TW202336822A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題，在於縮短基板處理裝置的長度。基板處理裝置具備有：去路部分，其供基板從基板自分度裝置被搬入的區域移動至介面部為止；及返路部分，其供基板移動至基板自介面部朝向分度裝置被搬出的區域為止。返路部分具有分別位在沿著第1水平方向之位置的第1部分及第2部分。第1部分包含有對基板上之塗膜施以顯影處理的顯影部。第2部分包含有在顯影處理後將由加熱部所加熱之基板加以冷卻的冷卻部。在從上方俯視且透視之情形時，構成第1部分在第1水平方向上之一部分的第1區域、及構成第2部分在第1水平方向上之至少一部分的第2區域，排列於與第1水平方向正交之第2水平方向上。返路部分包含有加熱部、及將由該加熱部所加熱後之基板從第1區域朝向第2區域搬送的第1搬送部。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於基板處理裝置及基板處理方法。
過去以來，已知有如下的基板處理裝置：以從具有載置收容複數個基板之匣盒的載置台及搬送裝置之分度裝置所搬入的基板為對象，依序地進行前處理、光阻劑膜的形成、藉由減壓環境之光阻劑膜的乾燥、藉由加熱之光阻劑膜的乾燥、藉由冷風之噴吹的冷卻、朝向曝光裝置的搬出、來自曝光裝置的搬入、藉由顯影液之曝光後之光阻劑膜的顯影、藉由沖洗液之顯影液的沖洗、沖洗液的乾燥、藉由加熱之顯影後之光阻劑膜的乾燥、以及冷卻等，且基板藉由分度裝置所搬出(例如專利文獻1等)。
於前處理中，例如對基板，依序地進行藉由紫外光之照射之有機物的去除、使用洗淨液的洗淨、藉由鼓風機等的乾燥、藉由加熱的乾燥、藉由六甲基乙矽烷(HMDS)的噴吹的疏水化處理、以及藉由冷風之噴吹的冷卻等。
基板朝向曝光裝置的搬出及基板來自曝光裝置的搬入，例如由介面部的搬送裝置所執行。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2019-220628號公報
(發明所欲解決之問題)
然而，藉由顯影後之光阻劑膜之加熱的乾燥，例如可藉由所載置之基板的加熱所執行而得。又，顯影後之光阻劑膜之加熱後之基板的冷卻，例如可藉由利用輸送器之搬送中之基板的冷卻、或藉由載置有基板之擱板狀之部分局部之環境氣體的排氣之基板的冷卻等所實現而得。
然而，例如於在工廠內基板處理裝置可設置的區域有限制之情形時，存在有無法將構成供基板移動至基板自介面部朝向分度裝置被搬出之區域為止的部分(亦稱為返路部分)之複數個構成元件呈直線狀地排列之情形。因此，存在有例如會被要求藉由返路部分之長度的縮段等來縮短基板處理裝置之長度的情形。
本發明係鑒於上述問題所完成者，其目的在於提供可縮短基板處理裝置之長度的技術。 (解決問題之技術手段)
為了解決上述問題，第1態樣之基板處理裝置具備有：去路部分，其供基板從上述基板自分度裝置被搬入的區域移動至朝向曝光裝置搬出上述基板的介面部為止；及返路部分，其供自上述曝光裝置被搬入上述介面部之上述基板，從上述基板移動至上述基板自上述介面部朝向上述分度裝置被搬出的區域為止。上述去路部分具有：對上述基板施以洗淨處理的洗淨部；及在被施以上述洗淨處理之上述基板上形成塗膜的成膜部。上述返路部分具有分別位在沿著第1水平方向之位置的第1部分及第2部分。上述第1部分包含有對上述塗膜施以顯影處理的顯影部。上述第2部分包含有在上述顯影處理後將由加熱部所加熱後之上述基板加以冷卻的冷卻部。在從上方俯視且透視之情形時，構成上述第1部分中之上述第1水平方向上之一部分的第1區域、及構成上述第2部分中之上述第1水平方向上之至少一部分的第2區域，排列於與上述第1水平方向正交之第2水平方向上。上述返路部分包含有上述加熱部、及將由該加熱部所加熱後之上述基板從上述第1區域朝向上述第2區域搬送的第1搬送部。
第2態樣之基板處理裝置係第1態樣之基板處理裝置，其中，於上述第1部分，上述顯影部、上述第1搬送部及上述加熱部依序地排列於上述第1水平方向上；上述第1搬送部將上述基板從上述顯影部朝向上述加熱部搬送，並將上述基板從上述加熱部朝向上述冷卻部搬送。
第3態樣之基板處理裝置係第1態樣之基板處理裝置，其中，上述第1部分包含有：中繼部，其位於相對於上述顯影部沿著上下方向重疊的位置；及第2搬送部，其將上述基板從上述顯影部朝向上述加熱部搬送，並且將上述基板從上述加熱部朝向上述中繼部搬送；上述第1搬送部將上述基板從上述中繼部朝向上述冷卻部搬送。
第4態樣之基板處理裝置係第3態樣之基板處理裝置，其中，上述中繼部包含有沿著與上述第1水平方向相反之第3水平方向搬送上述基板的反向搬送輸送器；上述第1搬送部將上述基板從上述反向搬送輸送器中之上述第3水平方向側的部分朝向上述冷卻部搬送。
第5態樣之基板處理裝置係第3或第4態樣之基板處理裝置，其中，於上述第1部分，上述顯影部、上述第2搬送部及上述加熱部依序地排列於上述第1水平方向上。
第6態樣之基板處理裝置係第1至第5中任一態樣之基板處理裝置，其中，上述冷卻部包含有一邊沿著上述第1水平方向搬送上述基板一邊將上述基板加以冷卻的冷卻輸送器。
第7態樣之基板處理裝置係第1至第5中任一態樣之基板處理裝置，其中，上述冷卻部包含有藉由在暫時性地收納上述基板的狀態下進行排氣而將上述基板加以冷卻的冷卻單元。
第8態樣之基板處理裝置係第1或第2態樣之基板處理裝置，其中，上述第1部分包含有上述第1搬送部；上述冷卻部包含有一邊朝向上述第1水平方向搬送上述基板一邊將上述基板加以冷卻的冷卻輸送器，並且相較於上述第1搬送部，更朝與上述第1水平方向相反的第3水平方向延伸；上述第1搬送部在將上述基板朝向上述冷卻部搬送時，將上述基板朝向較以上述冷卻部中之上述第1搬送部為基準而位於上述第2水平方向之區域朝向上述第3水平方向偏移的區域搬送。
第9態樣之基板處理方法係使用基板處理裝置者，而該基板處理裝置具備有：去路部分，其供基板從上述基板自分度裝置被搬入的區域移動至朝向曝光裝置搬出上述基板的介面部為止；及返路部分，其供自上述曝光裝置被搬入上述介面部之上述基板，從上述基板移動至上述基板自上述介面部朝向上述分度裝置被搬出的區域為止。上述去路部分具有：對上述基板施以洗淨處理的洗淨部；及在被施以上述洗淨處理之上述基板上形成塗膜的成膜部。上述返路部分具有分別位在沿著第1水平方向之位置的第1部分及第2部分。上述第1部分包含有顯影部。上述第2部分包含有冷卻部。在從上方俯視且透視之情形時，構成上述第1部分中之上述第1水平方向上之一部分的第1區域、及構成上述第2部分中之上述第1水平方向上之至少一部分的第2區域，排列於與上述第1水平方向正交之第2水平方向上。上述返路部分包含有加熱部、及第1搬送部。上述基板處理方法包含有：第1步驟，其藉由上述顯影部，對上述塗膜施以顯影處理；第2步驟，其藉由上述加熱部，將在上述第1步驟中對上述塗膜被施以上述顯影處理的上述基板加以加熱；第3步驟，其藉由上述第1搬送部，將在上述第2步驟中經加熱後之上述基板從上述第1區域朝向上述第2區域搬送；及第4步驟，其藉由上述冷卻部，將在上述第3步驟中從上述第1區域被搬送至上述第2區域的上述基板加以冷卻。 (對照先前技術之功效)
根據第1態樣之基板處理裝置，例如可藉由並排地配置返路部分之一部分，來縮短返路部分之第1水平方向上的長度。藉此，例如可縮短基板處理裝置的長度。
根據第2態樣之基板處理裝置，基板處理裝置之設置例如可藉由基板處理裝置之形狀的簡化而變容易。
根據第3態樣之基板處理裝置，例如，於第1部分，基板以藉由第2搬送部而朝向中繼部被折返之方式所搬送。藉此，例如可藉由並排地配置返路部分之一部分，來縮短返路部分之第1水平方向上的長度。
根據第4態樣之基板處理裝置，例如在藉由反向搬送輸送器將加熱後之基板沿著與第1水平方向相反之第3水平方向搬送基板後，藉由第1搬送部將基板朝向冷卻部搬送。藉此，例如可藉由使第2部分相對於第1部分朝與第1水平方向相反之第3水平方向偏移，來縮短返路部分之第1水平方向上的長度。
根據第5態樣之基板處理裝置，基板處理裝置之設置例如可藉由基板處理裝置之形狀的簡化而變容易。
根據第6態樣之基板處理裝置，例如用以設置冷卻部的成本不易增大。
根據第7態樣之基板處理裝置，例如可縮短返路部分之第1水平方向上的長度。
根據第8態樣之基板處理裝置，例如可藉由使第2部分相對於第1部分朝與第1水平方向相反之第3水平方向偏移，來縮短返路部分之第1水平方向上的長度。
根據第9態樣之基板處理方法，例如可藉由採用將基板從返路部分中被並列地配置之第1區域搬送至第2區域，來縮短返路部分之第1水平方向上的長度。藉此，例如可縮短基板處理裝置的長度。
以下，一邊參照隨附的圖式，一邊對本發明之各種實施形態進行說明。該等實施形態所記載之構成元件僅為例示，並非意指將本發明之範圍僅限定於該等者。於圖式中，對具有同樣之構成及功能的部分標示相同符號，並於下述說明中省略重複說明。又，於圖式中，為了易於理解，視需要誇大或簡化各部分之尺寸及數量來圖示。於各圖中，為了說明各元件之位置關係，於圖2至圖5及圖7至圖25中，標示右手系之XYZ正交座標系統。此處，設為X軸及Y軸沿著水平方向延伸，而Z軸沿著鉛直方向(上下方向)延伸者。又，於以下的說明中，將箭頭之尖端所朝方向設為+(正)方向，並將其反方向設為-(負)方向。此處，鉛直上方向為+Z方向，而鉛直下方向為-Z方向。
表示相對或絕對之位置關係的詞彙(例如「一方向」、「沿著一方向」、「平行」、「正交」、「中心」、「同心」、「同軸」等)，只要未特別說明，則不僅精確地表示該位置關係，亦表示在公差或可得到相同程度之功能的範圍內角度或距離相對地偏移之狀態者。表示為相等狀態的詞彙(例如「相同」、「相等」、「均質」等)，只要未特別說明，則不僅表示定量上精確地相等之狀態，亦表示存在公差或可得到相同程度之功能之差的狀態者。表示形狀的詞彙(例如「四邊形狀」或「圓筒形狀」等)，只要未特別說明，則不僅在幾何學上精確地表示其形狀，亦表示於可得到相同程度之效果的範圍內具有例如凹凸及倒角等的形狀者。「具備」、「具」、「具備有」、「包含」或「具有」1個構成元件的詞句，並非排除其他構成元件之存在的排他性詞彙。所謂「～之上」及「～之下」只要未特別說明，便存在有除了2個元件相連接之情形以外，亦包含2個元件分開之情形。所謂「朝特定方向移動」只要未特別說明，便存在有不僅朝與該特定方向平行地移動之情形，亦包含朝具有該特定方向之成分之方向移動的情形。
＜1.第1實施形態＞ ＜1-1.基板處理裝置之概略構成＞ 圖1係表示基板處理裝置1之構成之一例的概略圖。基板處理裝置1例如係對從分度裝置2所搬入之基板G1進行洗淨、塗膜的形成、朝向曝光裝置3的搬出、來自曝光裝置3的搬入、曝光後的顯影、顯影後之藉由加熱的乾燥及冷卻的裝置。基板處理裝置1中之處理後的基板G1會被搬入分度裝置2。於圖1中，位於供基板G1自分度裝置2被搬入之區域(亦稱為被搬入區域)11i的基板G1係以實線示意性地被描繪，而位於基板處理裝置1之其他區域的基板G1係以細雙點鏈線示意性地被描繪。
基板G1，例如可應用平板狀之玻璃基板等。基板G1例如係具有作為第1主面之第1面(亦稱為上表面)、及與該第1面相反之作為第2主面之第2面(亦稱為下表面)之平板狀的基板。用以形成塗膜之處理液，例如可應用例如光阻劑液或包含聚醯亞胺前驅物及溶劑之液體(亦稱為PI液)等之塗佈用的液體(亦稱為塗佈液)。聚醯亞胺前驅物，例如可應用聚醯胺酸(polyamic acid)等。溶劑，例如可應用NMP(N-甲基-2-吡咯啶酮：N-Methyl-2-Pyrrolidone)。
基板處理裝置1例如具有去路部分11、介面部12、及返路部分13。例如，去路部分11具有供基板G1從分度裝置2被搬入的區域(被搬入區域)11i，係供基板G1從被搬入區域11i移動至介面部12的部分。例如，介面部12係將基板G1朝向曝光裝置3搬出，並且將基板G1從曝光裝置3搬入的部分。例如，返路部分13具有供基板G1朝向分度裝置2搬出的區域(亦稱為被搬出區域)13o，係供從曝光裝置3被搬入介面部12之基板G1自介面部12至被搬出區域13o為止移動的部分。
分度裝置2例如具有載置有收容複數個基板G1之匣盒的載置台、及搬送機構。搬送機構，例如可應用在載置台上之匣盒與去路部分11之間、及返路部分13與載置台上之匣盒之間，進行基板G1之搬送的搬送機器人等。
去路部分11例如具有洗淨部111及成膜部112。於去路部分11，例如依序地配置有作為一處理部之洗淨部111及成膜部112。洗淨部111係對基板G1施以洗淨處理的部分。成膜部112係於藉由洗淨部111被施以洗淨處理之基板G1上形成塗膜的部分。成膜部112例如包含有作為複數個處理部之塗佈部1121、減壓乾燥部1122及加熱乾燥部(亦稱為預烘烤部)1123。去路部分11之各處理部例如依照洗淨部111、塗佈部1121、減壓乾燥部1122及加熱乾燥部1123的順序被配置。基板G1例如藉由搬送機器人或輸送器等搬送機構，如以細雙點鏈線的箭頭所示般，隨著處理的進行朝向各處理部，依照洗淨部111、塗佈部1121、減壓乾燥部1122及加熱乾燥部1123的順序被搬送。
洗淨部111例如對從分度裝置2所搬入之基板G1施以洗淨處理。洗淨處理例如包含有去除以微細粒子為首之有機污染、金屬污染、油脂及自然氧化膜等的處理。於洗淨部111，進行例如藉由紫外光之照射之附著於基板G1表面之有機物的去除、藉由去離子水等之洗淨液的供給與藉由刷子等之洗淨構件之基板G1表面的洗淨、以及藉由鼓風機等之基板G1的乾燥。藉由鼓風機等之基板G1的乾燥，例如包含有藉由空氣刀之洗淨液從基板G1上的去除等。
塗佈部1121例如對在洗淨部111被洗淨後之基板G1的表面塗佈處理液。塗佈部1121，例如可應用狹縫式塗佈機。狹縫式塗佈機例如藉由使從吐出口吐出處理液之狹縫噴嘴相對於基板G1相對地移動，可在基板G1上塗佈處理液。塗佈部1121，亦可應用其他塗佈方式的塗佈裝置。
減壓乾燥部1122例如進行藉由減壓使被塗佈於基板G1上之處理液乾燥的處理(亦稱為減壓乾燥處理)。此處，例如被塗佈於基板G1表面之處理液的溶媒藉由減壓而被氣化(蒸發)，處理液藉此被乾燥。
加熱乾燥部1123例如將處理液藉由減壓乾燥部1122被乾燥的基板G1加以加熱，而於基板G1之表面上使處理液所含的成分固化。藉此，於基板G1上形成作為與處理液相關之膜的塗膜。例如，於處理液為光阻劑液之情形時，藉由對經乾燥之光阻劑液之膜施以熱處理，而形成作為塗膜的光阻劑膜。例如，於處理液為PI液之情形時，利用對經乾燥之PI液之膜施以熱處理，而藉由PI液所含之聚醯亞胺前驅物的醯亞胺化來形成作為塗膜的聚醯亞胺膜。加熱乾燥部1123例如既可為對單一之基板G1進行加熱之單片式的加熱處理部，亦可為總括地對複數個基板G1進行加熱之批次式的加熱處理部。此處，例如假設為減壓乾燥部1122之減壓乾燥處理的產距時間、與加熱乾燥部1123之加熱處理的產距時間差異大，加熱乾燥部1123具有單片式的加熱處理部。於該情形時，加熱乾燥部1123例如亦可具有並列地進行加熱處理之複數台單片式的加熱處理部。複數台加熱處理部例如以沿著上下被積層之狀態所配置。
此處，去路部分11亦可在例如洗淨部111與成膜部112之間存在脫水烘烤部。脫水烘烤部例如藉由加熱基板G1，使在洗淨部111附著於基板G1之洗淨液氣化，而使基板G1乾燥。於該情形時，亦可在脫水烘烤部與成膜部112之間，存在進行藉由六甲基乙矽烷(HMDS)之噴吹之疏水化處理、及藉由冷風之噴吹之冷卻的處理部。於該情形時，例如成膜部112於在洗淨部111被施以洗淨處理之後，於藉由在脫水烘烤部所進行之加熱之乾燥、過疏水化處理及冷卻的基板G1上形成塗膜。
介面部12例如從去路部分11朝向曝光裝置3搬送基板G1。介面部12例如位於去路部分11與曝光裝置3之間。基板G1例如藉由介面部12所具有之搬送機器人或輸送器等的搬送機構，而如細雙點鏈線所描繪的箭頭所示般，從去路部分11朝向曝光裝置3被搬送。例如，基板G1從去路部分11之加熱乾燥部1123朝向曝光裝置3被搬送。又，介面部12例如從曝光裝置3朝向返路部分13搬送基板G1。介面部12例如位於曝光裝置3與返路部分13之間。基板G1例如藉由介面部12所具有之搬送機器人等的搬送機構，如細雙點鏈線箭頭所示般，從曝光裝置3朝向返路部分13被搬送。例如基板G1會從曝光裝置3朝向返路部分13的顯影部131被搬送。
曝光裝置3例如在去路部分11對被形成於基板G1上之塗膜進行曝光處理。具體而言，曝光裝置3例如通過描繪有電路圖案之遮罩來照射遠紫外線等之特定波長的光，而將圖案轉印至塗膜。曝光裝置3例如亦可包含有周邊曝光部及打印機(titler)。周邊曝光部係進行用以去除基板G1上之塗膜之外周部之曝光處理的部分。打印(titler)部例如係將既定資訊寫入基板G1的部分。
返路部分13例如作為複數個處理部而具有顯影部131、加熱部(亦稱為後烘烤部)132及冷卻部133。返路部分13之各處理部例如依照顯影部131、加熱部132及冷卻部133的順序被配置。基板G1例如藉由搬送機器人或搬送帶等之搬送機構，如細雙點鏈線所描繪的箭頭所示般，隨著處理的進行，以顯影部131、加熱部132及冷卻部133的順序朝向各處理部被搬送。此處，例如亦可為曝光裝置3不包含周邊曝光部及打印部，而返路部分13包含位於介面部12與顯影部131之間的周緣曝光部及打印部。
顯影部131例如在去路部分11對被形成於基板G1上之塗膜施以顯影處理。顯影處理例如包含有將塗膜顯影的處理、沖洗顯影液的處理、及使基板G1乾燥的處理。於顯影部131，例如進行將已由曝光裝置3曝光圖案之基板G1上之塗膜浸於顯影液的處理、利用去離子水等之洗淨液沖洗基板G1上之顯影液的處理、以及藉由鼓風機等使基板G1乾燥的處理。藉由鼓風機等之基板G1的乾燥，例如包含有藉由空氣刀之洗淨液從基板G1上的去除等。
加熱部132例如對基板G1進行加熱。於加熱部132，例如利用對已在顯影部131施以顯影處理之基板G1進行加熱，使在顯影部131附著於基板G1之洗淨液氣化，而使基板G1乾燥。
冷卻部133例如將在加熱部132被加熱的基板G1加以冷卻。冷卻部133，例如可應用藉由輸送器一邊搬送基板G1一邊將基板G1加以冷卻的構成、或利用在暫時性地收納基板G1之狀態下進行排氣而將基板G1加以冷卻的構成等。在冷卻部133被冷卻後之基板G1，例如藉由分度裝置2的搬送機構，而從返路部分13朝向基板處理裝置1之外部被搬出。
基板處理裝置1各部的動作，例如由控制裝置14所控制。控制裝置14例如具有與電腦相同的構成，而具有控制部141及儲存部142。控制部141例如包含中央處理裝置(CPU：Central Processing Unit)、及RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)等之揮發性的記憶體。儲存部142例如包含硬碟驅動器等之非揮發性的儲存媒體。控制裝置14例如可利用藉由控制部141來讀取並執行被儲存於儲存部142之程式，來控制基板處理裝置1各部的動作。控制裝置14例如既可被設於基板處理裝置1之外，亦可包含於基板處理裝置1內。
＜1-2.返路部分的構成＞ 圖2示意性地表示返路部分13之一部分之構成之一例的俯視圖。於圖2中，去路部分11之外緣係以細雙點鏈線所示意性地表示。又，於圖2中，位於被搬出區域13o之基板G1係以實線所示意性地描繪，而位於返路部分13中之其他區域的基板G1係以細雙點鏈線所示意性地描繪。又，於圖2中，基板G1移動的路徑係以由細單點鏈線所描繪的箭頭來表示。又，於圖2中，基板G1旋轉的狀況係以由雙點鏈線所描繪之弧狀的箭頭來表示。
如圖2所示，返路部分13具有第1部分13a及第2部分13b。第1部分13a及第2部分13b分別位於沿著作為第1水平方向的-X方向。
圖3係示意性地表示第1部分13a之一部分之構成之一例的縱剖視圖。於圖3中，簡單地記載有在顯影部131中位於加熱部132側之端部附近之作為搬送機構之一例之輸送器的一部分，省略顯影部131之其他構成的記載。又，於圖3中，位於各部之基板G1係以細雙點鏈線所示意性地描繪。又，於圖3中，顯影部131中基板G1移動的路徑係以由細單點鏈線所描繪的箭頭來表示。
圖4係示意性地表示第2部分13b之一部分之構成之一例的縱剖視圖。於圖4中，位於被搬出區域13o之基板G1係以實線所示意性地描繪，而位於冷卻部133中之與被搬出區域13o相反側之端部附近的基板G1係以細雙點鏈線所示意性地描繪。又，於圖4中，冷卻部133中基板G1移動的路徑係以由細單點鏈線所描繪的箭頭來表示。
圖5示意性地表示返路部分13之一部分之構成之一參考例的俯視圖。於圖5中，與圖2同樣地去路部分11之外緣係以細雙點鏈線所示意性地表示。又，於圖5中，位於顯影部131之中途的基板G1係以實線所示意性地描繪，而位於返路部分13中之其他區域的基板G1係以細雙點鏈線所示意性地描繪。又，於圖5中，與圖2中同樣地基板G1移動的路徑係以由細單點鏈線所描繪的箭頭來表示，而基板G1旋轉的狀況係以由雙點鏈線所描繪之弧狀的箭頭來表示。
如圖2及圖3所示，第1部分13a包含有顯影部131。於第1實施形態中，第1部分13a包含有顯影部131、第1搬送部134及加熱部132。如圖2及圖4所示，第2部分13b包含有冷卻部133。
如圖2所示，於從上方俯視且透視之情形時，構成第1部分13a中之作為第1水平方向之-X方向上之一部分的區域(稱為第1區域亦)P1、及構成第2部分13b中之作為第1水平方向之-X方向上之至少一部分的區域(亦稱為第2區域)P2，排列於與第1水平方向正交之作為第2水平方向之-Y方向上。返路部分13具有第1搬送部134。第1搬送部134例如可將在加熱部132被加熱後之基板G1從第1區域P1朝向第2區域P2搬送。於第1實施形態中，例如返路部分13的一部分被並列地排列。換言之，例如沿著水平面，返路部分13以第1搬送部134為起點被折彎為Z字狀。藉此，如圖5所示般，於返路部分13中，顯影部131、第1搬送部134及冷卻部133相較於在作為第1水平方向之-X方向上排列為直線狀的構成，可縮短作為返路部分13之第1水平方向之-X方向上的長度。因此，例如可縮短基板處理裝置1的長度。
於第1實施形態中，第1部分13a，顯影部131、第1搬送部134及加熱部132依序地排列於作為第1水平方向之-X方向上。換言之，於作為第1水平方向之-X方向上，第1搬送部134位於顯影部131與加熱部132之間。於圖2的例子中，第2區域P2位於第1區域P1之去路部分11側的區(亦稱為內側區)A1。換言之，第2區域P2位於第1區域P1與去路部分11之間。第1區域P1包含有第1搬送部134及加熱部132，而第2區域P2包含冷卻部133中之位於作為與第1水平方向相反之第3水平方向之+X方向側的部分。
顯影部131例如位於沿著作為第1水平方向的-X方向。於顯影部131中，例如從介面部12側所搬入之基板G1一邊沿著作為第1水平方向之-X方向依序地被移動，一邊對基板G1上之塗膜施以顯影處理。此處，例如在返路部分13具有位於介面部12與顯影部131之間之周緣曝光部及打印部的情形時，周緣曝光部、打印部、及顯影部131沿著作為第1水平方向之-X方向排列。於該情形時，例如第1部分13a包含周緣曝光部及打印部。此處，例如於作為第1水平方向之-X方向上，既可為周緣曝光部、打印部及顯影部131依照此記載的順序排列，亦可為打印部、周緣曝光部及顯影部131依照此記載的順序排列。
於第1實施形態中，第1搬送部134例如可將基板G1從顯影部131朝向加熱部132搬送，並將基板G1從加熱部132朝向冷卻部133搬送。藉此，例如於第1部分13a中，基板G1藉由第1搬送部134，而以在加熱部132折返之方式被搬送。具體而言，例如基板G1藉由第1搬送部134，朝向作為第1水平方向之-X方向而朝向加熱部132被搬入，而基板G1朝向作為第3水平方向之+X方向而從加熱部132被搬出。
第1搬送部134，例如可應用搬送用的機器人(亦稱為搬送機器人)。搬送機器人，例如可應用具有手部、臂機構、旋轉機構、及升降機構的構造。手部係可支撐或保持上下表面沿著水平方向之姿勢(亦稱為水平姿勢)之基板G1的部分。臂機構係安裝有手部，而可利用沿著水平方向伸縮而使手部沿著水平方向進退的機構。旋轉機構係可使臂機構以沿著鉛直方向之旋轉軸為中心旋轉的機構。升降機構係可使手部及臂機構與旋轉機構一起升降的機構。於圖3中，手部及臂機構藉由搬送機器人中之升降機構而與旋轉機構一起升降之方向，係以由雙點鏈線之細線所描繪的箭頭來表示。此處，例如可採用如下的態樣：於顯影部131中之加熱部132側之端部附近的搬送機構、及冷卻部133中之顯影部131側之端部附近的搬送機構，設有可供搬送機器人之手部插入基板G1之下方之溝槽或狹縫等的空間。
加熱部132例如具有加熱單元132h。於圖3之例子中，加熱部132具有沿著上下方向被重疊之複數個加熱單元132h。加熱單元132h，可應用板式的加熱單元。於板式的加熱單元中，例如藉由在基板G1被載置於板上之狀態下加熱加熱板，而對基板G1進行加熱。例如，第1搬送部134的搬送機器人可對各加熱單元132h，進行基板G1的搬入及搬出。
於圖3之例子中，加熱部132具有3個加熱單元132h，但並不限定於此。加熱部132既可具有1個或2個加熱單元132h，亦可具有4個以上加熱單元132h。例如於加熱部132具有2個以上加熱單元132h之情形時，只要2個以上加熱單元132h沿著上下方向被重疊，則即便工廠內可設置基板處理裝置1的區域有限制，亦可容易地設置基板處理裝置1。
冷卻部133例如位於沿著作為第1水平方向的-X方向。於冷卻部133，例如在作為第3水平方向之+X方向的端部附近，水平姿勢的基板G1會藉由第1搬送部134所搬入。冷卻部133例如具有一邊沿著作為第1水平方向之-X方向搬送基板G1一邊將基板G1加以冷卻的輸送器(亦稱為冷卻輸送器)133c。冷卻輸送器133c藉由驅動機構(未圖示)使沿著作為第1水平方向之-X方向排列之複數個滾輪旋轉，而使水平姿勢的基板G1沿著作為第1水平方向的-X方向移動。藉由冷卻輸送器133c所搬送之基板G1，例如藉由氣冷等對所冷卻。例如，於基板處理裝置1之上部配置有使清潔空氣之下降氣流產生的風扇過濾器單元(FFU)10之情形時，藉由冷卻輸送器133c所搬送的基板G1可由FFU10所產生的氣流所冷卻。於冷卻部133具有對基板G1進行冷卻之冷卻輸送器133c的構成中，例如用以設置冷卻部133的成本不易增大。
於第1實施形態中，例如基板G1藉由第1搬送部134之旋轉機構，在以水平姿勢被旋轉後被搬入冷卻部133。換言之，例如第1搬送部134藉由旋轉機構將水平姿勢的基板G1加以旋轉並搬入冷卻部133。此處，基板G1沿著水平面的旋轉角度，被設為例如約90度等的第1既定角度。於該情形時，冷卻部133例如亦可具有以沿著上下方向之假想的旋轉軸(亦稱為假想旋轉軸)Ax1為中心使水平姿勢之基板G1旋轉的旋轉單元133t。於圖3之例子中，冷卻部133於顯影部131側的端部附近具有旋轉單元133t。
旋轉單元133t例如可應用如下的構成：於冷卻輸送器133c中複數個連續地排列之2個以上之滾輪之Y方向之中央附近的開口部，具有旋轉台T1、及使該旋轉台T1升降的升降機構。旋轉台T1例如可應用具有平台部、軸部、及旋轉驅動部的構造。平台部例如係可在被立設於上表面之複數個銷，從下方支撐水平姿勢之基板G1的部分。軸部例如係具有固定有平台部的上端部，沿著假想旋轉軸Ax1而朝上下方向延伸之柱狀或棒狀的部分。旋轉驅動部例如係使軸部以假想旋轉軸Ax1為中心旋轉之馬達等的驅動部。升降機構例如可應用使旋轉驅動部沿著上下方向升降之汽缸等的機構。具有上述構成之旋轉單元133t，例如基板G1位於冷卻輸送器133c上之中之旋轉台T1之上方的狀態下，藉由利用升降機構使旋轉台T1上升而藉由平台部將水平姿勢之基板G1從下方抬起，並於藉由旋轉驅動部使平台部以假想旋轉軸Ax1為中心旋轉約90度等的第2既定角度後，藉由利用升降機構使旋轉台T1下降而將基板G1載置於冷卻輸送器133c上。藉此，水平姿勢之基板G1的朝向，可沿著水平面旋轉而得。
例如，假設基板G1之上下的主面為具有相對向之2個第1邊及相對向之2個第2邊的長方形狀。於該情形時，例如基板G1在第1部分13a之顯影部131沿著第1邊之方向被搬送，藉由第1搬送部134從上方觀察時逆時針地被旋轉約90度並被搬入冷卻部133。此處，基板G1藉由旋轉單元133t而從上方觀察時時針地被旋轉約90度。藉此，基板G1即便於第2部分13b之冷卻部133，亦可朝沿著第1邊的方向被搬送。此處，可存在例如第1邊為基板G1之主面之長邊且第2邊為基板G1之主面之短邊的情形、及第1邊為基板G1之主面之短邊且第2邊為基板G1之主面之長邊的情形。於該等情形時，例如旋轉單元133t可將藉由第1搬送部134而沿著水平面被旋轉之基板G1的朝向，恢復為原本的朝向。
此處，例如冷卻部133亦可於作為第1水平方向之-X方向上之任意位置具有旋轉單元133t。
＜1-3.返路部分中之基板處理及搬送動作的流程＞ 圖6係表示返路部分13中之對基板G1之處理及搬送之流程之一例的流程圖。於圖6中，顯示著眼於對1片基板G1之處理及搬送的流程圖。返路部分13中之對基板G1之處理及搬送，例如可藉由返路部分13各部的動作由控制部141所控制來實現。此處，例如進行返路部分13中之對基板G1之處理及搬送的方法，構成使用基板處理裝置1之基板處理方法的至少一部分。
於第1實施形態中，在返路部分13依序地進行圖6所示之從步驟S1至步驟S5的步驟。
於步驟S1之步驟(亦稱為第1步驟)中，藉由顯影部131對基板G1上的塗膜施以顯影處理。
於步驟S2之步驟中，藉由第1搬送部134將基板G1從顯影部131朝向加熱部132搬送。
於步驟S3之步驟(亦稱為第2步驟)中，藉由加熱部132將在步驟S1之第1步驟中塗膜已被施以顯影處理的基板G1加以加熱。
於步驟S4之步驟(亦稱為第3步驟)中，藉由第1搬送部134將在步驟S3之第2步驟中已被加熱的基板G1，從第1區域P1朝向第2區域P2搬送。於第1實施形態中，例如藉由第1搬送部134將基板G1從加熱部132朝向冷卻部133搬送。
於步驟S5之步驟(亦稱為第4步驟)中，藉由冷卻部133將在步驟S4之第3步驟中已從第1區域P1被搬送至第2區域P2的基板G1加以冷卻。於第1實施形態中，例如藉由冷卻部133將已藉由第1搬送部134被搬入冷卻部133的基板G1加以冷卻。於冷卻部133，例如藉由旋轉單元133t，將已藉由第1搬送部134而沿著水平面被旋轉之基板G1的朝向恢復為原本的朝向，並且藉由冷卻輸送器133c，一邊將水平姿勢之基板G1沿著作為第1水平方向的-X方向搬送一邊將基板G1加以冷卻。
如此，例如藉由採用將基板G1從返路部分13中之被並列地配置之第1區域P1朝向第2區域P2搬送的構成，可縮短返路部分13之作為第1水平方向之-X方向上的長度。其結果，例如可縮短基板處理裝置1的長度。
＜1-4.第1實施形態的彙整＞ 如以上所述，於第1實施形態之基板處理裝置1中，例如返路部分13之一部分被並列地排列。換言之，例如沿著水平面，返路部分13以第1搬送部134為起點呈Z字狀被折彎。藉此，例如可縮短返路部分13之作為第1水平方向之-X方向上的長度。因此，例如可縮短基板處理裝置1的長度。又，例如即便工廠內可設置基板處理裝置1的區域有限制，而難以擴大在作為第1水平方向之-X方向上之曝光裝置3與分度裝置2的間隔之情形時，亦可容易地配置基板處理裝置1。
又，於使用第1實施形態之基板處理裝置1之基板處理方法中，例如將基板G1從返路部分13中之被並列地配置的第1區域P1朝向第2區域P2搬送。藉此，例如可縮短返路部分13之作為第1水平方向之-X方向上的長度。因此，例如可縮短基板處理裝置1的長度。
＜2.變化例＞ 本發明並非被限定於上述之第1實施形態者，可於不脫離本發明主旨之範圍內進行各種的變更及改良等。
圖7至圖25分別係示意性地表示返路部分13之一部分之構成之變化例的圖。具體而言，圖7至圖9及圖11至圖25分別係示意性地表示返路部分13之一部分之構成之一變化例的俯視圖。圖10係示意性地表示第2部分13b之一部分之構成之一例的縱剖視圖。
於圖7至圖9及圖11至圖25之各者中，與圖2同樣地，位於被搬出區域13o的基板G1係以實線示意性地被描繪，而位於返路部分13中之其他區域的基板G1係以細雙點鏈線示意性地被描繪。又，於圖7至圖9及圖11至圖25之各者中，與圖2同樣地，基板G1移動的路徑係以由細單點鏈線描繪的箭頭來表示。又，於圖7至圖9及圖11至圖25之各者中，與圖2同樣地，基板G1被旋轉的狀況係以由雙點鏈線所描繪之弧狀的箭頭來表示。於圖10中，位於被搬出區域13o之基板G1的一例係以實線示意性地被描繪，而位於其他場所之基板G1的各例係以細雙點鏈線示意性地被描繪。
＜2-1.第1變化例＞ 於上述第1實施形態中，例如如圖7所示般，加熱部132亦可位於第1搬送部134之與去路部分11相反側的區(area)。換言之，加熱部132亦可位於第1區域P1之與去路部分11相反側的區(亦稱為外側區)A2。於該情形時，例如第1部分13a包含有顯影部131及第1搬送部134，第1區域P1包含有第1搬送部134，而第2區域P2包含有冷卻部133中之位於作為第3水平方向之+X方向之側的部分。即便於該情形時，例如返路部分13之一部分亦被並列地排列。換言之，例如沿著水平面，返路部分13以第1搬送部134為起點被折彎。藉此，例如可縮短返路部分13之作為第1水平方向之-X方向上的長度。因此，例如可縮短基板處理裝置1的長度。此處，例如如上述第1實施形態般，如加熱部132包含於第1部分13a，便可簡化基板處理裝置1的形狀，基板處理裝置1的設置便會變容易。
＜2-2.第2變化例＞ 於上述第1實施形態及上述第1變化例中，例如亦可如圖8等所示般，藉由加熱部132所加熱的基板G1，經由第1部分13a之中繼部136從第1區域P1朝向第2區域P2被搬送。此處，例如亦可如圖8所示般，第1部分13a包含有：中繼部136，其位於相對於顯影部131沿著上下方向被重疊；及第2搬送部135，其將基板G1從顯影部131朝向加熱部132搬送，並且將基板G1從加熱部132朝向中繼部136般送；且第1搬送部134將基板G1從中繼部136朝向冷卻部133A搬送。藉此，例如於第1部分13a，基板G1藉由第2搬送部135以朝向中繼部136折返之方式被搬送。藉此，例如藉由將返路部分13之一部分並列地配置，可縮短返路部分13之作為第1水平方向之-X方向上的長度。
於圖8之例子中，在第1部分13a，顯影部131、第2搬送部135及加熱部132依序地排列於作為第1水平方向之-X方向上。換言之，於作為第1水平方向之-X方向上，第2搬送部135位於顯影部131與加熱部132之間。藉此，例如在第1部分13a，基板G1藉由第2搬送部135以在加熱部132折返之方式被搬送。如此，例如若加熱部132包含於第1部分13a，便可簡化基板處理裝置1之形狀，基板處理裝置1的設置便會變容易。
又，於圖8之例子中，中繼部136位於顯影部131中之第2搬送部135側之端部附近之上。中繼部136可暫時性地支撐或保持基板G1。於第2部分13b，第1搬送部134及冷卻部133A依序地排列於作為第1水平方向之-X方向上。第1區域P1包含有顯影部131中之第2搬送部135側之端部附近的部分、中繼部136、第2搬送部135、及加熱部132，而第2區域P2包含有第1搬送部134、及冷卻部133A中之位於作為第3水平方向之+X方向之側的部分。第1搬送部134位於中繼部136之去路部分11側的區。第2搬送部135例如可應用與第1搬送部134相同的搬送機器人。中繼部136例如可應用與上述旋轉台T1相同的構成。冷卻部133A例如具有上述之冷卻部133被設為基礎且旋轉單元133t被去除而得的構成。
於具有該構成之返路部分13，進行以下之基板G1的處理及搬送。藉由顯影部131對基板G1上之塗膜施以顯影處理。其次，藉由第2搬送部135將基板G1從顯影部131朝向加熱部132搬送。其次，藉由加熱部132對塗膜已在顯影部131被施以顯影處理的基板G1進行加熱。其次，藉由第2搬送部135將基板G1從加熱部132朝向中繼部136搬送。其次，藉由中繼部136使水平姿勢的基板G1沿著水平面旋轉。此處，例如基板G1的朝向被旋轉約90度。其次，藉由第1搬送部134將經加熱部132加熱後的基板G1從第1區域P1朝向第2區域P2搬送。此處，例如藉由第1搬送部134將基板G1從中繼部136朝向冷卻部133A搬送。此時，基板G1藉由第1搬送部134之旋轉機構以水平姿勢被旋轉約90度後，被搬入冷卻部133A。藉此，第1搬送部134將藉由中繼部136沿著水平面被旋轉之基板G1的朝向，恢復為原本的朝向。其次，藉由冷卻部133A，將藉由第1搬送部134而從第1區域P1被搬送至第2區域P2之基板G1加以冷卻。此處，例如藉由冷卻部133A，將藉由第1搬送部134被搬入至冷卻部133A之基板G1加以冷卻。於冷卻部133A中，例如藉由冷卻輸送器133c，將水平姿勢之基板G1一邊沿著作為第1水平方向之-X方向搬送，一邊將基板G1加以冷卻。
此處，例如中繼部136亦可應用僅暫時性地支撐或保持基板G1之構成，且將冷卻部133A變更為具有旋轉單元133t的冷卻部133。於該情形時，中繼部136例如可應用緩衝部。緩衝部例如具有可暫時性地收納基板G1的構成。緩衝部例如具有可分別地載置基板G1的複數個部分(亦稱為載置部分)。於載置部分，例如基板G1以水平姿勢載置於被立設之複數個銷上。緩衝部既可具有1段的構造，亦可具有2個以上的載置部分沿著上下排列之多段之擱板狀的構造，而該1段的構造具有1個載置部分。
此處，例如中繼部136既可位於顯影部131之上與顯影部131重疊，亦可位於顯影部131之下與顯影部131重疊。換言之，中繼部136可位於相對於顯影部131沿著上下方向重疊。
此處，例如加熱部132亦可位於第2搬送部135之與去路部分11相反側的區。換言之，加熱部132亦可位於第1區域P1之與去路部分11相反側的區(外側區)A2。於該情形時，例如第1部分13a包含有顯影部131、第2搬送部135及中繼部136，第1區域P1包含有第2搬送部135及中繼部136，而第2區域P2包含有第1搬送部134、及冷卻部133中之位於作為第3水平方向之+X方向側的部分。
＜2-3.第3變化例＞ 於上述第2變化例中，例如亦可如圖9及圖10等所示般，冷卻部133A被變更為冷卻部133B，該冷卻部133B具有藉由在將基板G1暫時性地收納之狀態下進行排氣而將基板G1加以冷卻的冷卻單元133u。藉此，例如可縮短返路部分13的長度。因此，例如，即便工廠內可設置基板處理裝置1之區域有限制，而難以擴大在作為第1水平方向之-X方向上之曝光裝置3與分度裝置2之間隔的情形時，亦可容易地配置基板處理裝置1。於圖9之例子中，第1區域P1包含有顯影部131中之第2搬送部135側之端部附近的部分、中繼部136及第2搬送部135，而第2區域P2包含有第1搬送部134及冷卻部133B。
於圖10之例子中，冷卻部133B具有被重疊於上下方向之複數個冷卻單元133u。冷卻單元133u例如可應用具有可載置基板G1之載置部、及可局部地排出載置部周圍之氣體之排氣部的單元。載置部例如可應用可在被立設之複數個銷上載置水平姿勢之基板G1的構成。於冷卻單元133u中，例如在基板G1被載置於載置部之上的狀態下，基板G1藉由基板G1周圍之氣體由排氣部所局部地排出而被冷卻。例如，第1搬送部134之搬送機器人可對各冷卻單元133u進行基板G1之搬入。基板G1從各冷卻單元133u之搬出，例如可藉由分度裝置2的搬送機構所進行。
於圖10之例子中，冷卻部133B具有3個冷卻單元133u，但並不限定於此。冷卻部133B既可具有1個或2個冷卻單元133u，亦可具有4個以上的冷卻單元133u。例如，於冷卻部133B具有2個以上的冷卻單元133u之情形時，若2個以上冷卻單元133u沿著上下方向被重疊，則即便於工廠內可設置基板處理裝置1之區域有限制之情形時，基板處理裝置1的設置亦會變容易。
＜2-4.第4變化例＞ 於上述第1實施形態、上述第1變化例及上述第2變化例中，例如亦可如圖11等所示般，於冷卻部133、133A與分度裝置2之間，配置位於沿著作為第1水平方向之-X方向的第3搬送部137。第3搬送部137例如可將從冷卻部133、133A所搬入的基板G1朝向分度裝置2側般送。換言之，第3搬送部137例如可將基板G1朝作為第1水平方向之-X方向搬送。此處，例如，在基於與去路部分11之長度的關係，而在冷卻部133、133A與分度裝置2之間產生間隙之情形時，可藉由將第3搬送部137配置於該間隙來調整返路部分13的長度。
第3搬送部137例如可應用輸送器等的搬送機構。輸送器藉由驅動機構(未圖示)使沿著作為第1水平方向之-X方向排列之複數個滾輪旋轉，藉此使水平姿勢之基板G1沿著作為第1水平方向的-X方向移動。
於圖11，顯示在上述第1實施形態之圖2之構成的基礎上，於冷卻部133與分度裝置2之間配置有第3搬送部137之一例。於圖11之例子中，第3搬送部137位於沿作為第1水平方向的-X方向，且包含於第2部分13b。此處，例如第3搬送部137亦可為不包含於第2部分13b且不包含於基板處理裝置1的另一裝置。
＜2-5.第5變化例＞ 於上述第3變化例中，例如亦可如圖12等所示般，於第1搬送部134之作為第3水平方向之+X方向之側配置冷卻部133B，並於第1搬送部134之作為第1水平方向之-X方向之側配置第3搬送部137。換言之，亦可於第2部分13b，冷卻部133B、第1搬送部134、及第3搬送部137亦可依序地排列於作為第1水平方向之-X方向上。於圖12之例子中，第1區域P1包含有顯影部131中之第2搬送部135側的部分、中繼部136及第2搬送部135，而第2區域P2包含有冷卻部133B、第1搬送部134及第3搬送部137。
此處，例如加熱部132亦可位於第2搬送部135之與去路部分11相反側的區。換言之，加熱部132亦可位於第1區域P1之與去路部分11相反側的區(外側區)A2。於該情形時，例如第1部分13a包含有顯影部131、第2搬送部135及中繼部136，第1區域P1包含有顯影部131中之第2搬送部135側的部分、第2搬送部135及中繼部136，而第2區域P2包含有第1搬送部134、冷卻部133B、及第3搬送部137中之位於作為第3水平方向之+X方向之側的部分。
於具有該構成之返路部分13中，在藉由第1搬送部134將於加熱部132所加熱後之基板G1從第1區域P1搬送至第2區域P2時，藉由第1搬送部134將基板G1從中繼部136朝向冷卻部133B搬送。此時，基板G1在藉由第1搬送部134之旋轉機構以水平姿勢被旋轉約90度後，被搬入冷卻部133B。藉此，第1搬送部134將藉由中繼部136沿著水平面被旋轉之基板G1的朝向，恢復為原本的朝向。其後，藉由冷卻部133B將藉由第1搬送部134而從第1區域P1被搬送至第2區域P2的基板G1加以冷卻。此處，例如藉由冷卻部133B，將藉由第1搬送部134被搬入冷卻部133B的基板G1加以冷卻。然後，藉由第1搬送部134將基板G1從冷卻部133B朝向第3搬送部137搬送。
此處，例如第3搬送部137既可包含於第2部分13b，亦可為不包含於第2部分13b且不包含於基板處理裝置1的另一裝置。
＜2-6.第6變化例＞ 於上述第1實施形態、上述第1變化例及上述第4變化例中，例如亦可如圖13等所示般，冷卻部133較第1搬送部134更朝作為第3水平方向之+X方向延伸，在第1搬送部134將基板G1朝向冷卻部133搬送時，將基板G1朝向較以冷卻部133中之第1搬送部134為基準而位於作為與第1水平方向正交之第2水平方向的-Y方向之區域，朝向朝作為第3水平方向之+X方向偏移的區域搬送。於該情形時，例如第1區域P1亦包含有顯影部131中之第1搬送部134側的端部附近。此處，例如藉由相對於第1部分13a使第2部分13b朝作為第3水平方向之+X方向偏移，可縮短返路部分13的長度。因此，例如可縮短基板處理裝置1的長度。
於具有該構成之返路部分13中，藉由第1搬送部134將在加熱部132被加熱後之基板G1從第1區域P1朝向第2區域P2般送時，藉由第1搬送部134以相對於作為第1水平方向之-X方向返回斜後方之方式來搬送基板G1。此時，基板G1藉由第1搬送部134之旋轉機構，成為以水平姿勢朝向相對於作為第1水平方向之-X方向傾斜之方向的狀態。例如，於基板G1之上下的主面為具有相對向之2個第1邊及相對向之2個第2邊的長方形狀之情形時，在顯影部131沿著沿第1邊之作為第1水平方向之-X方向被搬送的基板G1，會在第1邊之延伸方向相對於作為第1水平方向之-X方向以90度以外之角度交叉的狀態下，被搬入冷卻部133。於冷卻部133，例如藉由利用旋轉單元133t將水平姿勢的基板G1加以旋轉，可將基板G1的朝向復原。例如，可藉由旋轉單元133t以第1邊之延伸方向成為沿著作為第1水平方向之-X方向的狀態，將水平姿勢之基板G1加以旋轉。
＜2-7.第7變化例＞ 於上述第1實施形態及上述第1至第6變化例中，例如亦可如圖14及圖15等所示般，於返路部分13中之鄰接於分度裝置2的部位，配置載置基板G1的載置部138。於該情形時，被載置於載置部138的基板G1，例如可藉由分度裝置2之搬送機構從基板處理裝置1被搬出。載置部138例如具有載置單元。載置單元例如具有可供基板G1暫時性地載置的構成。於載置單元中，例如基板G1以水平姿勢被載置於被立設之複數個銷上。載置部138既可具有1段的構造，亦可具有2個以上載置單元沿著上下排列之多段的構造，而該1段的構造具有1個載置單元。
此處，如圖14所示，於返路部分13具有包含冷卻輸送器133c之冷卻部133、133A之情形時，可存在返路部分13具有第4搬送部139之態樣，而該第4搬送部139被配置於冷卻部133、133A與載置部138之間且將基板G1從冷卻部133、133A朝向載置部138搬送。第4搬送部139例如可應用與第1搬送部134相同的搬送機器人。
於圖14中，顯示在上述第6變化例之圖13之構成的基礎上，於冷卻部133與分度裝置2之間配置第4搬送部139及載置部138的一例。於圖14之例子中，在第2部分13b，冷卻部133、第4搬送部139及載置部138依序地排列於作為第1水平方向的-X方向上。此處，例如由冷卻部133所冷卻之基板G1，會藉由第4搬送部139從冷卻部133被搬送至載置部138。此時，基板G1會被載置於載置部138。此處，例如第4搬送部139及載置部138既可如圖14所示般包含於第2部分13b，亦可為不包含於第2部分13b且不包含於基板處理裝置1之外部裝置及構成。
於圖15中，顯示在上述第5變化例之圖12之構成的基礎上，取代第3搬送部137而配置有載置部138的一例。於圖15之例子中，在第2部分13b，冷卻部133B、第1搬送部134及載置部138依序地排列於作為第1水平方向的-X方向上。又，第1區域P1包含有顯影部131中之第2搬送部135側的部分、中繼部136及第2搬送部135，而第2區域P2包含有冷卻部133B、第1搬送部134及載置部138。此處，例如由冷卻部133B所冷卻的基板G1，藉由第1搬送部134從冷卻部133B被搬送至載置部138。此時，基板G1被載置於載置部138。此處，例如，載置部138既可如圖15所示般包含於第2部分13b，亦可為不包含於第2部分13b且不包含於基板處理裝置1之外部的構成。
＜2-8.第8變化例＞ 於上述第1實施形態及上述第1至第6變化例中，例如亦可如圖16及圖17等所示般，檢查裝置4等之具有其他功能的裝置位於冷卻部133、133A、133B與分度裝置2之間。檢查裝置4例如係用以使用相機等之光學構件來進行基板G1之檢查的裝置。於該情形時，例如可藉由分度裝置2之搬送機構將基板G1自檢查裝置4搬出至分度裝置2。
於圖16中，顯示在上述第6變化例之圖13之構成的基礎上，於冷卻部133與分度裝置2之間配置有檢查裝置4的一例。此處，例如基板G1可藉由檢查裝置4所具有之搬送機器人等的搬送機構，從冷卻部133朝向檢查裝置4內被搬送。
於圖17中，顯示在上述第3變化例之圖9之構成的基礎上，於冷卻部133B與分度裝置2之間配置有檢查裝置4之一例。此處，例如可藉由檢查裝置4所具有之搬送機器人等的搬送機構，將基板G1自冷卻部133B搬送至檢查裝置4內。
＜2-9.第9變化例＞ 於上述第2至第5變化例、上述第7變化例及上述第8變化例中，例如亦可如圖18至圖25等所示般，返路部分13所包含之中繼部136被變更為包含有沿著作為第3水平方向之+X方向搬送基板G1之輸送器(亦稱為反向搬送輸送器)136c的中繼部136A，而第1搬送部134將基板G1從反向搬送輸送器136c中之作為第3水平方向之+X方向側的部分朝向冷卻部133、133A、133B搬送。於該情形時，例如在藉由反向搬送輸送器136c將利用加熱部132加熱後之基板G1朝向作為第3水平方向之+X方向搬送基板G1之後，藉由第1搬送部134向冷卻部133、133A、133B搬送基板G1。藉此，例如可使第2部分13b相對於第1部分13a向作為第3水平方向之+X方向錯開。其結果為，例如，可縮短返路部分13在作為第1水平方向之-X方向上之長度。又，例如，即便工廠內可設置基板處理裝置1之區域有限，於作為第1水平方向之-X方向上難以擴大曝光裝置3與分度裝置2之間隔時，亦可容易配置基板處理裝置1。
圖18中，顯示在上述第2變化例之圖8之構成的基礎上，將中繼部136變更為中繼部136A，使第2部分13b相對於第1部分13a向作為第3水平方向之+X方向錯開的一例。
中繼部136A例如包含反向搬送輸送器136c及旋轉單元136t。反向搬送輸送器136c藉由利用驅動機構(未圖示)使沿作為第3水平方向之+X方向排列之複數個滾輪旋轉，而使水平姿勢之基板G1向作為第3水平方向之+X方向移動。與上述旋轉單元133t同樣地，旋轉單元136t亦具有以沿上下方向之假想之旋轉軸(假想旋轉軸)為中心使水平姿勢之基板G1旋轉的構成。圖18之例中，中繼部136A於與第2搬送部135相反之側之端部附近具有旋轉單元136t。
對於旋轉單元136t，例如可應用如下構成，該構成於反向搬送輸送器136c中之複數個連續排列之2個以上滾輪在Y方向上的中央附近之開口部，具有旋轉台、及使該旋轉台升降之升降機構。對於旋轉台，例如應用具有平台部、軸部及旋轉驅動部之構造。平台部例如為可於立設於上表面之複數個銷上自下方支撐水平姿勢之基板G1的部分。軸部例如為具有供平台部固定之上端部，且為沿假想旋轉軸於上下方向延伸之柱狀或棒狀部分。旋轉驅動部例如為使軸部以假想旋轉軸為中心旋轉的馬達等驅動部。對於升降機構，例如應用使旋轉驅動部沿上下方向升降之汽缸等機構。具有上述構成之旋轉單元136t例如於基板G1位於反向搬送輸送器136c上之旋轉台之上方的狀態下，藉由升降機構使旋轉台上升，藉此利用平台部自下方抬起水平姿勢之基板G1，藉由旋轉驅動部使平台部以假想旋轉軸為中心旋轉約90度等第3既定角度。藉此，可使水平姿勢之基板G1之方向沿水平面旋轉。其後，例如可藉由利用升降機構使旋轉台下降而將基板G1載置於反向搬送輸送器136c上，亦可不使旋轉台下降，而是藉由第1搬送部134將利用平台部自下方抬起之基板G1向冷卻部133A搬送。
又，圖18之例中，第1區域P1包含顯影部131中之第2搬送部135側之部分、第2搬送部135、加熱部132及中繼部136A，第2區域P2包含第1搬送部134及冷卻部133A。
具有圖18之例之構成之返路部分13中，以如下方式自加熱部132向冷卻部133A搬送基板G1。首先，藉由第2搬送部135將基板G1自加熱部132搬送至中繼部136A。繼而，於中繼部136A中，藉由反向搬送輸送器136c，沿作為第3水平方向之+X方向搬送水平姿勢之基板G1，並且藉由旋轉單元136t使水平姿勢之基板G1沿水平面旋轉。此處，例如基板G1之方向旋轉約90度。繼而，藉由第1搬送部134將經加熱部132加熱過之基板G1自第1區域P1搬送至第2區域P2。此處，例如，藉由第1搬送部134將基板G1自中繼部136A中之作為第3水平方向之+X方向側之部分搬送至冷卻部133A。此時，藉由第1搬送部134之旋轉機構使基板G1以水平姿勢旋轉約90度後，將其搬入至冷卻部133A。藉此，第1搬送部134使藉由中繼部136A沿水平面旋轉過之基板G1之方向恢復原本之方向。
圖19中，顯示在上述第3變化例之圖9之構成的基礎上，將中繼部136置換為中繼部136A，使第2部分13b相對於第1部分13a向作為第3水平方向之+X方向錯開的一例。圖19之例中，第1區域P1包含顯影部131中之第2搬送部135側之部分及中繼部136A，第2區域P2包含第1搬送部134及冷卻部133B。
具有圖19之例之構成之返路部分13中，以如下方式自加熱部132向冷卻部133B搬送基板G1。首先，藉由第2搬送部135將基板G1自加熱部132搬送至中繼部136A。繼而，於中繼部136A中，藉由反向搬送輸送器136c，沿作為第3水平方向之+X方向搬送水平姿勢之基板G1，並且藉由旋轉單元136t使水平姿勢之基板G1沿水平面旋轉。此處，例如基板G1之方向旋轉約90度。繼而，藉由第1搬送部134將經加熱部132加熱過之基板G1自第1區域P1搬送至第2區域P2。此處，例如，藉由第1搬送部134將基板G1自中繼部136A中之作為第3水平方向之+X方向側之部分搬送至冷卻部133B。此時，藉由第1搬送部134之旋轉機構使基板G1以水平姿勢旋轉約90度後，將其搬入至冷卻部133B。藉此，第1搬送部134使藉由中繼部136A沿水平面旋轉過之基板G1之方向恢復原本之方向。
圖20中，顯示在圖18之構成的基礎上，與上述第4變化例之圖11同樣地於冷卻部133A與分度裝置2之間配置第3搬送部137的一例。第3搬送部137例如可將自冷卻部133A搬入之基板G1搬送至分度裝置2側。第3搬送部137例如可將基板G1向作為第1水平方向之-X方向搬送。此處，例如於冷卻部133A與分度裝置2之間因與去路部分11之長度的關係而產生間隙時，可藉由於該間隙配置第3搬送部137而調整返路部分13之長度。
圖21中，顯示在上述第5變化例之圖12之構成的基礎上，將中繼部136變更為中繼部136A，使第2部分13b相對於第1部分13a向作為第3水平方向之+X方向錯開的一例。圖21之例中，第1區域P1包含顯影部131中之第2搬送部135側之部分、第2搬送部135及中繼部136A，第2區域P2包含第1搬送部134、冷卻部133B及第3搬送部137。
具有圖21之例之構成之返路部分13中，以如下方式自加熱部132向冷卻部133B搬送基板G1。首先，藉由第2搬送部135將基板G1自加熱部132搬送至中繼部136A。繼而，於中繼部136A中，藉由反向搬送輸送器136c，沿作為第3水平方向之+X方向搬送水平姿勢之基板G1，並且藉由旋轉單元136t使水平姿勢之基板G1沿水平面旋轉。此處，例如基板G1之方向旋轉約90度。繼而，藉由第1搬送部134將經加熱部132加熱過之基板G1自第1區域P1搬送至第2區域P2。此處，例如，藉由第1搬送部134將基板G1自中繼部136A中之作為第3水平方向之+X方向側之部分搬送至冷卻部133B。此時，藉由第1搬送部134之旋轉機構使基板G1以水平姿勢旋轉約90度後，將其搬入至冷卻部133B。藉此，第1搬送部134使藉由中繼部136A沿水平面旋轉過之基板G1之方向恢復原本之方向。
圖22中，顯示在圖18之構成的基礎上，與上述第7變化例之圖14同樣地於冷卻部133A與分度裝置2之間配置第4搬送部139及載置部138的一例。圖22之例中，於第2部分13b中，第1搬送部134、冷卻部133A、第4搬送部139及載置部138依序排列於作為第1水平方向之-X方向上。此處，例如，藉由第4搬送部139，將經冷卻部133A冷卻之基板G1自冷卻部133搬送至載置部138。此時，基板G1係載置於載置部138。此處，例如，第4搬送部139及載置部138可包含於圖22所示之第2部分13b，亦可為不包含於第2部分13b而為基板處理裝置1之外部裝置及構成。
圖23中，顯示在上述第7變化例之圖15之構成的基礎上，將中繼部136變更為中繼部136A，使第2部分13b相對於第1部分13a向作為第3水平方向之+X方向錯開的一例。圖23之例中，第1區域P1包含顯影部131中之第2搬送部135側之部分及中繼部136A，第2區域P2包含第1搬送部134、冷卻部133B及載置部138。此處，例如，載置部138可如圖23所示，包含於第2部分13b及第2區域P2，亦可為不包含於第2部分13b及第2區域P2而為基板處理裝置1之外部構成。具有圖23之例之構成之返路部分13中，與具有圖21之例之構成的返路部分13同樣地自加熱部132向冷卻部133B搬送基板G1。
圖24中，顯示在圖18之構成的基礎上，與上述第8變化例之圖16同樣地於冷卻部133A與分度裝置2之間配置檢查裝置4之一例。圖24之例中，例如可藉由檢查裝置4所具有之搬送機器人等搬送機構，將基板G1自冷卻部133A搬送至檢查裝置4內，藉由分度裝置2之搬送機構，將基板G1自檢查裝置4搬出至分度裝置2。
圖25中，顯示在上述第8變化例之圖17之構成的基礎上，將中繼部136變更為中繼部136A，使第2部分13b相對於第1部分13a向作為第3水平方向之+X方向錯開的一例。圖25之例中，第1區域P1包含顯影部131中之第2搬送部135側之部分及中繼部136A，第2區域P2包含第1搬送部134及冷卻部133B。具有圖25之例之構成之返路部分13中，以與具有圖19之例之構成之返路部分13同樣地自加熱部132向冷卻部133B搬送基板G1。
第9變化例中，例如，中繼部136A可於作為第3水平方向之+X方向上的任意位置具有旋轉單元136t。
第9變化例中，例如亦可考慮第1搬送部134具有依序排列基板G1之搬送方向互不相同之複數個輸送器之構成的態樣。於該情形時，例如第1搬送部134亦可位於自第1部分13a至第2部分13b之位置。換言之，例如第1搬送部134亦可位於自第1區域P1至第2區域P2之位置。此處，例如，基板G1於中繼部136A中移動之路徑(亦稱為第1路線)之高度與基板G1在冷卻部133、133A、133B中所處之高度不同時，第1搬送部134亦可具有使複數個輸送器之至少一部分升降之升降機構。
＜2-10.其他＞ 上述第1實施形態及上述各變化例中，例如返路部分13亦可變更為如下構成：返路部分13位於沿作為第1水平方向之-X方向之位置，且以作為垂直於水平面之假想鉛直面的XZ平面為基準呈面對稱。換言之，亦可為例如第2區域P2位於第1部分13a中之第1區域P1之與去路部分11相反之側之外側區A2。
上述第1實施形態及上述各變化例中，例如對於作為處理對象之基板G1的玻璃基板，可應用例如液晶顯示裝置用玻璃基板、有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示用玻璃基板、電漿顯示器(PDP，Plasma Display Panel)用玻璃基板或光罩用玻璃基板等。又，作為處理對象之基板G1，例如亦可採用與玻璃基板不同之半導體晶圓、彩色濾光片用基板、記錄碟片用基板或太陽電池用基板等其他精密電子裝置用基板。
上述第1實施形態及上述各變化例中，例如，基板處理裝置1可包含分度裝置2，亦可包含曝光裝置3。
再者，毋庸置疑，可適當於不產生矛盾之範圍內將分別構成上述第1實施形態及各種變化例之全部或一部分要素加以組合。
1:基板處理裝置 2:分度裝置 3:曝光裝置 4:檢查裝置 10:風扇過濾器單元(FFU) 11:去路部分 11i:被搬入區域 12:介面部 13:返路部分 13a:第1部分 13b:第2部分 13o:被搬出區域 14:控制裝置 111:洗淨部 112:成膜部 131:顯影部 132:加熱部 132h:加熱單元 133、133A、133B:冷卻部 133c:冷卻輸送器 133t、136t:旋轉單元 133u:冷卻單元 134:第1搬送部 135:第2搬送部 136、136A:中繼部 136c:反向搬送輸送器 137:第3搬送部 138:載置部 139:第4搬送部 141:控制部 142:儲存部 1121:塗佈部 1122:減壓乾燥部 1123:加熱乾燥部 A1:內側區 A2:外側區 Ax1:假想旋轉軸 G1:基板 P1:第1區域 P2:第2區域 T1:旋轉台
圖1係表示基板處理裝置之構成之一例的概略圖。 圖2係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一例的俯視圖。 圖3係示意性地表示第1部分之一部分之構成之一例的縱剖視圖。 圖4係示意性地表示第2部分之一部分之構成之一例的縱剖視圖。 圖5係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一參考例之俯視圖。 圖6係表示於返路部分對於基板之處理及搬送之流程之一例的流程圖。 圖7係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖8係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖9係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖10係示意性地表示第2部分之一部分之構成之一例的縱剖視圖。 圖11係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖12係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖13係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖14係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖15係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖16係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖17係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖18係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖19係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖20係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖21係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖22係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖23係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖24係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。 圖25係示意性地表示返路部分之一部分之構成之一變化例的俯視圖。
2:分度裝置
11:去路部分
13:返路部分
13a:第1部分
13b:第2部分
13o:被搬出區域
131:顯影部
132:加熱部
133:冷卻部
133c:冷卻輸送器
133t:旋轉單元
134:第1搬送部
A1:內側區
A2:外側區
G1:基板
P1:第1區域
P2:第2區域

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有：去路部分，其供基板從上述基板自分度裝置被搬入的區域移動至朝向曝光裝置搬出上述基板的介面部為止；及返路部分，其供自上述曝光裝置被搬入上述介面部之上述基板，移動至上述基板自上述介面部朝向上述分度裝置被搬出的區域為止； 上述去路部分具有：對上述基板施以洗淨處理的洗淨部；及在被施以上述洗淨處理之上述基板上形成塗膜的成膜部； 上述返路部分具有分別位在沿著第1水平方向之位置的第1部分及第2部分； 上述第1部分包含有對上述塗膜施以顯影處理的顯影部； 上述第2部分包含有在上述顯影處理後將由加熱部所加熱後之上述基板加以冷卻的冷卻部； 在從上方俯視且透視之情形時，構成上述第1部分中之上述第1水平方向上之一部分的第1區域、及構成上述第2部分中之上述第1水平方向上之至少一部分的第2區域，排列於與上述第1水平方向正交之第2水平方向上；且 上述返路部分包含有上述加熱部、及將由該加熱部所加熱後之上述基板從上述第1區域朝向上述第2區域搬送的第1搬送部。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 於上述第1部分，上述顯影部、上述第1搬送部及上述加熱部依序地排列於上述第1水平方向上； 上述第1搬送部將上述基板從上述顯影部朝向上述加熱部搬送，並將上述基板從上述加熱部朝向上述冷卻部搬送。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 上述第1部分包含有：中繼部，其位於相對於上述顯影部沿著上下方向重疊的位置；及第2搬送部，其將上述基板從上述顯影部朝向上述加熱部搬送，並且將上述基板從上述加熱部朝向上述中繼部搬送； 上述第1搬送部將上述基板從上述中繼部朝向上述冷卻部搬送。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中， 上述中繼部包含有沿著與上述第1水平方向相反之第3水平方向搬送上述基板的反向搬送輸送器； 上述第1搬送部將上述基板從上述反向搬送輸送器中之上述第3水平方向側的部分朝向上述冷卻部搬送。
  5. 如請求項3或4之基板處理裝置，其中， 於上述第1部分，上述顯影部、上述第2搬送部及上述加熱部依序地排列於上述第1水平方向上。
  6. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中， 上述冷卻部包含有一邊沿著上述第1水平方向搬送上述基板一邊將上述基板加以冷卻的冷卻輸送器。
  7. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中， 上述冷卻部包含有藉由在暫時性地收納上述基板的狀態下進行排氣而將上述基板加以冷卻的冷卻單元。
  8. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中， 上述第1部分包含有上述第1搬送部； 上述冷卻部包含有一邊朝向上述第1水平方向搬送上述基板一邊將上述基板加以冷卻的冷卻輸送器，並且相較於上述第1搬送部，更朝與上述第1水平方向相反的第3水平方向延伸； 上述第1搬送部在將上述基板朝向上述冷卻部搬送時，將上述基板朝向較以上述冷卻部中之上述第1搬送部為基準而位於上述第2水平方向之區域更朝向上述第3水平方向偏移的區域搬送。
  9. 一種基板處理方法，係使用基板處理裝置者，而該基板處理裝置具備有：去路部分，其供基板從上述基板自分度裝置被搬入的區域移動至朝向曝光裝置搬出上述基板的介面部為止；及返路部分，其供自上述曝光裝置被搬入上述介面部之上述基板，移動至上述基板自上述介面部朝向上述分度裝置被搬出的區域為止；其中， 上述去路部分具有：對上述基板施以洗淨處理的洗淨部；及在被施以上述洗淨處理之上述基板上形成塗膜的成膜部； 上述返路部分具有分別位在沿著第1水平方向之位置的第1部分及第2部分； 上述第1部分包含有顯影部； 上述第2部分包含有冷卻部； 在從上方俯視且透視之情形時，構成上述第1部分中之上述第1水平方向上之一部分的第1區域、及構成上述第2部分中之上述第1水平方向上之至少一部分的第2區域，排列於與上述第1水平方向正交之第2水平方向上； 上述返路部分包含有加熱部、及第1搬送部；且 上述基板處理方法包含有： 第1步驟，其藉由上述顯影部，對上述塗膜施以顯影處理； 第2步驟，其藉由上述加熱部，將在上述第1步驟中對上述塗膜被施以上述顯影處理的上述基板加以加熱； 第3步驟，其藉由上述第1搬送部，將在上述第2步驟中經加熱後之上述基板從上述第1區域朝向上述第2區域搬送；及 第4步驟，其藉由上述冷卻部，將在上述第3步驟中從上述第1區域被搬送至上述第2區域的上述基板加以冷卻。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3338343B2 (ja) * 1992-12-21 2002-10-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3595760B2 (ja) * 2000-07-19 2004-12-02 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置および基板洗浄装置
TW533460B (en) 2001-03-09 2003-05-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
JP4286596B2 (ja) * 2003-07-01 2009-07-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
JP4005609B2 (ja) * 2005-06-17 2007-11-07 美岳 伊藤 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP4542984B2 (ja) * 2005-11-24 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
KR100949505B1 (ko) * 2006-06-05 2010-03-24 엘지디스플레이 주식회사 포토 장치 및 방법
JP2008300578A (ja) 2007-05-30 2008-12-11 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP4954162B2 (ja) * 2008-08-29 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP6407629B2 (ja) * 2014-08-29 2018-10-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 搬送装置および基板処理装置
JP7097759B2 (ja) 2018-06-22 2022-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7232596B2 (ja) * 2018-08-30 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7232593B2 (ja) * 2018-08-30 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7186605B2 (ja) * 2018-12-27 2022-12-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7142566B2 (ja) * 2018-12-27 2022-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7247743B2 (ja) * 2019-05-20 2023-03-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6994489B2 (ja) * 2019-10-02 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
JP7414664B2 (ja) * 2020-08-12 2024-01-16 東京エレクトロン株式会社 温度測定ユニット、熱処理装置及び温度測定方法

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