WO2019167664A1 - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2019167664A1 WO2019167664A1 PCT/JP2019/005528 JP2019005528W WO2019167664A1 WO 2019167664 A1 WO2019167664 A1 WO 2019167664A1 JP 2019005528 W JP2019005528 W JP 2019005528W WO 2019167664 A1 WO2019167664 A1 WO 2019167664A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- substrate
- nozzle
- decrease
- cleaning
- center
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
フォトリソグラフィにおける現像工程後の洗浄工程において、基板に残る残渣を好適に除去できる洗浄方法の提供を課題とする。洗浄方法は、フォトリソグラフィにおける現像工程を終了した基板を回転しつつ、洗浄液を吐出するノズルを、基板の回転の中心側から周縁側に移動して基板の洗浄を行うと共に、基板の回転中心からのノズルの距離に応じて、ノズルの移動速度を、中心側から周縁側に向かって低下する。
Description
本発明は、フォトリソグラフィによる半導体装置等の製造における、現像工程後の基板の洗浄方法に関する。
フォトリソグラフィによるＣＣＤ（Charge Coupled Device）センサ等の製造では、カラーレジスト（カラーフィルタ材）等のレジスト材を現像した後、現像液およびレジスト材の残渣を除去するために、ウエハ等の基板の洗浄（リンス）を行う。
このような基板の洗浄は、一例として、特許文献１に記載されるように、基板を回転しつつ、洗浄液（リンス液）を吐出するノズルを、基板の回転中心側から周縁側に移動することで行われる。
製品の歩留りを向上するためにも、現像工程の後の洗浄工程における残渣の除去は重要である。
例えば、カラーレジストによるカラーフィルタの形成に使用する現像機は、半導体フォトレジスト用に使用される現像機が用いられる。これらの現像機は、チャンバー内の温湿度、現像液および洗浄液の流量、基板の回転数および処理時間、ならびに、現像および洗浄におけるノズルの移動等が厳密に制御され自動化されている。これにより、連続して複数の半導体基板を同じ品質で製品化することができる。
カラーレジスト組成物は、例えば、アルカリ性の現像液によってアルカリに可溶部位が膨潤するので、洗浄によって、着色剤（顔料または染料）と膨潤した部位を洗い流すことができる。
カラーレジスト組成物は、着色剤を含有している。着色剤を含む残渣が、次いで形成するカラーフィルタのカラーレジスト組成物に混入すると、混色によるカラーフィルタの色特性の劣化を招き、歩留り低下の原因となる。従って、混色によるカラーフィルタの色特性の劣化を防止するためには、洗浄工程において確実に残渣を除去する必要がある。この点で、洗浄によって、像形成したい部位以外の十分な洗浄能を得ることは、重要である。
カラーレジスト組成物は、着色剤を含有している。着色剤を含む残渣が、次いで形成するカラーフィルタのカラーレジスト組成物に混入すると、混色によるカラーフィルタの色特性の劣化を招き、歩留り低下の原因となる。従って、混色によるカラーフィルタの色特性の劣化を防止するためには、洗浄工程において確実に残渣を除去する必要がある。この点で、洗浄によって、像形成したい部位以外の十分な洗浄能を得ることは、重要である。
ところが、近年では基板が大口径化（例えば直径３００ｍｍなど）している。そのため、洗浄工程において、残渣を均一に除去することが困難になっている。
大口径の基板では、特に、基板の周縁側、例えば周縁部（端部）から内側に５０ｍｍまでの領域において、残渣を均一に除去することが困難になっている。基板の周縁部における残渣は、残渣の集合体が筋状に残る場合が多い。
現像残渣の除去については、現像液もさることながら洗浄プロセスが寄与するところが大きい。特にカラーレジストなどの着色剤を含有する組成物の残渣を除去するために、スプレー洗浄による高圧洗浄などが行われることがあるが、大口径であるがゆえに基板の周縁部の残渣を除去するのが非常に困難という問題がある。
大口径の基板では、特に、基板の周縁側、例えば周縁部（端部）から内側に５０ｍｍまでの領域において、残渣を均一に除去することが困難になっている。基板の周縁部における残渣は、残渣の集合体が筋状に残る場合が多い。
現像残渣の除去については、現像液もさることながら洗浄プロセスが寄与するところが大きい。特にカラーレジストなどの着色剤を含有する組成物の残渣を除去するために、スプレー洗浄による高圧洗浄などが行われることがあるが、大口径であるがゆえに基板の周縁部の残渣を除去するのが非常に困難という問題がある。
本発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決することにあり、フォトリソグラフィにおける現像工程の後の基板の洗浄において、基板が大口径であっても、周縁部を含む基板の全面に渡って、レジスト材および現像液の残渣を好適に除去できる洗浄方法を提供することにある。
本発明は、以下の構成により、この課題を解決する。
［１］ フォトリソグラフィにおける現像工程を終了した基板を回転しつつ、洗浄液を吐出するノズルを、基板の回転の中心側から周縁側に移動して、洗浄液によって基板の洗浄を行うと共に、
基板の回転中心からのノズルの距離に応じて、基板の回転の中心側から周縁側へのノズルの移動速度を、基板の回転の中心側から周縁側に向かって低下することを特徴とする洗浄方法。
［２］ ノズルが基板の回転の中心側から周縁側に移動するほど、基板の回転速度を低下する、［１］に記載の洗浄方法。
［３］ ノズルの移動速度の低下が、線形的な低下、非線形的な低下および段階的な低下の、１以上である、［１］または［２］に記載の洗浄方法。
［４］ ノズルの移動速度の低下が、非線形的な低下および段階的な低下の少なくとも一方である場合には、ノズルの移動速度の低下の程度を、基板の回転の中心側から周縁側に向かって小さくする、［３］に記載の洗浄方法。
［５］ 基板の回転速度の低下が、線形的な低下、非線形的な低下および段階的な低下の、１以上である、［２］～［４］のいずれかに記載の洗浄方法。
［６］ 基板の回転速度の低下が、非線形的な低下および段階的な低下の少なくとも一方である場合には、基板の回転速度の低下の程度を、基板の回転の中心側から周縁側に向かって小さくする、［５］に記載の洗浄方法。
［７］ 基板の回転中心から基板の半径の１／１５の距離にノズルが位置する時のノズルの移動速度に対する、基板の周縁におけるノズルの移動速度の低下率と、基板の回転中心から基板の半径の１／１５の距離にノズルが位置する時の基板の回転速度に対する、ノズルが基板の周縁にノズルが位置する時の基板の回転速度の低下率と、の比が、移動速度の低下率／回転速度の低下率の比で、０．３～９５である、［２］～［６］のいずれかに記載の洗浄方法。
［８］ ノズルが、洗浄液と共に気体を吐出する、［１］～［７］のいずれかに記載の洗浄方法。
［９］ 現像工程が、特定の波長域の光を透過する光学フィルタ材を現像する、［１］～［８］のいずれかに記載の洗浄方法。
［１０］
基板が直径２００ｍｍ以上の円盤状である、［１］～［９］のいずれかに記載の洗浄方法。
［１］ フォトリソグラフィにおける現像工程を終了した基板を回転しつつ、洗浄液を吐出するノズルを、基板の回転の中心側から周縁側に移動して、洗浄液によって基板の洗浄を行うと共に、
基板の回転中心からのノズルの距離に応じて、基板の回転の中心側から周縁側へのノズルの移動速度を、基板の回転の中心側から周縁側に向かって低下することを特徴とする洗浄方法。
［２］ ノズルが基板の回転の中心側から周縁側に移動するほど、基板の回転速度を低下する、［１］に記載の洗浄方法。
［３］ ノズルの移動速度の低下が、線形的な低下、非線形的な低下および段階的な低下の、１以上である、［１］または［２］に記載の洗浄方法。
［４］ ノズルの移動速度の低下が、非線形的な低下および段階的な低下の少なくとも一方である場合には、ノズルの移動速度の低下の程度を、基板の回転の中心側から周縁側に向かって小さくする、［３］に記載の洗浄方法。
［５］ 基板の回転速度の低下が、線形的な低下、非線形的な低下および段階的な低下の、１以上である、［２］～［４］のいずれかに記載の洗浄方法。
［６］ 基板の回転速度の低下が、非線形的な低下および段階的な低下の少なくとも一方である場合には、基板の回転速度の低下の程度を、基板の回転の中心側から周縁側に向かって小さくする、［５］に記載の洗浄方法。
［７］ 基板の回転中心から基板の半径の１／１５の距離にノズルが位置する時のノズルの移動速度に対する、基板の周縁におけるノズルの移動速度の低下率と、基板の回転中心から基板の半径の１／１５の距離にノズルが位置する時の基板の回転速度に対する、ノズルが基板の周縁にノズルが位置する時の基板の回転速度の低下率と、の比が、移動速度の低下率／回転速度の低下率の比で、０．３～９５である、［２］～［６］のいずれかに記載の洗浄方法。
［８］ ノズルが、洗浄液と共に気体を吐出する、［１］～［７］のいずれかに記載の洗浄方法。
［９］ 現像工程が、特定の波長域の光を透過する光学フィルタ材を現像する、［１］～［８］のいずれかに記載の洗浄方法。
［１０］
基板が直径２００ｍｍ以上の円盤状である、［１］～［９］のいずれかに記載の洗浄方法。
本発明の洗浄方法によれば、フォトリソグラフィにおける現像工程の後の基板の洗浄において、基板が大口径であっても、周縁部を含む基板の全面に渡って、レジスト材および現像液の残渣を好適に除去できる。
以下、本発明の洗浄方法について、添付の図面に示される好適実施例を基に、詳細に説明する。
図１に、本発明の洗浄方法の一例を概念的に示す。
本発明の洗浄方法は、フォトリソグラフィにおける現像工程を終了したウエハ等の基板Ｚを洗浄して、基板Ｚから、現像液およびレジスト材の残渣等を洗浄、除去するものである。
具体的には、本発明の洗浄方法は、図中矢印ｒで示すように基板Ｚを回転しつつ、洗浄液を吐出するノズル（吐出ノズル）１２を、基板Ｚの回転の中心側から周縁側に向けて移動することによって、フォトリソグラフィにおける現像工程を終了した基板Ｚの洗浄を行う。
なお、図中の一点鎖線は、基板Ｚの回転によって基板Ｚの周縁（以下、「周縁部」または「端部」ともいう。）が描く円の直径の方向を示しており、２本の一点鎖線の交点が、基板Ｚの回転中心である。
本発明の洗浄方法は、フォトリソグラフィにおける現像工程を終了したウエハ等の基板Ｚを洗浄して、基板Ｚから、現像液およびレジスト材の残渣等を洗浄、除去するものである。
具体的には、本発明の洗浄方法は、図中矢印ｒで示すように基板Ｚを回転しつつ、洗浄液を吐出するノズル（吐出ノズル）１２を、基板Ｚの回転の中心側から周縁側に向けて移動することによって、フォトリソグラフィにおける現像工程を終了した基板Ｚの洗浄を行う。
なお、図中の一点鎖線は、基板Ｚの回転によって基板Ｚの周縁（以下、「周縁部」または「端部」ともいう。）が描く円の直径の方向を示しており、２本の一点鎖線の交点が、基板Ｚの回転中心である。
ここで、本発明の洗浄方法では、基板Ｚの回転中心からのノズル１２の距離に応じて、基板Ｚの回転の中心側から周縁側に向かうノズル１２の移動速度を、中心側から周縁側に向かって、低下する。
後に詳述するが、本発明の洗浄方法は、このような構成を有することにより、例えば直径３００ｍｍの大型のウエハを基板Ｚとして用いた場合にも、現像工程後の基板Ｚの洗浄を、周縁部も含む基板Ｚの全面に渡って好適に行って、洗浄後の基板Ｚに現像液およびレジスト材の残渣等が残存することを、好適に抑制できる。
後に詳述するが、本発明の洗浄方法は、このような構成を有することにより、例えば直径３００ｍｍの大型のウエハを基板Ｚとして用いた場合にも、現像工程後の基板Ｚの洗浄を、周縁部も含む基板Ｚの全面に渡って好適に行って、洗浄後の基板Ｚに現像液およびレジスト材の残渣等が残存することを、好適に抑制できる。
本発明の洗浄方法において、洗浄の対象となる基板Ｚには、制限はなく、ウエハ（シリコンウエハ）等、フォトリソグラフィによって各種の装置（電子素子など）を形成される公知の各種のものが利用可能である。
中でも、本発明の効果が良好に発現できる等の点で、直径が２００ｍｍ以上、特に３００ｍｍ以上のウエハ等の円盤状の基板Ｚは、好適に利用される。なお、基板Ｚは、完全な円盤状に制限はされず、オリエンテーションフラットのような直線部を有してもよい。
中でも、本発明の効果が良好に発現できる等の点で、直径が２００ｍｍ以上、特に３００ｍｍ以上のウエハ等の円盤状の基板Ｚは、好適に利用される。なお、基板Ｚは、完全な円盤状に制限はされず、オリエンテーションフラットのような直線部を有してもよい。
本発明の洗浄方法において、洗浄前の現像工程において現像されるレジスト材、すなわち、洗浄対象となるレジスト材（レジスト材の残渣）には、制限はなく、フォトリソグラフィにおいて利用される公知のレジスト材が、各種、利用可能である。
一例として、赤、緑、青および黒等のカラーレジスト材（カラーフィルタ材）、赤外線遮光フィルタ材、赤外線透過フィルタ材などの、特定の波長域の光を透過する光学フィルタ材、イメージセンサにおけるクリア画素（白色フィルタ画素）等を構成するための透明なレジスト材（例えば、特開２０１２－１３７５６４公報に例示される白色フィルタ画素など）、補色であるシアン、イエローおよびマゼンタ画素となるカラーレジスト材、ならびに、光量調節用のグレー材等が例示される。
中でも、本発明の効果が良好に発現できる等の点で、赤、緑、青および黒等のカラーレジスト材のような着色剤（顔料および染料等）を含有するレジスト材や、特定の波長域の光を透過する光学フィルタ材は、好適に利用可能である。
一例として、赤、緑、青および黒等のカラーレジスト材（カラーフィルタ材）、赤外線遮光フィルタ材、赤外線透過フィルタ材などの、特定の波長域の光を透過する光学フィルタ材、イメージセンサにおけるクリア画素（白色フィルタ画素）等を構成するための透明なレジスト材（例えば、特開２０１２－１３７５６４公報に例示される白色フィルタ画素など）、補色であるシアン、イエローおよびマゼンタ画素となるカラーレジスト材、ならびに、光量調節用のグレー材等が例示される。
中でも、本発明の効果が良好に発現できる等の点で、赤、緑、青および黒等のカラーレジスト材のような着色剤（顔料および染料等）を含有するレジスト材や、特定の波長域の光を透過する光学フィルタ材は、好適に利用可能である。
本発明の洗浄方法において、ノズル１２には制限はない。従って、ノズル１２は、ストレートに洗浄液を吐出するストレートノズル、シャワー状に洗浄液を吐出するノズル、スプレー状に洗浄液を吐出するノズル、および、コーン状に洗浄液を吐出するノズル等、フォトリソグラフィにおいて現像工程を行われた基板Ｚの洗浄に利用される、公知のノズルが、各種、利用可能である。また、これらのノズルは、１流体ノズルでも、空気および窒素等の気体を混合して吐出する２流体ノズルでもよい。
図示例においては、ノズル１２には、第１供給管１４から洗浄液が供給され、第２供給管１６から気体が供給される。
ノズル１２は、一例として、供給された洗浄液と気体とを混合して、２流体による基板Ｚの洗浄を行う。このような洗浄液と気体とを混合した２流体は、洗浄能力が高い。そのため、２流体を利用することにより、レジスト材の残渣等の除去効率を向上して、効率の良いよい洗浄が可能になる。
ノズル１２は、一例として、供給された洗浄液と気体とを混合して、２流体による基板Ｚの洗浄を行う。このような洗浄液と気体とを混合した２流体は、洗浄能力が高い。そのため、２流体を利用することにより、レジスト材の残渣等の除去効率を向上して、効率の良いよい洗浄が可能になる。
ノズル１２が吐出する洗浄液には制限はなく、各種の純水、純水に界面活性剤を添加した洗浄液、および、市販の洗浄液等、フォトリソグラフィにおいて現像工程を行われた基板Ｚの洗浄に利用される、公知の洗浄液が、各種、利用可能である。中でも、純水は、好適に利用される。
同様に、ノズル１２において洗浄液に混合される気体にも、制限はなく、空気、および、窒素ガス等、フォトリソグラフィにおいて現像工程を行われた基板Ｚの洗浄において、洗浄液に混合される公知の気体が、各種、利用可能である。
同様に、ノズル１２において洗浄液に混合される気体にも、制限はなく、空気、および、窒素ガス等、フォトリソグラフィにおいて現像工程を行われた基板Ｚの洗浄において、洗浄液に混合される公知の気体が、各種、利用可能である。
ノズル１２が２流体を吐出する場合における、洗浄液と気体との混合比にも、制限はなく、使用する洗浄液の種類、レジスト材の種類、洗浄液の吐出量（リンス流量）、ノズル１２の高さ、および、洗浄液の液温等に応じて、適宜、設定すればよく、様々な条件で使用できる。
ただし、本発明において、基板Ｚの回転の中心側から周縁側に移動するノズル１２が吐出するのは、洗浄液と気体とを混合した２流体に制限はされない。すなわち、ノズル１２は、気体と混合されない洗浄液のみを吐出するものであってもよい。
以下の説明では、単に『洗浄液』とした場合には、気体を混合されない洗浄液と、洗浄液と気体とを混合した２流体との、両者を示すものとする。
以下の説明では、単に『洗浄液』とした場合には、気体を混合されない洗浄液と、洗浄液と気体とを混合した２流体との、両者を示すものとする。
本発明の洗浄方法において、ノズル１２から吐出する洗浄液の吐出量にも、制限はなく、使用する洗浄液の種類、および、レジスト材の種類等に応じて、適宜、設定すればよい。なお、洗浄液として、気体と混合された２流体を用いる場合には、洗浄液の吐出量（供給量）とは、２流体の吐出量である。
前述のように、本発明の洗浄方法は、基板Ｚを回転しつつ、ノズル１２を、基板Ｚの回転の中心側から周縁側に向かって移動することで、基板Ｚの洗浄を行う。
本発明の洗浄方法において、基板Ｚの回転方法には、制限はなく、半導体装置の製造に用いられるフォトレジスト用の現像機および洗浄機等において、基板の回転に利用されている公知の方法が、各種、利用可能である。
また、基板Ｚの回転速度にも制限はなく、使用する洗浄液の種類、および、レジスト材の種類等に応じて、適宜、設定すればよい。
本発明の洗浄方法において、基板Ｚの回転方法には、制限はなく、半導体装置の製造に用いられるフォトレジスト用の現像機および洗浄機等において、基板の回転に利用されている公知の方法が、各種、利用可能である。
また、基板Ｚの回転速度にも制限はなく、使用する洗浄液の種類、および、レジスト材の種類等に応じて、適宜、設定すればよい。
本発明の洗浄方法において、ノズル１２の移動は、基板Ｚの回転の中心側から周縁側に向かう方向であればよい。
一例として、基板Ｚの回転中心から、周縁側に向かって、直線状に、ノズル１２を移送する。この際において、ノズル１２は、吐出する洗浄液の中心と基板Ｚの回転中心と一致した状態から、周縁側に向かって移動を開始してもよく、あるいは、吐出する洗浄液が基板Ｚの回転中心にかかる位置から、周縁側に向かって移動を開始してもよい。
一例として、基板Ｚの回転中心から、周縁側に向かって、直線状に、ノズル１２を移送する。この際において、ノズル１２は、吐出する洗浄液の中心と基板Ｚの回転中心と一致した状態から、周縁側に向かって移動を開始してもよく、あるいは、吐出する洗浄液が基板Ｚの回転中心にかかる位置から、周縁側に向かって移動を開始してもよい。
ノズル１２の移動方法には、制限はなく、ボールネジ、巻き掛け伝動、および、エア駆動等、例えば、半導体装置の製造に用いられるフォトレジスト用の現像機および洗浄機等でノズルの移動に利用されている公知の方法が、各種、利用可能である。
さらに、ノズル１２の移動速度にも制限はない。すなわち、本発明においては、基板Ｚの回転中心からのノズル１２の距離に応じて、基板Ｚの回転の中心側から周縁側に向かうノズル１２の移動速度を、中心側から周縁側に向かって遅くする、という条件を満たせば、ノズル１２の移動速度は、使用する洗浄液の種類、および、レジスト材の種類等に応じて、適宜、設定すればよい。
さらに、ノズル１２の移動速度にも制限はない。すなわち、本発明においては、基板Ｚの回転中心からのノズル１２の距離に応じて、基板Ｚの回転の中心側から周縁側に向かうノズル１２の移動速度を、中心側から周縁側に向かって遅くする、という条件を満たせば、ノズル１２の移動速度は、使用する洗浄液の種類、および、レジスト材の種類等に応じて、適宜、設定すればよい。
前述のように、本発明の洗浄方法は、基板Ｚを回転しつつ、洗浄液を吐出するノズル１２を、基板Ｚの回転の中心側から周縁側に向けて移動する基板Ｚの洗浄において、基板Ｚの回転中心からのノズル１２の距離に応じて、基板Ｚの回転の中心側から周縁側に向かうノズル１２の移動速度を、周縁側に向かって、遅くする。
本発明の洗浄方法は、このような構成を有することにより、例えば直径３００ｍｍの大型のウエハを基板Ｚとして用いた場合にも、現像工程後における基板Ｚの洗浄を周縁部まで好適に行って、洗浄後の基板Ｚに現像液およびレジスト材の残渣等が残存することを、好適に防止できる。
なお、以下の説明では、基板の回転の中心側および周縁側等を、単に、基板の中心側および周縁側等ともいう。
本発明の洗浄方法は、このような構成を有することにより、例えば直径３００ｍｍの大型のウエハを基板Ｚとして用いた場合にも、現像工程後における基板Ｚの洗浄を周縁部まで好適に行って、洗浄後の基板Ｚに現像液およびレジスト材の残渣等が残存することを、好適に防止できる。
なお、以下の説明では、基板の回転の中心側および周縁側等を、単に、基板の中心側および周縁側等ともいう。
特許文献１にも記載されるように、フォトリソグラフィにおける現像工程の後の洗浄方法として、基板を回転しつつ、洗浄液を吐出するノズルを、基板の中心側から周縁側に向けて移動する方法が知られている。
ところが、この洗浄方法では、基板の中心側と周縁側とで周速度（円周上の或る位置における移動速度）が異なり、基板の中心側から、周縁側に行くにしたがって、漸次、周速度が速くなる。
そのため、基板の周縁側に行くほど、洗浄液による基板の洗浄時間が短くなり、基板の周縁側では、現像残渣の除去が困難になるという問題がある。近年では、基板として、直径３００ｍｍのウエハも使用されているが、このような大口径の基板では、中心側と周縁側との周速度の差が非常に大きく、基板の全面を適正に洗浄して残渣を除去することが困難である。大口径の基板では、前述のように、特に周縁側、例えば周縁部（端部）から内側に５０ｍｍまでの領域において、残渣を確実に除去することが困難であり、残渣の集合体が筋状に残る場合が多い。
ところが、この洗浄方法では、基板の中心側と周縁側とで周速度（円周上の或る位置における移動速度）が異なり、基板の中心側から、周縁側に行くにしたがって、漸次、周速度が速くなる。
そのため、基板の周縁側に行くほど、洗浄液による基板の洗浄時間が短くなり、基板の周縁側では、現像残渣の除去が困難になるという問題がある。近年では、基板として、直径３００ｍｍのウエハも使用されているが、このような大口径の基板では、中心側と周縁側との周速度の差が非常に大きく、基板の全面を適正に洗浄して残渣を除去することが困難である。大口径の基板では、前述のように、特に周縁側、例えば周縁部（端部）から内側に５０ｍｍまでの領域において、残渣を確実に除去することが困難であり、残渣の集合体が筋状に残る場合が多い。
これに対して、本発明の洗浄方法では、基板Ｚを回転しつつ、洗浄液を吐出するノズル１２を、基板Ｚの中心側から周縁側に向けて移動する基板Ｚの洗浄において、基板Ｚの回転中心からのノズル１２の距離に応じて、ノズル１２の移動速度を、基板Ｚの中心側から周縁側（外側）に向かって、低下する。すなわち、本発明の洗浄方法では、基板Ｚの中心側に比して、周縁側のノズル１２の移動速度を、低下する。言い換えれば、本発明の洗浄方法では、基板Ｚの中心からのノズル１２の距離が離れるほど、ノズルの移動速度を低下する。
本発明の洗浄方法は、このような構成を有することにより、基板Ｚの周縁側において、ノズル１２から吐出される洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を確保して、基板Ｚの中心側と周縁側とで、洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を均一化できる。
その結果、本発明の洗浄方法によれは、例えば、基板Ｚとして直径３００ｍｍの大口径のウエハを用いた場合であっても、現像工程後における基板Ｚの洗浄を、基板Ｚの周縁側も含む全面に渡って好適に行って、洗浄後の基板Ｚに現像液およびレジスト材の残渣等が残存することを、好適に防止できる。
本発明の洗浄方法は、このような構成を有することにより、基板Ｚの周縁側において、ノズル１２から吐出される洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を確保して、基板Ｚの中心側と周縁側とで、洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を均一化できる。
その結果、本発明の洗浄方法によれは、例えば、基板Ｚとして直径３００ｍｍの大口径のウエハを用いた場合であっても、現像工程後における基板Ｚの洗浄を、基板Ｚの周縁側も含む全面に渡って好適に行って、洗浄後の基板Ｚに現像液およびレジスト材の残渣等が残存することを、好適に防止できる。
本発明の洗浄方法において、基板Ｚの中心側から周縁側に向かうノズル１２の移動速度は、基板Ｚの回転中心からのノズル１２の距離に応じて、基板Ｚの中心側から周縁側に向かって速度を低下すれば、各種の態様が利用可能である。
従って、基板Ｚの回転中心からのノズル１２の距離に応じた、基板Ｚの中心側から周縁側に向かうノズル１２の移動速度の低下は、図２に概念的に示すような線形的な低下でもよく、図３および図４に概念的に示すような非線形的な低下でもよく、図５に概念的に示すような段階的な低下（階段状の低下）でもよい。あるいは、線形的な低下、非線形的な低下および段階的な低下の２以上を含むように、基板Ｚの回転中心からのノズル１２の距離に応じて、基板Ｚの中心側から周縁側に向かってノズル１２の移動速度を低下してもよい。
以下の説明では、『基板Ｚの回転中心からのノズル１２の距離に応じた、基板Ｚの中心側から周縁側に向かうノズル１２の移動速度の低下』を、単に、『ノズル１２の移動速度の低下』ともいう。
従って、基板Ｚの回転中心からのノズル１２の距離に応じた、基板Ｚの中心側から周縁側に向かうノズル１２の移動速度の低下は、図２に概念的に示すような線形的な低下でもよく、図３および図４に概念的に示すような非線形的な低下でもよく、図５に概念的に示すような段階的な低下（階段状の低下）でもよい。あるいは、線形的な低下、非線形的な低下および段階的な低下の２以上を含むように、基板Ｚの回転中心からのノズル１２の距離に応じて、基板Ｚの中心側から周縁側に向かってノズル１２の移動速度を低下してもよい。
以下の説明では、『基板Ｚの回転中心からのノズル１２の距離に応じた、基板Ｚの中心側から周縁側に向かうノズル１２の移動速度の低下』を、単に、『ノズル１２の移動速度の低下』ともいう。
図２に示すように、線形的（比例的）にノズル１２の移動速度を低下させる場合には、一例として、基準となる移動速度（基準速度）、ノズル１２の移動速度を基準速度とする基板Ｚの中心からの距離（基準距離）、および、速度低下の程度（単位距離の移動量に対する速度低下率）を決定して、
移動速度＝基準速度－（基準速度×速度低下率）×［（中心からのノズルの距離－基準距離）／単位距離］
となるように、中心からのノズル１２の距離に応じて、ノズル１２の移動速度を低下すればよい。
例えば、基準速度を１６．７ｍｍ／ｓｅｃ、基準距離を５０ｍｍ、単位距離を１０ｍｍおよび速度低下率を４％（１０ｍｍのノズルの移動で速度を４％低下する）、とする場合であれば、
移動速度＝１６．７－（１６．７×０．０４）×［（中心からのノズルの距離－５０）／１０］
となるように、中心からのノズル１２の距離に応じて、ノズル１２の移動速度を低下すればよい。
移動速度＝基準速度－（基準速度×速度低下率）×［（中心からのノズルの距離－基準距離）／単位距離］
となるように、中心からのノズル１２の距離に応じて、ノズル１２の移動速度を低下すればよい。
例えば、基準速度を１６．７ｍｍ／ｓｅｃ、基準距離を５０ｍｍ、単位距離を１０ｍｍおよび速度低下率を４％（１０ｍｍのノズルの移動で速度を４％低下する）、とする場合であれば、
移動速度＝１６．７－（１６．７×０．０４）×［（中心からのノズルの距離－５０）／１０］
となるように、中心からのノズル１２の距離に応じて、ノズル１２の移動速度を低下すればよい。
また、図３に示すように、非線形的にノズル１２の移動速度を低下させる場合には、一例として、反比例的に、ノズル１２の移動速度を低下させる方法が例示される。
ここで、非線形的にノズル１２の移動速度を低下させる場合には、基板Ｚの中心からのノズル１２の距離に応じて、速度低下の程度（度合い、割合）を変更するのが好ましい。具体的には、図３に概念的に示すグラフ、および、反比例的に速度を低下させる場合と同様に、基板Ｚの周縁側に行くほど、ノズル１２の速度低下の程度を、小さくするのが好ましい。言い換えれば、中心側においては、移動速度を大きく低下し、周縁側においては、移動速度の低下を小さくするのが好ましい。例えば、基板Ｚの中心側では、５０ｍｍの移動で速度が７０％低下するように、非線形的にノズル１２の移動速度を低下し、基板Ｚの周縁側では、５０ｍｍの移動で速度が５％低下するように、非線形的にノズル１２の移動速度を低下する。
この態様は、十分な洗浄が可能な基板Ｚの中心側において、無駄な洗浄液の吐出を防止できる、基板の洗浄時間を短縮できる、残渣の多い周辺部の洗浄に重点を置くことができる等の点で好ましい。
また、このような非線形的なノズル１２の移動速度を低下は、図４に概念的に示すような、移動速度の低下の程度（傾き）が異なる、線形的なノズル１２の移動速度の低下を組み合わせた構成も利用可能である。この際においても、図４に示すように、基板Ｚの中心側では線形的なノズルの移動速度の低下の程度を大きくし、周縁側においては、線形的なノズルの移動速度の低下の程度を小さくするのが好ましい。また、図４に示す例では、組み合わせる線形的な移動速度の低下は、２種であるが、３種以上の線形的な移動速度の低下を組み合わせて、非線形的にノズル１２の移動速度を低下してもよい。
ここで、非線形的にノズル１２の移動速度を低下させる場合には、基板Ｚの中心からのノズル１２の距離に応じて、速度低下の程度（度合い、割合）を変更するのが好ましい。具体的には、図３に概念的に示すグラフ、および、反比例的に速度を低下させる場合と同様に、基板Ｚの周縁側に行くほど、ノズル１２の速度低下の程度を、小さくするのが好ましい。言い換えれば、中心側においては、移動速度を大きく低下し、周縁側においては、移動速度の低下を小さくするのが好ましい。例えば、基板Ｚの中心側では、５０ｍｍの移動で速度が７０％低下するように、非線形的にノズル１２の移動速度を低下し、基板Ｚの周縁側では、５０ｍｍの移動で速度が５％低下するように、非線形的にノズル１２の移動速度を低下する。
この態様は、十分な洗浄が可能な基板Ｚの中心側において、無駄な洗浄液の吐出を防止できる、基板の洗浄時間を短縮できる、残渣の多い周辺部の洗浄に重点を置くことができる等の点で好ましい。
また、このような非線形的なノズル１２の移動速度を低下は、図４に概念的に示すような、移動速度の低下の程度（傾き）が異なる、線形的なノズル１２の移動速度の低下を組み合わせた構成も利用可能である。この際においても、図４に示すように、基板Ｚの中心側では線形的なノズルの移動速度の低下の程度を大きくし、周縁側においては、線形的なノズルの移動速度の低下の程度を小さくするのが好ましい。また、図４に示す例では、組み合わせる線形的な移動速度の低下は、２種であるが、３種以上の線形的な移動速度の低下を組み合わせて、非線形的にノズル１２の移動速度を低下してもよい。
図５に示すように、段階的にノズル１２の移動速度を低下する場合には、移動速度の低下の程度は、基板Ｚの中心から周縁部までの全域で均一であっても、基板Ｚの中心部から周縁部までの距離に応じて、低減させる移動速度が異なるものであってもよい。また、速度低下の程度が均一な領域と、不均一な領域とが混在してもよい。
ここで、非線形的な速度低下と同様の効果が得られる点で、段階的にノズル１２の移動速度を低下する場合にも、図５に概念的に示すように、また、上述した非線形的な速度低下と同様に、基板Ｚの周縁側に行くほど、ノズル１２の速度低下の程度（変化の割合）を、小さくするのが好ましい。
また、段階的にノズル１２の移動速度を低下する場合において、ノズル１２の移動速度を等速とする移動距離は、均一でも、不均一でも、均一な領域と不均一な領域とが混在していてもよい。なお、ノズル１２の移動速度を等速とする移動距離は、周縁側に行くほど長くするのが好ましい。
ここで、非線形的な速度低下と同様の効果が得られる点で、段階的にノズル１２の移動速度を低下する場合にも、図５に概念的に示すように、また、上述した非線形的な速度低下と同様に、基板Ｚの周縁側に行くほど、ノズル１２の速度低下の程度（変化の割合）を、小さくするのが好ましい。
また、段階的にノズル１２の移動速度を低下する場合において、ノズル１２の移動速度を等速とする移動距離は、均一でも、不均一でも、均一な領域と不均一な領域とが混在していてもよい。なお、ノズル１２の移動速度を等速とする移動距離は、周縁側に行くほど長くするのが好ましい。
本発明の洗浄方法において、ノズル１２の移動速度の低下は、基本的に、周縁側の方が側よりも低速となるように、行う。すなわち、本発明の洗浄方法において、ノズル１２の移動速度は、図５に示す段階的な低下のように等速領域を含んでもよいが、基本的に、中心側から周縁側に向かって、漸次、低下させる。
しかしながら、本発明は、これに制限はされず、例えば処理時間を短縮させたい場合など、必要に応じて、部分的に、中心側よりも周縁側の方が高速でノズル１２が移動する領域を有してもよい。
すなわち、本発明の洗浄方法においては、基板Ｚの中心（回転中心）から、基板Ｚの周縁部まで、全体的に見た状態において、中心側から周縁側に向かって、漸次、ノズル１２の移動速度が低下していればよい。
しかしながら、本発明は、これに制限はされず、例えば処理時間を短縮させたい場合など、必要に応じて、部分的に、中心側よりも周縁側の方が高速でノズル１２が移動する領域を有してもよい。
すなわち、本発明の洗浄方法においては、基板Ｚの中心（回転中心）から、基板Ｚの周縁部まで、全体的に見た状態において、中心側から周縁側に向かって、漸次、ノズル１２の移動速度が低下していればよい。
本発明の洗浄方法によれば、前述のように、基板Ｚの周縁側において、ノズル１２から吐出される洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を確保して、基板Ｚの中心側と周縁側とで、洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を均一化できる。
すなわち、本発明の洗浄方法によれば、基板Ｚの中心側と周縁側とで、単位面積当たりの洗浄度すなわち洗浄時間を均一化することができる。本発明の洗浄方法では、基板Ｚの全面において、単位面積当たりの洗浄時間の最大値と最小値との比が、好ましくは１５倍以下、より好ましくは１０倍以下、さらに好ましくは５倍以下、特に好ましくは２倍以下となるように、ノズル１２の移動速度を低下する。なお、単位面積当たりの洗浄時間とは、ノズルが基板上に位置する場所の時間であり、洗浄液と基板Ｚとが接触している時間を定義するものではない。
また、洗浄液として、洗浄液に気体を混合した２流体を用いる場合には、洗浄液の供給量とは、２流体の供給量である。
すなわち、本発明の洗浄方法によれば、基板Ｚの中心側と周縁側とで、単位面積当たりの洗浄度すなわち洗浄時間を均一化することができる。本発明の洗浄方法では、基板Ｚの全面において、単位面積当たりの洗浄時間の最大値と最小値との比が、好ましくは１５倍以下、より好ましくは１０倍以下、さらに好ましくは５倍以下、特に好ましくは２倍以下となるように、ノズル１２の移動速度を低下する。なお、単位面積当たりの洗浄時間とは、ノズルが基板上に位置する場所の時間であり、洗浄液と基板Ｚとが接触している時間を定義するものではない。
また、洗浄液として、洗浄液に気体を混合した２流体を用いる場合には、洗浄液の供給量とは、２流体の供給量である。
また、本発明の洗浄方法においては、基板Ｚの中心からのノズル１２の距離に応じて、周縁部に行くほど、すなわち、基板Ｚの中心からのノズル１２の距離が離れるほど、吐出量が多くなるように、ノズル１２が吐出する洗浄液の量を調節してもよい。さらに、本発明においては、基板Ｚの中心からのノズル１２の距離に応じて、周縁部に行くほど、ノズル１２が吐出する洗浄液の圧力を増加させてもよい。
この際においては、洗浄液の吐出量および／または圧力の増加量は、移動速度と同様、線形的でもよく、非線形的でもよく、段階的でもよい。さらに、基板Ｚの周縁側に行くほど、洗浄液の吐出量および／または圧力の増加の程度を、大きくしてもよい。
この際においては、洗浄液の吐出量および／または圧力の増加量は、移動速度と同様、線形的でもよく、非線形的でもよく、段階的でもよい。さらに、基板Ｚの周縁側に行くほど、洗浄液の吐出量および／または圧力の増加の程度を、大きくしてもよい。
本発明の洗浄方法においては、好ましくは、基板Ｚの中心からのノズル１２の距離に応じたノズル１２の移動速度の低下に加えて、基板Ｚの中心からのノズル１２の距離に応じて、基板Ｚの中心からのノズル１２の距離が遠くなるほど、基板Ｚの回転速度を低下するのが好ましい。
これにより、より好適に、基板Ｚの周縁側において、ノズル１２から吐出される洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を確保して、基板Ｚの中心側と周縁側とで、洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を均一化して、周縁部を含む基板Ｚの全面において、現像残渣を除去できる。
これにより、より好適に、基板Ｚの周縁側において、ノズル１２から吐出される洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を確保して、基板Ｚの中心側と周縁側とで、洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を均一化して、周縁部を含む基板Ｚの全面において、現像残渣を除去できる。
基板Ｚの中心からのノズル１２の距離に応じた基板Ｚの回転速度の低下は、基本的に、前述のノズル１２の移動速度の低下に準ずればよい。
すなわち、基板Ｚの回転速度の低下方法は、一例として、図２～図５において、縦軸のノズルの移動速度を、基板の回転速度に変更すればよい。
従って、基板Ｚの回転速度の低下は、線形的でもよく、非線形的でもよく、段階的でもよい。また、基板Ｚの回転速度の低下の程度を、ノズル１２が周縁部に行くにしたがって、小さくしてもよい。段階的に速度を低下する場合には、回転速度を等速とするノズル１２の移動領域の長さが、均一でもよく、不均一でもよく、均一な領域と不均一な領域とが混在してもよい。
なお、ノズル１２の移動速度の低下方法（線形的、非線形的など）と、基板Ｚの回転速度の低下方法（同前）との組み合わせには、制限はない。従って、ノズル１２の移動速度を線形的に低下して、基板Ｚの回転速度を線形的に低下してもよく、ノズル１２の移動速度を線形的に低下して、基板Ｚの回転速度を非線形的に低下してもよく、ノズル１２の移動速度を非線形的に低下して、基板Ｚの回転速度を線形的に低下してもよく、さらに、ノズル１２の移動速度を非線形的に低下して、基板Ｚの回転速度を非線形的に低下してもよい。中でも、制御が容易である等の点で、ノズル１２の移動速度を線形的に低下して、基板Ｚの回転速度を非線形的に低下する態様は、好適である。
すなわち、基板Ｚの回転速度の低下方法は、一例として、図２～図５において、縦軸のノズルの移動速度を、基板の回転速度に変更すればよい。
従って、基板Ｚの回転速度の低下は、線形的でもよく、非線形的でもよく、段階的でもよい。また、基板Ｚの回転速度の低下の程度を、ノズル１２が周縁部に行くにしたがって、小さくしてもよい。段階的に速度を低下する場合には、回転速度を等速とするノズル１２の移動領域の長さが、均一でもよく、不均一でもよく、均一な領域と不均一な領域とが混在してもよい。
なお、ノズル１２の移動速度の低下方法（線形的、非線形的など）と、基板Ｚの回転速度の低下方法（同前）との組み合わせには、制限はない。従って、ノズル１２の移動速度を線形的に低下して、基板Ｚの回転速度を線形的に低下してもよく、ノズル１２の移動速度を線形的に低下して、基板Ｚの回転速度を非線形的に低下してもよく、ノズル１２の移動速度を非線形的に低下して、基板Ｚの回転速度を線形的に低下してもよく、さらに、ノズル１２の移動速度を非線形的に低下して、基板Ｚの回転速度を非線形的に低下してもよい。中でも、制御が容易である等の点で、ノズル１２の移動速度を線形的に低下して、基板Ｚの回転速度を非線形的に低下する態様は、好適である。
また、ノズル１２の移動速度の低下に加え、基板Ｚの回転速度の低下を行う場合には、より好適に、基板Ｚの周縁側において、ノズル１２から吐出される洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を確保して、基板Ｚの中心側と周縁側とで、洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を均一化できる。
すなわち、ノズル１２の移動速度の低下に加え、基板Ｚの回転速度の低下を行うことにより、より好適に、基板Ｚの中心側と周縁側とで、単位面積当たりの洗浄度すなわち洗浄時間を均一化することができる。本発明においては、基板Ｚの全面において、単位面積当たりの洗浄時間の最大値と最小値との比が好ましくは１５倍以下、より好ましくは１０倍以下、更に好ましくは５倍以下、特に好ましくは２倍以下となるように、ノズル１２の移動速度および基板Ｚの回転速度を低下する。
すなわち、ノズル１２の移動速度の低下に加え、基板Ｚの回転速度の低下を行うことにより、より好適に、基板Ｚの中心側と周縁側とで、単位面積当たりの洗浄度すなわち洗浄時間を均一化することができる。本発明においては、基板Ｚの全面において、単位面積当たりの洗浄時間の最大値と最小値との比が好ましくは１５倍以下、より好ましくは１０倍以下、更に好ましくは５倍以下、特に好ましくは２倍以下となるように、ノズル１２の移動速度および基板Ｚの回転速度を低下する。
本発明の洗浄方法において、ノズル１２の移動速度の低下率と、基板Ｚの回転速度の低下率との関係には、制限はない。
ここで、本発明においては、基板Ｚの中心（回転中心）から基板Ｚの半径の１／１５の距離を第１基準距離、基板Ｚの中心から基板Ｚの端部までの距離を第２基準距離として、ノズル１２の移動速度の低下率と、基板Ｚの回転速度の低下率とが、以下の関係となるのが好ましい。
例えば、基板Ｚの直径が３００ｍｍである場合には、基板Ｚの中心（回転中心）から１０ｍｍの距離を第１基準距離、基板Ｚの中心から１５０ｍｍの距離を第２基準距離として、ノズル１２の移動速度の低下率と、基板Ｚの回転速度の低下率とが、以下の関係となるのが好ましい。
すなわち、第１基準距離におけるノズル１２の移動速度（［ｍｍ／ｓｅｃ］）に対する、第２基準距離（すなわち基板Ｚの端部）におけるノズル１２の移動速度の低下率と、ノズル１２が第１基準距離に位置する時の基板Ｚの回転速度（［ｒｐｍ（revolutions per minute）］）に対する、ノズル１２が第２基準距離（すなわち基板Ｚの端部）に位置する時の基板Ｚの回転速度の低下率と、の比が、移動速度の低下率／回転速度の低下率の比で、１００以下であるのが好ましく、５０以下であるのがより好ましく、１０以下であるのがさらに好ましい。
上述の移動速度の低下率／回転速度の低下率の比を１００以下とすることにより、より好適に、基板Ｚの周縁側において、ノズル１２から吐出される洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を確保して、基板Ｚの中心側と周縁側とで、洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を均一化して、周縁部を含む基板Ｚの全面において、現像残渣を除去できる。
ここで、本発明においては、基板Ｚの中心（回転中心）から基板Ｚの半径の１／１５の距離を第１基準距離、基板Ｚの中心から基板Ｚの端部までの距離を第２基準距離として、ノズル１２の移動速度の低下率と、基板Ｚの回転速度の低下率とが、以下の関係となるのが好ましい。
例えば、基板Ｚの直径が３００ｍｍである場合には、基板Ｚの中心（回転中心）から１０ｍｍの距離を第１基準距離、基板Ｚの中心から１５０ｍｍの距離を第２基準距離として、ノズル１２の移動速度の低下率と、基板Ｚの回転速度の低下率とが、以下の関係となるのが好ましい。
すなわち、第１基準距離におけるノズル１２の移動速度（［ｍｍ／ｓｅｃ］）に対する、第２基準距離（すなわち基板Ｚの端部）におけるノズル１２の移動速度の低下率と、ノズル１２が第１基準距離に位置する時の基板Ｚの回転速度（［ｒｐｍ（revolutions per minute）］）に対する、ノズル１２が第２基準距離（すなわち基板Ｚの端部）に位置する時の基板Ｚの回転速度の低下率と、の比が、移動速度の低下率／回転速度の低下率の比で、１００以下であるのが好ましく、５０以下であるのがより好ましく、１０以下であるのがさらに好ましい。
上述の移動速度の低下率／回転速度の低下率の比を１００以下とすることにより、より好適に、基板Ｚの周縁側において、ノズル１２から吐出される洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を確保して、基板Ｚの中心側と周縁側とで、洗浄液による基板Ｚの洗浄時間を均一化して、周縁部を含む基板Ｚの全面において、現像残渣を除去できる。
図６に、本発明の洗浄方法の別の態様を概念的に示す。
なお、図６に示す洗浄方法は、図１に示す洗浄方法と同じ部材を多様しているので、同じ部材には同じ符号を付し、以下の説明は、異なる点を主に行う。
なお、図６に示す洗浄方法は、図１に示す洗浄方法と同じ部材を多様しているので、同じ部材には同じ符号を付し、以下の説明は、異なる点を主に行う。
前述のように、本発明の洗浄方法は、基板Ｚを回転しつつ、洗浄液をノズル１２を基板Ｚの中心側から周縁側に移動することで、基板Ｚの洗浄を行う。また、フォトリソグラフィにおける現像工程を行った後の基板Ｚの洗浄は、通常、複数回、繰り返して行う。
ここで、本発明の洗浄方法では、ノズル１２が周縁側に向かって移動した後は、洗浄を終えた領域には、洗浄液が供給されないので、取り切れなかった残渣が乾燥してしまう場合が有る。特に、基板Ｚの中心では、現像残渣が固化しやすい。
固化した現像残渣は、除去しにくくなってしまい、その後、繰り返し洗浄を行っても、除去できなくなってしまう場合が有る。
ここで、本発明の洗浄方法では、ノズル１２が周縁側に向かって移動した後は、洗浄を終えた領域には、洗浄液が供給されないので、取り切れなかった残渣が乾燥してしまう場合が有る。特に、基板Ｚの中心では、現像残渣が固化しやすい。
固化した現像残渣は、除去しにくくなってしまい、その後、繰り返し洗浄を行っても、除去できなくなってしまう場合が有る。
これに対応して、本発明においては、図６に概念的に示すように、補助ノズル２０を設けておき、基板Ｚの中心側から周縁側に移動するノズル１２が、基板Ｚの中心から移動したら、補助ノズル２０を基板Ｚの中心に配置して（図６上段～中段）、補助ノズル２０から基板Ｚの中心に洗浄液を吐出しつつ、ノズル１２を中心側から周縁側に移動して、基板Ｚの洗浄を行う。
補助ノズル２０が吐出した洗浄液は、基板Ｚの回転による遠心力によって、基板Ｚの中心部から周縁側に向かって移動する。
補助ノズル２０が吐出した洗浄液は、基板Ｚの回転による遠心力によって、基板Ｚの中心部から周縁側に向かって移動する。
このような補助ノズル２０を用いることにより、現像残渣の乾燥、特に基板Ｚの中心部（中心部近傍）における現像残渣の乾燥を防止して、次回の洗浄によって、残った現像残渣を好適に除去でき、基板Ｚの洗浄効率を向上できる。
また、補助ノズル２０から吐出され、遠心力によって移動する洗浄液によっても現像残渣が除去されるので、基板Ｚの洗浄効率を向上できる。
また、補助ノズル２０から吐出され、遠心力によって移動する洗浄液によっても現像残渣が除去されるので、基板Ｚの洗浄効率を向上できる。
補助ノズル２０が吐出する洗浄液は、ノズル１２が吐出する洗浄液と同様でよい。従って、補助ノズル２０が吐出する洗浄液は、気体を混合されない洗浄液でも、洗浄液と気体とを混合した２流体でもよい。
ここで、洗浄液と気体とを混合した２流体は、洗浄能力が高い反面、形成したレジスト材（レジスト層）等を損傷および／または劣化する可能性も高い。補助ノズル２０は、１箇所で洗浄液を吐出するので、２流体を用いた場合にレジスト材等を損傷および／または劣化する可能性は、より高くなる。
従って、基板Ｚの中心に洗浄液を供給する補助ノズル２０を用いた場合には、補助ノズルが吐出するのは、気体を混合されない洗浄液であるのが好ましい。図６に示す例では、洗浄液を供給する供給管２４が１本のみ設けられ、補助ノズル２０は、気体を混合されない洗浄液を吐出する。
また、図６に示す例では、補助ノズル２０を気体を混合しない１流体ノズル（ストレートノズル）としたが、レジスト材へのダメージを抑制できるノズルであれば、これに制限はされない。また、ノズルの形状により、ノズルを中心に設置しない形状のものもあるため、基板Ｚの中心部に液盛りができるのであれば、補助ノズル２０は、必ずしも中心に設置する必要はない。
ここで、洗浄液と気体とを混合した２流体は、洗浄能力が高い反面、形成したレジスト材（レジスト層）等を損傷および／または劣化する可能性も高い。補助ノズル２０は、１箇所で洗浄液を吐出するので、２流体を用いた場合にレジスト材等を損傷および／または劣化する可能性は、より高くなる。
従って、基板Ｚの中心に洗浄液を供給する補助ノズル２０を用いた場合には、補助ノズルが吐出するのは、気体を混合されない洗浄液であるのが好ましい。図６に示す例では、洗浄液を供給する供給管２４が１本のみ設けられ、補助ノズル２０は、気体を混合されない洗浄液を吐出する。
また、図６に示す例では、補助ノズル２０を気体を混合しない１流体ノズル（ストレートノズル）としたが、レジスト材へのダメージを抑制できるノズルであれば、これに制限はされない。また、ノズルの形状により、ノズルを中心に設置しない形状のものもあるため、基板Ｚの中心部に液盛りができるのであれば、補助ノズル２０は、必ずしも中心に設置する必要はない。
補助ノズル２０から吐出する洗浄液の吐出量には、制限はなく、使用する洗浄液の種類、レジスト材の種類等に応じて、適宜、設定すればよい。一般的には０．０１～３Ｌ（リットル）／ｍｉｎの流量が好適に用いられる。
さらに、補助ノズル２０の移動方法は、上述したノズル１２の移動方法と同様、制限はなく、公知の方法が、各種、利用可能である。
さらに、補助ノズル２０の移動方法は、上述したノズル１２の移動方法と同様、制限はなく、公知の方法が、各種、利用可能である。
なお、本発明において、現像工程後に行う洗浄の回数には、制限はなく、１回でもよく、あるいは、複数回を繰り返し行ってもよい。
洗浄の回数は、使用する洗浄液の種類、および、レジスト材の種類等に応じて、適宜、設定すればよい。
洗浄の回数は、使用する洗浄液の種類、および、レジスト材の種類等に応じて、適宜、設定すればよい。
以上、本発明の洗浄方法について詳細に説明したが、本発明は、上述の例には限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行なってもよいのは、もちろんである。
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明を、より詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に制限はされない。
＜実施例１＞
［透明重合性組成物の調製］
以下の成分を混合することにより、透明重合性組成物を調製した。
・熱重合性基を有する化合物（ダイセル化学工業社製、サイクロマーＡＣＡ－２３０β（ＣＲ－１０００）（Ｍｗ＝７７００、固形分酸価１５ｍｇＫＯＨ／ｇ） １２．１９１質量部
・フッ素系界面活性剤（ＤＩＣ社製、メガファックＦ－７８１） ０．８３４質量部
・溶媒（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）） ５４．５６質量部
・溶媒（３－エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）） ３２．４１５質量部
［透明重合性組成物の調製］
以下の成分を混合することにより、透明重合性組成物を調製した。
・熱重合性基を有する化合物（ダイセル化学工業社製、サイクロマーＡＣＡ－２３０β（ＣＲ－１０００）（Ｍｗ＝７７００、固形分酸価１５ｍｇＫＯＨ／ｇ） １２．１９１質量部
・フッ素系界面活性剤（ＤＩＣ社製、メガファックＦ－７８１） ０．８３４質量部
・溶媒（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）） ５４．５６質量部
・溶媒（３－エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）） ３２．４１５質量部
［透明塗布層の形成］
加熱手段としてホットプレートを有する加熱槽が設けられると共に、密閉することができるように構成されたコータディベロッパー（東京エレクトロン社製、ＡＣＴ１２）を用意した。
直径３００ｍｍのシリコン（Ｂａｒｅ－Ｓｉ）基板を用意し、コータディベロッパーの塗布ユニットを使用し、このシリコン基板上に、調製した透明重合性組成物を、膜厚０．１μｍの塗布層となるように塗布した。その後、シリコン基板を、ホットプレートによって、２２０℃で５分間、プロキシミテイー式で熱処理し、次いで、冷却プレートによって２３℃で１分間冷却することにより、透明塗布層を形成した。
加熱手段としてホットプレートを有する加熱槽が設けられると共に、密閉することができるように構成されたコータディベロッパー（東京エレクトロン社製、ＡＣＴ１２）を用意した。
直径３００ｍｍのシリコン（Ｂａｒｅ－Ｓｉ）基板を用意し、コータディベロッパーの塗布ユニットを使用し、このシリコン基板上に、調製した透明重合性組成物を、膜厚０．１μｍの塗布層となるように塗布した。その後、シリコン基板を、ホットプレートによって、２２０℃で５分間、プロキシミテイー式で熱処理し、次いで、冷却プレートによって２３℃で１分間冷却することにより、透明塗布層を形成した。
［緑色感放射線性組成物の調製］
以下の成分を混合することにより、緑色感放射線性組成物を調製した。
・顔料分散液（下記のＧｒｅｅｎ顔料分散液Ｇ１） ５１．２質量部
・光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ－０１） ０．８７質量部
・重合性化合物（日本化薬社製、ＫＡＹＡＲＡＤ ＲＰ－１０４０） ４．７質量部
・バインダー（ダイセル化学工業社製、ＡＣＡ２３０ＡＡ） ７．４質量部
・重合禁止剤（ｐ－メトキシフェノール） ０．００２質量部
・添加剤（竹本油脂社製、パイオニンＤ－６１１２－Ｗ） ０．１９質量部
・シランカップリング剤：（信越化学社製、ＫＢＭ－６０２のシクロヘキサノン０．９質量％溶液） １０．８質量部
・溶媒（ＰＧＭＥＡ） １４．３質量部
・溶媒（シクロヘキサノン） ６．４質量部
・フッ素系界面活性剤（ＤＩＣ社製、メガファックＦ－７８１のシクロヘキサノン０．２質量％溶液 ４．２質量部
以下の成分を混合することにより、緑色感放射線性組成物を調製した。
・顔料分散液（下記のＧｒｅｅｎ顔料分散液Ｇ１） ５１．２質量部
・光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ－０１） ０．８７質量部
・重合性化合物（日本化薬社製、ＫＡＹＡＲＡＤ ＲＰ－１０４０） ４．７質量部
・バインダー（ダイセル化学工業社製、ＡＣＡ２３０ＡＡ） ７．４質量部
・重合禁止剤（ｐ－メトキシフェノール） ０．００２質量部
・添加剤（竹本油脂社製、パイオニンＤ－６１１２－Ｗ） ０．１９質量部
・シランカップリング剤：（信越化学社製、ＫＢＭ－６０２のシクロヘキサノン０．９質量％溶液） １０．８質量部
・溶媒（ＰＧＭＥＡ） １４．３質量部
・溶媒（シクロヘキサノン） ６．４質量部
・フッ素系界面活性剤（ＤＩＣ社製、メガファックＦ－７８１のシクロヘキサノン０．２質量％溶液 ４．２質量部
（Ｇｒｅｅｎ顔料分散液Ｇ１の調製）
ＧＲＥＥＮ顔料（ＰＧ３６／ＰＧ７／ＰＹ１３９＝８０質量部／２０質量部／３０質量部）に対して、分散材（ＢＹＫ社製、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１６１、４．８質量部）および分散樹脂（ＰＧＭＥＡ、８３．２質量部）を、固形分が２５．５質量％、ＧＲＥＥＮ顔料が１５．３質量％となるように添加して、混合した混合液を調製した。なお、ＰＧ３６はＣＩピグメントグリーン３６、ＰＧ７はＣＩピグメントグリーン７、ＰＹ１３９はＣＩピグメントイエロー１３９、である。
この混合液を、ビーズミルにより１５時間混合・分散して、Ｇｒｅｅｎ顔料分散液Ｇ１を調製した。
ＧＲＥＥＮ顔料（ＰＧ３６／ＰＧ７／ＰＹ１３９＝８０質量部／２０質量部／３０質量部）に対して、分散材（ＢＹＫ社製、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１６１、４．８質量部）および分散樹脂（ＰＧＭＥＡ、８３．２質量部）を、固形分が２５．５質量％、ＧＲＥＥＮ顔料が１５．３質量％となるように添加して、混合した混合液を調製した。なお、ＰＧ３６はＣＩピグメントグリーン３６、ＰＧ７はＣＩピグメントグリーン７、ＰＹ１３９はＣＩピグメントイエロー１３９、である。
この混合液を、ビーズミルにより１５時間混合・分散して、Ｇｒｅｅｎ顔料分散液Ｇ１を調製した。
［緑色パターンの形成］
先と同じコータディベロッパーを使用し、透明塗布層を形成した基板をプリベーク後に、塗布ユニットに搬送し、透明塗布層に、調製した緑色感放射線性組成物を、膜厚０．６μｍが塗布層となるように塗布した。
その後、ホットプレートによって、基板を１００℃で３分間、プロキシミテイー式で加熱することにより、緑色感放射線性組成物を乾燥した。乾燥後、冷却プレートによって、基板を２３℃で１分間、冷却することにより、緑色感放射線性層を形成した。
先と同じコータディベロッパーを使用し、透明塗布層を形成した基板をプリベーク後に、塗布ユニットに搬送し、透明塗布層に、調製した緑色感放射線性組成物を、膜厚０．６μｍが塗布層となるように塗布した。
その後、ホットプレートによって、基板を１００℃で３分間、プロキシミテイー式で加熱することにより、緑色感放射線性組成物を乾燥した。乾燥後、冷却プレートによって、基板を２３℃で１分間、冷却することにより、緑色感放射線性層を形成した。
このようにして形成した緑色感放射線性層に、ステッパー（キヤノン社製のｉ線ステッパー、ＦＰＡ５５１０ｉＺｓ、ＮＡ／σ＝０．５７／０．７０）を用い、１５０ｍＪ／ｃｍ2（露光照度は１００００ｗ／ｍ2）の露光量で、ベストフォーカス設定でパターン露光した。露光のパターンは、正方格子の一辺を１．０μｍとする市松模様のパターンとし、市松模様のパターンを９００×９００μｍの正方エリアに形成することを、各正方エリアのピッチを１０００×１０００μｍとして行い、基板の全面を露光した。
次いで、露光後の基板を現像機に装填した。
現像は東京エレクトロン社製の現像機を使用し、現像液としてＮ５（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を用いて６０秒間パドル現像を行った。現像ノズルはストレートノズル（現像液流量：１Ｌ／ｍｉｎ、塗出時間５秒を含む）を用いた。
現像は東京エレクトロン社製の現像機を使用し、現像液としてＮ５（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を用いて６０秒間パドル現像を行った。現像ノズルはストレートノズル（現像液流量：１Ｌ／ｍｉｎ、塗出時間５秒を含む）を用いた。
その後、現像機の回転機構を用いて基板を回転させて、２３℃の超純水（DE-IONIZED WATER）をノズルからシャワー状に供給しながら、ノズルを基板の中心（回転中心）から基板の周縁に向けて直線状に移動させて基板の洗浄を行った。洗浄は、超純水（流量０．１５Ｌ／ｍｉｎ）に窒素（流量２０Ｌ／ｍｉｎ）を混合した２流体で行った。
基板の回転速度は１０００ｒｐｍとした。
また、ノズルの移動は、基板の中心から５０ｍｍの距離における移動速度１６．７ｍｍ／ｓｅｃを基準速度として、基板の中心からの距離に反比例するように、基板の中心側から周縁側に向かって移動速度を低下させて行った。本例においては、基板の中心から１０ｍｍの距離におけるノズルの移動速度は８３．３ｍｍ／ｓｅｃ、同１５０ｍｍの距離におけるノズルの移動速度は５．５５ｍｍ／ｓｅｃであった。
洗浄は、１回目の洗浄でノズルが基板の周縁部まで移動したのち、再度、基板の中心にノズルを戻して、２回目の洗浄を行った（２回ループさせた）。
２回の洗浄が終了したのち、基板を回転速度２０００ｒｐｍで２０秒間、回転させて、基板の乾燥を行った。
以上により、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを得た。
基板の回転速度は１０００ｒｐｍとした。
また、ノズルの移動は、基板の中心から５０ｍｍの距離における移動速度１６．７ｍｍ／ｓｅｃを基準速度として、基板の中心からの距離に反比例するように、基板の中心側から周縁側に向かって移動速度を低下させて行った。本例においては、基板の中心から１０ｍｍの距離におけるノズルの移動速度は８３．３ｍｍ／ｓｅｃ、同１５０ｍｍの距離におけるノズルの移動速度は５．５５ｍｍ／ｓｅｃであった。
洗浄は、１回目の洗浄でノズルが基板の周縁部まで移動したのち、再度、基板の中心にノズルを戻して、２回目の洗浄を行った（２回ループさせた）。
２回の洗浄が終了したのち、基板を回転速度２０００ｒｐｍで２０秒間、回転させて、基板の乾燥を行った。
以上により、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを得た。
＜実施例２＞
現像後の基板の洗浄において、ノズルの移動速度の低下を線形的にした以外は、実施例１と同様に、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを形成した。
なお、ノズルの移動速度の低下は、基板の中心から５０ｍｍの距離における移動速度１６．７ｍｍ／ｓｅｃを基準速度として、１０ｍｍのノズルの移動で４％、基板の中心側から周縁側に向かって、線形的に移動速度が低下するようにした。
本例においては、基板の中心から１０ｍｍの距離におけるノズルの移動速度は１９．３ｍｍ／ｓｅｃ、同１５０ｍｍの距離におけるノズルの移動速度は１０．０ｍｍ／ｓｅｃであった。
現像後の基板の洗浄において、ノズルの移動速度の低下を線形的にした以外は、実施例１と同様に、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを形成した。
なお、ノズルの移動速度の低下は、基板の中心から５０ｍｍの距離における移動速度１６．７ｍｍ／ｓｅｃを基準速度として、１０ｍｍのノズルの移動で４％、基板の中心側から周縁側に向かって、線形的に移動速度が低下するようにした。
本例においては、基板の中心から１０ｍｍの距離におけるノズルの移動速度は１９．３ｍｍ／ｓｅｃ、同１５０ｍｍの距離におけるノズルの移動速度は１０．０ｍｍ／ｓｅｃであった。
＜実施例３＞
現像後の基板の洗浄において、ノズルの移動速度の低下を線形的にした以外は、実施例１と同様に、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを形成した。
なお、ノズルの移動速度の低下は、基板の中心から５０ｍｍの距離における移動速度１６．７ｍｍ／ｓｅｃを基準速度として、１０ｍｍのノズルの移動で２％、基板の中心側から周縁側に向かって、線形的に移動速度が低下するようにした。
本例においては、基板の中心から１０ｍｍの距離におけるノズルの移動速度は１８．０ｍｍ／ｓｅｃ、同１５０ｍｍの距離におけるノズルの移動速度は１３．３ｍｍ／ｓｅｃであった。
現像後の基板の洗浄において、ノズルの移動速度の低下を線形的にした以外は、実施例１と同様に、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを形成した。
なお、ノズルの移動速度の低下は、基板の中心から５０ｍｍの距離における移動速度１６．７ｍｍ／ｓｅｃを基準速度として、１０ｍｍのノズルの移動で２％、基板の中心側から周縁側に向かって、線形的に移動速度が低下するようにした。
本例においては、基板の中心から１０ｍｍの距離におけるノズルの移動速度は１８．０ｍｍ／ｓｅｃ、同１５０ｍｍの距離におけるノズルの移動速度は１３．３ｍｍ／ｓｅｃであった。
＜実施例４＞
現像後の基板の洗浄において、ノズルの移動速度を段階的に低下した以外は、実施例１と同様に、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを形成した。
なお、ノズルの移動速度の低下は、ノズルが１０ｍｍ移動する間はノズルの移動速度を一定速度にし、ノズルが１０ｍｍ移動したら、移動速度を４％低下することを、繰り返し行った。
現像後の基板の洗浄において、ノズルの移動速度を段階的に低下した以外は、実施例１と同様に、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを形成した。
なお、ノズルの移動速度の低下は、ノズルが１０ｍｍ移動する間はノズルの移動速度を一定速度にし、ノズルが１０ｍｍ移動したら、移動速度を４％低下することを、繰り返し行った。
＜実施例５＞
現像後の基板の洗浄において、基板の回転速度を１０００ｒｐｍ一定ではなく、基板の中心からの距離に応じて、基板の回転速度を低下させた以外は、実施例１と同様に、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを形成した。
基板の回転速度の低下は、ノズルが基板の中心から５０ｍｍの距離に位置した際における回転速度が１０００ｒｐｍとなるように、基板の中心からのノズルの距離に応じて、反比例的に回転速度を低下させた。
本例においては、ノズルが基板の中心から１０ｍｍの距離に位置した際における基板の回転速度は５０００ｒｐｍ、同１５０ｍｍの距離に位置した際における基板の回転速度は３３３ｒｐｍであった。
従って、本例においては、基板の直径が３００ｍｍであるので、基板の中心から１０ｍｍの距離（第１基準距離＝基板半径の１／１５）に対する１５０ｍｍの距離（第２基準距離＝基板の端部）におけるノズルの移動速度（８３．３ｍｍ／ｓｅｃおよび５．５５ｍｍ／ｓｅｃ）の低下率は９３．３％で、ノズルが基板の中心から１０ｍｍの距離（第１基準距離）に位置した際に対する１５０ｍｍの距離（第２基準距離）に位置した際における基板の回転速度の低下率は９３．３％であり、移動速度の低下率／回転速度の低下率の比は１．００である。
現像後の基板の洗浄において、基板の回転速度を１０００ｒｐｍ一定ではなく、基板の中心からの距離に応じて、基板の回転速度を低下させた以外は、実施例１と同様に、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを形成した。
基板の回転速度の低下は、ノズルが基板の中心から５０ｍｍの距離に位置した際における回転速度が１０００ｒｐｍとなるように、基板の中心からのノズルの距離に応じて、反比例的に回転速度を低下させた。
本例においては、ノズルが基板の中心から１０ｍｍの距離に位置した際における基板の回転速度は５０００ｒｐｍ、同１５０ｍｍの距離に位置した際における基板の回転速度は３３３ｒｐｍであった。
従って、本例においては、基板の直径が３００ｍｍであるので、基板の中心から１０ｍｍの距離（第１基準距離＝基板半径の１／１５）に対する１５０ｍｍの距離（第２基準距離＝基板の端部）におけるノズルの移動速度（８３．３ｍｍ／ｓｅｃおよび５．５５ｍｍ／ｓｅｃ）の低下率は９３．３％で、ノズルが基板の中心から１０ｍｍの距離（第１基準距離）に位置した際に対する１５０ｍｍの距離（第２基準距離）に位置した際における基板の回転速度の低下率は９３．３％であり、移動速度の低下率／回転速度の低下率の比は１．００である。
＜実施例６＞
ノズルが基板の中心から移動した時点で、中心近傍に補助ノズルを設置して、補助ノズルから洗浄液を吐出した以外は、実施例５と同様に、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを形成した。
なお、補助ノズルからの吐出するのは、空気を混合しない超純水のみとした。超純水の流量は、０．３Ｌ／ｍｉｎとした。また、洗浄の最終段階（乾燥前）は、補助ノズルのみの洗浄液吐出で、５００ｒｐｍ、１０秒間の洗浄工程を追加した。
中心近傍にノズル（２流体ノズル）が設置され、補助ノズルが中心近傍に設置できない洗浄の初期段階は、補助ノズルは液を吐出せず、ノズルの横で退避する設定とした。中心近傍からノズルが周縁部に向かって移動開始し、補助ノズルが中心近傍に設置できる状態になってから、補助ノズルを中心近傍に移動し、洗浄液を吐出する設定とした。なお、中心近傍とは、回転する基板に補助リンスノズルから液を吐出した際に、基板の中心に吐出された液が基板の中心までカバーできる範囲と定義している。
ノズルが基板の中心から移動した時点で、中心近傍に補助ノズルを設置して、補助ノズルから洗浄液を吐出した以外は、実施例５と同様に、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを形成した。
なお、補助ノズルからの吐出するのは、空気を混合しない超純水のみとした。超純水の流量は、０．３Ｌ／ｍｉｎとした。また、洗浄の最終段階（乾燥前）は、補助ノズルのみの洗浄液吐出で、５００ｒｐｍ、１０秒間の洗浄工程を追加した。
中心近傍にノズル（２流体ノズル）が設置され、補助ノズルが中心近傍に設置できない洗浄の初期段階は、補助ノズルは液を吐出せず、ノズルの横で退避する設定とした。中心近傍からノズルが周縁部に向かって移動開始し、補助ノズルが中心近傍に設置できる状態になってから、補助ノズルを中心近傍に移動し、洗浄液を吐出する設定とした。なお、中心近傍とは、回転する基板に補助リンスノズルから液を吐出した際に、基板の中心に吐出された液が基板の中心までカバーできる範囲と定義している。
＜比較例１＞
ノズルの移動を１６．７ｍｍ／ｓｅｃで一定とした以外は、実施例１と同様に、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを形成した。
ノズルの移動を１６．７ｍｍ／ｓｅｃで一定とした以外は、実施例１と同様に、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを形成した。
＜評価＞
このようにして作製した市松模様の緑色パターンの上面を、測長走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製、Ｓ－９３８０、Ｍａｇ：×３０．０ｋ、ＨＶ／ＩＰ：６００ｖ／８．０ｐＡ）を使用して観察した。
観察は、基板の中心部、中心からの距離が７５ｍｍの位置、基板の周縁部（周縁部からの距離が５ｍｍの位置）を観察した。
残渣が非常に多く、製品レベルに適用できるレベルではない場合をＤ、
残渣多いが、製品に適用できるレベルである場合をＣ、
残渣が少なく、製品に適用しても問題ないレベルである場合をＢ、
残渣が殆ど解消されており、外観としても良好である場合もＡ、と評価した。
結果を下記の表に示す。
このようにして作製した市松模様の緑色パターンの上面を、測長走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製、Ｓ－９３８０、Ｍａｇ：×３０．０ｋ、ＨＶ／ＩＰ：６００ｖ／８．０ｐＡ）を使用して観察した。
観察は、基板の中心部、中心からの距離が７５ｍｍの位置、基板の周縁部（周縁部からの距離が５ｍｍの位置）を観察した。
残渣が非常に多く、製品レベルに適用できるレベルではない場合をＤ、
残渣多いが、製品に適用できるレベルである場合をＣ、
残渣が少なく、製品に適用しても問題ないレベルである場合をＢ、
残渣が殆ど解消されており、外観としても良好である場合もＡ、と評価した。
結果を下記の表に示す。
＜実施例７＞
基板を直径２００ｍｍのシリコン基板に変更した以外は、実施例６と同様に、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを形成した。
ただし、組成物の塗布および現像は、東京エレクトロン社製のＡＣＴ８を用いた。また、露光は、キヤノン社製のＦＰＡ３０００ｉ５（ＮＡ／σ＝０．６３／０．６５）を用い、１４５ｍＪ／ｃｍ2（露光照度は１００００ｗ／ｍ2）の露光量で行った。
このようにして作製した市松模様の緑色パターンの上面を、上述の例と同様に観察して、同様に評価した。ただし、測長走査型電子顕微鏡は、日立ハイテクノロジーズ社製のＳ－９２６０Ａ（Ｍａｇ：×３０．０ｋ、ＨＶ／ＩＰ：６００ｖ／８．０ｐＡ）を用いた。
結果を下記の表に併記する。
基板を直径２００ｍｍのシリコン基板に変更した以外は、実施例６と同様に、基板の表面に形成した透明硬化層上に、市松模様の緑色パターンが形成されてなるパターンを形成した。
ただし、組成物の塗布および現像は、東京エレクトロン社製のＡＣＴ８を用いた。また、露光は、キヤノン社製のＦＰＡ３０００ｉ５（ＮＡ／σ＝０．６３／０．６５）を用い、１４５ｍＪ／ｃｍ2（露光照度は１００００ｗ／ｍ2）の露光量で行った。
このようにして作製した市松模様の緑色パターンの上面を、上述の例と同様に観察して、同様に評価した。ただし、測長走査型電子顕微鏡は、日立ハイテクノロジーズ社製のＳ－９２６０Ａ（Ｍａｇ：×３０．０ｋ、ＨＶ／ＩＰ：６００ｖ／８．０ｐＡ）を用いた。
結果を下記の表に併記する。
特に、ノズルの速度と共に、ノズルが周縁側に移動するに応じて基板Ｚの回転速度を低下した実施例５は、基板の中心部および中心からの距離が７５ｍｍの位置における現像残渣が、ほぼ認められず、非常に好適に基板の洗浄が行われている。中でも特に、ノズルが中心から移動した後に、補助ノズルによって中心に洗浄液を吐出した実施例６および実施例７は、基板の全域に渡って現像残渣が、ほぼ認められず、さらに好適に基板の洗浄が行われている。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
フォトリソグラフィを利用する半導体装置等の製造に、好適に利用可能である。
１２ ノズル
１４ 第１供給管
１６ 第２供給管
２０ 補助ノズル
２４ 供給管
Ｚ 基板
１４ 第１供給管
１６ 第２供給管
２０ 補助ノズル
２４ 供給管
Ｚ 基板
Claims (10)
- フォトリソグラフィにおける現像工程を終了した基板を回転しつつ、洗浄液を吐出するノズルを、前記基板の回転の中心側から周縁側に移動して、前記洗浄液によって前記基板の洗浄を行うと共に、
前記基板の回転中心からの前記ノズルの距離に応じて、前記ノズルの移動速度を、前記中心側から前記周縁側に向かって低下することを特徴とする洗浄方法。 - 前記ノズルが前記中心側から前記周縁側に移動するほど、前記基板の回転速度を低下する、請求項１に記載の洗浄方法。
- 前記ノズルの移動速度の低下が、線形的な低下、非線形的な低下および段階的な低下の、１以上である、請求項１または２に記載の洗浄方法。
- 前記ノズルの移動速度の低下が、非線形的な低下および段階的な低下の少なくとも一方である場合には、前記ノズルの移動速度の低下の程度を、前記中心側から前記周縁側に向かって小さくする、請求項３に記載の洗浄方法。
- 前記基板の回転速度の低下が、線形的な低下、非線形的な低下および段階的な低下の、１以上である、請求項２～４のいずれか１項に記載の洗浄方法。
- 前記基板の回転速度の低下が、非線形的な低下および段階的な低下の少なくとも一方である場合には、前記基板の回転速度の低下の程度を、前記中心側から前記周縁側に向かって小さくする、請求項５に記載の洗浄方法。
- 前記基板の回転中心から前記基板の半径の１／１５の距離に前記ノズルが位置する時の前記ノズルの移動速度に対する、前記基板の周縁における前記ノズルの移動速度の低下率と、
前記基板の回転中心から前記基板の半径の１／１５の距離に前記ノズルが位置する時の前記基板の回転速度に対する、前記基板の周縁に前記ノズルが位置する時の前記基板の回転速度の低下率と、の比が、
移動速度の低下率／回転速度の低下率の比で、０．３～９５である、請求項２～６のいずれか１項に記載の洗浄方法。 - 前記ノズルが、前記洗浄液と共に気体を吐出する、請求項１～７のいずれか１項に記載の洗浄方法。
- 前記現像工程において現像された基板が、特定の波長域の光を透過する光学フィルタ材である、請求項１～８のいずれか１項に記載の洗浄方法。
- 前記基板が直径２００ｍｍ以上の円盤状である、請求項１～９のいずれか１項に記載の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020503388A JP6932236B2 (ja) | 2018-02-28 | 2019-02-15 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018-035374 | 2018-02-28 | ||
| JP2018035374 | 2018-02-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2019167664A1 true WO2019167664A1 (ja) | 2019-09-06 |
Family
ID=67805324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2019/005528 WO2019167664A1 (ja) | 2018-02-28 | 2019-02-15 | 洗浄方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6932236B2 (ja) |
| TW (1) | TWI783122B (ja) |
| WO (1) | WO2019167664A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021097120A (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 株式会社荏原製作所 | レジスト除去システムおよびレジスト除去方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102583342B1 (ko) | 2020-10-22 | 2023-09-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| CN113786944A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-12-14 | 江门市安诺特炊具制造有限公司 | 炊具磁感应涂层喷涂系统及喷涂方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003093943A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2005093694A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法およびその装置 |
| JP2008060103A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2016181611A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
-
2019
- 2019-02-15 WO PCT/JP2019/005528 patent/WO2019167664A1/ja active Application Filing
- 2019-02-15 JP JP2020503388A patent/JP6932236B2/ja active Active
- 2019-02-25 TW TW108106201A patent/TWI783122B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003093943A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2005093694A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法およびその装置 |
| JP2008060103A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2016181611A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021097120A (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 株式会社荏原製作所 | レジスト除去システムおよびレジスト除去方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI783122B (zh) | 2022-11-11 |
| JP6932236B2 (ja) | 2021-09-08 |
| JPWO2019167664A1 (ja) | 2021-01-14 |
| TW201942950A (zh) | 2019-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2019167664A1 (ja) | 洗浄方法 | |
| EP1892562B1 (en) | Production method for color filter | |
| TWI533081B (zh) | 光硬化性組成物、彩色濾光片及其製法 | |
| JP2007115921A (ja) | 遮光膜形成用組成物、それを用いた固体撮像素子用遮光膜及び固体撮像素子 | |
| TW201815981A (zh) | 黑色顏料及其製造方法、顏料分散液、感光性組成物及其硬化物 | |
| KR101988696B1 (ko) | 청색 감광성 수지 조성물, 이를 포함하는 청색 컬러필터 및 표시장치 | |
| KR20180083341A (ko) | 고체 촬상 소자의 제조 방법 및 고체 촬상 소자, 그리고 컬러 필터의 제조 방법 및 컬러 필터 | |
| JP6512777B2 (ja) | カラーフィルタアレイの形成方法、撮像装置の製造方法 | |
| JP2006301101A (ja) | 遮光・反射防止積層膜及びその形成方法、並びにそれを有する固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2011032366A (ja) | 着色硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法 | |
| JP2007249190A (ja) | 光硬化性組成物、それを用いた反射防止膜、及び固体撮像素子 | |
| JP2005234045A (ja) | 着色樹脂組成物 | |
| JP2008089708A (ja) | 光硬化性組成物、並びに、イメージセンサー用カラーフィルター及びその製造方法 | |
| TW201927867A (zh) | 組成物、膜、濾色器、固體攝像元件、圖像顯示裝置及化合物的製造方法 | |
| TW200540465A (en) | Color filter | |
| JP5489386B2 (ja) | 固体撮像素子の反射防止膜用光硬化性組成物、それを用いた固体撮像素子用反射防止膜、固体撮像素子用反射防止膜の製造方法、及び固体撮像素子 | |
| JP2006156801A (ja) | 遮光膜形成用組成物、それを用いた固体撮像素子用遮光膜及び固体撮像素子 | |
| KR20110127816A (ko) | 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 신너 조성물 | |
| JP7185058B2 (ja) | 硬化性組成物、硬化物、カラーフィルタ、固体撮像素子及び画像表示装置 | |
| JP6716911B2 (ja) | 着色材含有感光性組成物及びそれを用いたカラーフィルタ、固体撮像素子 | |
| JP2009065178A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US20070292806A1 (en) | Dynamic Puddle Developing Process | |
| JP7212765B2 (ja) | 組成物、膜および膜の製造方法 | |
| JP7167312B2 (ja) | 硬化性組成物、硬化物、カラーフィルタ、固体撮像素子及び画像表示装置 | |
| TWI829774B (zh) | 著色組成物、膜、濾色器、濾色器之製造方法、結構體、固體攝像元件及圖像顯示裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 19760678 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2020503388 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 19760678 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |