CN116705678A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明能够缩基板处理装置的长度。基板处理装置具有基板从由分度器装置搬入基板的区域移动到接口部为止的去程部分、以及基板从接口部移动到向分度器装置搬出基板的区域为止的返程部分。返程部分具有分别沿着第一水平方向配置的第一部分以及第二部分。第一部分包括对基板上的涂膜实施显影处理的显影部。第二部分包括对在显影处理后已通过加热部加热的基板进行冷却的冷却部。在从上方平面透视的情况下，第一部分的构成第一水平方向上的一部分的第一区域和第二部分的构成第一水平方向上的至少一部分的第二区域在与第一水平方向正交的第二水平方向上排列。返程部分包括加热部以及将已通过该加热部加热的基板从第一区域向第二区域搬运的第一搬运部。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
以往，已知如下的基板处理装置：将从具有载置容纳多个基板的盒体的载置台以及搬运装置的分度器装置搬入的基板作为对象，依次进行前处理、抗蚀剂膜的形成、通过抗蚀剂膜的减压环境进行干燥、通过加热进行抗蚀剂膜的干燥、通过吹送冷风进行冷却、向曝光装置搬出、从曝光装置搬入、通过显影液对曝光后的抗蚀剂膜进行显影、通过冲洗液冲洗显影液，冲洗液的干燥、通过加热对显影后的抗蚀剂膜进行干燥、以及冷却等，通过分度器装置搬出基板(例如，专利文献1等)。
在前处理中，例如，依次对基板进行通过照射紫外光去除有机物、使用清洗液的清洗、通过鼓风机等进行干燥、通过加热进行干燥、通过吹送六甲基二硅氮烷(HMDS)进行疏水化处理、以及通过吹送冷风进行冷却等。
向曝光装置搬出基板以及从曝光装置搬入基板例如通过接口部的搬运装置来执行。
专利文献1：日本特开2019-220628号公报。
然而，通过加热显影后的抗蚀剂膜进行干燥例如能够通过加热载置的基板来执行。另外，对加热显影后的抗蚀剂膜后的基板的冷却例如能够通过对使用传送带搬运过程中的基板的冷却或者通过对载置有基板的架状部分的局部环境进行排气来冷却基板等来实现。
然而，例如，在工厂内能够设置基板处理装置的区域存在限制的情况下，有时不能将构成基板从接口部移动至向分度器装置搬出基板的区域的部分(也称返程部分)的多个结构构件排列为直线状。因此，例如存在需求通过缩短返程部分的长度等来缩短基板处理装置的长度的情况。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而提出的，其目的在于，提供能够缩短基板处理装置的长度的技术。
为了解决上述课题，第一技术方案的基板处理装置具有基板从由分度器装置搬入所述基板的区域移动到向曝光装置搬出所述基板的接口部为止的去程部分、以及从所述曝光装置搬入所述接口部的所述基板从所述接口部移动到向所述分度器装置搬出所述基板的区域为止的返程部分。所述去程部分具有：清洗部，对所述基板实施清洗处理；以及成膜部，在实施了所述清洗处理的所述基板上形成涂膜。所述返程部分具有分别沿着第一水平方向配置的第一部分以及第二部分。所述第一部分包括对所述涂膜实施显影处理的显影部。所述第二部分包括对在所述显影处理后已通过加热部加热的所述基板进行冷却的冷却部。在从上方平面透视的情况下，所述第一部分中的构成所述第一水平方向上的一部分的第一区域和所述第二部分中的构成所述第一水平方向上的至少一部分的第二区域在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上排列。所述返程部分包括所述加热部以及将已通过该加热部加热的所述基板从所述第一区域向所述第二区域搬运的第一搬运部。
第二技术方案的基板处理装置，在第一技术方案的基板处理装置中，在所述第一部分中，所述显影部、所述第一搬运部以及所述加热部在所述第一水平方向上依次排列，所述第一搬运部从所述显影部向所述加热部搬运所述基板，并从所述加热部向所述冷却部搬运所述基板。
第三技术方案的基板处理装置，在第一技术方案的基板处理装置中，所述第一部分包括：中转部，以相对于所述显影部在上下方向上重叠的方式配置；以及第二搬运部，从所述显影部向所述加热部搬运所述基板，并且从所述加热部向所述中转部搬运所述基板，所述第一搬运部从所述中转部向所述冷却部搬运所述基板。
第四技术方案的基板处理装置，在第三技术方案的基板处理装置中，所述中转部包括沿着与所述第一水平方向相反的第三水平方向搬运所述基板的反向搬运传送带，所述第一搬运部从所述反向搬运传送带中的所述第三水平方向侧的部分向所述冷却部搬运所述基板。
第五技术方案的基板处理装置，在第三或第四技术方案的基板处理装置中，在所述第一部分中，所述显影部、所述第二搬运部以及所述加热部在所述第一水平方向上依次排列。
第六技术方案的基板处理装置，在第一至第五中任一项所述的技术方案的基板处理装置中，所述冷却部包括一边沿着所述第一水平方向搬运所述基板一边对所述基板进行冷却的冷却传送带。
第七技术方案的基板处理装置，在第一至第五中任一项所述的技术方案的基板处理装置中，所述冷却部包括通过在暂时容纳所述基板的状态下进行排气来对所述基板进行冷却的冷却单元。
第八技术方案的基板处理装置，在第一或第二技术方案的基板处理装置中，所述第一部分包括所述第一搬运部，所述冷却部包括一边向所述第一水平方向搬运所述基板一边对所述基板进行冷却的冷却传送带，并且，所述冷却部相比所述第一搬运部更向与所述第一水平方向相反的第三水平方向延伸，所述第一搬运部在向所述冷却部搬运所述基板时，向所述冷却部中的以所述第一搬运部为基准相比位于所述第二水平方向的区域更向所述第三水平方向偏移的区域搬运所述基板。
第九技术方案的基板处理方法，其使用基板处理装置，所述基板处理装置具有基板从由分度器装置搬入所述基板的区域移动到向曝光装置搬出所述基板的接口部为止的去程部分、以及从所述曝光装置搬入所述接口部的所述基板从所述接口部移动到向所述分度器装置搬出所述基板的区域为止的返程部分。所述去程部分具有：清洗部，对所述基板实施清洗处理；以及成膜部，在实施了所述清洗处理的所述基板上形成涂膜。所述返程部分具有分别沿着第一水平方向配置的第一部分以及第二部分。所述第一部分包括显影部。所述第二部分包括冷却部。在从上方平面透视的情况下，所述第一部分中的构成所述第一水平方向上的一部分的第一区域和所述第二部分中的构成所述第一水平方向上的至少一部分的第二区域在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上排列。所述返程部分包括加热部以及第一搬运部。所述基板处理方法包括：第一工序，通过所述显影部对所述涂膜实施显影处理；第二工序，通过所述加热部对在所述第一工序中对所述涂膜实施了所述显影处理的所述基板进行加热；第三工序，通过所述第一搬运部将在所述第二工序中已被加热的所述基板从所述第一区域向所述第二区域搬运；以及第四工序，通过所述冷却部对在所述第三工序中从所述第一区域搬运至所述第二区域的所述基板进行冷却。
根据第一技术方案的基板处理装置，例如，通过并列配置返程部分的一部分，能够缩短返程部分的第一水平方向上的长度。由此，例如能够缩短基板处理装置的长度。
根据第二技术方案的基板处理装置，例如，通过简化基板处理装置的形状，能够容易地进行基板处理装置的设置。
根据第三技术方案的基板处理装置，例如，在第一部分中，以通过第二搬运部向中转部折返的方式搬运基板。由此，例如，通过并列配置返程部分的一部分，能够缩短返程部分的第一水平方向上的长度。
根据第四技术方案的基板处理装置，例如，通过反向搬运传送带将加热后的基板沿着与第一水平方向相反的第三水平方向搬运后，通过第一搬运部向冷却部搬运基板。由此，例如，通过使第二部分相对于第一部分向与第一水平方向相反的第三水平方向偏移，能够缩短返程部分的第一水平方向上的长度。
根据第五技术方案的基板处理装置，例如，通过简化基板处理装置的形状，能够容易地进行基板处理装置的设置。
根据第六技术方案的基板处理装置，例如，用于设置冷却部的成本难以增大。
根据第七技术方案的基板处理装置，例如能够缩短返程部分的第一水平方向上的长度。
根据第八技术方案的基板处理装置，例如，通过使第二部分相对于第一部分向与第一水平方向相反的第三水平方向偏移，能够缩短返程部分的第一水平方向上的长度。
根据第九技术方案的基板处理方法，例如，通过采用从返程部分中的并列配置的第一区域向第二区域搬运基板的结构，能够缩短返程部分的第一水平方向上的长度。由此，例如能够缩短基板处理装置的长度。
附图说明
图1是表示基板处理装置的结构的一例的概略图。
图2是示意性地表示返程部分的一部分结构的一例的俯视图。
图3是示意性地表示第一部分的一部分结构的一例的纵向剖视图。
图4是示意性地表示第二部分的一部分结构的一例的纵向剖视图。
图5是示意性地表示返程部分的一部分结构的一参考例的俯视图。
图6是表示返程部分中的对基板的处理和搬运的流程的一例的流程图。
图7是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图8是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图9是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图10是示意性地表示第二部分的一部分结构的一例的纵向剖视图。
图11是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图12是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图13是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图14是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图15是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图16是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图17是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图18是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图19是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图20是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图21是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图22是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图23是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图24是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
图25是示意性地表示返程部分的一部分结构的一变形例的俯视图。
附图标记的说明：
1 基板处理装置
11 去程部分
111 清洗部
112 成膜部
12 接口部
13 返程部分
13a第一部分
13b第二部分
131显影部
132加热部
133、133A、133B冷却部
133c冷却传送带
133t、136t旋转单元
133u冷却单元
134第一搬运部
135第二搬运部
136、136A中转部
136c反向搬运传送带
137第三搬运部
138载置部
139第四搬运部
2分度器装置
3曝光装置
G1基板
P1第一区域
P2第二区域
具体实施方式
以下，一边参考附图一边对本发明的各种实施方式进行说明。这些实施方式实施方式所记载的结构构件只是例示，本发明的范围并不限于此。在附图中，对具有相同的结构和功能的部分标注相同的附图标记并在下述说明中省略重复说明。另外，在附图中，为了便于理解，根据需要放大或简化各部分的尺寸和数量。在各图中，为了说明各构件的位置关系，在图2至图5以及图7至图25中标注了右手系的XYZ正交坐标系。此处，X轴和Y轴沿水平方向延伸，Z轴沿铅垂方向(上下方向)延伸。另外，在以下的说明中，将箭头的顶端的朝向设定为+(正)方向，将与其相反的方向设定为-(负)方向。此处，铅垂方向朝上为+Z方向，铅垂方向朝下为-Z方向。
若无特别提示，表示相对或绝对位置关系的表述(例如，“一个方向”、“沿着一个方向”、“平行”、“正交”、“中心”、“同心”、“同轴”等)不仅严谨地表示该位置关系，也表示在能得到公差或者相同程度的功能的范围内角度或距离相对地发生位移的状态。若无特别提示，表示等同状态的表述(例如，“相同”、“等同”、“均质”等)不仅定量严谨地表示等同状态，也表示存在能得到公差或者相同程度的功能的差的状态。若无特别提示，表示形状的表述(例如，“四边形”或者“圆筒形”等)不仅严谨地表示几何学上的该形状，也表示在能够得到相同程度的效果的范围内例如具有凹凸或倒角等的形状。“具有”、“备置”、“具备”、“包括”或者“持有”一个结构构件的表述，并非是排除其他结构构件的存在的排他性表述。若无特别提示，“～之上”和“～之下”不仅包括两个构件接触的情况，还包括两个构件分离的情况。若无特别提示，“使其沿特定方向移动”不仅包括与该特定方向平行地移动的情况，还包括使其沿具有该特定方向的成分的方向移动的情况。
<1.第一实施方式>
<1-1.基板处理装置的概略的结构>
图1是表示基板处理装置1的结构的一例的概略图。基板处理装置1例如是对从分度器装置2搬入的基板G1进行清洗、涂膜的形成、向曝光装置3搬出、从曝光装置3搬入、曝光后的显影、通过显影后的加热进行干燥、以及冷却的装置。将基板处理装置1中的处理后的基板G1搬入至分度器装置2。在图1中，位于从分度器装置2搬入基板G1的区域(也称被搬入区域)11i的基板G1用实线示意性地描绘，位于基板处理装置1的其他区域的基板G1用细的双点划线示意性地描绘。
基板G1例如应用平板状的玻璃基板等。基板G1例如为具有作为第一主表面的第一面(也称上表面)和作为与该第一面相反的第二主面的第二面(也称下表面)的平板状的基板。用于形成涂膜的处理液例如应用包含抗蚀剂液或聚酰亚胺前体以及溶剂的液体(也称PI液)等涂敷用液体(也称涂敷液)。聚酰亚胺前体例如应用聚酰胺酸(Polyamic acid)等。溶剂例如应用NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮：N-Methyl-2-Pyrrolidone)。
基板处理装置1例如具有去程部分11、接口部12以及返程部分13。例如，去程部分11具有从分度器装置2搬入基板G1的区域(被搬入区域)11i，其为基板G1从被搬入区域11i移动至接口部12的部分。例如，接口部12是向曝光装置3搬出基板G1并且从曝光装置3搬入基板G1的部分。例如，返程部分13具有向分度器装置2搬出基板G1的区域(也称被搬出区域)13o，其为从曝光装置3被搬入至接口部12的基板G1从接口部12移动至被搬出区域13o的部分。
分度器装置2例如具有载置有容纳多个基板G1的盒体的载置台以及搬运机构。搬运机构例如在载置台上的盒体与去程部分11之间以及返程部分13与载置台上的盒体之间应用进行基板G1的搬运的搬运机械手等。
去程部分11例如具有清洗部111以及成膜部112。在去程部分11中，例如，作为一处理部的清洗部111和成膜部112依次配置。清洗部111是对基板G1实施清洗处理的部分。成膜部112是在通过清洗部111实施了清洗处理的基板G1上形成涂膜的部分。成膜部112例如包括作为多个的处理部的涂敷部1121、减压干燥部1122以及加热干燥部(也称预烘干部)1123。去程部分11的各处理部例如按照清洗部111、涂敷部1121、减压干燥部1122以及加热干燥部1123的顺序配置。例如，如用细双点划线描绘的箭头所示，通过搬运机械手或传送带等的搬运机构按照处理的进行，按清洗部111、涂敷部1121、减压干燥部1122以及加热干燥部1123的顺序将基板G1向各处理部搬运。
清洗部111例如对从分度器装置2搬入的基板G1实施清洗处理。清洗处理例如包括去除以微细的颗粒为主的有机污染、金属污染、油脂以及自然氧化膜等的处理。在清洗部111中，例如进行通过照射紫外光去除附着于基板G1的表面的有机物、通过供给去离子水等清洗液和用刷等清洗部件清洗基板G1的表面、以及通过鼓风机等使基板G1干燥。通过鼓风机等使基板G1干燥例如包括用气刀去除来自基板G1上的清洗液等。
涂敷部1121例如对通过清洗部111清洗后的基板G1的表面涂敷处理液。涂敷部1121例如应用狭缝式涂布机。狭缝式涂布机例如通过使从喷出口喷出处理液的狭缝喷嘴相对于基板G1相对地移动，能够在基板G1上涂敷处理液。涂敷部1121也可以应用其他涂敷方式的涂敷装置。
减压干燥部1122例如进行通过减压使涂敷于基板G1上的处理液干燥的处理(也称减压干燥处理)。此处，例如，通过减压使涂敷于基板G1的表面的处理液的溶剂气化(蒸发)，从而对处理液进行干燥。
加热干燥部1123例如对通过减压干燥部1122干燥处理液后的基板G1进行加热，在基板G1的表面上使处理液中包含的成分固化。由此，在基板G1上形成作为处理液的膜的涂膜。例如，在处理液为抗蚀剂液的情况下，通过对被干燥的抗蚀剂液的膜实施热处理，形成作为涂膜的抗蚀剂膜。例如，在处理液为PI液的情况下，通过对被干燥的PI液的膜实施热处理，通过PI液中包含的聚酰亚胺前体的酰亚胺化形成作为涂膜的聚酰亚胺膜。加热干燥部1123例如可以是加热单个基板G1的单张方式的加热处理部，也可以是将多个基板G1一并加热的分批方式的加热处理部。此处，例如，假设减压干燥部1122中的减压干燥处理的节拍时间与加热干燥部1123中的加热处理的节拍时间相差较大，且加热干燥部1123具有单张方式的加热处理部的情况。在该情况下，加热干燥部1123例如可以具有并列地进行加热处理的多台单张式的加热处理部。多台加热处理部例如以上下层叠的状态配置。
此处，去程部分11例如可以在清洗部111与成膜部112之间存在脱水烘干部。脱水烘干部例如对基板G1进行加热，使在清洗部111中附着于基板G1的清洗液气化，从而使基板G1干燥。在该情况下，在脱水烘干部与成膜部112之间也可以存在通过吹送六甲基二硅氮烷(HMDS)进行疏水化处理以及通过吹送冷风进行冷却的处理部。在该情况下，例如，成膜部112在通过清洗部111实施清洗处理后，在实施了通过脱水烘干部的加热进行干燥、疏水化处理以及冷却的基板G1上形成涂膜。
接口部12例如从去程部分11向曝光装置3搬运基板G1。接口部12例如位于去程部分11与曝光装置3之间。例如，如用细双点划线描绘的箭头所示，通过接口部12具有的搬运机械手或传送带等的搬运机构将基板G1从去程部分11向曝光装置3搬运。例如，从去程部分11的加热干燥部1123向曝光装置3搬运基板G1。另外，接口部12例如从曝光装置3向返程部分13搬运基板G1。接口部12例如位于曝光装置3与返程部分13之间。例如，如用细双点划线描绘的箭头所示，通过接口部12具有的搬运机械手等的搬运机构将基板G1从曝光装置3向返程部分13搬运。例如，从曝光装置3向返程部分13的显影部131搬运基板G1。
曝光装置3例如在去程部分11中对形成于基板G1上的涂膜进行曝光处理。具体而言，曝光装置3例如通过描绘有电路图案的掩膜照射远紫外线等特定的波长的光，向涂膜转印图案。曝光装置3例如可以包括周边曝光部以及打标器(titler)。周边曝光部为进行用于去除基板G1上的涂膜的外周部的曝光处理的部分。打标器部例如为向基板G1写入规定的信息的部分。
返程部分13例如具有作为多个的处理部的显影部131、加热部(也称后烘干部)132以及冷却部133。返程部分13的各处理部例如按照显影部131、加热部132以及冷却部133的顺序配置。例如，如用细双点划线描绘的箭头所示，通过搬运机械手或搬运传送带等的搬运机构按照处理的进行，将基板G1按显影部131、加热部132以及冷却部133的顺序向各处理部搬运。此处，例如，曝光装置3不包括周边曝光部以及打标器部，返程部分13可以具有位于接口部12与显影部131之间的周缘曝光部以及打标器部。
显影部131例如对去程部分11中形成于基板G1上的涂膜实施显影处理。显影处理例如包括对涂膜进行显影的处理、冲走显影液的处理以及使基板G1干燥的处理。在显影部131中，例如，进行将通过曝光装置3曝光了图案的基板G1上的涂膜浸渍于显影液的处理、通过去离子水等清洗液冲走基板G1上的显影液的处理、以及通过鼓风机等使基板G1干燥的处理。基于鼓风机等的基板G1的干燥例如包括用气刀去除来自基板G1上的清洗液等。
加热部132例如对基板G1进行加热。在加热部132中，例如，通过对在显影部131中实施了显影处理的基板G1进行加热，使在显影部131中附着于基板G1的清洗液气化，从而使基板G1干燥。
冷却部133例如对已通过加热部132加热的基板G1进行冷却。冷却部133例如应用一边通过传送带搬运基板G1一边对基板G1进行冷却的结构或者通过在暂时容纳基板G1的状态下进行排气从而对基板G1进行冷却的结构等。例如通过分度器装置2的搬运机构将通过冷却部133冷却的基板G1从返程部分13向基板处理装置1的外部搬出。
基板处理装置1的各部的动作例如由控制装置14控制。控制装置14例如具有与计算机同样的结构，具有控制部141以及存储部142。控制部141例如包括中央处理装置(CPU：Central Processing Unit)、RAM(Random access memory：随机存取存储器)等易失性存储器。存储部142例如包括硬盘驱动器等非易失性存储媒体。控制装置14例如由控制部141读取存储在存储部142中的程序并执行，从而能够对基板处理装置1的各部的动作进行控制。控制装置14例如既可以设置于基板处理装置1的外部，也可以包括在基板处理装置1内。
<1-2.返程部分的结构>
图2是示意性地表示返程部分13的一部分结构的一例的俯视图。在图2中，去程部分11的外缘用细的双点划线示意性地示出。另外，在图2中，位于被搬出区域13o的基板G1用实线示意性地描绘，位于返程部分13中的其他区域的基板G1用细的双点划线示意性地描绘。另外，在图2中，基板G1移动的路径用以细的单点划线描绘的箭头表示。另外，在图2中，基板G1旋转的状态用以双点划线描绘的弧状箭头表示。
如图2所示，返程部分13具有第一部分13a以及第二部分13b。第一部分13a和第二部分13b分别沿着作为第一水平方向的-X方向配置。
图3是示意性地表示第一部分13a的一部分结构的一例的纵向剖视图。在图3中，简单地记载了显影部131中的作为位于加热部132侧的端部附近的搬运机构的一例的传送带的一部分，省略对显影部131的其他结构的记载。另外，在图3中，位于各部的基板G1用细的双点划线示意性地描绘。另外，在图3中，在显影部131中基板G1移动的路径用以细的单点划线描绘的箭头表示。
图4是示意性地表示第二部分13b的一部分结构的一例的纵向剖视图。在图4中，位于被搬出区域13o的基板G1用实线示意性地描绘，位于冷却部133中的与被搬出区域13o相反一侧的端部附近的基板G1用细的双点划线示意性地描绘。另外，在图4中，在冷却部133中基板G1移动的路径用以细的单点划线描绘的箭头表示。
图5是示意性地表示返程部分13的一部分结构的一参考例的俯视图。在图5中，与图2同样地，去程部分11的外缘用细的双点划线示意性地示出。另外，在图5中，位于显影部131的途中的基板G1用实线示意性地描绘，位于返程部分13中的其他区域的基板G1用细的双点划线示意性地描绘。另外，在图5中，与图2同样地，基板G1移动的路径用以细的单点划线描绘的箭头表示，基板G1旋转的状态用以双点划线描绘的弧状箭头表示。
如图2和图3所示，第一部分13a包括显影部131。在第一实施方式中，第一部分13a包括显影部131、第一搬运部134以及加热部132。如图2和图4所示，第二部分13b包括冷却部133。
如图2所示，在从上方平面透视的情况下，第一部分13a中的构成作为第一水平方向的-X方向上的一部分的区域(也称第一区域)P1和第二部分13b中的构成作为第一水平方向的-X方向上的至少一部分的区域(也称第二区域)P2在作为与第一水平方向正交的第二水平方向的-Y方向上排列。返程部分13具有第一搬运部134。第一搬运部134例如能够将已通过加热部132加热的基板G1从第一区域P1向第二区域P2搬运。在第一实施方式中，例如，返程部分13的一部分并列排列。换言之，例如，返程部分13以第一搬运部134为起点沿着水平面弯折为Z字状。由此，如图5所示，在返程部分13中，与显影部131和第一搬运部134和冷却部133在作为第一水平方向的-X方向上以直线状排列的结构相比，返程部分13的作为第一水平方向的-X方向上的长度缩短。因此，例如能够缩短基板处理装置1的长度。
在第一实施方式中，在第一部分13a中，显影部131、第一搬运部134以及加热部132在作为第一水平方向的-X方向上依次排列。换言之，在作为第一水平方向的-X方向上，第一搬运部134位于显影部131与加热部132之间。在图2的例子中，第二区域P2位于第一区域P1的去程部分11侧的区域(也称内侧区域)A1。换言之，第二区域P2位于第一区域P1与去程部分11之间。第一区域P1包括第一搬运部134以及加热部132，第二区域P2包括冷却部133中的位于作为与第一水平方向相反的第三水平方向的+X方向侧的部分。
显影部131例如沿着作为第一水平方向的-X方向配置。在显影部131中，例如，将从接口部12侧搬入的基板G1一边沿着作为第一水平方向的-X方向依次移动，一边对基板G1上的涂膜实施显影处理。此处，例如，在返程部分13具有位于接口部12与显影部131之间的周缘曝光部以及打标器部的情况下，周缘曝光部和打标器部和显影部131沿着作为第一水平方向的-X方向排列。在该情况下，例如，第一部分13a包括周缘曝光部以及打标器部。此处，例如，在作为第一水平方向的-X方向上，周缘曝光部、打标器部以及显影部131可以按照该记载的顺序排列，打标器部、周缘曝光部以及显影部131可以按照该记载的顺序排列。
在第一实施方式中，第一搬运部134例如能够从显影部131向加热部132搬运基板G1，并从加热部132向冷却部133搬运基板G1。由此，例如，在第一部分13a中，通过第一搬运部134以在加热部132折返的方式搬运基板G1。具体而言，例如，通过第一搬运部134将基板G1朝向作为第一水平方向的-X方向向加热部132搬入，并朝向作为第三水平方向的+X方向从加热部132搬出基板G1。
第一搬运部134例如应用搬运用机械手(也称搬运机械手)。搬运机械手例如应用具有手部、臂机构、旋转机构以及升降机构的结构。手部是上下表面能够支撑或保持沿着水平方向的姿势(也称水平姿势)的基板G1的部分。臂机构是安装有手部且能够通过沿水平方向伸缩来使手部沿水平方向进退的机构。旋转机构是能够使臂机构以沿着铅垂方向的旋转轴为中心旋转的机构。升降机构是能够使旋转机构与手部和臂机构一起升降的机构。在图3中，通过搬运机械手中的升降机构使旋转机构与手部和臂机构一起升降的方向用以双点划线的细线描绘的箭头表示。此处，例如，能够采用在显影部131中的加热部132侧的端部附近的搬运机构以及冷却部133中的显影部131侧的端部附近的搬运机构中设置有搬运机械手的手部能够插入基板G1的下方的槽或狭缝等空间的方式。
加热部132例如具有加热单元132h。在图3的例子中，加热部132具有沿上下方向层叠的多个加热单元132h。加热单元132h应用板式的加热单元。在板式的加热单元中，例如，在板上载置基板G1的状态下，通过对板进行加热来对基板G1进行加热。例如，第一搬运部134的搬运机械手能够对各加热单元132h进行基板G1的搬入以及搬出。
在图3的例子中，加热部132具有三个加热单元132h，但并不限于此。加热部132可以具有一个或两个加热单元132h，也可以具有四个以上的加热单元132h。例如，在加热部132具有2个以上的加热单元132h的情况下，只要2个以上的加热单元132h沿上下方向层叠，即使在工厂内能够设置基板处理装置1的区域存在限制，也能够容易地设置基板处理装置1。
冷却部133例如沿着作为第一水平方向的-X方向配置。在冷却部133中，例如，通过第一搬运部134将水平姿势的基板G1搬入至作为第三水平方向的+X方向的端部附近。冷却部133例如具有一边沿着作为第一水平方向的-X方向搬运基板G1一边对基板G1进行冷却的传送带(也称冷却传送带)133c。冷却传送带133c通过驱动机构(未图示)使沿着作为第一水平方向的-X方向排列的多个辊旋转，从而使水平姿势的基板G1沿着作为第一水平方向的-X方向移动。通过冷却传送带133c搬运的基板G1通过例如空冷等进行冷却。例如，在基板处理装置1的上部配置有产生清浄空气的下降气流的风机过滤单元(FFU)10的情况下，通过冷却传送带133c搬运的基板G1能够通过由FFU10产生的气流进行冷却。在冷却部133具有对基板G1进行冷却的冷却传送带133c的结构中，例如，用于设置冷却部133的成本难以增大。
在第一实施方式中，例如，通过第一搬运部134的旋转机构将基板G1以水平姿势旋转后，将其搬入冷却部133。换言之，例如，第一搬运部134通过旋转机构将水平姿势的基板G1旋转并搬入至冷却部133。此处，沿着基板G1的水平面的旋转角度例如为约90度等的第一规定角度。在该情况下，冷却部133例如可以具有使水平姿势的基板G1以沿着上下方向的假想的旋转轴(也称假想旋转轴)Ax1为中心旋转的旋转单元133t。在图3的例子中，冷却部133在显影部131侧的端部附近具有旋转单元133t。
旋转单元133t例如能够应用在冷却传送带133c中的多个连续排列的2个以上的辊中的Y方向的中央附近的开口部具有转台T1以及使该转台T1升降的升降机构的结构。转台T1例如应用具有台部、轴部以及旋转驱动部的结构。台部例如为在立设在上表面的多个销上能够从下方支撑水平姿势的基板G1的部分。轴部例如为具有固定有台部的上端部且沿着假想旋转轴Axl在上下方向上延伸的柱状或棒状部分。旋转驱动部例如为使轴部以假想旋转轴Axl为中心旋转的马达等驱动部。升降机构例如应用使旋转驱动部沿上下方向升降的汽缸等机构。对于具有上述结构的旋转单元133t，例如在基板G1位于冷却传送带133c上的转台T1的上方的状态下，通过升降机构使转台T1上升从而通过台部从下方抬起水平姿势的基板G1，通过旋转驱动部以假想旋转轴Axl为中心使台部以约90度等第二规定角度旋转后，通过升降机构使转台T1下降从而在冷却传送带133c上载置基板G1。由此，水平姿势的基板G1的朝向能够沿水平面旋转。
例如，假设基板G1的上下的主表面是具有相对的两个第一边以及相对的两个第二边的长方形的情况。在该情况下，例如，在第一部分13a的显影部131中向沿着第一边的方向搬运基板G1，通过第一搬运部134将基板G1沿着从上方观察的逆时针方向旋转约90度从而将其搬入至冷却部133。此处，通过旋转单元133t将基板G1沿从上方观察的顺时针旋转约90度。由此，能够在第二部分13b的冷却部133中也将基板G1向沿着第一边的方向搬运。此处，例如，考虑第一边为基板G1的主表面的长边且第二边为基板G1的主表面的短边的情况和第一边为基板G1的主表面的短边且第二边为基板G1的主表面的长边的情况。在这些情况下，例如，旋转单元133t能够将通过第一搬运部134沿水平面旋转的基板G1的朝向返回至原来的朝向。
此处，例如，冷却部133可以在作为第一水平方向的-X方向上的任意位置具有旋转单元133t。
<1-3.返程部分中的基板处理和搬运动作的流程>
图6是表示返程部分13中的关于基板G1的处理和搬运的流程的一例的流程图。在图6中，示出了着眼于关于一张基板G1的处理和搬运的流程图。返程部分13中的关于基板G1的处理和搬运例如能够通过由控制部141控制返程部分13的各部的动作来实现。此处，例如，进行返程部分13中的关于基板G1的处理和搬运的方法构成使用基板处理装置1的基板处理方法的至少一部分。
在第一实施方式中，在返程部分13中，依次进行图6所示的步骤S1至步骤S5的工序。
在步骤S1的工序(也称第一工序)中，通过显影部131对基板G1上的涂膜实施显影处理。
在步骤S2的工序中，通过第一搬运部134从显影部131向加热部132搬运基板G1。
在步骤S3的工序(也称第二工序)中，通过加热部132对在步骤S1的第一工序中对涂膜实施了显影处理的基板G1进行加热。
在步骤S4的工序(也称第三工序)中，通过第一搬运部134将在步骤S3的第二工序中已被加热的基板G1从第一区域P1向第二区域P2搬运。在第一实施方式中，例如，通过第一搬运部134从加热部132向冷却部133搬运基板G1。
在步骤S5的工序(也称第四工序)中，通过冷却部133对在步骤S4的第三工序中从第一区域P1向第二区域P2搬运的基板G1进行冷却。在第一实施方式中，例如，通过冷却部133对通过第一搬运部134搬入至冷却部133的基板G1进行冷却。在冷却部133中，例如，通过旋转单元133t将通过第一搬运部134沿水平面旋转的基板G1的朝向返回至原来的朝向，并且一边通过冷却传送带133c将水平姿势的基板G1沿着作为第一水平方向的-X方向搬运一边对基板G1进行冷却。
如上所述，例如，通过采用从返程部分13中的并列配置的第一区域P1向第二区域P2搬运基板G1的结构，能够缩短返程部分13的作为第一水平方向的-X方向上的长度。其结果，例如，能够缩短基板处理装置1的长度。
<1-4.第一实施方式的总结>
如上所述，在第一实施方式的基板处理装置1中，例如，返程部分13的一部分并列排列。换言之，例如，返程部分13以第一搬运部134为起点沿水平面弯折为Z字状。由此，例如，能够缩短返程部分13的作为第一水平方向的-X方向上的长度。因此，例如能够缩短基板处理装置1的长度。另外，例如，即使在工厂内能够设置基板处理装置1的区域存在限制，难以扩大作为第一水平方向的-X方向上的曝光装置3与分度器装置2的间隔的情况下，也能够容易配置基板处理装置1。
另外，在使用第一实施方式的基板处理装置1的基板处理方法中，例如，从返程部分13中的并列配置的第一区域P1向第二区域P2搬运基板G1。由此，例如，能够缩短返程部分13的作为第一水平方向的-X方向上的长度。因此，例如，能够缩短基板处理装置1的长度。
<2.变形例>
本发明并不限于上述第一实施方式，能够在不脱离本发明要旨的范围内施加各种改变和改进等。
图7至图25分别为示意性地表示返程部分13的一部分结构的变形例的图。具体而言，图7至图9以及图11至图25分别为示意性地表示返程部分13的一部分结构的一变形例的俯视图。图10是示意性地表示第二部分13b的一部分结构的一例的纵向剖视图。
在图7至图9以及图11至图25的各图中，与图2同样地，位于被搬出区域13o的基板G1用实线示意性地描绘，位于返程部分13中的其他区域的基板G1用细的双点划线示意性地描绘。另外，在图7至图9以及图11至图25的各图中，与图2同样地，基板G1移动的路径用以细的单点划线描绘的箭头表示。另外，在图7至图9以及图11至图25的各图中，与图2同样地，基板G1旋转的状态用以双点划线描绘的弧状箭头表示。在图10中，位于被搬出区域13o的基板G1的一例用实线示意性地描绘，位于其他位置的基板G1的各例用细的双点划线示意性地描绘。
<2-1.第一变形例>
在上述第一实施方式中，例如，如图7所示，加热部132也可以位于第一搬运部134的与去程部分11相反一侧的区域。换言之，加热部132也可以位于第一区域P1的与去程部分11相反一侧的区域(也称外侧区域)A2。在该情况下，例如，第一部分13a包括显影部131以及第一搬运部134，第一区域P1包括第一搬运部134，第二区域P2包括冷却部133中的位于作为第三水平方向的+X方向侧的部分。在该情况下，例如返程部分13的一部分也并列排列。换言之，例如，返程部分13以第一搬运部134为起点沿着水平面弯折。由此，例如，返程部分13的作为第一水平方向的-X方向上的长度能够缩短。因此，例如，能够缩短基板处理装置1的长度。此处，例如，像上述第一实施方式那样，只要加热部132包括在第一部分13a中，就能简化基板处理装置1的形状，能够容易设置基板处理装置1。
<2-2.第二变形例>
在上述第一实施方式以及上述第一变形例中，例如，如图8等所示那样，也可以通过第一部分13a中的中转部136将已通过加热部132加热的基板G1从第一区域P1向第二区域P2搬运。此处，例如，如图8所示，第一部分13a包括以与显影部131在上下方向上重合的方式配置的中转部136以及从显影部131向加热部132搬运基板G1并且从加热部132向中转部136搬运基板G1的第二搬运部135，第一搬运部134也可以从中转部136向冷却部133A搬运基板G1。由此，例如，在第一部分13a中，通过第二搬运部135以向中转部136折返的方式搬运基板G1。由此，例如通过并列配置返程部分13的一部分，能够缩短返程部分13的作为第一水平方向的-X方向上的长度。
在图8的例子中，在第一部分13a中，显影部131、第二搬运部135以及加热部132在作为第一水平方向的-X方向上依次排列。换言之，在作为第一水平方向的-X方向上，第二搬运部135位于显影部131与加热部132之间。由此，例如，在第一部分13a中，通过第二搬运部135以在加热部132折返的方式搬运基板G1。如上所述，例如，只要加热部132包括在第一部分13a中，就能简化基板处理装置1的形状，能够容易设置基板处理装置1。
另外，在图8的例子中，中转部136位于显影部131中的第二搬运部135侧的端部附近。中转部136能够暂时支撑或保持基板G1。在第二部分13b中，第一搬运部134以及冷却部133A在作为第一水平方向的-X方向上依次排列。第一区域P1包括显影部131中的第二搬运部135侧的端部附近的部分、中转部136、第二搬运部135以及加热部132，第二区域P2包括第一搬运部134以及冷却部133A中的位于作为第三水平方向的+X方向侧的部分。第一搬运部134位于中转部136的去程部分11侧的区域。第二搬运部135例如应用与第一搬运部134同样的搬运机械手。中转部136例如应用与上述转台T1同样的结构。冷却部133A例如具有以上述冷却部133为基础而去除了旋转单元133t的结构。
在具有该结构的返程部分13中，进行如下基板G1的处理和搬运。通过显影部131对基板G1上的涂膜实施显影处理。然后，通过第二搬运部135从显影部131向加热部132搬运基板G1。然后，通过加热部132对通过显影部131对涂膜实施了显影处理的基板G1进行加热。然后，通过第二搬运部135从加热部132向中转部136搬运基板G1。然后，通过中转部136使水平姿势的基板G1沿着水平面旋转。此处，例如，将基板G1的朝向旋转约90度。然后，通过第一搬运部134将已通过加热部132加热的基板G1从第一区域P1向第二区域P2搬运。此处，例如，通过第一搬运部134从中转部136向冷却部133A搬运基板G1。此时，通过第一搬运部134的旋转机构将基板G1以水平姿势旋转约90度后，将其搬入至冷却部133A。由此，第一搬运部134将通过中转部136沿着水平面旋转的基板G1的朝向返回至原来的朝向。然后，通过冷却部133A对通过第一搬运部134从第一区域P1搬运至第二区域P2的基板G1进行冷却。此处，例如，通过冷却部133A对通过第一搬运部134搬入至冷却部133A的基板G1进行冷却。在冷却部133A中，例如，一边通过冷却传送带133c将水平姿势的基板G1沿着作为第一水平方向的-X方向搬运一边对基板G1进行冷却。
此处，例如，中转部136应用仅暂时支撑或保持基板G1的结构，也可以将冷却部133A变更为具有旋转单元133t的冷却部133。在该情况下，中转部136例如应用缓冲器部。缓冲器部例如具有暂时容纳基板G1的结构。缓冲器部例如具有能够分别载置基板G1的多个部分(也称载置部分)。在载置部分中，例如，基板G1以水平姿势载置于立设的多个销上。缓冲器部可以具有有着一个载置部分的一层结构，也可以具有2个以上的载置部分上下排列的多层的架状结构。
此处，例如，中转部136可以以与显影部131重合的方式配置在显影部131之上，也可以以与显影部131重合的方式配置在显影部131之下。换言之，中转部136可以以与显影部131在上下方向上重合的方式配置。
此处，例如，加热部132可以位于第二搬运部135的与去程部分11相反一侧的区域。换言之，加热部132可以位于第一区域P1的与去程部分11相反一侧的区域(外侧区域)A2。在该情况下，例如，第一部分13a包括显影部131、第二搬运部135以及中转部136，第一区域P1包括第二搬运部135以及中转部136，第二区域P2包括第一搬运部134以及冷却部133中的位于作为第三水平方向的+X方向侧的部分。
<2-3.第三变形例>
在上述第二变形例中，例如，如图9和图10等所示，冷却部133A可以变更为具有通过以暂时容纳基板G1的状态进行排气来对基板G1进行冷却的冷却单元133u的冷却部133B。由此，例如，返程部分13的长度能够缩短。因此，例如，即使在工厂内能够设置基板处理装置1的区域存在限制，难以扩大作为第一水平方向的-X方向上的曝光装置3与分度器装置2的间隔的情况下，基板处理装置1也容易配置。在图9的例子中，第一区域P1包括显影部131中的第二搬运部135侧的端部附近的部分、中转部136以及第二搬运部135，第二区域P2包括第一搬运部134以及冷却部133B。
在图10的例子中，冷却部133B具有沿上下方向层叠的多个冷却单元133u。冷却单元133u例如应用具有能够载置基板G1的载置部以及将载置部的周围的环境局部排出的排气部的单元。载置部例如应用能够在立设的多个销上载置水平姿势的基板G1的结构。在冷却单元133u中，例如，在基板G1载置于载置部上的状态下，通过排气部将基板G1的周围的环境局部排出从而对基板G1进行冷却。例如，第一搬运部134的搬运机械手能够对各冷却单元133u进行基板G1的搬入。从各冷却单元133u搬出基板G1例如能够通过分度器装置2的搬运机构进行。
在图10的例子中，冷却部133B具有三个冷却单元133u，但并不限于此。冷却部133B可以具有一个或两个冷却单元133u，也可以具有四个以上的冷却单元133u。例如，在冷却部133B具有2个以上的冷却单元133u的情况下，只要2个以上的冷却单元133u沿上下方向层叠，即使在工厂内能够设置基板处理装置1的区域存在限制的情况下，基板处理装置1也能够容易设置。
<2-4.第四变形例>
在上述第一实施方式、上述第一变形例以及上述第二变形例中，例如，如图11等所示，在冷却部133、133A与分度器装置2之间也可以配置沿着作为第一水平方向的-X方向配置的第三搬运部137。第三搬运部137例如能够将从冷却部133、133A搬入的基板G1向分度器装置2侧搬运。换言之，第三搬运部137例如能够将基板G1向作为第一水平方向的-X方向搬运。此处，例如，由于与去程部分11的长度的关系，在冷却部133、133A与分度器装置2之间产生空隙的情况下，通过在该空隙中配置第三搬运部137，能够调整返程部分13的长度。
第三搬运部137例如应用传送带等的搬运机构。传送带通过驱动机构(未图示)使沿着作为第一水平方向的-X方向排列的多个辊旋转，从而使水平姿势的基板G1沿着作为第一水平方向的-X方向移动。
图11示出了以上述第一实施方式的图2的结构为基础在冷却部133与分度器装置2之间配置第三搬运部137的一例。在图11的例子中，第三搬运部137沿着作为第一水平方向的-X方向配置，并包括在第二部分13b中。此处，例如，第三搬运部137也可以是不包括在第二部分13b中且不包括在基板处理装置1中的其他装置。
<2-5.第五变形例>
在上述第三变形例中，例如，如图12等所示，可以在第一搬运部134的作为第三水平方向的+X方向侧配置冷却部133B，在第一搬运部134的作为第一水平方向的-X方向侧配置第三搬运部137。换言之，在第二部分13b中，冷却部133B、第一搬运部134以及第三搬运部137可以在作为第一水平方向的-X方向上依次排列。在图12的例子中，第一区域P1包括显影部131中的第二搬运部135侧的部分、中转部136以及第二搬运部135，第二区域P2包括冷却部133B、第一搬运部134以及第三搬运部137。
此处，例如，加热部132也可以位于第二搬运部135的与去程部分11相反一侧的区域。换言之，加热部132也可以位于第一区域P1的与去程部分11相反一侧的区域(外侧区域)A2。在该情况下，例如，第一部分13a包括显影部131、第二搬运部135以及中转部136，第一区域P1包括显影部131中的第二搬运部135侧的部分、第二搬运部135以及中转部136，第二区域P2包括第一搬运部134、冷却部133B以及第三搬运部137中的位于作为第三水平方向的+X方向侧的部分。
在具有该结构的返程部分13中，通过第一搬运部134将已通过加热部132加热的基板G1从第一区域P1向第二区域P2搬运时，通过第一搬运部134从中转部136向冷却部133B搬运基板G1。此时，通过第一搬运部134的旋转机构将基板G1以水平姿势旋转约90度后，将其搬入至冷却部133B。由此，第一搬运部134将通过中转部136沿水平面旋转的基板G1的朝向返回至原来的朝向。接着，通过冷却部133B对通过第一搬运部134从第一区域P1向第二区域P2搬运的基板G1进行冷却。此处，例如，通过冷却部133B对通过第一搬运部134搬入至冷却部133B的基板G1进行冷却。接着，通过第一搬运部134从冷却部133B向第三搬运部137搬运基板G1。
此处，例如，第三搬运部137可以包括在第二部分13b中，也可以是未包括在第二部分13b中且未包括在基板处理装置1中的其他装置。
<2-6.第六变形例>
在上述第一实施方式、上述第一变形例以及上述第四变形例中，例如，如图13等所示，冷却部133相比第一搬运部134更向作为第三水平方向的+X方向延伸，第一搬运部134向冷却部133搬运基板G1时，也可以向冷却部133中的以第一搬运部134为基准相比位于作为与第一水平方向正交的第二水平方向的-Y方向的区域更向作为第三水平方向的+X方向偏移的区域搬运基板G1。在该情况下，例如，第一区域P1也包括显影部131中的第一搬运部134侧的端部附近。此处，例如，通过使第二部分13b相对于第一部分13a向作为第三水平方向的+X方向偏移，能够缩短返程部分13的长度。因此，例如能够缩短基板处理装置1的长度。
在具有该结构的返程部分13中，通过第一搬运部134将已通过加热部132加热的基板G1从第一区域P1向第二区域P2搬运时，通过第一搬运部134以相对于作为第一水平方向的-X方向向斜后方返回的方式搬运基板G1。此时，通过第一搬运部134的旋转机构使得基板G1变为以水平姿势朝向相对于作为第一水平方向的-X方向倾斜的方向的状态。例如，在基板G1的上下的主表面为具有相对的两个第一边以及相对的两个第二边的长方形的情况下，将在显影部131中沿着作为沿着第一边的第一水平方向的-X方向搬运的基板G1，在第一边的延伸方向相对于作为第一水平方向的-X方向以除90度以外的角度交叉的状态下搬入至冷却部133。在冷却部133中，例如，能够通过旋转单元133t将水平姿势的基板G1旋转，从而将基板G1的朝向恢复到原来的状态。例如，通过旋转单元133t能够将水平姿势的基板G1旋转为变成第一边的延伸方向沿着作为第一水平方向的-X方向的状态。
<2-7.第七变形例>
在上述第一实施方式以及上述第一至第六变形例中，例如，如图14以及图15等所示，也可以在返程部分13中的与分度器装置2相邻的部位配置载置基板G1的载置部138。在该情况下，例如能够通过分度器装置2的搬运机构将载置于载置部138的基板G1从基板处理装置1搬出。载置部138例如具有载置单元。载置单元例如具有能够暂时载置基板G1的结构。在载置单元中，例如，基板G1以水平姿势载置在立设的多个销上。载置部138可以具有具有一个载置单元的一层结构，也可以具有2个以上的载置单元沿上下排列的多层结构。
此处，如图14所示，在返程部分13具有包括冷却传送带133c的冷却部133、133A的情况下，考虑返程部分13具有配置在冷却部133、133A与载置部138之间且从冷却部133、133A向载置部138搬运基板G1的第四搬运部139的方式。第四搬运部139例如能够应用与第一搬运部134同样的搬运机械手。
图14示出了以上述第六变形例的图13的结构为基础在冷却部133与分度器装置2之间配置第四搬运部139以及载置部138的一例。在图14的例子中，在第二部分13b中，冷却部133、第四搬运部139以及载置部138在作为第一水平方向的-X方向上依次排列。此处，例如，通过第四搬运部139将通过冷却部133冷却的基板G1从冷却部133向载置部138搬运。此时，基板G1载置于载置部138。此处，例如，第四搬运部139和载置部138可以如图14所示那样包括在第二部分13b中，也可以是基板处理装置1的外部的装置和结构而不包括在第二部分13b中。
图15示出了以上述第五变形例的图12的结构为基础配置载置部138来代替第三搬运部137的一例。在图15的例子中，在第二部分13b中，冷却部133B、第一搬运部134以及载置部138在作为第一水平方向的-X方向上依次排列。另外，第一区域P1包括显影部131中的第二搬运部135侧的部分、中转部136以及第二搬运部135，第二区域P2包括冷却部133B、第一搬运部134以及载置部138。此处，例如，通过第一搬运部134将通过冷却部133B冷却的基板G1从冷却部133B向载置部138搬运。此时，基板G1载置于载置部138。此处，例如，载置部138可以如图15所示那样包括在第二部分13b中，也可以是基板处理装置1的外部的结构而不包括在第二部分13b中。
<2-8.第八变形例>
在上述第一实施方式以及上述第一至第六变形例中，例如，如图16和图17等所示，检查装置4等具有其他功能的装置可以位于冷却部133、133A、133B与分度器装置2之间。检查装置4例如为用于使用照相机等光学部件进行基板G1的检查的装置。在该情况下，例如，能够通过分度器装置2的搬运机构从检查装置4向分度器装置2搬出基板G1。
图16示出了以上述第六变形例的图13的结构为基础在冷却部133与分度器装置2之间配置了检查装置4的一例。此处，例如，能够通过检查装置4具有的搬运机械手等的搬运机构从冷却部133向检查装置4内搬运基板G1。
图17示出了以上述第三变形例的图9的结构为基础在冷却部133B与分度器装置2之间配置了检查装置4的一例。此处，例如，能够通过检查装置4具有的搬运机械手等搬运机构从冷却部133B向检查装置4内搬运基板G1。
<2-9.第九变形例>
在上述第二至第五变形例、上述第七变形例以及上述第八变形例中，例如，如图18至图25等所示，将返程部分13中包括的中转部136变更为包括沿着作为第三水平方向的+X方向搬运基板G1的传送带(也称反向搬运传送带)136c的中转部136A，第一搬运部134也可以从反向搬运传送带136c中的作为第三水平方向的+X方向侧的部分向冷却部133、133A、133B搬运基板G1。在该情况下，例如，通过反向搬运传送带136c将通过加热部132加热后的基板G1向作为第三水平方向的+X方向搬运基板G1后，通过第一搬运部134向冷却部133、133A、133B搬运基板G1。由此，例如，能够使第二部分13b相对于第一部分13a向作为第三水平方向的+X方向偏移。其结果，例如，能够缩短返程部分13的作为第一水平方向的-X方向上的长度。另外，例如，即使在工厂内能够设置基板处理装置1的区域存在限制，难以扩大作为第一水平方向的-X方向上的曝光装置3与分度器装置2的间隔的情况下，也容易配置基板处理装置1。
图18示出了以上述第二变形例的图8的结构为基础将中转部136变更为中转部136A，并使第二部分13b相对于第一部分13a向作为第三水平方向的+X方向偏移的一例。
中转部136A例如包括反向搬运传送带136c以及旋转单元136t。反向搬运传送带136c通过驱动机构(未图示)使沿着作为第三水平方向的+X方向排列的多个辊旋转，从而使水平姿势的基板G1沿作为第三水平方向的+X方向移动。旋转单元136t与上述旋转单元133t同样地具有使水平姿势的基板G1以沿着上下方向的假想的旋转轴(假想旋转轴)为中心旋转的结构。在图18的例子中，中转部136A在与第二搬运部135相反一侧的端部附近具有旋转单元136t。
旋转单元136t例如能够应用在反向搬运传送带136c中的多个连续排列的2个以上的辊中的Y方向的中央附近的开口部具有转台以及使该转台升降的升降机构的结构。转台例如应用具有台部、轴部以及旋转驱动部的结构。台部例如为在立设在上表面的多个销上能够从下方支撑水平姿势的基板G1的部分。轴部例如为具有固定有台部的上端部且沿着假想旋转轴在上下方向上延伸的柱状或棒状部分。旋转驱动部例如为使轴部以假想旋转轴为中心旋转的马达等驱动部。升降机构例如应用使旋转驱动部沿上下方向升降的汽缸等机构。对于具有上述结构的旋转单元136t例如在基板G1位于反向搬运传送带136c上的转台的上方的状态下，通过升降机构使转台上升从而通过台部从下方抬起水平姿势的基板G1，通过旋转驱动部使台部以假想旋转轴为中心旋转约90度等第三规定角度。由此，水平姿势的基板G1的朝向能够沿着水平面旋转。接着，例如，可以通过升降机构使转台下降从而将基板G1载置在反向搬运传送带136c上，也可以通过第一搬运部134将通过台部从下方抬起的基板G1向冷却部133A搬运而不使转台下降。
另外，图18的例子中，第一区域P1包括显影部131中的第二搬运部135侧的部分、第二搬运部135、加热部132以及中转部136A，第二区域P2包括第一搬运部134以及冷却部133A。
在具有图18的例子的结构的返程部分13中，如下所述从加热部132向冷却部133A搬运基板G1。首先，通过第二搬运部135从加热部132向中转部136A搬运基板G1。然后，在中转部136A中，通过反向搬运传送带136c将水平姿势的基板G1沿着作为第三水平方向的+X方向搬运，并且通过旋转单元136t将水平姿势的基板G1沿着水平面旋转。此处，例如，将基板G1的朝向旋转约90度。然后，通过第一搬运部134将已通过加热部132加热的基板G1从第一区域P1向第二区域P2搬运。此处，例如，通过第一搬运部134从中转部136A中的作为第三水平方向的+X方向侧的部分向冷却部133A搬运基板G1。此时，通过第一搬运部134的旋转机构将基板G1以水平姿势旋转约90度后，将其搬入至冷却部133A。由此，第一搬运部134将通过中转部136A沿着水平面旋转的基板G1的朝向返回至原来的朝向。
图19示出了以上述第三变形例的图9的结构为基础将中转部136置换为中转部136A，并使第二部分13b相对于第一部分13a向作为第三水平方向的+X方向偏移的一例。在图19的例子中，第一区域P1包括显影部131中的第二搬运部135侧的部分以及中转部136A，第二区域P2包括第一搬运部134以及冷却部133B。
在具有图19的例子的结构的返程部分13中，如下所述从加热部132向冷却部133B搬运基板G1。首先，通过第二搬运部135从加热部132向中转部136A搬运基板G1。然后，在中转部136A中，通过反向搬运传送带136c将水平姿势的基板G1沿着作为第三水平方向的+X方向搬运，并且通过旋转单元136t将水平姿势的基板G1沿着水平面旋转。此处，例如，将基板G1的朝向旋转约90度。然后，通过第一搬运部134将已通过加热部132加热的基板G1从第一区域P1向第二区域P2搬运。此处，例如，通过第一搬运部134从中转部136A中的作为第三水平方向的+X方向侧的部分向冷却部133B搬运基板G1。此时，通过第一搬运部134的旋转机构将基板G1以水平姿势旋转约90度后，将其搬入至冷却部133B。由此，第一搬运部134将通过中转部136A沿着水平面旋转的基板G1的朝向返回至原来的朝向。
图20示出了以图18的结构为基础与上述第四变形例的图11同样地在冷却部133A与分度器装置2之间配置了第三搬运部137的一例。第三搬运部137例如能够将从冷却部133A搬入的基板G1向分度器装置2侧搬运。第三搬运部137例如能够将基板G1向作为第一水平方向的-X方向搬运。此处，例如，由于与去程部分11的长度的关系，在冷却部133A与分度器装置2之间产生空隙的情况下，通过在该空隙中配置第三搬运部137，能够调整返程部分13的长度。
图21示出了以上述第五变形例的图12的结构为基础将中转部136变更为中转部136A，并使第二部分13b相对于第一部分13a向作为第三水平方向的+X方向偏移的一例。在图21的例子中，第一区域P1包括显影部131中的第二搬运部135侧的部分、第二搬运部135以及中转部136A，第二区域P2包括第一搬运部134、冷却部133B以及第三搬运部137。
在具有图21的例子的结构的返程部分13中，如下所述从加热部132向冷却部133B搬运基板G1。首先，通过第二搬运部135从加热部132向中转部136A搬运基板G1。然后，在中转部136A中，通过反向搬运传送带136c将水平姿势的基板G1沿着作为第三水平方向的+X方向搬运，并且通过旋转单元136t将水平姿势的基板G1沿着水平面旋转。此处，例如，将基板G1的朝向旋转约90度。然后，通过第一搬运部134将已通过加热部132加热的基板G1从第一区域P1向第二区域P2搬运。此处，例如，通过第一搬运部134从中转部136A中的作为第三水平方向的+X方向侧的部分向冷却部133B搬运基板G1。此时，通过第一搬运部134的旋转机构将基板G1以水平姿势旋转约90度后，将其搬入至冷却部133B。由此，第一搬运部134将通过中转部136A沿着水平面旋转的基板G1的朝向返回至原来的朝向。
图22示出了以图18的结构为基础与上述第七变形例的图14同样地在冷却部133A与分度器装置2之间配置了第四搬运部139以及载置部138的一例。在图22的例子中，在第二部分13b中，第一搬运部134、冷却部133A、第四搬运部139以及载置部138在作为第一水平方向的-X方向上依次排列。此处，例如，通过第四搬运部139将通过冷却部133A冷却的基板G1从冷却部133向载置部138搬运。此时，基板G1载置于载置部138。此处，例如，第四搬运部139以及载置部138可以如图22所示那样包括在第二部分13b中，也可以是基板处理装置1的外部的装置以及结构而不包括在第二部分13b中。
图23示出了以上述第七变形例的图15的结构为基础将中转部136变更为中转部136A，并使第二部分13b相对于第一部分13a向作为第三水平方向的+X方向偏移的一例。在图23的例子中，第一区域P1包括显影部131中的第二搬运部135侧的部分以及中转部136A，第二区域P2包括第一搬运部134、冷却部133B以及载置部138。此处，例如，载置部138可以如图23所示那样包括在第二部分13b和第二区域P2中，也可以是基板处理装置1的外部的结构而不包括在第二部分13b和第二区域P2中。在具有图23的例子的结构的返程部分13中，与具有图21的例子的结构的返程部分13同样地，从加热部132向冷却部133B搬运基板G1。
图24示出了以图18的结构为基础与上述第八变形例的图16同样地在冷却部133A与分度器装置2之间配置了检查装置4的一例。在图24的例子中，例如能够通过检查装置4具有的搬运机械手等的搬运机构从冷却部133A向检查装置4内搬运基板G1，并通过分度器装置2的搬运机构从检查装置4向分度器装置2搬出基板G1。
图25示出了以上述第八变形例的图17的结构为基础将中转部136变更为中转部136A，并使第二部分13b相对于第一部分13a向作为第三水平方向的+X方向偏移的一例。在图25的例子中，第一区域P1包括显影部131中的第二搬运部135侧的部分以及中转部136A，第二区域P2包括第一搬运部134以及冷却部133B。在具有图25的例子的结构的返程部分13中，与具有图19的例子的结构的返程部分13同样地，从加热部132向冷却部133B搬运基板G1。
在第九变形例中，例如，中转部136A可以在作为第三水平方向的+X方向上的任意位置具有旋转单元136t。
在第九变形例中，例如也考虑第一搬运部134具有将基板G1的搬运方向彼此不同的多个传送带依次排列的结构的方式。在该情况下，例如，第一搬运部134可以位于从第一部分13a到第二部分13b。换言之，例如，第一搬运部134也可以位于从第一区域P1到第二区域P2。此处，例如，在中转部136A中基板G1移动的路径(也称第一路径线)的高度与在冷却部133、133A、133B中基板G1所处的高度不同的情况下，第一搬运部134可以具有使多个传送带的至少一部分升降的升降机构。
<2-10.其他>
在上述第一实施方式以及上述各变形例中，例如，返程部分13可以变更为沿着作为第一水平方向的-X方向配置且以作为相对于水平面垂直的假想的铅垂面的XZ平面为基准而面对称的结构。换言之，例如，第二区域P2也可以位于第一部分13a中的第一区域P1的与去程部分11相反一侧的外侧区域A2。
在上述第一实施方式以及上述各变形例中，例如，作为作为处理对象的基板G1的玻璃基板例如应用液晶显示装置用玻璃基板、有机EL(Electro Luminescence)显示用玻璃基板、PDP用玻璃基板或光掩膜用玻璃基板等。另外，作为处理对象的基板G1，例如也可以采用与玻璃基板不同的半导体晶片、滤色片用基板、记录盘用基板或太阳电池用基板等其他精密电子装置用的基板。
在上述第一实施方式以及上述各变形例中，例如，基板处理装置1可以包括分度器装置2，也可以包括曝光装置3。
需要说明的是，当然能够在不矛盾的范围内适当组合分别构成上述第一实施方式和各种变形例的全部或一部分。

Claims (9)

1.一种基板处理装置，具有基板从由分度器装置搬入所述基板的区域移动到向曝光装置搬出所述基板的接口部为止的去程部分、以及从所述曝光装置搬入所述接口部的所述基板从所述接口部移动到向所述分度器装置搬出所述基板的区域为止的返程部分，其中，
所述去程部分具有：清洗部，对所述基板实施清洗处理；以及成膜部，在实施了所述清洗处理的所述基板上形成涂膜，
所述返程部分具有分别沿着第一水平方向配置的第一部分以及第二部分，
所述第一部分包括对所述涂膜实施显影处理的显影部，
所述第二部分包括对在所述显影处理后已通过加热部加热的所述基板进行冷却的冷却部，
在从上方平面透视的情况下，所述第一部分中的构成所述第一水平方向上的一部分的第一区域和所述第二部分中的构成所述第一水平方向上的至少一部分的第二区域在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上排列，
所述返程部分包括所述加热部以及将已通过该加热部加热的所述基板从所述第一区域向所述第二区域搬运的第一搬运部。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述第一部分中，所述显影部、所述第一搬运部以及所述加热部在所述第一水平方向上依次排列，
所述第一搬运部从所述显影部向所述加热部搬运所述基板，并从所述加热部向所述冷却部搬运所述基板。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述第一部分包括：中转部，以相对于所述显影部在上下方向上重叠的方式配置；以及第二搬运部，从所述显影部向所述加热部搬运所述基板，并且从所述加热部向所述中转部搬运所述基板，
所述第一搬运部从所述中转部向所述冷却部搬运所述基板。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述中转部包括沿着与所述第一水平方向相反的第三水平方向搬运所述基板的反向搬运传送带，
所述第一搬运部从所述反向搬运传送带中的所述第三水平方向侧的部分向所述冷却部搬运所述基板。
5.如权利要求3或4所述的基板处理装置，其中，
在所述第一部分中，所述显影部、所述第二搬运部以及所述加热部在所述第一水平方向上依次排列。
6.如权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述冷却部包括一边沿着所述第一水平方向搬运所述基板一边对所述基板进行冷却的冷却传送带。
7.如权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述冷却部包括通过在暂时容纳所述基板的状态下进行排气来对所述基板进行冷却的冷却单元。
8.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述第一部分包括所述第一搬运部，
所述冷却部包括一边向所述第一水平方向搬运所述基板一边对所述基板进行冷却的冷却传送带，并且，所述冷却部相比所述第一搬运部更向与所述第一水平方向相反的第三水平方向延伸，
所述第一搬运部在向所述冷却部搬运所述基板时，向所述冷却部中的以所述第一搬运部为基准相比位于所述第二水平方向的区域更向所述第三水平方向偏移的区域搬运所述基板。
9.一种基板处理方法，其使用基板处理装置，所述基板处理装置具有基板从由分度器装置搬入所述基板的区域移动到向曝光装置搬出所述基板的接口部为止的去程部分、以及从所述曝光装置搬入所述接口部的所述基板从所述接口部移动到向所述分度器装置搬出所述基板的区域为止的返程部分，其中，
所述去程部分具有：清洗部，对所述基板实施清洗处理；以及成膜部，在实施了所述清洗处理的所述基板上形成涂膜，
所述返程部分具有分别沿着第一水平方向配置的第一部分以及第二部分，
所述第一部分包括显影部，
所述第二部分包括冷却部，
在从上方平面透视的情况下，所述第一部分中的构成所述第一水平方向上的一部分的第一区域和所述第二部分中的构成所述第一水平方向上的至少一部分的第二区域在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上排列，
所述返程部分包括加热部以及第一搬运部，
所述基板处理方法包括：
第一工序，通过所述显影部对所述涂膜实施显影处理；
第二工序，通过所述加热部对在所述第一工序中对所述涂膜实施了所述显影处理的所述基板进行加热；
第三工序，通过所述第一搬运部将在所述第二工序中已被加热的所述基板从所述第一区域向所述第二区域搬运；以及
第四工序，通过所述冷却部对在所述第三工序中从所述第一区域搬运至所述第二区域的所述基板进行冷却。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070219660A1 (en) * 2005-11-24 2007-09-20 Tomohiro Kaneko Substrate transporting and processing apparatus, fault management method for substrate transport and processing apparatus, and storage medium storing fault management program
CN105390427A (zh) * 2014-08-29 2016-03-09 株式会社思可林集团 搬运装置以及基板处理装置
JP2020035935A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2020035884A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN111383975A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3338343B2 (ja) * 1992-12-21 2002-10-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3595760B2 (ja) * 2000-07-19 2004-12-02 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置および基板洗浄装置
TW533460B (en) 2001-03-09 2003-05-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
JP4286596B2 (ja) * 2003-07-01 2009-07-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
JP4005609B2 (ja) * 2005-06-17 2007-11-07 美岳 伊藤 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
KR100949505B1 (ko) * 2006-06-05 2010-03-24 엘지디스플레이 주식회사 포토 장치 및 방법
JP2008300578A (ja) 2007-05-30 2008-12-11 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP4954162B2 (ja) * 2008-08-29 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP7097759B2 (ja) 2018-06-22 2022-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7142566B2 (ja) * 2018-12-27 2022-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7247743B2 (ja) * 2019-05-20 2023-03-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6994489B2 (ja) * 2019-10-02 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
JP7414664B2 (ja) * 2020-08-12 2024-01-16 東京エレクトロン株式会社 温度測定ユニット、熱処理装置及び温度測定方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070219660A1 (en) * 2005-11-24 2007-09-20 Tomohiro Kaneko Substrate transporting and processing apparatus, fault management method for substrate transport and processing apparatus, and storage medium storing fault management program
CN105390427A (zh) * 2014-08-29 2016-03-09 株式会社思可林集团 搬运装置以及基板处理装置
JP2020035935A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2020035884A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN111383975A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法
JP2020107686A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

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