剂喷嘴，用于向所述基板的上表面排出所述有机溶剂；第四有机溶剂供给单元，用于向所述有机溶剂喷嘴供给所述有机溶剂；喷嘴移动单元，使所述二流体喷嘴及所述有机溶剂喷嘴一边将所述二流体喷嘴与所述有机溶剂喷嘴的位置关系保持为恒定一边移动，使得所述排出区域的位置在所述基板的上表面内移动。在该情况下，所述控制单元还可以包括控制所述喷嘴移动单元的单元；所述控制单元还可以执行排出区域移动工序和附加有机溶剂供给工序，在所述排出区域移动工序中，使所述排出区域的位置在所述基板的上表面内移动，在所述附加有机溶剂供给工序中，与所述排出区域移动工序并行地向所述排出区域的行进方向的后方位置供给所述有机溶剂。在该情况下，所述附加有机溶剂供给工序也可以不向所述排出区域的行进方向的前方位置供给所述有机溶剂。
通过该结构，即使在排出区域的位置配置在基板的上表面的任意位置的情况下，也在排出区域的位置的附近另外供给有机溶剂。若在液滴排出工序中基板的上表面干燥，则有可能在该干燥的区域中产生颗粒；然而在该结构中，因为在排出区域的位置的附近供给有机溶剂，所以能够防止液滴排出工序中的基板的上表面干燥。
假设向来自二流体喷嘴的有机溶剂的液滴的排出区域的行进方向的前方位置供给有机溶剂，则排出区域中的有机溶剂的液膜变厚。若覆盖排出区域的液膜较厚，则存在伴随着向排出区域中排出有机溶剂的液滴而发生有机溶剂溅起的现象。存在由于有机溶剂的溅起导致该有机溶剂所包括的污染物质向周围飞散而成为产生颗粒的原因的风险。
通过该结构，因为仅向排出区域的行进方向的后方位置供给有机溶剂，所以能够防止基板的上表面的干燥，并且将排出区域中的有机溶剂的液膜保持得较薄。因此，能够抑制向排出区域排出的有机溶剂的溅起。由此，能够更有效地抑制伴随着液滴排出工序的执行而产生颗粒。
此外，本发明提供一种基板处理方法，其特征在于，包括：基板保持工序，将基板水平地保持；液滴排出工序，从二流体喷嘴向所述基板的上表面内的规定排出区域排出有机溶剂与气体混合生成的所述有机溶剂的液滴；液膜形成工序，在所述液滴排出工序之前执行，在所述液膜形成工序中，向所述二流体喷嘴不供给所述气体而供给所述有机溶剂，从而从该二流体喷嘴以连续流的方式排出所述有机溶剂，以在所述基板的上表面形成覆盖所述排出区域的所述有机溶剂的液膜。
通过该方法，从二流体喷嘴向基板的上表面内的排出区域排出有机溶剂的液滴。通过有机溶剂的液滴对基板的上表面进行碰撞，物理除去附着在排出区域中的异物(颗粒等)。由此，能够良好地处理基板的上表面。
此外，在排出有机溶剂的液滴之前，在基板的上表面形成覆盖排出区域的有机溶剂的液膜。因此，从二流体喷嘴排出的有机溶剂的液滴与覆盖排出区域的有机溶剂的液膜发生碰撞。因此，在排出的有机溶剂的液滴的粒径分布不稳定的液滴开始排出时，能够避免有机溶剂的液滴与处于干燥状态的基板的上表面直接碰撞。因此，能够抑制伴随液滴排出工序的执行而产生颗粒。
此外，通过将向二流体喷嘴的气体供给从停止状态切换为供给状态，能够将从二流体喷嘴排出的有机溶剂从连续流的方式切换为液滴的方式。因为从共同的喷嘴排出在液滴排出工序中使用的有机溶剂与在液膜形成工序中使用的有机溶剂，所以能够在液膜形成工序中的有机溶剂的供给停止后无延迟地开始液滴排出工序。即，能够不间断地向基板的上表面供给有机溶剂。由此，能够在从液膜形成工序向液滴排出工序过渡时，抑制基板的上表面干燥；因此，能够有效地抑制从液膜形成工序向液滴排出工序过渡时的颗粒的产生。
通过上述内容，能够抑制颗粒的产生，并且使用来自二流体喷嘴的有机溶剂的液滴良好地处理基板。
此外，所述基板处理方法还可以包括：第一旋转工序，与所述液滴排出工序并行地使所述基板绕所述旋转轴线旋转。
通过该方法，在液滴排出工序中，在基板的上表面形成有机溶剂的液膜。因为与液滴排出工序并行地使基板旋转，所以能够将在基板的上表面形成的液膜薄膜化。因此，因为能够使有机溶剂的液滴到达基板的上表面，所以能够良好地除去附着在基板的上表面的异物。
此外，所述基板处理方法还可以包括：后供给工序，在所述液滴排出工序之后，向所述基板的上表面供给所述有机溶剂。
通过该方法，在液滴排出工序之后进行的后供给工序中，向基板的上表面供给有机溶剂。因此，能够用有机溶剂冲洗掉通过液滴排出工序中的物理清洗从基板上表面除去的异物。由此，能够抑制或者防止异物对基板的上表面的再次附着。
此外，所述基板处理方法也可以进一步包括：第二旋转工序，与所述后供给工序并行地使所述基板以比所述第一旋转工序时高的速度绕所述旋转轴线旋转。
通过该方法，因为后供给工序中的基板的旋转速度是与第一旋转工序时相比更高的速度，所以供给给基板的上表面的有机溶剂受到较大的离心力的作用。由此，能够将通过物理清洗从基板上表面除去的异物与有机溶剂一起从基板的侧方甩出。因此，能够抑制或者防止异物残留在基板的上表面。
所述基板处理方法还可以在所述后供给工序中，向所述二流体喷嘴不供给所述气体而供给所述有机溶剂，从而从该二流体喷嘴以连续流的方式排出所述有机溶剂。
通过该方法，通过将向二流体喷嘴的气体供给从供给状态切换为停止状态，能够将从二流体喷嘴排出的有机溶剂从液滴的方式切换为连续流的方式。因为从共同的喷嘴排出在液滴排出工序中使用的有机溶剂与在后供给工序中适用的有机溶剂，所以能够在液滴排出工序中的有机溶剂的供给停止后无延迟地开始后供给工序。即，能够不间断地向基板的上表面供给有机溶剂。由此，能够在从液滴排出工序后向供给工序过渡时，抑制基板的上表面干燥。因此，能够有效地抑制从液滴排出工序后向供给工序过渡时的颗粒的产生。
所述基板处理方法还可以包括：喷嘴移动工序，与所述液膜形成工序并行地使所述二流体喷嘴移动；在所述液滴排出工序中，也可以将所述液膜形成工序结束时的所述基板的上表面的有机溶剂的附着位置作为所述排出区域，开始排出所述有机溶剂的液滴。
在该情况下，在液滴开始排出时，能够通过有机溶剂的液膜可靠地覆盖排出区域。因此，即使在使二流体喷嘴移动的同时形成液膜的情况下，也能够在液滴开始排出时，可靠地避免有机溶剂的液滴与处于干燥状态的基板的上表面直接碰撞。
在所述液膜形成工序结束时的所述附着位置也可以是所述基板的上表面的周缘部，所述液滴排出工序也可以将所述基板的上表面的周缘部作为所述排出区域开始排出所述有机溶剂的液滴。
此外，所述液滴排出工序可以是在将第一保护构件与所述基板的周端面相向的状态下执行的工序，所述基板处理方法还可以包括：干燥工序，向所述基板的上表面不供给所述有机溶剂而使所述基板绕所述旋转轴线旋转，由此使所述基板的上表面干燥；以及相向保护构件变更工序，在所述液滴排出工序结束后并且在所述干燥工序执行之前，将与所述基板的周端面相向的保护构件从所述第一保护构件变更为与该第一保护构件不同的第二保护构件。
通过该方法，在通过有机溶剂的液滴物理清洗基板的上表面的液滴排出工序中，存在从基板排出的有机溶剂包括从基板除去的异物的情况。因为在液滴排出工序时第一保护构件与基板的周端面相向，所以存在第一保护构件附着有包括异物的有机溶剂的可能性。
然而，在执行干燥工序时，并非使存在附着有包括异物的有机溶剂的可能性的第一保护构件，而是使第二保护构件与基板的周端面相向。因此，在执行干燥工序时，能够有效地抑制清洗处理后的基板被在与基板的周端面相向的保护构件上附着的有机溶剂(包括异物的有机溶剂)污染。
此外，所述基板处理方法还可以包括：排出区域移动工序，使所述排出区域的位置在所述基板的上表面内移动；以及附加有机溶剂供给工序，与所述排出区域移动工序并行地，向所述排出区域的行进方向的后方位置供给所述有机溶剂。在该情况下，所述附加有机溶剂供给工序也可以不向所述排出区域的行进方向的前方位置供给所述有机溶剂。
在该方法中，即使在排出区域的位置配置在基板的上表面的任意位置的情况下，也在排出区域的位置的附近另外供给有机溶剂。若在液滴排出工序中基板的上表面干燥，则存在在该干燥的区域中产生颗粒的风险；然而在该方法中，因为在排出区域的位置的附近供给有机溶剂，所以能够防止液滴排出工序中的基板的上表面的干燥。
假设向来自二流体喷嘴的有机溶剂的液滴的排出区域的行进方向的前方位置供给有机溶剂，则排出区域中的有机溶剂的液膜变厚。若覆盖排出区域的液膜较厚，则存在伴随着向排出区域中排出有机溶剂的液滴而发生有机溶剂溅起的现象。存在由于有机溶剂的溅起导致该有机溶剂所包括的污染物质向周围飞散，从而成为产生颗粒的原因的风险。
通过该方法，因为仅向排出区域的行进方向的后方位置供给有机溶剂，所以能够防止基板的上表面的干燥，并且将排出区域中的有机溶剂的液膜保持得较薄。因此，能够抑制向排出区域排出的有机溶剂的溅起。由此，能够更有效地抑制伴随着液滴排出工序的执行而产生颗粒。
此外，所述基板处理方法还可以包括：第一前准备工序，在上表面配置有SiO2的硅基板作为所述基板准备。
通过该方法，有机溶剂对SiO2的蚀刻力较低。因此，不会过渡地蚀刻配置在基板的上表面的SiO2，能够良好地清洗硅基板的表面。
此外，所述基板处理方法也可以进一步包括：第二前准备工序，将半导体基板作为所述基板准备，所述半导体基板包括由介电常数低于SiO2相的低介电常数材料形成的绝缘膜及配置在所述绝缘膜上的铜布线。
通过该方法，使用有机溶剂作为清洗液来清洗基板的上表面。有机溶剂对铜的氧化能力较低。因此，不会过渡地蚀刻铜布线，能够良好地清洗半导体基板的上表面。
在该情况下，所述有机溶剂也可以具有低表面张力。由于低介电常数材料具有较高的接触角，所以绝缘膜的表面显示出较高的疏水性(疏液性)。然而，通过使用具有低表面张力的有机溶剂作为清洗液，能够良好地润湿具有较高的疏水性的绝缘膜的表面。由此，能够良好地形成覆盖半导体基板的整个上表面区域的有机溶剂的液膜。
本发明的上述的目的或者除此之外的其他的目的、特征及效果可参照附图并通过接下来描述的实施方式的说明更加明确。
附图说明
图1是沿着水平方向观察本发明第一实施方式的基板处理装置的图。
图2A是示意地示出所述基板处理装置所具有的二流体喷嘴的结构的剖面图。
图2B是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
图3是将所述基板处理装置的处理对象即基板的表面附近放大表示的剖面图。
图4A至图4C是将图3所示的基板的制造方法按工序顺序表示的示意剖面图。
图5是用于说明由所述基板处理装置进行的清洗处理的处理例流程图。
图6A至图6B是用于说明所述清洗处理的处理例的示意剖面图。
图6C至图6D是用于说明接着图6B继续进行的工序的示意图。
图6E是用于说明接着图6D继续进行的工序的示意图。
图7A至图7B是示出以实施例为对象的第一清洗试验的试验结果的图。
图8是示出以比较例为对象的第一清洗试验的试验结果的图。
图9是用于说明颗粒模式的示意俯视图。
图10是示出第二清洗试验的试验结果的图。
图11是示出本发明第二实施方式的基板处理装置的一部分的示意图。
图12A至图12B是用于说明本发明第二实施方式的清洗处理的处理例的示意图。
图13是将处理对象即另一基板的表面附近放大表示的剖面图。
图14A至图14C是将图13所示的基板的制造方法按工序顺序表示的示意剖面图。
具体实施方式
图1是沿水平方向看本发明第一实施方式的基板处理装置1的图。图2A是示意地示出基板处理装置1所具有的二流体喷嘴16的结构的剖面图。
基板处理装置1是用于对硅基板61(参照图3)等基板W的器件形成区域侧的主面(上表面)实施清洗处理的单张式装置。基板处理装置1包括：处理室2，其为具有内部空间的箱形；旋转卡盘(基板保持单元)3，其在处理室2内以水平姿态保持一张基板W，使基板W绕经过基板W中心的铅直旋转轴线A1旋转；二流体喷嘴16，其用于向被旋转卡盘3保持的基板W的上表面排出有机溶剂例如IPA液滴；有机溶剂供给单元(第一有机溶剂供给单元)4，其用于向二流体喷嘴16供给IPA；气体供给单元(气体供给单元)80，其用于向二流体喷嘴16供给气体例如氮气；筒状的处理杯5，其包围旋转卡盘3；控制装置(控制单元)7，其控制基板处理装置1所具有的装置的动作和阀的开闭。
处理室2包括：箱状的隔板8；风机过滤单元(FFU：FanFilterUnit)9，其为从隔板8的上部向隔板8内(相当于处理室2内)输送清洁空气的送风单元；排气装置10，其从隔板8的下部排出处理室2内的气体。旋转卡盘3及二流体喷嘴16收容配置在隔板8内。
FFU9配置在隔板8的上方，安装于隔板8的顶板。FFU9从隔板8的顶板向处理室2内输送清洁空气。排气装置10经由与处理杯5内连通的排气管道11与处理杯5的底部连接，从处理杯5的底部对处理杯5的内部进行抽吸。由FFU9和排气装置10在处理室2内形成下降流(downflow)。
作为旋转卡盘3，采用沿水平方向夹持基板W并水平地保持基板W的夹持式卡盘。具体而言，旋转卡盘3包括：旋转马达(基板旋转单元)12、与该旋转马达12的驱动轴构成一体化的旋转轴13及在旋转轴13的上端大致水平地安装的圆板状旋转底座14。
在旋转底座14的上表面的周缘部配置有多个(三个以上。例如六个)夹持构件15。在旋转底座14的上表面的周缘部，沿着与基板W的外周形状对应的圆周隔开适当的间隔配置有多个夹持构件15。
此外，作为旋转卡盘3不限于夹持式结构，例如也可以采用如下真空吸附式结构(真空卡盘)：通过真空吸附基板W的背面，以水平姿态保持基板W，并以该状态使基板W绕铅直旋转轴线进行旋转，由此使被旋转卡盘3保持的基板W旋转。
二流体喷嘴16具有作为扫描喷嘴的基本形态，扫描喷嘴能够变更基板W表面上的IPA供给位置(排出区域D1(参照图6B))。二流体喷嘴16安装于在旋转卡盘3的上方大致水平地延伸的喷嘴臂17的顶端部。喷嘴臂17被在旋转卡盘3的侧方大致铅直地延伸的臂支撑轴18支撑。在臂支撑轴18上结合有摆臂单元(喷嘴移动单元)19。依靠摆臂单元19的驱动力使臂支撑轴18旋转以使喷嘴臂17摆动，由此能够使二流体喷嘴16在旋转卡盘3的上方，沿着基板W的旋转轴线A1与基板W的周缘之间移动。此外，也能够使二流体喷嘴16从旋转卡盘3的上方向旋转卡盘3的侧方的起始位置移动。
有机溶剂供给单元4包括：有机溶剂配管20，其将来自IPA供给源的常温IPA液体向二流体喷嘴16供给；有机溶剂阀21，其对从有机溶剂配管20向二流体喷嘴16进行的IPA的供给及停止供给进行切换；流量调整阀22，其用于调节有机溶剂配管20的开度，从而调整从二流体喷嘴16排出的IPA流量。如后文所述，不仅在IPA液滴排出工序(图5的S4)中，而且在IPA液膜形成工序(图5的S3)及IPA后供给工序(图5的S5)中，都使用从二流体喷嘴16排出的IPA。即，有机溶剂供给单元4和二流体喷嘴16分别实现第二有机溶剂供给单元和第三有机溶剂供给单元。
气体供给单元80包括：第一气体配管23，其供给来自气体供给源的气体；第一气体阀24，其对从第一气体配管23向二流体喷嘴16进行的气体的供给及停止供给进行切换。除了氮气以外，还能够使用惰性气体、干燥空气及清洁空气等作为向二流体喷嘴16供给的气体。
如图2A所示，二流体喷嘴16具有大致圆柱状的外形。二流体喷嘴16包括构成外壳的外筒26与嵌入外筒26内部的内筒27。
外筒26和内筒27同轴配置在共同的中心轴线L上，并且互相连接。内筒27的内部空间成为来自有机溶剂配管20的IPA流通的直线状的有机溶剂流路28。此外，在外筒26与内筒27之间形成有由第一气体配管23供给的气体流通的圆筒状的第一气体流路29。
有机溶剂流路28在内筒27的上端形成有开口的有机溶剂导入口30。经由该有机溶剂导入口30来自有机溶剂配管20的IPA导入有机溶剂流路28。此外，有机溶剂流路28在内筒27的下端形成有中心在中心轴线L上的开口的圆形有机溶剂排出口31。导入有机溶剂流路28的IPA从该有机溶剂排出口31排出。
另一方面，第一气体流路29是具有与中心轴线L共同的中心轴线的圆筒状的间隙，被外筒26和内筒27的上端部堵塞，并且其中心在外筒26和内筒27的下端位于中心轴线L上，作为包围有机溶剂排出口31的圆环状的气体排出口32开口。第一气体流路29的下端部与第一气体流路29的长度方向的中间部相比流路面积小，越靠近下方直径越小。此外，在外筒26的中间部，形成有与第一气体流路29连通的气体导入口33。
在气体导入口33处，以贯穿外筒26的状态连接有第一气体配管23，第一气体配管23的内部空间与第一气体流路29连通。来自第一气体配管23的气体经由该气体导入口33导入第一气体流路29，从气体排出口32排出。
通过打开第一气体阀24使气体从气体排出口32排出，并且打开有机溶剂阀21使IPA从有机溶剂排出口31排出，在二流体喷嘴16的附近使气体与IPA碰撞(混合)，由此能够生成IPA的微小液滴，能够以喷雾状排出IPA。
另一方面，通过关闭第一气体阀24并且打开有机溶剂阀21使IPA从有机溶剂排出口31排出，能够从二流体喷嘴16以连续流的方式排出IPA。下面，将连续流的IPA(有机溶剂)称为“IPA(有机溶剂)的连续流”。
如图1所示，处理杯5包括：筒状壁35，其包围旋转卡盘3，例如呈圆筒状；多个杯36、37(第一及第二杯36、37)，其固定地配置在旋转卡盘3与筒状壁35之间；多个保护构件38、39(第一及第二保护构件38、39)，其用于接收飞散到基板W周围的IPA；保护构件升降单元40，其使各个保护构件38、39独立地升降。处理杯5能够折叠。
筒状壁35包围旋转卡盘3的周围。筒状壁35以能够在其内部储存IPA的方式构成。储存于筒状壁35内的IPA被引导至排液设备(未图示)。此外，在筒状壁35的下端部的圆周方向的规定部位连接有排气管道11的上游端。筒状壁35内的气体经由排气管道11由排气装置10进行排气。
各个杯36、37形成有向上开放的环形的槽。导入第一杯36的IPA经由与槽的底部连接的第一配管(未图示)输送至回收设备(未图示)或者排液设备(未图示)。导入第二杯37的IPA经由与槽的底部连接的第二配管(未图示)输送至回收设备(未图示)或者排液设备(未图示)。由此，用于基板W的处理的IPA被回收处理或者排液处理。
各个保护构件38、39包括：圆筒状的倾斜部41，其朝向旋转轴线A1向斜上方延伸；圆筒状的引导部42，其从倾斜部41的下端向下方延伸。各倾斜部41的上端部构成保护构件38、39的内周部，具有比基板W及旋转底座14大的直径。两个倾斜部41上下重叠，两个引导部42以同轴的方式设置。各个保护构件38、39的引导部42分别能够在对应的杯36、37内进出。保护构件升降单元40通过使两个保护构件38、39中的至少一方升降，进行处理杯5的展开及折叠。在图1中，为了便于说明，示出了处理杯5在旋转轴线A1的右侧与左侧状态不同的情况。
保护构件升降单元40使各保护构件38、39在保护构件的上端位于比基板W更靠近上方的上位置与保护构件的上端位于比基板W更靠近下方的下位置之间升降。保护构件升降单元40能够在从上位置到下位置之间的任意位置保持各保护构件38、39。在任一保护构件38、39与基板W的周端面相向的状态下，进行向基板W供给IPA或者干燥基板W的操作。例如在使内侧的第一保护构件38与基板W的周端面相向的情况下，将保护构件38、39配置在下位置(图1的右侧所示的状态)。此外，在使第二保护构件39与基板W的周端面相向情况下，将第一保护构件38配置在下位置，并且将第二保护构件39配置在上位置(图1的左侧所示的状态)。
如图1所示，基板处理装置1进一步包括气体排出喷嘴6，用于在被旋转卡盘3保持的基板W上方排出气体。气体排出喷嘴6包括：环状的上侧气体排出口44，其在气体排出喷嘴6的侧表面即外周面向外开口；环状的下侧气体排出口45，其在气体排出喷嘴6的侧表面即外周面向外开口；中心气体排出口46，其在气体排出喷嘴6的下表面向下开口。上侧气体排出口44配置在比下侧气体排出口45更靠近上方的位置。中心气体排出口46在比上侧气体排出口44及下侧气体排出口45更靠近下方的位置，配置在比上侧气体排出口44及下侧气体排出口45更靠近内侧(气体排出喷嘴6的中心轴线A2侧)的位置。上侧气体排出口44及下侧气体排出口45是以气体排出喷嘴6的中心轴线A2为中心包围气体排出喷嘴6的整个侧表面的狭缝状的排出口。上侧气体排出口44的外径可以与下侧气体排出口45的外径相等，也可以比下侧气体排出口45的外径大或者比下侧气体排出口45的外径小。
气体排出喷嘴6是与基板W相比直径更小的圆柱状构件。气体排出喷嘴6连接有第二气体配管48与第三气体配管49。在第二及第三气体配管48、49上，分别安装有第二及第三气体阀50、51。来自气体供给源的气体经由第二气体配管48导入气体排出喷嘴6，经由第二气体流路(未图示)供给到上侧气体排出口44及下侧气体排出口45。此外，在第三气体配管49内流动的气体经由第三气体配管49导入气体排出喷嘴6内，经由第三气体流路(未图示)供给到中心气体排出口46。若打开第二气体阀50，则从气体排出口44、45以放射状向气体排出喷嘴6的周围排出气体。若打开第三气体阀51，则从中心气体排出口46向下方排出气体。作为向气体排出喷嘴6供给的气体，虽然例示了氮气但是除此以外，还能够使用惰性气体、干燥空气及清洁空气等。
气体排出喷嘴6结合有气体喷嘴移动单元52。气体喷嘴移动单元52使气体排出喷嘴6绕设置在旋转卡盘3的侧方的铅直摆动轴线(未图示)转动。此外，气体喷嘴移动单元52使气体排出喷嘴6在上下方向上移动。在气体排出喷嘴6位于基板W上方的状态下，若气体喷嘴移动单元52使气体排出喷嘴6升降，则气体排出喷嘴6在基板W上方进行升降，使得基板W与气体排出喷嘴6之间的距离发生变化。例如，气体喷嘴移动单元52使气体排出喷嘴6位于退避位置、上位置(图1所示的位置)及接近位置(图6E所示的位置)中任一位置。退避位置是气体排出喷嘴6退避至旋转卡盘3的侧方的位置，上位置及接近位置是气体排出喷嘴6被配置在基板W的中央部的上方的位置。上位置是接近位置的上方的位置，接近位置是气体排出喷嘴6的下表面与上位置相比更接近基板W的上表面中央部的位置。气体喷嘴移动单元52能够将气体排出喷嘴6保持在从退避位置到上位置之间的任意位置，及从上位置到接近位置之间的任意位置。
图2B是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。控制装置7例如由微型计算机构成。控制装置7具有：CPU等计算单元、固定存储设备、硬盘驱动器等存储单元及输入输出单元。存储单元中存储有计算单元执行的程序。
控制装置7连接有作为控制对象的排气装置10、旋转马达12、摆臂单元19、保护构件升降单元40、气体喷嘴移动单元52、有机溶剂阀21、流量调整阀22、气体阀24和第二及第三气体阀50、51。控制装置7根据预定的程序控制排气装置10、旋转马达12、摆臂单元19、保护构件升降单元40及气体喷嘴移动单元52等的动作。进而，控制装置7根据预定的程序控制有机溶剂阀21、流量调整阀22、气体阀24和第二及第三气体阀50、51等的开闭动作等。
图3是将基板处理装置1的处理对象即基板W的表面附近放大表示的剖面图。
处理对象的基板W是成为MOFFET的基体的处理对象，包括硅基板61。在硅基板61的表层部，从其表面向下凹陷形成有沟槽62。在图3的左右方向上彼此隔开一定的间隔形成有多个沟槽62，分别在与图3的纸面正交的方向上延伸。在各个沟槽62中埋设有SiO263(二氧化硅)。SiO263形成元件分离部64，该元件分离部64将元件形成区域和除元件形成区域以外的区域绝缘。元件分离部64具有用绝缘材料(SiO263)填埋沟槽62的STI结构。SiO263的表面与硅基板61的表面大致共面。
图4A至图4C是将基板W的制造方法按工序顺序表示的示意剖面图。如图4A所示，首先，在硅基板61的表层部，通过反应性离子蚀刻形成有沟槽62。接着，如图4B所示，通过减压化学气相沉积(CVD：ChemicalVaporDeposition)法，在硅基板61的上表面及各沟槽62内形成SiO2膜65。如图4B所示，SiO2膜65将沟槽62内填满，在沟槽62外的硅基板61上也形成有SiO2膜65。
接着，通过化学机械抛光(CMP：ChemicalMechanicalPolishing)法选择性地除去SiO2膜65中各个沟槽62外的部分。由此，如图4C所示，使SiO2膜65的表面与硅基板61的表面大致共面而成为平坦面，形成元件分离部64(第一前准备工序)。
因为通过CMP法对SiO2膜65进行抛光而形成元件分离部64，所以在刚制造后的基板W的表层部存在SiO2切屑(slurry)等颗粒66。为了将SiO2的切屑等颗粒66从基板W除去，基板处理装置1对基板W实施清洗处理。
在这样的清洗处理中，可以考虑使用SC1(ammonia-hydrogenperoxidemixture，氨水和双氧水混合液)作为清洗液。然而，若使用SC1清洗基板W的表面，则可能存在由SiO2形成的元件分离部64被过度地蚀刻而元件分离部64的表面凹陷的情况。在该情况下，不仅元件分离部64的元件分离特性变差，而且还存在制造MOFFET后该MOSFET的平坦性变差的风险。
对此，在本实施方式的清洗处理中，作为清洗液使用IPA清洗基板W的表面(上表面)。IPA对SiO2的蚀刻力较低。因此，不会过度地蚀刻由SiO2形成的元件分离部64，能够良好地清洗基板W的表面(上表面)。
图5是用于说明由基板处理装置1进行的清洗处理的处理例的流程图。图6A至图6E是用于说明所述清洗处理的处理例的示意图。
下面，参照图1、图3及图5说明清洗处理的一个例子。可适当参照图6A至图6E。
在由基板处理装置1对基板W施加清洗处理时，向处理室2的内部搬入经CMP除去SiO2膜65(参照图4B)后的基板W(图4C所示的状态)(图5的步骤S1)。具体而言，在所有喷嘴从旋转卡盘3的上方退避，并且第一及第二保护构件38、39被降低至下位置，此外第一及第二保护构件38、39的上端都被配置在比旋转卡盘3对基板W的保持位置更靠近下方的状态下，控制装置7使保持着基板W的基板搬送机器人(未图示)的机械手(未图示)进入处理室2的内部。由此，在基板W的成为处理对象的主面朝向上方的状态下将基板W交付给旋转卡盘3，被旋转卡盘3保持(基板保持工序)。
然后，控制装置7控制保护构件升降单元40，使第一及第二保护构件38、39双方上升至上位置，使第一保护构件38与基板W的周端面相向。
控制装置7利用旋转马达12使基板W开始旋转(图5的步骤S2)。使基板W的旋转速度上升至预定的第一高旋转速度(例如约1000rpm，并将旋转速度保持在该第一高旋转速度。
当基板W的旋转速度达到第一高旋转速度时，接着，如图6A所示，控制装置7进行在基板W的上表面形成IPA液膜的IPA液膜形成工序(液膜形成工序。图5的步骤S3。)。具体而言，控制装置7通过控制摆臂单元19，使二流体喷嘴16从退避至旋转卡盘3的侧方的起始位置，移动至排出的IPA附着在基板W的上表面中央部的中央位置(在图6A中用实线表示的位置)，并使该二流体喷嘴16静止在中央位置。二流体喷嘴16被配置在中央位置之后，控制装置7关闭第一气体阀24并且打开有机溶剂阀21。由此，从二流体喷嘴16排出IPA连续流。通过由流量调整阀22对有机溶剂配管20开度进行调节，来自二流体喷嘴16的IPA排出流量设定为低流量(例如0.1L/min)。此外，从基板W开始旋转到开始排出IPA的期间例如约为2.5s。
如图6A所示，从二流体喷嘴16排出的IPA附着在以第一高旋转速度旋转的基板W的上表面之后，由于受到基板W旋转引起的离心力而沿着基板W的上表面向外侧流动。因此，将IPA供给至基板W的整个上表面区域，在基板W上形成覆盖基板W的整个上表面区域的IPA液膜。在基板W的上表面流动并且到达周缘部的IPA从基板W的周缘部向基板W的侧方飞散。
如图6A所示，从基板W的周缘部飞散的IPA被第一保护构件38的内壁挡住。然后，沿着第一保护构件38的内壁流下的IPA由第一杯36接收并收集在第一杯36的底部。收集到第一杯36的底部的IPA经由第一配管(未图示)输送至回收设备(未图示)或者排液设备(未图示)。
从开始排出IPA起经过了预定的期间时，控制装置7控制旋转马达12，使基板W的旋转速度减速至液体处理速度(例如约400rpm)，并维持在该液体处理速度。之后，控制装置7持续从二流体喷嘴16排出IPA(将IPA的排出流量维持原样)，并且控制摆臂单元19，使二流体喷嘴16朝向从二流体喷嘴16排出的IPA附着在基板W的上表面周缘部的周缘位置(在图6B中用实线表示的位置)移动，并将所述二流体喷嘴16配置在该周缘位置。由此，IPA液膜形成工序S3结束。IPA液膜形成工序S3的处理期间例如约为5～6s。
此外，在IPA液膜形成工序S3结束之前，之所以使基板W的旋转速度减速至液体处理速度，是因为若使基板W维持第一高旋转速度的旋转，则可能存在供给到基板W的上表面的IPA挥发导致基板W的上表面变干燥的问题，这将成为产生颗粒的原因。
如图6B所示，二流体喷嘴16配置在周缘位置之后，进行从二流体喷嘴16向基板W的上表面排出IPA液滴的IPA液滴排出工序(液滴排出工序。第一旋转工序。图5的步骤S4。)。具体而言，控制装置7持续排出IPA(将IPA的排出流量维持原样)，并且打开第一气体阀24。由此，向二流体喷嘴16同时供给IPA及气体例如氮气，供给到的IPA及氮气在二流体喷嘴16外部的排出口(有机溶剂排出口31(参照图2A))附近混合。由此，形成IPA的微小液滴的喷流，从二流体喷嘴16排出IPA液滴的喷流。因此，在基板W的上表面形成圆形的排出区域D1，排出区域D1的位置配置在基板W的周缘部。
因为向基板W的排出区域D1被吹送二流体喷嘴16的大量IPA液滴，所以通过IPA液滴的碰撞，能够对附着在排出区域D1的异物(颗粒等)进行物理除去(物理清洗)。此外，因为在基板W的整个上表面区域被液膜覆盖的状态下，IPA液滴被吹送至排出区域D1，所以抑制或防止异物对基板W的再次附着。
此外，在排出IPA液滴之前，在基板W的上表面形成覆盖排出区域D1的IPA液膜。因此，在开始排出IPA液滴时，从二流体喷嘴16排出的IPA液滴与覆盖排出区域D1的IPA液膜发生碰撞。即，避免了在开始排出IPA液滴时IPA液滴与处于干燥状态的基板W的上表面直接碰撞。
此外，通过持续向二流体喷嘴16供给IPA，并且将向二流体喷嘴16的气体供给从停止状态切换为供给状态，能够将从二流体喷嘴16排出的IPA，从连续流的方式切换为液滴的方式。即，在IPA液膜形成工序S3中，从二流体喷嘴16排出向基板W的上表面供给的IPA。
此外，与从二流体喷嘴16排出IPA液滴的喷流并行地，控制装置7控制摆臂单元19，使二流体喷嘴16在所述中央位置与所述周缘位置之间水平地往复移动。具体而言，首先，使配置在周缘位置的二流体喷嘴16向中央位置移动。由此，使排出区域D1的位置被IPA液膜覆盖，同时使该排出区域D1的位置在基板W的上表面向旋转轴线A1移动。
当二流体喷嘴16到达中央位置时，控制装置7控制摆臂单元19，使喷嘴臂17的摆动方向反转。因此，二流体喷嘴16开始从中央位置向周缘位置移动。由此，排出区域D1的位置被IPA液膜覆盖，同时使该排出区域D1的位置在基板W的上表面向基板W的周缘部移动。当二流体喷嘴16到达周缘位置时，控制装置7控制摆臂单元19，使喷嘴臂17的摆动方向反转。由此，排出区域D1的位置在基板W的上表面向旋转轴线A1移动。如此，排出区域D1的位置在基板W的周缘部与基板W的中央部之间往复移动。
因为使基板W旋转的同时使二流体喷嘴16在中央位置与周缘位置之间移动，所以基板W的上表面被排出区域D1扫描，排出区域D1的位置通过基板W的整个上表面区域。因此，从二流体喷嘴16排出的IPA被供给到基板W的整个上表面区域，基板W的整个上表面区域被均匀地处理。供给到基板W的上表面的IPA从基板W的周缘部向基板W的侧方飞散。
此外，二流体喷嘴16的移动速度(即，排出区域D1的扫描速度)设定为例如约30～80mm/s。
如图6B所示，从基板W的周缘部飞散的IPA被第一保护构件38的内壁挡住。然后，沿着第一保护构件38的内壁流下的IPA由第一杯36接收并收集在第一杯36的底部。收集到第一杯36的底部的IPA经由第一配管(未图示)输送至回收设备(未图示)或者排液设备(未图示)。
对二流体喷嘴16供给气体开始经过了预定的期间时，控制装置7控制旋转马达12，使基板W的旋转速度加速至预定的第二高旋转速度(例如约1000rpm)，之后维持该第二高旋转速度。此外，控制装置7持续排出IPA并且控制摆臂单元19使二流体喷嘴16向中央位置移动，使所述二流体喷嘴16配置在该中央位置。由此，IPA液滴排出工序S4结束。IPA液滴排出工序S4的处理期间例如约为8～96s。
如图6C所示，二流体喷嘴16配置在中央位置之后，进行将IPA的连续流向基板W的上表面供给的IPA后供给工序(后供给工序。第二旋转工序。图5的步骤S5。)。具体而言，控制装置7关闭之前一直打开着的第一气体阀24。由此，对二流体喷嘴16停止供给气体，从二流体喷嘴16排出IPA的连续流(IPA的排出流量为0.1L/min)。通过持续向二流体喷嘴16供给IPA，并且将向二流体喷嘴16的气体供给从供给状态切换为停止状态，能够将从二流体喷嘴排出的IPA从液滴的方式切换为连续流的方式。
从二流体喷嘴16排出的IPA的连续流附着在以第二高旋转速度旋转的基板W的上表面之后，由于受到基板W的旋转引起的远心力，沿着基板W的上表面向外侧流动。因此，IPA供给至基板W的整个上表面区域，如图6C所示，在基板W上形成覆盖基板W的整个上表面区域的IPA液膜。在基板W的上表面流动并且到达周缘部的IPA，从基板W的周缘部向基板W的侧方飞散。在IPA后供给工序S5中，利用IPA冲洗在IPA液滴排出工序S4中通过物理清洗从基板W上表面除去的异物。
此外，在IPA后供给工序S5中IPA液膜形成在基板W的上表面，所以在干燥工序S7之前，能够使形成在基板W的上表面的IPA液膜的平整化。
如图6C所示，从基板W的周缘部飞散的IPA被第一保护构件38的内壁挡住。然后，沿着第一保护构件38的内壁流下的IPA由第一杯36接收并收集在第一杯36的底部。收集到第一杯36的底部的IPA经由第一配管(未图示)输送至回收设备(未图示)或者排液设备(未图示)。
从开始排出IPA起经过了预定的期间时，控制装置7控制旋转马达12，使基板W的旋转速度减速至中旋转速度(例如约500rpm)，并维持在该中旋转速度。之后，控制装置7控制有机溶剂阀21，停止从二流体喷嘴16排出IPA，并且控制摆臂单元19，使二流体喷嘴16从中央位置(处理位置)退避至起始位置。通过停止从二流体喷嘴16排出IPA，结束IPA后供给工序S5。IPA后供给工序S5的处理期间例如约为5～6s。
此外，在IPA后供给工序S5结束之前，之所以使基板W的旋转速度减速至中旋转速度，是因为若使基板W维持第二高旋转速度继续旋转，则存在供给到基板W的上表面的IPA挥发导致基板W的上表面变干燥的问题，这将成为产生颗粒的原因。
在停止从二流体喷嘴16排出IPA之后，控制装置7控制旋转马达12，使以中旋转速度旋转的基板W减速至低旋转速度(例如约10rpm)，并维持在该低旋转速度。该低旋转速度也可以为零(即，停止旋转)。
在基板W的旋转速度达到低旋转速度之后，如图6D所示，控制装置7将基板W的旋转速度维持在该低旋转速度，并且控制保护构件升降单元40，使第二保护构件39维持在上位置并且使第一保护构件38从上位置下降至下位置，使第二保护构件39与基板W的周端面相向。即，将与基板W的周端面相向的保护构件从第一保护构件38切换(变更)为第二保护构件39(图5的步骤S6：相向保护构件变更工序)。
如图6E所示，在第二保护构件39与基板W的周端面相向配置之后，控制装置7执行干燥工序(图5的步骤S7)。
具体而言，控制装置7控制旋转马达12，使基板W的旋转速度从低旋转速度上升。此外，控制装置7控制气体喷嘴移动单元52，使气体排出喷嘴6从上位置移动至接近位置。气体排出喷嘴6配置在接近位置之后，控制装置7打开第二气体阀50及第三气体阀51，使气体例如氮气从三个气体排出口(上侧气体排出口44、下侧气体排出口45及中心气体排出口46)排出。由此，在基板W上方形成沿上下方向重叠的三个环状气流，基板W的上表面被该三个环状气流保护。
控制装置7在使氮气开始从气体排出喷嘴6的三个气体排出口44、45、46排出之后，控制旋转马达12，使基板W以预定的干燥速度(例如约1000rpm)旋转。由此，基板W上的IPA向外侧甩出，基板W逐渐干燥。此外，因为在基板W的上表面被三个环状气流覆盖的状态下进行基板W的干燥，所以能够抑制或者防止在处理室2内浮游的颗粒等异物或IPA雾在干燥工序S7中附着在基板W上。
如图6E所示，在干燥工序S7中从基板W的周缘部飞散的IPA液滴被第二保护构件39的内壁挡住。然后，沿着第二保护构件39的内壁流下的IPA由第二杯37接收并收集在第二杯37的底部。收集到第二杯37的底部的IPA经由第二配管(未图示)输送至回收设备(未图示)或者排液设备(未图示)。
在预定的期间(例如12s)进行了干燥工序S7时，控制装置7驱动旋转马达12，使旋转卡盘3的旋转(基板W的旋转)停止(图5的步骤S8)。此外，控制装置7在使旋转卡盘3对基板W的旋转停止之后，关闭第二气体阀50及第三气体阀51，停止从三个气体排出口44、45、46排出气体。然后，控制装置7在停止从三个气体排出口44、45、46排出气体之后，控制气体喷嘴移动单元52，使气体排出喷嘴6退避至旋转卡盘3的周围。
由此，结束对一张基板W的清洗处理，控制装置7与搬入基板W时同样地将处理完的基板W通过搬送机器人从处理室2内搬出(图5的步骤S9)。
接着，说明第一及第二清洗试验。
在第一及第二清洗试验中，对试样实施接下来描述的实施例的基板处理方法(清洗处理)。
实施例：采用裸硅基板W(外径300mm)作为试样，采用IPA作为有机溶剂。对于被旋转卡盘3(参照图1)保持且处于旋转状态的该试样，使用基板处理装置1执行了上述图5至图6E所示的清洗处理的处理例。
此外，在第一清洗试验中，对试样实施接下来描述的比较例的基板处理方法(清洗处理)。
比较例：采用裸硅基板W(外径300mm)作为试样，采用IPA作为有机溶剂。对于被旋转卡盘3(参照图1)保持且处于旋转状态的该试样，使用基板处理装置1实施了清洗处理。比较例的清洗处理在废除了IPA液膜形成工序(图5的S3)及IPA后供给工序(图5的S5)双方这一方面上，与上述图5、图6B、图6D、6E所示的清洗处理的处理例不同，在其他方面上与上述清洗处理的处理例相同。
＜第一清洗试验＞
在实施例中，测量了清洗处理后的基板W表面上的颗粒的分布及个数。进行两次该清洗试验，将以实施例为对象的第一清洗试验的试验结果分别在图7A、图7B中表示。
在图7A所示的清洗试验后的基板W的表面，存在47个26nm以上的颗粒。进行试验前的基板W表面上的颗粒个数为46个，与之相比增加了一个，但是处于测量误差范围内。因此，可以认为在清洗试验的前后，基板W表面上的颗粒个数没有发生实质上的増减。
此外，在图7B所示的清洗试验后的基板W的表面上，存在32个26nm以上的颗粒。进行清洗试验前的基板W表面上的颗粒个数为25个，与之相比增加了7个，但是处于测量误差范围内。因此，可以认为在清洗试验的前后，基板W表面上的颗粒个数没有发生实质上的増减。
从以上可知，在实施了IPA液膜形成工序(图5的S3)及IPA后供给工序(图5的S5)双方的情况下，能够有效地抑制在IPA液滴排出工序(图5的S4)中产生的颗粒残留在基板W上。
另一方面，在比较例中，测量了清洗处理后的基板W表面商的颗粒的分布及个数。在图8中示出以比较例为对象的第一清洗试验的试验结果。在图8中，示出了颗粒的分布的测量结果。在图8中出现的白色部分为颗粒。在清洗处理后的基板W表面上，存在约45000个以上的颗粒。由此可知，在不进行IPA液膜形成工序(图5的S3)及IPA后供给工序(图5的S5)的情况下，在IPA液滴排出工序(图5的S4)中产生的颗粒的大多数残留在基板W的表面上。
接着，说明颗粒的分布。在图7A及图7B的实施例中，在清洗试验后的基板W上未观察到特别的颗粒的偏差。对此，在图8的比较例中，特别在基板W的周缘部观察到以双层环状的方式产生的大量的颗粒的图案。可以认为，在IPA液滴排出工序(图5的S4)之前未实施IPA液膜形成工序(图5的S3)是在基板W的周缘部产生了颗粒图案的原因。即，在IPA液滴排出工序(图5的S4)中，二流体喷嘴16从基板W的周缘部开始扫描基板W。二流体喷嘴16刚开始进行排出后的IPA液滴的粒径出现较大偏差。已知若使粒径的偏差较大的IPA液滴的喷流与基板W表面碰撞，则清洗后的基板W的颗粒特性发生恶化。在图7A及图7B的实施例中，因为在IPA液滴排出工序(图5的S4)之前实施了IPA液膜形成工序(图5的S3)，所以IPA液滴的喷流并未直接碰撞基板W的表面，而是经由IPA液膜碰撞基板W的表面。因此，在基板W的周缘部(即，刚开始排出后的IPA液滴的喷流所指向的部位)的颗粒特性良好。对此，在图8的比较例中，不实施IPA液膜形成工序(图5的S3)，粒径偏差较大的IPA液滴的喷流以不经由IPA液膜的方式碰撞基板W的表面。因此，在基板W的周缘部颗粒特性发生恶化。
进而，可以认为，在图8中，在基板W的周缘部颗粒以双层环状显示是因为在基板W上表面的圆形排出区域D1(参照图6B)，与向排出区域D1的中央部供给大量的液滴的情况相对，向排出区域D1的外周部仅供给少量的液滴。因此，在排出区域D1的外周部，IPA液滴的粒径容易出现显著的偏差，容易产生颗粒。可以认为这是产生双层环状的重要原因。
＜第二清洗试验＞
随着基板W的旋转速度的上升，IPA液滴排出工序(图5的S4)中的IPA液膜变薄，IPA的喷流液滴直接作用于基板W的上表面。此外，随着基板W的旋转速度的上升，在排出区域D1(参照图6B)的轨迹之间不产生间隙，排出区域D1扫描基板W的所有区域。因此，随着基板W的旋转速度的上升，清洗处理的除去性能变高。
另一方面，随着基板W的旋转速度变高，在基板W的上表面的中央部稍微产生颗粒(在下面，将该状态称为“颗粒模式”)。图9是用于说明颗粒模式的示意俯视图。若基板W的旋转速度较高，则向基板W供给的IPA受到离心力的作用，向基板W的周缘部移动。特别是，在排出区域D1(参照图6B)配置在基板W的周缘部的状态下，存在基板W的上表面的中央部干燥的情况。可以认为该基板W的中央部的干燥引起了一些颗粒的产生(颗粒模式变得显著)。
在第二清洗试验中，在实施例中，使IPA液滴排出工序(图5的S4)中的基板W的旋转速度在300rpm、400rpm、500rpm及1000rpm之间变化。然后，分别通过肉眼观察清洗处理后的基板W的表面的清洁度(清洗处理的除去性能(清洗性能))及清洗处理后的基板W的颗粒模式是否产生。此外，同时也测量了清洗处理后的基板W的面上的大小在26nm以上的颗粒数。
在图10中表示第二清洗试验的试验结果。在图10中，示出了实施例中的基板W的旋转速度与清洗处理后的颗粒模式的产生及清洗处理的除去性能之间的关系。对于颗粒模式是否产生，将未产生颗粒模式的情况表示为“良好”，将颗粒模式产生的情况表示为“不足”。此外，对于基板W的清洁度(清洗处理的除去性能(清洗性能))，将清洁度好的情况表示为“良好”，将不良的情况表示为“不足”。此外，将在清洗处理后在基板W表面的中央部产生的颗粒个数写在括号内。
由图10可知，在IPA液滴排出工序(图5的S4)中的基板W的旋转速度在300rpm以下的情况下，清洗处理的除去性能较低。其原因之一可以认为是，基板W的液膜变得过厚，结果，在IPA液滴排出工序(图5的S4)中，充足的IPA液滴并未到达基板W的上表面。此外，其他原因可以认为是相对于排出区域D1的移动速度，基板W的旋转速度过慢，在排出区域D1(参照图6B)的轨迹之间产生间隙，结果排出区域D1不能扫描基板W的所有区域。
由图10可知，在IPA液滴排出工序S4中基板W的旋转速度在500rpm以上的情况下，颗粒模式产生。
通过上述内容可知，在基板W的旋转速度超过300rpm小于500rpm的情况(特别是在约400rpm的情况)下，清洗处理的除去性能较高，并且能够抑制颗粒模式的产生。
如上所述，通过第一实施方式，从二流体喷嘴16向基板W的上表面内的排出区域D1排出IPA液滴。通过IPA液滴对基板W的上表面的碰撞，对附着在排出区域D1的异物(颗粒等)进行物理除去。由此，能够良好地清洗基板W的上表面。
此外，在排出IPA液滴之前，形成覆盖基板W的上表面内的排出区域D1的IPA液膜。因此，从二流体喷嘴16排出的IPA液滴与覆盖排出区域D1的IPA液膜发生碰撞。因此，能够避免在从二流体喷嘴16排出的IPA液滴的粒径分布不稳定的IPA液滴开始排出时，IPA液滴与处于干燥状态下的基板W的上表面直接碰撞。因此，能够抑制伴随执行IPA液滴排出工序S4而产生颗粒。
通过上述内容，不仅能够抑制颗粒的产生，并且利用来自二流体喷嘴16的IPA液滴良好地处理基板W的上表面。
此外，因为IPA液膜保护基板W的上表面内的排出区域D1，所以能够将伴随着供给IPA的喷流液滴而引起的基板W的损伤抑制在最低程度。
如前所述，通过将基板W的旋转数设定为400rpm，并且将来自二流体喷嘴16的IPA的排出流量设定为较低的0.1L/min，能够将基板W上表面的IPA液膜的厚度保持得较薄。由此，能够提高使用了IPA的清洗处理的颗粒除去性能。而且，在该条件下，能够有效地抑制伴随执行IPA液滴排出工序S4而产生颗粒(颗粒模式的产生)。
此外，在IPA液膜形成工序S3中，从二流体喷嘴16排出向基板W上表面供给的IPA。
假设除二流体喷嘴16之外另行设置液膜形成喷嘴(未图示)，并在IPA液膜形成工序S3中从液膜形成喷嘴排出向基板W上表面供给的IPA，则IPA液膜形成工序S3的执行结束后，为了移动二流体喷嘴16、液膜形成喷嘴等，直到从二流体喷嘴16开始排出IPA(开始IPA液滴排出工序S4)为止需要等待时间，有可能在该等待时间内基板W上表面干燥。
对此，在第一实施方式的IPA液膜形成工序S3中，使向基板W上表面供给的IPA从二流体喷嘴16排出。因此，在从IPA液膜形成工序S3过渡到IPA液滴排出工序S4时，能够不间断地向基板W上表面供给IPA。由此，在从IPA液膜形成工序S3向IPA液滴排出工序S4过渡时，能够抑制基板W上表面干燥。因此，能够有效地抑制从IPA液膜形成工序S3向IPA液滴排出工序S4过渡时颗粒的产生。
此外，在IPA液滴排出工序S4之后进行的IPA后供给工序S5中，向基板W的上表面供给IPA的连续流。因此，能够用IPA冲洗在IPA液滴排出工序S4中通过物理清洗从基板W上表面除去的异物，由此，能够抑制或者防止异物再次附着在基板W的上表面。
此外，因为IPA后供给工序S5中的基板W的旋转速度与IPA液滴排出工序S4时相比更高(第二高旋转速度)，所以供给到基板W上表面的IPA受到较大的离心力的作用。由此，能够将通过物理清洗从基板W的上表面除去的异物与IPA一起从基板W的侧方甩出，因此，能够抑制或者防止异物残留在基板W的上表面。
此外，在IPA后供给工序S5中，从二流体喷嘴16排出向基板W上表面供给的IPA。
假设除了二流体喷嘴16外另行设置后供给喷嘴(未图示)，并在IPA后供给工序S5中，从后供给喷嘴排出向基板W上表面供给的IPA，则在IPA液滴排出工序S4的执行结束后，为了移动二流体喷嘴16、后供给喷嘴等，直到从后供给喷嘴开始排出IPA(开始IPA后供给工序S5)为止需要等待时间，有可能在该等待时间内基板W的上表面干燥。
对此，在第一实施方式的IPA后供给工序S5中，使向基板W上表面供给的IPA从二流体喷嘴16排出。因此，在从IPA液滴排出工序S4向IPA后供给工序S5过渡时，能够不间断地向基板W的上表面供给IPA，由此，在从IPA液滴排出工序S4向IPA后供给工序S5过渡时，能够有效地抑制基板W上表面的干燥。因此，能够有效地抑制从IPA液滴排出工序S4向IPA后供给工序S5过渡时颗粒的产生。
此外，在利用IPA液滴来物理清洗基板W上表面的IPA液滴排出工序S4中，从基板W排出的IPA包括从基板W除去的异物。因为在IPA液滴排出工序S4中第一保护构件38与基板W的周端面相向，所以在第一保护构件38上附着有包括异物的IPA。
在执行第一实施方式的干燥工序S7时，并非使附着有包括异物的IPA的第一保护构件38，而是使第二保护构件39与基板W的周端面相向。因此，在执行干燥工序S7时，能够有效地抑制清洗处理后的基板W被在与基板W的周端面相向的保护构件上附着的IPA污染。由此，能够更加有效地抑制颗粒的产生，并且能够利用来自二流体喷嘴16的IPA液滴良好地处理基板W。
图11是示意地示出本发明第二实施方式的基板处理装置101的一部分的图。图12A、图12B是用于说明本发明第二实施方式的清洗处理所包括的IPA液滴排出工序S4的示意图。
在图11及图12A、图12B中，对与第一实施方式中示出的各部对应的部分，标注与图1至图10的各部相同的附图标记，并省略对其的说明。
第二实施方式的基板处理装置101与第一实施方式的基板处理装置1的区别点在于，除了具有有机溶剂供给单元4之外，还具有附加有机溶剂供给单元(第四有机溶剂供给单元)102。
附加有机溶剂供给单元102包括由直喷嘴构成的有机溶剂喷嘴103。有机溶剂喷嘴103是以连续流的方式排出IPA的喷嘴，安装于喷嘴臂17。因此，若为了使排出区域D1(参照图12A、12B)的位置移动而使喷嘴臂17摆动，则二流体喷嘴16及有机溶剂喷嘴103在将二流体喷嘴16与有机溶剂喷嘴103的位置关系保持恒定的同时移动。以基板W上表面的IPA的供给区域Su1位于排出区域D1的半径方向外侧的方式，有机溶剂喷嘴103安装于喷嘴臂17。
附加有机溶剂供给单元102包括：附加有机溶剂配管104，其将来自IPA供给源的IPA引导至有机溶剂喷嘴103；附加有机溶剂阀105，其开闭附加有机溶剂配管104。若打开附加有机溶剂阀105，则来自IPA供给源的常温的IPA液体经由附加有机溶剂配管104供给到有机溶剂喷嘴103。由此，从有机溶剂喷嘴103排出IPA的连续流。
在第二实施方式中，如图2B中的双点划线所示，在第一实施方式的说明(参照图2B)的基础上，作为控制装置7的控制对象进一步连接有附加有机溶剂阀105。控制装置7根据预定的程序，控制附加有机溶剂阀105等的开闭动作等。
在第二实施方式的清洗处理中，执行与第一实施方式的清洗处理(图5所示的清洗处理)同样的清洗处理。在IPA液滴排出工序S4中，与来自二流体喷嘴16的IPA液滴的排出并行地进行来自有机溶剂喷嘴103的IPA的连续流排出。在这一方面，与第一实施方式的IPA液滴排出工序S4不同。下面，说明不同点。
在IPA液滴排出工序S4中，控制装置7控制摆臂单元19，使排出IPA液滴喷流的二流体喷嘴16在所述中央位置与所述周缘位置之间水平地往复移动，使得排出区域D1的位置在基板W的中央部与基板W的周缘部之间移动(排出区域移动工序)。与此相伴，有机溶剂喷嘴103也水平地往复移动。
如图12A所示，在使二流体喷嘴16从周缘位置向中央位置移动的情况下，控制装置7打开附加有机溶剂阀105，使IPA的连续流从有机溶剂喷嘴103排出(附加有机溶剂供给工序)。由此，在基板W的上表面，向排出区域D1的行进方向的后方位置供给IPA的连续流。另一方面，如图12B所示，在使二流体喷嘴16从中央位置向周缘位置移动的情况下，控制装置7关闭附加有机溶剂阀105，从有机溶剂喷嘴103不排出IPA。
换言之，在供给区域Su1位于排出区域D1的行进方向的后方的情况下，从有机溶剂喷嘴103排出IPA的连续流，而在IPA的供给区域Su1位于排出区域D1的行进方向的前方的情况下，从有机溶剂喷嘴103不排出IPA。
在第二实施方式中，即使在排出区域D1的位置配置在基板W上表面的任意位置的情况下，也在排出区域D1的位置的附近另外供给IPA。若在IPA液滴排出工序S4中基板W的上表面干燥，则有可能在该干燥的区域中产生颗粒。然而，因为在排出区域D1的位置的附近供给IPA，所以能够防止IPA液滴排出工序S4中的基板W上表面干燥。
假设在排出区域D1的行进方向的前方位置配置有IPA的供给区域Su1，则排出区域D1中的IPA液膜变厚。若覆盖排出区域D1的液膜较厚，则有可能伴随着向排出区域排出IPA液滴而发生IPA的溅起。由于IPA的溅起导致该IPA所包括的污染物质向周围飞散，成为产生颗粒的原因。
在第二实施方式中，因为仅向排出区域D1的行进方向的后方位置供给IPA，所以能够防止基板W上表面干燥，并且能够将排出区域D1中的IPA液膜保持得较薄。因此，能够抑制向排出区域D1排出的IPA的溅起。由此，能够更有效地抑制伴随着执行IPA液滴排出工序S4而产生颗粒。
以上，虽然说明了本发明的两个实施方式，但是也可以以其他方式实施本发明。
例如，在第二实施方式中，也可以以基板W上表面的IPA的供给区域Su1位于排出区域D1的半径方向内侧的方式，有机溶剂喷嘴103安装于喷嘴臂17。在该情况下，在二流体喷嘴16从中央位置向周缘位置移动的情况下，从有机溶剂喷嘴103排出IPA的连续流。另一方面，在二流体喷嘴16从周缘位置向中央位置移动的情况下，从有机溶剂喷嘴103不排出IPA。换言之，在供给区域Su1位于排出区域D1的行进方向的后方的情况下，从有机溶剂喷嘴103排出IPA的连续流，而在IPA的供给区域Su1位于排出区域D1的行进方向的前方的情况下，从有机溶剂喷嘴103不排出IPA。在该情况下，起到与第二实施方式的情况相同的作用效果。
此外，在第一及第二实施方式中，将在硅基板61(参照图3)的表面配置有SiO263的基板W作为处理对象。代替该基板W，可以将接下来描述的基板W1作为基板处理装置1、101的处理对象。
图13是将基板处理装置1、101的处理对象即基板W1的表面附近放大表示的剖面图。
作为处理对象的基板W1是构成具有铜布线的多层布线结构的半导体装置的基体的基板，在其表层部形成有Low-k(与SiO2相比相对介电常数较小的低介电常数材料。更优选为ULK(UltraLow-k))膜形成的绝缘膜71。绝缘膜71作为绝缘层发挥作用。在绝缘膜71上，从其表面向下凹陷形成有布线用沟槽72。在图13中的左右方向上彼此隔开一定的间隔形成有多个布线用沟槽72，分别在与图13的纸面正交的方向上延伸。在各布线用沟槽72中埋设有铜布线73。铜布线73的表面与绝缘膜71的表面大致共面。
图14A至图14C是将基板W1的制造方法按工序顺序表示的示意剖面图。
首先，在半导体基板上，通过CVD法形成绝缘膜71。之后，如图14A所示，在绝缘膜71的表层部，通过反应性离子蚀刻形成布线用沟槽72。之后，如图14B所示，在绝缘膜71的上表面及布线用沟槽72内形成銅膜74。如图14B所示，銅膜74将布线用沟槽72内填满，在布线用沟槽72外的绝缘膜71上也形成有该銅膜74。
接着，通过CMP法选择性地除去銅膜74的各布线用沟槽外的部分。由此，如图14C所示，使銅膜74的表面与绝缘膜71的表面成为大致共面的平坦面，形成铜布线73(第二前准备工序)。
因为通过CMP法抛光銅膜74形成了铜布线73，所以在刚制造后的基板W1的表层部存在銅的切屑(slurry)75。为了将銅的切屑75从基板W1除去，基板处理装置1对基板W1实施清洗处理。
一般而言，在这样的清洗处理中，对由旋转卡盘保持的基板供给氢氟酸(HF)、SC2(hydrochloricacid/hydrogenperoxidemixture，盐酸和双氧水的混合物)、SPM(sulfuricacid/hydrogenperoxidemixture，硫酸和双氧水的混合物)等药液，之后供给纯水(de-ionizedwater，去离子水)等水，由此用纯水冲洗掉基板上的药液(冲洗处理)。
然而，若在冲洗处理时向基板W1的表面供给纯水，则铜布线73的表面氧化，有可能对制造后的半导体装置的性能产生影响。因此，在基板处理装置1中，作为清洗液使用IPA(有机溶剂)来清洗基板W1的表面(上表面)。IPA(有机溶剂)对铜的氧化能力较低。因此，不会过度地蚀刻铜布线73的表面，能够良好地清洗基板W的表面(上表面)。
此外，由于Low-k具有较高的接触角，所以绝缘膜71的表面显示出较高的疏水性(疏液性)。然而，通过使用IPA等具有低表面张力的有机溶剂作为清洗液，能够良好地润湿具有较高的疏水性的绝缘膜71的表面。由此，能够良好地形成覆盖基板W1的整个上表面区域的IPA液膜。
在该情况下，若基板W1的表面显示出疏水性，则在干燥工序S7中，IPA在基板W1的上表面(表面)容易干燥得不均匀。因此，在干燥工序S7中，存在在基板W1的上表面容易产生颗粒这样的问题。然而，在本实施方式中，因为在基板W1的上表面被来自气体排出喷嘴6的环状气流覆盖的状态下进行基板W1的干燥，所以能够抑制在基板W1的上表面产生颗粒。
此外，在第一及第二实施方式中，也可以除了二流体喷嘴16外另行设置由能够排出连续流的直喷嘴构成的液膜形成喷嘴(未图示)，并在IPA液膜形成工序S3中，从液膜形成喷嘴排出向基板W的上表面供给的IPA。在该情况下，第二有机溶剂供给单元包括液膜形成喷嘴与向液膜形成喷嘴供给IPA的IPA供给装置。
此外，在第一及第二实施方式中，也可以除了二流体喷嘴16外另行设置由能够排出连续流的直喷嘴构成的后供给喷嘴(未图示)，并在IPA后供给工序S5中，从后供给喷嘴排出向基板W的上表面供给的IPA。在该情况下，第三有机溶剂供给单元包括后供给喷嘴与向后供给喷嘴供给IPA的IPA供给装置。
在该情况下，液膜形成喷嘴用的IPA供给装置与后供给喷嘴用的IPA供给装置可以是共同的装置，也可以是单独的装置。进而，液膜形成喷嘴(未图示)及后供给喷嘴(未图示)也可以共用一个喷嘴。
此外，在第一及第二实施方式中，说明了IPA后供给工序S5中的基板W的旋转速度比IPA液滴排出工序S4中的基板W的旋转速度更高的情况，但是也可以与IPA液滴除去工序中的基板W的旋转速度相同，还可以比该基板W的旋转速度低。
此外，也可以废除IPA后供给工序S5。即，也可以在IPA液滴排出工序S4结束后，立即过渡至干燥工序S7。在该情况下，在IPA液滴排出工序S4结束后，优选利用气体的供给来从基板W上排除IPA液滴排出工序S4中除去的异物。
此外，在第一及第二实施方式中，在IPA后供给工序S5结束后，并且在干燥工序S7开始之前，执行了与基板W的周端面相向的保护构件的变更S6，但是也可以在IPA后供给工序S5结束之前进行。例如，也可以在IPA液滴排出工序结束后，并且在IPA后供给工序S5开始之前进行。
此外，也可以不进行与基板W的周端面相向的保护构件的变更S6，而在执行干燥工序S7时使第二保护构件39与基板W的周端面相向。
此外，说明了气体排出喷嘴6具有三个气体排出口44、45、46的情况，但是可以不具有全部三个气体排出口44、45、46，至少具有一个气体排出口即可。
此外，在上述第一实施方式中，也可以仅使基板W及二流体喷嘴16中的一方移动，以使IPA液滴碰撞基板W的整个上表面区域。具体而言，也可以以排出区域D1通过基板W的整个上表面区域的方式，在使基板W静止的状态下使二流体喷嘴16移动。此外，也可以以排出区域D1通过基板W的整个上表面区域的方式，在使二流体喷嘴16静止的状态下使基板W移动。
此外，在第一及第二实施方式中，在基板W的上表面的排出区域D1的移动轨迹也可以为直线。即，该轨迹也可以在被旋转卡盘3保持的基板W的上表面上延伸，当从与基板W的上表面垂直的垂直方向看时通过基板W的上表面的中央部(优选为中心)的直线。
此外，在第一及第二实施方式中，说明了排出区域D1在基板W的上表面的一周缘部与基板W的上表面中央部之间往复移动的情况(半扫描)，但是也可以使该排出区域D1在基板W的上表面的一周缘部与隔着基板W上表面中央部与该一周缘部相反侧的另一周缘部之间移动(全扫描)。
进而，也可以废除气体排出喷嘴6。
此外，在第一及第二实施方式中，以双层型处理杯5为例进行了说明，但是本发明能够适用于具有多层型或单层型的处理杯的基板处理装置。
此外，在第一及第二实施方式中，作为二流体喷嘴，以在喷嘴主体外(外筒26(参照图2A))使气体与液体碰撞混合生成液滴的外部混合型二流体喷嘴16为例进行了说明，但是也能够将本发明适用于在喷嘴主体内将气体与液体混合生成液滴的内部混合型二流体喷嘴。
此外，本发明中使用的有机溶剂不限于IPA。有机溶剂包括IPA、甲醇、乙醇、氢氟醚(HFE)、丙酮及反-1,2二氯乙烯中的至少一种。此外，有机溶剂可以是仅由单一成分组成的液体，也可以与其他成分混合。例如，可以是IPA与丙酮的混合液，也可以是IPA与甲醇的混合液。
此外，在第一及第二实施方式中，对基板处理装置1、101是处理圆板状的基板的装置的情况进行了说明，但是基板处理装置1、101也可以是处理液晶显示装置用玻璃基板等多边形基板的装置。
虽然详细地说明了本发明的实施方式，但是这些实施方式只不过是为了使本发明的技术性内容清楚地展现而使用的具体实施例，不应仅局限于这些具体的实施例来解释本发明，本发明的范围仅由附加的权利要求书的范围来限定。
本申请与2014年12月26日向日本特许厅提出的特愿2014-265537号申请对应，该申请的所有公开内容通过引用而包含在本申请中。

Claims (18)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
基板保持单元，将基板水平地保持；
二流体喷嘴，将有机溶剂与气体混合来生成所述有机溶剂的液滴，将生成的所述有机溶剂的所述液滴向所述基板的上表面排出；
有机溶剂供给单元，用于向所述二流体喷嘴供给所述有机溶剂；
气体供给单元，用于向所述二流体喷嘴供给所述气体；
控制单元，控制所述有机溶剂供给单元及所述气体供给单元；
所述控制单元执行液滴排出工序和液膜形成工序，
在所述液滴排出工序中，从所述二流体喷嘴向所述基板的上表面内的规定排出区域排出所述有机溶剂的所述液滴；
所述液膜形成工序在所述液滴排出工序之前执行，在所述液膜形成工序中，向所述二流体喷嘴不供给所述气体而供给所述有机溶剂，从而从该二流体喷嘴以连续流的方式排出所述有机溶剂，以在所述基板的上表面形成覆盖所述排出区域的所述有机溶剂的液膜。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
基板旋转单元，用于使所述基板绕铅直的旋转轴线旋转；
所述控制单元包括控制所述基板旋转单元的单元；
所述控制单元与所述液滴排出工序并行地还执行使所述基板绕所述旋转轴线旋转的第一旋转工序。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
第三有机溶剂供给单元，用于向所述基板的上表面供给所述有机溶剂；
所述控制单元还包括控制所述第三有机溶剂供给单元的单元；
所述控制单元在所述液滴排出工序之后执行向所述基板的上表面供给所述有机溶剂的后供给工序。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制单元与所述后供给工序并行地还执行使所述基板以比所述第一旋转工序时高的速度绕所述旋转轴线旋转的第二旋转工序。
5.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第三有机溶剂供给单元包括所述第一有机溶剂供给单元；
所述控制单元向所述二流体喷嘴不供给所述气体而供给所述有机溶剂，从而从该二流体喷嘴以连续流的方式排出所述有机溶剂，来执行所述后供给工序。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
第一保护构件及第二保护构件，包围所述基板保持单元的周围，设置为各自能够独立地升降；以及
保护构件升降单元，用于使所述第一保护构件及所述第二保护构件单独地升降；
所述控制单元还包括控制所述升降单元的单元；
所述控制单元与所述液滴排出工序并行地使所述第一保护构件与所述基板的周端面相向；
所述控制单元还执行干燥工序和相向保护构件变更工序，
在所述干燥工序中，向所述基板的上表面不供给所述有机溶剂而使所述基板绕所述旋转轴线旋转，由此使所述基板的上表面干燥，
所述相向保护构件变更工序在所述液滴排出工序结束后并且在所述干燥工序执行之前，将与所述基板的周端面相向的保护构件从所述第一保护构件变更为所述第二保护构件。
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
有机溶剂喷嘴，用于向所述基板的上表面排出所述有机溶剂；
第四有机溶剂供给单元，用于向所述有机溶剂喷嘴供给所述有机溶剂；
喷嘴移动单元，使所述二流体喷嘴及所述有机溶剂喷嘴一边将所述二流体喷嘴与所述有机溶剂喷嘴的位置关系保持为恒定一边移动，使得所述排出区域的位置在所述基板的上表面内移动；
所述控制单元还包括控制所述喷嘴移动单元的单元；
所述控制单元还执行排出区域移动工序和附加有机溶剂供给工序，
在所述排出区域移动工序中使所述排出区域的位置在所述基板的上表面内移动，
在所述附加有机溶剂供给工序中，与所述排出区域移动工序并行地向所述排出区域的行进方向的后方位置供给所述有机溶剂；
所述附加有机溶剂供给工序不向所述排出区域的行进方向的前方位置供给所述有机溶剂。
8.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
基板保持工序，将基板水平地保持；
液滴排出工序，从二流体喷嘴向所述基板的上表面内的规定排出区域排出有机溶剂与气体混合生成的所述有机溶剂的液滴；
液膜形成工序，在所述液滴排出工序之前执行，在所述液膜形成工序中，向所述二流体喷嘴不供给所述气体而供给所述有机溶剂，从而从该二流体喷嘴以连续流的方式排出所述有机溶剂，以在所述基板的上表面形成覆盖所述排出区域的所述有机溶剂的液膜。
9.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
第一旋转工序，与所述液滴排出工序并行地使所述基板绕所述旋转轴线旋转。
10.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
后供给工序，在所述液滴排出工序之后，向所述基板的上表面供给所述有机溶剂。
11.如权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
第二旋转工序，与所述后供给工序并行地使所述基板以比所述第一旋转工序时高的速度绕所述旋转轴线旋转。
12.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述后供给工序中，向所述二流体喷嘴不供给所述气体而供给所述有机溶剂，从而从该二流体喷嘴以连续流的方式排出所述有机溶剂。
13.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
喷嘴移动工序，与所述液膜形成工序并行地使所述二流体喷嘴移动；
在所述液滴排出工序中，将所述液膜形成工序结束时所述基板的上表面的有机溶剂的附着位置作为所述排出区域，开始排出所述有机溶剂的液滴。
14.如权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
所述液膜形成工序结束时的所述附着位置是所述基板的上表面的周缘部；
在所述液滴排出工序中，将所述基板的上表面的周缘部作为所述排出区域，开始排出所述有机溶剂的液滴。
15.如权利要求8～14中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述液滴排出工序是在将第一保护构件与所述基板的周端面相向的状态下执行的工序；
所述基板处理方法还包括：
干燥工序，向所述基板的上表面不供给所述有机溶剂而使所述基板绕所述旋转轴线旋转，由此使所述基板的上表面干燥；以及
相向保护构件变更工序，在所述液滴排出工序结束后并且在所述干燥工序执行之前，将与所述基板的周端面相向的保护构件从所述第一保护构件变更为与该第一保护构件不同的第二保护构件。
16.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
排出区域移动工序，使所述排出区域的位置在所述基板的上表面内移动；以及
附加有机溶剂供给工序，与所述排出区域移动工序并行地向所述排出区域的行进方向的后方位置供给所述有机溶剂；
所述附加有机溶剂供给工序不向所述排出区域的行进方向的前方位置供给所述有机溶剂。
17.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
第一前准备工序，在上表面配置有SiO2的硅基板作为所述基板准备。
18.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
第二前准备工序，将半导体基板作为所述基板准备，
所述半导体基板包括：由介电常数低于SiO2的低介电常数材料形成的绝缘膜及配置在所述绝缘膜上的铜布线。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107665842A (zh) * 2016-07-29 2018-02-06 细美事有限公司 基板处理装置和基板处理方法
CN109449078A (zh) * 2018-11-23 2019-03-08 上海华力微电子有限公司 一种适用于铜互连工艺的颗粒去除方法
CN109727844A (zh) * 2018-11-14 2019-05-07 北京北方华创微电子装备有限公司 晶片的清洗方法
CN111316402A (zh) * 2017-11-08 2020-06-19 株式会社斯库林集团 基板处理方法及基板处理装置
CN115475794A (zh) * 2022-10-10 2022-12-16 安徽光智科技有限公司 镜头的清洗方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101759877B1 (ko) * 2015-12-24 2017-07-20 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마챔버 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마시스템
TWI700730B (zh) * 2017-01-05 2020-08-01 大陸商盛美半導體設備（上海）股份有限公司 晶圓清洗裝置和方法
JP6829639B2 (ja) * 2017-03-28 2021-02-10 Ｅｎｅｏｓ株式会社 Ｗ／ｏエマルジョン洗浄液を使用する洗浄方法
JP6979826B2 (ja) * 2017-08-04 2021-12-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
CN107604309B (zh) * 2017-11-06 2023-09-15 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板贴合装置以及其贴合方法
US11499962B2 (en) 2017-11-17 2022-11-15 Ultima Genomics, Inc. Methods and systems for analyte detection and analysis
US10344328B2 (en) 2017-11-17 2019-07-09 Ultima Genomics, Inc. Methods for biological sample processing and analysis
KR102042789B1 (ko) * 2017-11-30 2019-11-08 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US20190164787A1 (en) * 2017-11-30 2019-05-30 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for processing substrate
JP2019105835A (ja) * 2017-12-12 2019-06-27 シャープ株式会社 基板処理装置
US11355366B2 (en) * 2018-08-30 2022-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for shuttered wafer cleaning
US10512911B1 (en) 2018-12-07 2019-12-24 Ultima Genomics, Inc. Implementing barriers for controlled environments during sample processing and detection
US10830703B1 (en) * 2019-03-14 2020-11-10 Ultima Genomics, Inc. Methods, devices, and systems for analyte detection and analysis
US11118223B2 (en) 2019-03-14 2021-09-14 Ultima Genomics, Inc. Methods, devices, and systems for analyte detection and analysis
US10852518B1 (en) 2019-03-14 2020-12-01 Ultima Genomics, Inc. Methods, devices, and systems for analyte detection and analysis
US10900078B2 (en) 2019-03-14 2021-01-26 Ultima Genomics, Inc. Methods, devices, and systems for analyte detection and analysis

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030178047A1 (en) * 2002-03-25 2003-09-25 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate cleaning method
CN1645608A (zh) * 2004-01-16 2005-07-27 国际商业机器公司 低k和超低k SiCOH介质膜及其制作方法
JP2008108830A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 二流体ノズルユニットおよびそれを用いた基板処理装置
CN103357607A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 细美事有限公司 处理基板的设备和方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1193410C (zh) * 2000-09-01 2005-03-16 株式会社德山 残渣洗涤液
JP4484861B2 (ja) 2000-11-20 2010-06-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JP3826719B2 (ja) * 2001-03-30 2006-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
TW561516B (en) * 2001-11-01 2003-11-11 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3834542B2 (ja) * 2001-11-01 2006-10-18 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP4972607B2 (ja) 2008-05-16 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP5390874B2 (ja) * 2009-01-28 2014-01-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5512424B2 (ja) 2010-07-06 2014-06-04 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP6080291B2 (ja) * 2012-09-28 2017-02-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030178047A1 (en) * 2002-03-25 2003-09-25 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate cleaning method
CN1645608A (zh) * 2004-01-16 2005-07-27 国际商业机器公司 低k和超低k SiCOH介质膜及其制作方法
JP2008108830A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 二流体ノズルユニットおよびそれを用いた基板処理装置
CN103357607A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 细美事有限公司 处理基板的设备和方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107665842A (zh) * 2016-07-29 2018-02-06 细美事有限公司 基板处理装置和基板处理方法
CN111316402A (zh) * 2017-11-08 2020-06-19 株式会社斯库林集团 基板处理方法及基板处理装置
CN109727844A (zh) * 2018-11-14 2019-05-07 北京北方华创微电子装备有限公司 晶片的清洗方法
CN109727844B (zh) * 2018-11-14 2021-04-09 北京北方华创微电子装备有限公司 晶片的清洗方法
CN109449078A (zh) * 2018-11-23 2019-03-08 上海华力微电子有限公司 一种适用于铜互连工艺的颗粒去除方法
CN115475794A (zh) * 2022-10-10 2022-12-16 安徽光智科技有限公司 镜头的清洗方法

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